JP2009150718A - 検査装置および検査プログラム - Google Patents

Abstract

【課題】 被検物の検査において、良品／不良品の選別の工数を低減すること。
【解決手段】 被検物からの反射光に基づいて、被検物を一括的に撮像する第１撮像部を備え、撮像部により第１の被検物画像を取得する第１取得部と、第１の被検物画像と、予め記憶された第１の参照画像とを比較する第１比較部と、第１比較部による比較結果に基づいて、第１の被検物画像中の欠陥候補領域を検出する検出部と、欠陥候補領域に相当する第２の被検物画像を取得する第２取得部と、第２の被検物画像と、予め記憶された第２の参照画像のうち、欠陥候補領域に相当する領域の第２の参照画像とを比較する第２比較部と、第２比較部による比較結果に基づいて、欠陥候補領域が欠陥領域であるか否かを判定する判定部とを備える。
【選択図】 図１

Description

本発明は、半導体基板などの被検物体を検査する検査装置、およびその検査をコンピュータで実現するための検査プログラムに関する。

半導体ウェハなどの被検物の表面を照明し、このとき被検物の表面から発生する回折光などの光を受光して、被検物の表面検査を行う装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。このような装置では、実際には欠陥ではないのに誤検出される欠陥（擬似欠陥）を自動的に排除し、良品として選別することにより、無駄なリワーク作業を無くし、効率的な生産を実現することが求められる。
特開２００７−９３３３０号公報

しかし、現状では、擬似欠陥であるか否かの判断は、作業者によるものである。すなわち、作業者が擬似欠陥と思われる部分を適宜拡大表示して目視確認するなど、作業者の手間と経験とにより擬似欠陥を排除している。

本発明は、被検物の検査において、良品／不良品の選別の工数を低減することを目的とする。

本発明の検査装置は、被検物からの反射光に基づいて、前記被検物を一括的に撮像する第１撮像部を備え、前記撮像部により第１の被検物画像を取得する第１取得部と、前記第１の被検物画像と、予め記憶された第１の参照画像とを比較する第１比較部と、前記第１比較部による比較結果に基づいて、前記第１の被検物画像中の欠陥候補領域を検出する検出部と、前記欠陥候補領域に相当する第２の被検物画像を取得する第２取得部と、前記第２の被検物画像と、予め記憶された第２の参照画像のうち、前記欠陥候補領域に相当する領域の前記第２の参照画像とを比較する第２比較部と、前記第２比較部による比較結果に基づいて、前記欠陥候補領域が欠陥領域であるか否かを判定する判定部とを備える。

なお、好ましくは、前記第２取得部は、前記被検物のうち前記欠陥候補領域に相当する領域を、前記第１の被検物画像を撮像した際よりも高い解像度で撮像する第２撮像部を備え、前記第２撮像部により前記第２の被検物画像を取得しても良い。

また、好ましくは、前記第２取得部は、前記第１の被検物画像のうち、前記欠陥候補領域に相当する領域を切り出して電子的に拡大することにより、前記第２の被検物画像を取得しても良い。

また、好ましくは、前記第２比較部は、前記第１の参照画像のうち、前記欠陥候補領域に相当する領域を切り出して電子的に拡大した画像を前記第２の参照画像とし、前記第２の被検物画像と前記第２の参照画像とを比較しても良い。

また、好ましくは、前記判定部は、複数の前記被検物に関する前記欠陥候補領域の発生頻度を加味して、前記欠陥候補領域が欠陥領域であるか否かを判定しても良い。

また、好ましくは、前記判定部による判定結果に基づいて、前記第１の参照画像と前記第２の参照画像との少なくとも一方を更新する更新部をさらに備えても良い。

なお、上記発明に関する構成を、被検物に関する検査をコンピュータで実現するための検査プログラムに変換して表現したものも本発明の具体的態様として有効である。

本発明によれば、被検物の検査において、良品／不良品の選別の工数を低減することができる。

＜第１実施形態＞
以下、図面を用いて本発明の第１実施形態について説明する。

図１は、第１実施形態の検査装置１の構成を示す機能ブロック図である。検査装置１は、ウェハ基板Ｔを被検物とし、ウェハ基板Ｔの表面検査を行う検査装置である。ウェハ基板Ｔの表面（例えばレジスト層）の各点には、繰り返しパターンなどが形成されている。

