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JP2008139067A - Temperature measurement substrate and temperature measurement system - Google Patents

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JP2008139067A
JP2008139067A JP2006323371A JP2006323371A JP2008139067A JP 2008139067 A JP2008139067 A JP 2008139067A JP 2006323371 A JP2006323371 A JP 2006323371A JP 2006323371 A JP2006323371 A JP 2006323371A JP 2008139067 A JP2008139067 A JP 2008139067A
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Japan
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temperature
substrate
temperature measurement
transmission
heat treatment
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Application number
JP2006323371A
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Japanese (ja)
Inventor
Tetsuya Hamada
哲也 濱田
Hiroshi Miyauchi
博 宮内
Kensho Yokono
憲昭 横野
Kenji Kamei
謙治 亀井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Publication date
Application filed by Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd filed Critical Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Abstract

【課題】極めて高い精度にて基板温度を測定できる温度測定システムを提供する。
【解決手段】温度測定用基板TWの基板表面に複数の凹部を彫り込んでそれぞれの内部に検温素子15を接着固定している。送受信部20と各検温素子15とは同軸ケーブル50によって有線接続されており、送受信部20から電気信号を与えて検温素子15に内蔵された水晶振動子を共振させてその周波数を計数し、送受信周波数の変化率から温度測定用基板TWの温度を算出する。凹部11は温度測定用基板TWの厚さのほぼ半分の深さまで彫り込まれており、検温素子15は温度測定用基板TWの厚さ方向中心部近傍の温度を測定することができる。また、検温素子15を取り付けた温度測定用基板TWの重量と通常の処理対象となる基板の重量とが等しくなるように凹部を形設しているため、両者の熱容量はほぼ等しくなり、より精度の高い基板温度測定を実行することが可能となる。
【選択図】図4
A temperature measurement system capable of measuring a substrate temperature with extremely high accuracy is provided.
A plurality of recesses are carved into a substrate surface of a temperature measurement substrate TW, and a temperature measuring element 15 is bonded and fixed inside each of the recesses. The transmission / reception unit 20 and each temperature detecting element 15 are wired by a coaxial cable 50, and an electric signal is given from the transmission / reception unit 20 to resonate a crystal resonator built in the temperature detection element 15, and the frequency is counted. The temperature of the temperature measurement substrate TW is calculated from the frequency change rate. The recess 11 is engraved to a depth that is almost half the thickness of the temperature measurement substrate TW, and the temperature measuring element 15 can measure the temperature in the vicinity of the central portion in the thickness direction of the temperature measurement substrate TW. In addition, since the concave portion is formed so that the weight of the temperature measurement substrate TW with the temperature measuring element 15 and the weight of the substrate to be processed normally become equal, the heat capacities of the two become almost equal, and more accurate. It is possible to perform a high substrate temperature measurement.
[Selection] Figure 4

Description

本発明は、半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等の熱処理を行う熱処理プレートに載置される温度測定用基板およびその温度測定用基板を使用して熱処理プレート上に載置した基板の温度を測定する温度測定システムに関する。   The present invention relates to a temperature measurement substrate placed on a heat treatment plate for heat treatment of a semiconductor substrate, a glass substrate for a liquid crystal display device, a glass substrate for a photomask, a substrate for an optical disk, and the like, and a heat treatment using the temperature measurement substrate The present invention relates to a temperature measurement system that measures the temperature of a substrate placed on a plate.

周知のように、半導体や液晶ディスプレイなどの製品は、上記半導体基板等に対して洗浄、レジスト塗布、露光、現像、エッチング、層間絶縁膜の形成、熱処理、ダイシングなどの一連の諸処理を施すことにより製造されている。これらのうち熱処理は、例えばパターンの露光後、層間絶縁膜の材料であるSOG(Spin on glass)材の塗布後、或いはフォトレジストの塗布後に行われる処理であって、半導体や液晶ディスプレイの製造プロセスに必須の重要な処理工程である。よって、基板の熱処理を行う熱処理ユニットにおいては基板の温度をなるべく正確に測定する必要があり、特許文献1には、基板上に温度センサを設置し、その温度センサと検出データ送信のための送信装置とをケーブルにて接続する装置が開示されている。また、特許文献2には、温度測定用の基板上に温度センサと送信機またはメモリを設ける技術が開示されている。   As is well known, products such as semiconductors and liquid crystal displays are subjected to a series of processes such as cleaning, resist coating, exposure, development, etching, interlayer insulating film formation, heat treatment, and dicing on the semiconductor substrate and the like. It is manufactured by. Among these, the heat treatment is, for example, a process performed after pattern exposure, after application of an SOG (Spin on glass) material that is a material of an interlayer insulating film, or after application of a photoresist. This is an essential processing step. Therefore, it is necessary to measure the temperature of the substrate as accurately as possible in a heat treatment unit that performs heat treatment of the substrate. In Patent Document 1, a temperature sensor is installed on the substrate, and the temperature sensor and transmission for transmitting detection data are performed. An apparatus for connecting the apparatus with a cable is disclosed. Patent Document 2 discloses a technique in which a temperature sensor and a transmitter or a memory are provided on a temperature measurement substrate.

また、特許文献3には、温度測定用の基板上に水晶振動子を取り付け、その水晶振動子を固有振動数にて共振させたときの減衰振動を利用して温度測定を行う技術が提案されている。水晶振動子は耐熱性が高く、しかも感熱精度も高いため、高温の基板であっても精度良く温度測定を行うことができる。   Patent Document 3 proposes a technique for measuring temperature by using a damped vibration when a crystal resonator is mounted on a temperature measurement substrate and the crystal resonator is resonated at a natural frequency. ing. Since the quartz resonator has high heat resistance and high thermal sensitivity, temperature measurement can be performed with high accuracy even on a high-temperature substrate.

特開2002−124457号公報JP 2002-124457 A 特開平11−307606号公報JP-A-11-307606 特開2004−140167号公報JP 2004-140167 A

しかしながら、近年のデザインルール高精度化の進展に伴って、基板の熱処理に対する温度精度の要求も益々厳しいものとなってきている。特に、上述したフォトレジスト塗布後の加熱処理は形成されるレジスト膜の膜厚および膜質に、また化学増幅型レジストを使用した場合における露光後加熱処理はパターンの線幅に直接影響を与えるため、プロセス上要求される温度に正確に基板を加熱することが強く求められている。よって、熱処理時の基板の温度をさらに正確に測定することが課題となっている。   However, with the recent progress of higher precision design rules, the demand for temperature accuracy for heat treatment of substrates has become increasingly severe. In particular, the heat treatment after the photoresist coating described above directly affects the film thickness and film quality of the resist film to be formed, and the post-exposure heat treatment when using a chemically amplified resist directly affects the line width of the pattern. There is a strong demand for accurately heating a substrate to a temperature required in the process. Therefore, it is an issue to more accurately measure the temperature of the substrate during the heat treatment.

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、極めて高い精度にて基板の温度を測定することができる温度測定システムおよびそのシステムに使用される温度測定用基板を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above problems, and an object thereof is to provide a temperature measurement system capable of measuring the temperature of a substrate with extremely high accuracy, and a temperature measurement substrate used in the system. To do.

上記課題を解決するため、請求項1の発明は、処理対象基板の熱処理を行う熱処理プレートに載置される温度測定用基板において、表面に複数の凹部が形設された基板と、前記複数の凹部に嵌着され、水晶振動子を有する複数の検温素子と、を備えることを特徴とする。   In order to solve the above problems, the invention of claim 1 is a temperature measurement substrate placed on a heat treatment plate for performing heat treatment of a substrate to be processed, the substrate having a plurality of recesses formed on a surface thereof, A plurality of temperature measuring elements fitted in the recesses and having a crystal resonator.

また、請求項2の発明は、請求項1の発明に係る温度測定用基板において、前記複数の検温素子が嵌着された状態での重量が処理対象基板と等しくなることを特徴とする。   According to a second aspect of the present invention, in the temperature measurement substrate according to the first aspect of the present invention, the weight in a state where the plurality of temperature detecting elements are fitted is equal to that of the substrate to be processed.

また、請求項3の発明は、熱処理プレート上に載置した基板の温度を測定する温度測定システムにおいて、前記熱処理プレートに載置されている請求項1または請求項2の発明に係る温度測定用基板に搭載されている前記複数の検温素子に電気信号を送信するとともに、前記複数の検温素子のそれぞれからの電気信号を受信する送受信手段と、前記送受信手段にて受信した各検温素子からの電気信号の周波数に基づいて前記温度測定用基板の温度を算出する温度算定手段と、を備えることを特徴とする。   The invention of claim 3 is the temperature measurement system for measuring the temperature of the substrate placed on the heat treatment plate, and is for temperature measurement according to the invention of claim 1 or 2 placed on the heat treatment plate. Transmitting and receiving means for transmitting an electrical signal to each of the plurality of temperature sensing elements mounted on the substrate and receiving an electrical signal from each of the plurality of temperature sensing elements, and electricity from each temperature sensing element received by the transmission and reception means Temperature calculating means for calculating the temperature of the substrate for temperature measurement based on the frequency of the signal.

