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JP2008504708A - 液浸フォトリソグラフィシステム - Google Patents

液浸フォトリソグラフィシステム Download PDF

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JP2008504708A JP2007518676A JP2007518676A JP2008504708A JP 2008504708 A JP2008504708 A JP 2008504708A JP 2007518676 A JP2007518676 A JP 2007518676A JP 2007518676 A JP2007518676 A JP 2007518676A JP 2008504708 A JP2008504708 A JP 2008504708A
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ポール アラン ストックマン
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Abstract

液浸フォトリソグラフィにおいて、液浸流体(30)は、ウェハー(28)と、液浸流体(30)を介してウェハー(28)に像を投影するレンズ(24)との間に配置される。液浸流体からの蒸発を抑止するために、液浸流体の成分で飽和したパージ流体が液浸流体について運搬される。

Description

本発明は、液浸フォトリソグラフィシステム及び液浸フォトリソグラフィを実行する方法に関する。
フォトリソグラフィは、半導体デバイス製造において重要なプロセスステップである。フォトリソグラフィの概要において、回路デザインは、ウェハー表面に配置されるフォトレジスト層に映されるパターンを介してウェハーに転写される。ウェハーは、その後、新たなデザインがウェハー表面に転写される前に、様々なエッチング及び蒸着プロセスを経る。この循環プロセスが続き、多層の半導体デバイスを確立する。
フォトリソグラフィを用いてプリントされる最小の特徴は、レイリー式によって定義される解像限界Wによって以下のように決定される。
Figure 2008504708
ここでk1は、解像ファクタであり、λは、露出する放射線の波長であり、NAは、開口数である。それゆえ、半導体デバイスの製造において用いられるリソグラフィックプロセスでは、非常に小さいデバイスの特徴が正確に再生され得るように光解像度を改善するために、非常に短い波長の放射線を用いることが有利である。従来技術では、様々な波長の単色の可視光線が用いられており、ごく最近は、ArFエキシマレーザを用いて発生される193nmの放射線を含む遠紫外(DUV)域の放射線が用いられている。NAの値は、レンズの受光角(α)及びレンズを囲む媒体の屈折率(n)によって決定され、以下によって与えられる。
Figure 2008504708
クリーンドライエアー(CDA)に対して、nの値は1であり、レンズとウェハーの間の媒体としてCDAを用いるリソグラフィック技術のためのNAに対する物理的制限は、1であり、実際の制限は一般におよそ0.9である。
液浸フォトリソグラフィは、焦点深度(DOF)又は垂直プロセスラティチュードを増すことに加えてNAの値を増すことによって光解像度を改善する既知の技術である。図1を参照すると、この技術において、屈折率n>1を有する液体10は、投射装置14の対物レンズ12の底面と移動可能なウェハーステージ18に配置されるウェハー16の上面との間に位置している。レンズ12とウェハー16の間に配置される液体は、理想的には、193nmに低い光吸収を有しており、ウェハー表面に置かれるレンズ物質とフォトレジストと整合し、良好な均一性を有している。これらの基準は、193nmの光線に対して屈折率n=1.44を有する超高純度の脱気水によって満たされる。増大されたnの値は、レンズとウェハーの間の媒体がCDAである場合の技術と比べると、解像限界Wを減少させるNAの値を増大させ、より小さな機構が再生されるようにする。
高純度の水が現世代のレンズ幾何学に理想的である一方で、よりいっそう高い屈折率の液体が、ハイパーNAレンズの幾何学的構造に対して必要とされるであろう。例えば、必要とされる屈折率を有する有機的な液体は、高純度の水に取って代わり得る。しかしながら、これは、液体、フォトレジスト及び液体、レンズ相互作用、及び適当な納入の開発に対してかなりの研究を必要とし、そして、液体のための体系を研究し尽くしたであろう。結果として、現在では、より魅力的な選択は、その屈折率を増大させるために1又は複数の化合物を水に加えることである。そのような化合物は、有機イオン化合物又は無機イオン化合物であり得る。最新の研究では、例えばセシウム硫酸塩などの相対的に大きなイオンを有する無機塩の方が選ばれている。出来る限り屈折率を高くするために、高純度の水及び無機塩の溶液は、高い飽和レベルを有するように混合されるべきである。そのような飽和した溶液の利用と協働する問題は、液浸リソグラフィ中に、レンズと流動性の溶液の界面及び水と流動性の溶液の界面で高純度の水の多少の蒸発が避けられないということであり、過飽和した溶液から溶質の微結晶のこれらの界面に析出を導いて、これらの界面に存在することになり得る。
本発明の望ましい実施形態の目的は、少なくとも、液浸フォトリソグラフィシステムにおいて、レンズと水の間に位置する液浸液体からの蒸発を抑止するシステムを提供することである。
第1の態様では、本発明は、
ウェハーステージと、
前記ウェハーステージ上に配置されるウェハーに像を投影するレンズと、
前記レンズと前記ウェハーの間に液浸液体を供給する液浸流体供給手段と、
供給された液浸流体について前記液浸液体の成分で飽和したパージ流体を運搬するパージ流体運搬手段とを備えた液浸リソグラフィシステムを提供する。
