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JP2008218934A - ヒートシンク付き圧力容器 - Google Patents

ヒートシンク付き圧力容器 Download PDF

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JP2008218934A
JP2008218934A JP2007057942A JP2007057942A JP2008218934A JP 2008218934 A JP2008218934 A JP 2008218934A JP 2007057942 A JP2007057942 A JP 2007057942A JP 2007057942 A JP2007057942 A JP 2007057942A JP 2008218934 A JP2008218934 A JP 2008218934A
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Japan
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heat sink
heat
pressure vessel
peltier element
hermetic seal
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JP2007057942A
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Inventor
Tsuyoshi Kajimoto
剛志 梶本
Koshi Kei
虹之 景
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Yokogawa Electric Corp
Original Assignee
Yokogawa Electric Corp
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Abstract

【課題】圧力容器中のデバイス等の発熱を効率よく放熱するヒートシンク付き圧力容器を実現する。
【解決手段】圧力容器の外表面にヒートシンクが取付けられるヒートシンク付き圧力容器において、前記ヒートシンクの取付面と圧力室を構成する圧力ケースと、前記圧力室内に設けられ前記取付面に放熱面が取付けられたペルチェ素子と、このペルチェ素子の吸熱面に取付けられた発熱電子部品と、前記ヒートシンクの取付面に設けられリードピンを有するハーメチックシールとを具備したことを特徴とするヒートシンク付き圧力容器である。
【選択図】図1