また、請求項4の発明は、請求項3の発明に係る温度測定システムにおいて、前記複数の検温素子と前記送受信手段とを同軸ケーブルにて接続することを特徴とする。   According to a fourth aspect of the present invention, in the temperature measurement system according to the third aspect of the present invention, the plurality of temperature sensing elements and the transmitting / receiving means are connected by a coaxial cable.

また、請求項5の発明は、請求項4の発明に係る温度測定システムにおいて、前記熱処理プレートの上方を覆うプレートカバーと、前記プレートカバーを昇降する昇降手段と、をさらに備え、前記温度測定用基板の上面に前記複数の検温素子のそれぞれと接続された基板側コネクタを設け、前記プレートカバーの下面に前記送受信手段と接続されたカバー側コネクタを設け、前記昇降手段によって前記プレートカバーが下降したときに前記基板側コネクタと前記カバー側コネクタとが嵌合して前記複数の検温素子と前記送受信手段とが接続されることを特徴とする。   The invention according to claim 5 is the temperature measurement system according to claim 4, further comprising: a plate cover that covers the upper part of the heat treatment plate; and an elevating unit that raises and lowers the plate cover. A board-side connector connected to each of the plurality of temperature sensing elements is provided on the upper surface of the board, a cover-side connector connected to the transmitting / receiving means is provided on the lower surface of the plate cover, and the plate cover is lowered by the elevating means. The board-side connector and the cover-side connector are sometimes fitted to connect the plurality of temperature measuring elements and the transmitting / receiving means.

また、請求項6の発明は、請求項4または請求項5の発明に係る温度測定システムにおいて、前記送受信手段は、前記複数の検温素子に同一周波数の電気信号を送信することを特徴とする。   According to a sixth aspect of the present invention, in the temperature measurement system according to the fourth or fifth aspect of the present invention, the transmission / reception means transmits an electric signal having the same frequency to the plurality of temperature measuring elements.

また、請求項7の発明は、請求項3の発明に係る温度測定システムにおいて、前記熱処理プレートの上方を覆うプレートカバーをさらに備え、前記複数の検温素子は、水晶振動子に接続されたコイルまたはアンテナをさらに備え、前記送受信手段は、前記プレートカバーに設けられた送受信アンテナを介して前記複数の検温素子に送信波を送信するとともに、前記送信波の送信を停止した後に前記検温素子からの電磁波を前記送受信アンテナを介して受信することを特徴とする。   The invention according to claim 7 is the temperature measurement system according to the invention of claim 3, further comprising a plate cover that covers an upper portion of the heat treatment plate, wherein the plurality of temperature measuring elements are coils connected to a crystal resonator, or The antenna further comprises an antenna, wherein the transmission / reception means transmits a transmission wave to the plurality of temperature sensing elements via a transmission / reception antenna provided on the plate cover, and after stopping transmission of the transmission wave, an electromagnetic wave from the temperature sensing element Is received via the transmission / reception antenna.

なお、本明細書において、単に「基板」と記載するときには、温度測定用基板および半導体基板や液晶表示装置用ガラス基板等の通常の処理対象基板の双方を含むものとする。   In this specification, the term “substrate” simply includes both a temperature measurement substrate and a normal processing target substrate such as a semiconductor substrate or a glass substrate for a liquid crystal display device.

請求項1および請求項2の発明によれば、水晶振動子を有する複数の検温素子を基板表面に形設した凹部に嵌着しているため、高精度の測温が可能な水晶振動子にて温度測定用基板の厚さ方向内部の温度を測定することができ、極めて高い精度にて基板の温度を測定することができる。   According to the first and second aspects of the present invention, since the plurality of temperature measuring elements having the crystal resonator are fitted in the concave portions formed on the surface of the substrate, the crystal resonator capable of measuring the temperature with high accuracy is provided. Thus, the temperature inside the thickness measuring substrate can be measured, and the temperature of the substrate can be measured with extremely high accuracy.

また、特に請求項2の発明によれば、複数の検温素子が嵌着された状態での重量が処理対象基板と等しくなるため、温度測定用基板と通常の処理対象基板との熱容量はほぼ等しくなり、その結果温度測定用基板の昇温および降温の挙動は通常の処理対象基板とほぼ同様のものとなり、より精度の高い基板温度測定を実行することが可能となる。   In particular, according to the second aspect of the present invention, since the weight in a state where the plurality of temperature sensing elements are fitted is equal to the substrate to be processed, the heat capacities of the temperature measurement substrate and the normal substrate to be processed are substantially equal. As a result, the temperature rise / fall behavior of the temperature measurement substrate becomes substantially the same as that of a normal substrate to be processed, and it becomes possible to perform more accurate substrate temperature measurement.

また、請求項3から請求項7の発明によれば、熱処理プレートに請求項1または請求項2の発明に係る温度測定用基板を載置して温度測定を行うため、極めて高い精度にて基板の温度を測定することができる。   Further, according to the inventions of claims 3 to 7, since the temperature measurement substrate according to the invention of claim 1 or 2 is placed on the heat treatment plate and the temperature measurement is performed, the substrate with extremely high accuracy. Temperature can be measured.

また、特に請求項4の発明によれば、複数の検温素子と送受信手段とを同軸ケーブルにて有線で接続しているため、確実な基板温度測定を実行することが可能となる。   In particular, according to the invention of claim 4, since the plurality of temperature measuring elements and the transmission / reception means are connected by wire with a coaxial cable, it is possible to perform reliable substrate temperature measurement.

また、特に請求項5の発明によれば、基板側コネクタとカバー側コネクタとが嵌合して複数の検温素子と送受信手段とが接続されるため、確実な検温素子と送受信手段との接続を確立することができる。   In particular, according to the invention of claim 5, since the plurality of temperature sensing elements and the transmission / reception means are connected by the board side connector and the cover side connector being fitted, a reliable connection between the temperature sensing element and the transmission / reception means is achieved. Can be established.

また、特に請求項6の発明によれば、送受信手段が複数の検温素子に同一周波数の電気信号を送信するため、1回の測温に要するサンプリングタイムを短くして単位時間当たりの温度測定回数を多くすることができる。   In particular, according to the invention of claim 6, since the transmission / reception means transmits electric signals having the same frequency to the plurality of temperature measuring elements, the number of times of temperature measurement per unit time is reduced by shortening the sampling time required for one temperature measurement. Can be more.

以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

<1.温度測定用基板>
まず、本発明に係る温度測定用基板について説明する。図1は、検温素子を嵌着していない状態の温度測定用基板TWの平面図である。温度測定用基板TWは、通常の処理対象となる半導体基板と同じ材質にて同様のサイズに形成されており、本実施形態ではシリコンのφ300mmの円盤状基板である。温度測定用基板TWの表面には複数(本実施形態では17個)の凹部11が形設されている。図1に示すように、温度測定用基板TWの中心に1個の凹部11が形設され、半径140mmの円周上に45°間隔で8個の凹部11が形設され、半径280mmの円周上に45°間隔で8個の凹部11が形設されている。複数の凹部11のそれぞれは、略直方体形状である。
<1. Temperature measurement board>
First, the temperature measurement substrate according to the present invention will be described. FIG. 1 is a plan view of the temperature measurement substrate TW in a state where no temperature sensing element is fitted. The temperature measurement substrate TW is formed of the same material as the semiconductor substrate to be processed in the same size, and in this embodiment is a disk-shaped substrate of φ300 mm of silicon. A plurality (17 in this embodiment) of recesses 11 are formed on the surface of the temperature measurement substrate TW. As shown in FIG. 1, one concave portion 11 is formed at the center of the temperature measurement substrate TW, and eight concave portions 11 are formed at intervals of 45 ° on a circumference having a radius of 140 mm, and a circle having a radius of 280 mm. Eight concave portions 11 are formed on the circumference at intervals of 45 °. Each of the plurality of recesses 11 has a substantially rectangular parallelepiped shape.