検査装置１は、図１に示すように、マクロ検査ユニット１０、ミクロ検査ユニット２０、コンピュータ３０の各部を備える。マクロ検査ユニット１０は、ウェハ基板Ｔを支持するステージ１１と、照明系１２と、受光系１３とで構成される。

検査装置１では、半導体回路素子や液晶表示素子などの製造工程において、被検物であるウェハ基板Ｔの表面検査を自動で行い、繰り返しパターンの欠陥（露光時のデフォーカス欠陥や傷など）を検出する。ウェハ基板Ｔは、表面（レジスト層）への露光・現像後、不図示の搬送系によってカセットまたは現像装置から運ばれ、ステージ１１に吸着される。

ステージ１１は、ウェハ基板Ｔを上面に載置して例えば真空吸着により固定保持する。また、ステージ１１は、不図示のチルト機構により、ウェハ基板Ｔの表面と平行な軸Ａｘ（紙面と垂直な軸）を中心として所定の角度範囲内でチルト（傾斜）可能である。また、ステージ１１は、不図示の回転機構により、ウェハ基板Ｔの表面と垂直な軸Ａｙを中心として回転可能である。ステージ１１を回転させることにより、ウェハ基板Ｔのショットパターン等に合わせた微調整が可能となる。

照明系１２は、ウェハ基板Ｔを照明する手段であって、ランプハウス１４と波長選択ユニット１５とバンドルファイバ１６とで構成される。ランプハウス１４は、その内部に水銀ランプなどの光源を備える。また、波長選択ユニット１５は、その内部にランプの輝線スペクトルから単一波長のみ透過する干渉フィルタを複数搭載し、例えば、ｇ線（４３６ｍｍ）、ｊ線（３１３nm）など、フィルタを選択設定することにより、指定の単一波長のみの照明光を設定可能である。

照明系１２から照射された光は、凹面反射鏡１７に導かれる。凹面反射鏡１７は、球面の内側を反射面とした反射鏡であり、前側焦点が照明系１２の瞳面と略共役、後側焦点がウェハ基板Ｔの表面と略一致する。また、凹面反射鏡１７は、ステージ１１の斜め上方に配置される。凹面反射鏡１７からの反射光束は平行光束となり、被検物であるウェハ基板Ｔの表面を照明する。そして、ウェハ基板Ｔの表面で反射された光束は、受光系１３に導かれる。なお、ウェハ基板Ｔの表面で反射された光束には、ウェハ基板Ｔの表面による正反射光と、ウェハ基板Ｔの表面から発生した回折光とを含む。なお、ウェハ基板Ｔに対する照明光束の入射角度と受光系１３の凹面反射鏡１８により受光される反射光束の反射角度とが、ウェハ基板Ｔの法線に対して同一角度になる場合には、正反射光のみを受光することが可能であり、ステージ１１を回折角に合わせてチルトさせる場合には、回折光のみを受光することが可能である。

受光系１３は、ウェハ基板Ｔの表面で反射された光束を受光する手段であって、凹面反射鏡１８とマクロ撮像部１９とで構成される。凹面反射鏡１８は、照明系１２の凹面反射鏡１７と同様の反射鏡である。また、マクロ撮像部１９は、不図示の結像レンズ、撮像素子などを備える。凹面反射鏡１８は、ウェハ基板Ｔの表面で反射された光束を反射し、その反射光束は、結像レンズを介して撮像素子の撮像面にウェハ基板Ｔの像を形成する。マクロ撮像部１９は、この像を撮像し、ウェハ基板Ｔのマクロ検査画像を生成する。