Description

本発明は、ヒートシンクとハーメチックシールを一体型にすることで、圧力容器中のデバイス等の発熱を効率よく放熱するヒートシンク付き圧力容器に関するものである。
ヒートシンク付き圧力容器に関連する先行技術文献としては次のようなものがある。
特開平7−169887号公報 浜松ホトニクス株式会社発行、カタログ,「EM−CCDカメラ C9100−02」、2006年8月発行
図4は従来より一般に使用されている従来例の構成説明図で、(a)は正面図、(b)は平面図である。
図において、真空チャンバーを構成するカバー1とハーメチックシール体2で容器内の真空気密を行い、ハーメチックシール体2の上にCCD冷却用のペルチェ素子3が載り、その上にCCDデバイス4が載る。
それぞれの隙間は接触熱抵抗を下げるためにグリースや接着剤等の熱伝導体で充填して熱伝導の効率を上げている。
ハーメチックシール体2の外表面には、ヒートシンク6が取付けられている。
ハーメチックシール体2には、リードピン7が設けられている。
ハーメチックシール体2は、この場合は、四角形の板状の金属板にリードピン7が低融点ガラスを用いてロウ付けされている。
以上の構成において、ペルチェ素子3の吸熱面がCCDデバイス4の熱を奪って冷却し、放熱面が熱を発生し、熱伝導体5、ハーメチックシール体2、熱伝導体5、ヒートシンク6を通して外部に放熱する。
ハーメチックシールのリードピン7を通してCCDデバイス4と真空チャンバー1の外部との電気的な接続を行い、ハーメチックシール体2と真空チャンバー1の接合部をOリンや接着、ロウ付け、溶接8などで封じている。
またチャンバー1の内部の発熱を逃がすためにヒートシンク6を、半田や溶接、ロウ付け、熱伝導性の接着剤などで接合して放熱を行う。
なお、9は、真空チャンバーのカバー1に設けられた窓ガラスである。
このような装置においては、以下の間題点がある。
一般的にハーメチックシールには、ガラスとなじみの良い金属であるコバールが用いられるが、熱伝導率は約20W/m・Kである。
また、各部品同士の接触面には、接触熱抵抗を下げるために熱伝導体5を接触面に塗布するが、高熱伝導性と言われているグリースが〜10W/m・K、接着剤が〜10W/m・Kと、ヒートシンクの材料である銅(約400W/m・K)やアルミ(約240W/m・K)に比べて圧倒的に熱伝導率が悪い。
現状ではペルチェ素子3の放熱側にはコバール製のハーメチックシール体2が接触しているために熱伝導が悪く、また、熱がペルチェ素子3からヒートシンク6に至る間に部品の接触面が何箇所もあるために、グリースや接着剤などの使用が多い。
そのため放熱系の熱抵抗は高く、ペルチェ素子3の放熱面は大きく温度上昇し、それに準じてペルチェ素子3の冷却面側の温度も上昇するため、結果的にCCDデバイス4の冷却可能な最低温度が上昇することになる。
また、大気中に突き出されているハーメチックシールのリードピン7が障害となるため、ヒートシンク6の占有面積を大きくできず、ハーメチックシール対2とヒートシンク6とが接触できる面積が狭いため、小型のヒートシンクを用いざるを得ない事となり益々放熱能力が低くなる。
本発明の目的は、上記の課題を解決するもので、放熱用のヒートシンクと真空気密用のハーメチックシール体を改良して、発熱電子の電子冷却による発熱をヒートシンクで大気へ放熱するまでの全体の放熱系の熱抵抗を減らし、電子冷却の到達可能な最低温度をより低くするヒートシンク付き圧力容器を提供することにある。
このような課題を達成するために、本発明では、請求項1のヒートシンク付き圧力容器においては、
圧力容器の外表面にヒートシンクが取付けられるヒートシンク付き圧力容器において、前記ヒートシンクの取付面と圧力室を構成する圧力ケースと、前記圧力室内に設けられ前記取付面に放熱面が取付けられたペルチェ素子と、このペルチェ素子の吸熱面に取付けられた発熱電子部品と、前記ヒートシンクの取付面に設けられリードピンを有するハーメチックシールとを具備したことを特徴とする。
本発明の請求項2のヒートシンク付き圧力容器においては、請求項1記載のヒートシンク付き圧力容器において、
前記電子部品と前記ペルチェ素子との間と、前記ペルチェ素子と前記ヒートシンクとの間とに設けられた熱伝導体を具備したことを特徴とする。
本発明の請求項3のヒートシンク付き圧力容器においては、請求項1又は請求項2記載のヒートシンク付き圧力容器において、
前記熱伝導体は、熱伝導性グリースが使用されたことを特徴とする。
本発明の請求項4のヒートシンク付き圧力容器においては、請求項1又は請求項2記載のヒートシンク付き圧力容器において、
前記熱伝導体は、インジウムシートが使用されたことを特徴とする。
本発明の請求項5のヒートシンク付き圧力容器においては、請求項1乃至請求項4の何れかに記載のヒートシンク付き圧力容器において、
前記ヒートシンクに設けられ複数のリードピンを有するハーメチックシールユニットを具備したことを特徴とする。
本発明の請求項6のヒートシンク付き圧力容器においては、請求項1乃至請求項5の何れかに記載のヒートシンク付き圧力容器において、
前記発熱電子部品はCCDデバイスが使用されたことを特徴とする。
本発明の請求項1によれば、次のような効果がある。
ペルチェ素子がヒートシンクに直接接触する構造に変更する事で、接触熱抵抗の生じる箇所が減るため、放熱系の性能が高まり、ヒートシンクの温度上昇を低く抑えることができる。
したがって、放熱性能が向上されたヒートシンク付き圧力容器が得られる。
リードピンを直接ヒートシンクにロウ付けしてハーメチックシールをヒートシンクと一体にできるので、リードピンのスペース以外は放熱のフィンを立てることが出来る。
そのため、従来のように大気側に突き出ているリードピンに囲まれた狭いスペースにヒートシンクの取付けスペースが制限されることなく、放熱能力が向上できるヒートシンク付き圧力容器が得られる。
本発明の請求項2によれば、次のような効果がある。
熱伝導体が電子部品とペルチェ素子との間と、ペルチェ素子とヒートシンクとの間とに設けられたので、更に、放熱能力が向上できるヒートシンク付き圧力容器が得られる。
本発明の請求項3によれば、次のような効果がある。
熱伝導体は、熱伝導性グリースが使用されたので、熱伝導性グリースは密着性が良く、更に、放熱能力が向上できるヒートシンク付き圧力容器が得られる。
本発明の請求項4によれば、次のような効果がある。
熱伝導体は、インジウムシートが使用されたので、インジウムシートは熱伝導性が良く、更に、放熱能力が向上できるヒートシンク付き圧力容器が得られる。
本発明の請求項5によれば、次のような効果がある。
ヒートシンクに設けられ複数のリードピンを有するハーメチックシールユニットが使用されたので、ハーメチックシールが簡便に構成でき、安価なヒートシンク付き圧力容器が得られる。
本発明の請求項6によれば、次のような効果がある。
発熱電子部品はCCDデバイスが使用されたので、高発熱電子部品であるCCDデバイスの放熱性能が向上できるヒートシンク付き圧力容器が得られる。
以下本発明を図面を用いて詳細に説明する。
図1は本発明の一実施例の要部構成説明図で、(a)は正面図、(b)は平面図、図2は図1の要部構成説明図である。
図において、図4と同一記号の構成は同一機能を表す。
以下、図4との相違部分のみ説明する。
図1において、アルミや銅等の熱伝導性の良い材質で作成されたヒートシンク11に孔111を設け、この孔111にリードピン12を低融点ガラス13を用いてロウ付けを行う事で、ヒートシンクとハーメチックシールを一体化する。
ヒートシンク11に直接ペルチェ素子14が載り、その上にCCDデバイス15が載る。
CCDデバイス15とペルチェ素子14の冷却面、ペルチェ素子14の放熱面とヒートシンク11の間は、従来の熱伝導性グリースや接着剤あるいはインジウムシート16(熱伝導率約82W/m・K)を挟む。
以上の構成において、ペルチェ素子14の吸熱面がCCDデバイス15の熱を奪って冷却し、放熱面が熱を発生し、インジウムシート16、ヒートシンク11を通して外部に放熱する。
ヒートシンク11に真空チャンバーのカバー17を取付けることで、ヒートシンク11を真空チャンバーの一隔壁として用いる。
また外部との電気的な接続はロウ付け13されたリードピン12で行う。
なお、18は、真空チャンバーのカバー17に設けられた窓である。
この結果、ペルチェ素子14がヒートシンク11に直接接触する構造に変更する事で、接触熱抵抗の生じる箇所が減るため、放熱系の性能が高まり、ヒートシンク11の温度上昇を低く抑えることができる。
たがって、放熱性能が向上されたヒートシンク付き圧力容器が得られる。
リードピン12を直接ヒートシンク11にロウ付けしてハーメチックシールをヒートシンク11と一体にできるので、リードピン12のスペース以外は放熱のフィンを立てることが出来る。
そのため、従来のように大気側に突き出ているリードピン12に囲まれた狭いスペースにヒートシンク11の取付けスペースが制限されることなく、放熱能力が向上できるヒートシンク付き圧力容器が得られる。
熱伝導体16が電子部品15とペルチェ素子14との間と、ペルチェ素子14とヒートシンク11との間とに設けられたので、更に、放熱能力が向上できるヒートシンク付き圧力容器が得られる。
熱伝導体16は、熱伝導性グリースが使用されれば、熱伝導性グリースは密着性が良く、更に、放熱能力が向上できるヒートシンク付き圧力容器が得られる。
熱伝導体16は、インジウムシートが使用されたので、インジウムシートは熱伝導性が良く、更に、放熱能力が向上できるヒートシンク付き圧力容器が得られる。
発熱電子部品15はCCDデバイスが使用されたので、高発熱電子部品であるCCDデバイスの放熱性能が向上できるヒートシンク付き圧力容器が得られる。
図3は、本発明の他の実施例の要部構成説明図で、(a)は正面図、(b)は平面図である。
図3において、複数のリードピン23を有するハーメチックシールユニット22がヒートシンク21に設けられている。
この結果、ヒートシンク21に設けられ複数のリードピン23を有するハーメチックシールユニット22が使用されたので、ハーメチックシールが簡便に構成でき、安価なヒートシンク付き圧力容器が得られる。
なお、前述の実施例においては、真空容器に付いて、説明したが、これに限ることはなく、例えば、容器内の圧力は正であっても良く、要するに、圧力容器であれば良い。
なお、以上の説明は、本発明の説明および例示を目的として特定の好適な実施例を示したに過ぎない。
したがって本発明は、上記実施例に限定されることなく、その本質から逸脱しない範囲で更に多くの変更、変形をも含むものである。
本発明の一実施例の要部構成説明図である。 図1の要部構成説明図である。 本発明の他の実施例の要部構成説明図である。 従来より一般に使用されている従来例の構成説明図である。
符号の説明
1 カバー
2 ハーメチックシール体
3 ペルチェ素子
4 CCDデバイス
5 熱伝導体
6 ヒートシンク
7 リードピン
8 溶接
9 窓ガラス
11 ヒートシンク
111 孔
12 リードピン
13 低融点ガラス
14 ペルチェ素子
15 CCDデバイス
16 インジウムシート
17 カバー
18 窓ガラス
21 ヒートシンク
22 ハーメチックシールユニット
23 リードピン

