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JP2009032827A - 発光素子 - Google Patents

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JP2009032827A
JP2009032827A JP2007193858A JP2007193858A JP2009032827A JP 2009032827 A JP2009032827 A JP 2009032827A JP 2007193858 A JP2007193858 A JP 2007193858A JP 2007193858 A JP2007193858 A JP 2007193858A JP 2009032827 A JP2009032827 A JP 2009032827A
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impurity
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Masahito Ito
雅人 伊藤
Hiroshi Ooka
浩 大岡
Hirotsugu Sakamoto
博次 坂元
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Japan Display Inc
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Hitachi Displays Ltd
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Abstract

【課題】長寿命の有機EL表示装置を提供する。
【解決手段】一対の電極間に少なくとも一層の有機化合物層を有する発光素子の有機化合物層の少なくとも一つが、有機化合物に起因する不純物の含有量がヘキサデカン換算値で10ng/cm2以下となる有機化合物層とするか、有機化合物に起因する不純物の含有個数が10個以下となる有機化合物層とした。
【選択図】図4

Description

本発明は、有機化合物層を一対の電極間に有する発光素子に関する。
一般的に、低分子型有機エレクトロニックルミネッセンス(OLED)は、陽極と陰極の間に多層の薄膜有機層を形成して作られる。この有機層は高純度な材料であり、薄膜中に不純物が存在するとOLED素子の特性や寿命に大きく影響を与えている。具体的には、不純物がホールまたは電子のトラップサイトとなり,電流を流れにくくする。このためにOLEDを発光させるには電圧を大きくする必要が生じる。電圧を大きくすると発光素子の寿命が短くなる。また、この不純物は蒸着中に材料が分解して発生することがわかっている。発生した不純物は、主成分を形成している有機化合物の分解を促進させ,気急激な輝度低下を招く。
不純物と発光素子の寿命との間の関係を規定する試みがなされていた。特許文献1には、NPDの合成段階で含まれる不純物が信頼性に影響を与えることが記載されている。特許文献2および3には、有機化合物層中に不純物が含まれると信頼性に影響を与える。不純物量は1.0%以下を規定している。
特開2002−235077号公報 特開2002−373785号公報 特開2003−68467号公報
しかし、精製時の不純物濃度が高くても、信頼性に影響を与えない不純物も存在する。また、有機化合物層の成膜時に発生する不純物が何ら考慮されていなければ、いくら精製時における不純物量を減らしても必ずしも寿命を伸ばしたことにはならない。また、不純物の中には信頼性に影響を与えない不純物もあり,これは1.0%以上含まれていても問題がない。つまり、従来の技術では、不純物をどの程度まで減らしたらいいのか必ずしも十分な検討がなされてこなかった。
そこで、本発明者らは、新たなアプローチとして、不純物の個数や面積あたりの重量が製造条件を制御し、寿命の長い発光素子を実現しようとすることを考え出した。具体的には、一対の電極間に少なくとも一層の有機化合物層を有する発光素子の有機化合物層の少なくとも一つが、有機化合物に起因する不純物の含有量がヘキサデカン換算値で10ng/cm2以下となる有機化合物層としたのである。また、別の見方をすれば、一対の電極間に少なくとも一層の有機化合物層を有する発光素子の有機化合物層の少なくとも一つが、有機化合物に起因する不純物の含有個数が10個以下となる有機化合物層としたのである。
