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JP2009038240A - Placement and wiring method for semiconductor integrated circuit device - Google Patents

Placement and wiring method for semiconductor integrated circuit device Download PDF

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JP2009038240A
JP2009038240A JP2007201943A JP2007201943A JP2009038240A JP 2009038240 A JP2009038240 A JP 2009038240A JP 2007201943 A JP2007201943 A JP 2007201943A JP 2007201943 A JP2007201943 A JP 2007201943A JP 2009038240 A JP2009038240 A JP 2009038240A
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JP
Japan
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wiring
power supply
location
voltage drop
signal
Prior art date
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Pending
Application number
JP2007201943A
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Japanese (ja)
Inventor
Yukihiko Shibata
行彦 柴田
Masaya Tomono
将也 伴野
Takashi Chigira
崇 千木良
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Toshiba Development and Engineering Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Toshiba Digital Media Engineering Corp
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Publication date
Application filed by Toshiba Corp, Toshiba Digital Media Engineering Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP2007201943A priority Critical patent/JP2009038240A/en
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Abstract

【課題】信号配線の未結線やタイミング未達などの問題と電源配線における電圧降下の問題を同時に解決する。
【解決手段】本発明の半導体集積回路装置の配置配線方法は、ネットリストに基づいて配置されるセルへの電源が少なくとも2つ以上の異なる経路で供給されるように電源配線が配線される電源配線ステップ(ST12)と、複数のセルが配置されるセル配置ステップ(ST13)と、ST12で配線された初期電源配線と同じ配線層にST13で配置されたセル間の信号配線が配線される信号配線ステップ(ST14)と、ST14で信号配線が未結線もしくは配線ショートを生じた場合、または、信号配線においてタイミング違反が生じた場合に、問題となった信号配線の近傍に配置されている初期電源配線が許容される電圧降下の範囲内で削除され、問題となった信号配線が再配線される配線修正ステップ(ST15)を有する。
【選択図】図1
To solve simultaneously problems such as unconnected signal wiring and timing failure and voltage drop in power wiring.
According to one aspect of the present invention, there is provided a method for arranging and wiring a semiconductor integrated circuit device, wherein a power supply wiring is wired so that power to cells arranged based on a netlist is supplied through at least two different paths. A wiring step (ST12), a cell placement step (ST13) in which a plurality of cells are placed, and a signal in which signal wiring between cells placed in ST13 is wired in the same wiring layer as the initial power supply wiring routed in ST12 In the wiring step (ST14), when the signal wiring is not connected or the wiring is short-circuited in ST14, or when the timing violation occurs in the signal wiring, the initial power supply arranged in the vicinity of the problematic signal wiring There is a wiring correction step (ST15) in which the wiring is deleted within the allowable voltage drop and the signal wiring in question is rewired.
[Selection] Figure 1

Description

本発明は、多層配線を有する半導体集積回路装置の配置配線方法に関する。   The present invention relates to a placement and routing method for a semiconductor integrated circuit device having multilayer wiring.

近年の半導体集積回路装置では、搭載されるシステムの高機能化、大規模化、高速化に伴う消費電流量の増大と、メタル配線プロセスの微細化により配線抵抗値が高くなったことで、電圧降下が発生しやすくなってきている。電圧降下は、回路の動作速度を低下させ、集積回路装置のパフォーマンスの低下や誤動作を引き起こす現象を発生させるため、電圧降下を発生させないように従来から対策が行われてきている。   In semiconductor integrated circuit devices in recent years, voltage increases due to an increase in current consumption due to higher functionality, larger scale, and higher speed of mounted systems, and higher wiring resistance due to miniaturization of metal wiring processes. Descent is more likely to occur. Since the voltage drop lowers the operation speed of the circuit and causes a phenomenon that the performance and malfunction of the integrated circuit device are caused, measures have been conventionally taken so as not to cause a voltage drop.

きめられた消費電流の条件下において電圧降下を防ぐためには、電源配線の抵抗を小さくする(例えば、「特許文献1」を参照。)ことが重要である。このため、従来は、可能な範囲で電源配線を太くしたり、本数を増やしたりすることがよく行われてきた。しかし、一方で、集積回路装置での配線リソースは、電源配線とともに、セル間の信号配線でも使用される。電源配線の抵抗を小さくしようとそのリソース割合を高めると、信号配線においてリソース不足から配線混雑が発生し、配線の未結線やショート、あるいは迂回配線によるタイミング違反を生じる、などの問題が発生する。そのため、従来は、消費電流の見積もりを行い、電圧降下問題を発生させない必要な電源本数を算出し、配線リソースを電源配線と信号配線に適切に割り当ててレイアウトする方法が採られていた。   In order to prevent a voltage drop under the determined current consumption conditions, it is important to reduce the resistance of the power supply wiring (see, for example, “Patent Document 1”). For this reason, conventionally, it has been often performed to increase the number of power supply wires or increase the number of power supply wires as much as possible. However, on the other hand, wiring resources in the integrated circuit device are used not only for power supply wiring but also for signal wiring between cells. Increasing the resource ratio in order to reduce the resistance of the power supply wiring causes problems such as wiring congestion due to insufficient resources in the signal wiring, and timing violation due to unconnected or shorted wiring, or detour wiring. For this reason, conventionally, a method has been employed in which current consumption is estimated, the necessary number of power supplies that do not cause a voltage drop problem is calculated, and wiring resources are appropriately allocated to power supply wiring and signal wiring for layout.

しかしながら、このような従来の半導体集積回路装置の配置配線方法では、実際のレイアウト後にわかる局所的な電圧降下が発生した場合や、見積もり時の消費電流の値が小さかったことがレイアウト情報を使用した検証でわかった場合などには、電源配線を追加することが必要になり、設計工程での後戻りが発生し設計工数が大幅に増加するため、開発期間が長くなり、ひいては開発コストが増加するという問題があった。今後、半導体製造プロセスのさらなる微細化に伴って電源電圧の低電圧化が主流になることは必至で、電圧降下の問題がますます重要になると推察される。
特開2004−363294号公報
However, in such a conventional semiconductor integrated circuit device placement and routing method, layout information is used when a local voltage drop that can be seen after actual layout occurs or the value of current consumption at the time of estimation is small. If it is found by verification, it will be necessary to add power supply wiring, which will cause a backlash in the design process and the design man-hour will increase significantly, resulting in a longer development period and, consequently, an increase in development cost. There was a problem. In the future, with the further miniaturization of the semiconductor manufacturing process, it is inevitable that the power supply voltage will become lower, and it is assumed that the problem of voltage drop will become increasingly important.
JP 2004-363294 A

本発明は、信号配線の未結線やタイミング未達などの問題と電源配線における電圧降下の問題を同時に解決することができる半導体集積回路装置の配置配線方法を提供する。   The present invention provides a placement and wiring method for a semiconductor integrated circuit device that can simultaneously solve problems such as unconnected signal wiring and timing failure and voltage drop in power supply wiring.