図2に示すように、複数の凹部11のそれぞれには検温素子15が嵌着される。検温素子15はパッケージ内に水晶振動子18を内蔵して構成されている。水晶は、その結晶から切り出す角度により固有振動数が異なるとともに多種多様の温度特性を有し、それらのうちのいわゆるYsカットのものが温度に対する送受信周波数の変化率が大きい。水晶振動子18にその固有振動数に相当する周波数の電気信号を送信し、送信停止後に水晶振動子18から受信した電気信号の周波数を測定すれば、送受信周波数の変化率に基づいて検温素子15の温度を算定することができる。水晶振動子を使用すれば、測温抵抗体等に比較して非常に高い精度にて温度測定を行うことができる。   As shown in FIG. 2, a temperature detecting element 15 is fitted in each of the plurality of recesses 11. The temperature measuring element 15 is configured by incorporating a crystal resonator 18 in a package. Crystals have different natural frequencies depending on the angle cut from the crystal and have various temperature characteristics, and so-called Ys cuts of them have a large rate of change in transmission / reception frequency with respect to temperature. When an electric signal having a frequency corresponding to the natural frequency is transmitted to the crystal unit 18 and the frequency of the electric signal received from the crystal unit 18 is measured after the transmission is stopped, the temperature detecting element 15 is based on the change rate of the transmission / reception frequency. Temperature can be calculated. If a quartz resonator is used, temperature measurement can be performed with very high accuracy compared to a resistance temperature detector or the like.

複数の凹部11のそれぞれには検温素子15が1個ずつ嵌着される。具体的には、接着剤を使用して検温素子15を凹部11内に接着固定する。接着剤としては、耐熱性を有するとともに、加熱昇温されてもガスをほとんど発生しないもの(例えば、加熱硬化タイプのシリコーン樹脂に銀粉を練り込んだシリコーン系導電性接着剤や熱安定性の高い芳香族ポリイミドをベースにしたポリイミドワニス等)を使用する。また、検温素子15のパッケージとしてはシリコン基板との熱膨張率の差を考慮して弾力性を有する材質を使用するのが好ましい。なお、検温素子15のパッケージには図示を省略する送受信用の電極が設けられている。   One temperature detecting element 15 is fitted in each of the plurality of recesses 11. Specifically, the temperature measuring element 15 is bonded and fixed in the recess 11 using an adhesive. Adhesive has heat resistance and generates almost no gas even when heated to high temperatures (for example, a silicone-based conductive adhesive in which silver powder is kneaded into a heat-curing type silicone resin or has high thermal stability. Use polyimide varnish based on aromatic polyimide). Further, it is preferable to use a material having elasticity in consideration of the difference in coefficient of thermal expansion from the silicon substrate as the package of the temperature measuring element 15. Note that a transmission / reception electrode (not shown) is provided in the package of the temperature measuring element 15.

本実施形態においては、基板表面に単に検温素子15を固着するのではなく、凹部11を彫り込んでその内部に検温素子15を嵌着するようにしている。温度測定用基板TWの厚さは0.72mmであるのに対して、凹部11の深さは0.35mmである。すなわち、温度測定用基板TWの厚さのほぼ半分の深さまで凹部11は彫り込まれている。よって、検温素子15は温度測定用基板TWの厚さ方向の中心部近傍の温度を測定することが可能となり、より高い精度にて基板の温度を測定することができる。   In the present embodiment, the temperature sensing element 15 is not simply fixed to the substrate surface, but the recess 11 is carved and the temperature sensing element 15 is fitted therein. The thickness of the temperature measurement substrate TW is 0.72 mm, while the depth of the recess 11 is 0.35 mm. That is, the recess 11 is engraved to a depth that is almost half the thickness of the temperature measurement substrate TW. Therefore, the temperature measuring element 15 can measure the temperature in the vicinity of the center portion in the thickness direction of the temperature measuring substrate TW, and can measure the temperature of the substrate with higher accuracy.

また、凹部11を彫り込んでそこに検温素子15を接着固定するようにした結果、温度測定用基板TWの重量と通常の処理対象となる半導体基板の重量とが等しくなっている。すなわち、検温素子15と等質量のシリコンを削って凹部11を形設しているのである。このため、温度測定用基板TWと通常の処理対象となる半導体基板との熱容量はほぼ等しくなり、その結果温度測定用基板TWの昇温および降温の挙動は通常の処理対象となる半導体基板とほぼ同様のものとなり、より精度の高い基板温度測定を実行することが可能となる。   Further, as a result of engraving the recess 11 and bonding and fixing the temperature measuring element 15 thereto, the weight of the temperature measuring substrate TW is equal to the weight of the semiconductor substrate to be processed normally. That is, the concave portion 11 is formed by cutting silicon of the same mass as the temperature measuring element 15. For this reason, the heat capacities of the temperature measurement substrate TW and the semiconductor substrate to be processed normally are almost equal, and as a result, the temperature measurement substrate TW has a temperature increase and decrease behavior that is substantially the same as that of the semiconductor substrate to be processed normally. It becomes the same thing, and it becomes possible to perform more accurate substrate temperature measurement.

<2.温度測定システムの第1の例>
次に、上記の温度測定用基板TWを利用した温度測定システムについて説明する。図3は、本発明に係る温度測定システムの全体構成図であり、図4はその要部構成図である。ここでは、温度測定用基板TWを使用して加熱処理ユニット30の熱処理プレート31に載置された基板の温度を測定する。
<2. First Example of Temperature Measurement System>
Next, a temperature measurement system using the temperature measurement substrate TW will be described. FIG. 3 is an overall configuration diagram of a temperature measurement system according to the present invention, and FIG. 4 is an essential configuration diagram thereof. Here, the temperature of the substrate placed on the heat treatment plate 31 of the heat treatment unit 30 is measured using the temperature measurement substrate TW.

加熱処理ユニット30は、図示省略のチャンバーの内側に熱処理プレート31とプレートカバー40とを収容して構成されている。熱処理プレート31は、アルミニウム製の円板であり、抵抗発熱体からなるヒータを内蔵してる。熱処理プレート31の上面にはセラミックス製のプロキシミティボール(図示省略)が例えば3個埋設されている。処理対象となる基板はプロキシミティボールを介して所定のギャップ(例えば、0.1mm)を隔てて熱処理プレート31に載置されて加熱される。   The heat treatment unit 30 is configured by accommodating a heat treatment plate 31 and a plate cover 40 inside a chamber (not shown). The heat treatment plate 31 is an aluminum disk and incorporates a heater made of a resistance heating element. For example, three proximity balls (not shown) made of ceramics are embedded in the upper surface of the heat treatment plate 31. The substrate to be processed is placed on the heat treatment plate 31 through a proximity ball with a predetermined gap (for example, 0.1 mm) and heated.

また、熱処理プレート31の下方にはエアシリンダ32が設けられており、このエアシリンダ32によって複数本(例えば3本)の支持ピン33が一斉に昇降される。支持ピン33の先端部分は、熱処理プレート31に上下方向に穿設された貫通孔に挿通されており、エアシリンダ32が支持ピン33を上昇させたときにはその先端部が熱処理プレート31から上方に突出し、エアシリンダ32が支持ピン33を下降させたときにはその先端部が熱処理プレート31の上面よりも低い位置にまで戻る。これにより、支持ピン33が上昇して基板を熱処理プレート31から持ち上げることと、支持ピン33が下降して基板を熱処理プレート31上に渡すこととが可能となる。   An air cylinder 32 is provided below the heat treatment plate 31, and a plurality of (for example, three) support pins 33 are moved up and down all at once by the air cylinder 32. The front end portion of the support pin 33 is inserted into a through hole formed in the heat treatment plate 31 in the vertical direction. When the air cylinder 32 raises the support pin 33, the front end portion projects upward from the heat treatment plate 31. When the air cylinder 32 lowers the support pin 33, the tip portion returns to a position lower than the upper surface of the heat treatment plate 31. As a result, the support pins 33 can be raised to lift the substrate from the heat treatment plate 31, and the support pins 33 can be lowered to pass the substrate onto the heat treatment plate 31.

プレートカバー40は、熱処理プレート31の上方を覆うように設けられている。図中矢印AR3にて示すように、プレートカバー40は昇降機構41によって、熱処理プレート31から上方に離間した待機位置と熱処理プレート31に近接する処理位置との間で昇降可能とされている。加熱処理ユニット30にて熱処理を行うときには、プレートカバー40が処理位置まで下降する。また、図外の搬送ロボットによって加熱処理ユニット30に対して基板の搬出入を行うときには、プレートカバー40が待機位置まで上昇する。なお、昇降機構41としては、ボールネジを利用したネジ送り機構、ベルトを利用したベルト送り機構、エアシリンダ等の種々の直線駆動機構を採用することができる。   The plate cover 40 is provided so as to cover the upper part of the heat treatment plate 31. As indicated by an arrow AR 3 in the figure, the plate cover 40 can be moved up and down by a lifting mechanism 41 between a standby position spaced upward from the heat treatment plate 31 and a processing position close to the heat treatment plate 31. When heat treatment is performed in the heat treatment unit 30, the plate cover 40 is lowered to the processing position. Further, when the substrate is carried in and out of the heat treatment unit 30 by a transfer robot (not shown), the plate cover 40 is raised to the standby position. As the elevating mechanism 41, various linear drive mechanisms such as a screw feeding mechanism using a ball screw, a belt feeding mechanism using a belt, an air cylinder, and the like can be adopted.

