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JP2008129435A - Data latch circuit and liquid crystal display device - Google Patents

Data latch circuit and liquid crystal display device Download PDF

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JP2008129435A
JP2008129435A JP2006315869A JP2006315869A JP2008129435A JP 2008129435 A JP2008129435 A JP 2008129435A JP 2006315869 A JP2006315869 A JP 2006315869A JP 2006315869 A JP2006315869 A JP 2006315869A JP 2008129435 A JP2008129435 A JP 2008129435A
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Japan
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potential
digital signal
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data latch
signal
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JP2006315869A
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Inventor
Takanori Tsunashima
貴徳 綱島
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Japan Display Central Inc
Original Assignee
Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a data latch circuit capable of reducing power consumption, and to provide a liquid crystal display device comprising the data latch circuit. <P>SOLUTION: The data latch circuit connects a storage circuit composed of inverters 11, 12 connected to a power source having power potential VDD(5V) larger than an amplitude (0-3V) of a digital signal via TFTs 13, 14 to a data bus line to which the digital signal is applied via a TFT 16, and controls the TFTs 13, 14, 16 by using a sampling signal S. Thereby, the data latch circuit can obtain an output (0 to 5V) larger than the amplitude (0-3V) of the input digital signal and can transfer the digital signal at low potential. Further, by inputting an intermediate potential VDC/2(1.5V) between high potential side potential (3V) and low potential side potential (0V) of the digital signal to another input terminal of the storage circuit, the input of a negative phase signal of the input digital signal is made unnecessary, therefore, the number of necessary elements can be reduced and power consumption can be reduced. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、デジタルデータをラッチするデータラッチ回路に関し、特に、液晶表示装置に用いられるデータラッチ回路に関する。   The present invention relates to a data latch circuit that latches digital data, and more particularly to a data latch circuit used in a liquid crystal display device.

アクティブマトリックス型の液晶表示装置は、ガラス基板上に信号線と走査線をマトリックス状に配置し、信号線と走査線の交点に薄膜トランジスタ(TFT:Thin Film Transistor)を形成して画素を構成している。近年では、信号線を駆動する信号線駆動回路や走査線を駆動する走査線駆動回路などもTFTを用いてガラス基板上に形成した駆動回路一体型の液晶表示装置が開発されている。   In an active matrix type liquid crystal display device, signal lines and scanning lines are arranged in a matrix on a glass substrate, and thin film transistors (TFTs) are formed at intersections of the signal lines and the scanning lines to form pixels. Yes. In recent years, a drive circuit integrated liquid crystal display device in which a signal line driving circuit for driving signal lines and a scanning line driving circuit for driving scanning lines are formed on a glass substrate using TFTs has been developed.

図7は、駆動回路一体型の液晶表示装置の構成を示すブロック図である。同図に示す液晶表示装置は、マトリックス状に配置された複数の走査線4および複数の信号線5との交点に画素100が形成された表示部1と、走査線4を駆動する走査線駆動回路2と、信号線5を駆動する信号線駆動回路3とを備えており、画素100は、TFT101、液晶102および補助容量103などにより構成される。信号線駆動回路3は、シフトレジスタ31、サンプリングラッチ回路32、ロードラッチ回路33およびデジタルアナログ変換回路34を備えている。以下、同図に示す液晶表示装置の動作について説明する。   FIG. 7 is a block diagram showing a configuration of a liquid crystal display device integrated with a drive circuit. The liquid crystal display device shown in FIG. 1 includes a display unit 1 in which pixels 100 are formed at intersections of a plurality of scanning lines 4 and a plurality of signal lines 5 arranged in a matrix, and scanning line driving for driving the scanning lines 4. A circuit 2 and a signal line driving circuit 3 for driving the signal line 5 are provided. A pixel 100 includes a TFT 101, a liquid crystal 102, an auxiliary capacitor 103, and the like. The signal line driving circuit 3 includes a shift register 31, a sampling latch circuit 32, a load latch circuit 33, and a digital / analog conversion circuit 34. The operation of the liquid crystal display device shown in FIG.