本発明の一態様によれば、ネットリストに基づいて配置されるセルへの電源が少なくとも2つ以上の異なる経路で供給されるように電源配線が配線される電源配線ステップと、複数の前記セルが配置されるセル配置ステップと、前記電源配線ステップで配線された初期電源配線と同じ配線層に前記セル配置ステップで配置された前記セル間の信号配線が配線される信号配線ステップと、前記信号配線ステップで前記信号配線が未結線もしくは配線ショートを生じた場合、または、前記信号配線においてタイミング違反が生じた場合に、問題となった前記信号配線の近傍に配置されている前記初期電源配線が許容される電圧降下の範囲内で削除され、前記問題となった信号配線が再配線される配線修正ステップを有することを特徴とする半導体集積回路装置の配置配線方法が提供される。   According to one aspect of the present invention, a power supply wiring step in which power supply wiring is routed so that power to cells arranged based on a netlist is supplied through at least two different paths, and the plurality of cells A cell placement step in which the signal wiring between the cells arranged in the cell placement step is wired in the same wiring layer as the initial power supply wiring routed in the power supply wiring step, and the signal When the signal wiring is not connected or a wiring short circuit occurs in a wiring step, or when a timing violation occurs in the signal wiring, the initial power supply wiring arranged in the vicinity of the signal wiring in question is A semiconductor having a wiring correction step in which the signal wiring in question is re-wired after being deleted within an allowable voltage drop Placement and routing method of the AND circuit device is provided.

本発明によれば、設計工程における後戻りを大幅に抑制することができるので、開発期間を短縮し、開発コストを削減することができる。   According to the present invention, backtracking in the design process can be greatly suppressed, so that the development period can be shortened and the development cost can be reduced.

以下、図面を参照しながら、本発明の実施例を説明する。   Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

図1は、本発明の実施例1に係わる半導体集積回路装置の配置配線方法を示すフロー図である。ここでは、主に、論理設計で生成されたネットリストに基づいてレイアウトデータを生成するレイアウト設計にかかわる部分を示した。   FIG. 1 is a flowchart showing a placement and routing method for a semiconductor integrated circuit device according to Embodiment 1 of the present invention. Here, the portion related to the layout design that generates the layout data based on the net list generated by the logical design is mainly shown.

本発明の実施例1に係わる半導体集積回路装置の配置配線方法は、フロアプランを生成するステップ(ST11)、初期電源配線を配線するステップ(ST12)、ネットリストに基づいて複数のセルを配置するステップ(ST13)、セル間の信号配線を配線するステップ(ST14)、電圧降下を基準にして電源配線と信号配線を修正するステップ(ST15)、およびレイアウト情報を出力するステップ(ST16)を備えている。   The placement and routing method for a semiconductor integrated circuit device according to the first embodiment of the present invention includes a step of generating a floor plan (ST11), a step of routing initial power supply wiring (ST12), and a plurality of cells based on a netlist. Step (ST13), Step of wiring signal wiring between cells (ST14), Step of correcting power supply wiring and signal wiring based on voltage drop (ST15), Step of outputting layout information (ST16) Yes.

フロアプランステップ(ST11)では、フロアプランモジュールを用いてパッド配置などが決められる。   In the floor plan step (ST11), the pad arrangement and the like are determined using the floor plan module.

電源配線ステップ(ST12)では、電源配線モジュールにより第3配線層〜第7配線層に初期電源配線がひかれる。この際、配置されるセルにおいて許容される電源電圧の範囲(例えば、3V±0.15V。)を超えて電圧降下がおきないために必要とされるよりあらかじめ電源配線を多くひいておく。すなわち、配置されるセルへの電源が少なくとも2つ以上の異なる経路で供給されるよう初期電源配線が形成される。具体的な初期電源配線の構成は、図3〜図7を用いて後述する。   In the power supply wiring step (ST12), the initial power supply wiring is drawn to the third wiring layer to the seventh wiring layer by the power supply wiring module. At this time, a larger number of power supply wires are provided in advance than is necessary in order to prevent a voltage drop from exceeding a power supply voltage range (for example, 3 V ± 0.15 V) allowed in the arranged cell. That is, the initial power supply wiring is formed so that power to the cell to be arranged is supplied through at least two different paths. A specific configuration of the initial power supply wiring will be described later with reference to FIGS.

セル配置ステップ(ST13)では、ネットリストに基づいて、セル配置モジュールによりセルが配置される。   In the cell placement step (ST13), cells are placed by the cell placement module based on the net list.

信号配線ステップ(ST14)では、ネットリストに基づいて、ST13で配置されたセル間の信号配線が第3配線層〜第7配線層に配線モジュールにより配線される。ここで、信号配線のリソース不足によって配線混雑が発生すると、信号配線の未結線、配線ショート、および迂回配線によるタイミング違反が発生する。   In the signal wiring step (ST14), the signal wiring between the cells arranged in ST13 is wired to the third wiring layer to the seventh wiring layer based on the net list by the wiring module. Here, when wiring congestion occurs due to a shortage of signal wiring resources, timing violation occurs due to unconnected signal wiring, wiring short-circuiting, and detour wiring.

配線修正ステップ(ST15)では、ST14で信号配線が未結線もしくは配線ショートを生じた場合、または、信号配線においてタイミング違反が生じた場合に、問題となった信号配線の近傍に配置されている初期電源配線が許容される電圧降下の範囲内(例えば、5%以下。)で削除され、問題となった信号配線が再配線される。この問題発生箇所(以下、「違反箇所」という。)を対策する具体的な詳細フローは図2を用いて後述する。   In the wiring correction step (ST15), when the signal wiring is not connected or a wiring short-circuit occurs in ST14, or when a timing violation occurs in the signal wiring, the initial stage arranged near the signal wiring in question The power supply wiring is deleted within the allowable voltage drop (for example, 5% or less), and the signal wiring in question is rewired. A specific detailed flow for dealing with this problem occurrence location (hereinafter referred to as “violation location”) will be described later with reference to FIG.

情報出力ステップ(ST16)では、ST11〜ST15で作成されたレイアウト情報が情報出力モジュールによって出力され、レイアウト設計工程が完了する。   In the information output step (ST16), the layout information created in ST11 to ST15 is output by the information output module, and the layout design process is completed.

図2は、本発明の実施例1に係わる半導体集積回路装置の配置配線方法における配線修正ステップ(ST15)を示すフロー図である。
本発明の実施例1に係わる半導体集積回路装置の配置配線方法における配線修正ステップ(ST15)は、違反箇所を抽出するステップ(ST21)、削除候補箇所を抽出するステップ(ST22)、電源配線の電圧降下を算出するステップ(ST23)、電圧降下を基準として初期電源配線の削除を判定するステップ(ST24)、初期電源配線を削除するステップ(ST25)、および信号配線を再配線するステップ(ST26)を備えている。
FIG. 2 is a flowchart showing a wiring correction step (ST15) in the placement and routing method of the semiconductor integrated circuit device according to the first embodiment of the present invention.
The wiring correction step (ST15) in the placement and routing method for a semiconductor integrated circuit device according to the first embodiment of the present invention includes the step of extracting a violation location (ST21), the step of extracting a deletion candidate location (ST22), and the voltage of the power supply wiring A step of calculating a drop (ST23), a step of determining deletion of the initial power supply wiring based on the voltage drop (ST24), a step of deleting the initial power supply wiring (ST25), and a step of rewiring the signal wiring (ST26) I have.