加熱処理ユニット30にて基板温度測定を行うときには、上述の温度測定用基板TWを熱処理プレート31上に載置する。具体的には、搬送ロボットによって又は手動にて温度測定用基板TWを上昇した支持ピン33に載置し、その支持ピン33が下降することによって温度測定用基板TWが熱処理プレート31上に載置される。   When the substrate temperature is measured by the heat treatment unit 30, the above-described temperature measurement substrate TW is placed on the heat treatment plate 31. Specifically, the temperature measurement substrate TW is placed on the raised support pins 33 by the transfer robot or manually, and the support pins 33 are lowered to place the temperature measurement substrate TW on the heat treatment plate 31. Is done.

第1の例の温度測定システムにおいては、温度測定用基板TWの17個の検温素子15のそれぞれと送受信部20とが同軸ケーブル50にて個別に接続(有線接続)されている。同軸ケーブル50としては、耐熱性に優れたフッ素樹脂(例えば、テフロン(登録商標))のシース(最外部の保護被膜)にて被覆したものを使用する。   In the temperature measurement system of the first example, each of the 17 temperature sensing elements 15 of the temperature measurement substrate TW and the transmission / reception unit 20 are individually connected (wired) by the coaxial cable 50. As the coaxial cable 50, a cable covered with a sheath (outermost protective coating) of a fluororesin (for example, Teflon (registered trademark)) excellent in heat resistance is used.

送受信部20は、切替器21、発信器22、受信器23および周波数カウンタ24を備える。切替器21は、各検温素子15の接続器先を発信器22と受信器23との間で切り替える。発信器22は、所定周波数の電気信号を17個の検温素子15の水晶振動子18に発信する。また、受信器23は、17個の検温素子15の水晶振動子18からの電気信号を受信する。受信器23には周波数カウンタ24が接続されており、周波数カウンタ24は受信器23が受信した電気信号の周波数を計数する。   The transmission / reception unit 20 includes a switch 21, a transmitter 22, a receiver 23 and a frequency counter 24. The switch 21 switches the connection destination of each temperature sensing element 15 between the transmitter 22 and the receiver 23. The transmitter 22 transmits an electrical signal having a predetermined frequency to the quartz vibrators 18 of the 17 temperature measuring elements 15. The receiver 23 receives electrical signals from the crystal resonators 18 of the 17 temperature measuring elements 15. A frequency counter 24 is connected to the receiver 23, and the frequency counter 24 counts the frequency of the electrical signal received by the receiver 23.

さらに、周波数カウンタ24には温度算定部29が接続されている。温度算定部29は、周波数カウンタ24によって計数された電気信号の周波数に基づいて温度測定用基板TWの温度を算定する。なお、送受信部20および温度算定部29は、加熱処理ユニット30の一部に組み込むようにしても良いし、加熱処理ユニット30の外部に別体として設けるようにしても良い。加熱処理ユニット30の一部に送受信部20および温度算定部29を組み込んだ場合には、加熱処理ユニット30のコントローラによって送受信部20および温度算定部29を制御すれば良い。また、加熱処理ユニット30の外部に送受信部20および温度算定部29を設けた場合には、別置のコントローラによって送受信部20および温度算定部29を制御すれば良い。   Furthermore, a temperature calculation unit 29 is connected to the frequency counter 24. The temperature calculation unit 29 calculates the temperature of the temperature measurement substrate TW based on the frequency of the electrical signal counted by the frequency counter 24. The transmission / reception unit 20 and the temperature calculation unit 29 may be incorporated in a part of the heat treatment unit 30 or may be provided separately from the heat treatment unit 30. When the transmission / reception unit 20 and the temperature calculation unit 29 are incorporated in a part of the heat treatment unit 30, the transmission / reception unit 20 and the temperature calculation unit 29 may be controlled by the controller of the heat treatment unit 30. Further, when the transmission / reception unit 20 and the temperature calculation unit 29 are provided outside the heat treatment unit 30, the transmission / reception unit 20 and the temperature calculation unit 29 may be controlled by a separate controller.

温度測定用基板TWを熱処理プレート31上に載置して温度測定を行うときには、まず、切替器21が発信器22側に切り替えられ、複数の検温素子15のそれぞれと発信器22とが同軸ケーブル50を介して個別に接続される。次に、温度測定用基板TWに設けられた17個の検温素子15の水晶振動子18の固有振動数に相当する周波数の電気信号を発信器22から発信する。発信した電気信号の周波数については発信器22から温度算定部29にも伝達される。なお、有線接続にて構成される第1の例の温度測定システムにおいては、17個の水晶振動子18の固有振動数をほぼ同じ周波数帯としている。よって、発信器22は複数の検温素子15に同一周波数の電気信号を一斉に送信することができる。   When the temperature measurement substrate TW is placed on the heat treatment plate 31 and temperature measurement is performed, first, the switch 21 is switched to the transmitter 22 side, and each of the plurality of temperature measuring elements 15 and the transmitter 22 are connected to the coaxial cable. 50 and connected individually. Next, an electrical signal having a frequency corresponding to the natural frequency of the quartz vibrator 18 of the 17 temperature sensing elements 15 provided on the temperature measurement substrate TW is transmitted from the transmitter 22. The frequency of the transmitted electrical signal is also transmitted from the transmitter 22 to the temperature calculation unit 29. In the temperature measurement system of the first example configured by wired connection, the natural frequencies of the 17 crystal resonators 18 are set to substantially the same frequency band. Therefore, the transmitter 22 can simultaneously transmit electric signals having the same frequency to the plurality of temperature measuring elements 15.

発信器22から発信された電気信号は同軸ケーブル50を経由して17個の検温素子15のそれぞれに個別に一斉に送信される。その結果、17個の検温素子15が有する水晶振動子18がほぼ同じタイミングにて共振する。続いて、発信器22の発信が停止されて電気信号の送信が停止されるとともに、切替器21が受信器23側に切り替えられる。   The electrical signals transmitted from the transmitter 22 are transmitted individually and simultaneously to each of the 17 temperature measuring elements 15 via the coaxial cable 50. As a result, the crystal resonators 18 included in the 17 temperature measuring elements 15 resonate at substantially the same timing. Subsequently, the transmission of the transmitter 22 is stopped, the transmission of the electrical signal is stopped, and the switch 21 is switched to the receiver 23 side.

電気信号の送信が停止されることによって、上記共振した17個の水晶振動子18は温度測定用基板TWの温度(正確にはその水晶振動子18が取り付けられた位置における温度)に応じた周波数で減衰振動する。この減衰振動に起因した電気信号が水晶振動子18から発信されることとなる。17個の水晶振動子18のそれぞれから発信された電気信号は個別にほぼ同じタイミングにて受信器23によって受信される。周波数カウンタ24は、受信器23が受信した17個の水晶振動子18からの電気信号の周波数を個別に計数し、その計数値を温度算定部29に伝達する。温度算定部29は、周波数カウンタ24にて計数された電気信号の周波数および発信器22から伝達された送信した電気信号の周波数に基づいて、送受信周波数の変化率を算定し、その変化率から17個の水晶振動子18が取り付けられた位置における温度測定用基板TWの温度を個別に算出する。   When the transmission of the electrical signal is stopped, the 17 resonated crystal oscillators 18 have a frequency corresponding to the temperature of the temperature measurement substrate TW (more precisely, the temperature at the position where the crystal oscillator 18 is attached). Oscillates with damping. An electric signal resulting from this damped vibration is transmitted from the crystal resonator 18. The electric signals transmitted from each of the 17 crystal resonators 18 are individually received by the receiver 23 at substantially the same timing. The frequency counter 24 individually counts the frequencies of the electrical signals from the 17 crystal resonators 18 received by the receiver 23 and transmits the count value to the temperature calculation unit 29. The temperature calculation unit 29 calculates the change rate of the transmission / reception frequency based on the frequency of the electrical signal counted by the frequency counter 24 and the frequency of the transmitted electrical signal transmitted from the transmitter 22, and calculates 17 from the change rate. The temperature of the temperature measurement substrate TW at the position where the crystal resonators 18 are attached is calculated individually.

