[go: up one dir, main page]

JP2008135701A - 発光ダイオードのための封入体外形 - Google Patents

発光ダイオードのための封入体外形 Download PDF

Info

Publication number
JP2008135701A
JP2008135701A JP2007216811A JP2007216811A JP2008135701A JP 2008135701 A JP2008135701 A JP 2008135701A JP 2007216811 A JP2007216811 A JP 2007216811A JP 2007216811 A JP2007216811 A JP 2007216811A JP 2008135701 A JP2008135701 A JP 2008135701A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
emitting diode
enclosure
chip
light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2007216811A
Other languages
English (en)
Inventor
Christopher P Hussell
クリストファー・ピー・フッセル
Micheal J Bergmann
マイケル・ジェイ・バーグマン
Brian T Collins
ブライアン・ティー・コリンズ
David T Emerson
デーヴィッド・ティー・エマーソン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Wolfspeed Inc
Original Assignee
Cree Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=39079011&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=JP2008135701(A) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Cree Inc filed Critical Cree Inc
Publication of JP2008135701A publication Critical patent/JP2008135701A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10HINORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80Constructional details
    • H10H20/85Packages
    • H10H20/852Encapsulations
    • H10H20/853Encapsulations characterised by their shape
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10HINORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80Constructional details
    • H10H20/85Packages
    • H10H20/8506Containers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10HINORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80Constructional details
    • H10H20/85Packages
    • H10H20/851Wavelength conversion means
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10HINORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80Constructional details
    • H10H20/85Packages
    • H10H20/855Optical field-shaping means, e.g. lenses
    • H10H20/856Reflecting means
    • H10W72/536
    • H10W72/5363

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Planar Illumination Modules (AREA)

Abstract

【課題】適当なレンズ又は封入体形状により、輝度及びファーフィールド特性を向上させた高品質な発光ダイオードを提供する。
【解決手段】パッケージ化された発光ダイオードは、反射性パッケージ内に実装される発光ダイオードであって、当該ダイオードに隣接する表面は近似的ランベルト反射面である、発光ダイオードを含む。パッケージ内にある封入体は、ランベルト反射面によって画定され、封入体の中にある蛍光体は、LEDチップによって放射される周波数を変換し、且つLEDチップによって放射される周波数と共に白色光を生成する。封入体によって形成される概ね平坦なメニスカスは、パッケージ化されるダイオードの放射面を画定する。
【選択図】図2

