JP2009070893A

JP2009070893A - Light-emitting device and manufacturing method therefor

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Publication number: JP2009070893A
Application number: JP2007235266A
Authority: JP
Inventors: Kazuhiko Senda; 和彦千田; Nobuaki Matsui; 宣明松井; Keiyo Kobuchi; 啓誉小渕
Original assignee: Rohm Co Ltd
Current assignee: Rohm Co Ltd
Priority date: 2007-09-11
Filing date: 2007-09-11
Publication date: 2009-04-02

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a light-emitting device which can emit beams of light of a plurality of colors and can be miniaturized, and to provide a manufacturing method for the light-emitting device. <P>SOLUTION: The light-emitting device 1 includes a substrate 2; a first active layer 5G and a first clad layer 6G, which are arranged in a first region on the substrate 2 to emit green light; a second active layer 5B and a second clad layer 6B which are arranged in a second region adjacent to the first region on the substrate 2 in a first direction to emit blue light; and third clad layers 4G and 4B, which are arranged in a third region adjacent to the first and second regions on the substrate 2 in a second direction crossing the first direction and are connected to the first and second active layers 5G and 5B. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、発光装置及びその製造方法に関し、特に複数色光を発する発光装置及びその製造方法に関する。 The present invention relates to a light-emitting device and a method for manufacturing the same, and more particularly to a light-emitting device that emits multi-color light and a method for manufacturing the same.

半導体レーザや発光ダイオード（LED：light emitting diode）等の発光素子の製作には様々な材料が使用されている。近年、活性層（発光層）にインジウム（In）を用いた半導体発光素子の開発が進められている。特に、窒化ガリウム（GaN）系半導体により製造された青色光を発する発光素子においては活性層にInGaNが使用されている。 Various materials are used for manufacturing light emitting elements such as semiconductor lasers and light emitting diodes (LEDs). In recent years, development of a semiconductor light emitting device using indium (In) as an active layer (light emitting layer) has been advanced. In particular, in a light-emitting element that emits blue light manufactured using a gallium nitride (GaN) -based semiconductor, InGaN is used for the active layer.

この種の発光装置の製造方法は、まず最初に成長用基板上にｎ型コンタクト層やｎ型クラッド層が積層される。そして、ｎ型コンタクト層上やｎ型クラッド層上に活性層が成長され、更に活性層上にｐ型クラッド層やｐ型コンタクト層が積層される。GaN系半導体の結晶成長には、ハイドライド気相成長法（HVPE）や有機金属化学気相成長法（MOCVD）が使用されている。クラッド層には例えばAlGaNやGaNが使用される。また、クラッド層には例えばGaNが使用される。最後に、ｎ型コンタクト層、ｐ型コンタクト層にそれぞれ電極が形成される。 In this type of light emitting device manufacturing method, an n-type contact layer and an n-type cladding layer are first laminated on a growth substrate. Then, an active layer is grown on the n-type contact layer and the n-type cladding layer, and a p-type cladding layer and a p-type contact layer are further stacked on the active layer. Hydride vapor phase epitaxy (HVPE) and metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) are used for crystal growth of GaN-based semiconductors. For example, AlGaN or GaN is used for the cladding layer. For example, GaN is used for the cladding layer. Finally, electrodes are formed on the n-type contact layer and the p-type contact layer, respectively.

例えば、LEDにおいて、フルカラー用の三原色光のうち青色光と緑色光との２色光が必要な場合、青色光を発する青色LED、緑色光を発する緑色LEDのそれぞれは１チップづつ別々に制作されている。そして、青色LED及び緑色LEDは１つのパッケージ内に実装され、２色光を発する発光装置を完成させることができる。
特開２００４−５５７１９号公報 For example, in an LED, when two colors of blue light and green light are required among the three primary colors for full color, each of the blue LED that emits blue light and the green LED that emits green light is produced separately for each chip. Yes. The blue LED and the green LED are mounted in one package, and a light emitting device that emits two-color light can be completed.
JP 2004-55719 A

しかしながら、前述の発光装置においては、下記の点について配慮がなされていなかった。青色LEDと緑色LEDとの２つの発光素子を１つのパッケージ内に離間させて収納しているので、発光装置の小型化が難しかった。更に、青色LEDの発光源と緑色LEDの発光源との間の距離が離れてしまうので、双方を同時に点灯させた場合に、見る角度により発光装置から発せられる光に色斑が生じてしまう。 However, in the above-described light emitting device, the following points have not been considered. Since the two light emitting elements of the blue LED and the green LED are housed in a single package, it is difficult to reduce the size of the light emitting device. Further, since the distance between the blue LED light source and the green LED light source is increased, when both are turned on at the same time, color spots are generated in the light emitted from the light emitting device depending on the viewing angle.

本発明は上記課題を解決するためになされたものである。従って、本発明は、複数色光を発することができ、小型化を実現することができる発光装置及びその製造方法を提供することである。更に、本発明は、発せられる光の色斑を減少することができる発光装置及びその製造方法を提供することである。 The present invention has been made to solve the above problems. Accordingly, an object of the present invention is to provide a light emitting device that can emit light of a plurality of colors and can be miniaturized, and a manufacturing method thereof. Furthermore, this invention is providing the light-emitting device which can reduce the color spot of the emitted light, and its manufacturing method.

上記課題を解決するために、本発明の実施の形態に係る第１の特徴は、発光装置において、基板と、基板上の第１の領域に配設され、波長が480 nm−550 nmの範囲内にメインピークを有する光を発する第１の活性層と、第１の活性層上に配設され、この第１の活性層に接続された第１の導電型の第１のクラッド層と、基板上の第１の領域に対して第１の方向に隣接する第２の領域に配設され、波長が440 nm−480 nmの範囲内にメインピークを有する光を発する第２の活性層と、第２の活性層上に配設され、この第２の活性層に接続された第１の導電型の第２のクラッド層と、基板上の第１の領域及び第２の領域に対して第１の方向と交差する第２の方向に隣接する第３の領域に配設され、第１の導電型とは反対の第２の導電型を有し、第１の活性層及び第２の活性層に接続された第３のクラッド層とを備える。第１の特徴に係る発光装置において、基板はサファイア基板であり、第１の活性層、第２の活性層、第１のクラッド層、第２のクラッド層及び第３のクラッド層はIII族窒化物半導体により構成されることが好ましい。更に、第１の特徴に係る発光装置において、第１の活性層、第２の活性層、第１のクラッド層、第２のクラッド層及び第３のクラッド層は非極性面又は半極性面を主面とするIII族窒化物半導体により構成されることが好ましい。 In order to solve the above-described problem, a first feature according to an embodiment of the present invention is that a light emitting device includes a substrate and a first region on the substrate, and has a wavelength range of 480 nm to 550 nm. A first active layer emitting light having a main peak therein, a first cladding layer of a first conductivity type disposed on the first active layer and connected to the first active layer; A second active layer disposed in a second region adjacent to the first region on the substrate in the first direction and emitting light having a main peak in a wavelength range of 440 nm-480 nm; A second clad layer of the first conductivity type disposed on the second active layer and connected to the second active layer, and the first region and the second region on the substrate A second region of conductivity opposite to the first conductivity type, disposed in a third region adjacent to the second direction intersecting with the first direction; And a third cladding layer connected to the second active layer. In the light emitting device according to the first feature, the substrate is a sapphire substrate, and the first active layer, the second active layer, the first cladding layer, the second cladding layer, and the third cladding layer are group III nitrides. It is preferable to be composed of a physical semiconductor. Furthermore, in the light emitting device according to the first feature, the first active layer, the second active layer, the first cladding layer, the second cladding layer, and the third cladding layer have a nonpolar plane or a semipolar plane. The main surface is preferably composed of a group III nitride semiconductor.

本発明の実施の形態に係る第２の特徴は、発光装置において、基板と、基板上の第４の領域に配設され、波長が550 nm−610 nmの範囲内にメインピークを有する光を発する第３の活性層と、第３の活性層上に配設され、この第３の活性層に接続された第１の導電型の第４のクラッド層と、基板上の第４の領域に対して第１の方向に隣接する第１の領域に配設され、波長が480 nm−550 nmの範囲内にメインピークを有する光を発する第１の活性層と、第１の活性層上に配設され、この第１の活性層に接続された第１の導電型の第１のクラッド層と、基板上の第１の領域に対して更に第１の方向に隣接する第２の領域に配設され、波長が440 nm−480 nmの範囲内にメインピークを有する光を発する第２の活性層と、第２の活性層上に配設され、この第２の活性層に接続された第１導電型の第２のクラッド層と、基板上の第１の領域、第２の領域及び第４の領域に対して第１の方向と交差する第２の方向に隣接する第３の領域に配設され、第１の導電型とは反対の第２の導電型を有し、第１の活性層、第２の活性層及び第３の活性層に電気的に接続された第３のクラッド層とを備える。 A second feature of the embodiment of the present invention is that in the light emitting device, light having a main peak in a wavelength range of 550 nm to 610 nm is disposed in the substrate and the fourth region on the substrate. A third active layer that emits, a fourth clad layer of the first conductivity type disposed on and connected to the third active layer, and a fourth region on the substrate A first active layer disposed in a first region adjacent to the first direction and emitting light having a main peak in a wavelength range of 480 nm to 550 nm; and on the first active layer A first clad layer of the first conductivity type disposed and connected to the first active layer, and a second region adjacent to the first region on the substrate in the first direction. A second active layer that emits light having a main peak in the wavelength range of 440 nm to 480 nm, and a second active layer disposed on the second active layer. Adjacent to the first direction, the second region, and the fourth region on the substrate in the second direction intersecting the first direction Disposed in the third region and having a second conductivity type opposite to the first conductivity type and electrically connected to the first active layer, the second active layer, and the third active layer And a third cladding layer.