違反箇所抽出ステップ(ST21)では、違反箇所が配線修正検出モジュールにより複数検出され特定される。これら特定された違反箇所に対して、以下のST22〜ST25が繰り返し実行され、信号配線のリソース不足が解決される。   In the violation location extraction step (ST21), a plurality of violation locations are detected and specified by the wiring correction detection module. The following ST22 to ST25 are repeatedly executed for these identified violation points, and the shortage of signal wiring resources is solved.

候補抽出ステップ(ST22)では、信号配線のリソース不足を解消するために、ST21で特定された違反箇所に対して、その近傍に存在する初期電源配線の座標情報、接続情報に基づいて初期電源配線の削除候補箇所が電源配線削除候補抽出モジュールによって抽出される。   In the candidate extraction step (ST22), in order to eliminate the shortage of signal wiring resources, the initial power supply wiring is determined based on the coordinate information and connection information of the initial power supply wiring existing in the vicinity of the violation location identified in ST21. Are deleted by the power supply wiring deletion candidate extraction module.

電圧降下算出ステップ(ST23)では、ST22で抽出された削除候補箇所を削除した場合の電源配線における電圧降下がどの程度発生するかが電圧降下計算モジュールによって算出される。   In the voltage drop calculation step (ST23), the voltage drop calculation module calculates how much voltage drop occurs in the power supply wiring when the deletion candidate part extracted in ST22 is deleted.

削除判定ステップ(ST24)では、ST23で算出された結果に基づいて初期電源配線の削除が判定される。すなわち、削除候補箇所を削除しても問題ない場合(“yes”、電圧降下≦5%。)には処理はST25へ移行し、削除候補箇所を削除すると電圧降下が大きく問題となる場合(“no”、電圧降下>5%。)には実際の削除を行わず、次の違反箇所を処理するために処理はST22へ移行する。   In the deletion determination step (ST24), deletion of the initial power supply wiring is determined based on the result calculated in ST23. That is, if there is no problem even if the deletion candidate part is deleted (“yes”, voltage drop ≦ 5%), the process proceeds to ST25, and if the deletion candidate part is deleted, the voltage drop causes a large problem (“ no ″, voltage drop> 5%), the actual deletion is not performed, and the process proceeds to ST22 in order to process the next violation.

電源配線削除ステップ(ST25)では、ST22で抽出された削除候補箇所が初期電源配線から実際に削除される。   In the power supply wiring deletion step (ST25), the deletion candidate portion extracted in ST22 is actually deleted from the initial power supply wiring.

このようにST22〜ST25を繰り返しすべての違反箇所について処理が終わった後、再配線ステップ(ST26)で、更新された電源配線に基づいて、再配線モジュールによって信号配線が再配線され、ST14で配線された信号配線が修正される。   In this manner, after repeating ST22 to ST25 and processing is completed for all violations, the signal wiring is rewired by the rewiring module based on the updated power wiring in the rewiring step (ST26), and the wiring is performed in ST14. Corrected signal wiring is corrected.

次に電源配線ステップ(ST12)で形成される初期電源配線の構造を説明する。   Next, the structure of the initial power supply wiring formed in the power supply wiring step (ST12) will be described.

図3は、本発明の実施例1に係わる半導体集積回路装置の配置配線方法における初期電源配線を示すレイアウト図である。ここでは、一例として、第3配線層〜第7配線層に電源配線および信号配線が配線される場合の初期電源配線を示した。また、電源配線が各配線層で占める面積割合は25%であるとした。   FIG. 3 is a layout diagram showing initial power supply wiring in the layout wiring method of the semiconductor integrated circuit device according to the first embodiment of the present invention. Here, as an example, the initial power supply wiring when the power supply wiring and the signal wiring are wired in the third wiring layer to the seventh wiring layer is shown. Further, the area ratio of the power supply wiring in each wiring layer is 25%.

本発明の実施例1に係わる半導体集積回路装置の配置配線方法における初期電源配線は、第7配線層に配置されたVDD配線17aとVSS配線17b、第6配線層に配置されたVDD配線16aとVSS配線16b、第5配線層に配置されたVDD配線15aとVSS配線15b、第4配線層に配置されたVDD配線14aとVSS配線14b、第3配線層に配置されたVDD配線13aとVSS配線13b、および各配線層間を接続するためのコンタクトプラグ18a〜18dで構成されている。   The initial power supply wiring in the method of arranging and wiring a semiconductor integrated circuit device according to the first embodiment of the present invention includes VDD wiring 17a and VSS wiring 17b arranged in the seventh wiring layer, and VDD wiring 16a arranged in the sixth wiring layer. VSS wiring 16b, VDD wiring 15a and VSS wiring 15b arranged in the fifth wiring layer, VDD wiring 14a and VSS wiring 14b arranged in the fourth wiring layer, VDD wiring 13a and VSS wiring arranged in the third wiring layer 13b and contact plugs 18a to 18d for connecting each wiring layer.

図3に示した4本の一点鎖線は、それぞれ図4〜図7に示した断面の位置を表している。また、図3はレイアウト図(平面図)であるため、下層のVDD配線13a、VSS配線13b、およびコンタクトプラグ13dは図示されていない。   The four dot-dash lines shown in FIG. 3 represent the positions of the cross sections shown in FIGS. 3 is a layout diagram (plan view), the lower-layer VDD wiring 13a, VSS wiring 13b, and contact plug 13d are not shown.

VDD配線13a〜17aは、電源電位(VDD=3V)を供給するために使用され、VSS配線13b〜17bは、接地電位(VSS=0V)を供給するために使用される。   The VDD wirings 13a to 17a are used for supplying a power supply potential (VDD = 3V), and the VSS wirings 13b to 17b are used for supplying a ground potential (VSS = 0V).

VDD配線17aとVSS配線17bは、第1の方向(図3の紙面上下方向。)に延在し、第1の方向と直交する第2の方向(図3の紙面左右方向。)に沿ってピッチdで交互に配置されている。   The VDD wiring 17a and the VSS wiring 17b extend in the first direction (the vertical direction in the drawing of FIG. 3), and extend along the second direction (the horizontal direction of the drawing in FIG. 3) orthogonal to the first direction. They are alternately arranged at a pitch d.

VDD配線16aとVSS配線16bは、第2の方向に延在し、第1の方向に沿ってピッチdで交互に配置されている。   The VDD wiring 16a and the VSS wiring 16b extend in the second direction, and are alternately arranged at a pitch d along the first direction.