Description

本発明は、発光ダイオード(LED)内の封入体材料の幾何学的形状に関し、より詳細には、白色光を生成する表面実装横向きタイプのLEDから放射される光パターンに関する。
本出願は、2006年9月1日に出願された仮特許出願第60/824,390号からの優先権を主張する。
発光ダイオード(LED)は、半導体材料の一種を表しており、p−n接合を横断する電流が加えられるときに、電子と正孔との間の再結合が引き起こされ、その再結合のうちの少なくともいくつかが、光子を生成する。電子工学及び物理学の十分に理解されている原理によれば、光子の波長(それゆえ周波数)は、再結合のエネルギー変化に基づく。さらに、そのエネルギーは、半導体材料のバンドギャップ、すなわち材料の価電子帯と伝導帯との間のエネルギー差によって規定又は抑制される。
結果として、LEDによって放射される色は、そのLEDが形成される材料によって概ね決定される。ガリウムヒ素(GaAs)及びガリウムリン(GaP)から形成されるダイオードは、可視スペクトルの低い方のエネルギーである赤色部分及び黄色部分において光子を発する傾向がある。炭化シリコン(SiC)及び第III族窒化物のような材料は、さらに広いバンドギャップを有し、それゆえ、可視スペクトルの緑色部分、青色部分及び紫色部分において、並びに電磁スペクトルの紫外線部分において現われる、さらにエネルギーが高い光子を生成することができる。
応用形態によっては、その出力が加減されるか、又は異なる色に変換されるときに、LEDの有用性が高くなることがある。詳細には、青色発光LEDの利用可能性が大幅に増えたことで、青色光子を変換する黄色発光蛍光体の使用量も同じく増えている。具体的には、ダイオードが発光する青色光と、蛍光体が発光する黄色光とを組み合わせると、白色光を生成することができる。固体源からの白色光を利用できるようになると、特に照明を含む多数の応用形態で、及びカラーディスプレイのためのバックライトとして、それらの固体源を組み込むことができるようになる。そのようなデバイス(たとえば、フラットコンピュータ画面、携帯情報端末及び携帯電話)では、青色LED及び黄色蛍光体によって白色光を生成し、その後、カラー素子(多くの場合に、液晶、「LCD」によって形成される)を照明するために、その白色光を何らかの方法で行き渡らせる。
本出願では、用語「白色光」は一般的な意味において用いられる。色の発生及び人間の目による色の知覚に精通する人であれば、正確を期すために、ある特定の周波数混合を「白色」と定義することができることは理解されよう。本明細書において説明されるダイオードのうちのいくつかは、そのような正確な出力を生成することができるが、本明細書では、用語「白色」は、それよりも幾分広く用いられ、種々の人又は検出器が、たとえばわずかに黄色みがかっているか、又は青みがかっているものと知覚することになる光を含む。
多数の従来の応用形態では、発光ダイオード(その基本半導体構造において、典型的にはチップと呼ばれる)は、その意図されている用途に合わせてパッケージ化される。本明細書において用いられるときに、用語「パッケージ」は典型的には、ダイオードを或る程度まで物理的に保護し、且つ光出力を光学的に誘導することができるプラスチックレンズ(樹脂、エポキシ、封入体)と共に、適当な電気的構造(多くの場合に、小さな金属片程度に簡単である)上に半導体チップを配置したものを指している。
多数の従来の応用形態では、レンズは少なくとも部分的には半球から形成される。一例は、古典的なT1 3/4パッケージであり、そのパッケージは広く認識されており、多数のLEDの応用形態に組み込まれる。
最近になって、発光ダイオードは照明の目的で使用されている。詳細には、色を生成又は表示するために、白色光を生成することができるLEDが、いくつかの他のタイプのデバイス(典型的には、液晶)を介して、バックライト式フラットパネルディスプレイ(コンピュータ画面、携帯情報端末、携帯電話)のために用いられる。これらの応用形態のうちの多くでは、LEDは、関連する画面の表面に対して垂直に実装される。この向きでは、画面そのものの後方に向けられる代わりに、LEDは、多くの場合に平坦なプラスチック片である光導波路のエッジに向かって誘導されるので、LEDからの光が光導波路のエッジに入るとき、光導波路によって、その光がディスプレイ画面の平面に向かって垂直に向きを変更されるようにする。
このためにパッケージ化される発光ダイオードは、表面実装横向きタイプのLED又はサイドルッカと呼ばれる。多くの表面実装横向きタイプのダイオードは、そのハウジングの中に凹形メニスカスを組み込む。凹形メニスカスは、光を合焦し、より高い密度をもたらす傾向があるが、全体として光束を損失する。それでもやはり、凹形メニスカスは、封入体が機械的に損傷を受けるのを防ぐ(封入体は一般的には、パッケージの他の部分よりも壊れやすい)。
白色光を放射する表面実装横向きタイプのLEDは典型的には、青色発光LEDチップを黄色発光蛍光体と共に組み込むことによって、それを果たす。チップからの青色光が、蛍光体を励起して、黄色光を放射する。これにより、青色及び黄色の周波数が組み合わせられて、適当な色合いの白色光が生成される。
しかしながら、従来の凹形メニスカスが、或る特定の高輝度のダイオードと共に表面実装横向きタイプのLEDにおいて用いられるときに、封入体の凹形が、光束及び色の均一性の両方を低減することがあるので、不都合になることがわかっている。
これらの不都合は、典型的なLEDよりも、ランベルト度合い(Lambertian)が高いファーフィールドプロファイル(far field profile)を有するチップの場合に特に顕著である。ランベルト度合いとは、完全拡散面の1つの要素から任意の方向に反射又は透過した光度(光束)が、その面のその方向と法線ベクトルとの間の角度の余弦に応じて変化することを述べるランベルト余弦則に、或る表面が従う度合いを指している。ランベルト余弦則は、公式N=N0cosAと表されることもある。ただし、Nは放射強度であり、N0は放射面に対して垂直な放射輝度であり、Aは視認方向と放射面に対する法線との間の角度である。
実用的には、ランベルト放射源からの放射は、低ランベルト放射源又は非ランベルト放射源からの放射よりも均一である。
したがって、凹形メニスカスは、近似的ランベルトファーフィールドパターンを生成するLEDのファーフィールドの利点を部分的に、又は完全に損なう傾向がある。
したがって、意図されている目的を果たすために、光出力を妨げるのではなく、光出力を高める適当なレンズ又は封入体形状で、高品質ダイオードの輝度及びファーフィールド特性を補う必要がある。
本発明は、パッケージ化された発光ダイオードであって、当該パッケージ化された発光ダイオードは、反射性パッケージ内に実装される近似的ランベルトファーフィールドパターンを有するLEDチップであって、ダイオードに隣接する表面も近似的ランベルト反射面である、LEDチップと、パッケージ内にあり、ランベルト反射面によって画定される封入体と、封入体の中にあり、LEDチップによって放射される周波数を変換し、且つLEDチップによって放射される周波数と共に白色光を生成する蛍光体と、封入体によって形成され、パッケージ化されたダイオードの放射面を画定する実質的に平坦なメニスカスとを備える。
本発明の上記及び他の目的及び利点、並びに本発明が達成される態様は、添付の図面と共に取り上げられる以下の詳細な説明に基づいて、さらに明らかになるであろう。
図1は、表面実装横向きダイオードと呼ばれるタイプの従来の発光ダイオードの断面図である。そのダイオードは概して10で示される。パッケージ化されているダイオード10は、白色樹脂パッケージ12の中に発光ダイオードチップ11を含む。それぞれの電気的コンタクト13及び14が、パッケージ化されているダイオード10を回路又はデバイスに接続するために設けられる。明確にするために、図1は、全ての配線を示すことは控えるが、チップ11を1つの電極に接続するために典型的に用いられるワイヤ15が含まれており、一方、チップそのものは第2の電極(図示せず)に載置される。多数のそのような従来のパッケージの場合と同様に、チップ11は封入体16によって覆われており、封入体16は、樹脂パッケージ12の壁部17及び底部20によって画定される凹部を満たす。光を変換するための蛍光体が黒い点21として示される。