液浸流体について液浸流体の成分で飽和したパージ流体を運搬することによって、液浸流体からの蒸発は抑止され得る。これは、液浸流体と、レンズ、ウェハー及び/又はパージ流体との界面での微粒子のフォトリソグラフィ中の析出を妨げることができる。液浸流体が高純度の水のような純粋な液体である場合には、液体でパージ流体を飽和させることは、例えば、フォトリソグラフィ中のフォトレジスト層から、液体内に形成される微粒子のこれらの界面の析出を妨げることができる。液浸流体が溶液である場合には、パージ流体を溶媒で飽和することは、これらの界面で溶質の析出も抑止することができる。
パージ流体は、クリーンドライエアー(CDA)、窒素、又は液浸流体と逆に反応しない任意の他の液体又は気体の1つを備え、その一例は、無機溶質又は有機溶質を含む水性溶液である。
望ましい実施形態では、前記システムは、ウェハーステージ及びレンズを収容する格納装置を備えており、パージ流体供給システムは、パージ流体の流れを前記格納装置に供給するように構成される。この格納装置は、液浸流体について飽和した環境を維持することを援助し、そのため、第2の態様では、本発明は、ウェハーステージ及び該ウェハーステージ上に配置されるウェハーに像を投影するレンズを収容する格納装置と、前記レンズが前記ウェハーに像を投影する使用中に液浸流体を前記格納装置に供給する液浸流体供給手段と、前記液浸流体の成分で飽和したパージ流体を、前記格納装置を介して運搬するパージ流体運搬手段とを備えた液浸リソグラフィシステムを提供する。
第3の態様では、本発明は、液浸フォトリソグラフィを実現する方法であって、
ウェハーとレンズの間に液浸流体を配置するステップと、
前記液浸流体を介して前記ウェハーに像を投影するステップと、
前記液浸流体について前記液浸流体の成分で飽和したパージ流体を運搬するステップとを備えた方法を提供する。
第4の態様では、本発明は、液浸フォトリソグラフィを実現する方法であって、
レンズを収容する格納装置を提供するステップと、
前記レンズがウェハーに像を投影するようにウェハーを格納装置内に配置するステップと、
前記レンズと前記ウェハーの間の液浸流体を前記格納領域内に維持するステップと、
前記液浸流体の成分で飽和したパージ流体を、前記格納装置を介して運搬するステップとを備えた方法を提供する。
本発明のシステム態様に関して上述した特徴は、方法態様に等しく適用可能であり、逆もまた適用可能である。
ここで、本発明の実施形態を、例を通して、図面を参照してさらに説明する。
図2を参照すると、液浸フォトグラフィーシステム20は、管理環境において撮像レンズ24とウェハーステージ26を収容する格納装置22を備えている。撮像レンズ24は、ウェハーステージ26上に配置されるウェハー28の表面に形成されるフォトレジスト層に像を投影する光学システムの最終の光コンポーネントである。ウェハーステージ26は、例えば真空システムのようなウェハー28をウェハーステージに保持する任意の適切な機構を備え、撮像レンズ24の下にウェハー28を正確に配置するように移動可能である。
液浸流体30は、液浸流体供給システムによってレンズ24とウェハー28の間に保持される。このシステムは、レンズ24とウェハー28の間の位置に液浸流体30を分配するためにレンズ24を取り囲む液浸流体ディスペンサ32を備えている。1又は複数の特異なエアーシール(図示していない)は、システムの他の部位への液浸流体の進入を妨げるのに用いられ、例えば、その機構はウェハーステージ26を移動させるのに用いられる。
フォトレジスト層のガス放出及びフォトリソグラフィ中の微粒子の発生のため、レンズ24とウェハー28の間での液浸流体の安定した流れを維持することが望ましい。図2に示される実施例では、液浸流体供給システムは、レンズ24とウェハー28の間から液浸流体30を引き出すための34で概して示される排出システムを備えており、ディスペンサ32は、実質的に一定量の液浸流体30がレンズ24とウェハー28の間に保持されるように液浸30を満たす役割を担っている。36で概して示される液浸流体供給は、それの供給源38からディスペンサ32に液浸流体を供給する役割を担っている。格納装置22から引き出される液浸流体は、任意に、もとのディスペンサ32に再循環及び再流通され得る。
適当な液浸流体の一例は、(屈折率1を有する)エアーと比べて1.44のその相対的に高い屈折率、及びそのレンズ材料とフォトレジストとの適合性のため、高純度の脱気水である。さらに屈折率を増大させるために、飽和した溶液を形成するために無機化合物又は有機化合物を水に加えてもよい。いずれの場合でも、フォトリソグラフィックプロセス中の水の蒸発は、析出物がレンズ24と液浸流体30の界面に及びウェハー28と液浸流体30の界面に形成されるようにし得る。液浸流体が高純度の水などの純粋な液体である場合には、これらの析出物の供給源は、フォトリソグラフィ中に形成される微粒子である一方、液浸流体が溶液である場合には、これらの微粒子は、付加的に、溶質の微結晶を含み得る。
フォトリソグラフィ中に液浸流体30から液体又は溶質の蒸発を抑止するために、パージ流体供給システムは、格納装置22に供給するために提供され、特に、格納装置22内の液浸流体30について、液体で飽和されたパージ流体又はその場合の溶質が、液浸流体30の中に存在する。パージ流体は、格納装置22の導入口44と通ずる導管42を経由して供給源40から格納装置22に運搬される。格納装置22内のパージ流体の安定した流れを維持するために、パージ流体排出システムは、格納装置22の出口48と通ずる導管46を経由して格納装置22からのパージ流体を引き出すことで提供される。
液体又は溶質が水である場合、例えば、パージ流体は、水飽和したCDAを都合よく備え得る。これは、供給源40で生成され、高純度の水との流体伝達において膜接触器(a membrane contactor)の一方を介してその他方にCDAの流れを進行させ得る。水飽和したCDAは、その後、レンズ24と液浸流体30との界面及びウェハー28と液浸流体30との界面をパージし、液浸流体30からの水の蒸発を抑止するために格納装置22に運搬される。
既知の液浸フォトグラフィーシステムを概略的に示している。 本発明に係る液浸フォトグラフィーシステムの一実施例を概略的に示している。

