JP2009018981A

JP2009018981A - 光学素子被覆用ガラス、ガラス被覆発光素子及びガラス被覆発光装置

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Publication number: JP2009018981A
Application number: JP2007224211A
Authority: JP
Inventors: Shuji Matsumoto; 修治松本; Yasuko Osaki; 康子大崎; Nobuhiro Nakamura; 伸宏中村
Original assignee: Asahi Glass Co Ltd
Current assignee: AGC Inc
Priority date: 2007-06-14
Filing date: 2007-08-30
Publication date: 2009-01-29
Anticipated expiration: 2027-08-30
Also published as: JP5369408B2

Abstract

【課題】半導体発光素子との熱膨張率の差が小さく、ガラス転移点が低く抑えられたガラスによって被覆されたガラス被覆発光素子及びガラス被覆発光装置を提供する。
【解決手段】ガラス被覆発光素子は、酸化物基準のモル％表示で、Ｐ_２Ｏ_５２７〜３５％、ＺｎＯ２５〜４５％、ＳｎＯ２５〜４０％、Ｂ_２Ｏ_３及びＣａＯから選ばれる少なくとも１種０．１〜１０％から本質的になり、結晶化ピーク温度とガラス転移温度との差が１５０℃以上である。
【選択図】図１

Description

本発明はガラス、特に、半導体発光素子（発光ダイオード）の被覆に用いられるガラス、そのガラスを用いて被覆されたガラス被覆発光素子及びガラス被覆発光装置に関する。

近年、半導体発光素子を被覆する部材として、ＴｅＯ_２を主組成物とするＴｅＯ_２系ガラスが提案されている。しかし、被覆部材として用いられるＴｅＯ_２系ガラスは、４００ｎｍ以下での透過率が悪く、短波長（３６５〜４０５ｎｍ）用ＬＥＤ（ＵＶ−ＬＥＤ）の封止材としては適していなかった。

なお、短波長用ＬＥＤの封止材として、Ｐ_２Ｏ_５−ＺｎＯ系のガラスを用いることを記載している文献がある（特許文献１）。

国際公開番号ＷＯ２００４／０８２０３６号

しかしながら、特許文献１は、ガラスの組成物の含有量が記載されておらず、実施できるほどの開示はない。また、特許文献１のガラスは、その熱膨張係数が１１．４×１０^−６／℃であり、半導体発光素子（典型的にはＧａＮ）の積層基板として主に用いられるサファイアの熱膨張係数（約８０×１０^−７／℃）との差が大きく、封止材として実用的ではないという問題点がある。さらに、特許文献１のガラスは、組成物としてＳｎを本質的に含有していない。そのため、特許文献１のガラスのガラス転移点は、高くなるという問題点がある。

また、ガラス転移温度と結晶化ピーク温度との差が少ないと、封止時に結晶化してしまうという問題点がある。

本発明の一態様の光学素子被覆用ガラスは、酸化物基準のモル％表示で、Ｐ_２Ｏ_５２７〜３５％、ＺｎＯ２５〜４５％、ＳｎＯ２５〜４０％、Ｂ_２Ｏ_３及びＣａＯから選ばれる少なくとも１種０．１〜１０％から本質的になり、結晶化ピーク温度とガラス転移温度との差が１５０℃以上であることを特徴とする。

本発明の一態様のガラス被覆発光素子は、主表面を有する半導体発光素子と、半導体発光素子の主表面を被覆し、酸化物基準のモル％表示で、Ｐ_２Ｏ_５２７〜３５％、ＺｎＯ２５〜４５％、ＳｎＯ２５〜４０％、Ｂ_２Ｏ_３及びＣａＯから選ばれる少なくとも１種０．１〜１０％から本質的になり、結晶化ピーク温度とガラス転移温度との差が１５０℃以上であるガラスとを含むことを特徴とする。