そのような従来のパッケージ10では、封入体は凹形メニスカス22を形成する。先に言及されたように、そのような従来のダイオードでは、凹形メニスカス22は、光を特定の方向に合焦するのを助けることができるが、色の均一性を損なうことがある。しかしまた、これによって、方向性強度を高めることと引き換えに、光束が減少する。また、凹形メニスカス22は、白色樹脂パッケージ12の縁の中に封入体を画定する。これは、封入体と他の物体との物理的な接触を防ぐのを助けることができ、それゆえ、少なくとも或る程度まで、ダイオード10を物理的に保護する。
図2は、本発明による、パッケージ化されたダイオード25を示す。ただし、図1と同じ構成要素は、同じ参照符号を有する。したがって、図2の表面実装横向きタイプの実施形態では、ダイオード25は、白色樹脂パッケージ12と、LEDチップ11と、個々のコンタクト13及び14と、側壁17及び底部20によって画定されるパッケージ12内の凹部とを含む。パッケージ12の壁部17及び底部20は、その反射特性において概ねランバーティアンであることが好ましい。そのようなパッケージのために用いられる白色樹脂は広く市販されており、当該技術分野において十分に理解されているので、他には詳細には説明されないであろう。
図2では、封入体は図1に示される従来のメニスカスとは異なる形状を有するので、26で示される。詳細には、本発明では、封入体は実質的に平坦なレンズ27に形作られる。後者の設計は、製造中の利点、より良好なファーフィールド均一性、及びより高輝度の光束を与える。
封入体として、本発明の目的を果たすのに適しており、且つそれ以外の点ではチップの動作を妨げない任意の材料を用いることができる。2006年9月1日に出願された同時係属で、同じ譲受人に譲渡される「Phosphor Position In Light Emitting Diodes」と題する特許出願第60/824,385号に記載されるように、LEDチップが、スペクトルの高い方のエネルギー部分(たとえば、青色、紫色及び紫外線)において発光するときに、封入体は、そのような周波数において放射される光子と化学反応しにくいか、又は不活性であるべきである。したがって、ポリシロキサン(「シリコーン」)樹脂は、封入体に特に適していると言える。
本発明者らは、いかなる理論によっても縛られることは望まないが、平坦なレンズ27を使用することによって、本発明の譲受人であるCree社(Durham North Carolina)から市販されるEZBRIGHT(商標)LEDチップ及びEZR(商標)LEDチップのようなランベルト又は近似的ランベルトファーフィールド特性を有するチップが補完され、改良されることがわかっている。
蛍光体を組み込むことは、当該技術分野において十分に理解されており、本明細書において詳細には説明されない。青色発光ダイオードの場合、高い方のエネルギーの周波数に応答し、それに応じて黄色周波数を放射するので、セリウム添加イットリウム−アルミニウム−ガーネット(YAG:Ce)が、相応しい蛍光体材料の一例である。本明細書において先に言及されたように、これらの青色及び黄色の周波数を合成することによって、適当な色合いの白色光を生成することができる。
図3は、本発明の別の実施形態を示す。同じく、適切な場合には、類似の参照符号は同じ構成要素を示すであろう。図3では、パッケージ化されているダイオードは概して30で示されており、白色樹脂パッケージ12の中にLEDチップ11を含む。しかしながら、図3では、封入体は34で示されており、わずかにドーム形のレンズ31に形作られる。白色樹脂パッケージ12の上側表面から約50ミクロン以内に保持される非常にわずかなメニスカス(凹形又は凸形)であれば、図2に示される平坦な表面の均一性の利点が依然として提供されることがわかっている。50ミクロンの寸法は、メニスカスの最も高い(又は最も低い)部分と、白色樹脂パッケージ12の上側表面との間で定義される。相対的な比較として、パッケージ12は、長さ、幅及び高さにおいて概ね2ミリメートル〜4ミリメートルの寸法を有するであろう。
さらに、本発明によれば、封入体34の中に小さな点によって示される散光体で、ドーム形のレンズ31による放射の混合を高めることができることがわかっている。一般的に言うと、散光体は任意の1組の物体であり、封入体34内で光を物理的に散乱する、封入体内の泡を含むことがある。
図2及び図3は、蛍光体21が、チップ11及び白色樹脂パッケージ12の底部20の直ぐ上に、又はそれらに極めて近接して配置されることが好ましいことを示す。このように蛍光体を配置するための方法が、先に援用された「Phosphor Position In Light Emitting Diodes」と題する特許出願第60/824,385号に記載される。
図4は、本発明によるダイオード40の断面図であり、ドーム形のレンズ31に関しては図3に類似である。しかしながら、図4では、封入体は散光体を含まないので、41で示される。蛍光体はチップ11の放射エリアだけを覆うので、42で示される。このように蛍光体42の位置を制限することによって、ドーム形のレンズ31を幾分大きくしても、依然として良好な色の均一性を生み出すことができるようになる。
光取出し及びひいてはその効率は、そのような緩やかなドーム31(図3及び図4)でも最適化することができ、緩やかなドームは、他の方向において焦点を外しながら、光を特定の方向において合焦するという利点を提供することができる。これはさらに、特に液晶を備えるディスプレイを含む、フラットディスプレイのためのバックライトユニットの一部として用いられる、光導波路のような平坦な構成要素への結合を最大にする。そのような応用形態において、本発明は、効率及び均一性を最大にするために、光を光導波路の平面にわたって拡散しながら、厳密にその平面の中に合焦する能力を提供する。
図5はこの概念を示しており、本発明による2つのダイオード(それぞれ45で示される)が、光導波路47の後方エッジ46に沿って配置される。ベクトル矢印によって示されるように、わずかにドーム形のメニスカス(図3及び図4の31)は、光導波路47の主面の上方及び下方において光を失うのを避けながら、その面内により多くの光を生成することができ、それゆえ、ダイオード45及び光導波路47の組み合わせの効率を高めることができる。
また図5は、いくつかの実施形態において、表面実装横向きタイプのダイオードが、正方形又は円形の外形ではなく、長方形の外形によって特徴付けられるという事実を示す。そのような事例では、緩やかにドーム形の封入体の発光表面は、主な放射方向に、且つ図5にさらに示されるように、そのダイオードが照明しようとする光導波路のエッジに向かって延在する弧状の外形を形成する。
そのような事例において、封入体が個別に視認されたなら、白色樹脂パッケージ(たとえば、図1〜図4の12)の平面から封入体が延在する広がりは、1つの長方形の面、長方形の面に対して垂直な2つの弧状の平面、及び長方形の面の端から端まで延在し、2つの弧状の平面の弧に従う縦方向の曲壁とを有する立体の多角形を画定するであろう。これは、本発明のドームを、表面実装LEDにおいて、及び表面実装横向きタイプのLEDにおいてより典型的な半球又は他の部分的な球と区別する。
本発明によるドーム形レンズ31又は平坦なレンズ27は、ただ1つのステップにおいて形成される必要はないことは理解されよう。メニスカス27、31の製造時の偏差はほとんど不可避であるので、結果として、色点、色均一性、強度及びファーフィールドプロファイル(又はこれらの任意の組み合わせ)に初期のばらつきが生じる可能性がある。たとえば、封入体16の高さ又は位置における10ミクロン程度の小さな偏差が、有用なダイオードと失敗したダイオードとの間の差を決める可能性がある。したがって、本発明では、所望の特性が生み出されるまで、一連の薄い付加的な封入体層を被着することによって、封入体を加工し直すことができる。
図面及び明細書では、本発明の好ましい一実施形態が記載されており、特定の用語が用いられてきたが、それらの用語は一般的で、説明するだけの意味で用いられており、限定するものではなく、本発明の範囲は特許請求の範囲において規定される。
従来の表面実装横向きタイプの発光ダイオードの断面図である。 本発明による表面実装横向きタイプの発光ダイオードの断面図である。 本発明による表面実装横向きタイプの発光ダイオードの断面図である。 本発明による表面実装横向きタイプの発光ダイオードの断面図である。 光導波路と共に本発明によるダイオードを示す斜視図である。
符号の説明
10、25、30、40、45 ダイオード
11 LEDチップ
12 白色樹脂パッケージ
13、14 コンタクト
15 ワイヤ
16,26、34、41 封入体
17 側壁
20 底部
21、42 蛍光体
22 メニスカス
27、31 レンズ
46 後方エッジ
47 光導波路

