JP2008211084A - レーザ加工装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】色収差が補正された集束光学系を有するレーザ加工装置を提供する。
【解決手段】希土類元素が添加されたコア部と前記コア部を囲むクラッド部とを有するファイバと、前記ファイバの端面において、前記コア部と前記クラッド部とに融着された第1の端面を有するキャップ部と、前記希土類元素を励起する励起光を放射する励起光源と、前記励起光及び励起された前記希土類元素から放射されたレーザ光を、前記コア部の中心を通る光軸上の結像点に集光する集光レンズと、を備え、前記レーザ光の結像点は前記第1の端面の位置とし、前記励起光の結像点は前記第1の端面とは反対側の前記キャップ部の端面の位置としたことを特徴とするレーザ加工装置が提供される。
【選択図】図1
【解決手段】希土類元素が添加されたコア部と前記コア部を囲むクラッド部とを有するファイバと、前記ファイバの端面において、前記コア部と前記クラッド部とに融着された第1の端面を有するキャップ部と、前記希土類元素を励起する励起光を放射する励起光源と、前記励起光及び励起された前記希土類元素から放射されたレーザ光を、前記コア部の中心を通る光軸上の結像点に集光する集光レンズと、を備え、前記レーザ光の結像点は前記第1の端面の位置とし、前記励起光の結像点は前記第1の端面とは反対側の前記キャップ部の端面の位置としたことを特徴とするレーザ加工装置が提供される。
【選択図】図1
Description
本発明は、レーザ加工装置に関する。
レーザ加工装置にファイバレーザ装置を用いることにより、波長が1μm及び2μm帯の高出力レーザ光による加工が可能となる。この場合、光ファイバの石英コアにはTm(ツリウム)及びYb(イットリビウム)などの希土類元素が添加され、波長が0.8〜1.1μmの励起光により活性化された状態において、1μm及び2μm帯のレーザ光が誘導放出される。
ファイバレーザ装置を備えたレーザ加工装置において、効率よく励起を行うには平行光である励起光をファイバに集光し、使いやすいためにはファイバレーザ装置からのレーザ光を同一の集束光学系により平行光とする必要がある。
しかし、波長が異なる励起光及びレーザ光に対しては光学部品材料の屈折率が異なる。屈折率の波長依存性により生じる収差を「色収差」というが、ファイバレーザ装置においては、集束光学系における色収差を補正し、ファイバ加工に適したビーム品質を得ることが重要である。
レーザ光のビーム品質を最大限に保存したままでの光ファイバによる伝送が可能な、光伝送装置と、それを用いたレーザ光発生・伝送装置及びレーザ加工装置に関する技術開示例がある(特許文献1)。
特開2003−78190号公報
本発明は、色収差が補正された集束光学系を有するレーザ加工装置を提供する。
本発明の一態様によれば、希土類元素が添加されたコア部と前記コア部を囲むクラッド部とを有するファイバと、前記ファイバの端面において、前記コア部と前記クラッド部とに融着された第1の端面を有するキャップ部と、前記希土類元素を励起する励起光を放射する励起光源と、前記励起光及び励起された前記希土類元素から放射されたレーザ光を、前記コア部の中心を通る光軸上の結像点に集光する集光レンズと、を備え、前記レーザ光の結像点は前記第1の端面の位置とし、前記励起光の結像点は前記第1の端面とは反対側の前記キャップ部の端面の位置としたことを特徴とするレーザ加工装置が提供される。
本発明により、色収差が補正された集束光学系を有するレーザ加工装置が提供される。
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について説明する。
図1は、本発明の実施の形態に係るレーザ加工装置を構成するファイバレーザ装置を表し、同図(a)はその集束光学系、同図(b)はA−A線に沿ったファイバの模式断面図である。
光ファイバ増幅媒体(以下、ファイバ28と言う)は、合成石英などからなるキャップ部26の第1の端面P1と融着されている。図示していない半導体レーザ光は伝送用ファイバで伝送され、コリメートレンズにより平行光とされ、ダイクロイックミラー32を介して集光レンズ30に入射する。集光レンズ30により、伝送用ファイバの端面が所定の倍率でキャップ部26の第2の端面P2に結像される。
図1は、本発明の実施の形態に係るレーザ加工装置を構成するファイバレーザ装置を表し、同図(a)はその集束光学系、同図(b)はA−A線に沿ったファイバの模式断面図である。
光ファイバ増幅媒体(以下、ファイバ28と言う)は、合成石英などからなるキャップ部26の第1の端面P1と融着されている。図示していない半導体レーザ光は伝送用ファイバで伝送され、コリメートレンズにより平行光とされ、ダイクロイックミラー32を介して集光レンズ30に入射する。集光レンズ30により、伝送用ファイバの端面が所定の倍率でキャップ部26の第2の端面P2に結像される。