ミクロ検査ユニット２０は、ウェハ基板Ｔを支持するステージ２１と、照明部２２と、対物レンズ部２３と、ミクロ撮像部２４と、ハーフミラー２５とで構成される防振マウント付き顕微鏡である。ステージ２１は、ウェハ基板Ｔを上面に載置して例えば真空吸着により固定保持する。また、ステージ２１は、不図示の駆動機構により、上下方向（Ｂｘ）、左右方向（Ｂｙ）、前後方向（Ｂｚ）に移動可能である。照明部２２は、不図示の光源を備える。対物レンズ部２３は、倍率の異なる複数の対物レンズを備え、後述する方法で選択された対物レンズを光路上に挿入および着脱可能である。ミクロ撮像部２４は、不図示の撮像素子などを備える。

照明部２２により照射された光は、ハーフミラー２５により反射され、対物レンズ部２３を介して被検物であるウェハ基板Ｔの表面に導かれる。そして、ウェハ基板Ｔからの反射光は、対物レンズ部２３により結像され、ハーフミラー２５を介して、ミクロ撮像部２４の撮像素子の撮像面にウェハ基板Ｔの像を形成する。ミクロ撮像部２４は、この像を撮像し、ウェハ基板Ｔのミクロ検査画像を生成する。

コンピュータ３０は、マクロ検査ユニット１０およびミクロ検査ユニット２０との情報の授受を行うインタフェースであるインタフェース部３１と、作業者の操作を受け付けるキーボードやマウスなどの操作部３２と、マクロ参照画像記憶部３３と、ミクロ参照画像記憶部３４と、各部を制御する制御部３５とで構成される。マクロ参照画像記憶部３３およびミクロ参照画像記憶部３４の詳細は後述する。

インタフェース部３１、マクロ参照画像記憶部３３、ミクロ参照画像記憶部３４の各部は、制御部３５と相互に接続される。また、制御部３５は、操作部３２の状態を検知する。

また、制御部３５の出力は、インタフェース部３１を介して、マクロ検査ユニット１０のステージ１１、ランプハウス１４、波長選択ユニット１５、マクロ撮像部１９の各部に接続され、制御部３５は、これらの各部を制御する。また、制御部３５は、マクロ撮像部１９により生成されたマクロ検査画像の画像データを、インタフェース部３１を介して取得する。

また、制御部３５の出力は、インタフェース部３１を介して、ミクロ検査ユニット２０のステージ２１、照明部２２、対物レンズ部２３、ミクロ撮像部２４の各部に接続され、制御部３５は、これらの各部を制御する。また、制御部３５は、ミクロ撮像部２４により生成されたミクロ検査画像の画像データを、インタフェース部３１を介して取得する。

以上説明した構成の検査装置１は、被検物であるウェハ基板Ｔの表面全体を一括的に検査するマクロ検査と、その結果に基づき、被検物であるウェハ基板Ｔの表面の一部を部分的に精査するミクロ検査とを実行可能である。なお、ミクロ検査を行うか否かは、必要に応じて作業者により設定されるものとする。また、検査における追加実習の要・不要に関しても、作業者により設定されるものとする。

図２Ａは、被検物であるウェハ基板Ｔを示す模式図である。ウェハ基板Ｔには、図２ＢのＥ１およびＥ２に示すように、欠陥が発生する場合がある。このような欠陥には、擬似欠陥と呼ばれるものがある。擬似欠陥とは、実際には欠陥ではないのに誤検出される欠陥であり、製造時および検査時の装置誤差やウェハ基板の作成プロセスの違いなどに起因して発生する。また、擬似欠陥は、ウェハ基板Ｔの表面において、同一の位置に発生しやすい傾向がある。

図３は、検査実行時の制御部３５の動作を示すフローチャートである。

ステップＳ１において、制御部３５は、マクロ検査ユニット１０を制御して、ウェハ基板Ｔの撮像を行う。制御部３５は、ステージ１１およびマクロ撮像部１９を制御し、ウェハ基板Ｔの全面を一括視野に捉えうる倍率に設定する。例えば、３００ｍｍのウェハ基板Ｔを、１インチの撮像素子（１０２４×１０２４画素）で撮像すると、画像分解能は３００μｍ／画素程度になり、ウェハ基板Ｔの全面内を、この分解能でウェハ基板Ｔの全面の均一性の確認が可能となる。そして、制御部３５は、マクロ撮像部１９により生成したウェハ基板Ｔのマクロ検査画像を取得する。