本発明によれば、表示素子を長寿命にできる。
以下、実施例を説明する。
図1は、有機EL素子の構造を説明する模式断面図である。有機EL素子は、基板SUBと、基板SUBの上に配置された陽極ADと、陽極ADの上に配置されたホール輸送層HTLと、ホール輸送層HTLの上に配置された発光層EMLと、発光層の上に配置された電子輸送層ETLと、電子輸送層ETLの上に配置された陰極CDとを備えた構造をもつ。
次に、図1に示した構造をもつ有機EL素子を製造するプロセスを説明する。まず、ガラス基板SUBを用意し、スパッタでITO(厚さ80nm)を成膜し、パターニングした後、熱で結晶化する。なお、このITOは、陰極CDまでの有機EL素子の積層構造を成膜した後に、プラスの電圧源に接続された配線を接続して陽極ADとして機能させる。
ITOの結晶化処理後、ホール輸送層としてCuPcを6nmの厚さで、発光層としてαNPDを50nmの厚さで、電子輸送層としてAlq3を50nmの厚さで、電子注入層としてLiFを0.5nmの厚さで、陰極としてアルミニウム(Al)を200nmの厚さで、それぞれ真空加熱蒸着で成膜する。これらの真空加熱蒸着における真空度は10-4Pa以下とする。アルミニウムの陰極には、マイナスの電圧源に接続された配線を接続する。次に、上記積層構造を乾燥剤付封止ガラスで覆って封止する。なお、Alq3の蒸着速度(Å/s)を1.0とし、αNPDの蒸着速度(Å/s)を0.7として真空蒸着した。
図2は、直前のチャンバ洗浄の有無、オゾン洗浄(有無、回数)、直前試作回数を実施例1−4および比較例1−2として説明する図である。なお、チャンバ洗浄方法、オゾン洗浄方法は次の通りである。
<チャンバ洗浄方法>
防着板、坩堝等の取り外せる構成部品を外し、有機EL材料等の付着物を溶剤で完全に取除く。目視及びUVランプにて材料付着のないことを確認する。また、同条件の洗浄で材料付着がないことをHPLC、GC―MSでも確認する。洗浄後の部品を装置に取り付ける。
<オゾン洗浄方法>
蒸着装置の真空度が1.0×10―3Pa以下である状態でオゾン圧が50kPaになるまでオゾンを装置に導入する。この状態で10分間保持する、最後に、排気し、窒素置換する。オゾン洗浄回数は装置の汚れ具合などで回数を変えて洗浄する。
図3は、図2の実施例および比較例に対応した発光素子の作成条件の説明図である。例えば、実施例1の有機EL素子の輝度半減時間(hr)は760である。成膜されたαNPDの純度(%)、αNPDの不純物数をHPLCで分析し、有機層全体の不純物量(ng/cm2)、有機層全体の不純物数を発生ガス導入機構付GC−MSで分析した。分析方法は以下の通りである。
[分析方法:その1・・HPLCの場合]
1.封止ガラスをはがし、封止ガラスと発光素子を分離する。
2.発光素子の有機層を有機溶剤(メチレンクロライド、THFなど)に溶かす。
3.溶かした溶液をHPLC―MSで分析する。
<分析条件(THFで溶解させた場合)>
H2O/CH3CN/THF=10/60/30のグラジェントで分析する。
4.単位面積当りのピーク面積換算より主成分と分解物を定量する。
[分析方法:その2・・GC−MSの場合]
1.封止ガラスをはがし、封止ガラスと発光素子を分離する。
2.分離した発光素子を発生ガス導入機構付GC/MS(QP−2010)にて分析する。
3.有機材料が分解しない程度に加熱して、発ガス成分を分析する。
<分析条件>
吸着剤:テナックス、吸着管加熱温度:270℃、GC/MS条件:40℃(5分保持)、その後10℃/min、その後280℃(21分保持)
4.単位面積当りのピーク面積換算より発ガス成分を定量する(換算はヘキサデカン換算値とする)
実施例2が実施例1と異なるのは、Alq3の蒸着速度(Å/s)を0.9とし、αNPDの蒸着速度(Å/s)を1.0として真空蒸着した点である。直前のチャンバ洗浄の有無、オゾン洗浄(有無、回数)、直前試作回数は図2の通りである。
このようにしてできた発光素子の輝度半減時間(hr)、αNPDの純度(%)、αNPDの不純物数、有機層全体の不純物量(ng/cm2)、有機層全体の不純物数を実施例1と同様に分析した。分析結果及び輝度半減時間(hr)は図3に示すとおりである。