VDD配線15aとVSS配線15bは、第1の方向に延在し、第2の方向に沿ってピッチdで交互に配置されている。また、VDD配線15aとVSS配線15bは、VDD配線17aおよびVSS配線17bとは第2の方向に沿ってd/2ずれて配置されている。   The VDD wiring 15a and the VSS wiring 15b extend in the first direction and are alternately arranged at a pitch d along the second direction. Further, the VDD wiring 15a and the VSS wiring 15b are arranged with a d / 2 shift from the VDD wiring 17a and the VSS wiring 17b along the second direction.

VDD配線14aとVSS配線14bは、第2の方向に延在し、第1の方向に沿ってピッチdで交互に配置されている。また、VDD配線14aとVSS配線14bは、VDD配線16aおよびVSS配線16bとは第1の方向に沿ってd/2ずれて配置されている。   The VDD wiring 14a and the VSS wiring 14b extend in the second direction, and are alternately arranged at a pitch d along the first direction. Further, the VDD wiring 14a and the VSS wiring 14b are arranged with a d / 2 shift from the VDD wiring 16a and the VSS wiring 16b along the first direction.

VDD配線13aとVSS配線13bは、第1の方向に延在し、第2の方向に沿ってピッチdで交互に配置されている。また、VDD配線13aとVSS配線13bは、VDD配線15aおよびVSS配線15bとは第2の方向に沿ってd/2ずれて配置されている。   The VDD wiring 13a and the VSS wiring 13b extend in the first direction and are alternately arranged at a pitch d along the second direction. Further, the VDD wiring 13a and the VSS wiring 13b are disposed with a d / 2 shift along the second direction from the VDD wiring 15a and the VSS wiring 15b.

初期電源配線の面積比率、すなわち、初期電源配線と信号配線のリソース比率はピッチdと電源配線の配線幅wによって調整される。ここでは、一例として、初期電源配線の面積比率を25%にするため、初期電源配線の配線幅wはピッチdの1/4に設定されている。   The area ratio of the initial power supply wiring, that is, the resource ratio of the initial power supply wiring and the signal wiring is adjusted by the pitch d and the wiring width w of the power supply wiring. Here, as an example, the wiring width w of the initial power supply wiring is set to ¼ of the pitch d in order to set the area ratio of the initial power supply wiring to 25%.

VDD配線17aとVSS配線17bは、最上層の配線層に配置され、フロアプランステップ(ST11)でチップの周縁部に配置された複数の電源パッド(図示していない。)に接続されている。   The VDD wiring 17a and the VSS wiring 17b are arranged in the uppermost wiring layer and are connected to a plurality of power supply pads (not shown) arranged at the peripheral edge of the chip in the floor plan step (ST11).

第7配線層と第6配線層を接続するコンタクトプラグ18aは、VDD配線17aとVDD配線16aとの交差位置、およびVSS配線17bとVSS配線16bとの交差位置に形成されている。   The contact plug 18a connecting the seventh wiring layer and the sixth wiring layer is formed at the intersection position between the VDD wiring 17a and the VDD wiring 16a and at the intersection position between the VSS wiring 17b and the VSS wiring 16b.

すなわち、VDD配線17aとVDD配線16aは、コンタクトプラグ18aによって格子状に接続されている。同様に、VSS配線17bとVSS配線16bも格子状に接続されている。   That is, the VDD wiring 17a and the VDD wiring 16a are connected in a grid pattern by the contact plug 18a. Similarly, the VSS wiring 17b and the VSS wiring 16b are also connected in a grid pattern.

第6配線層と第5配線層を接続するコンタクトプラグ18bは、VDD配線16aとVDD配線15aとの交差位置、およびVSS配線16bとVSS配線15bとの交差位置に形成されている。   The contact plug 18b connecting the sixth wiring layer and the fifth wiring layer is formed at the intersection position between the VDD wiring 16a and the VDD wiring 15a and at the intersection position between the VSS wiring 16b and the VSS wiring 15b.

すなわち、VDD配線16aとVDD配線15aは、コンタクトプラグ18bによって格子状に接続されている。同様に、VSS配線16bとVSS配線15bも格子状に接続されている。   That is, the VDD wiring 16a and the VDD wiring 15a are connected in a grid pattern by the contact plug 18b. Similarly, the VSS wiring 16b and the VSS wiring 15b are also connected in a grid pattern.

第5配線層と第4配線層を接続するコンタクトプラグ18cは、VDD配線15aとVDD配線14aとの交差位置、およびVSS配線15bとVSS配線14bとの交差位置に形成されている。   The contact plug 18c that connects the fifth wiring layer and the fourth wiring layer is formed at the intersection position between the VDD wiring 15a and the VDD wiring 14a and at the intersection position between the VSS wiring 15b and the VSS wiring 14b.

すなわち、VDD配線15aとVDD配線14aは、コンタクトプラグ18cによって格子状に接続されている。同様に、VSS配線15bとVSS配線14bも格子状に接続されている。   That is, the VDD wiring 15a and the VDD wiring 14a are connected in a lattice shape by the contact plug 18c. Similarly, the VSS wiring 15b and the VSS wiring 14b are also connected in a grid pattern.

第4配線層と第3配線層を接続するコンタクトプラグ18dは、VDD配線14aとVDD配線13aとの交差位置、およびVSS配線14bとVSS配線13bとの交差位置に形成されている。   The contact plug 18d that connects the fourth wiring layer and the third wiring layer is formed at the intersection position between the VDD wiring 14a and the VDD wiring 13a and at the intersection position between the VSS wiring 14b and the VSS wiring 13b.

すなわち、VDD配線14aとVDD配線13aは、コンタクトプラグ18dによって格子状に接続されている。同様に、VSS配線14bとVSS配線13bも格子状に接続されている。   That is, the VDD wiring 14a and the VDD wiring 13a are connected in a grid pattern by the contact plug 18d. Similarly, the VSS wiring 14b and the VSS wiring 13b are also connected in a grid pattern.

次に、図4〜図7を用いて第3配線層〜第7配線層のVDD配線の立体構造について説明する。
図4〜図7は、本発明の実施例1に係わる半導体集積回路装置の配置配線方法における初期電源配線の構造を示す断面図である。図4は、図3におけるA−A断面を示し、図5はB−B断面を示し、図6はC−C断面を示し、図7はD−D断面を示している。
Next, the three-dimensional structure of the VDD wiring in the third wiring layer to the seventh wiring layer will be described with reference to FIGS.
4 to 7 are cross-sectional views showing the structure of the initial power supply wiring in the placement and routing method for the semiconductor integrated circuit device according to the first embodiment of the present invention. 4 shows an AA section in FIG. 3, FIG. 5 shows a BB section, FIG. 6 shows a CC section, and FIG. 7 shows a DD section.