本発明の実施の形態に係る第３の特徴は、発光装置の製造方法において、基板上の互いに隣接する第１の領域及び第２の領域に第２の導電型の第３のクラッド層を形成する工程と、第３のクラッド層上に第１のマスクを形成する工程と、第３のクラッド層上の第１の領域において第１のマスクをウエットエッチングを用いて除去する工程と、第１の領域において第３のクラッド層上に波長が480 nm−550 nmの範囲内にメインピークを有する光を発する第１の活性層を少なくとも形成する工程と、第１の活性層上に第１の導電型とは反対の第２の導電型の第２のクラッド層を形成する工程と、第３のクラッド層上の第２の領域において残存する第１のマスクをウエットエッチングを用いて除去する工程と、第１の活性層上に第２のマスクを形成する工程と、第３のクラッド層上の第２の領域において波長が440 nm−480 nmの範囲内にメインピークを有する光を発する第２の活性層を少なくとも形成する工程と、第２の活性層上に第２導電型の第３のクラッド層を形成する工程と、第２のマスクをウエットエッチングを用いて除去する工程とを備える。第３の特徴に係る発光装置の製造方法において、第１のマスクを形成する工程は第１の活性層が成長しない薄膜を形成する工程であり、第２のマスクを形成する工程は第２の活性層が成長しない薄膜を形成する工程であることが好ましい。更に、第３の特徴に係る発光装置の製造方法において、第１のマスクを形成する工程はシリコン酸化膜を形成する工程であり、第２のマスクを形成する工程はシリコン酸化膜を形成する工程であり、第１のマスクを除去する工程及び第２のマスク除去する工程はフッ酸系ウエットエッチングを用いて除去する工程であることが好ましい。 A third feature of the embodiment of the present invention is that in the method for manufacturing a light emitting device, a third clad layer of the second conductivity type is formed in the first region and the second region adjacent to each other on the substrate. A step of forming a first mask on the third cladding layer, a step of removing the first mask in the first region on the third cladding layer using wet etching, Forming at least a first active layer that emits light having a main peak in a wavelength range of 480 nm to 550 nm on the third cladding layer in the region, and a first layer on the first active layer. Forming a second cladding layer of the second conductivity type opposite to the conductivity type, and removing the first mask remaining in the second region on the third cladding layer by wet etching And forming a second mask on the first active layer. Forming at least a second active layer that emits light having a main peak within a wavelength range of 440 nm to 480 nm in the second region on the third cladding layer; and second active layer A step of forming a third clad layer of the second conductivity type thereon, and a step of removing the second mask by wet etching. In the method for manufacturing a light emitting device according to the third feature, the step of forming the first mask is a step of forming a thin film on which the first active layer does not grow, and the step of forming the second mask is the second step. A step of forming a thin film in which the active layer does not grow is preferable. Furthermore, in the method for manufacturing a light emitting device according to the third feature, the step of forming the first mask is a step of forming a silicon oxide film, and the step of forming the second mask is a step of forming a silicon oxide film. The step of removing the first mask and the step of removing the second mask are preferably steps of removing using hydrofluoric acid-based wet etching.

本発明の実施の形態に係る第４の特徴は、発光装置の製造方法において、基板上の互いに隣接する第１の領域、第２の領域及び第４の領域に第１の導電型の第３のクラッド層を形成する工程と、第３のクラッド層上に第１のマスクを形成する工程と、第３のクラッド層上の第４の領域において第１のマスクをウエットエッチングを用いて除去する工程と、第４の領域において第３のクラッド層上に波長が550 nm−610 nmの範囲内にメインピークを有する光を発する第３の活性層を少なくとも形成する工程と、第３の活性層上に第１の導電型とは反対の第２の導電型の第４のクラッド層を形成する工程と、第３のクラッド層上の第１の領域及び第２の領域において残存する第１のマスクをウエットエッチングを用いて除去する工程と、第３の活性層上及び第３のクラッド層上の第２の領域に第２のマスクを形成する工程と、第３のクラッド層上の第１の領域において波長が480 nm−550 nmの範囲内にメインピークを有する光を発する第１の活性層を少なくとも形成する工程と、第１の活性層上に第２導電型の第１のクラッド層を形成する工程と、第２のマスクをウエットエッチングを用いて除去する工程と、第３の活性層上及び第１の活性層上に第３のマスクを形成する工程と、第３のクラッド層上の第２の領域において波長が440 nm−480 nmの範囲内にメインピークを有する光を発する第２の活性層を少なくとも形成する工程と、第２の活性層上に第２導電型の第２のクラッド層を形成する工程と、第３のマスクをウエットエッチングを用いて除去する工程とを備える。 According to a fourth feature of the embodiment of the present invention, in the method for manufacturing a light emitting device, the first conductivity type third region is adjacent to the first region, the second region, and the fourth region adjacent to each other on the substrate. Forming the first cladding layer, forming the first mask on the third cladding layer, and removing the first mask in the fourth region on the third cladding layer using wet etching. Forming at least a third active layer that emits light having a main peak within a wavelength range of 550 nm to 610 nm on the third cladding layer in the fourth region; and a third active layer Forming a fourth clad layer of the second conductivity type opposite to the first conductivity type on the first region and the first region remaining in the first region and the second region on the third clad layer; Removing the mask using wet etching, and a third active layer And forming a second mask in the second region on the third cladding layer, and having a main peak in a wavelength range of 480 nm to 550 nm in the first region on the third cladding layer. Forming at least a first active layer that emits light; forming a second conductivity type first cladding layer on the first active layer; and removing the second mask by wet etching. A step of forming a third mask on the third active layer and the first active layer, and a wavelength within a range of 440 nm to 480 nm in the second region on the third cladding layer. A step of forming at least a second active layer that emits light having a main peak, a step of forming a second cladding layer of the second conductivity type on the second active layer, and wet etching the third mask. Using and removing.

本発明によれば、複数色光を発することができ、小型化を実現することができる発光装置及びその製造方法を提供することができる。更に、本発明によれば、発せられる光の色斑を減少することができる発光装置及びその製造方法を提供することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the light-emitting device which can emit multi-color light and can implement | achieve size reduction, and its manufacturing method can be provided. Furthermore, according to this invention, the light-emitting device which can reduce the color spot of the emitted light, and its manufacturing method can be provided.

次に、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであり、現実のものとは異なる。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれている。また、以下に示す実施の形態はこの発明の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、この発明の技術的思想は各構成部品の配置等を下記のものに特定するものでない。この発明の技術的思想は、特許請求の範囲において、種々の変更を加えることができる。 Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following description of the drawings, the same or similar parts are denoted by the same or similar reference numerals. However, the drawings are schematic and different from actual ones. Moreover, the part from which the relationship and ratio of a mutual dimension differ also in between drawings is contained. Further, the following embodiments exemplify apparatuses and methods for embodying the technical idea of the present invention, and the technical idea of the present invention is to arrange the components and the like as follows. Not specific. The technical idea of the present invention can be variously modified within the scope of the claims.

（第１の実施の形態）
本発明の第１の実施の形態は、２色光を発する発光装置に本発明を適用した例を説明するものである。 (First embodiment)
The first embodiment of the present invention describes an example in which the present invention is applied to a light emitting device that emits two-color light.

［発光装置の断面構造並びに平面構造］
図１、図２及び図３に示すように、第１の実施の形態に係る発光装置１は、基板２と、基板２上の第１の領域（図１中、下側）に配設され、波長が480 nm−550 nmの範囲内にメインピークを有する光（緑色光）を発する第１の活性層５Ｇと、第１の活性層５Ｇ上に配設され、この第１の活性層５Ｇに接続された第１の導電型の第１のクラッド層６Ｇと、基板２上の第１の領域に対して第１の方向（図１中、縦方向）に隣接する第２の領域に配設され、波長が440 nm−480 nmの範囲内にメインピークを有する光（青色光）を発する第２の活性層５Ｂと、第２の活性層５Ｂ上に配設され、この第２の活性層５Ｂに接続された第１の導電型の第２のクラッド層６Ｂと、基板２上の第１の領域及び第２の領域に対して第１の方向と交差する第２の方向（図１中、横方向）に隣接する第３の領域に配設され、第１の導電型とは反対の第２の導電型を有し、第１の活性層５Ｇ及び第２の活性層５Ｂに接続された第３のクラッド層４Ｇ及び４Ｂとを備える。第１の実施の形態において、第１のクラッド層６Ｇ及び第２のクラッド層６Ｂの第１の導電型はｐ型に設定され、第３のクラッド層４Ｇ及び４Ｂの第１の導電型はn型に設定されている。 [Cross-sectional structure and planar structure of light-emitting device]
As shown in FIGS. 1, 2, and 3, the light emitting device 1 according to the first embodiment is disposed on a substrate 2 and a first region (lower side in FIG. 1) on the substrate 2. The first active layer 5G that emits light (green light) having a main peak in the wavelength range of 480 nm to 550 nm, and the first active layer 5G is disposed on the first active layer 5G. The first cladding layer 6G of the first conductivity type connected to the first region and the second region adjacent to the first region on the substrate 2 in the first direction (vertical direction in FIG. 1). A second active layer 5B that emits light (blue light) having a main peak within a wavelength range of 440 nm to 480 nm, and disposed on the second active layer 5B. A second clad layer 6B of the first conductivity type connected to the layer 5B, and a first direction on the substrate 2 and a second direction intersecting the first direction with respect to the second region (FIG. 1) During ~ The second conductive type opposite to the first conductive type and connected to the first active layer 5G and the second active layer 5B. Third cladding layers 4G and 4B are provided. In the first embodiment, the first conductivity type of the first cladding layer 6G and the second cladding layer 6B is set to p-type, and the first conductivity type of the third cladding layers 4G and 4B is n-type. Set to type.

第１の実施の形態に係る発光装置１においては、第３のクラッド層４Ｇ、第１の活性層５Ｇ、第１のクラッド層６Ｇのそれぞれが順次基板２上に積層され、緑色光を発する緑色光LEDユニットが構築されている。更に、緑色光LEDユニットに隣接し、第３のクラッド層４Ｂ、第２の活性層５Ｂ、第２のクラッド層６Ｂのそれぞれが順次基板２上に積層され、青色光を発する青色光LEDユニットが構築されている。すなわち、１つの共通の基板２（１チップ）に２色光を発する緑色光LEDユニット及び青色光LEDユニットが混在され、搭載されている。 In the light emitting device 1 according to the first embodiment, each of the third cladding layer 4G, the first active layer 5G, and the first cladding layer 6G is sequentially stacked on the substrate 2 to emit green light. A light LED unit is built. Further, a blue light LED unit that emits blue light is adjacent to the green light LED unit, and each of the third cladding layer 4B, the second active layer 5B, and the second cladding layer 6B is sequentially laminated on the substrate 2. Has been built. That is, a green LED unit and a blue LED unit that emit two-color light are mixedly mounted on one common substrate 2 (one chip).