また、本発明の一態様のガラス被覆発光装置は、主表面を有する基板と、主表面と主表面と対向する裏表面とを有し裏表面が基板の主表面と対向するように基板の主表面上に設けられる半導体発光素子と、半導体発光素子の主表面を被覆し、酸化物基準のモル％表示で、Ｐ_２Ｏ_５２７〜３５％、ＺｎＯ２５〜４５％、ＳｎＯ２５〜４０％、Ｂ_２Ｏ_３及びＣａＯから選ばれる少なくとも１種０．１〜１０％から本質的になり、結晶化ピーク温度とガラス転移温度との差が１５０℃以上であるガラスとを含むことを特徴とする。

本発明によれば、半導体発光素子との熱膨張率の差が小さく、ガラス転移点が低く、封止時の結晶化が抑えられた光学素子被覆用ガラス及びそのガラスによって被覆されるガラス被覆発光素子及びガラス被覆発光装置を提供することができる。

本発明の実施形態を、添付した図面を参照して以下に詳細に説明する。図では、対応する部分は、対応する参照符号で示している。下記の実施形態は、一例として示されたもので、本発明の精神から逸脱しない範囲で種々の変形をして実施することが可能である。

初めに、図面を用いて、ガラス被覆発光装置について説明する。
図１は、本発明のガラス被覆発光装置の断面図である。本発明のガラス被覆発光装置は、被接着部材である半導体発光素子（例えば、発光ダイオード）１００と、半導体発光素子１００を被覆する被覆部材であるガラス１１０と、半導体発光素子１００が搭載される配線１３０が形成された基板１２０とを有する。

半導体発光素子１００は、基板１０１と、ＬＥＤ１０２と、プラス電極１０３と、マイナス電極１０４とを有する。ＬＥＤ１０２は、波長が３６０〜４８０ｎｍの紫外光または青色光を放出するＬＥＤであり、ＧａＮにＩｎを添加したＩｎＧａＮを発光層とする量子井戸構造のＬＥＤ（ＩｎＧａＮ系ＬＥＤ）である。基板１０１の熱膨張係数（α）は、７０×１０^−７〜９０×１０^−７／℃である。通常、基板１０１として熱膨張係数（α）が約８０×１０^−７／℃であるサファイア基板が使用される。

次に、本発明の光学素子被覆用ガラスについて説明する。
本発明の光学素子被覆用ガラスのガラス転移点（Ｔｇ）は、好ましくは２９０℃以上、より好ましくは３００℃以上、特に好ましくは３２０℃以上である。なお、ガラス転移点（Ｔｇ）が２９０℃未満では、ＺｎＯの含有が少なくなり、および／またはＰ_２Ｏ_５を多く含有することになり、耐水性が悪くなるおそれがある。好ましくは４００℃以下、より好ましくは３６０℃以下である。Ｔｇが高くなると封止温度も高くなる。

本発明の光学素子被覆用ガラスの結晶化ピーク温度（Ｔｃ）は、好ましくは４８０℃以上、より好ましくは５００℃以上、特に好ましくは５２０℃以上である。なお、結晶化ピーク温度（Ｔｃ）が４８０℃未満では、封止時にガラスが結晶化して透明にならないおそれがある。

結晶化ピーク温度とガラス転移温度との差＜Ｔｃ−Ｔｇ＞は、好ましくは１５０℃以上、より好ましくは１８５℃以上、特に好ましくは２００℃以上である。なお、結晶化ピーク温度とガラス転移温度との差が１５０℃未満であると、封止時に結晶化されてしまうおそれがある。なお、差＜Ｔｃ−Ｔｇ＞が∞である、つまりＴｃのピークが観察されないことは、完全混和液相になるまでに結晶化が起こらないことである。ただし、Ｔｃ測定時の昇温速度がピーク強度に影響する。ここで想定しているのはＴｃ測定の昇温速度を１〜１０℃／分を想定している。