ファイバ28は図1(b)に例示される断面を有しており、希土類元素が添加されたコア部20,コア部20を囲み屈折率がコア部20より低い第1クラッド部22,第1クラッド部22を囲み屈折率が第1クラッド部22より低い第2クラッド部24から構成されている。このような構造は、「ダブルクラッドファイバ」という。
ファイバ28の断面は、例えば、希土類元素を含む合成石英からなるコア部の直径D1が50〜100μm、第1クラッド部22の直径D2が400〜500μm、第2クラッド部24の直径D3が650μmとする。第1クラッド部22は、合成石英からなるキャップ部26と融着するために合成石英であることが好ましい。第2クラッド部24は、例えば樹脂としても良い。なお、図1の集束光学系における光軸5は、コア部20の中心軸を通る。
コア部20は、ツリウム(Tm)、イットリビウム(Yb)などの希土類元素が添加された合成石英からなる。このようにすると、コア部20及び第1クラッド部22が、キャップ部26の第1の端面P1と融着できる。融着工程は、例えば、軸に対して直角に研磨し清浄にした両端面を密着させ、周辺から放電により加熱し部分的に合成石英を溶融して接合する。
次に、キャップ部26に入射した励起光はコア部20及び第1クラッド部22内を伝搬する。コア部20内において、希土類元素は励起光10を吸収し、活性化されて、誘導放出を生じる。この結果、信号光はコア部20の内部で増幅され、屈折率が高いコア部20を伝搬し、ファイバ28と融着されるキャップ部26の第1の端面P1において、コア部20から出射される。
出射されたレーザ光12は、キャップ部26を伝搬し、集光レンズ30により平行光となりダイクロイックミラー32により折り曲げられて、被加工物に照射される。なお、励起光10は、例えば直径10mm程度の平行光、レーザ加工に用いられるレーザ光12は、例えば直径数mmの平行光とする。
ここで、希土類元素をTmとし、励起光の波長を約0.8μmとすると、増幅光の波長は約2μmとできる。また、希土類元素をYbとし,励起光の波長を0.8〜1.1μmとすると、レーザ光の波長を約1.5μmとできる。この場合、ダイクロイックミラー10は、0.8〜1.1μm光を透過させ、1.5〜2μm光を反射させるような波長選択性を持たせる。
また、集光レンズ30は、図1において単レンズで表しているが、単レンズを複数組み合わせたレンズ系とすることができる。この場合、レンズ系を構成する単レンズの材質はすべて同一で、例えば合成石英とする。単レンズではなくレンズ系とすることにより、球面収差、コマ収差、非点収差などの収差を補正するのが容易になる。
次に、本具体例に係るファイバレーザ装置における集束光学系の作用についてより詳細に説明する。
まず、ファイバ28の端面から出射されるレーザ光12は、高ピーク出力である場合が多く、希土類元素が添加されたコア部20の端面が露出していると損傷を受けやすい。この端面損傷を抑制するために少なくともコア部20の端面には合成石英などからなるキャップ部26を設けることが好ましい。
まず、ファイバ28の端面から出射されるレーザ光12は、高ピーク出力である場合が多く、希土類元素が添加されたコア部20の端面が露出していると損傷を受けやすい。この端面損傷を抑制するために少なくともコア部20の端面には合成石英などからなるキャップ部26を設けることが好ましい。
また、励起光10は第1クラッド部22内を伝搬しつつコア部20内の希土類元素に吸収される。キャップ部26の直径を第1クラッド部22の直径D2と略同一とし、励起光10の結像点を光軸5上の第2の端面P2の位置とする。一方、レーザ光12の結像点を光軸5上の第1の端面P1とする。
さらに、合成石英などの同一材料からなるキャップ部26及び集光レンズ30において、波長が0.8〜1.1μmである励起起光10と、波長が1及び2μm帯であるレーザ光12とでは、屈折率が異なり色収差を生じる。
ここで、コア部20の直径D1を50μm、第1クラッド部22の直径D2を500μmとする。またキャップ部26も第1クラッド部22と同一の直径500μmを有する円柱状とする。このような円柱形状であるキャップ部26の第2に端面P2の位置に結像すると励振光10を外部に漏らすことなくキャップ部26に入射させることができる。なお、キャップ部26の断面形状は矩形、楕円などであってもよいが、励起光10が第1クラッド部22内に効率よく伝搬され、ファイバ28との融着を容易にするためには第1クラッド部22と同一断面形状であることが好ましい。
また、コア部20の開口率(NA)を0.2とし、コア部20からのレーザ光がキャップ部26の外周部に当たらずにP2面から出射するために、キャップ部20の厚みTを1.1mm以下とする。また、キャップ部26の第2の端面であるP2と集光レンズ30との距離を作動距離(WD)とする。
図2は、波長2μmのレーザ光が平行に出射されるWDとキャップ部26の厚みTとの関係を表すグラフ図である。
この関係は、光線追跡法によって計算することができる。横軸に表すキャップ厚みT(mm)を増すと、縦軸に表す作動距離WD(mm)は小さくなる。図1において、波長0.8μmの励起光10をキャップ部26の一方の端面P2に結像する場合、WDは9.67mmである。