第１の実施の形態において、基板２にはサファイア（Al₂O₃）基板を実用的に使用することができる。基板２上であって、基板２と第３のクラッド層４Ｇ及び４Ｂとの間にはバッファ層３が配設されている。バッファ層３には例えば1 nm−20 nmの膜厚を有するAlNを使用することができる。 In the first embodiment, a sapphire (Al ₂ O ₃ ) substrate can be used practically for the substrate ₂ . A buffer layer 3 is disposed on the substrate 2 and between the substrate 2 and the third cladding layers 4G and 4B. For the buffer layer 3, for example, AlN having a film thickness of 1 nm to 20 nm can be used.

第３のクラッド層４Ｇ、４Ｂのそれぞれは、第１の活性層５Ｇ並びに第２の活性層５Ｂに共通のクラッド層として基板２上に一体に構成されている。つまり、第３のクラッド層４Ｇ及び４Ｂは基板２上の第１の領域、第２の領域及び第３の領域に跨って配設され、第１の活性層５Ｇに重複する第１の領域において緑色光LEDユニットを構築する第３のクラッド層４Ｇとして使用され、第２の活性層５Ｂに重複する第２の領域において青色光LEDユニットを構築する第３のクラッド層４Ｂとして使用されている。第３のクラッド層４Ｇ、４Ｂは、いずれも図１中右側に引き出され、双方に共通の電極（カソード電極）４０に電気的に接続されている。 Each of the third cladding layers 4G and 4B is integrally formed on the substrate 2 as a cladding layer common to the first active layer 5G and the second active layer 5B. That is, the third cladding layers 4G and 4B are disposed across the first region, the second region, and the third region on the substrate 2, and in the first region overlapping the first active layer 5G. Used as the third cladding layer 4G for constructing the green light LED unit, and used as the third cladding layer 4B for constructing the blue light LED unit in the second region overlapping the second active layer 5B. The third cladding layers 4G and 4B are both drawn out to the right side in FIG. 1 and are electrically connected to a common electrode (cathode electrode) 40 for both.

第３のクラッド層４Ｇ及び４Ｂには第１の実施の形態においてIII族窒化物半導体である窒化ガリウム（GaN）層が使用されている。GaN層は、例えば4.5 μm−5.5 μmの膜厚を有し、2 × 10¹⁸ atoms/cm³−4 × 10¹⁸ atoms/cm³程度の不純物密度においてSiを含む。また、III族窒化物半導体には、例えば窒化アルミニウム（AlN）、窒化インジウム（InN）等がある。代表的なIII族窒化物半導体はAl_xIn_yGa_1-x-yN（0≦x≦1、0≦y≦1、0≦x＋y≦1）により表される。GaNは、窒素を含む六方晶化合物半導体の中でもよく知られたIII−V族化合物半導体である。 In the first embodiment, a gallium nitride (GaN) layer that is a group III nitride semiconductor is used for the third cladding layers 4G and 4B. The GaN layer has a film thickness of, for example, 4.5 μm to 5.5 μm and contains Si at an impurity density of about 2 × 10 ¹⁸ atoms / cm ³ −4 × 10 ¹⁸ atoms / cm ³ . Examples of group III nitride semiconductors include aluminum nitride (AlN) and indium nitride (InN). A typical group III nitride semiconductor is represented by Al _x In _y Ga _1-xy N (0 ≦ x ≦ 1, 0 ≦ y ≦ 1, 0 ≦ x + y ≦ 1). GaN is a well-known III-V group compound semiconductor among hexagonal compound semiconductors containing nitrogen.

電極４０は、図２に示すように、第３の領域において、第１の活性層５Ｇ及び第１のクラッド層６Ｇ並びに第２の活性層５Ｂ及び第２のクラッド層６Ｂの一部をメサエッチングにより取り除き露出された第３のクラッド層４Ｇ及び４Ｂの引き出された部分に配設されている。電極４０は、例えばアルミニウム（Al）層（コンタクト層）４０１、金（Au）層及びニッケル（Ni）層の複合膜４０２、金錫（AuSn）層４０３のそれぞれを順次積層して構成されている。 As shown in FIG. 2, in the electrode 40, the first active layer 5G and the first cladding layer 6G and the second active layer 5B and a part of the second cladding layer 6B are mesa-etched in the third region. The third clad layers 4G and 4B removed and exposed by the above are disposed on the drawn portions. The electrode 40 is configured by sequentially laminating, for example, an aluminum (Al) layer (contact layer) 401, a composite film 402 of a gold (Au) layer and a nickel (Ni) layer, and a gold tin (AuSn) layer 403 sequentially. .

第１の活性層（発光層）５Ｇ及び第２の活性層（発光層）５Ｂは図３に示すように基本的には同一構造により構成され、双方は特定の化合物の組成比を異にする。第１の活性層５Ｇ及び第２の活性層５Ｂは、その断面構造を図示していないが、第１の実施の形態において、複数の井戸層と、複数のバリア層とを交互に積層した多重量子井戸（MQW：multi quantum well）構造により構成されている。井戸層及びバリア層は、6 ペア−11 ペア、好ましくは8 ペアを有する。第１の実施の形態において、第１の活性層５Ｇ及び第２の活性層５Ｂのそれぞれの井戸層は例えば2 nm−3 nm、好ましくは2.8 nmを有する同じ膜厚のノンドープのInGaNにより構成されている。また、それぞれのバリア層は例えば20 nm以下、好ましくは16 nm以下の膜厚を有するノンドープのGaNにより構成されている。第１の活性層５Ｇ、第２の活性層５Ｂのそれぞれのインジウム（In）の組成比は異なる。第１の活性層５Ｇは、22 %−24 %のInを有し、例えば530 nmの緑色光を発する。第２の活性層５Ｂは、14 %−16 %のInを有し、例えば470 nmの青色光を発する。 As shown in FIG. 3, the first active layer (light emitting layer) 5G and the second active layer (light emitting layer) 5B basically have the same structure, and both have different composition ratios of specific compounds. . Although the sectional structure of the first active layer 5G and the second active layer 5B is not shown in the figure, in the first embodiment, multiple layers in which a plurality of well layers and a plurality of barrier layers are alternately stacked. It is composed of a quantum well (MQW) structure. The well layer and the barrier layer have 6-11 pairs, preferably 8 pairs. In the first embodiment, each well layer of the first active layer 5G and the second active layer 5B is made of undoped InGaN having the same film thickness of 2 nm-3 nm, preferably 2.8 nm, for example. ing. Each barrier layer is made of non-doped GaN having a film thickness of, for example, 20 nm or less, preferably 16 nm or less. The composition ratio of indium (In) in each of the first active layer 5G and the second active layer 5B is different. The first active layer 5G has 22% -24% In and emits green light of, for example, 530 nm. The second active layer 5B has 14% -16% In and emits blue light of, for example, 470 nm.

第１の活性層５Ｇ及び第２の活性層５Ｂは、第３のクラッド層４Ｇ及び４ＢすなわちGaN結晶の結晶成長表面を非極性面（non-polar plane）又は半極性面（semi-polar plane）として使用し、この結晶成長表面の法線方向に積層して形成してもよい。例えば、結晶成長表面が非極性面であるｍ面とすると、ｍ面を主面とするIII族窒化物半導体により第１の活性層５Ｇ及び第２の活性層５Ｂを構成することができる。通常、GaN結晶の極性面であるｃ面を結晶成長表面とするIII族窒化物半導体からなる活性層から取り出される光はランダム偏光（無偏光）状態である。一方、ｃ面以外のａ面、ｍ面等の非極性面又は半極性面を結晶成長表面とするIII族窒化物半導体を用いて形成した活性層から取り出される光においては強い偏光状態を実現することができる。例えば、ｍ面を主面として活性層が構成される場合、ｍ面に平行な偏光成分、より具体的にはａ軸方向の偏光成分を多く含む偏光を活性層から発生させることができる。ここで、「偏光」とは直線偏光成分が均等（ランダム）ではなく偏りがあるものを意味するが、第１の実施の形態においては100 %の直線偏光である必要はない。従って、偏光の偏光方向とは最も直線偏光成分の大きい方向である。なお、第１の活性層５Ｇ及び第２の活性層５Ｂには井戸層（ウェル層）を井戸層よりもバンドギャップの大きなバリア層（層障壁層）でサンドイッチ状に挟んだ量子井戸（quantum well）構造を採用することができる。 The first active layer 5G and the second active layer 5B are the third cladding layers 4G and 4B, that is, the crystal growth surface of the GaN crystal is a non-polar plane or a semi-polar plane. And may be laminated in the normal direction of the crystal growth surface. For example, when the crystal growth surface is a non-polar m-plane, the first active layer 5G and the second active layer 5B can be formed of a group III nitride semiconductor having the m-plane as a main surface. Usually, light extracted from an active layer made of a group III nitride semiconductor having a c-plane which is a polar plane of a GaN crystal as a crystal growth surface is in a randomly polarized (non-polarized) state. On the other hand, a strong polarization state is realized in light extracted from an active layer formed by using a group III nitride semiconductor whose crystal growth surface is a nonpolar plane such as a plane other than c plane, m plane, or semipolar plane. be able to. For example, when the active layer is configured with the m-plane as the main surface, polarized light that contains a large amount of polarized light components parallel to the m-plane, more specifically, polarized light components in the a-axis direction can be generated from the active layer. Here, "polarized light" means that the linearly polarized light component is not uniform (random) but biased, but in the first embodiment, it is not necessary to be 100% linearly polarized light. Therefore, the polarization direction of polarized light is the direction with the largest linearly polarized light component. In the first active layer 5G and the second active layer 5B, a quantum well (well layer) is sandwiched between barrier layers (layer barrier layers) having a larger band gap than the well layer (quantum well). ) The structure can be adopted.

第１のクラッド層６Ｇ及び第２のクラッド層６Ｂには第１の実施の形態においてIII族窒化物半導体であるGaN層が使用されている。GaN層は、例えば180 nm−220 nmの膜厚を有し、2 × 10¹⁹ atoms/cm³−4 × 10¹⁹ atoms/cm³程度の不純物密度においてMgを含む。 In the first embodiment, a GaN layer that is a group III nitride semiconductor is used for the first cladding layer 6G and the second cladding layer 6B. The GaN layer has a film thickness of, for example, 180 nm to 220 nm, and contains Mg at an impurity density of about 2 × 10 ¹⁹ atoms / cm ³ −4 × 10 ¹⁹ atoms / cm ³ .