以上のようにすれば、温度測定用基板TWを使用して熱処理プレート31上に載置した基板の温度を測定することができる。上述したように、温度測定用基板TWにおいては、基板表面に複数の凹部11を彫り込んでそれぞれの内部に検温素子15を嵌着するようにしているため、高精度の測温が可能な水晶振動子18にて温度測定用基板TWの厚さ方向の中心部近傍の温度を測定することとなり、極めて高い精度にて基板の温度を測定することができる。   If it carries out as mentioned above, the temperature of the board | substrate mounted on the heat processing plate 31 can be measured using the board | substrate TW for temperature measurement. As described above, in the temperature measurement substrate TW, the plurality of recesses 11 are engraved on the substrate surface, and the temperature measuring element 15 is fitted inside each of them, so that the crystal vibration capable of high-precision temperature measurement. The temperature near the central portion of the temperature measuring substrate TW in the thickness direction is measured by the element 18, and the temperature of the substrate can be measured with extremely high accuracy.

しかも、凹部11を彫り込んでそこに検温素子15を嵌着するようにした結果、温度測定用基板TWと通常の処理対象となる半導体基板との熱容量はほぼ等しくなり、熱処理プレート31上に載置されてからの温度測定用基板TWの温度変化挙動は通常の処理対象となる半導体基板のそれとほぼ等しい。よって、熱処理プレート31上に載置されて処理対象となる基板の温度をより高い精度にて測定することができる。   In addition, as a result of engraving the recess 11 and fitting the temperature measuring element 15 there, the heat capacity of the temperature measurement substrate TW and the semiconductor substrate to be processed normally become substantially equal, and is placed on the heat treatment plate 31. Since then, the temperature change behavior of the temperature measurement substrate TW is substantially the same as that of a semiconductor substrate to be processed normally. Therefore, the temperature of the substrate placed on the heat treatment plate 31 and to be processed can be measured with higher accuracy.

また、第1の例の温度測定システムにおいては、温度測定用基板TWの17個の検温素子15のそれぞれと送受信部20とが同軸ケーブル50を介して有線で個別に接続されている。このため、電気信号の送受信を確実なものとすることができるだけでなく、17個の検温素子15の水晶振動子18に対して同一周波数の電気信号を一斉に送信し、それらからの電気信号の受信をほぼ同じタイミングにて行うことができ、その結果1回の測温に要するサンプリングタイムを短くして単位時間当たりの温度測定回数を多くすることができる(例えば、毎秒1回程度)。従って、基板の温度測定の精度をさらに高いものとすることができる。   In the temperature measurement system of the first example, each of the 17 temperature measuring elements 15 of the temperature measurement substrate TW and the transmission / reception unit 20 are individually connected via a coaxial cable 50 in a wired manner. For this reason, not only transmission / reception of electric signals can be ensured, but also electric signals of the same frequency are simultaneously transmitted to the crystal resonators 18 of the seventeen temperature sensing elements 15, and the electric signals from them are transmitted. Reception can be performed at substantially the same timing, and as a result, the sampling time required for one temperature measurement can be shortened to increase the number of temperature measurements per unit time (for example, about once per second). Therefore, the accuracy of the temperature measurement of the substrate can be further increased.

<3.温度測定システムの第2の例>
次に、温度測定用基板TWを利用した温度測定システムの第2の例について説明する。図5は、第2の例の温度測定システムの全体構成図であり、図6はその要部構成図である。第2の例においても、温度測定用基板TWを使用して加熱処理ユニット30の熱処理プレート31に載置された基板の温度を測定する。第2の例が第1の例と相違するのは、送受信部20と検温素子15との接続態様であり、残余の点については第1の例と同様であるため、第1の例と共通の部材については図3,4と同じ符合を図5,図6に付している。
<3. Second Example of Temperature Measurement System>
Next, a second example of the temperature measurement system using the temperature measurement substrate TW will be described. FIG. 5 is an overall configuration diagram of the temperature measurement system of the second example, and FIG. 6 is an essential configuration diagram thereof. Also in the second example, the temperature of the substrate placed on the heat treatment plate 31 of the heat treatment unit 30 is measured using the temperature measurement substrate TW. The second example is different from the first example in the connection mode between the transmission / reception unit 20 and the temperature measuring element 15, and the remaining points are the same as those in the first example, and thus common to the first example. The same reference numerals as those in FIGS. 3 and 4 are given to the members in FIGS. 5 and 6.

第2の例の温度測定システムにおいては、温度測定用基板TWの上面(表面)に基板側コネクタ12が固設されている。基板側コネクタ12には、17組の端子(1組の端子は2接点で構成される)が上側に向けて並設されている。17組の端子のそれぞれは17個の検温素子15と1対1で接続される。基板側コネクタ12の端子と検温素子15との接続には上記と同様のフッ素樹脂にて被覆した同軸ケーブルを使用すれば良い。   In the temperature measurement system of the second example, the board-side connector 12 is fixed on the upper surface (front surface) of the temperature measurement board TW. The board-side connector 12 has 17 sets of terminals (one set of terminals is composed of two contacts) arranged in parallel upward. Each of the 17 sets of terminals is connected to 17 temperature sensing elements 15 on a one-to-one basis. A coaxial cable covered with the same fluororesin as described above may be used for connection between the terminals of the board-side connector 12 and the temperature detecting element 15.

一方、プレートカバー40の下面側にはカバー側コネクタ42が固設されている。カバー側コネクタ42にも17組の端子が下側に向けて並設されている。カバー側コネクタ42の17組の端子のそれぞれは送受信部20と個別に接続されている。   On the other hand, a cover-side connector 42 is fixed on the lower surface side of the plate cover 40. The cover-side connector 42 is also provided with 17 sets of terminals facing downward. Each of the 17 sets of terminals of the cover-side connector 42 is individually connected to the transmission / reception unit 20.

昇降機構41がプレートカバー40を下降したときには基板側コネクタ12とカバー側コネクタ42とが嵌合し、両コネクタの17組の端子間に接続が確立される。その結果、温度測定用基板TWの17個の検温素子15のそれぞれと送受信部20とが基板側コネクタ12およびカバー側コネクタ42を介して個別に接続(有線接続)されることとなる。なお、昇降機構41がプレートカバー40を上昇させると、基板側コネクタ12とカバー側コネクタ42とが離間し、検温素子15と送受信部20との接続が遮断される。   When the elevating mechanism 41 descends the plate cover 40, the board-side connector 12 and the cover-side connector 42 are fitted, and a connection is established between the 17 sets of terminals of both connectors. As a result, each of the 17 temperature measuring elements 15 of the temperature measurement board TW and the transmitting / receiving unit 20 are individually connected (wired) via the board side connector 12 and the cover side connector 42. In addition, when the raising / lowering mechanism 41 raises the plate cover 40, the board | substrate side connector 12 and the cover side connector 42 will space apart, and the connection of the temperature sensing element 15 and the transmission / reception part 20 will be interrupted | blocked.

第2の例の温度測定システムにおいて温度測定を行うときには、まず、温度測定用基板TWを熱処理プレート31上に載置した後に、昇降機構41がプレートカバー40を下降することによって温度測定用基板TWの17個の検温素子15のそれぞれと送受信部20との接続を確立する。その後の測温手法は上述した第1の例と同じであり、17個の検温素子15の水晶振動子18に個別に電気信号を送信し、その送信停止後に17個の水晶振動子18からの電気信号を受信し、温度算定部29が送受信周波数の変化率を算定し、その変化率から17個の水晶振動子18が取り付けられた位置における温度測定用基板TWの温度を個別に算出する。   When temperature measurement is performed in the temperature measurement system of the second example, first, after the temperature measurement substrate TW is placed on the heat treatment plate 31, the elevating mechanism 41 lowers the plate cover 40 to lower the temperature measurement substrate TW. Each of the 17 temperature measuring elements 15 is connected to the transmission / reception unit 20. The subsequent temperature measurement method is the same as that of the first example described above, and an electric signal is individually transmitted to the crystal resonators 18 of the 17 temperature measuring elements 15, and after the transmission is stopped, the signals from the 17 crystal resonators 18 are transmitted. The temperature calculation unit 29 receives the electrical signal, calculates the change rate of the transmission / reception frequency, and individually calculates the temperature of the temperature measurement substrate TW at the position where the 17 crystal resonators 18 are attached from the change rate.

このようにしても、上記第1の例と同様の効果を得ることができ、極めて高い精度にて基板の温度を測定することができる。特に、第2の例のようにすれば、プレートカバー40を下降することによって検温素子15と送受信部20との接続が確立されるため、配線の取り回しが簡素化される。   Even if it does in this way, the effect similar to the said 1st example can be acquired, and the temperature of a board | substrate can be measured with a very high precision. In particular, according to the second example, since the connection between the temperature measuring element 15 and the transmission / reception unit 20 is established by lowering the plate cover 40, wiring is simplified.