第7配線層のVDD配線17aは、図6に示したように、コンタクトプラグ18aによって第6配線層の複数のVDD配線16aに接続されている。また、図4に示したように、複数のVDD配線17aがコンタクトプラグ18aによって1つのVDD配線16aに接続されている。   As shown in FIG. 6, the VDD wiring 17a of the seventh wiring layer is connected to the plurality of VDD wirings 16a of the sixth wiring layer by contact plugs 18a. Further, as shown in FIG. 4, a plurality of VDD wirings 17a are connected to one VDD wiring 16a by contact plugs 18a.

さらに、VDD配線16aは、コンタクトプラグ18aとは第2の方向(図4では紙面左右方向。)に半ピッチ(d/2)ずれたコンタクトプラグ18bによって第5配線層の複数のVDD配線15aに接続されている。また、図7に示したように、複数のVDD配線16aがコンタクトプラグ18bによって1つのVDD配線15aに接続されている。   Further, the VDD wiring 16a is connected to the plurality of VDD wirings 15a of the fifth wiring layer by the contact plug 18b shifted by a half pitch (d / 2) from the contact plug 18a in the second direction (left and right direction in FIG. 4). It is connected. Also, as shown in FIG. 7, a plurality of VDD wirings 16a are connected to one VDD wiring 15a by contact plugs 18b.

さらに、VDD配線15aは、コンタクトプラグ18bとは第1の方向(図7では紙面左右方向。)に半ピッチ(d/2)ずれたコンタクトプラグ18cによって第4配線層の複数のVDD配線14aに接続されている。また、図5に示したように、複数のVDD配線15aがコンタクトプラグ18cによって1つのVDD配線14aに接続されている。   Further, the VDD wiring 15a is connected to the plurality of VDD wirings 14a of the fourth wiring layer by the contact plug 18c shifted by a half pitch (d / 2) from the contact plug 18b in the first direction (left and right direction in FIG. 7). It is connected. Further, as shown in FIG. 5, a plurality of VDD wirings 15a are connected to one VDD wiring 14a by contact plugs 18c.

さらに、VDD配線14aは、コンタクトプラグ18cとは第2の方向(図5では紙面左右方向。)に半ピッチ(d/2)ずれたコンタクトプラグ18dによって第3配線層の複数のVDD配線13aに接続されている。また、図6に示したように、複数のVDD配線14aがコンタクトプラグ18dによって1つのVDD配線13aに接続されている。   Further, the VDD wiring 14a is connected to the plurality of VDD wirings 13a in the third wiring layer by the contact plug 18d shifted by a half pitch (d / 2) from the contact plug 18c in the second direction (left and right direction in FIG. 5). It is connected. Further, as shown in FIG. 6, a plurality of VDD wirings 14a are connected to one VDD wiring 13a by contact plugs 18d.

このように、第3配線層〜第7配線層のVDD配線13a〜17aは、コンタクトプラグ18a〜18dによって複数階層の立体的な格子状に形成されている。   As described above, the VDD wirings 13a to 17a of the third wiring layer to the seventh wiring layer are formed in a three-dimensional grid pattern of a plurality of layers by the contact plugs 18a to 18d.

同様に、VSS配線13b〜17bも、コンタクトプラグ18a〜18dによって複数階層の立体的な格子状に形成されている。   Similarly, the VSS wirings 13b to 17b are also formed in a three-dimensional grid pattern of a plurality of layers by the contact plugs 18a to 18d.

次に、半導体集積回路装置の配置配線方法における初期電源配線の削除について説明する。
図8は、本発明の実施例1に係わる半導体集積回路装置の配置配線方法における初期電源配線削除の一例を示すレイアウト図である。ここでは、信号配線ステップ(ST14)で図8に示したA点およびB点に違反箇所が発生した場合を示した。
Next, deletion of the initial power supply wiring in the placement and routing method of the semiconductor integrated circuit device will be described.
FIG. 8 is a layout diagram showing an example of initial power supply wiring deletion in the placement and routing method of the semiconductor integrated circuit device according to the first embodiment of the present invention. Here, a case is shown where violations occur at points A and B shown in FIG. 8 in the signal wiring step (ST14).

A点では、信号配線ステップで第6配線層の信号配線に問題が生じたため、VDD配線16aの一部が削除されている。また、B点では、第4配線層の信号配線で問題が生じたため、VDD配線14aの一部が削除されている。   At point A, since a problem has occurred in the signal wiring of the sixth wiring layer in the signal wiring step, a part of the VDD wiring 16a is deleted. Further, at point B, a problem has occurred in the signal wiring of the fourth wiring layer, so a part of the VDD wiring 14a is deleted.

VDD配線13a〜17aは、上述したように立体的な格子状に形成されており、いずれの場合も、電圧降下算出ステップで算出された電圧降下は、許容される範囲内(<5%)である。したがって、図8に示した電源配線に基づいて信号配線を再配線することで、電源配線での電圧降下による誤動作などの電圧降下問題を回避しつつ、リソース不足による信号配線の問題が解決される。   The VDD wirings 13a to 17a are formed in a three-dimensional grid as described above, and in any case, the voltage drop calculated in the voltage drop calculation step is within an allowable range (<5%). is there. Therefore, by rewiring the signal wiring based on the power supply wiring shown in FIG. 8, the problem of signal wiring due to insufficient resources is solved while avoiding voltage drop problems such as malfunction due to voltage drop in the power supply wiring. .

上記実施例1によれば、電源配線削除により信号配線のリソースが増加するので、配線混雑に起因する問題が解決される可能性が高くなるので、レイアウト設計工程における後戻りを大幅に抑制することができ、開発期間を短縮し、開発コストを削減することができる。   According to the first embodiment, since the signal wiring resources increase due to the deletion of the power supply wiring, there is a high possibility that the problem caused by the wiring congestion will be solved. The development period can be shortened and the development cost can be reduced.

また、上記実施例1によれば、電源配線の電圧降下を算出し、その結果に基づいて電源配線の削除を判定しているので、電源の電圧降下に起因する誤動作などの電圧降下問題を発生させずに信号配線のリソースを増加させることができる。   Further, according to the first embodiment, since the voltage drop of the power supply wiring is calculated and the deletion of the power supply wiring is determined based on the result, a voltage drop problem such as a malfunction caused by the voltage drop of the power supply occurs. Without increasing the signal wiring resources.

上述の実施例1では、初期電源配線は、電源削除による電圧降下の影響を少なくするため、第3配線層〜第7配線層に形成されるとしたが、本発明はこれに限られるものではなく、配置されるセルへの電源供給が2つ以上の異なる経路で実現できるような2つ以上の配線層があれば、原理的には適用可能である。   In the first embodiment, the initial power supply wiring is formed in the third wiring layer to the seventh wiring layer in order to reduce the influence of the voltage drop due to the power supply deletion. However, the present invention is not limited to this. However, if there are two or more wiring layers that can realize power supply to the arranged cells through two or more different paths, the invention can be applied in principle.