実施例3が実施例1と異なるのは、Alq3の蒸着速度(Å/s)を1.0とし、αNPDの蒸着速度(Å/s)を2.0として真空蒸着した点である。直前のチャンバ洗浄の有無、オゾン洗浄(有無、回数)、直前試作回数は図2に示す通りである。
このようにしてできた発光素子の輝度半減時間(hr)、αNPDの純度(%)、αNPDの不純物数、有機層全体の不純物量(ng/cm2)、有機層全体の不純物数を実施例1と同様に分析した。分析結果及び輝度半減時間(hr)は図3に示す通りである。
実施例4が実施例1と異なるのは、Alq3の蒸着速度(Å/s)を1.0とし、αNPDの蒸着速度(Å/s)を5.0として真空蒸着した点である。直前のチャンバ洗浄の有無、オゾン洗浄(有無、回数)、直前試作回数は図2の通りである。
このようにしてできた発光素子の輝度半減時間(hr)、αNPDの純度(%)、αNPDの不純物数、有機層全体の不純物量(ng/cm2)、有機層全体の不純物数を実施例1と同様に分析した。分析結果及び輝度半減時間(hr)は図3に示す通りである。
比較例1
比較例1が実施例1と異なるのは、Alq3の蒸着速度(Å/s)を1.0とし、αNPDの蒸着速度(Å/s)を1.1として真空蒸着した点である。直前のチャンバ洗浄の有無、オゾン洗浄(有無、回数)、直前試作回数は図2に示す通りである。
このようにしてできた発光素子の輝度半減時間(hr)、αNPDの純度(%)、αNPDの不純物数、有機層全体の不純物量(ng/cm2)、有機層全体の不純物数を実施例1と同様に分析した。分析結果及び輝度半減時間(hr)は図3に示す通りである。
比較例2
比較例2が実施例1と異なるのは、Alq3の蒸着速度(Å/s)を1.0とし、αNPDの蒸着速度(Å/s)を0.9として真空蒸着した点である。直前のチャンバ洗浄の有無、オゾン洗浄(有無、回数)、直前試作回数は図2に示す通りである。
このようにしてできた発光素子の輝度半減時間(hr)、αNPDの純度(%)、αNPDの不純物数、有機層全体の不純物量(ng/cm2)、有機層全体の不純物数を実施例1と同様に分析した。
分析結果及び輝度半減時間(hr)は図3に示す通りである。
(原料分析)
αNPDの純度(%)、αNPDのHPLCによる不純物数、αNPDのHPLCによる不純物量(ng/cm2)、αNPDのGC−MSによる不純物数を実施例1と同様に分析した。分析結果は図3に示す通りである。
(考察)
図4は、不純物量と輝度半減時間の関係を示す図である。また、図5は、純度と輝度半減時間の関係を示す図である。図5のHPLCの分析結果から、純度が99.5%以上の場合、長寿命の発光素子が安定的に得られるとは限らないことがわかる。また、図4のGC−MSの分析結果から、寿命特性の優れている発光素子は発ガス成分が少ないが、寿命の悪い発光素子は発ガス成分が多く、かつ発生量も多いことがわかる。そして、不純物量がヘキサデカン換算値で10ng/cm2以下、不純物数10個以下であれば、長寿命の発光素子を安定的に得ることができるのがわかる。
実施例5が実施例1と異なるのは、Alq3の蒸着速度(Å/s)を0.7とし、αNPDの蒸着速度(Å/s)を1.0として真空蒸着した点である。図6は、直前のチャンバ洗浄の有無、オゾン洗浄(有無、回数)、直前試作回数を実施例5−8および比較例3−4として説明する図である。また、図7は、分析結果及び輝度半減時間(hr)の説明図である。
このようにしてできた発光素子の輝度半減時間(hr)、αNPDの純度(%)、有機層全体の不純物量(ng/cm2)、有機層全体の不純物数を実施例1と同様に分析した。分析結果及び輝度半減時間(hr)は図7に示した通りである。
実施例6が実施例1と異なるのは、Alq3の蒸着速度(Å/s)を1.2とし、αNPDの蒸着速度(Å/s)を0.9として真空蒸着した点である。直前のチャンバ洗浄の有無、オゾン洗浄(有無、回数)、直前試作回数は図6の通りである。
このようにしてできた発光素子の輝度半減時間(hr)、αNPDの純度(%)、有機層全体の不純物量(ng/cm2)、有機層全体の不純物数を実施例1と同様に分析した。分析結果及び輝度半減時間(hr)は図7に示したとおりである。