本発明の光学素子被覆用ガラスの熱膨張係数（α）は、１０５×１０^−７／℃以下、より好ましくは９５×１０^−７／℃以下、特に好ましくは９０×１０^−７／℃以下である。なお、熱膨張係数（α）は、７０×１０^−７／℃未満では、ガラス転移点を上昇させる。好ましくは、７０×１０^−７／℃以上、より好ましくは７５×１０^−７／℃以上、特に好ましくは８０×１０^−７／℃以上である。また、熱膨張係数（α）は、１０５×１０^−７／℃超の場合、ガラスを軟化させて半導体発光素子を封止し、室温まで冷却する過程またはそれ以降に、ガラスの半導体発光素子に接する部分を起点とした割れが発生し、光の取り出し効率を低下させるまたは半導体発光素子が大気の湿分に晒されるおそれがある。

以下、本発明のガラス被覆発光素子及びガラス被覆発光装置で用いられるガラス組成をモル％を単に％と表記して説明する。

Ｐ_２Ｏ_５は、ガラスを安定化させる成分であり、必須である。２７％未満ではＴｇが高くなるおそれがある。好ましくは３０％以上である。一方、３５％超では、装着部の耐水性が低下するおそれがある。好ましくは３３％以下、より好ましくは３１％以下である。

ＺｎＯは、耐水性を向上させ、熱膨張係数を低下させる等、ガラスを安定化させる成分であり、必須である。２５％未満では熱膨張係数が大きくなりすぎ、ガラス板の熱膨張係数との整合性が得られなくなり、割れやすくなるおそれがある。好ましくは、２８％以上、より好ましくは３０％以上、特に好ましくは３２％以上である。一方、４５％超では失透が析出しやすくなり、さらにＴｇが高くなりすぎる。好ましくは４０％以下、より好ましくは３８％以下、特に好ましくは３６％以下である。

ＳｎＯは、流動性を増す効果があり、２５％未満では軟化点が高くなりすぎ、流動性が悪くなるため、装着部の強度と気密性が低下するおそれがある。好ましくは２８％以上、より好ましくは３０％以上、特に好ましくは３２％以上である。一方、４０％超ではガラス化が困難になる。好ましくは３８％以下、より好ましくは３５％以下である。

Ｂ_２Ｏ_３は必須ではないが、ガラスを安定化させるために、または差＜Ｔｃ−Ｔｇ＞を大きくするために５％まで含有しても良い。５％超ではＴｇが高くなりすぎる、または屈折率が小さくなる、さらに耐水性等の化学的耐久性が低下するおそれがある。好ましくは４％以下、より好ましくは３％以下、特に好ましくは２％以下である。Ｂ_２Ｏ_３を含有する場合その含有量は、好ましくは０．１％以上、特に好ましくは０．５％以上である。

ＣａＯは必須ではないが、耐水性を向上させ、熱膨張係数を低下させるために、または差＜Ｔｃ−Ｔｇ＞を大きくするために１０％まで含有しても良い。１０％超ではガラスが不安定になる、またはＴｇが高くなりすぎる。好ましくは５％以下、より好ましくは３％以下、特に好ましくは２％以下である。ＣａＯを含有する場合その含有量は、好ましくは０．１％以上、特に好ましくは０．５％以上である。

Ａｌ_２Ｏ_３は必須ではないが、耐水性を向上させ、ガラスを安定化させるために、３％まで含有しても良い。３％超ではＴｇが高くなりすぎる、または溶融ガラスの粘度が高くなり、液相温度が高くなる。つまり、半導体光学素子を封止することが困難となる。好ましくは２％以下、より好ましくは１％以下である。Ａｌ_２Ｏ_３を含有する場合その含有量は、好ましくは０．１％以上、特に好ましくは０．５％以上である。

Ｉｎ_２Ｏ_３は必須ではないが耐水性を向上させ、ガラスを安定化させるために、３％まで含有しても良い。３％超ではＴｇが高くなりすぎる、または溶融ガラスの粘度が高くなり、液相温度が高くなる。つまり、半導体光学素子を封止することが困難となる。好ましくは２％以下、より好ましくは１％以下である。Ｉｎ_２Ｏ_３を含有する場合その含有量は、好ましくは０．１％以上、特に好ましくは０．５％以上である。