Claims (26)

  1. パッケージ化された発光ダイオードであって、
    反射性パッケージ内に実装され、該ダイオードに隣接する表面が近似的ランベルト反射面(near-Lambertian reflectors)である発光ダイオードチップと、
    前記パッケージ内にあり、前記近似的ランベルト反射面によって画定される封入体と、
    前記封入体の中にあり、前記チップによって放射される周波数を変換し、且つ該チップによって放射される周波数と共に白色光を生成する蛍光体と、
    前記封入体によって形成され、該パッケージ化されるダイオードの放射面を画定する実質的に平坦なメニスカスと
    を備えることを特徴とする発光ダイオード。
  2. 請求項1記載の発光ダイオードにおいて、
    近似的ランベルトファーフィールドパターンを有する発光ダイオードチップを含む、発光ダイオード。
  3. 請求項1記載の発光ダイオードにおいて、
    前記封入体は、該封入体の複数の層を含む、発光ダイオード。
  4. 請求項1記載の発光ダイオードにおいて、
    前記発光ダイオードは、第III族窒化物材料系から形成される、発光ダイオード。
  5. 請求項1記載の発光ダイオードにおいて、
    前記蛍光体は、セリウム添加イットリウム−アルミニウム−ガーネットを含む、発光ダイオード。
  6. 請求項1記載の発光ダイオードにおいて、
    前記反射性パッケージは白色樹脂を含む、発光ダイオード。
  7. 請求項1記載の発光ダイオードにおいて、
    前記封入体は散乱体を含む、発光ダイオード。
  8. 請求項1記載の発光ダイオードにおいて、
    前記封入体はポリシロキサン樹脂を含む、発光ダイオード。
  9. 光導波路と共に、横向きに表面実装される(side view surface mount orientation)請求項1に記載のパッケージ化されるダイオードを組み込むディスプレイ。
  10. パッケージ化された発光ダイオードであって、
    表面実装横向きタイプ(side view surface mount)の反射性パッケージ内に実装され、該ダイオードに隣接する表面が近似的ランベルト反射面である発光ダイオードチップと、
    前記パッケージ内にあり、前記近似的ランベルト反射面によって画定される封入体と、
    前記封入体の中にあり、前記チップによって放射される周波数を変換し、且つ該チップによって放射される周波数と共に白色光を生成する蛍光体と、
    前記封入体によって形成され、該パッケージ化されるダイオードの放射面を画定するドーム形のメニスカスと
    を備える、発光ダイオード。
  11. 請求項10記載の発光ダイオードにおいて、
    近似的ランベルトファーフィールドパターンを有する発光ダイオードを含む、発光ダイオード。
  12. 請求項10記載の発光ダイオードにおいて、
    前記封入体は、該封入体の複数の層を含む、発光ダイオード。
  13. 請求項10記載の発光ダイオードにおいて、
    前記発光ダイオードは、第III族窒化物材料系から形成される、発光ダイオード。
  14. 請求項10記載の発光ダイオードにおいて、
    前記蛍光体は、セリウム添加イットリウム−アルミニウム−ガーネットを含む、発光ダイオード。
  15. 請求項10記載の発光ダイオードにおいて、
    前記反射性パッケージは白色樹脂を含む、発光ダイオード。
  16. 請求項10記載の発光ダイオードにおいて、
    前記封入体は散乱体を含む、発光ダイオード。
  17. 請求項10記載の発光ダイオードにおいて、
    前記封入体はポリシロキサン樹脂を含む、発光ダイオード。
  18. 請求項10記載の発光ダイオードにおいて、
    前記蛍光体は、前記チップの放射エリアだけを覆うように配置される、発光ダイオード。
  19. 照明付きディスプレイであって、
    光導波路と、
    前記光導波路の1つのエッジに沿って位置する、少なくとも1つのパッケージ化された発光ダイオードであって、
    近似的ランベルト反射面を有する反射性パッケージと、
    前記反射性パッケージ内にある発光ダイオードチップと、
    前記パッケージ内にあり、前記チップを覆う封入体と、
    前記封入体の中にあり、前記チップによって放射される周波数を変換し、且つ該チップによって放射される周波数と共に白色光を生成する蛍光体と、
    前記封入体によって形成され、前記光導波路の前記エッジに対して該パッケージ化されるダイオードの放射面を画定するドーム形のメニスカスと
    を備える、少なくとも1つのパッケージ化された発光ダイオードと
    を備える、照明付きディスプレイ。
  20. 請求項19に記載の照明付きディスプレイにおいて、
    前記パッケージ化されるダイオードは、長方形の外形を有する表面実装横向きタイプのパッケージであり、前記ドーム形の封入体の前記放射面は、前記チップの主な放射方向に、且つ前記光導波路の前記エッジに向かって延在する弧状の外形を形成する、照明付きディスプレイ。
  21. 請求項19に記載の照明付きディスプレイにおいて、
    前記発光ダイオードチップは、第III族窒化物材料系から形成される、照明付きディスプレイ。
  22. 請求項19に記載の照明付きディスプレイにおいて、
    前記反射性パッケージは白色ポリマー樹脂である、照明付きディスプレイ。
  23. 請求項19に記載の照明付きディスプレイにおいて、
    前記光導波路の少なくとも1つのエッジに沿って、少なくとも2つのパッケージ化される発光ダイオードを含む、照明付きディスプレイ。
  24. 請求項23に記載の照明付きディスプレイにおいて、
    前記光導波路は長方形であり、実質的に平坦な寸法を有する、照明付きディスプレイ。
  25. 請求項19に記載の照明付きディスプレイにおいて、
    前記封入体はポリシロキサン樹脂である、照明付きディスプレイ。
  26. 請求項19に記載の照明付きディスプレイにおいて、
    前記蛍光体は、セリウム添加イットリウム−アルミニウム−ガーネットを含む、照明付きディスプレイ。
JP2007216811A 2006-09-01 2007-08-23 発光ダイオードのための封入体外形 Pending JP2008135701A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US82439006P 2006-09-01 2006-09-01
US11/839,603 US7910938B2 (en) 2006-09-01 2007-08-16 Encapsulant profile for light emitting diodes