実施例7が実施例1と異なるのは、Alq3の蒸着速度(Å/s)を2.0とし、αNPDの蒸着速度(Å/s)を1.0として真空蒸着した点である。直前のチャンバ洗浄の有無、オゾン洗浄(有無、回数)、直前試作回数は図の通りである。
このようにしてできた発光素子の輝度半減時間(hr)、αNPDの純度(%)、有機層全体の不純物量(ng/cm2)、有機層全体の不純物数を実施例1と同様に分析した。
分析結果及び輝度半減時間(hr)は図7に示したとおりである。
実施例8が実施例1と異なるのは、Alq3の蒸着速度(Å/s)を5.0とし、αNPDの蒸着速度(Å/s)を1.0として真空蒸着した点である。直前のチャンバ洗浄の有無、オゾン洗浄(有無、回数)、直前試作回数は図6の通りである。
このようにしてできた発光素子の輝度半減時間(hr)、αNPDの純度(%)、有機層全体の不純物量(ng/cm2)、有機層全体の不純物数を実施例1と同様に分析した。分析結果及び輝度半減時間(hr)は図7に示したとおりである。
比較例3
比較例3が実施例1と異なるのは、Alq3の蒸着速度(Å/s)を5.0とし、αNPDの蒸着速度(Å/s)を1.0として真空蒸着した点である。直前のチャンバ洗浄の有無、オゾン洗浄(有無、回数)、直前試作回数は図6の通りである。
このようにしてできた発光素子の輝度半減時間(hr)、αNPDの純度(%)、有機層全体の不純物量(ng/cm2)、有機層全体の不純物数を実施例1と同様に分析した。分析結果及び輝度半減時間(hr)は図7に示したとおりである。
比較例4
比較例4が実施例1と異なるのは、Alq3の蒸着速度(Å/s)を5.0とし、αNPDの蒸着速度(Å/s)を1.0として真空蒸着した点である。直前のチャンバ洗浄の有無、オゾン洗浄(有無、回数)、直前試作回数は図6の通りである。
このようにしてできた発光素子の輝度半減時間(hr)、αNPDの純度(%)、有機層全体の不純物量(ng/cm2)、有機層全体の不純物数を実施例1と同様に分析した。分析結果及び輝度半減時間(hr)は図7に示したとおりである。
(考察)
図8は、有機層全体の不純物量と輝度半減時間の関係を説明する図である。また、図9は、不純物数と輝度半減時間の関係を説明する図である。図8と図9のGC−MSの分析結果から、寿命特性の優れている発光素子は発ガス成分が少ないが、寿命の悪い発光素子は発ガス成分が多く、かつ発生量も多いことがわかる。そして、図8に示す通り、不純物量がヘキサデカン換算値で10ng/cm2以下、図9に示す通り、不純物数10個以下であれば、長寿命の発光素子を安定的に得ることができるのがわかる。
実施例9が実施例2と異なるのは、ホール輸送層HTLにCuPcの代わりに、TNATA20nmを用い、αNPDの膜厚を40nmと薄くした点である。なお、Alq3の蒸着速度(Å/s)を1.0とし、αNPDの蒸着速度(Å/s)を1.0とし、TNATAの蒸着速度(Å/s)を0.7として真空蒸着した。直前のチャンバ洗浄の有無、オゾン洗浄(有無、回数)、直前試作回数を図10に示す。
このようにしてできた発光素子の輝度半減時間(hr)、TNATAの純度(%)、有機層全体の不純物量(ng/cm2)、有機層全体の不純物数を実施例1と同様に分析した。分析結果及び輝度半減時間(hr)を図11に示す。
実施例10が実施例1と異なるのは、Alq3の蒸着速度(Å/s)を1.0とし、αNPDの蒸着速度(Å/s)を0.9とし、TNATAの蒸着速度(Å/s)を1.1として真空蒸着した。直前のチャンバ洗浄の有無、オゾン洗浄(有無、回数)、直前試作回数は図11に示した通りである。
このようにしてできた発光素子の輝度半減時間(hr)、TNATAの純度(%)、有機層全体の不純物量(ng/cm2)、有機層全体の不純物数を実施例1と同様に分析した。分析結果及び輝度半減時間(hr)を図11に示す。
実施例11が実施例1と異なるのは、Alq3の蒸着速度(Å/s)を1.1とし、αNPDの蒸着速度(Å/s)を1.0とし、TNATAの蒸着速度(Å/s)を2.3として真空蒸着した。直前のチャンバ洗浄の有無、オゾン洗浄(有無、回数)、直前試作回数は図10の通りである。
このようにしてできた発光素子の輝度半減時間(hr)、TNATAの純度(%)、有機層全体の不純物量(ng/cm2)、有機層全体の不純物数を実施例1と同様に分析した。分析結果及び輝度半減時間(hr)を図11に示す。