<4.温度測定システムの第3の例>
次に、温度測定用基板TWを利用した温度測定システムの第3の例について説明する。上記の第1および第2の例では、送受信部20と検温素子15とを有線にて接続していたが、第3の例では無線接続としている。
<4. Third Example of Temperature Measurement System>
Next, a third example of the temperature measurement system using the temperature measurement substrate TW will be described. In the above first and second examples, the transmission / reception unit 20 and the temperature detecting element 15 are connected by wire, but in the third example, wireless connection is used.

図7は、第3の例で使用される検温素子15の斜視図である。検温素子15がパッケージ内に水晶振動子18を内蔵して構成されている点は上記第1および第2の例と同じであるが、第3の例では水晶振動子18にコイル19が接続されている。また、温度測定用基板TWに取り付けられている17個の水晶振動子18は切り出し角度によって固有振動数が互いに異なっている。温度測定用基板TWに17個の凹部11を形成する態様は第1および第2の例と同じである。そして、第3の例ではコイル19を取り付けた検温素子15が第1および第2の例と同様に温度測定用基板TWの凹部11に嵌着される。なお、温度測定用基板TWが熱処理プレート31に載置された状態でコイル19の軸心が鉛直方向を向くように構成される。また、コイル19に代えて種々の構成のアンテナを水晶振動子18に接続するようにしてもよい。   FIG. 7 is a perspective view of the temperature measuring element 15 used in the third example. The temperature measuring element 15 is the same as the first and second examples in that the crystal resonator 18 is built in the package. However, in the third example, a coil 19 is connected to the crystal resonator 18. ing. The 17 crystal resonators 18 attached to the temperature measurement substrate TW have different natural frequencies depending on the cut-out angle. A mode in which the 17 concave portions 11 are formed in the temperature measurement substrate TW is the same as in the first and second examples. In the third example, the temperature measuring element 15 to which the coil 19 is attached is fitted into the concave portion 11 of the temperature measurement substrate TW, as in the first and second examples. Note that the axis of the coil 19 is configured to face the vertical direction in a state where the temperature measurement substrate TW is placed on the heat treatment plate 31. Further, instead of the coil 19, an antenna having various configurations may be connected to the crystal unit 18.

図8は、第3の例の温度測定システムの全体構成図であり、図9はその要部構成図である。第3の例においても、温度測定用基板TWを使用して加熱処理ユニット30の熱処理プレート31に載置された基板の温度を測定する。なお、図8および図9において、第1の例と共通の部材については図3,図4と同じ符合を付している。   FIG. 8 is an overall configuration diagram of the temperature measurement system of the third example, and FIG. 9 is an essential configuration diagram thereof. Also in the third example, the temperature of the substrate placed on the heat treatment plate 31 of the heat treatment unit 30 is measured using the temperature measurement substrate TW. 8 and 9, members common to the first example are denoted by the same reference numerals as those in FIGS. 3 and 4.

第3の例の温度測定システムにおいては、水晶振動子18にコイル19が接続された検温素子15が温度測定用基板TWに嵌着され、その温度測定用基板TWが熱処理プレート31上に載置される。各検温素子15には1つのコイル19が付設されており、温度測定用基板TWには17個のコイル19が設けられている。これに対応してプレートカバー40の下面側には17個のセンサーコイル45が取り付けられている。センサーコイル45は、17個の検温素子15のそれぞれの上方に設けられており、各検温素子15のコイル19に対する送受信アンテナとして機能するものである。17個のセンサーコイル45のそれぞれは送受信部20と個別に接続されている。   In the temperature measurement system of the third example, the temperature measuring element 15 having the coil 19 connected to the crystal resonator 18 is fitted to the temperature measurement substrate TW, and the temperature measurement substrate TW is placed on the heat treatment plate 31. Is done. Each temperature detecting element 15 is provided with one coil 19, and the temperature measuring substrate TW is provided with 17 coils 19. Correspondingly, 17 sensor coils 45 are attached to the lower surface side of the plate cover 40. The sensor coil 45 is provided above each of the 17 temperature sensing elements 15 and functions as a transmission / reception antenna for the coil 19 of each temperature sensing element 15. Each of the 17 sensor coils 45 is individually connected to the transmission / reception unit 20.

熱処理プレート31上に温度測定用基板TWを載置するとともに昇降機構41がプレートカバー40を下降すると、17個の検温素子15と17個のセンサーコイル45とが1対1で相対向し、検温素子15のそれぞれと送受信部20とがセンサーコイル45を介して個別に接続(無線接続)されることとなる。なお、プレートカバー40が下降しても、検温素子15とセンサーコイル45とは非接触である。   When the temperature measurement substrate TW is placed on the heat treatment plate 31 and the elevating mechanism 41 lowers the plate cover 40, the 17 temperature measuring elements 15 and the 17 sensor coils 45 face each other in a one-to-one relationship. Each of the elements 15 and the transmission / reception unit 20 are individually connected (wireless connection) via the sensor coil 45. Even when the plate cover 40 is lowered, the temperature detecting element 15 and the sensor coil 45 are not in contact with each other.

第3の例の温度測定システムにおいて温度測定を行うときには、まず上記と同様に、温度測定用基板TWを熱処理プレート31上に載置した後に、昇降機構41がプレートカバー40を下降する。次に、切替器21が発信器22側に切り替えられ、複数のセンサーコイル45のそれぞれと発信器22とが接続される。続いて、温度測定用基板TWに取り付けられた17個の検温素子15の水晶振動子18のうちの1つの水晶振動子18の固有振動数に相当する周波数f1の送信波を発信器22から発信する。発信した送信波の周波数(ここではf1)については発信器22から温度算定部89にも電気信号として伝達される。なお、無線接続にて構成される第3の例の温度測定システムにおいては、上述のように17個の水晶振動子18の固有振動数が互いに異なっている。 When temperature measurement is performed in the temperature measurement system of the third example, first, similarly to the above, after the temperature measurement substrate TW is placed on the heat treatment plate 31, the elevating mechanism 41 lowers the plate cover 40. Next, the switch 21 is switched to the transmitter 22 side, and each of the plurality of sensor coils 45 and the transmitter 22 are connected. Subsequently, a transmission wave having a frequency f 1 corresponding to the natural frequency of one of the quartz crystal resonators 18 of the seventeen temperature sensing elements 15 attached to the temperature measurement substrate TW is transmitted from the transmitter 22. send. The frequency of the transmitted wave (here, f 1 ) is transmitted from the transmitter 22 to the temperature calculation unit 89 as an electrical signal. In the temperature measurement system of the third example configured by wireless connection, the natural frequencies of the 17 crystal resonators 18 are different from each other as described above.

発信器22からの送信波はセンサーコイル45から温度測定用基板TW上面に取り付けられた検温素子15に向けて送信される。このときには、送信波の周波数に対応する固有振動数を有する水晶振動子18の上方のセンサーコイル45を選択するようにしてそのセンサーコイル45のみから送信するようにしても良い。センサーコイル45から周波数f1の送信波を送信した結果、その送信波は検温素子15のコイル19によって受信されて電気信号に変換され、17個の検温素子15が有する水晶振動子18のうち周波数f1に対応する固有振動数を有する水晶振動子18が周波数f1にて共振する。続いて、発信器22の発信を停止して送信波の送信を停止するとともに、切替器21が受信器23側に切り替えられる。 A transmission wave from the transmitter 22 is transmitted from the sensor coil 45 toward the temperature measuring element 15 attached to the upper surface of the temperature measurement substrate TW. At this time, the sensor coil 45 above the crystal resonator 18 having the natural frequency corresponding to the frequency of the transmission wave may be selected and transmitted from only the sensor coil 45. As a result of transmitting the transmission wave having the frequency f 1 from the sensor coil 45, the transmission wave is received by the coil 19 of the temperature sensing element 15 and converted into an electrical signal, and the frequency of the crystal resonators 18 included in the 17 temperature sensing elements 15. quartz oscillator 18 having a natural frequency corresponding to f 1 resonates at a frequency f 1. Subsequently, the transmission of the transmitter 22 is stopped to stop transmission of the transmission wave, and the switch 21 is switched to the receiver 23 side.