Ｌａ_２Ｏ_３は必須ではないが耐水性を向上させ、ガラスを安定化させるために、３％まで含有しても良い。３％超ではＴｇが高くなりすぎる、または溶融ガラスの粘度が高くなり、液相温度が高くなる。つまり、半導体光学素子を封止することが困難となる。好ましくは２％以下、より好ましくは１％以下である。Ｌａ_２Ｏ_３を含有する場合その含有量は、好ましくは０．１％以上、特に好ましくは０．５％以上である。

Ｂ_２Ｏ_３及びＣａＯから選ばれる少なくとも１種は、差＜Ｔｃ−Ｔｇ＞を大きくさせる成分であり、必須である。ここで、いずれか１種若しくはいずれか２種以上の組み合わせによる成分は、含量で０．１％以上である。好ましくは０．５％以上、特に好ましくは１％以上である。また、１０％超ではＴｇが高くなりすぎる。好ましくは、５％以下である。

Ａｌ_２Ｏ_３、Ｉｎ_２Ｏ_３及びＬａ_２Ｏ_３から選ばれる少なくとも１種は、必須ではないが、ガラスを安定化させる成分である。ここで、いずれか１種若しくはいずれか２種以上の組み合わせによる成分は、含量で０．１％以上である。特に好ましくは０．５％以上である。また、７％超ではＴｇが高くなりすぎる。好ましくは、５％以下である。

本発明のガラス被覆光学素子及びガラス被覆発光装置で用いられるガラスは本質的に上記成分からなるが、本発明の目的を損なわない範囲でその他の成分、例えば、ＭｇＯ、ＳｒＯ、Ｂｉ_２Ｏ_３、Ｙ_２Ｏ_３、Ｇｄ_２Ｏ_３、Ｃｅ_２Ｏ_３、ＣｅＯ_２、ＴｉＯ_２、ＴｅＯ_２、ＳｉＯ_２、Ｔａ_２Ｏ_５、ＷＯ_３等を添加しても良い。なお、本発明のガラスは、ＰｂＯを実質的に含有しないことが好ましい。

基板１２０は、例えば、純度９８．０％〜９９．５％、厚さ０．５ｍｍ〜１．２ｍｍの矩形のアルミナ基板である。純度９９．０％〜９９．５％、厚さ０．７ｍｍ〜１．０ｍｍの正方形のアルミナ基板が好ましい。なお、基板１２０の表面に形成される配線１３０は、金ペーストにより製造された金配線である。

（実施例１）
例１〜例１８については、表中のモル％で示される組成となるように、正リン酸水溶液（８５％Ｈ_３ＰＯ_４）とＺｎＯ及びＳｎＯ粉末原料を調合して、脱水後に正リン酸がＰ_２Ｏ_５になった状態で全成分の合計が１００ｇになる量を用意する。次に、前記の粉末原料と約１ｇのサッカロースを混合し、テフロン（登録商標）容器で約２００ｍｌのイオン交換水と混合し、スラリーを作成する。スラリーをテフロン（登録商標）製スターラーで攪拌しながら、正リン酸水溶液を混入する。その際に反応による発熱があるため、水分の突沸が起きないように、注意深くゆっくりと正リン酸水溶液を注ぐ必要がある。続いて、混合物をテフロン（登録商標）シートを引いたステンレス製バットに流しだした後に、換気しながら２００℃で３時間乾燥させ、クッキー状の固形物を得た。

前記固形物を石英製るつぼに入れ、石英製ふたを置き、１１００℃で４０分間溶解した。この際、石英棒で数回攪拌して溶融ガラスを均質化した。均質化した溶融ガラスは、カーボン型に流し出して板状に成形した。この板状のガラスは直ちに３８０℃の別の電気炉に入れその温度に１時間保持後１２時間かけて室温まで冷却した。

なお、原料に正リン酸を用いずに、リン酸スズ、リン酸カルシウム、リン酸アルミニウム等の粉末原料を用いることもできる。この場合は粉末の混合以降の乾燥工程は省略することができる。