図2は、波長2μmのレーザ光が平行に出射されるWDとキャップ部26の厚みTとの関係を表すグラフ図である。
この関係は、光線追跡法によって計算することができる。横軸に表すキャップ厚みT(mm)を増すと、縦軸に表す作動距離WD(mm)は小さくなる。図1において、波長0.8μmの励起光10をキャップ部26の一方の端面P2に結像する場合、WDは9.67mmである。
本グラフ図から、WD=9.67mmに対するキャップ部26の厚みTは0.9mmである。このようにすると、平行光である励起光10をP2面の直径D2内の範囲に結像できる。また、P1面においてコア部22から出射された増幅光12は、厚みが0.9mmであるキャップ部26を通り、集光レンズ30に入射され、集光レンズ30を出射後平行光となる。ファイバレーザ装置を製作する場合には、設計値より長いキャップ部26を融着しておき、所定の厚みとなるようにキャップ部26を端面研磨すればよい。
本実施の形態に係る本集束光学系においては、キャップ部26の厚みを図2のように決めることにより、合成石英のような同一材料である集光レンズでも色収差を補正できる。なお、レーザ光と励起光の波長が離れるほど材料分散が大きくなるので、本具体例の効果が大きくなる。
一方、比較例として、集光レンズを材料の異なる、すなわち材料分散が異なる材料からなる単レンズを組み合わせたレンズ系を用いたレーザ加工装置を考える。材料分散が合成石英とは異なる材料、例えばセレン化亜鉛(ZnSe)からなるレンズと、合成石英からなるレンズとを組み合わせたレンズ系とし色収差を補正する。
この場合、平行光である励起光10をP1に結像し、レーザ光12がP2から出射される場合、結像位置の違い及び色収差によりレーザ光12は、通常では平行光とならない。これを材料分散の異なるレンズにより補正して励起光10及びレーザ光12を平行光とする。
しかしながら、色収差補正用の材料は特殊であり、合成石英よりも取り扱いが難しい。また、ZnSeは毒性があるので安全上の配慮が必要である。これに対して、本実施の形態に係るレーザ加工装置の集束光学系は合成石英により構成されるので取り扱い、製造が容易であり安全上の問題はない。
また、キャップ部26が融着され希土類元素が添加されたコア部20がファイバ内部となるので、コア部20に吸収された励起光10による熱が熱伝導によりキャップ部26へ放散され温度上昇を抑制する。この結果、ファイバ端面における光パワー密度を低減でき、端面損傷を抑制できる。
ここで、ファイバレーザ発振器及びファイバレーザ増幅器について説明する。
図3は、本発明の実施の形態に係るレーザ加工装置を構成するファイバレーザ発振器50の全体を表す模式図である。
半導体レーザなどからなる励起光源40からの励起光は、コリメータレンズ42により平行光とされ、ダイクロイックミラー32により折り曲げられ、集光レンズ30によりキャップ部26の第1の端面に結像される。励起光10はファイバ28の一方の端部から入射しても良いが、図3に表したように両端部から入射するとより大きい励起光を入力することができる。
図3は、本発明の実施の形態に係るレーザ加工装置を構成するファイバレーザ発振器50の全体を表す模式図である。
半導体レーザなどからなる励起光源40からの励起光は、コリメータレンズ42により平行光とされ、ダイクロイックミラー32により折り曲げられ、集光レンズ30によりキャップ部26の第1の端面に結像される。励起光10はファイバ28の一方の端部から入射しても良いが、図3に表したように両端部から入射するとより大きい励起光を入力することができる。
ダイクロイックミラー32の外側には、全反射ミラー46及び出力ミラー44が配置され、励起光10により励起される希土類元素のエネルギー準位により決まる波長で発振したレーザ光が、出力ミラー44を介してレーザ加工装置の被加工物へ出力される。
図4は、ファイバレーザ増幅器の全体を表す模式図である。 本具体例においては、ダイクロイックミラー32を介して、信号光11がファイバ28に入射する。信号光11としては、他のファイバレーザ装置からのレーザ光、半導体レーザ光、固体レーザ光などを用いる。励起光によりコア部20に添加された希土類元素が励起され、信号光11が増幅されてダイクロイックミラー32からレーザ加工装置の被加工物へ出力される。なお、信号光11をパルス状とすることにより、レーザ加工に適したパルス高ピーク出力を得ることができる。
次に、ファイバレーザ増幅器またはファイバレーザ発振器を光源としたレーザ加工装置について説明する。
図5は、本実施の形態に係るレーザ加工装置の構成を表す図である。
レーザ加工装置は、図3のファイバレーザ発振器50、加工光学系54、ファイバレーザ発振器50や加工光学系54を制御する制御部52を含む。ファイバレーザ発振器50は、制御部52によりレーザ光の出力が制御される。加工光学系54は、ファイバレーザ発振器50からのレーザ光を加工点近傍に集光し、制御部52によりレーザ光を被加工物56上で走査する。本実施形態においては、キャップ部26からのレーザ光12を集束レンズ30により平行光とでき、集束光学系とは距離的に離れた加工光学系54で使用するのに適している。この結果、目的とする位置に、必要な光出力を、適正な走査速度で照射できる。なお、ファイバレーザ発振器50ではなく、図4のファイバレーザ増幅器を用いることもできる。