また、上述の実施例1では、初期電源配線の各配線層における面積比率は25%であるとしたが、本発明はこれに限られるものではなく、例えば、配線層ごとに異なる面積比率を設定することもできる。   In the first embodiment described above, the area ratio in each wiring layer of the initial power supply wiring is 25%. However, the present invention is not limited to this. For example, a different area ratio is set for each wiring layer. You can also

さらに、上述の実施例1では、第7配線層と第5配線層、第5配線層と第3配線層、および第6配線層と第4配線層の初期電源配線は、それぞれ半ピッチ(d/2)ずれて配置されるとしたが、本発明はこれに限られるものではなく、例えば、上下のコンタクトプラグ18a〜18dを平面的に同じ位置に配置することが許容される場合には、対応する初期電源配線を平面的に同じ位置に配置することもできる。   Further, in the above-described first embodiment, the initial power supply wirings of the seventh wiring layer and the fifth wiring layer, the fifth wiring layer and the third wiring layer, and the sixth wiring layer and the fourth wiring layer are half pitch (d / 2) Although it is assumed that they are displaced, the present invention is not limited to this. For example, when it is allowed to arrange the upper and lower contact plugs 18a to 18d at the same position in a plane, Corresponding initial power supply wirings can also be arranged at the same position in a plane.

さらに、上述の実施例1では、初期電源配線は各配線層においてVDD配線13a〜17aとVSS配線13b〜17bが交互に配置されるとしたが、本発明はこれに限られるものではなく、必要に応じて並び順を設定するようにしても良い。   Further, in the first embodiment described above, the initial power supply wiring is assumed that the VDD wirings 13a to 17a and the VSS wirings 13b to 17b are alternately arranged in each wiring layer. However, the present invention is not limited to this and is necessary. The arrangement order may be set according to the above.

さらに、上述の実施例1では、電源電圧(VDD)は3Vであるとしたが、本発明はこれに限られるものではなく、例えば、VDD=1.2Vなどの低電圧製品に適用することもできる。   In the first embodiment, the power supply voltage (VDD) is 3 V. However, the present invention is not limited to this, and may be applied to a low-voltage product such as VDD = 1.2 V, for example. it can.

さらに、上述の実施例1では、許容される電圧降下は5%であるとしたが、本発明はこれに限られるものではなく、例えば、配置されるセルが誤動作を起こさない範囲で任意に設定することもできる。さらに、セルの仕様に基づいて、セルごとに異なる値で許容される電圧降下を設定するようにしても良い。   Further, in the above-described first embodiment, the allowable voltage drop is 5%, but the present invention is not limited to this. For example, the voltage drop is arbitrarily set within a range in which the arranged cell does not malfunction. You can also Furthermore, a voltage drop allowed at a different value for each cell may be set based on the cell specification.

図9は、本発明の実施例2に係わる半導体集積回路装置の配置配線方法における配線修正ステップ(ST15)を示すフロー図である。フロアプランステップ(ST11)、電源配線ステップ(ST12)、セル配置ステップ(ST13)、信号配線ステップ(ST14)、および情報出力ステップ(ST16)は実施例1と同様であるので、説明は省略する。また、ST12で生成される初期電源配線も実施例1と同様であるので、説明は省力する。   FIG. 9 is a flowchart showing a wiring correction step (ST15) in the placement and routing method of the semiconductor integrated circuit device according to the second embodiment of the present invention. Since the floor plan step (ST11), the power supply wiring step (ST12), the cell placement step (ST13), the signal wiring step (ST14), and the information output step (ST16) are the same as those in the first embodiment, description thereof will be omitted. Further, since the initial power supply wiring generated in ST12 is the same as that in the first embodiment, the description is omitted.

本発明の実施例2に係わる半導体集積回路装置の配置配線方法における配線修正ステップ(ST15)は、違反箇所を抽出するステップ(ST91)、削除候補箇所を抽出するステップ(ST92)、電源配線の電圧降下を算出するステップ(ST93)、電圧降下を基準として初期電源配線の削除を判定するステップ(ST94)、初期電源配線を削除するステップ(ST95)、および信号配線を再配線するステップ(ST96)を備えている。   The wiring correction step (ST15) in the placement and routing method for a semiconductor integrated circuit device according to the second embodiment of the present invention includes the step of extracting a violation location (ST91), the step of extracting a deletion candidate location (ST92), and the voltage of the power supply wiring A step of calculating a drop (ST93), a step of determining deletion of the initial power supply wiring based on the voltage drop (ST94), a step of deleting the initial power supply wiring (ST95), and a step of rewiring the signal wiring (ST96) I have.

各ステップでの処理は実施例1と同様であるので、詳しい説明は省略する。実施例1との違いは、再配線ステップ(ST96)が繰り返しループの中に入っていることである。   Since the processing at each step is the same as that in the first embodiment, detailed description thereof is omitted. The difference from the first embodiment is that the rewiring step (ST96) is repeatedly included in the loop.

すなわち、再配線ステップ(ST96)では、違反箇所ごとに電源削除ステップ(ST95)で更新された電源配線に基づいて、その違反箇所を解消するために再配線モジュールによって信号配線が再配線され、ST14で配線された信号配線が修正される。   That is, in the rewiring step (ST96), on the basis of the power supply wiring updated in the power supply deletion step (ST95) for each violation part, the signal wiring is rewired by the rewiring module in order to eliminate the violation part, and ST14 The signal wiring routed at is corrected.

このように、違反箇所ごとに再配線を実行することで、違反箇所が比較的少ない場合、つまり、電源配線を部分的に削除しても電圧降下問題が発生しにくい場合には、配線修正ステップ(ST15)での処理量を少なくすることができる。   In this way, by performing rewiring for each violation location, if there are relatively few violation locations, that is, if the voltage drop problem is not likely to occur even if the power supply wiring is partially deleted, the wiring correction step The amount of processing in (ST15) can be reduced.

上記実施例2によれば、実施例1と同様の効果を得られるばかりでなく、違反箇所が比較的少ない場合に、より短い時間で処理を実行することができる。   According to the second embodiment, not only the same effects as in the first embodiment can be obtained, but also the processing can be executed in a shorter time when the number of violations is relatively small.

図10は、本発明の実施例3に係わる半導体集積回路装置の配置配線方法における配線修正ステップ(ST15)を示すフロー図である。フロアプランステップ(ST11)、電源配線ステップ(ST12)、セル配置ステップ(ST13)、信号配線ステップ(ST14)、および情報出力ステップ(ST16)は実施例1と同様であるので、説明は省略する。また、ST12で生成される初期電源配線も実施例1と同様であるので、説明は省力する。   FIG. 10 is a flowchart showing a wiring correction step (ST15) in the placement and routing method of the semiconductor integrated circuit device according to the third embodiment of the present invention. Since the floor plan step (ST11), the power supply wiring step (ST12), the cell placement step (ST13), the signal wiring step (ST14), and the information output step (ST16) are the same as those in the first embodiment, description thereof will be omitted. Further, since the initial power supply wiring generated in ST12 is the same as that in the first embodiment, the description is omitted.