Claims (19)

  1. ウェハーステージと、
    前記ウェハーステージ上に配置されるウェハーに像を投影するレンズと、
    前記レンズと前記ウェハーの間に液浸液体を供給する液浸流体供給手段と、
    供給された液浸流体について前記液浸液体の成分で飽和したパージ流体を運搬するパージ流体運搬手段とを備えた液浸リソグラフィシステム。
  2. 前記液浸流体は、溶媒及び少なくとも1つの溶質を備えた溶液であり、前記パージ流体は、前記溶媒で飽和する請求項1に記載のシステム。
  3. 前記溶媒は水である請求項2に記載のシステム。
  4. 前記溶質は、無機化合物又は有機化合物を含んでいる請求項2又は3に記載のシステム。
  5. 前記パージ流体は、飽和ガスを含んでいる上記請求項いずれか1つに記載のシステム。
  6. 前記ガスは、クリーンドライエアー及び窒素の内の1つである請求項5に記載のシステム。
  7. 前記ウェハーステージ及び前記レンズを収容する格納装置を備え、
    前記パージ流体供給システムは、パージ流体の流れを前記格納装置に供給するように配置される上記請求項いずれか1つに記載のシステム。
  8. 前記格納装置は、パージ流体の流れを受け付ける導入口と、前記格納装置からパージ流体を排出する出口を有している請求項7に記載のシステム。
  9. 前記液浸流体供給手段は、前記レンズと前記ウェハーの間の位置に前記液浸流体を供給するように配置される上記請求項いずれか1つに記載のシステム。
  10. ウェハーステージと該ウェアーステージ上に配置されるウェハーに像を投影するレンズとを収容する格納装置と、
    前記レンズが前記ウェハーに像を投影する使用中に液浸流体を前記格納装置に供給する液浸流体供給手段と、
    前記液浸流体の成分で飽和したパージ流体を、前記格納装置を介して運搬するパージ流体運搬手段とを備えた液浸リソグラフィシステム。
  11. 液浸フォトリソグラフィを実現する方法であって、
    ウェハーとレンズの間に液浸流体を配置するステップと、
    前記液浸流体を介して前記ウェハーに像を投影するステップと、
    前記液浸流体について前記液浸流体の成分で飽和したパージ流体を運搬するステップとを備えた方法。
  12. 前記液浸流体は、溶媒及び少なくとも1つの溶質を備えた溶液であり、前記パージ流体は、前記溶媒で飽和する請求項11に記載の方法。
  13. 前記溶媒は水である請求項12に記載の方法。
  14. 前記溶質は、無機化合物又は有機化合物を含んでいる請求項12又は13に記載の方法。
  15. 前記パージ流体は、飽和ガスを含んでいる請求項11から14のいずれか1つに記載の方法。
  16. 前記ガスは、クリーンドライエアー及び窒素の内の1つである請求項15に記載の方法。
  17. 前記ウェハーステージ及びレンズは、格納装置内に収容され、パージ流体の流れが、前記格納装置に与えられる請求項11から16のいずれか1つに記載の方法。
  18. 前記液浸流体は、前記レンズと前記ウェハーの間の位置に供給される請求項11から17のいずれか1つに記載の方法。
  19. 液浸フォトリソグラフィを実現する方法であって、
    レンズを収容する格納装置を提供するステップと、
    前記レンズがウェハーに像を投影するようにウェハーを格納装置内に配置するステップと、
    前記レンズと前記ウェハーの間の液浸流体を前記格納領域内に保持するステップと、
    前記液浸流体の成分で飽和したパージ流体を、前記格納装置を介して運搬するステップとを備えた方法。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006054468A (ja) * 2004-08-13 2006-02-23 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
JP2009164622A (ja) * 2004-12-07 2009-07-23 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
JP2009200494A (ja) * 2008-02-21 2009-09-03 Asml Holding Nv 液浸リソグラフィのリフロ及びバッファシステム
US7771918B2 (en) 2004-06-09 2010-08-10 Panasonic Corporation Semiconductor manufacturing apparatus and pattern formation method
WO2010103822A1 (ja) * 2009-03-10 2010-09-16 株式会社ニコン 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004086470A1 (ja) 2003-03-25 2004-10-07 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
WO2005015315A2 (de) * 2003-07-24 2005-02-17 Carl Zeiss Smt Ag Mikrolithographische projektionsbelichtungsanlage sowie verfahren zum einbringen einer immersionsflüssigkeit in einem immersionsraum