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2008135701A true JP2008135701A (ja) 2008-06-12

Family

ID=39079011

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007216811A Pending JP2008135701A (ja) 2006-09-01 2007-08-23 発光ダイオードのための封入体外形

Country Status (4)

Country Link
US (2) US7910938B2 (ja)
JP (1) JP2008135701A (ja)
CN (2) CN101232066B (ja)
DE (1) DE102007040811B4 (ja)

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010153555A (ja) * 2008-12-25 2010-07-08 Kyocera Corp 発光装置及びこれを用いた照明装置
WO2010113504A1 (ja) * 2009-03-31 2010-10-07 シャープ株式会社 光源モジュールおよび該モジュールを備えた電子機器
WO2012046701A1 (ja) * 2010-10-08 2012-04-12 シャープ株式会社 発光装置、発光モジュール、面状光源装置
JP2013030380A (ja) * 2011-07-29 2013-02-07 Sharp Corp 発光装置
WO2013137005A1 (ja) * 2012-03-13 2013-09-19 シャープ株式会社 発光装置およびバックライト装置
US9818921B2 (en) 2010-06-24 2017-11-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic semiconductor component
JP2020089752A (ja) * 2020-02-21 2020-06-11 株式会社大一商会 遊技機
JP2020089753A (ja) * 2020-02-21 2020-06-11 株式会社大一商会 遊技機
JP2021062059A (ja) * 2019-10-15 2021-04-22 株式会社大一商会 遊技機
JP2021062058A (ja) * 2019-10-15 2021-04-22 株式会社大一商会 遊技機
JP2021062057A (ja) * 2019-10-15 2021-04-22 株式会社大一商会 遊技機