Claims (6)

  1. 圧力容器の外表面にヒートシンクが取付けられるヒートシンク付き圧力容器において、
    前記ヒートシンクの取付面と圧力室を構成する圧力ケースと、
    前記圧力室内に設けられ前記取付面に放熱面が取付けられたペルチェ素子と、
    このペルチェ素子の吸熱面に取付けられた発熱電子部品と、
    前記ヒートシンクの取付面に設けられリードピンを有するハーメチックシールと
    を具備したことを特徴とするヒートシンク付き圧力容器。
  2. 前記電子部品と前記ペルチェ素子との間と、前記ペルチェ素子と前記ヒートシンクとの間とに設けられた熱伝導体
    を具備したことを特徴とする請求項1記載のヒートシンク付き圧力容器。
  3. 前記熱伝導体は、熱伝導性グリースが使用されたこと
    を特徴とする請求項1又は請求項2記載のヒートシンク付き圧力容器。
  4. 前記熱伝導体は、インジウムシートが使用されたこと
    を特徴とする請求項1又は請求項2記載のヒートシンク付き圧力容器。
  5. 前記ヒートシンクに設けられ複数のリードピンを有するハーメチックシールユニット
    を具備したことを特徴とする請求項1乃至請求項4の何れかに記載のヒートシンク付き圧力容器。
  6. 前記発熱電子部品はCCDデバイスが使用されたこと
    を特徴とする請求項1乃至請求項5の何れかに記載のヒートシンク付き圧力容器。
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