図２に示すように、第１のクラッド層６Ｇには電極（アノード電極）６１が電気的に接続され、第２のクラッド層６Ｂには電極（アノード電極）６２が電気的に接続される。電極６１、６２は、第１の実施の形態において、酸化亜鉛（ZnO）層（コンタクト層）６０１、反射層６０２、Au層及びNi層の複合膜６０３、AuSn層６０４のそれぞれを順次積層
して構成されている。 As shown in FIG. 2, an electrode (anode electrode) 61 is electrically connected to the first cladding layer 6G, and an electrode (anode electrode) 62 is electrically connected to the second cladding layer 6B. In the first embodiment, the electrodes 61 and 62 are formed by sequentially laminating a zinc oxide (ZnO) layer (contact layer) 601, a reflective layer 602, an Au layer and Ni composite film 603, and an AuSn layer 604, respectively. It is configured.

第１の実施の形態において、発光装置１（基板２）の縦方向の寸法は0.19 mm−0.22 mmに設定され、横方向の寸法は0.19 mm−0.21 mmに設定されている。第１の活性層５Ｇ、第２の活性層５Ｂの縦方向の寸法は0.07 mm−0.09 mmに設定され、横方向の寸法は0.12 mm−0.14 mmに設定されている。第１の活性層５Ｇと第２の活性層５Ｂとの間の離間距離は0.02 mm−0.04 mmに設定されている。 In the first embodiment, the vertical dimension of the light emitting device 1 (substrate 2) is set to 0.19 mm-0.22 mm, and the horizontal dimension is set to 0.19 mm-0.21 mm. The vertical dimension of the first active layer 5G and the second active layer 5B is set to 0.07 mm-0.09 mm, and the horizontal dimension is set to 0.12 mm-0.14 mm. The separation distance between the first active layer 5G and the second active layer 5B is set to 0.02 mm-0.04 mm.

［発光装置の発光動作］
第１の実施の形態に係る発光装置１においては、第１の活性層５Ｇに第３のクラッド層４Ｇから第２の導電型のキャリアが供給され、第１のクラッド層６Ｇから第１の導電型のキャリアが供給される。ここでは、第１の導電型がp型、第２の導電型がn型であるので、第１の活性層５Ｇに第３のクラッド層４Ｇから電子が供給され、第１のクラッド層６Ｇから正孔が供給され、電子と正孔との再結合がなされ、第１の活性層５Ｇから緑色光が発せられる。この緑色光は主に第３のクラッド層４Ｇ、基板２のそれぞれを透過し基板２の裏面から出力される。 [Light emission operation of light emitting device]
In the light emitting device 1 according to the first embodiment, the second conductive type carrier is supplied from the third cladding layer 4G to the first active layer 5G, and the first conductive layer 5G supplies the first conductive layer. A mold carrier is supplied. Here, since the first conductivity type is p-type and the second conductivity type is n-type, electrons are supplied from the third cladding layer 4G to the first active layer 5G, and from the first cladding layer 6G. Holes are supplied, electrons and holes are recombined, and green light is emitted from the first active layer 5G. The green light is transmitted through the third cladding layer 4G and the substrate 2 and is output from the back surface of the substrate 2.

一方、発光装置１においては、第２の活性層５Ｂに第３のクラッド層４Ｂから第２の導電型のキャリアが供給され、第２のクラッド層６Ｂから第１の導電型のキャリアが供給される。第２の活性層５Ｂに第３のクラッド層４Ｂから電子が供給され、第２のクラッド層６Ｂから正孔が供給され、電子と正孔との再結合がなされ、第２の活性層５Ｂから青色光が発せられる。この青色光は主に第３のクラッド層４Ｂ、基板２のそれぞれを透過し基板２の裏面から出力される。 On the other hand, in the light emitting device 1, the second conductivity type carrier is supplied from the third cladding layer 4B to the second active layer 5B, and the first conductivity type carrier is supplied from the second cladding layer 6B. The Electrons are supplied from the third clad layer 4B to the second active layer 5B, holes are supplied from the second clad layer 6B, and recombination of electrons and holes is performed, and from the second active layer 5B. Blue light is emitted. The blue light is transmitted through the third cladding layer 4B and the substrate 2 and is output from the back surface of the substrate 2.

このように構成される第１の実施の形態に係る発光装置１においては、第１の活性層５Ｇを有し緑色光を発する緑色光LEDユニットと、第２の活性層５Ｂを有し青色光を発する青色光LEDユニットとを同一の基板２上に搭載したので、複数色光を発することができ、しかも緑色光LEDユニットと青色光LEDユニットとの間の双方の兼用領域を備え、双方の間の離間距離を縮小することができ、小型化を実現することができる。 In the light emitting device 1 according to the first embodiment configured as described above, a green light LED unit that has the first active layer 5G and emits green light, and a blue light that has the second active layer 5B. Since the blue light LED unit that emits light is mounted on the same substrate 2, it is possible to emit multiple colors of light, and there is a dual use area between the green light LED unit and the blue light LED unit. Can be reduced, and downsizing can be realized.

更に、第１の実施の形態に係る発光装置１においては、緑色光LEDユニットと青色光LEDユニットとの間の双方の離間距離を縮小することができ、緑色光及び青色光を同時に点灯した場合の色斑を減少することができる。 Furthermore, in the light emitting device 1 according to the first embodiment, the distance between the green light LED unit and the blue light LED unit can be reduced, and the green light and the blue light are simultaneously turned on. Can reduce color spots.

［発光装置の製造方法］
次に、前述の第１の実施の形態に係る発光装置１の製造方法を説明する。まず最初に基板２が準備され、この基板２の主面（結晶成長面）上にバッファ層３が形成される（図４参照。）バッファ層３はMOCVD法により成膜されたAlN層により形成される。AlN層は、キャリアガスにより供給されたトリメチルアルミニウム（以下、「TMA」という。）ガスとアンモニアガスとを反応させて成膜される。なお、第１の実施の形態に係る製造方法においては、その前処理の段階の基板２は複数の発光装置１を同時に製造するウエーハとして使用される。そして、ウエーハは製造過程の後処理の段階において細分化（チップ化）され、個々に分割された複数個の発光装置１を製造することができる。 [Method for Manufacturing Light Emitting Device]
Next, a method for manufacturing the light emitting device 1 according to the first embodiment will be described. First, the substrate 2 is prepared, and the buffer layer 3 is formed on the main surface (crystal growth surface) of the substrate 2 (see FIG. 4). The buffer layer 3 is formed by an AlN layer formed by the MOCVD method. Is done. The AlN layer is formed by reacting trimethylaluminum (hereinafter referred to as “TMA”) gas supplied by a carrier gas with ammonia gas. In the manufacturing method according to the first embodiment, the substrate 2 in the pretreatment stage is used as a wafer for manufacturing a plurality of light emitting devices 1 simultaneously. The wafer is subdivided (chiped) in the post-processing stage of the manufacturing process, and a plurality of light emitting devices 1 can be manufactured.

次に、バッファ層３上に第３のクラッド層４Ｇ及び４Ｂの一部が形成される（図４参照。）第３のクラッド層４Ｇ及び４ＢはMOCVD法により成膜されたnドープドGaN層により形成される。GaN層は、成長温度を約1050 ℃に設定した状態において、キャリアガスにより供給されたシランガス、トリメチルガリウム（以下、「TMG」という。）ガス及びアンモニアガスを反応させて成膜される。 Next, a part of the third cladding layers 4G and 4B is formed on the buffer layer 3 (see FIG. 4). The third cladding layers 4G and 4B are n-doped GaN layers formed by the MOCVD method. It is formed. The GaN layer is formed by reacting silane gas, trimethylgallium (hereinafter referred to as “TMG”) gas and ammonia gas supplied by a carrier gas in a state where the growth temperature is set to about 1050 ° C.

図４に示すように、第３のクラッド層４Ｇ及び４Ｂ上を含む基板２の全面にマスク１０が形成される。マスク１０には、その表面が非エピタキシャル成長面となる例えばシリコン酸化（SiO₂）膜を実用的に使用することができる。SiO₂膜は、例えばCVD法により成膜され、第１の活性層５Ｇ及び第１のクラッド層６Ｇの合計の膜厚、若しくは第２の活性層５Ｂ及び第２のクラッド層６Ｂの合計の膜厚に比べて厚い膜厚例えば800 nm−1200 nmの膜厚により形成される。 As shown in FIG. 4, a mask 10 is formed on the entire surface of the substrate 2 including on the third cladding layers 4G and 4B. For example, a silicon oxide (SiO ₂ ) film whose surface becomes a non-epitaxial growth surface can be used practically for the mask 10. The SiO ₂ film is formed by, for example, the CVD method, and the total film thickness of the first active layer 5G and the first cladding layer 6G or the total film of the second active layer 5B and the second cladding layer 6B. The film thickness is larger than the thickness, for example, 800 nm-1200 nm.

図５に示すように、緑色光LEDユニットつまり第１の活性層５Ｇを形成する第１の領域において、マスク１０に開口１０１が形成される。開口１０１は、例えばフォトリソグラフィ技術により形成したレジストマスクを用い、ウエットエッチングによりマスク１０を部分に除去して第３のクラッド層４Ｇの表面を露出することにより形成される。ウエットエッチングには例えばフッ酸系エッチング液を実用的に使用することができる。ドライエッチングを使用した場合には結晶成長面となる第３のクラッド層４Ｇの表面にダメージが生じ、良質な結晶成長膜を成長することができない。 As shown in FIG. 5, an opening 101 is formed in the mask 10 in the first region where the green light LED unit, that is, the first active layer 5G is formed. The opening 101 is formed by, for example, using a resist mask formed by a photolithography technique and removing the mask 10 to a part by wet etching to expose the surface of the third cladding layer 4G. For wet etching, for example, a hydrofluoric acid-based etching solution can be used practically. When dry etching is used, the surface of the third cladding layer 4G serving as a crystal growth surface is damaged, and a high-quality crystal growth film cannot be grown.

図６に示すように、マスク１０の開口１０１内（第１の領域内）において、露出する第３のクラッド層４Ｇの一部の表面上にその表面を結晶成長面として第３のクラッド層４Ｇの残りの一部、第１の活性層５Ｇ、第１のクラッド層６Ｇのそれぞれを選択的に順次結晶成長させる。第３のクラッド層４Ｇの残りの一部は前述の第３のクラッド層４Ｇの一部と同様の条件おいて成膜される。 As shown in FIG. 6, in the opening 101 (in the first region) of the mask 10, the third cladding layer 4G is formed on the surface of a part of the exposed third cladding layer 4G with the surface as a crystal growth surface. Each of the remaining portion, the first active layer 5G, and the first clad layer 6G are selectively crystal-grown sequentially. The remaining part of the third cladding layer 4G is formed under the same conditions as those for the part of the third cladding layer 4G.