Families Citing this family (54)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7138182B2 (en) 2002-07-31 2006-11-21 Cardinal Cg Compay Temperable high shading performance coatings
US8969908B2 (en) * 2006-04-04 2015-03-03 Cree, Inc. Uniform emission LED package
US9401461B2 (en) * 2007-07-11 2016-07-26 Cree, Inc. LED chip design for white conversion
US10505083B2 (en) * 2007-07-11 2019-12-10 Cree, Inc. Coating method utilizing phosphor containment structure and devices fabricated using same
JP5416975B2 (ja) 2008-03-11 2014-02-12 ローム株式会社 半導体発光装置
US8877524B2 (en) * 2008-03-31 2014-11-04 Cree, Inc. Emission tuning methods and devices fabricated utilizing methods
JP5464825B2 (ja) * 2008-07-23 2014-04-09 ローム株式会社 Ledモジュール
US8547009B2 (en) 2009-07-10 2013-10-01 Cree, Inc. Lighting structures including diffuser particles comprising phosphor host materials
USD661262S1 (en) * 2009-10-26 2012-06-05 Nichia Corporation Light emitting diode
US8192051B2 (en) 2010-11-01 2012-06-05 Quarkstar Llc Bidirectional LED light sheet
USD707192S1 (en) 2010-11-18 2014-06-17 Cree, Inc. Light emitting device
US8564000B2 (en) 2010-11-22 2013-10-22 Cree, Inc. Light emitting devices for light emitting diodes (LEDs)
USD712850S1 (en) 2010-11-18 2014-09-09 Cree, Inc. Light emitter device
USD721339S1 (en) 2010-12-03 2015-01-20 Cree, Inc. Light emitter device
USD676000S1 (en) 2010-11-22 2013-02-12 Cree, Inc. Light emitting device package
US8575639B2 (en) 2011-02-16 2013-11-05 Cree, Inc. Light emitting devices for light emitting diodes (LEDs)
US8624271B2 (en) 2010-11-22 2014-01-07 Cree, Inc. Light emitting devices
US9490235B2 (en) 2010-11-22 2016-11-08 Cree, Inc. Light emitting devices, systems, and methods
USD650760S1 (en) 2010-11-22 2011-12-20 Cree, Inc. Light emitting device package
US9300062B2 (en) 2010-11-22 2016-03-29 Cree, Inc. Attachment devices and methods for light emitting devices
US9000470B2 (en) 2010-11-22 2015-04-07 Cree, Inc. Light emitter devices
USD706231S1 (en) 2010-12-03 2014-06-03 Cree, Inc. Light emitting device
CN102606900B (zh) * 2011-01-25 2014-07-23 海洋王照明科技股份有限公司 一种色温可调的白光led光源
US8809880B2 (en) 2011-02-16 2014-08-19 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) chips and devices for providing failure mitigation in LED arrays
US8455908B2 (en) 2011-02-16 2013-06-04 Cree, Inc. Light emitting devices
USD702653S1 (en) 2011-10-26 2014-04-15 Cree, Inc. Light emitting device component
CN102646761B (zh) * 2011-02-21 2014-10-15 展晶科技(深圳)有限公司 Led封装制程
US8410726B2 (en) 2011-02-22 2013-04-02 Quarkstar Llc Solid state lamp using modular light emitting elements
US8314566B2 (en) 2011-02-22 2012-11-20 Quarkstar Llc Solid state lamp using light emitting strips
USD705181S1 (en) 2011-10-26 2014-05-20 Cree, Inc. Light emitting device component
CN104081112B (zh) 2011-11-07 2016-03-16 克利公司 高电压阵列发光二极管(led)器件、设备和方法
US9735198B2 (en) 2012-03-30 2017-08-15 Cree, Inc. Substrate based light emitter devices, components, and related methods
US10134961B2 (en) 2012-03-30 2018-11-20 Cree, Inc. Submount based surface mount device (SMD) light emitter components and methods
DE102012206646B4 (de) * 2012-04-23 2024-01-25 Osram Gmbh Leuchtvorrichtung mit LED-Chip und Vergussmasse und Verfahren zum Herstellen einer Leuchtvorrichtung
US9287475B2 (en) 2012-07-20 2016-03-15 Cree, Inc. Solid state lighting component package with reflective polymer matrix layer
JP6097084B2 (ja) 2013-01-24 2017-03-15 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置
US9345091B2 (en) 2013-02-08 2016-05-17 Cree, Inc. Light emitting device (LED) light fixture control systems and related methods
US8933478B2 (en) 2013-02-19 2015-01-13 Cooledge Lighting Inc. Engineered-phosphor LED packages and related methods
USD740453S1 (en) 2013-06-27 2015-10-06 Cree, Inc. Light emitter unit
USD739565S1 (en) 2013-06-27 2015-09-22 Cree, Inc. Light emitter unit
JP2015028997A (ja) * 2013-07-30 2015-02-12 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
US9461024B2 (en) 2013-08-01 2016-10-04 Cree, Inc. Light emitter devices and methods for light emitting diode (LED) chips
USD758976S1 (en) 2013-08-08 2016-06-14 Cree, Inc. LED package
CN104676296B (zh) * 2013-11-27 2017-05-17 扬升照明股份有限公司 光源模块
USD790486S1 (en) 2014-09-30 2017-06-27 Cree, Inc. LED package with truncated encapsulant
TWI649900B (zh) * 2015-02-04 2019-02-01 Everlight Electronics Co., Ltd. Led封裝結構及其製造方法
USD777122S1 (en) 2015-02-27 2017-01-24 Cree, Inc. LED package
EP3270427A1 (en) * 2015-03-12 2018-01-17 Mitsubishi Electric Corporation Light-emitting element and image display device
USD783547S1 (en) 2015-06-04 2017-04-11 Cree, Inc. LED package
CN106571383B (zh) 2015-10-08 2020-04-28 联华电子股份有限公司 半导体元件及其制作方法
USD823492S1 (en) 2016-10-04 2018-07-17 Cree, Inc. Light emitting device
CN106773289A (zh) * 2016-12-15 2017-05-31 青岛海信电器股份有限公司 一种量子点发光器件和背光模组以及液晶显示装置
KR102434896B1 (ko) 2017-12-21 2022-08-22 주식회사 엘지에너지솔루션 전지들의 직렬 연결을 위한 전지 커넥터 및 이를 포함하는 전지팩
TWI710129B (zh) * 2020-02-10 2020-11-11 台灣愛司帝科技股份有限公司 發光二極體晶片封裝結構及其製作方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005311153A (ja) * 2004-04-23 2005-11-04 Harison Toshiba Lighting Corp 発光素子の外囲器