ここで、例１〜例１２及び例１５〜例１８は実施例であり、例１３〜例１４は比較例である。

得られたガラスについて、ガラス転移点Ｔｇ（単位：℃）、結晶化ピーク温度Ｔc（単位：℃）、熱膨張係数α（単位：１０^−７／℃）、封止温度（単位：℃）、封止時の結晶化、失透を以下の測定法によって、測定した。
Ｔｇ：粉末状に加工したサンプル２５０ｍｇを白金パンに充填し、リガク社製示差熱分析装置ＴｈｅｒｍｏＰｌｕｓＴＧ８１１０（商品名）により、１０℃／分の昇温速度で測定した。
Ｔｃ：上記で示した示差熱分析装置により、Ｔｇ測定と同時に測定した。
α：直径５ｍｍ、長さ２０ｍｍの円柱状に加工したサンプルを、熱膨張計（ブルカーエイエックスエス社製水平示差検出式熱膨張計ＴＤ５０１０）を用いて、１０℃／分の昇温速度で測定した。２５〜２５０℃での膨張係数を２５℃刻みで求め、その平均値をαとした。
封止温度：流動が始まり、ガラス融液が（半）球形になる温度。Ｔｇ＋１５５±１０℃。
封止時の結晶化：差＜Ｔｃ−Ｔｇ＞が１５０℃以下を○とした。
失透：ガラスをカーボン方に流しだし、固化するまでの間に、目視でガラス内部に結晶析出が確認できないものを○とした。

結果を表１〜表３に示す。

例１２のガラスを厚みが約１．５ｍｍになるように加工し、その両面を鏡面研磨した。その後、ガラス板を厚みが約１．５ｍｍ、大きさが約３ｍｍ×約３ｍｍであるガラス板に切断加工した。

一方、金の配線パターンを形成したアルミナ基板（厚み：１ｍｍ、大きさ：１４ｍｍ×１４ｍｍ）と豊田合成社製ＬＥＤ（商品名：Ｅ１Ｃ６０−０Ｂ０１１−０３）に接続バンプを形成したものとを用意し、アルミナ基板にこのＬＥＤをフリップチップ実装した。そして、ガラスと基板との界面に発生する気泡を抑制するために、ＬＥＤを実装したアルミナ基板を電気炉（ＩＲ加熱装置）に入れ、６００℃で加熱処理をした。昇温速度は３００℃／分、６００℃での保持時間は２分、降温速度は３００℃／分に設定した。なお、ガラスと基板との界面に発生する気泡は、ガラスを軟化させる場合、ガラスが基板表面に付着している有機汚染物質に反応して発生する。そして、この発生した気泡は、半導体発光素子から発した光を屈折させるので、発光装置の輝度を低下させたり、発光装置の配光分布を変化させるおそれがある。そのため、ガラスでＬＥＤを被覆する前に、ＬＥＤを搭載した基板を加熱し、基板表面に付着している有機汚染物質を減少させ、気泡の発生を抑制している。数々の実験によれば、加熱温度は、６００℃前後が好ましい。また、加熱時間は、ＬＥＤに対する熱の影響を考慮すると、２分間前後が好ましい。

このフリップチップ実装したＬＥＤの上に蛍光体分散ガラス板を載置したものを電気炉に入れ、毎分１００℃の速度で４９０℃まで昇温しその温度に２分間保持し、ガラス板を軟化流動させてＬＥＤを被覆した。その後、毎分１００℃の速度で冷却を行った。

ＬＥＤを被覆しているガラスを目視観察したところその表面付近には泡は認められなかった。

このようにして得られたガラス被覆光学素子に直流電圧を印加したところ、青色の発光が確認できた。発光開始電圧は２．２〜２．４Ｖであり、ベアチップに対するものとほぼ同じであった。また、表４に示すように、封止前後の電流−電圧測定の結果も有意な差は無かった。このことからＬＥＤ素子発光層に損傷がないことがわかる。