第１の活性層５Ｇはバリア層と井戸層とを交互に成膜することにより形成される。バリア膜はMOCVD法により成膜されたノンドープドGaN層により形成される。このノンドープドGaN層は、成長温度を約600 ℃−1000 ℃に設定した状態において、キャリアガスにより供給されたTMGガス及びアンモニアガスを反応させて成膜される。井戸層は同様にMOCVD法により成膜されたノンドープドIn_xGa_1-xN （0.05 ≦ x ≦ 0.30）により形成される。このノンドープドInGaN層は、成長温度を約600 ℃−800 ℃に設定した状態において、キャリアガスにより供給されたトリメチルインジウム（以下、「TMI」という。）ガス、TMGガス及びアンモニアガスを反応させて成膜される。 The first active layer 5G is formed by alternately forming barrier layers and well layers. The barrier film is formed by a non-doped GaN layer formed by the MOCVD method. This non-doped GaN layer is formed by reacting TMG gas and ammonia gas supplied by a carrier gas in a state where the growth temperature is set to about 600 ° C. to 1000 ° C. The well layer is similarly formed of non-doped In _x Ga _1-x N (0.05 ≦ x ≦ 0.30) formed by MOCVD. This non-doped InGaN layer is formed by reacting trimethylindium (hereinafter referred to as “TMI”) gas, TMG gas and ammonia gas supplied by a carrier gas in a state where the growth temperature is set to about 600 ° C. to 800 ° C. Be filmed.

第１のクラッド層６ＧはMOCVD法により成膜されたpドープドGaN層により形成される。このpドープドGaN層は、成長温度を約850 ℃以下の低温度に設定した状態において、キャリアガスにより供給されたビスシクロペンタジエニルマグネシウム（Cp2Mg）ガス、TMGガス及びアンモニアガスを反応させて成膜される。 The first cladding layer 6G is formed by a p-doped GaN layer formed by MOCVD. This p-doped GaN layer is formed by reacting biscyclopentadienylmagnesium (Cp2Mg) gas, TMG gas and ammonia gas supplied by a carrier gas in a state where the growth temperature is set to a low temperature of about 850 ° C. or lower. Be filmed.

第３のクラッド層４Ｇの残りの一部、第１の活性層５Ｇ及び第１のクラッド層６Ｇの合計の膜厚は例えば700 nm−800 nmに設定されている。マスク１０の表面上には第３のクラッド層４Ｇ等は結晶成長しない。 The total thickness of the remaining part of the third cladding layer 4G, the first active layer 5G, and the first cladding layer 6G is set to, for example, 700 nm to 800 nm. The third cladding layer 4G or the like does not grow on the surface of the mask 10.

第１の実施の形態に係る発光装置１の製造方法においては、緑色光を発する第１の活性層５Ｇを形成する工程が、青色光を発する第２の活性層５Ｂを形成する工程に比べて先に組み込まれている。第１の活性層５Ｇは、前述のとおり、Inの組成比が20 %を越えて多く含まれるInGaN層により形成されているので、InGaN層の結晶成長温度を下げないとInが入りにくく、又Inは熱に弱いので、製造しにくい。従って、第２の活性層５Ｂの製造条件に左右されない製造条件において、第１の活性層５Ｇが形成されている。 In the method for manufacturing the light emitting device 1 according to the first embodiment, the step of forming the first active layer 5G that emits green light is compared to the step of forming the second active layer 5B that emits blue light. Built in first. As described above, the first active layer 5G is formed of an InGaN layer containing a large proportion of In exceeding 20%. Therefore, In is difficult to enter unless the crystal growth temperature of the InGaN layer is lowered. In is weak to heat and difficult to manufacture. Accordingly, the first active layer 5G is formed under manufacturing conditions that do not depend on the manufacturing conditions of the second active layer 5B.

図７に示すように、マスク１０が選択的に除去される。このマスク１０の除去にはフッ酸系エッチング液を用いるウエットエッチングが使用される。 As shown in FIG. 7, the mask 10 is selectively removed. For removing the mask 10, wet etching using a hydrofluoric acid-based etching solution is used.

図８に示すように、緑色光LEDユニットの第１のクラッド層６Ｇ上及び青色光LEDユニットつまり第２の活性層５Ｂを形成する第２の領域において第３のクラッド層４Ｂ上を含む基板２の全面にマスク１１が形成される。マスク１１には、その表面が非エピタキシャル成長面となる例えばSiO₂膜を実用的に使用することができる。SiO₂膜は、例えばCVD法、スパッタリング法等により成膜される。既に第１の領域において第３のクラッド層４Ｇ、第１の活性層５Ｇ及び第１のクラッド層６Ｇにより十分な膜厚が稼がれているので、マスク１１の膜厚はマスク１０の膜厚に比べて薄く形成される。 As shown in FIG. 8, the substrate 2 includes the first clad layer 6G of the green light LED unit and the third clad layer 4B in the second region where the blue light LED unit, that is, the second active layer 5B is formed. A mask 11 is formed on the entire surface. As the mask 11, for example, a SiO ₂ film whose surface becomes a non-epitaxial growth surface can be practically used. The SiO ₂ film is formed by, for example, a CVD method or a sputtering method. Since the sufficient thickness has already been achieved by the third cladding layer 4G, the first active layer 5G, and the first cladding layer 6G in the first region, the thickness of the mask 11 is equal to the thickness of the mask 10. It is formed thinner than that.

図９に示すように、第１の領域において第１のクラッド層６Ｇ上にマスク１１は残存された状態において、第２の領域においてマスク１１が除去される。このマスク１１の部分的な除去は、例えばフォトリソグラフィ技術により形成したレジストマスクを用い、ウエットエッチングにより行われる。第３のクラッド層４Ｂの表面は露出される。ウエットエッチングには例えばフッ酸系エッチング液を実用的に使用することができる。ドライエッチングを使用した場合には結晶成長面となる第３のクラッド層４Ｂの表面にダメージが生じ、良質な結晶成長膜を成長することができない。 As shown in FIG. 9, the mask 11 is removed in the second region in a state where the mask 11 remains on the first cladding layer 6G in the first region. The partial removal of the mask 11 is performed by wet etching using a resist mask formed by, for example, a photolithography technique. The surface of the third cladding layer 4B is exposed. For wet etching, for example, a hydrofluoric acid-based etching solution can be used practically. When dry etching is used, the surface of the third cladding layer 4B, which becomes the crystal growth surface, is damaged, and a high-quality crystal growth film cannot be grown.

図１０に示すように、マスク１１から露出する第２の領域内において、第３のクラッド層４Ｂの一部の表面上にその表面を結晶成長面として第３のクラッド層４Ｂの残りの一部、第２の活性層５Ｂ、第２のクラッド層６Ｂのそれぞれを選択的に順次結晶成長させる。第３のクラッド層４Ｂの残りの一部は前述の第３のクラッド層４Ｂの一部と同様の条件おいて成膜される。 As shown in FIG. 10, in the second region exposed from the mask 11, the remaining part of the third cladding layer 4B is formed on the surface of a part of the third cladding layer 4B with the surface as a crystal growth surface. Then, each of the second active layer 5B and the second cladding layer 6B is selectively and sequentially grown. The remaining part of the third clad layer 4B is formed under the same conditions as those for the part of the third clad layer 4B.

第２の活性層５Ｂは、第１の活性層５Ｇと同様に、バリア層と井戸層とを交互に成膜することにより形成される。第２の活性層５Ｂの基本的な製造方法は前述の第１の活性層５Ｇの製造方法と同一であるので、ここでの説明は省略する。更に、第２のクラッド層６Ｂの基本的な製造方法は前述の第１のクラッド層６Ｇの製造方法と同一であるので、ここでの説明は省略する。 Similar to the first active layer 5G, the second active layer 5B is formed by alternately forming barrier layers and well layers. Since the basic manufacturing method of the second active layer 5B is the same as the manufacturing method of the first active layer 5G described above, description thereof is omitted here. Furthermore, the basic manufacturing method of the second cladding layer 6B is the same as the manufacturing method of the first cladding layer 6G described above, and the description thereof is omitted here.

図１１に示すように、マスク１１が選択的に除去される。このマスク１１の除去にはフッ酸系エッチング液を用いるウエットエッチングが使用される。そして、このように製造された基板（ウエーハ）２は１つの緑色光LEDユニットと１つの青色光LEDユニットとを含む発光装置１毎に細分化される。 As shown in FIG. 11, the mask 11 is selectively removed. The mask 11 is removed by wet etching using a hydrofluoric acid-based etching solution. The substrate (wafer) 2 manufactured in this way is subdivided into light emitting devices 1 each including one green light LED unit and one blue light LED unit.

次に、細分化された発光装置１は電極製造プロセスに移行される。まず、図１２に示すように、第１のクラッド層６Ｇ及び第２のクラッド層６Ｂ上を含む基板２の全面上に電極６１及び６２のZnO層（コンタクト層）６０１が形成される。ZnO層６０１は例えば200 nmの膜厚において成膜される。 Next, the subdivided light emitting device 1 is transferred to an electrode manufacturing process. First, as shown in FIG. 12, ZnO layers (contact layers) 601 of electrodes 61 and 62 are formed on the entire surface of the substrate 2 including the first cladding layer 6G and the second cladding layer 6B. The ZnO layer 601 is formed with a film thickness of 200 nm, for example.

ZnO層６０１上にマスク１２が形成される（図１３参照。）。このマスク１２には例えばフォトリソグラフィ技術を用いて形成したレジスト膜を使用することができる。図１３に示すように、マスク１２を用い、エッチングによりZnO層６０１がパターンニングされる。この後、マスク１２は除去される。 A mask 12 is formed on the ZnO layer 601 (see FIG. 13). For this mask 12, for example, a resist film formed by using a photolithography technique can be used. As shown in FIG. 13, the ZnO layer 601 is patterned by etching using the mask 12. Thereafter, the mask 12 is removed.