本発明の実施例3に係わる半導体集積回路装置の配置配線方法における配線修正ステップ(ST15)は、違反箇所を抽出するステップ(ST101)、削除候補箇所を抽出するステップ(ST102)、電源配線の電圧降下を算出するステップ(ST103)、電圧降下を基準として初期電源配線の削除を判定するステップ(ST104)、初期電源配線の削除箇所を記憶するステップ(ST105)、および電源配線と信号配線を再配線するステップ(ST106)を備えている。   The wiring correction step (ST15) in the placement and routing method of the semiconductor integrated circuit device according to the third embodiment of the present invention includes the step of extracting a violation location (ST101), the step of extracting a deletion candidate location (ST102), and the voltage of the power supply wiring A step of calculating a drop (ST103), a step of determining deletion of the initial power supply wiring based on the voltage drop (ST104), a step of storing the deleted part of the initial power supply wiring (ST105), and rewiring the power supply wiring and the signal wiring Step (ST106).

削除箇所記憶ステップ(ST105)と再配線ステップ(ST106)を除く各ステップでの処理は実施例1と同様であるので、詳しい説明は省略する。実施例1との違いは、ST105で初期電源配線が削除されるのではなく、ST105では削除される箇所が削除情報として記憶され、ST106で電源配線および信号配線がはじめから配線し直されることである。   Since the processing in each step except the deleted location storage step (ST105) and the rewiring step (ST106) is the same as that in the first embodiment, detailed description thereof is omitted. The difference from the first embodiment is that the initial power supply wiring is not deleted in ST105, but the deleted part is stored as deletion information in ST105, and the power supply wiring and the signal wiring are rewired from the beginning in ST106. is there.

すなわち、再配線ステップ(ST106)では、削除箇所記憶ステップ(ST105)で記憶された初期電源配線の削除情報に基づいて電源配線が再配線され、さらに信号配線が再配線される。   That is, in the rewiring step (ST106), the power supply wiring is rewired based on the deletion information of the initial power supply wiring stored in the deletion location storing step (ST105), and the signal wiring is further rewired.

このように、初期電源配線の削除情報を記憶し、これに基づいて電源配線を再配線することで、違反箇所が多い場合に、電源配線の更新にかかる処理時間を短縮することができる。   As described above, the deletion information of the initial power supply wiring is stored, and the power supply wiring is rewired based on this information, so that the processing time required for updating the power supply wiring can be shortened when there are many violations.

上記実施例3によれば、実施例1と同様の効果を得られるばかりでなく、違反箇所が多い場合に、より短い時間で処理を実行することができる。   According to the third embodiment, not only the same effect as in the first embodiment can be obtained, but also processing can be executed in a shorter time when there are many violations.

本発明の実施例1に係わる半導体集積回路装置の配置配線方法を示すフロー図。1 is a flowchart showing a placement and routing method for a semiconductor integrated circuit device according to Embodiment 1 of the present invention. 本発明の実施例1に係わる半導体集積回路装置の配置配線方法における配線修正ステップ(ST15)を示すフロー図。The flowchart which shows the wiring correction step (ST15) in the arrangement | positioning wiring method of the semiconductor integrated circuit device concerning Example 1 of this invention. 本発明の実施例1に係わる半導体集積回路装置の配置配線方法における初期電源配線を示すレイアウト図。1 is a layout diagram showing initial power supply wiring in a method of arranging and wiring a semiconductor integrated circuit device according to Embodiment 1 of the present invention. 本発明の実施例1に係わる半導体集積回路装置の配置配線方法における初期電源配線の断面(A−A)を示す図。1 is a diagram showing a cross section (AA) of an initial power supply wiring in a method of arranging and wiring a semiconductor integrated circuit device according to Embodiment 1 of the present invention. 本発明の実施例1に係わる半導体集積回路装置の配置配線方法における初期電源配線の断面(B−B)を示す図。FIG. 5 is a diagram showing a cross section (BB) of the initial power supply wiring in the placement and routing method for the semiconductor integrated circuit device according to the first embodiment of the present invention. 本発明の実施例1に係わる半導体集積回路装置の配置配線方法における初期電源配線の断面(C−C)を示す図。The figure which shows the cross section (CC) of the initial stage power supply wiring in the arrangement | positioning wiring method of the semiconductor integrated circuit device concerning Example 1 of this invention. 本発明の実施例1に係わる半導体集積回路装置の配置配線方法における初期電源配線の断面(D−D)を示す図。FIG. 4 is a diagram showing a cross section (DD) of initial power supply wiring in the method of arranging and wiring a semiconductor integrated circuit device according to the first embodiment of the present invention. 本発明の実施例1に係わる半導体集積回路装置の配置配線方法における初期電源配線削除の一例を示すレイアウト図。FIG. 3 is a layout diagram showing an example of initial power supply wiring deletion in the placement and routing method for a semiconductor integrated circuit device according to the first embodiment of the present invention; 本発明の実施例2に係わる半導体集積回路装置の配置配線方法における配線修正ステップ(ST15)を示すフロー図。The flowchart which shows the wiring correction step (ST15) in the arrangement | positioning wiring method of the semiconductor integrated circuit device concerning Example 2 of this invention. 本発明の実施例3に係わる半導体集積回路装置の配置配線方法における配線修正ステップ(ST15)を示すフロー図。The flowchart which shows the wiring correction step (ST15) in the arrangement wiring method of the semiconductor integrated circuit device concerning Example 3 of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

ST11 フロアプランステップ
ST12 電源配線ステップ
ST13 セル配置ステップ
ST14 信号配線ステップ
ST15 配線修正ステップ
ST16 情報出力ステップ
ST21 違反箇所抽出ステップ
ST22 候補抽出ステップ
ST23 電圧降下算出ステップ
ST24 削除判定ステップ
ST25 電源配線削除ステップ
ST26 再配線ステップ
ST11 Floor plan step ST12 Power supply wiring step ST13 Cell placement step ST14 Signal wiring step ST15 Wiring correction step ST16 Information output step ST21 Violation point extraction step ST22 Candidate extraction step ST23 Voltage drop calculation step ST24 Deletion determination step ST25 Power supply wiring deletion step ST26 Rewiring Step

Claims (5)