図5は、本実施の形態に係るレーザ加工装置の構成を表す図である。
レーザ加工装置は、図3のファイバレーザ発振器50、加工光学系54、ファイバレーザ発振器50や加工光学系54を制御する制御部52を含む。ファイバレーザ発振器50は、制御部52によりレーザ光の出力が制御される。加工光学系54は、ファイバレーザ発振器50からのレーザ光を加工点近傍に集光し、制御部52によりレーザ光を被加工物56上で走査する。本実施形態においては、キャップ部26からのレーザ光12を集束レンズ30により平行光とでき、集束光学系とは距離的に離れた加工光学系54で使用するのに適している。この結果、目的とする位置に、必要な光出力を、適正な走査速度で照射できる。なお、ファイバレーザ発振器50ではなく、図4のファイバレーザ増幅器を用いることもできる。
本実施の形態にかかるレーザ加工装置において、コア部20に添加される希土類元素の種類、励起光源40の波長を選択することによりレーザ光12の波長を1μm帯または2μm帯と変化させることができ、出力を変化させることができる。この結果、加工したい形状に応じて波長及び出力の選択自由度が広がる。
以上、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明はこれらの具体例に限定されない。例えば、レーザ加工装置を構成するファイバ、集光レンズ、励起光源、キャップ部、その他の光学部品などに関して、当業者が設計変更を行ったものであっても、本発明の主旨を逸脱しない限り本発明の範囲に包含される。
5 光軸、10 励起光、11 信号光、12 レーザ光、20 コア部、22 第1クラッド部、26 キャップ部、28 ファイバ、30 集光レンズ、40 励起光源、44 出力ミラー、46 全反射ミラー
Claims (6)
- 希土類元素が添加されたコア部と前記コア部を囲むクラッド部とを有するファイバと、
前記ファイバの端面において、前記コア部と前記クラッド部とに融着された第1の端面を有するキャップ部と、
前記希土類元素を励起する励起光を放射する励起光源と、
前記励起光及び励起された前記希土類元素から放射されたレーザ光を、前記コア部の中心を通る光軸上の結像点に集光する集光レンズと、
を備え、
前記レーザ光の結像点は前記第1の端面の位置とし、前記励起光の結像点は前記第1の端面とは反対側の前記キャップ部の端面の位置としたことを特徴とするレーザ加工装置。 - 前記キャップ部は、前記第1クラッド部と略同一の直径を有する円柱状であることを特徴とする請求項1記載のレーザ加工装置。
- 前記レーザ光は、前記集光レンズから平行光として出射されることを特徴とする請求項2記載のレーザ加工装置。
- 全反射ミラーと、
前記全反射ミラーとの間で光共振器を形成する出力ミラーと、
をさらに備え、
前記レーザ光は、前記光共振器により共振し、前記出力ミラーを介して外部に出射されることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1つに記載のレーザ加工装置。 - 前記ファイバの一方の端面の前記コア部には、前記第2の波長を有する信号光が入射され、
前記信号光は、前記希土類元素により増幅され前記ファイバの他方の端面の前記コア部から外部に出射されることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1つに記載のレーザ加工装置。 - 前記集光レンズは、合成石英であることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1つに記載のレーザ加工装置。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007048016A JP2008211084A (ja) | 2007-02-27 | 2007-02-27 | レーザ加工装置 |
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010047384A1 (ja) * | 2008-10-23 | 2010-04-29 | 住友電気工業株式会社 | レーザ加工方法およびレーザ加工装置 |
| JP2010167433A (ja) * | 2009-01-21 | 2010-08-05 | Omron Corp | レーザ照射装置およびレーザ加工装置 |
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2007
- 2007-02-27 JP JP2007048016A patent/JP2008211084A/ja active Pending
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