図１４に示すように、ZnO層６０１上を含む基板２の全面に反射層（DBR）６０２が形成される。反射層６０２は例えば500 nmの膜厚において成膜される。反射層６０２上にマスク１３が形成される（図１５参照。）。のマスク１３には例えばフォトリソグラフィ技術を用いて形成したレジスト膜を使用することができる。図１５に示すように、マスク１３を用い、エッチングにより反射層６０２がパターンニングされる。この後、マスク１３は除去される。 As shown in FIG. 14, a reflective layer (DBR) 602 is formed on the entire surface of the substrate 2 including on the ZnO layer 601. The reflective layer 602 is formed with a film thickness of, for example, 500 nm. A mask 13 is formed on the reflective layer 602 (see FIG. 15). For the mask 13, for example, a resist film formed by using a photolithography technique can be used. As shown in FIG. 15, the reflective layer 602 is patterned by etching using the mask 13. Thereafter, the mask 13 is removed.

更に、反射層６０２上にマスク１４が形成される（図１６参照。）。マスク１４は少なくとも第３の領域に開口を有する。マスク１４には例えばフォトリソグラフィ技術を用いて形成したレジスト膜を使用することができる。図１６に示すように、マスク１４を用い、メサエッチングにより第１のクラッド層６Ｇ及び第１の活性層５Ｇ並びに第２のクラッド層６Ｂ及び第２の活性層５Ｂをパターンニングし、第３のクラッド層４Ｇ及び４Ｂの引き出し部分（第３の領域）を露出させる。 Further, a mask 14 is formed on the reflective layer 602 (see FIG. 16). The mask 14 has an opening in at least the third region. For the mask 14, for example, a resist film formed by using a photolithography technique can be used. As shown in FIG. 16, the first clad layer 6G, the first active layer 5G, the second clad layer 6B, and the second active layer 5B are patterned by mesa etching using the mask 14, and the third clad layer 6G is patterned. The lead-out portion (third region) of the cladding layers 4G and 4B is exposed.

図１７に示すように、露出された第３のクラッド層４Ｇ及び４Ｂの引き出し部分上に電極４０のAl層（コンタクト層）４０１が形成される。Al層４０１の形成方法にはリフトオフ法が使用され、このAl層４０１は例えば1400 nmの膜厚において成膜される。 As shown in FIG. 17, an Al layer (contact layer) 401 of the electrode 40 is formed on the exposed portions of the exposed third cladding layers 4G and 4B. A lift-off method is used as a method for forming the Al layer 401, and the Al layer 401 is formed to a thickness of 1400 nm, for example.

図１８に示すように、第１の領域及び第２の領域において反射層６０２上にAu層及びNi層の複合膜６０３が形成され、同一製造工程において第３の領域のAl層４０１上にAu層及びNi層の複合膜４０２が形成される。複合膜６０３及び４０２の形成方法にはリフトオフ法が使用され、この複合膜６０３及び４０２は例えば400 nmの膜厚において成膜される。 As shown in FIG. 18, a composite film 603 of an Au layer and a Ni layer is formed on the reflective layer 602 in the first region and the second region, and Au is formed on the Al layer 401 in the third region in the same manufacturing process. A composite film 402 of Ni layer and Ni layer is formed. A lift-off method is used as a method of forming the composite films 603 and 402, and the composite films 603 and 402 are formed with a film thickness of, for example, 400 nm.

前述の図２に示すように、第１の領域及び第２の領域において複合膜６０３上にAuSn層６０４が形成され、同一製造工程において第３の領域の複合膜４０２上にAuSn層４０３が形成される。AuSn層６０４及び４０３の形成方法にはリフトオフ法が使用され、このAuSn層６０４及び４０３は例えば3000 nmの膜厚において成膜される。これら一連の製造工程が終了すると、第１の実施の形態に係る発光装置１を完成させることができる。 2, the AuSn layer 604 is formed on the composite film 603 in the first region and the second region, and the AuSn layer 403 is formed on the composite film 402 in the third region in the same manufacturing process. Is done. A lift-off method is used as a method of forming the AuSn layers 604 and 403, and the AuSn layers 604 and 403 are formed with a film thickness of, for example, 3000 nm. When these series of manufacturing steps are completed, the light emitting device 1 according to the first embodiment can be completed.

このような第１の実施の形態に係る発光装置１の製造方法においては、緑色光を発する第１の活性層５Ｇの結晶成長面となる第３のクラッド層４Ｇの表面、青色光を発する第２の活性層５Ｂの結晶成長面となる第３のクラッド層４Ｂの表面のそれぞれがウエットエッチングを用いて露出されているので、ドライエッチングダメージを例えばZnO層（コンタクト層）６０１に与えることがない。 In the method of manufacturing the light emitting device 1 according to the first embodiment, the surface of the third cladding layer 4G that is the crystal growth surface of the first active layer 5G that emits green light, the first light that emits blue light. Since the surface of the third clad layer 4B, which is the crystal growth surface of the second active layer 5B, is exposed by wet etching, dry etching damage is not given to, for example, the ZnO layer (contact layer) 601. .

更に、第１の実施の形態に係る発光装置１の製造方法においては、青色光を発する第２の活性層５Ｂを形成する工程に先駆けて、緑色光を発する第１の活性層５Ｇを形成する工程を組み込んでいるので、第１の活性層５Ｇの特にInの組成比の制御がし易く、緑色光LEDユニット及び青色光LEDとを混在させて製作し易い。 Furthermore, in the method for manufacturing the light emitting device 1 according to the first embodiment, the first active layer 5G that emits green light is formed prior to the step of forming the second active layer 5B that emits blue light. Since the process is incorporated, it is easy to control the composition ratio of In in particular in the first active layer 5G, and it is easy to manufacture by mixing the green light LED unit and the blue light LED.

（第２の実施の形態）
本発明の第２の実施の形態は、第１の実施の形態に係る発光装置１において、緑色光LEDユニット、青色光LEDユニットの構造を代えた例を説明するものである。 (Second Embodiment)
The second embodiment of the present invention describes an example in which the structure of the green light LED unit and the blue light LED unit is changed in the light emitting device 1 according to the first embodiment.

［発光装置の断面構造］
図１９に示すように、第２の実施の形態に係る発光装置１は、基本的には前述の第１の実施の形態に係る発光装置１と同様に、基板２と、基板２上の第１の領域（図１参照。）に配設され、緑色光を発する第１の活性層５Ｇと、第１の活性層５Ｇ上に配設され、この第１の活性層５Ｇに接続された第１の導電型の第１のクラッド層６Ｇと、基板２上の第１の領域に対して第１の方向（図１参照。）に隣接する第２の領域に配設され、青色光を発する第２の活性層５Ｂと、第２の活性層５Ｂ上に配設され、この第２の活性層５Ｂに接続された第１の導電型の第２のクラッド層６Ｂと、基板２上の第１の領域及び第２の領域に対して第１の方向と交差する第２の方向（図１参照。）に隣接する第３の領域に配設され、第１の導電型とは反対の第２の導電型を有し、第１の活性層５Ｇ及び第２の活性層５Ｂに接続された第３のクラッド層４Ｇ及び４Ｂとを備える。第２の実施の形態において、第１のクラッド層６Ｇ及び第２のクラッド層６Ｂの第１の導電型はｐ型に設定され、第３のクラッド層４Ｇ及び４Ｂの第１の導電型はn型に設定されている。 [Cross-sectional structure of light emitting device]
As shown in FIG. 19, the light emitting device 1 according to the second embodiment is basically similar to the light emitting device 1 according to the first embodiment described above, and the substrate 2 and the second A first active layer 5G that emits green light and is disposed on the first active layer 5G and connected to the first active layer 5G. The first clad layer 6G of one conductivity type and a second region adjacent to the first region on the substrate 2 in the first direction (see FIG. 1) emit blue light. A second active layer 5B, a second clad layer 6B of the first conductivity type disposed on the second active layer 5B and connected to the second active layer 5B; 1st area | region and 2nd area | region are arrange | positioned in the 3rd area | region adjacent to the 2nd direction (refer FIG. 1) which cross | intersects the 1st direction, and the 1st conductivity type is opposite. 2 It has a conductivity type, and a third cladding layer 4G and 4B which are connected to the first active layer 5G and the second active layer 5B. In the second embodiment, the first conductivity type of the first cladding layer 6G and the second cladding layer 6B is set to p-type, and the first conductivity type of the third cladding layers 4G and 4B is n-type. Set to type.

第２の実施の形態に係る発光装置１においては、第３のクラッド層４Ｇ、第１の活性層５Ｇ、第１のクラッド層６Ｇのそれぞれが順次基板２上に積層され、緑色光を発する緑色光LEDユニットが構築されている。更に、緑色光LEDユニットに隣接し、第３のクラッド層４Ｂ、第２の活性層５Ｂ、第２のクラッド層６Ｂのそれぞれが順次基板２上に積層され、青色光を発する青色光LEDユニットが構築されている。すなわち、１つの共通の基板２に２色光を発する緑色光LEDユニット及び青色光LEDユニットが混在され、搭載されている。 In the light emitting device 1 according to the second embodiment, each of the third cladding layer 4G, the first active layer 5G, and the first cladding layer 6G is sequentially stacked on the substrate 2 to emit green light. A light LED unit is built. Further, a blue light LED unit that emits blue light is adjacent to the green light LED unit, and each of the third cladding layer 4B, the second active layer 5B, and the second cladding layer 6B is sequentially laminated on the substrate 2. Has been built. That is, a green LED unit and a blue LED unit that emit two-color light are mixedly mounted on one common substrate 2.

第２の実施の形態において、基板２にはサファイア基板を実用的に使用することができる。基板２上であって、基板２と第３のクラッド層４Ｇ及び４Ｂとの間にはバッファ層３が配設されている。バッファ層３には例えば1 nm−20 nmの膜厚を有するAlNを使用することができる。 In the second embodiment, a sapphire substrate can be used practically for the substrate 2. A buffer layer 3 is disposed on the substrate 2 and between the substrate 2 and the third cladding layers 4G and 4B. For the buffer layer 3, for example, AlN having a film thickness of 1 nm to 20 nm can be used.