US7924397B2 (en) * 2003-11-06 2011-04-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Anti-corrosion layer on objective lens for liquid immersion lithography applications
DE602005019689D1 (de) * 2004-01-20 2010-04-15 Zeiss Carl Smt Ag Belichtungsvorrichtung und messeinrichtung für eine projektionslinse
US7156925B1 (en) * 2004-11-01 2007-01-02 Advanced Micro Devices, Inc. Using supercritical fluids to clean lenses and monitor defects
WO2006084641A2 (en) 2005-02-10 2006-08-17 Asml Netherlands B.V. Immersion liquid, exposure apparatus, and exposure process
US7378025B2 (en) * 2005-02-22 2008-05-27 Asml Netherlands B.V. Fluid filtration method, fluid filtered thereby, lithographic apparatus and device manufacturing method
US7433016B2 (en) 2005-05-03 2008-10-07 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7652746B2 (en) 2005-06-21 2010-01-26 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2007001848A2 (en) * 2005-06-24 2007-01-04 Sachem, Inc. High refractive index fluids with low absorption for immersion lithography
DE102006021797A1 (de) 2006-05-09 2007-11-15 Carl Zeiss Smt Ag Optische Abbildungseinrichtung mit thermischer Dämpfung
US7866637B2 (en) 2007-01-26 2011-01-11 Asml Netherlands B.V. Humidifying apparatus, lithographic apparatus and humidifying method
US8514365B2 (en) * 2007-06-01 2013-08-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
NL1035908A1 (nl) * 2007-09-25 2009-03-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method.
NL2003392A (en) 2008-09-17 2010-03-18 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and a method of operating the apparatus.
JP2010263072A (ja) * 2009-05-07 2010-11-18 Canon Inc 露光装置、洗浄方法及びデバイス製造方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04305915A (ja) * 1991-04-02 1992-10-28 Nikon Corp 密着型露光装置
JPH10303114A (ja) * 1997-04-23 1998-11-13 Nikon Corp 液浸型露光装置
JPH10340846A (ja) * 1997-06-10 1998-12-22 Nikon Corp 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法
JP2004165666A (ja) * 2002-11-12 2004-06-10 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
JP2005019864A (ja) * 2003-06-27 2005-01-20 Canon Inc 露光装置及び露光方法
WO2005071491A2 (en) * 2004-01-20 2005-08-04 Carl Zeiss Smt Ag Exposure apparatus and measuring device for a projection lens
JP2006019742A (ja) * 2004-07-01 2006-01-19 Interuniv Micro Electronica Centrum Vzw 液浸リソグラフィの方法および装置