ステップＳ２において、制御部３５は、ステップＳ１で取得したマクロ検査画像と、マクロ参照画像と比較して欠陥候補領域を検出する。マクロ参照画像記憶部３３には、予めウェハ基板Ｔの良品画像がマクロ参照画像として記憶されている。制御部３５は、マクロ参照画像記憶部３３からこのマクロ参照画像を読み出し、ステップＳ１で取得したマクロ検査画像と画素ごとに比較することにより、欠陥候補領域を検出する。検出は、各画素の輝度情報に基づき、オーバーレイの手法などを用いて行われるが、詳細は公知技術と同様であるため説明を省略する。制御部３５は、検出結果として、検出した欠陥候補領域の座標、中心位置、面積などを欠陥候補領域情報として、不図示のメモリに記録する。

ステップＳ３において、制御部３５は、ミクロ検査が必要か否かを判定する。そして、制御部３５は、ミクロ検査が必要と判定するとステップＳ４に進み、ミクロ検査が必要ないと判定すると、ウェハ基板Ｔを良品と判定して一連の処理を終了する。

制御部３５は、ミクロ検査が必要か否かをステップＳ２で検出した欠陥候補領域の種類、複数の同様の被検物（同一カセット内、同一ロット内など）における発生頻度などに基づいて判定する。特に、欠陥候補領域がいわゆる擬似欠陥である疑いがある場合には、ミクロ検査が必要であると判定する。また、同じ工程内、同じ位置、同種の欠陥である共通欠陥については、ミクロ検査が必要であると判定する。さらに、ウェハ基板Ｔにおいて回転対称である位置に発生した欠陥についてもミクロ検査が必要であると判定する。

ステップＳ４において、制御部３５は、ミクロ検査がＯＮに設定されているか否かを判定する。そして、制御部３５は、ミクロ検査がＯＮに設定されているとステップＳ５に進み、ミクロ検査がＯＦＦに設定されていると、一連の処理を終了する。ただし、制御部３５は、ステップＳ４において、ミクロ検査がＯＦＦに設定されている場合、ミクロ検査が必要である旨を作業者等に報知する構成としても良い。

ステップＳ５において、制御部３５は、ミクロ検査ユニット２０を制御して、ウェハ基板Ｔの撮像を行う。

制御部３５は、ステップＳ２で記録した欠陥候補領域情報に基づいて、ステージ２１、対物レンズ部２３、およびミクロ撮像部２４を制御し、ウェハ基板Ｔのうち、欠陥候補領域に相当する領域を視野に捉えうる倍率に設定する。例えば、対物レンズ部２３に視野数φ２０ｍｍで１００倍程度の対物レンズを使用することにより、φ０．２ｍｍのエリアの拡大画像を撮像素子に結像させることができる。この結果、φ０．２〜２０ｍｍ程度のエリアをカバーでき、ウェハ基板Ｔのチップサイズ範囲の欠陥検出も可能となる。そして、制御部３５は、ミクロ撮像部２４により生成したウェハ基板Ｔのミクロ検査画像を取得する。

なお、ステップＳ２において複数の欠陥候補領域が検出された場合には、制御部３５は、以降の処理を複数の欠陥候補領域のそれぞれについて行う。

ステップＳ６において、制御部３５は、ミクロ参照画像を取得する。ミクロ参照画像記憶部３４には、予めウェハ基板Ｔの良品画像がミクロ参照画像として記憶されている。このミクロ参照画像は、ステップＳ２で説明したマクロ参照画像よりも高倍で撮像された画像（高解像度の画像）である。ミクロ参照画像は、そのサイズに応じて、１枚または複数枚の画像から構成される。制御部３５は、ステップＳ２で検出した欠陥候補領域の位置および大きさに合わせて、ミクロ参照画像記憶部３４からこのミクロ参照画像を読み出し、適宜結合、拡大することにより、ステップＳ５で取得したミクロ検査画像に対応するミクロ参照画像を取得する。