実施例12が実施例1と異なるのは、Alq3の蒸着速度(Å/s)を0.9とし、αNPDの蒸着速度(Å/s)を1.0とし、αTNATAの蒸着速度(Å/s)を4.8として真空蒸着した。直前のチャンバ洗浄の有無、オゾン洗浄(有無、回数)、直前試作回数は図10の通りである。
このようにしてできた発光素子の輝度半減時間(hr)、TNATAの純度(%)、有機層全体の不純物量(ng/cm2)、有機層全体の不純物数を実施例1と同様に分析した。分析結果及び輝度半減時間(hr)を図11に示す。
比較例5
比較例5は実施例1と異なるのは、Alq3の蒸着速度(Å/s)を1.0とし、αNPDの蒸着速度(Å/s)を1.0とし、TNATAの蒸着速度(Å/s)を1.4として真空蒸着した。直前のチャンバ洗浄の有無、オゾン洗浄(有無、回数)、直前試作回数は図10の通りである。
このようにしてできた発光素子の輝度半減時間(hr)、TNATAの純度(%)、有機層全体の不純物量(ng/cm2)、有機層全体の不純物数を実施例1と同様に分析した。分析結果及び輝度半減時間(hr)を図11に示す。
比較例6
比較例6が実施例1と異なるのは、Alq3の蒸着速度(Å/s)を1.2とし、αNPDの蒸着速度(Å/s)を1.0とし、TNATAの蒸着速度(Å/s)を1.1として真空蒸着した。直前のチャンバ洗浄の有無、オゾン洗浄(有無、回数)、直前試作回数は図10の通りである。
このようにしてできた発光素子の輝度半減時間(hr)、TNATAの純度(%)、有機層全体の不純物量(ng/cm2)、有機層全体の不純物数を実施例1と同様に分析した。分析結果及び輝度半減時間(hr)を図11に示す。
(考察)
図12は、不純物量と輝度半減時間の関係を説明する図である。図12から、不純物量が10以下であれば、長寿命の発光素子を安定的に得ることができるのがわかる。
有機EL素子の構造を説明する模式断面図である。 直前のチャンバ洗浄の有無、オゾン洗浄(有無、回数)、直前試作回数を実施例1−4および比較例1−2として説明する図である。 図2の実施例および比較例に対応した発光素子の作成条件の説明図である。 不純物量と輝度半減時間の関係を示す図である。 純度と輝度半減時間の関係を示す図である。 直前のチャンバ洗浄の有無、オゾン洗浄(有無、回数)、直前試作回数を実施例5−8および比較例3−4として説明する図である。 分析結果及び輝度半減時間(hr)の説明図である。 有機層全体の不純物量と輝度半減時間の関係を説明する図である。 不純物数と輝度半減時間の関係を説明する図である 直前のチャンバ洗浄の有無、オゾン洗浄(有無、回数)、直前試作回数を実施例9−12および比較例5−6として説明する図である。 分析結果及び輝度半減時間(hr)の説明図である。 不純物量と輝度半減時間の関係を説明する図である。
符号の説明
SUB・・・基板、AD・・・陽極、HTL・・・ホール輸送層、EML・・・発光層、ETL・・・電子輸送層、CD・・・陰極。

Claims (15)

  1. 一対の電極間に少なくとも一層の有機化合物層を有する発光素子において、
    前記有機化合物層の有機化合物に起因する不純物の含有量がヘキサデカン換算値で10ng/cm2以下である有機化合物層を少なくとも一層有することを特徴とする発光素子。
  2. 前記不純物を含有する層がホール注入層またはホール輸送層であるあることを特徴とする請求項1に記載の発光素子。
  3. 前記不純物がホール注入層またはホール輸送層を構成する有機化合物の分解物生成物または分解重合生成物または重合生成物であることを特徴とする請求項1又は2に記載の発光素子。
  4. 前記不純物が芳香族アミン化合物であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の発光素子。
  5. 前記芳香族アミン化合物がジフェニルアミンまたはその誘導体、トリフェニルアミンまたはその誘導体、ナフチルアミンまたはその誘導体、ビフェニルジアミンまたはその誘導体の少なくとも1種類以上の化合物を含むことを特徴とする請求項1に記載の発光素子。
  6. 前記不純物が芳香族化合物であることを特徴とする請求項1乃至3に記載の発光素子。
  7. 前記不純物がベンゼン誘導体、ナフタレン誘導体、ビフェニル誘導体の少なくとも1種類以上の化合物を含むことを特徴とする請求項6に記載の発光素子。
  8. 前記不純物含有する層が発光層であるあることを特徴とする請求項1に記載の発光素子。