（実施例２）
例１２において、正リン酸水溶液ではなく、リン酸亜鉛の粉末原料を用い、他は実施例１と同様な原料で調合した。また、石英棒で攪拌するのではなく、Ｎ_２の不活性ガスでバブリングをした。なお、不活性ガスとしてＮ_２ではなく、Ａｒでも良いことは言うまでもない。

得られたガラスについて、脱水効果、Ｓｎ価数、ガラス転移点Ｔｇ（単位：℃）の分析を下記の手法で行った。なお、ガラス転移点Ｔｇについては上述した手法と同様であるため、その手法についての説明は割愛する。

Ｓｎ価数：Ｓｎ−メスバウアー分光の測定方法により、Ｓｎ−レドックスの値を測定した。
ここで、Ｓｎ−メスバウアー分光の測定方法について説明する。
^119mＳｎから¹¹⁹Ｓｎへのエネルギー遷移に伴って発生するγ線（２３．８ｋeＶ）をプローブにして、透過法（ガラス試料を透過したγ線を計測）により、試料中のＳｎの２価と４価の存在割合（Ｓｎ−レドックス）を測定した。具体的には、以下の通りである。
放射線源のγ線出射口、ガラス試料、Ｐｄフィルター、気体増幅比例計数管（ＬＮＤ社製、型番４５４３１）の受光部を３００〜８００ｍｍ長の直線上に配置した。
放射線源は、１０ｍＣｉの^119mＳｎを用い、光学系の軸方向に対して放射線源を運動させ、ドップラー効果によるγ線のエネルギー変化を起こさせた。放射線源の速度はトランスデューサー（東陽リサーチ社製）を用いて、光学系の軸方向に−１０〜＋１０ｍｍ／秒の速度で振動するように調整した。
ガラス試料は、１〜２ｍｍの厚さのガラス平板を用いた。
Ｐｄフィルターは、気体増幅比例計数管によるγ線の計測精度を向上させるためのものであり、γ線がガラス試料に照射された際にガラス試料から発生する特性Ｘ線を除去する厚さ５０μｍのＰｄ箔である。
気体増幅比例計数管は、受光したγ線を検出するものである。気体増幅比例計数管からのγ線量を示す電気信号を増幅装置（関西電子社製）で増幅して受光信号を検出した。マルチチャンネルアナライザー（Ｗｉｓｓｅｌ社ＣＭＣＡ５５０）で上記の速度情報と連動させた。
気体増幅比例計数管からの検出信号を縦軸に、運動している放射線源の速度を横軸に表記することで、スペクトルが得られる（メスバウアー分光学の基礎と応用４５〜６４頁佐藤博敏・片田元己共著学会出版）。評価可能な信号／雑音比が得られるまでに、積算時間は５時間から２日を必要とした。
０ｍｍ／秒付近に出現するピークがＳｎの４価の存在を示し、２．５ｍｍ／秒と４．５ｍｍ／秒付近に出現する２つに分裂したピークが２価の存在を示す。それぞれのピーク面積に補正係数（ＪｏｕｒｎａｌｏｆＮｏｎ−ＣｒｙｓｔａｌｉｎｅＳｏｌｉｄｓ３３７（２００４年）２３２−２４０頁「ＴｈｅｅｆｆｅｃｔｏｆａｌｕｍｉｎａｏｎｔｈｅＳｎ^２＋/Ｓｎ^４＋ｒｅｄｏｘｅｑｕｉｌｉｂｒｉｕｍａｎｄｔｈｅｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎｏｆｔｉｎｉｎＮａ_２Ｏ／Ａｌ_２Ｏ_３／ＳｉＯ_２ｍｅｌｔｓ」ＤａｒｉｊａＢｅｎｎｅｒ、他共著）（Ｓｎの４価：０．２２、Ｓｎの２価：０．４９）を乗じたものの割合を計算し、２価のＳｎ割合をＳｎ−レドックス値とした。