ステップＳ７において、制御部３５は、ステップＳ２で検出した欠陥候補領域が欠陥領域であるか否かを判定する。そして、制御部３５は、欠陥領域であると判定するとステップＳ８に進み、欠陥領域でないと判定すると、ウェハ基板Ｔを良品と判定して一連の処理を終了する。

制御部３５は、ステップＳ７で取得したミクロ参照画像と、ステップＳ５で取得したミクロ検査画像と比較することにより、欠陥候補領域が欠陥領域であるか否かを判定する。判定は、オーバーレイの手法などを用いて行われるが、詳細は公知技術と同様であるため説明を省略する。制御部３５は、判定結果を不図示のメモリに記録する。

例えば、図４に示すように４枚のウェハ基板Ｔをサンプル（Ｓ＝１〜４）として検査した場合を考える。全てのサンプルの領域Ｅ１には擬似欠陥が発生し、１枚のサンプル（Ｓ＝２）にのみ本来の欠陥が発生している場合、ステップＳ１およびステップＳ２で説明したマクロ検査では、全てのサンプルが不良品として判定される。しかし、ステップＳ５からステップＳ７で説明したミクロ検査では、１枚のサンプル（Ｓ＝２）のみが不良品として判定されることになる。

なお、上述したように、擬似欠陥は、ウェハ基板Ｔの表面において、同一の位置に発生しやすい傾向がある。そこで、複数の同様の被検物（同一カセット内、同一ロット内など）における発生頻度を加味して欠陥候補領域が欠陥領域であるか否かを判定しても良い。

ステップＳ８において、制御部３５は、追加学習を実施するか否かを判定する。そして、制御部３５は、追加学習を実施する場合にはステップＳ９に進み、追加学習を実施しない場合には一連の処理を終了する。ただし、制御部３５は、追加学習を推奨する旨を作業者等に報知する構成としても良い。

ステップＳ９において、制御部３５は、追加学習を行う。制御部３５は、ステップＳ１およびステップＳ２で説明したマクロ検査では不良品として判定され、かつ、ステップＳ５からステップＳ７で説明したミクロ検査では良品として判定されたマクロ検査画像やミクロ検査画像を新たに参照画像としてマクロ参照画像記憶部３３およびミクロ参照画像記憶部３４に記憶する。この結果、以降の検査において、マクロ参照画像やミクロ参照画像の他に、これらの参照画像との比較を行うことにより、良品／不良品の選別をより正確に行うことができる。

以上説明したように、第１実施形態によれば、被検物からの反射光に基づいて、被検物を一括的に撮像した第１の被検物画像を取得し、取得した第１の被検物画像と、予め記憶された第１の参照画像とを比較する。そして、比較結果に基づいて、第１の被検物画像中の欠陥候補領域を検出する。さらに、欠陥候補領域に相当する第２の被検物画像を取得し、取得した第２の被検物画像と、予め記憶された第２の参照画像のうち、欠陥候補領域に相当する領域の第２の参照画像とを比較する。そして、比較結果に基づいて、欠陥候補領域が欠陥領域であるか否かを判定する。したがって、良品／不良品の選別の工数を低減するとともに自動化することができる。特に、擬似欠陥を自動的に排除し、良品として選別することにより、無駄なリワーク作業を無くし、効率的な生産を実現することができる。また、作業者による判断間違いなども防ぐことができる。

また、第１実施形態によれば、欠陥候補領域の大きさに応じて撮像倍率を調整しているので、欠陥候補領域と参照画像との比較精度を高めることができる。

なお、第１実施形態において、複数のウェハ基板Ｔを被検物として検査しても良い。この場合、各処理を複数回繰り返し行えば良い。また、複数の被検物における検査結果を関連付けてさらに詳細な判定を行っても良い。

また、第１実施形態では、マクロ検査ユニット１０とミクロ検査ユニット２０とコンピュータ３０とにより構成される検査装置１を例に挙げて説明したが、これらは必ずしも筐体同士が連結されている必要はなく、それぞれの装置がケーブルなどによりソフト的に接続されていても良い。