第３のクラッド層４Ｇ、４Ｂのそれぞれは、第１の活性層５Ｇ並びに第２の活性層５Ｂに共通のクラッド層として基板２上に一体に構成されている。つまり、第３のクラッド層４Ｇ及び４Ｂは基板２上の第１の領域、第２の領域及び第３の領域に跨って配設され、第１の活性層５Ｇに重複する第１の領域において緑色光LEDユニットを構築する第３のクラッド層４Ｇとして使用され、第２の活性層５Ｂに重複する第２の領域において青色光LEDユニットを構築する第３のクラッド層４Ｂとして使用されている。第３のクラッド層４Ｇ、４Ｂには双方に共通の電極４０が電気的に接続されている（図１及び図２参照。）。 Each of the third cladding layers 4G and 4B is integrally formed on the substrate 2 as a cladding layer common to the first active layer 5G and the second active layer 5B. That is, the third cladding layers 4G and 4B are disposed across the first region, the second region, and the third region on the substrate 2, and in the first region overlapping the first active layer 5G. Used as the third cladding layer 4G for constructing the green light LED unit, and used as the third cladding layer 4B for constructing the blue light LED unit in the second region overlapping the second active layer 5B. A common electrode 40 is electrically connected to the third cladding layers 4G and 4B (see FIGS. 1 and 2).

第３のクラッド層４Ｇ及び４Ｂには第２の実施の形態においてIII族窒化物半導体であるnドープドアルミニウム窒化ガリウム（AlGaN）層が使用されている。AlGaN層は、例えば4.5 μm−5.5 μmの膜厚を有し、2 × 10¹⁸ atoms/cm³−4 × 10¹⁸ atoms/cm^４程度の不純物密度においてSiを含む。第３のクラッド層４Ｇ及び４Ｂには前述の図２に示す電極（カソード電極）４０が電気的に接続されている。 For the third cladding layers 4G and 4B, an n-doped aluminum gallium nitride (AlGaN) layer, which is a group III nitride semiconductor in the second embodiment, is used. The AlGaN layer has a thickness of, for example, 4.5 μm to 5.5 μm and contains Si at an impurity density of about 2 × 10 ¹⁸ atoms / cm ³ −4 × 10 ¹⁸ atoms / cm ⁴ . The above-described electrode (cathode electrode) 40 shown in FIG. 2 is electrically connected to the third cladding layers 4G and 4B.

第１の活性層５Ｇ及び第２の活性層５Ｂは図１９に示すように基本的には同一構造により構成され、双方は特定の化合物の組成比を異にする。第１の活性層５Ｇ及び第２の活性層５Ｂは、その断面構造を図示していないが、第２の実施の形態において、複数の井戸層と、複数のバリア層とを交互に積層したMQW構造により構成されている。井戸層及びバリア層は、6 ペア−11 ペア、好ましくは8 ペアを有する。第２の実施の形態において、第１の活性層５Ｇ及び第２の活性層５Ｂのそれぞれの井戸層はノンドープのAlInGaNにより構成されている。また、それぞれのバリア層はノンドープのAlGaNにより構成されている。第１の活性層５Ｇ、第２の活性層５ＢのそれぞれのInの組成比は異なる。第１の活性層５Ｇは、22 %−24 %のInを有し、例えば530 nmの緑色光を発する。第２の活性層５Ｂは、14 %−16 %のInを有し、例えば470 nmの青色光を発する。 As shown in FIG. 19, the first active layer 5G and the second active layer 5B basically have the same structure, and both have different composition ratios of specific compounds. Although the cross-sectional structure of the first active layer 5G and the second active layer 5B is not illustrated, in the second embodiment, an MQW in which a plurality of well layers and a plurality of barrier layers are alternately stacked. It is structured by structure. The well layer and the barrier layer have 6-11 pairs, preferably 8 pairs. In the second embodiment, each well layer of the first active layer 5G and the second active layer 5B is made of non-doped AlInGaN. Each barrier layer is made of non-doped AlGaN. The In composition ratios of the first active layer 5G and the second active layer 5B are different. The first active layer 5G has 22% -24% In and emits green light of, for example, 530 nm. The second active layer 5B has 14% -16% In and emits blue light of, for example, 470 nm.

第１の活性層５Ｇ及び第２の活性層５Ｂは、第３のクラッド層４Ｇ及び４ＢすなわちAlGaN結晶の非極性面又は半極性面を結晶成長表面として使用し、この結晶成長表面の法線方向に積層して形成してもよい。例えば、結晶成長表面が非極性面であるｍ面とすると、このｍ面を主面とするIII族窒化物半導体により第１の活性層５Ｇ及び第２の活性層５Ｂを構成することができる。この場合、ｃ面以外のａ面、ｍ面等の非極性面又は半極性面を結晶成長表面とするIII族窒化物半導体を用いて形成した活性層から光を取り出すことができる。 The first active layer 5G and the second active layer 5B use the third cladding layers 4G and 4B, that is, the nonpolar or semipolar surface of the AlGaN crystal as the crystal growth surface, and the normal direction of the crystal growth surface You may laminate and form. For example, when the crystal growth surface is an m-plane which is a nonpolar plane, the first active layer 5G and the second active layer 5B can be formed of a group III nitride semiconductor having the m-plane as a main surface. In this case, light can be extracted from an active layer formed using a group III nitride semiconductor whose crystal growth surface is a nonpolar plane such as a plane other than c plane, m plane, or semipolar plane.

第１のクラッド層６Ｇ及び第２のクラッド層６Ｂには第２の実施の形態においてIII族窒化物半導体であるpドープドGaN層が使用されている。GaN層は、例えば180 nm−220 nmの膜厚を有し、2 × 10¹⁹ atoms/cm³−4 × 10¹⁹ atoms/cm³程度の不純物密度においてMgを含む。 In the second embodiment, a p-doped GaN layer that is a group III nitride semiconductor is used for the first cladding layer 6G and the second cladding layer 6B. The GaN layer has a film thickness of, for example, 180 nm to 220 nm, and contains Mg at an impurity density of about 2 × 10 ¹⁹ atoms / cm ³ −4 × 10 ¹⁹ atoms / cm ³ .

第１の活性層５Ｇと第１のクラッド層６Ｇとの間にはバッファ層７Ｇが配設され、第２の活性層５Ｂと第２のクラッド層６Ｂとの間にはバッファ層７Ｂが配設されている。バッファ層７Ｇ及びバッファ層７Ｂには第２の実施の形態においてIII族窒化物半導体であるpドープドAlGaN層が使用されている。AlGaN層は、例えば35 nm−45 nmの膜厚を有し、2 × 10¹⁹ atoms/cm³−4 × 10¹⁹ atoms/cm³程度の不純物密度においてMgを含む。 A buffer layer 7G is disposed between the first active layer 5G and the first cladding layer 6G, and a buffer layer 7B is disposed between the second active layer 5B and the second cladding layer 6B. Has been. In the second embodiment, a p-doped AlGaN layer that is a group III nitride semiconductor is used for the buffer layer 7G and the buffer layer 7B. The AlGaN layer has a film thickness of 35 nm to 45 nm, for example, and contains Mg at an impurity density of about 2 × 10 ¹⁹ atoms / cm ³ −4 × 10 ¹⁹ atoms / cm ³ .

第１のクラッド層６Ｇには前述の第１の実施の形態に係る発光装置１と同様に電極（アノード電極）６１が電気的に接続され、第２のクラッド層６Ｂには電極（アノード電極）６２が電気的に接続される（図２参照。）。 An electrode (anode electrode) 61 is electrically connected to the first cladding layer 6G in the same manner as the light emitting device 1 according to the first embodiment described above, and an electrode (anode electrode) is connected to the second cladding layer 6B. 62 is electrically connected (see FIG. 2).

このように構成される第２の実施の形態に係る発光装置２においては、前述の第１の実施の形態に係る発光装置１と同様の効果を奏することができるとともに、緑色光を発光させやすいという効果を奏する。 In the light emitting device 2 according to the second embodiment configured as described above, the same effect as the light emitting device 1 according to the first embodiment described above can be obtained, and green light can be easily emitted. There is an effect.

（第３の実施の形態）
本発明の第３の実施の形態は、３色光を発する発光装置に本発明を適用した例を説明するものである。 (Third embodiment)
In the third embodiment of the present invention, an example in which the present invention is applied to a light emitting device that emits three-color light will be described.

［発光装置の断面構造並びに平面構造］
図２０に示すように、第３の実施の形態に係る発光装置１は、基板２と、基板２上の第４の領域に配設され、波長が550 nm−610 nmの範囲内にメインピークを有する光（黄色光）を発する第３の活性層５Ｙと、第３の活性層５Ｙ上に配設され、この第３の活性層Ｙに接続された第１の導電型の第４のクラッド層６Ｙと、基板２上の第４の領域に対して第１の方向（図２０中、上側方向）に隣接する第１の領域に配設され、緑色光を発する第１の活性層５Ｇと、第１の活性層５Ｇ上に配設され、この第１の活性層５Ｇに接続された第１の導電型の第１のクラッド層６Ｇと、基板２上の第１の領域に対して更に第１の方向に隣接する第２の領域に配設され、青色光を発する第２の活性層５Ｂと、第２の活性層５Ｂ上に配設され、この第２の活性層５Ｂに接続された第１導電型の第２のクラッド層６Ｂと、基板２上の第１の領域、第２の領域及び第４の領域に対して第１の方向と交差する第２の方向（図２０中、左側方向）に隣接する第３の領域に配設され、第１の導電型とは反対の第２の導電型を有し、第１の活性層５Ｇ、第２の活性層５Ｂ及び第３の活性層５Ｙに電気的に接続された第３のクラッド層４Ｇ、４Ｂ及び４Ｙとを備える。 [Cross-sectional structure and planar structure of light-emitting device]
As shown in FIG. 20, the light emitting device 1 according to the third embodiment is disposed in the substrate 2 and the fourth region on the substrate 2 and has a main peak within a wavelength range of 550 nm to 610 nm. A third active layer 5Y that emits light (yellow light) having a first conductivity type, and a fourth clad of the first conductivity type disposed on the third active layer 5Y and connected to the third active layer Y A first active layer 5G that emits green light, disposed in a first region adjacent to the layer 6Y and a fourth region on the substrate 2 in a first direction (upward direction in FIG. 20); The first conductivity type first clad layer 6G disposed on the first active layer 5G and connected to the first active layer 5G, and the first region on the substrate 2 A second active layer 5B that emits blue light is disposed in a second region adjacent in the first direction, and is disposed on the second active layer 5B. The second active layer 5B The connected second cladding layer 6B of the first conductivity type, and the second direction intersecting the first direction with respect to the first region, the second region, and the fourth region on the substrate 2 (see FIG. 20 in the left side direction), and has a second conductivity type opposite to the first conductivity type, and includes a first active layer 5G, a second active layer 5B, And third cladding layers 4G, 4B, and 4Y electrically connected to the third active layer 5Y.