送信波が送信停止されることによって、上記共振した水晶振動子18は温度測定用基板TWの温度(正確にはその水晶振動子18が取り付けられた位置における温度)に応じた周波数で減衰振動する。この減衰振動に起因した電気信号がコイル19を介して電磁波として放出される。周波数f1にて共振した水晶振動子18を有する検温素子15のコイル19から放出された電磁波はセンサーコイル45によって受信されて電気信号として受信器23に伝達される。周波数カウンタ24は、受信器23に入力された電気信号の周波数を計数し、その計数値を温度算定部29に伝達する。温度算定部29は、周波数カウンタ24にて計数された電気信号の周波数(つまり水晶振動子18から受信した電磁波の周波数)および発信器22から伝達された送信波の周波数に基づいて、送受信周波数の変化率を算定し、その変化率から上記水晶振動子18(周波数f1にて共振した水晶振動子18)が取り付けられた位置における温度測定用基板TWの温度を算出する。なお、センサーコイル45が受信した電磁波から発信した送信波に対応する周波数を中心とした所定帯域の電磁波を弁別する周波数弁別器を設けるようにしても良い。 When the transmission wave is stopped, the resonated crystal resonator 18 dampens at a frequency corresponding to the temperature of the temperature measurement substrate TW (more precisely, the temperature at the position where the crystal resonator 18 is attached). . An electric signal resulting from this damped vibration is emitted as an electromagnetic wave through the coil 19. The electromagnetic wave emitted from the coil 19 of the temperature measuring element 15 having the crystal resonator 18 resonated at the frequency f 1 is received by the sensor coil 45 and transmitted to the receiver 23 as an electric signal. The frequency counter 24 counts the frequency of the electrical signal input to the receiver 23 and transmits the count value to the temperature calculation unit 29. Based on the frequency of the electrical signal counted by the frequency counter 24 (that is, the frequency of the electromagnetic wave received from the crystal resonator 18) and the frequency of the transmission wave transmitted from the transmitter 22, the temperature calculation unit 29 determines the transmission / reception frequency. The change rate is calculated, and the temperature of the temperature measurement substrate TW at the position where the crystal resonator 18 (the crystal resonator 18 resonated at the frequency f 1 ) is attached is calculated from the change rate. A frequency discriminator for discriminating electromagnetic waves in a predetermined band centered on the frequency corresponding to the transmission wave transmitted from the electromagnetic waves received by the sensor coil 45 may be provided.

次に、切替器21が再び発信器22側に切り替えられ、複数のセンサーコイル45のそれぞれと発信器22とが接続される。そして、温度測定用基板TWに取り付けられた17個の水晶振動子18のうちの上記とは異なる他の1つの水晶振動子18の固有振動数に相当する周波数f2の送信波を発信器22から発信する。この送信波もセンサーコイル45から温度測定用基板TW上面に取り付けられた検温素子15に送信される。その結果、周波数f2に対応する固有振動数を有する水晶振動子18が周波数f2にて共振する。続いて、発信器22の発信を停止して送信波の送信を停止するとともに、切替器21が受信器23側に再度切り替えられる。 Next, the switch 21 is switched again to the transmitter 22 side, and each of the plurality of sensor coils 45 and the transmitter 22 are connected. The transmitter 22 transmits a transmission wave having a frequency f 2 corresponding to the natural frequency of one of the 17 crystal resonators 18 attached to the temperature measurement substrate TW, which is different from the above. Call from. This transmission wave is also transmitted from the sensor coil 45 to the temperature measuring element 15 attached to the upper surface of the temperature measurement substrate TW. As a result, a crystal oscillator 18 having a natural frequency corresponding to the frequency f 2 resonates at the frequency f 2. Subsequently, the transmission of the transmitter 22 is stopped to stop transmission of the transmission wave, and the switcher 21 is switched again to the receiver 23 side.

送信波の送信停止後に、周波数f2にて共振した水晶振動子18を有する検温素子15のコイル19から放出された電磁波がセンサーコイル45によって受信されて電気信号として受信器23に伝達される。周波数カウンタ24は、その電気信号の周波数を計数し、計数値を温度算定部29に伝達する。温度算定部29は、周波数カウンタ24にて計数された電気信号の周波数(つまり水晶振動子18から受信した電磁波の周波数)および発信器22から伝達された送信波の周波数に基づいて、送受信周波数の変化率を算定し、その変化率から上記水晶振動子18(周波数f2にて共振した水晶振動子18)が取り付けられた位置における温度測定用基板TWの温度を算出する。 After the transmission of the transmission wave is stopped, the electromagnetic wave emitted from the coil 19 of the temperature measuring element 15 having the crystal resonator 18 resonated at the frequency f 2 is received by the sensor coil 45 and transmitted to the receiver 23 as an electric signal. The frequency counter 24 counts the frequency of the electrical signal and transmits the count value to the temperature calculation unit 29. Based on the frequency of the electrical signal counted by the frequency counter 24 (that is, the frequency of the electromagnetic wave received from the crystal resonator 18) and the frequency of the transmission wave transmitted from the transmitter 22, the temperature calculation unit 29 determines the transmission / reception frequency. The change rate is calculated, and the temperature of the temperature measurement substrate TW at the position where the crystal resonator 18 (the crystal resonator 18 resonated at the frequency f 2 ) is attached is calculated from the change rate.

以降、同様の手順が繰り返されて、17個の検温素子15のそれぞれが取り付けられた位置における温度測定用基板TWの温度が順次に測定される。すなわち、温度測定用基板TWに取り付けられた17個の水晶振動子18のそれぞれの固有振動数に相当する周波数(f1,f2,f3,・・・,f17)の送信波をセンサーコイル45から順次に検温素子15に向けて送信することによって当該周波数に対応する固有振動数を有する水晶振動子18を共振させ、その送信波の送信を停止した後に共振した水晶振動子18を有する検温素子15から放出された電磁波をセンサーコイル45にて受信し、その受信した電磁波の周波数および送信波の周波数に基づいて温度測定用基板TWの17箇所(検温素子15が取り付けられた箇所)における温度測定を行っている。その結果、上記第1および第2の例と同じように、17個の水晶振動子18が取り付けられた位置における温度測定用基板TWの温度を個別に算出することができる。 Thereafter, the same procedure is repeated, and the temperature of the temperature measurement substrate TW at the position where each of the 17 temperature measuring elements 15 is attached is sequentially measured. That is, the transmission waves having the frequencies (f 1 , f 2 , f 3 ,..., F 17 ) corresponding to the natural frequencies of the 17 crystal resonators 18 attached to the temperature measurement substrate TW are detected by the sensor. The quartz crystal 18 having a natural frequency corresponding to the frequency is resonated by sequentially transmitting the coil 45 toward the temperature measuring element 15, and after the transmission of the transmission wave is stopped, the crystal resonator 18 is resonated. The electromagnetic wave emitted from the temperature measuring element 15 is received by the sensor coil 45, and the temperature measurement substrate TW at 17 points (where the temperature detecting element 15 is attached) based on the received electromagnetic wave frequency and the transmitted wave frequency. Measuring temperature. As a result, similarly to the first and second examples, the temperature of the temperature measurement substrate TW at the position where the 17 crystal resonators 18 are attached can be calculated individually.

以上のようにしても、第1および第2の例と同様に、温度測定用基板TWを使用して熱処理プレート31上に載置した基板の温度を測定することができる。温度測定用基板TWの基板表面に複数の凹部11を彫り込んでそれぞれの内部に検温素子15を嵌着するようにしているため、極めて高い精度にて基板の温度を測定することができる点も上記と同様である。   Even in the above manner, the temperature of the substrate placed on the heat treatment plate 31 can be measured using the temperature measurement substrate TW, as in the first and second examples. Since the plurality of recesses 11 are carved into the substrate surface of the temperature measurement substrate TW and the temperature measuring element 15 is fitted inside each of the recesses 11, the temperature of the substrate can be measured with extremely high accuracy. It is the same.

また、第3の例の温度測定システムにおいては、検温素子15のそれぞれと送受信部20とが無線にて接続されることとなるため、配線の取り回しが第2の例よりもさらに簡素化される。但し、無線接続の場合、17個の水晶振動子18の固有振動数を同じ周波数帯とすると、それら水晶振動子18が一斉に共振して受信波が相互に干渉するため、17個の検温素子15に対してそれぞれの固有振動数に対応する周波数の送信波を順次に送信する必要があり、その結果1回の測温に要するサンプリングタイムは有線接続の上記第1および第2の例の方が短くできる。   Further, in the temperature measurement system of the third example, each of the temperature measuring elements 15 and the transmission / reception unit 20 are wirelessly connected, so that the wiring is further simplified as compared with the second example. . However, in the case of wireless connection, if the natural frequencies of the 17 crystal resonators 18 are set to the same frequency band, the crystal resonators 18 resonate all at once and the received waves interfere with each other. 15, it is necessary to sequentially transmit a transmission wave having a frequency corresponding to each natural frequency, and as a result, the sampling time required for one temperature measurement is the same as in the first and second examples of wired connection. Can be shortened.

<5.変形例>
以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明はその趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、上記第3の例においては、17個の検温素子15に対応して17個のセンサーコイル45を設けるようにしていたが、これに代えてプレートカバー40に1個のループアンテナを設けるようにしても良い。もっとも、この場合は17個の検温素子15からの電磁波を重ねて受信することになるため、周波数弁別器を設けるようにした方が好ましい。
<5. Modification>
While the embodiments of the present invention have been described above, the present invention can be modified in various ways other than those described above without departing from the spirit of the present invention. For example, in the third example, 17 sensor coils 45 are provided corresponding to the 17 temperature measuring elements 15, but instead of this, one loop antenna is provided on the plate cover 40. Anyway. However, in this case, since the electromagnetic waves from the 17 temperature measuring elements 15 are received in an overlapping manner, it is preferable to provide a frequency discriminator.