また、マクロ検査ユニット１０およびミクロ検査ユニット２０の構成は一例であり、それぞれマクロ検査およびミクロ検査を実行可能であればどのような構成であっても良い。

＜第２実施形態＞
以下、図面を用いて本発明の第２実施形態について説明する。第２実施形態では、第１実施形態と異なる部分についてのみ説明する。また、第１実施形態と同様の構成については、第１実施形態と同様の符号を用いて説明する。

第２実施形態の検査装置は、第１実施形態で説明した検査装置１のうち、ミクロ検査ユニット２０を省略した構成を有する。すなわち、図１で説明したマクロ検査ユニット１０およびコンピュータ３０により構成される。マクロ検査ユニット１０およびコンピュータ３０の構成は第１実施形態と同様であるため説明を省略する。

図５は、検査実行時の制御部３５の動作を示すフローチャートである。

ステップＳ２１からステップＳ２４において、制御部３５は、第１実施形態のステップＳ１からステップＳ４と同様の処理を行う。

ステップＳ２５において、制御部３５は、Ｓ２１で取得したマクロ検査画像のうち、ステップＳ２２で記録した欠陥候補領域情報に相当する領域を切り出して適宜拡大する。拡大サイズは、第１実施形態のステップＳ５で説明した、ミクロ撮像部２４により生成したウェハ基板Ｔのミクロ検査画像に相当する大きさ程度であるのが好ましい。

ステップＳ２６において、制御部３５は、第１実施形態のステップＳ６と同様の処理を行う。ただし、ミクロ参照画像の代わりに、マクロ参照画像のうち、ステップＳ２２で記録した欠陥候補領域情報に相当する領域を切り出して適宜拡大した画像をミクロ参照画像として取得しても良い。

ステップＳ２７において、制御部３５は、ステップＳ２５で拡大したマクロ検査画像と、ステップＳ２６で取得したミクロ参照画像とを比較する。比較の詳細は第１実施形態のステップＳ７と同様であるため説明を省略する。

ステップＳ２８からステップＳ２９において、制御部３５は、第１実施形態のステップＳ８からステップＳ９と同様の処理を行う。

以上説明したように、第２実施形態によれば、第１の被検物画像のうち、欠陥候補領域に相当する領域を切り出して電子的に拡大することにより、第２の被検物画像を取得する。したがって、第１実施形態と同様の効果を簡単な装置で実現することができる。

なお、第２実施形態では、ステップＳ２５において、Ｓ２１で取得した画像のうち、ステップＳ２２で記録した欠陥候補領域情報に相当する領域を切り出して適宜拡大する例を示した。しかし、マクロ撮像部１９がズーム光学系を有する場合には、このズーム光学系により、第１実施形態のステップＳ５で説明した、ミクロ撮像部２４により生成したウェハ基板Ｔの画像に相当する画像を新たに撮像する構成としても良い。

また、上記各実施形態では、被検物としてウェハ基板Ｔを例に挙げて説明したが、液晶パネルや撮像素子などの半導体の基板の検査についても同様に本発明を適用することができる。

第１実施形態の検査装置１の構成を示す機能ブロック図である。 被検物であるウェハ基板Ｔについて説明する図である。 第１実施形態の検査装置における検査実行時の制御部３５の動作を示すフローチャートである。 検査結果について説明する図である。 第２実施形態の検査装置における検査実行時の制御部３５の動作を示すフローチャートである。

符号の説明

１…検査装置、１０…マクロ検査ユニット、１９…マクロ撮像部、２０…ミクロ検査ユニット、２４…ミクロ撮像部、３０…コンピュータ、３３…マクロ参照画像記憶部、３４…ミクロ参照画像記憶部、３５…制御部

Claims (12)