分析により得られた評価結果を、表５及び表６に示す。表５はＳｎ原子の全量に対する２価のＳｎの割合を示す結果を、表６はガラス転移点Ｔｇの測定結果を示す。

表５からわかるように、実施例１及び実施例２のいずれもＳｎ^２＋の存在率が９０％を超えることがわかった。特に、実施例２の場合は、Ｓｎ^２＋の存在率が９９％超となった。つまり、Ｓｎ^４＋はほとんど存在していないことなる。ガラスの中のＳｎ^４＋は、Ｓｎ^２＋に比べ、ガラスの骨格構造を強く安定化させる効果がある。そのため、Ｓｎ^４＋は、Ｓｎ^２＋に比べ、骨格構造が安定しているので、ガラス転移温度等が高くなる。Ｓｎ原子の全量中のＳｎ^４＋の存在割合が少ないほど、言い換えればＳｎ^２＋の存在割合が多いほどガラス転移温度は低くなる。そのため、表６に示すように、本件発明は、ガラス転移点Ｔｇが１０℃ぐらい低くなるという効果を得た。

本発明の光学素子被覆用ガラスは、液晶パネル用バックライト光源、一般照明や自動車用ヘッドライドなどに用いられるＬＥＤ素子の封止に利用できる。

本発明のガラス被覆発光装置の断面図である。

符号の説明

１００：半導体発光素子
１１０：ガラス
１２０：基板

Claims

酸化物基準のモル％表示で、
Ｐ_２Ｏ_５２７〜３５％、
ＺｎＯ２５〜４５％、
ＳｎＯ２５〜４０％、
Ｂ_２Ｏ_３及びＣａＯから選ばれる少なくとも１種０．１〜１０％から本質的になり、結晶化ピーク温度とガラス転移温度との差が１５０℃以上であることを特徴とする光学素子被覆用ガラス。
Ｓｎ原子の全量に対するＳｎ^２＋の存在率が９０％以上であることを特徴とする請求項１に記載の光学素子被覆用ガラス。
酸化物基準のモル％表示で、
Ａｌ_２Ｏ_３０〜３％、
Ｉｎ_２Ｏ_３０〜３％、
Ｌａ_２Ｏ_３０〜３％、
とを含み、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｉｎ_２Ｏ_３及びＬａ_２Ｏ_３から選ばれる少なくとも１種が０．１％〜７％であることを特徴とする請求項１または２に記載の光学素子被覆用ガラス。
膨張係数が７０×１０^−７〜１００×１０^−７／℃であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一つに記載の光学素子被覆用ガラス。
前記ガラス転移温度は４００℃以下であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一つに記載の光学素子被覆用ガラス。
前記結晶化ピーク温度と前記ガラス転移温度との差が１８０℃以上であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一つに記載の光学素子被覆用ガラス。
主表面を有する半導体発光素子と、
前記半導体発光素子の前記主表面を被覆し、酸化物基準のモル％表示で、Ｐ_２Ｏ_５２７〜３５％、ＺｎＯ２５〜４５％、ＳｎＯ２５〜４０％、Ｂ_２Ｏ_３及びＣａＯから選ばれる少なくとも１種０．１〜１０％から本質的になり、結晶化ピーク温度とガラス転移温度との差が１５０℃以上であるガラスとを含むことを特徴とするガラス被覆発光素子。
主表面を有する基板と、
主表面と前記主表面と対向する裏表面とを有し、前記裏表面が前記基板の前記主表面と対向するように前記基板の前記主表面上に設けられる半導体発光素子と、
前記半導体発光素子の前記主表面を被覆し、酸化物基準のモル％表示で、Ｐ_２Ｏ_５２７〜３５％、ＺｎＯ２５〜４５％、ＳｎＯ２５〜４０％、Ｂ_２Ｏ_３及びＣａＯから選ばれる少なくとも１種０．１〜１０％から本質的になり、結晶化ピーク温度とガラス転移温度との差が１５０℃以上であるガラスとを含むことを特徴とするガラス被覆発光装置。