また、上記実施形態においては、温度測定用基板TWに17個の検温素子15を取り付けていたが、検温素子15の設置数および設置位置(つまり、凹部11の形設数および形設位置)については任意のものとすることができ、例えば1枚の温度測定用基板TWに32個の検温素子15を取り付けても良いし、64個の検温素子15を取り付けるようにしても良い。また、温度測定用基板TWの径はφ200mmであっても良い。   In the above-described embodiment, the 17 temperature measuring elements 15 are attached to the temperature measurement substrate TW. However, the number of the temperature detecting elements 15 and the installation positions (that is, the number of the recessed portions 11 and the number of the forming positions). Can be arbitrary, for example, 32 temperature sensing elements 15 may be attached to one temperature measurement substrate TW, or 64 temperature sensing elements 15 may be attached. Further, the diameter of the temperature measurement substrate TW may be φ200 mm.

また、本発明に係る温度測定システムは、処理対象基板を熱処理プレートに載置して熱処理を行う装置であれば、ホットプレートに基板を載置して加熱処理を行う加熱処理ユニットのみならず、クールプレートに基板を載置して冷却処理を行う冷却処理ユニットにも適用することができる。加熱処理ユニットとしては、例えば露光後の加熱処理を行うものや、レジスト塗布後に加熱処理を行うユニット等の精密な温度管理が要求される処理ユニットに好適に適用することができる。   In addition, the temperature measurement system according to the present invention is not only a heat treatment unit that places a substrate on a hot plate and performs heat treatment as long as the substrate to be treated is placed on a heat treatment plate and performs heat treatment, The present invention can also be applied to a cooling processing unit that places a substrate on a cool plate and performs a cooling process. As the heat treatment unit, for example, it can be suitably applied to a processing unit that requires precise temperature management, such as a unit that performs heat treatment after exposure or a unit that performs heat treatment after resist coating.

検温素子を嵌着していない状態の温度測定用基板の平面図である。It is a top view of the board | substrate for temperature measurement of the state which has not attached the temperature sensing element. 凹部に検温素子を嵌着する状態を示す図である。It is a figure which shows the state which inserts a thermometry element in a recessed part. 第1の例の温度測定システムの全体構成図である。It is a whole block diagram of the temperature measurement system of a 1st example. 図3の温度測定システムの要部構成図である。It is a principal part block diagram of the temperature measurement system of FIG. 第2の例の温度測定システムの全体構成図である。It is a whole block diagram of the temperature measurement system of a 2nd example. 図5の温度測定システムの要部構成図である。It is a principal part block diagram of the temperature measurement system of FIG. 第3の例で使用される検温素子の斜視図である。It is a perspective view of the temperature measuring element used in the 3rd example. 第3の例の温度測定システムの全体構成図である。It is a whole block diagram of the temperature measurement system of the 3rd example. 図8の温度測定システムの要部構成図である。It is a principal part block diagram of the temperature measurement system of FIG.

符号の説明Explanation of symbols

11 凹部
12 基板側コネクタ
15 検温素子
18 水晶振動子
19 コイル
20 送受信部
21 切替器
22 発信器
23 受信器
24 周波数カウンタ
29 温度算定部
30 加熱処理ユニット
31 熱処理プレート
40 プレートカバー
42 カバー側コネクタ
45 センサーコイル
50 同軸ケーブル
TW 温度測定用基板
DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 Concave part 12 Board | substrate side connector 15 Temperature sensing element 18 Crystal oscillator 19 Coil 20 Transmission / reception part 21 Switcher 22 Transmitter 23 Receiver 24 Frequency counter 29 Temperature calculation part 30 Heat processing unit 31 Heat processing plate 40 Plate cover 42 Cover side connector 45 Sensor Coil 50 Coaxial cable TW Temperature measurement board

Claims (7)

処理対象基板の熱処理を行う熱処理プレートに載置される温度測定用基板であって、
表面に複数の凹部が形設された基板と、
前記複数の凹部に嵌着され、水晶振動子を有する複数の検温素子と、
を備えることを特徴とする温度測定用基板。
A temperature measurement substrate placed on a heat treatment plate for performing heat treatment of a substrate to be treated,
A substrate having a plurality of recesses formed on the surface;
A plurality of temperature sensing elements fitted into the plurality of recesses and having a crystal resonator;
A substrate for temperature measurement, comprising:
請求項1記載の温度測定用基板において、
前記複数の検温素子が嵌着された状態での重量が処理対象基板と等しくなることを特徴とする温度測定用基板。
The temperature measurement substrate according to claim 1,
A temperature measurement substrate characterized in that a weight in a state where the plurality of temperature measuring elements are fitted is equal to a substrate to be processed.
熱処理プレート上に載置した基板の温度を測定する温度測定システムであって、
前記熱処理プレートに載置されている請求項1または請求項2記載の温度測定用基板に搭載されている前記複数の検温素子に電気信号を送信するとともに、前記複数の検温素子のそれぞれからの電気信号を受信する送受信手段と、
前記送受信手段にて受信した各検温素子からの電気信号の周波数に基づいて前記温度測定用基板の温度を算出する温度算定手段と、
を備えることを特徴とする温度測定システム。
A temperature measurement system for measuring the temperature of a substrate placed on a heat treatment plate,
An electrical signal is transmitted to the plurality of temperature sensing elements mounted on the temperature measurement substrate mounted on the heat treatment plate according to claim 1 or 2, and electricity from each of the plurality of temperature sensing elements is transmitted. Transmitting and receiving means for receiving signals;
Temperature calculating means for calculating the temperature of the substrate for temperature measurement based on the frequency of the electrical signal from each temperature sensing element received by the transceiver means;
A temperature measurement system comprising:
請求項3記載の温度測定システムにおいて、
前記複数の検温素子と前記送受信手段とを同軸ケーブルにて接続することを特徴とする温度測定システム。
The temperature measurement system according to claim 3, wherein
The temperature measuring system, wherein the plurality of temperature measuring elements and the transmitting / receiving means are connected by a coaxial cable.
請求項4記載の温度測定システムにおいて、
前記熱処理プレートの上方を覆うプレートカバーと、
前記プレートカバーを昇降する昇降手段と、
をさらに備え、
前記温度測定用基板の上面に前記複数の検温素子のそれぞれと接続された基板側コネクタを設け、
前記プレートカバーの下面に前記送受信手段と接続されたカバー側コネクタを設け、
前記昇降手段によって前記プレートカバーが下降したときに前記基板側コネクタと前記カバー側コネクタとが嵌合して前記複数の検温素子と前記送受信手段とが接続されることを特徴とする温度測定システム。
The temperature measurement system according to claim 4,
A plate cover covering the heat treatment plate;
Elevating means for elevating and lowering the plate cover;
Further comprising
A board-side connector connected to each of the plurality of temperature sensing elements is provided on the upper surface of the temperature measurement board,
A cover-side connector connected to the transmitting / receiving means is provided on the lower surface of the plate cover,
The temperature measuring system, wherein when the plate cover is lowered by the elevating means, the board side connector and the cover side connector are fitted to connect the plurality of temperature detecting elements and the transmitting / receiving means.
請求項4または請求項5記載の温度測定システムにおいて、
前記送受信手段は、前記複数の検温素子に同一周波数の電気信号を送信することを特徴とする温度測定システム。
The temperature measurement system according to claim 4 or 5,
The temperature measuring system, wherein the transmission / reception means transmits electric signals having the same frequency to the plurality of temperature measuring elements.
請求項3記載の温度測定システムにおいて、
前記熱処理プレートの上方を覆うプレートカバーをさらに備え、
前記複数の検温素子は、水晶振動子に接続されたコイルまたはアンテナをさらに備え、
前記送受信手段は、前記プレートカバーに設けられた送受信アンテナを介して前記複数の検温素子に送信波を送信するとともに、前記送信波の送信を停止した後に前記検温素子からの電磁波を前記送受信アンテナを介して受信することを特徴とする温度測定システム。
The temperature measurement system according to claim 3, wherein
A plate cover that covers the heat treatment plate;
The plurality of temperature measuring elements further includes a coil or an antenna connected to a crystal resonator,
The transmission / reception means transmits transmission waves to the plurality of temperature detection elements via transmission / reception antennas provided on the plate cover, and transmits electromagnetic waves from the temperature detection elements to the transmission / reception antennas after stopping transmission of the transmission waves. Temperature measuring system, characterized by receiving via
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