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2963537D1 (en) * 1979-07-27 1982-10-07 Tabarelli Werner W Optical lithographic method and apparatus for copying a pattern onto a semiconductor wafer
FR2474708B1 (fr) * 1980-01-24 1987-02-20 Dme Procede de microphotolithographie a haute resolution de traits
JPS63157419A (ja) * 1986-12-22 1988-06-30 Toshiba Corp 微細パタ−ン転写装置
AU1175799A (en) * 1997-11-21 1999-06-15 Nikon Corporation Projection aligner and projection exposure method
EP1420299B1 (en) * 2002-11-12 2011-01-05 ASML Netherlands B.V. Immersion lithographic apparatus and device manufacturing method
EP2495613B1 (en) * 2002-11-12 2013-07-31 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus
WO2004086470A1 (ja) * 2003-03-25 2004-10-07 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
SG10201803122UA (en) * 2003-04-11 2018-06-28 Nikon Corp Immersion lithography apparatus and device manufacturing method
DE10324477A1 (de) * 2003-05-30 2004-12-30 Carl Zeiss Smt Ag Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage
JP2005019742A (ja) 2003-06-26 2005-01-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd 太陽電池
US7460206B2 (en) * 2003-12-19 2008-12-02 Carl Zeiss Smt Ag Projection objective for immersion lithography
US7184123B2 (en) * 2004-03-24 2007-02-27 Asml Netherlands B.V. Lithographic optical system
DE102004018659A1 (de) * 2004-04-13 2005-11-03 Carl Zeiss Smt Ag Abschlussmodul für eine optische Anordnung

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04305915A (ja) * 1991-04-02 1992-10-28 Nikon Corp 密着型露光装置
JPH10303114A (ja) * 1997-04-23 1998-11-13 Nikon Corp 液浸型露光装置
JPH10340846A (ja) * 1997-06-10 1998-12-22 Nikon Corp 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法
JP2004165666A (ja) * 2002-11-12 2004-06-10 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
JP2005019864A (ja) * 2003-06-27 2005-01-20 Canon Inc 露光装置及び露光方法
WO2005071491A2 (en) * 2004-01-20 2005-08-04 Carl Zeiss Smt Ag Exposure apparatus and measuring device for a projection lens
JP2006019742A (ja) * 2004-07-01 2006-01-19 Interuniv Micro Electronica Centrum Vzw 液浸リソグラフィの方法および装置

Cited By (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7771918B2 (en) 2004-06-09 2010-08-10 Panasonic Corporation Semiconductor manufacturing apparatus and pattern formation method
JP2012064982A (ja) * 2004-08-13 2012-03-29 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
US11378893B2 (en) 2004-08-13 2022-07-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method involving a heater
US10838310B2 (en) 2004-08-13 2020-11-17 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method involving a heater
US9268242B2 (en) 2004-08-13 2016-02-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method involving a heater and a temperature sensor
JP2014027308A (ja) * 2004-08-13 2014-02-06 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
JP2006054468A (ja) * 2004-08-13 2006-02-23 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
US10254663B2 (en) 2004-08-13 2019-04-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method involving a heater
US9188880B2 (en) 2004-08-13 2015-11-17 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method involving a heater
JP2009164622A (ja) * 2004-12-07 2009-07-23 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
JP2012094892A (ja) * 2004-12-07 2012-05-17 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
JP2009200494A (ja) * 2008-02-21 2009-09-03 Asml Holding Nv 液浸リソグラフィのリフロ及びバッファシステム
US8451422B2 (en) 2008-02-21 2013-05-28 Asml Netherlands B.V. Re-flow and buffer system for immersion lithography
JP5482784B2 (ja) * 2009-03-10 2014-05-07 株式会社ニコン 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
KR101712219B1 (ko) 2009-03-10 2017-03-03 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법, 및 디바이스 제조 방법
US9753378B2 (en) 2009-03-10 2017-09-05 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US9041902B2 (en) 2009-03-10 2015-05-26 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US10310383B2 (en) 2009-03-10 2019-06-04 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
KR20110137343A (ko) * 2009-03-10 2011-12-22 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법, 및 디바이스 제조 방법
WO2010103822A1 (ja) * 2009-03-10 2010-09-16 株式会社ニコン 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法

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