  9. 前記不純物が発光層を構成する有機化合物の分解物であることを特徴とする請求項1又は8に記載の発光素子。
  10. 前記不純物が発光層のホストを構成する有機化合物の分解物であることを特徴とする請求項1及び8または9に記載の発光素子。
  11. 前記不純物が発光層のゲストを構成する有機化合物の分解物であることを特徴とする請求項1、8、9又は10に記載の発光素子。
  12. 前記不純物含有する層が電子輸送層であるあることを特徴とする請求項1に記載の発光素子。
  13. 前記不純物が電子輸送層を構成する有機化合物の分解物生成物または分解重合生成物または重合生成物であることを特徴とする請求項1又は12に記載の発光素子。
  14. 前記不純物がキノリノールアルミ錯体の分解物であることを特徴とする請求項1、12又は13に記載の発光素子。
  15. 前記不純物がキノリノールであることを特徴とする請求項1、12、13又は14に記載の発光素子。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010001864A1 (ja) 2008-06-30 2010-01-07 富士フイルム株式会社 セルロース誘導体及びその製造方法、セルロース樹脂組成物、成形体及びその製造方法、並びに電気電子機器用筐体
JP2020526025A (ja) * 2017-07-03 2020-08-27 メルク パテント ゲーエムベーハー フェノール系不純物の含有量が低い調合物

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107072278A (zh) * 2014-06-11 2017-08-18 波维瓦茶业有限责任公司 加入亲脂性活性剂的食品和饮料组合物及其使用方法
CN107275360B (zh) 2016-04-01 2020-10-16 乐金显示有限公司 有机发光显示装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002235077A (ja) * 2001-02-08 2002-08-23 Nippon Steel Chem Co Ltd 有機el材料及びそれを用いた有機el素子
JP2002373785A (ja) * 2001-06-15 2002-12-26 Canon Inc 発光素子及び表示装置
JP2003068467A (ja) * 2001-06-15 2003-03-07 Canon Inc 発光素子及びその製造方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1298061C (zh) * 1998-12-28 2007-01-31 出光兴产株式会社 有机场致发光装置和选择该装置用有机材料的方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002235077A (ja) * 2001-02-08 2002-08-23 Nippon Steel Chem Co Ltd 有機el材料及びそれを用いた有機el素子
JP2002373785A (ja) * 2001-06-15 2002-12-26 Canon Inc 発光素子及び表示装置
JP2003068467A (ja) * 2001-06-15 2003-03-07 Canon Inc 発光素子及びその製造方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010001864A1 (ja) 2008-06-30 2010-01-07 富士フイルム株式会社 セルロース誘導体及びその製造方法、セルロース樹脂組成物、成形体及びその製造方法、並びに電気電子機器用筐体
JP2020526025A (ja) * 2017-07-03 2020-08-27 メルク パテント ゲーエムベーハー フェノール系不純物の含有量が低い調合物
JP7282694B2 (ja) 2017-07-03 2023-05-29 メルク パテント ゲーエムベーハー フェノール系不純物の含有量が低い調合物

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