Family Cites Families (71)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4013916A (en) * 1975-10-03 1977-03-22 Monsanto Company Segmented light emitting diode deflector segment
JPH0566304A (ja) 1991-09-06 1993-03-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd 標準反射面製作方法および標準反射面製作装置
JPH05190909A (ja) 1992-01-13 1993-07-30 Omron Corp 発光装置、光電センサ及びカラーマークセンサ
DE4214876C2 (de) 1992-05-05 2000-07-06 Kaltenbach & Voigt Optische Vermessungen von Zähnen ohne mattierende Oberflächenbehandlung
JPH077184A (ja) 1993-06-14 1995-01-10 Omron Corp 半導体発光素子、並びに当該発光素子を用いた投光器、光学検知装置及び光学的情報処理装置
JPH0863119A (ja) 1994-08-01 1996-03-08 Motorola Inc 単色ledを用いた全色画像表示装置
JP3553652B2 (ja) 1994-08-19 2004-08-11 茂樹 小林 形状計測装置、検査装置、及び製品の製造方法
DE19638667C2 (de) 1996-09-20 2001-05-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
WO1997050132A1 (de) * 1996-06-26 1997-12-31 Siemens Aktiengesellschaft Lichtabstrahlendes halbleiterbauelement mit lumineszenzkonversionselement
TW383508B (en) 1996-07-29 2000-03-01 Nichia Kagaku Kogyo Kk Light emitting device and display
JP3065544B2 (ja) 1996-12-06 2000-07-17 スタンレー電気株式会社 蛍光剤入りledランプ
JP3617587B2 (ja) 1997-07-17 2005-02-09 日亜化学工業株式会社 発光ダイオード及びその形成方法
JP3988174B2 (ja) 1997-11-07 2007-10-10 ソニー株式会社 照射装置及び透過型表示装置
US6257737B1 (en) * 1999-05-20 2001-07-10 Philips Electronics Na Low-profile luminaire having a reflector for mixing light from a multi-color linear array of LEDs
US20020063520A1 (en) * 2000-11-29 2002-05-30 Huei-Che Yu Pre-formed fluorescent plate - LED device
AT410266B (de) * 2000-12-28 2003-03-25 Tridonic Optoelectronics Gmbh Lichtquelle mit einem lichtemittierenden element
JP2002299698A (ja) * 2001-03-30 2002-10-11 Sumitomo Electric Ind Ltd 発光装置
JP2004531894A (ja) 2001-06-15 2004-10-14 クリー インコーポレイテッド 紫外線発光ダイオード
JP2003075690A (ja) 2001-08-31 2003-03-12 Matsushita Electric Works Ltd トランスミッタ及びレシーバ
JP2003101078A (ja) 2001-09-25 2003-04-04 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
JP3948650B2 (ja) * 2001-10-09 2007-07-25 アバゴ・テクノロジーズ・イーシービーユー・アイピー(シンガポール)プライベート・リミテッド 発光ダイオード及びその製造方法
JP2003234511A (ja) 2002-02-06 2003-08-22 Toshiba Corp 半導体発光素子およびその製造方法
JP2003243716A (ja) 2002-02-13 2003-08-29 Omron Corp 光源部品
TW200414572A (en) * 2002-11-07 2004-08-01 Matsushita Electric Industrial Co Ltd LED lamp
KR100499140B1 (ko) * 2003-01-07 2005-07-04 삼성전자주식회사 백라이트 유닛
US7042020B2 (en) 2003-02-14 2006-05-09 Cree, Inc. Light emitting device incorporating a luminescent material
JP4254266B2 (ja) * 2003-02-20 2009-04-15 豊田合成株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
DE10308866A1 (de) * 2003-02-28 2004-09-09 Osram Opto Semiconductors Gmbh Beleuchtungsmodul und Verfahren zu dessen Herstellung
JP4131178B2 (ja) * 2003-02-28 2008-08-13 豊田合成株式会社 発光装置
JP3931916B2 (ja) 2003-04-24 2007-06-20 日亜化学工業株式会社 半導体装置及びその製造方法
US7029935B2 (en) 2003-09-09 2006-04-18 Cree, Inc. Transmissive optical elements including transparent plastic shell having a phosphor dispersed therein, and methods of fabricating same
JP2005093712A (ja) 2003-09-17 2005-04-07 Stanley Electric Co Ltd 半導体発光装置
JP4366161B2 (ja) 2003-09-19 2009-11-18 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置
JP2005167174A (ja) 2003-11-14 2005-06-23 Harison Toshiba Lighting Corp 発光素子の外囲器
EP1641050B1 (en) 2003-11-14 2019-02-20 Harison Toshiba Lighting Corporation Semiconductor light-emitting element package and production method therefor
JP2005197369A (ja) 2004-01-05 2005-07-21 Toshiba Corp 光半導体装置
JP4357311B2 (ja) * 2004-02-04 2009-11-04 シチズン電子株式会社 発光ダイオードチップ
US7246923B2 (en) * 2004-02-11 2007-07-24 3M Innovative Properties Company Reshaping light source modules and illumination systems using the same
JP4516337B2 (ja) * 2004-03-25 2010-08-04 シチズン電子株式会社 半導体発光装置
US7517728B2 (en) * 2004-03-31 2009-04-14 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices including a luminescent conversion element
JP4229447B2 (ja) 2004-03-31 2009-02-25 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置及び製造方法
US7419912B2 (en) 2004-04-01 2008-09-02 Cree, Inc. Laser patterning of light emitting devices
TWI241034B (en) * 2004-05-20 2005-10-01 Lighthouse Technology Co Ltd Light emitting diode package
KR20060000313A (ko) * 2004-06-28 2006-01-06 루미마이크로 주식회사 대입경 형광 분말을 포함하는 색변환 발광 장치 그의 제조방법 및 그에 사용되는 수지 조성물
JP4533235B2 (ja) 2004-07-29 2010-09-01 株式会社リコー 原稿照明装置、画像読み取り装置、および画像形成装置
JP4747726B2 (ja) 2004-09-09 2011-08-17 豊田合成株式会社 発光装置
US7259402B2 (en) 2004-09-22 2007-08-21 Cree, Inc. High efficiency group III nitride-silicon carbide light emitting diode
US8513686B2 (en) 2004-09-22 2013-08-20 Cree, Inc. High output small area group III nitride LEDs
US8174037B2 (en) 2004-09-22 2012-05-08 Cree, Inc. High efficiency group III nitride LED with lenticular surface
DE102004045950A1 (de) 2004-09-22 2006-03-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Gehäuse für ein optoelektronisches Bauelement, optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
US7737459B2 (en) 2004-09-22 2010-06-15 Cree, Inc. High output group III nitride light emitting diodes
JP4756841B2 (ja) * 2004-09-29 2011-08-24 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置の製造方法
WO2006035391A1 (en) 2004-09-30 2006-04-06 Koninklijke Philips Electronics N.V. Brightness enhancement of led using selective ray angular recycling
US7868345B2 (en) 2004-10-27 2011-01-11 Kyocera Corporation Light emitting device mounting substrate, light emitting device housing package, light emitting apparatus, and illuminating apparatus
JP4802533B2 (ja) * 2004-11-12 2011-10-26 日亜化学工業株式会社 半導体装置
JP2006165029A (ja) * 2004-12-02 2006-06-22 Fujikura Ltd 発光素子実装用基板及び発光素子パッケージ体
JP2006165096A (ja) 2004-12-03 2006-06-22 Harison Toshiba Lighting Corp 発光素子の外囲器
US8288942B2 (en) 2004-12-28 2012-10-16 Cree, Inc. High efficacy white LED
EP1686630A3 (en) 2005-01-31 2009-03-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Led device having diffuse reflective surface
KR101139891B1 (ko) 2005-01-31 2012-04-27 렌슬러 폴리테크닉 인스티튜트 확산 반사면을 구비한 발광 다이오드 소자
KR100665216B1 (ko) * 2005-07-04 2007-01-09 삼성전기주식회사 개선된 측벽 반사 구조를 갖는 측면형 발광다이오드
CN101297411B (zh) * 2005-10-24 2010-05-19 3M创新有限公司 发光器件的制造方法及发光器件
KR20090014176A (ko) 2006-04-26 2009-02-06 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤 광 반도체용 열경화성 조성물, 광 반도체 소자용 다이본드재, 광 반도체 소자용 언더필재, 광 반도체 소자용밀봉제 및 광 반도체 소자
US8425271B2 (en) * 2006-09-01 2013-04-23 Cree, Inc. Phosphor position in light emitting diodes
EP2149920A1 (en) 2007-05-17 2010-02-03 Showa Denko K.K. Semiconductor light-emitting device
US7791093B2 (en) 2007-09-04 2010-09-07 Koninklijke Philips Electronics N.V. LED with particles in encapsulant for increased light extraction and non-yellow off-state color
WO2010103767A1 (ja) 2009-03-10 2010-09-16 株式会社 東芝 白色ledおよびそれを用いたバックライト並びにebu規格対応液晶表示装置
JP5549568B2 (ja) 2009-12-15 2014-07-16 信越化学工業株式会社 光半導体素子封止用樹脂組成物及び当該組成物で封止した光半導体装置
TW201123562A (en) 2009-12-30 2011-07-01 Harvatek Corp A light emission module with high-efficiency light emission and high-efficiency heat dissipation and applications thereof
US8783915B2 (en) 2010-02-11 2014-07-22 Bridgelux, Inc. Surface-textured encapsulations for use with light emitting diodes
JP2011253882A (ja) 2010-06-01 2011-12-15 Toshiba Corp 発光装置及びその製造方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005311153A (ja) * 2004-04-23 2005-11-04 Harison Toshiba Lighting Corp 発光素子の外囲器