1. 被検物からの反射光に基づいて、前記被検物を一括的に撮像する第１撮像部を備え、前記撮像部により第１の被検物画像を取得する第１取得部と、
   前記第１の被検物画像と、予め記憶された第１の参照画像とを比較する第１比較部と、
   前記第１比較部による比較結果に基づいて、前記第１の被検物画像中の欠陥候補領域を検出する検出部と、
   前記欠陥候補領域に相当する第２の被検物画像を取得する第２取得部と、
   前記第２の被検物画像と、予め記憶された第２の参照画像のうち、前記欠陥候補領域に相当する領域の前記第２の参照画像とを比較する第２比較部と、
   前記第２比較部による比較結果に基づいて、前記欠陥候補領域が欠陥領域であるか否かを判定する判定部と
   を備えたことを特徴とする検査装置。
2. 請求項１に記載の検査装置において、
   前記第２取得部は、前記被検物のうち前記欠陥候補領域に相当する領域を、前記第１の被検物画像を撮像した際よりも高い解像度で撮像する第２撮像部を備え、前記第２撮像部により前記第２の被検物画像を取得する
   ことを特徴とする検査装置。
3. 請求項１に記載の検査装置において、
   前記第２取得部は、前記第１の被検物画像のうち、前記欠陥候補領域に相当する領域を切り出して電子的に拡大することにより、前記第２の被検物画像を取得する
   ことを特徴とする検査装置。
4. 請求項３に記載の検査装置において、
   前記第２比較部は、前記第１の参照画像のうち、前記欠陥候補領域に相当する領域を切り出して電子的に拡大した画像を前記第２の参照画像とし、前記第２の被検物画像と前記第２の参照画像とを比較する
   ことを特徴とする検査装置。
5. 請求項１に記載の検査装置において、
   前記判定部は、複数の前記被検物に関する前記欠陥候補領域の発生頻度を加味して、前記欠陥候補領域が欠陥領域であるか否かを判定する
   ことを特徴とする検査装置。
6. 請求項１に記載の検査装置において、
   前記判定部による判定結果に基づいて、前記第１の参照画像と前記第２の参照画像との少なくとも一方を更新する更新部をさらに備える
   ことを特徴とする検査装置。
7. 被検物からの反射光に基づいて、前記被検物を一括的に撮像した第１の被検物画像を取得する第１取得手順と、
   前記第１の被検物画像と、予め記憶された第１の参照画像とを比較する第１比較手順と、
   前記第１比較手順における比較結果に基づいて、前記第１の被検物画像中の欠陥候補領域を検出する検出手順と、
   前記欠陥候補領域に相当する第２の被検物画像を取得する第２取得手順と、
   前記第２の被検物画像と、予め記憶された第２の参照画像のうち、前記欠陥候補領域に相当する領域の前記第２の参照画像とを比較する第２比較手順と、
   前記第２比較手順における比較結果に基づいて、前記欠陥候補領域が欠陥領域であるか否かを判定する判定手順と
   をコンピュータで実現することを特徴とする検査プログラム。
8. 請求項７に記載の検査プログラムにおいて、
   前記第２取得手順では、前記被検物のうち前記欠陥候補領域に相当する領域を、前記第１の被検物画像を撮像した際よりも高い解像度で撮像した前記第２の被検物画像を取得する
   ことを特徴とする検査プログラム。
9. 請求項７に記載の検査プログラムにおいて、
   前記第２取得手順では、前記第１の被検物画像のうち、前記欠陥候補領域に相当する領域を切り出して電子的に拡大することにより、前記第２の被検物画像を取得する
   ことを特徴とする検査プログラム。
10. 請求項９に記載の検査プログラムにおいて、
    前記第２比較手順では、前記第１の参照画像のうち、前記欠陥候補領域に相当する領域を切り出して電子的に拡大した画像を前記第２の参照画像とし、前記第２の被検物画像と前記第２の参照画像とを比較する
    ことを特徴とする検査プログラム。
11. 請求項７に記載の検査プログラムにおいて、
    前記判定手順は、複数の前記被検物に関する前記欠陥候補領域の発生頻度を加味して、前記欠陥候補領域が欠陥領域であるか否かを判定する
    ことを特徴とする検査プログラム。
12. 請求項７に記載の検査プログラムにおいて、
    前記判定手順による判定結果に基づいて、前記第１の参照画像と前記第２の参照画像との少なくとも一方を更新する更新手順をさらに備える
    ことを特徴とする検査プログラム。
    

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