ネットリストに基づいて配置されるセルへの電源が少なくとも2つ以上の異なる経路で供給されるように電源配線が配線される電源配線ステップと、
複数の前記セルが配置されるセル配置ステップと、
前記電源配線ステップで配線された初期電源配線と同じ配線層に前記セル配置ステップで配置された前記セル間の信号配線が配線される信号配線ステップと、
前記信号配線ステップで前記信号配線が未結線もしくは配線ショートを生じた場合、または、前記信号配線においてタイミング違反が生じた場合に、問題となった前記信号配線の近傍に配置されている前記初期電源配線が許容される電圧降下の範囲内で削除され、前記問題となった信号配線が再配線される配線修正ステップを有することを特徴とする半導体集積回路装置の配置配線方法。
A power supply wiring step in which power supply wiring is routed so that power to cells arranged based on the netlist is supplied by at least two or more different paths;
A cell placement step in which a plurality of the cells are placed;
A signal wiring step in which the signal wiring between the cells arranged in the cell arranging step is wired in the same wiring layer as the initial power wiring arranged in the power wiring step;
The initial power supply disposed in the vicinity of the problematic signal wiring when the signal wiring is unconnected or shorted in the signal wiring step, or when a timing violation occurs in the signal wiring A method of arranging and wiring a semiconductor integrated circuit device, comprising: a wiring correcting step in which wiring is deleted within a permissible voltage drop and the signal wiring in question is rewired.
前記初期電源配線は、
第1の方向に沿って延在し第1の電位を供給する複数の第1の配線および前記第1の方向に沿って延在し第2の電位を供給する複数の第2の配線を有する第1の配線層と、
前記第1の方向と直交する第2の方向に沿って延在し前記第1の電位を供給する複数の第3の配線および前記第2の方向に沿って延在し前記第2の電位を供給する複数の第4の配線を有する第2の配線層とを有し、
前記複数の第1の配線および前記複数の第3の配線が前記第1の配線層と前記第2の配線層を接続するコンタクトプラグによって格子状に接続され、
前記複数の第2の配線および前記複数の第4の配線が別の前記コンタクトプラグによって格子状に接続されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体集積回路装置の配置配線方法。
The initial power wiring is
A plurality of first wirings extending along a first direction and supplying a first potential; and a plurality of second wirings extending along the first direction and supplying a second potential. A first wiring layer;
A plurality of third wirings extending along a second direction orthogonal to the first direction and supplying the first potential, and extending along the second direction and supplying the second potential A second wiring layer having a plurality of fourth wirings to be supplied;
The plurality of first wirings and the plurality of third wirings are connected in a grid by contact plugs connecting the first wiring layer and the second wiring layer,
2. The method of arranging and wiring a semiconductor integrated circuit device according to claim 1, wherein the plurality of second wirings and the plurality of fourth wirings are connected in a grid pattern by the separate contact plugs.
前記配線修正ステップは、
前記信号配線の未結線もしくは配線ショートを生ずる箇所、または、前記信号配線においてタイミング違反を生ずる箇所が違反箇所として特定される違反箇所抽出ステップと、
前記違反箇所抽出ステップで特定された前記違反箇所の近傍に存在する前記初期電源配線において、削除候補箇所が抽出される候補抽出ステップと、
前記候補抽出ステップで抽出された前記削除候補箇所を削除した場合の前記電源配線において、前記セル配置ステップで配置された前記セルでの電源電圧の電圧降下が算出される電圧降下算出ステップと、
前記電圧降下算出ステップで算出された計算値があらかじめ定められた電圧降下の許容範囲内であれば、前記候補抽出ステップで抽出された前記削除候補箇所が前記初期電源配線から削除される電源配線削除ステップと、
前記電源配線削除ステップで更新された電源配線に基づいて、前記信号配線ステップで配線された前記信号配線が修正される再配線ステップを有することを特徴とする請求項1に記載の半導体集積回路装置の配置配線方法。
The wiring correction step includes
The location where the signal wiring is not connected or the wiring is short-circuited, or the location where the timing violation occurs in the signal wiring is specified as a violation location,
In the initial power supply wiring that exists in the vicinity of the violation location identified in the violation location extraction step, a candidate extraction step in which a deletion candidate location is extracted;
In the power supply wiring when the deletion candidate portion extracted in the candidate extraction step is deleted, a voltage drop calculation step in which a voltage drop of the power supply voltage in the cell arranged in the cell arrangement step is calculated;
If the calculated value calculated in the voltage drop calculation step is within a predetermined allowable range of voltage drop, the power supply wiring deletion in which the deletion candidate portion extracted in the candidate extraction step is deleted from the initial power supply wiring Steps,
2. The semiconductor integrated circuit device according to claim 1, further comprising a rewiring step in which the signal wiring routed in the signal wiring step is corrected based on the power supply wiring updated in the power supply wiring deletion step. Placement and wiring method.
複数の前記違反箇所が存在する場合に、前記違反箇所に対応する前記削除候補箇所がすべて削除された後に前記再配線ステップが実行されることを特徴とする請求項3に記載の半導体集積回路装置の配置配線方法。   4. The semiconductor integrated circuit device according to claim 3, wherein when there are a plurality of violation places, the rewiring step is executed after all the deletion candidate places corresponding to the violation places are deleted. Placement and wiring method. 前記配線修正ステップは、
前記信号配線の未結線もしくは配線ショートを生ずる箇所、または、前記信号配線においてタイミング違反を生ずる箇所が違反箇所として特定される違反箇所抽出ステップと、
前記違反箇所抽出ステップで特定された前記違反箇所の近傍に存在する前記初期電源配線において、削除候補箇所が抽出される候補抽出ステップと、
前記候補抽出ステップで抽出された前記削除候補箇所を削除した場合の前記電源配線において、前記セル配置ステップで配置された前記セルでの電源電圧の電圧降下を算出する電圧降下算出ステップと、
前記電圧降下算出ステップで算出された計算値があらかじめ定められた電圧降下の許容範囲内であれば、前記候補抽出ステップで抽出された前記削除候補箇所が削除箇所として記録される削除箇所記憶ステップと、
前記削除箇所記憶ステップで記録された前記削除箇所に基づいて新しい電源配線が形成され、前記新しい電源配線に基づいて前記セル間の信号配線が配線される再配線ステップを有することを特徴とする請求項1に記載の半導体集積回路装置の配置配線方法。
The wiring correction step includes
The location where the signal wiring is not connected or the wiring is short-circuited, or the location where the timing violation occurs in the signal wiring is specified as a violation location,
In the initial power supply wiring that exists in the vicinity of the violation location identified in the violation location extraction step, a candidate extraction step in which a deletion candidate location is extracted;
In the power supply wiring when the deletion candidate portion extracted in the candidate extraction step is deleted, a voltage drop calculation step for calculating a voltage drop of the power supply voltage in the cell arranged in the cell arrangement step;
If the calculated value calculated in the voltage drop calculation step is within a predetermined allowable voltage drop range, a deletion location storage step in which the deletion candidate location extracted in the candidate extraction step is recorded as a deletion location; ,
The method further comprises a rewiring step in which a new power supply wiring is formed based on the deleted location recorded in the deleted location storing step, and a signal wiring between the cells is routed based on the new power supply wiring. Item 2. A placement and routing method for a semiconductor integrated circuit device according to Item 1.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO2023105905A1 (en) * 2021-12-07 2023-06-15 キヤノン株式会社 Semiconductor device, photoelectric conversion device, photoelectric conversion system, and mobile body

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