すなわち、第３の実施の形態に係る発光装置１は、１つの共通の基板２に、第３のクラッド層５Ｙ、第３の活性層５Ｙ及び第４のクラッド層６Ｙを備えた黄色光LEDユニットと、第３のクラッド層５Ｇ、第１の活性層５Ｇ及び第１のクラッド層６Ｇを備えた緑色光LEDユニットと、第３のクラッド層５Ｂ、第２の活性層５Ｂ及び第２のクラッド層６Ｂを備えた青色光LEDユニットとを備えている。この発光装置１の特に黄色光LEDユニットの断面構造は、前述の図１及び図２に示す断面構造、又は図１９に示す断面構造と同様である。 That is, the light emitting device 1 according to the third embodiment includes a yellow light LED unit in which a common substrate 2 includes a third cladding layer 5Y, a third active layer 5Y, and a fourth cladding layer 6Y. A green light LED unit including the third cladding layer 5G, the first active layer 5G, and the first cladding layer 6G, and the third cladding layer 5B, the second active layer 5B, and the second cladding layer And a blue light LED unit provided with 6B. In particular, the cross-sectional structure of the yellow LED unit of the light emitting device 1 is the same as the cross-sectional structure shown in FIGS. 1 and 2 or the cross-sectional structure shown in FIG.

［発光装置の製造方法］
第３の実施の形態に係る発光装置１の製造方法は、前述の第１の実施の形態に係る発光装置１の製造方法と基本的には同様ではあるが、最初に黄色光LEDユニットの第３の活性層５Ｙ、第４のクラッド層６Ｙが形成される。この後に、緑色光LEDユニットの第１の活性層５Ｇ、第１のクラッド層６Ｇが形成され、更に青色光LEDユニットの第２の活性層５Ｂ、第２のクラッド層６Ｂが形成される。 [Method for Manufacturing Light Emitting Device]
The manufacturing method of the light-emitting device 1 according to the third embodiment is basically the same as the manufacturing method of the light-emitting device 1 according to the first embodiment described above. 3 active layers 5Y and a fourth cladding layer 6Y are formed. Thereafter, the first active layer 5G and the first cladding layer 6G of the green light LED unit are formed, and further the second active layer 5B and the second cladding layer 6B of the blue light LED unit are formed.

このように構成される第３の実施の形態に係る発光装置１においては、前述の第１の実施の形態又は第２の実施の形態に係る発光装置１により得られる効果と同様の効果を奏することができる。 The light emitting device 1 according to the third embodiment configured as described above has the same effect as that obtained by the light emitting device 1 according to the first embodiment or the second embodiment described above. be able to.

（その他の実施の形態）
上記のように、本発明は前述の第１の実施の形態乃至第３の実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものでない。例えば、本発明は、半導体レーザを搭載する発光装置に適用することができる。 (Other embodiments)
As described above, the present invention has been described with reference to the first to third embodiments. However, the description and the drawings, which form a part of this disclosure, do not limit the present invention. For example, the present invention can be applied to a light emitting device equipped with a semiconductor laser.

このように、本発明はここでは記載していない様々な実施の形態等を含む。従って、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。 As described above, the present invention includes various embodiments and the like not described herein. Therefore, the technical scope of the present invention is defined only by the invention specifying matters according to the scope of claims reasonable from the above description.

本発明の第１の実施の形態に係る発光装置の平面図である。1 is a plan view of a light emitting device according to a first embodiment of the present invention. 図１に示す発光装置の要部断面図である。It is principal part sectional drawing of the light-emitting device shown in FIG. 図１に示す発光素子の要部の概略的断面図である。It is a schematic sectional drawing of the principal part of the light emitting element shown in FIG. 第１の実施の形態に係る発光装置の製造方法を説明する第１の工程断面図である。It is 1st process sectional drawing explaining the manufacturing method of the light-emitting device which concerns on 1st Embodiment. 第２の工程断面図である。It is 2nd process sectional drawing. 第３の工程断面図である。It is 3rd process sectional drawing. 第４の工程断面図である。It is a 4th process sectional view. 第５の工程断面図である。FIG. 10 is a fifth process cross-sectional view. 第６の工程断面図である。It is 6th process sectional drawing. 第７の工程断面図である。It is 7th process sectional drawing. 第８の工程断面図である。It is 8th process sectional drawing. 第９の工程断面図である。It is 9th process sectional drawing. 第１０の工程断面図である。It is 10th process sectional drawing. 第１１の工程断面図である。It is 11th process sectional drawing. 第１２の工程断面図である。It is a 12th process sectional view. 第１３の工程断面図である。It is 13th process sectional drawing. 第１４の工程断面図である。It is 14th process sectional drawing. 第１５の工程断面図である。FIG. 15 is a sectional view of a fifteenth step. 本発明の第２の実施の形態に係る発光装置の概略的断面図である。It is a schematic sectional drawing of the light-emitting device which concerns on the 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第３の実施の形態に係る発光装置の平面図である。It is a top view of the light-emitting device which concerns on the 3rd Embodiment of this invention.

Explanation of symbols

１…発光装置
２…基板
３…バッファ層
４Ｇ、４Ｂ、４Ｙ…第３のクラッド層
４０、６１、６２…電極
５Ｇ…第１の活性層
５Ｂ…第２の活性層
５Ｙ…第３の活性層
６Ｇ…第１のクラッド層
６Ｂ…第２のクラッド層
６Ｙ…第４のクラッド層
１０〜１４…マスク DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Light-emitting device 2 ... Substrate 3 ... Buffer layer 4G, 4B, 4Y ... 3rd clad layer 40, 61, 62 ... Electrode 5G ... 1st active layer 5B ... 2nd active layer 5Y ... 3rd active layer 6G ... 1st cladding layer 6B ... 2nd cladding layer 6Y ... 4th cladding layers 10-14 ... Mask

Claims

A substrate,
A first active layer disposed in a first region on the substrate and emitting light having a main peak in the wavelength range of 480 nm-550 nm;
A first cladding layer of a first conductivity type disposed on the first active layer and connected to the first active layer;
A second activity which is disposed in a second region adjacent to the first region on the substrate in a first direction and emits light having a main peak within a wavelength range of 440 nm-480 nm; Layers,
A second clad layer of a first conductivity type disposed on the second active layer and connected to the second active layer;
The first conductivity type is disposed in a third region adjacent to the first region and the second region on the substrate and adjacent to the second direction intersecting the first direction. A third cladding layer having an opposite second conductivity type and connected to the first active layer and the second active layer;
A light-emitting device comprising:

The substrate is a sapphire substrate, and the first active layer, the second active layer, the first clad layer, the second clad layer, and the third clad layer are made of a group III nitride semiconductor. The light-emitting device according to claim 1.

The first active layer, the second active layer, the first clad layer, the second clad layer, and the third clad layer have a nonpolar plane or a semipolar plane as a main group III nitride The light-emitting device according to claim 1, wherein the light-emitting device is made of a physical semiconductor.

A substrate,
A third active layer disposed in a fourth region on the substrate and emitting light having a main peak in the wavelength range of 550 nm-610 nm;
A fourth clad layer of a first conductivity type disposed on the third active layer and connected to the third active layer;
A first activity which is disposed in a first region adjacent to the fourth region on the substrate in a first direction and emits light having a main peak within a wavelength range of 480 nm to 550 nm. Layers,
A first cladding layer of a first conductivity type disposed on the first active layer and connected to the first active layer;
A second region that is disposed in a second region adjacent to the first region on the substrate in the first direction and emits light having a main peak within a wavelength range of 440 nm to 480 nm. Active layer of
A second clad layer of a first conductivity type disposed on the second active layer and connected to the second active layer;
The first region, the second region, and the fourth region on the substrate are disposed in a third region adjacent to the second direction intersecting the first direction, and A third cladding layer having a second conductivity type opposite to the first conductivity type, and electrically connected to the first active layer, the second active layer, and the third active layer; ,
A light-emitting device comprising:

Forming a third clad layer of the second conductivity type in the first region and the second region adjacent to each other on the substrate;
Forming a first mask on the third cladding layer;
Removing the first mask in the first region on the third cladding layer using wet etching;
Forming a first active layer that emits light having a main peak in a wavelength range of 480 nm to 550 nm on the third cladding layer in the first region;
Forming a second cladding layer of a second conductivity type opposite to the first conductivity type on the first active layer;
Removing the first mask remaining in the second region on the third cladding layer using wet etching;
Forming a second mask on the first active layer;
Forming a second active layer that emits light having a main peak in a wavelength range of 440 nm to 480 nm in the second region on the third cladding layer;
Forming a third clad layer of the second conductivity type on the second active layer;
Removing the second mask using wet etching;
A method for manufacturing a light emitting device, comprising:

The step of forming the first mask is a step of forming a thin film on which the first active layer does not grow, and the step of forming the second mask forms a thin film on which the second active layer does not grow. The method of manufacturing a light emitting device according to claim 5, wherein the method is a process.

The step of forming the first mask is a step of forming a silicon oxide film, the step of forming the second mask is a step of forming a silicon oxide film, the step of removing the first mask, and 7. The method of manufacturing a light emitting device according to claim 5, wherein the second mask removing step is a step of removing using a hydrofluoric acid based wet etching.

Forming a third clad layer of the first conductivity type in the first region, the second region, and the fourth region adjacent to each other on the substrate;
Forming a first mask on the third cladding layer;
Removing the first mask in the fourth region on the third cladding layer using wet etching;
Forming a third active layer that emits light having a main peak in a wavelength range of 550 nm to 610 nm on the third cladding layer in the fourth region;
Forming a fourth cladding layer of a second conductivity type opposite to the first conductivity type on the third active layer;
Removing the first mask remaining in the first region and the second region on the third cladding layer by using wet etching;
Forming a second mask in a second region on the third active layer and on the third cladding layer;
Forming a first active layer that emits light having a main peak in a wavelength range of 480 nm to 550 nm in the first region on the third cladding layer;
Forming a second conductivity type first cladding layer on the first active layer;
Removing the second mask using wet etching;
Forming a third mask on the third active layer and on the first active layer;
Forming a second active layer that emits light having a main peak in a wavelength range of 440 nm to 480 nm in the second region on the third cladding layer;
Forming a second conductivity type second cladding layer on the second active layer;
Removing the third mask using wet etching;
A method for manufacturing a light emitting device, comprising: