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JP2009069443A - Liquid crystal display - Google Patents

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light
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Yoshitaka Tanaka
良孝 田中
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Casio Computer Co Ltd
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Casio Computer Co Ltd
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Abstract

【課題】 薄膜トランジスタパネル1と該薄膜トランジスタパネル1下に対向配置された対向パネル21とがシール材を介して貼り合わされ、シール材の内側における両パネル1、21間に液晶31が封入され、対向パネル21下にバックライト32が配置された液晶表示装置において、光利用効率を良くする。
【解決手段】 対向パネル21のブラックマスク23は、アルミニウム、銀もしくはそれらの合金によって形成され、反射層を兼ねている。そして、バックライト32からの光が反射層を兼ねたブラックマスク23の下面に照射されると、その反射光が対向基板22、裏面側偏光板27および導光板33を透過して反射層34で反射され、この反射光の少なくとも一部が表示に寄与することとなり、光利用効率を良くすることができる。この場合、対向基板22の上面に反射層を兼ねたブラックマスク23を形成すればよく、製造工程数が増加することがなく、コストが増加しないようにすることができる。
【選択図】 図1
PROBLEM TO BE SOLVED: To bond a thin film transistor panel 1 and a counter panel 21 arranged opposite to each other under the thin film transistor panel 1 through a sealing material, and a liquid crystal 31 is sealed between both panels 1 and 21 inside the sealing material. In the liquid crystal display device in which the backlight 32 is disposed under the light source 21, the light use efficiency is improved.
A black mask 23 of an opposing panel 21 is formed of aluminum, silver, or an alloy thereof, and also serves as a reflective layer. When the light from the backlight 32 is applied to the lower surface of the black mask 23 that also serves as a reflective layer, the reflected light passes through the counter substrate 22, the back-side polarizing plate 27, and the light guide plate 33, and is reflected by the reflective layer 34. The light is reflected, and at least a part of the reflected light contributes to the display, so that the light use efficiency can be improved. In this case, a black mask 23 that also serves as a reflective layer may be formed on the upper surface of the counter substrate 22, so that the number of manufacturing steps does not increase and the cost does not increase.
[Selection] Figure 1

Description

この発明は液晶表示装置に関する。   The present invention relates to a liquid crystal display device.

従来の液晶表示装置には、薄膜トランジスタパネルと該薄膜トランジスタパネル上に対向配置された対向パネルとがほぼ方形枠状のシール材を介して貼り合わされ、シール材の内側における両パネル間に液晶が封入され、薄膜トランジスタパネル下にバックライトが配置されたものがある(例えば、特許文献1参照)。   In a conventional liquid crystal display device, a thin film transistor panel and a counter panel disposed on the thin film transistor panel are bonded to each other through a substantially rectangular frame-shaped sealing material, and liquid crystal is sealed between the two panels inside the sealing material. Some have a backlight disposed under the thin film transistor panel (see, for example, Patent Document 1).

特開2006−91841号公報JP 2006-91841 A

上記従来の液晶表示装置における対向パネルでは、実質的な画素領域以外からの光漏れを防止するために、その基板の下面にブラックマスクが設けられている。一方、薄膜トランジスタパネルでは、その基板の下面に、ブラックマスクと同一パターンの反射層が設けられている。この反射層は、バックライトからの光を反射し、この反射光をバックライトの反射層でさらに反射させ、この反射光の少なくとも一部を表示に寄与させることにより、光利用効率を良くするためのものである。   In the counter panel in the conventional liquid crystal display device, a black mask is provided on the lower surface of the substrate in order to prevent light leakage from other than the substantial pixel region. On the other hand, in the thin film transistor panel, a reflective layer having the same pattern as the black mask is provided on the lower surface of the substrate. This reflective layer reflects the light from the backlight, further reflects this reflected light by the reflective layer of the backlight, and contributes to the display by at least part of the reflected light, thereby improving the light utilization efficiency. belongs to.

しかしながら、上記従来の液晶表示装置では、薄膜トランジスタパネルの基板の下面に、対向パネルのブラックマスクと同一パターンの反射層を形成しなければならず、製造工程数が増加し、コスト高となってしまうという問題があった。   However, in the above conventional liquid crystal display device, a reflective layer having the same pattern as the black mask of the counter panel must be formed on the lower surface of the thin film transistor panel substrate, which increases the number of manufacturing steps and increases the cost. There was a problem.

そこで、この発明は、光利用効率を良くすることができる上、コストが増加しないようにすることができる液晶表示装置を提供することを目的とする。   SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, an object of the present invention is to provide a liquid crystal display device that can improve the light use efficiency and prevent the cost from increasing.

請求項1に記載の発明は、薄膜トランジスタパネルと該薄膜トランジスタパネル下に対向配置された対向パネルとがシール材を介して貼り合わされ、前記シール材の内側における前記両パネル間に液晶が封入され、前記対向パネル下にバックライトが配置された液晶表示装置において、前記対向パネルは反射層を兼ねたブラックマスクを備えていることを特徴とするものである。
請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の発明において、前記ブラックマスクはアルミニウム、銀もしくはそれらの合金によって形成されていることを特徴とするものである。
請求項3に記載の発明は、請求項2に記載の発明において、前記ブラックマスクは、前記対向パネルの対向基板の上面に設けられた金属層からなり、且つ、前記薄膜トランジスタパネルに設けられた画素電極に対応する部分に該画素電極のサイズよりも小さめの開口部が設けられていることを特徴とするものである。
請求項4に記載の発明は、請求項1に記載の発明において、前記バックライトは、導光板の下面に反射層が設けられたものを備えていることを特徴とするものである。
According to the first aspect of the present invention, a thin film transistor panel and a counter panel disposed opposite to each other under the thin film transistor panel are bonded to each other through a sealing material, and liquid crystal is sealed between the two panels inside the sealing material. In the liquid crystal display device in which a backlight is disposed below the counter panel, the counter panel includes a black mask that also serves as a reflective layer.
According to a second aspect of the present invention, in the first aspect of the present invention, the black mask is formed of aluminum, silver, or an alloy thereof.
The invention described in claim 3 is the pixel described in claim 2, wherein the black mask is made of a metal layer provided on the upper surface of the counter substrate of the counter panel, and is provided in the thin film transistor panel. An opening smaller than the size of the pixel electrode is provided in a portion corresponding to the electrode.
According to a fourth aspect of the present invention, in the first aspect of the invention, the backlight includes a light guide plate provided with a reflective layer on a lower surface.

この発明によれば、薄膜トランジスタパネルとバックライトとの間に配置された対向パネルに反射層を兼ねたブラックマスクを備えさせているので、光利用効率を良くすることができ、しかも、対向パネルの基板に反射層を兼ねたブラックマスクを形成すればよく、製造工程数が増加することがなく、コストが増加しないようにすることができる。   According to the present invention, since the opposing panel disposed between the thin film transistor panel and the backlight is provided with the black mask that also serves as the reflective layer, the light use efficiency can be improved, and the opposing panel A black mask that also serves as a reflective layer may be formed on the substrate, so that the number of manufacturing steps does not increase and the cost does not increase.

図1はこの発明の一実施形態としての液晶表示装置の要部の断面図を示し、図2は同液晶表示装置の薄膜トランジスタパネルの一部の透過平面図を示す。この場合、図1は図2のI−I線に沿う部分の断面図に相当する。この液晶表示装置は、図1に示すように、薄膜トランジスタパネル1と該薄膜トランジスタパネル1下に対向配置された対向パネル21とがほぼ方形枠状のシール材(図示せず)を介して貼り合わされ、シール材の内側における両パネル1、21間に液晶31が封入され、対向パネル21下にバックライト32が配置された構造となっている。   FIG. 1 is a cross-sectional view of a main part of a liquid crystal display device as an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a transmission plan view of a part of a thin film transistor panel of the liquid crystal display device. In this case, FIG. 1 corresponds to a cross-sectional view taken along line II in FIG. In this liquid crystal display device, as shown in FIG. 1, a thin film transistor panel 1 and a counter panel 21 arranged to face each other under the thin film transistor panel 1 are bonded together via a substantially rectangular frame-shaped sealing material (not shown), The liquid crystal 31 is sealed between the panels 1 and 21 inside the sealing material, and the backlight 32 is disposed below the opposing panel 21.

次に、薄膜トランジスタパネル1の平面的な構造について、図2を参照して説明する。薄膜トランジスタパネル1はガラス等からなる薄膜トランジスタ基板2を備えている。薄膜トランジスタ基板2下には複数の走査ライン3および複数のデータライン4がマトリクス状に設けられている。この場合、複数の走査ライン3は行方向に延びて設けられ、複数のデータライン4は列方向に延びて設けられている。   Next, the planar structure of the thin film transistor panel 1 will be described with reference to FIG. The thin film transistor panel 1 includes a thin film transistor substrate 2 made of glass or the like. A plurality of scanning lines 3 and a plurality of data lines 4 are provided in a matrix form under the thin film transistor substrate 2. In this case, the plurality of scanning lines 3 are provided extending in the row direction, and the plurality of data lines 4 are provided extending in the column direction.

薄膜トランジスタ基板2下において走査ライン3とデータライン4とで囲まれた領域内には画素電極5が設けられている。ここで、図2を明確にする目的で、画素電極5の縁部に斜めの短い実線のハッチングが記入されている。画素電極5はスイッチング素子としての薄膜トランジスタ6を介して走査ライン3およびデータライン4に接続されている。薄膜トランジスタ基板2下には複数の補助容量ライン7が行方向に延びて設けられている。画素電極5との間で補助容量部を形成するための補助容量ライン7は当該画素電極5の上辺部と重ね合わされている。   A pixel electrode 5 is provided in a region surrounded by the scanning line 3 and the data line 4 under the thin film transistor substrate 2. Here, for the purpose of clarifying FIG. 2, oblique short solid line hatching is written at the edge of the pixel electrode 5. The pixel electrode 5 is connected to the scanning line 3 and the data line 4 through a thin film transistor 6 as a switching element. A plurality of auxiliary capacitance lines 7 are provided below the thin film transistor substrate 2 so as to extend in the row direction. An auxiliary capacitance line 7 for forming an auxiliary capacitance portion with the pixel electrode 5 is overlapped with the upper side portion of the pixel electrode 5.

次に、図1および図2を参照して説明する。薄膜トランジスタ基板2の下面の所定の箇所にはゲート電極8および該ゲート電極8に接続された走査ライン3が設けられている。薄膜トランジスタ基板2の下面の他の所定の箇所には補助容量ライン7が設けられている。この場合、ゲート電極8、走査ライン3および補助容量ライン7は、クロム、モリブデンもしくはそれらの合金等によって形成されている。   Next, a description will be given with reference to FIGS. A gate electrode 8 and a scanning line 3 connected to the gate electrode 8 are provided at predetermined positions on the lower surface of the thin film transistor substrate 2. Auxiliary capacitance lines 7 are provided at other predetermined locations on the lower surface of the thin film transistor substrate 2. In this case, the gate electrode 8, the scanning line 3, and the auxiliary capacitance line 7 are formed of chromium, molybdenum, or an alloy thereof.

ゲート電極8、走査ライン3および補助容量ライン7を含む薄膜トランジスタ基板2の下面には窒化シリコン等からなるゲート絶縁膜9が設けられている。ゲート電極8下におけるゲート絶縁膜9の下面の所定の箇所には真性アモルファスシリコンからなる半導体薄膜10が設けられている。半導体薄膜10の下面ほぼ中央部には窒化シリコン等からなるチャネル保護膜11が設けられている。チャネル保護膜11の下面両側およびその両側における半導体薄膜10の下面にはn型アモルファスシリコンからなるオーミックコンタクト層12、13が設けられている。   A gate insulating film 9 made of silicon nitride or the like is provided on the lower surface of the thin film transistor substrate 2 including the gate electrode 8, the scanning line 3, and the auxiliary capacitance line 7. A semiconductor thin film 10 made of intrinsic amorphous silicon is provided at a predetermined position on the lower surface of the gate insulating film 9 below the gate electrode 8. A channel protective film 11 made of silicon nitride or the like is provided at substantially the center of the lower surface of the semiconductor thin film 10. Ohmic contact layers 12 and 13 made of n-type amorphous silicon are provided on both sides of the lower surface of the channel protective film 11 and on the lower surface of the semiconductor thin film 10 on both sides thereof.

オーミックコンタクト層12、13の下面にはソース電極14およびドレイン電極15が設けられている。ゲート絶縁膜9の下面の所定の箇所にはデータライン4がドレイン電極15に接続されて設けられている。この場合、ソース電極14、ドレイン電極15およびデータライン4は、クロム、モリブデンもしくはそれらの合金等によって形成されている。ここで、薄膜トランジスタ6は、ゲート電極8、ゲート絶縁膜9、半導体薄膜10、チャネル保護膜11、オーミックコンタクト層12、13、ソース電極14およびドレイン電極15により構成されている。   A source electrode 14 and a drain electrode 15 are provided on the lower surfaces of the ohmic contact layers 12 and 13. A data line 4 is connected to the drain electrode 15 at a predetermined position on the lower surface of the gate insulating film 9. In this case, the source electrode 14, the drain electrode 15, and the data line 4 are formed of chromium, molybdenum, or an alloy thereof. Here, the thin film transistor 6 includes a gate electrode 8, a gate insulating film 9, a semiconductor thin film 10, a channel protective film 11, ohmic contact layers 12 and 13, a source electrode 14 and a drain electrode 15.

薄膜トランジスタ6およびデータライン4を含むゲート絶縁膜9の下面には窒化シリコン等からなるオーバーコート膜16が設けられている。オーバーコート膜16の下面の所定の箇所にはITO等からなる画素電極5が設けられている。画素電極5は、オーバーコート膜16に設けられたコンタクトホール17を介してソース電極14に接続されている。画素電極5を含むオーバーコート膜16の下面には配向膜18が設けられている。薄膜トランジスタ基板2の上面には表面側偏光板19が設けられている。   An overcoat film 16 made of silicon nitride or the like is provided on the lower surface of the gate insulating film 9 including the thin film transistor 6 and the data line 4. A pixel electrode 5 made of ITO or the like is provided at a predetermined position on the lower surface of the overcoat film 16. The pixel electrode 5 is connected to the source electrode 14 through a contact hole 17 provided in the overcoat film 16. An alignment film 18 is provided on the lower surface of the overcoat film 16 including the pixel electrode 5. A surface-side polarizing plate 19 is provided on the upper surface of the thin film transistor substrate 2.

一方、対向パネル21はガラス等からなる対向基板22を備えている。対向基板22の上面には、ブラックマスク23、樹脂等からなるカラーフィルタ24、ITO等からなる対向電極25および配向膜26が設けられている。この場合、ブラックマスク23は、クロム、モリブデンもしくはそれらの合金等よりも高反射率の金属材料であるアルミニウム、銀もしくはそれらの合金等によって形成され、反射層を兼ねている。ブラックマスク23の平面形状については、後で説明する。対向基板22の下面には裏面側偏光板27が設けられている。   On the other hand, the counter panel 21 includes a counter substrate 22 made of glass or the like. On the upper surface of the counter substrate 22, a black mask 23, a color filter 24 made of resin or the like, a counter electrode 25 made of ITO or the like, and an alignment film 26 are provided. In this case, the black mask 23 is formed of aluminum, silver, or an alloy thereof, which is a metal material having a higher reflectance than chromium, molybdenum, or an alloy thereof, and also serves as a reflective layer. The planar shape of the black mask 23 will be described later. A back-side polarizing plate 27 is provided on the lower surface of the counter substrate 22.

バックライト32は、導光板33の下面に反射層34が設けられ、導光板33の一端面の外側に発光ダイオード等からなる光源(図示せず)が設けられた構造となっている。そして、光源が点灯すると、光源からの光が導光板33で導光され且つ反射層34で反射された後に導光板33の上面からそのほぼ垂直上方に出射されるようになっている。   The backlight 32 has a structure in which a reflective layer 34 is provided on the lower surface of the light guide plate 33 and a light source (not shown) made of a light emitting diode or the like is provided outside one end surface of the light guide plate 33. When the light source is turned on, the light from the light source is guided by the light guide plate 33 and reflected by the reflective layer 34, and then emitted almost vertically upward from the upper surface of the light guide plate 33.

次に、ブラックマスク23の平面形状について説明する。ブラックマスク23は、対向基板22の上面に設けられた比較的反射率の高い金属層からなり、且つ、図2において一点鎖線で示すように、画素電極5に対応する部分に該画素電極5のサイズよりもやや小さめの開口部23aが設けられている。ブラックマスク23は、バックライト32からの光が薄膜トランジスタ6の半導体薄膜10に入射するのを防止し、且つ、バックライト32からの光が行方向および列方向に隣接する画素電極5間の隙間から漏れるのを防止するためのものであるが、バックライト32からの光を反射する反射層を兼ねている。   Next, the planar shape of the black mask 23 will be described. The black mask 23 is made of a metal layer having a relatively high reflectivity provided on the upper surface of the counter substrate 22, and as shown by a one-dot chain line in FIG. 2, the black electrode 23 is formed on a portion corresponding to the pixel electrode 5. An opening 23a slightly smaller than the size is provided. The black mask 23 prevents light from the backlight 32 from entering the semiconductor thin film 10 of the thin film transistor 6, and light from the backlight 32 from a gap between the pixel electrodes 5 adjacent in the row direction and the column direction. Although it is for preventing leakage, it also serves as a reflective layer that reflects light from the backlight 32.

そして、この液晶表示装置では、バックライト32を点灯させると、バックライト32からの光が裏面側偏光板27、対向基板22、ブラックマスク23の開口部23a、カラーフィルタ24、対向電極25、配向膜26、液晶31、配向膜18、画素電極5、オーバーコート膜16、ゲート絶縁膜9、薄膜トランジスタ基板2および表面側偏光板19を透過して表面側偏光板19の上面側に出射され、これにより表示を行なう。   In this liquid crystal display device, when the backlight 32 is turned on, the light from the backlight 32 causes the back-side polarizing plate 27, the counter substrate 22, the opening 23a of the black mask 23, the color filter 24, the counter electrode 25, the alignment. The film 26, the liquid crystal 31, the alignment film 18, the pixel electrode 5, the overcoat film 16, the gate insulating film 9, the thin film transistor substrate 2, and the surface side polarizing plate 19 are transmitted and emitted to the upper surface side of the surface side polarizing plate 19. To display.

ところで、このような表示を行なっている状態において、バックライト32からの光が反射層を兼ねたブラックマスク23の下面に照射されると、その反射光が対向基板22、裏面側偏光板27および導光板33を透過して反射層34で反射され、この反射光の少なくとも一部が表示に寄与することとなり、光利用効率を良くすることができる。   By the way, when the light from the backlight 32 is irradiated to the lower surface of the black mask 23 which also serves as a reflective layer in the state where such display is performed, the reflected light is reflected on the counter substrate 22, the back side polarizing plate 27 and The light is transmitted through the light guide plate 33 and is reflected by the reflective layer 34, and at least a part of the reflected light contributes to display, so that the light use efficiency can be improved.

このように、この液晶表示装置では、薄膜トランジスタパネル1とバックライト32との間に配置された対向パネル21に反射層を兼ねたブラックマスク23を備えさせているので、光利用効率を良くすることができる。しかも、対向基板22の上面に反射層を兼ねたブラックマスク23を形成すればよく、製造工程数が増加することがなく、コストが増加しないようにすることができる。   As described above, in this liquid crystal display device, since the counter panel 21 disposed between the thin film transistor panel 1 and the backlight 32 is provided with the black mask 23 that also serves as a reflective layer, the light use efficiency is improved. Can do. In addition, a black mask 23 that also serves as a reflective layer may be formed on the upper surface of the counter substrate 22, so that the number of manufacturing steps does not increase and the cost does not increase.

この発明の一実施形態としての液晶表示装置の要部の断面図。Sectional drawing of the principal part of the liquid crystal display device as one Embodiment of this invention. 図1に示す液晶表示装置の薄膜トランジスタパネルの一部の透過平面図。FIG. 2 is a partially transparent plan view of a thin film transistor panel of the liquid crystal display device shown in FIG.

符号の説明Explanation of symbols

1 薄膜トランジスタパネル
2 薄膜トランジスタ基板
3 走査ライン
4 データライン
5 画素電極
6 薄膜トランジスタ
7 補助容量ライン
16 オーバーコート膜
18 配向膜
19 表面側偏光板
21 対向パネル
22 対向基板
23 ブラックマスク
24 カラーフィルタ
25 共通電極
26 配向膜
31 液晶
32 バックライト
33 導光板
34 反射層
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Thin-film transistor panel 2 Thin-film transistor substrate 3 Scan line 4 Data line 5 Pixel electrode 6 Thin-film transistor 7 Auxiliary capacity line 16 Overcoat film 18 Orientation film 19 Surface side polarizing plate 21 Opposite panel 22 Opposite substrate 23 Black mask 24 Color filter 25 Common electrode 26 Orientation Film 31 Liquid crystal 32 Backlight 33 Light guide plate 34 Reflective layer

Claims (4)

薄膜トランジスタパネルと該薄膜トランジスタパネル下に対向配置された対向パネルとがシール材を介して貼り合わされ、前記シール材の内側における前記両パネル間に液晶が封入され、前記対向パネル下にバックライトが配置された液晶表示装置において、前記対向パネルは反射層を兼ねたブラックマスクを備えていることを特徴とする液晶表示装置。   A thin film transistor panel and a counter panel disposed under the thin film transistor panel are bonded to each other through a sealing material, liquid crystal is sealed between the two panels inside the sealing material, and a backlight is disposed under the counter panel. In the liquid crystal display device, the counter panel includes a black mask that also serves as a reflective layer. 請求項1に記載の発明において、前記ブラックマスクはアルミニウム、銀もしくはそれらの合金によって形成されていることを特徴とする液晶表示装置。   2. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the black mask is made of aluminum, silver or an alloy thereof. 請求項2に記載の発明において、前記ブラックマスクは、前記対向パネルの対向基板の上面に設けられた金属層からなり、且つ、前記薄膜トランジスタパネルに設けられた画素電極に対応する部分に該画素電極のサイズよりも小さめの開口部が設けられていることを特徴とする液晶表示装置。   3. The invention according to claim 2, wherein the black mask is made of a metal layer provided on the upper surface of the counter substrate of the counter panel, and the pixel electrode is provided in a portion corresponding to the pixel electrode provided in the thin film transistor panel. A liquid crystal display device having an opening smaller than the size of the liquid crystal display device. 請求項1に記載の発明において、前記バックライトは、導光板の下面に反射層が設けられたものを備えていることを特徴とする液晶表示装置。   The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the backlight includes a light guide plate provided with a reflective layer on a lower surface thereof.
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