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010153555A (ja) * 2008-12-25 2010-07-08 Kyocera Corp 発光装置及びこれを用いた照明装置
WO2010113504A1 (ja) * 2009-03-31 2010-10-07 シャープ株式会社 光源モジュールおよび該モジュールを備えた電子機器
JP2010238837A (ja) * 2009-03-31 2010-10-21 Sharp Corp 光源モジュールおよび該モジュールを備えた電子機器
US10217915B2 (en) 2010-06-24 2019-02-26 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic semiconductor component
US9818921B2 (en) 2010-06-24 2017-11-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic semiconductor component
WO2012046701A1 (ja) * 2010-10-08 2012-04-12 シャープ株式会社 発光装置、発光モジュール、面状光源装置
JP2013030380A (ja) * 2011-07-29 2013-02-07 Sharp Corp 発光装置
US9163810B2 (en) 2012-03-13 2015-10-20 Sharp Kabushiki Kaisha Light emitting device and backlight device
JPWO2013137005A1 (ja) * 2012-03-13 2015-08-03 シャープ株式会社 発光装置およびバックライト装置
CN104170105B (zh) * 2012-03-13 2017-03-15 夏普株式会社 发光装置以及背光装置
CN104170105A (zh) * 2012-03-13 2014-11-26 夏普株式会社 发光装置以及背光装置
WO2013137005A1 (ja) * 2012-03-13 2013-09-19 シャープ株式会社 発光装置およびバックライト装置
JP2021062059A (ja) * 2019-10-15 2021-04-22 株式会社大一商会 遊技機
JP2021062058A (ja) * 2019-10-15 2021-04-22 株式会社大一商会 遊技機
JP2021062057A (ja) * 2019-10-15 2021-04-22 株式会社大一商会 遊技機
JP2020089752A (ja) * 2020-02-21 2020-06-11 株式会社大一商会 遊技機
JP2020089753A (ja) * 2020-02-21 2020-06-11 株式会社大一商会 遊技機
JP7168835B2 (ja) 2020-02-21 2022-11-10 株式会社大一商会 遊技機

Also Published As

Publication number Publication date
US8766298B2 (en) 2014-07-01
DE102007040811A1 (de) 2008-03-20
CN102593328B (zh) 2016-03-16
US20110149604A1 (en) 2011-06-23
CN102593328A (zh) 2012-07-18
CN101232066B (zh) 2012-03-21
US20080054284A1 (en) 2008-03-06
DE102007040811B4 (de) 2015-10-22
CN101232066A (zh) 2008-07-30
US7910938B2 (en) 2011-03-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2008135701A (ja) 発光ダイオードのための封入体外形
TWI440208B (zh) 低側面的側發光之發光二極體
JP5431962B2 (ja) 高性能ledパッケージ
US7649209B2 (en) Side-view surface mount white LED
CN102214773B (zh) 发光器件和具有发光器件的照明单元
KR102520047B1 (ko) 발광 장치, 집적형 발광 장치 및 발광 모듈
KR101039881B1 (ko) 발광소자 및 그를 이용한 라이트 유닛
JP7082273B2 (ja) 発光装置、集積型発光装置および発光モジュール
KR100999809B1 (ko) 발광 소자 및 이를 구비한 라이트 유닛
KR20190024730A (ko) 발광 장치
JP7174216B2 (ja) 発光モジュールおよび集積型発光モジュール
WO2009016582A2 (en) Concave wide emitting lens for led useful for backlighting
JP2011511445A (ja) ディスプレイを背面照明するための照明装置および同照明装置を備えたディスプレイ
JP2012059737A (ja) 発光装置、バックライトユニット、液晶表示装置及び照明装置
US10615324B2 (en) Tiny 6 pin side view surface mount LED
US20240072220A1 (en) Planar light-emitting device
KR20080025715A (ko) 백라이트용 led 모듈 및 이를 이용한 백라이트 유닛
CN203406283U (zh) 显示装置
JP2024035053A (ja) 面状発光装置
CN203406284U (zh) 发光装置

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100831

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20101130

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20101203

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20101215

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20101228

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110228

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20110908

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120110

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120217

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20120224

A912 Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912

Effective date: 20120615

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20121019

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20121024

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20130306

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20130311

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20130408

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20130411

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130502