信号線駆動回路3に入力されたデジタル映像信号は、シフトレジスタ31からのタイミング信号によりサンプリングラッチ回路32にラッチされる。サンプリングラッチ回路32で順次ラッチされたデジタル映像信号は、ロードラッチ回路33により同タイミングでラッチされ、デジタルアナログ変換回路34によりアナログ信号に変換されて、信号線5に印加される。走査線駆動回路2が走査線4に走査線信号を印加することにより、信号線5に入力された映像信号が画素100に書き込まれ、画像が表示される。   The digital video signal input to the signal line driving circuit 3 is latched by the sampling latch circuit 32 by the timing signal from the shift register 31. The digital video signal sequentially latched by the sampling latch circuit 32 is latched at the same timing by the load latch circuit 33, converted into an analog signal by the digital / analog conversion circuit 34, and applied to the signal line 5. When the scanning line driving circuit 2 applies the scanning line signal to the scanning line 4, the video signal input to the signal line 5 is written to the pixel 100 and an image is displayed.

液晶表示装置では低消費電力が重要視されるが、デジタル映像信号を転送するバスラインは容量負荷として無視できない大きさであり、バスラインへの充放電により消費を少なくするためにできるだけデジタル映像信号を低電圧で転送するのが好ましい。消費電力の低減を図るデータラッチ回路として特許文献1に記載のものが知られている。
特開2002−189439号公報
Low power consumption is regarded as important in liquid crystal display devices, but the bus line for transferring digital video signals is a size that cannot be ignored as a capacitive load. Digital video signals are used as much as possible to reduce consumption by charging and discharging the bus lines. Is preferably transferred at a low voltage. A data latch circuit described in Patent Document 1 is known as a data latch circuit for reducing power consumption.
JP 2002-189439 A

しかしながら、ガラス基板上に構成されるTFTはクリスタルシリコンに比べて閾値が高く、移動度が低いため、メモリー回路の電源電圧を下げることが困難である。また、液晶を駆動するための電圧は決まっているので、回路の電源電圧を自由に決めることができない場合が多い。   However, since the TFT formed on the glass substrate has a higher threshold value and lower mobility than crystal silicon, it is difficult to lower the power supply voltage of the memory circuit. In addition, since the voltage for driving the liquid crystal is determined, the power supply voltage of the circuit cannot often be determined freely.

本発明は、上記に鑑みてなされたものであり、その課題とするところは、消費電力の低減を図るデータラッチ回路および液晶表示装置を提供することにある。   The present invention has been made in view of the above, and an object of the present invention is to provide a data latch circuit and a liquid crystal display device which can reduce power consumption.

第1の本発明に係るデータラッチ回路は、デジタル信号が印加されるデータバスラインと、基準電位と電源電位との差がデジタル信号の振幅よりも大きな電源電位を有する第1の電源と、第1の電源により電力を供給される第1および第2のインバータと、第1および第2のインバータの入力端子と出力端子を互いにループ状に接続して構成した記憶回路と、データバスラインと第1または第2のインバータの入力端子のいずれか一方とに接続され、デジタル信号を記憶回路に書き込むサンプリング期間中はオンする第1のスイッチング素子と、デジタル信号の高電位側の電位と低電位側の電位の中間の電位を有する第2の電源と、第2の電源と第1または第2のインバータの入力端子のうちデータバスラインを接続していない方の入力端子とに接続され、サンプリング期間中はオンする第2のスイッチング素子と、を有することを特徴とする。   A data latch circuit according to a first aspect of the present invention includes a data bus line to which a digital signal is applied, a first power supply having a power supply potential in which the difference between the reference potential and the power supply potential is larger than the amplitude of the digital signal, The first and second inverters supplied with power from one power source, the memory circuit formed by connecting the input terminals and the output terminals of the first and second inverters in a loop, the data bus line and the first A first switching element which is connected to one of the input terminals of the first and second inverters and is turned on during a sampling period in which a digital signal is written to the memory circuit; and a high potential side potential and a low potential side of the digital signal A second power source having an intermediate potential between the first power source and the second power source and the input terminal of the first or second inverter not connected to the data bus line Is connected to, during the sampling period are characterized by having a second switching element is turned on, the.

本発明にあっては、基準電位と電源電位との差がデジタル信号の振幅よりも大きな電源電位を有する第1の電源により駆動される第1および第2のインバータにより記憶回路を構成することにより、入力されたデジタル信号より振幅の大きな出力が得られるので、低電位でデジタル信号を転送することが可能となり、デジタル信号の転送の際の充放電による電力消費が低減される。また、デジタル信号の高電位側の電位と低電位側の電位の中間の電位を記憶回路に入力することにより、入力されるデジタル信号の逆相の信号を入力する必要がなくなるので、必要な素子の数が減らすことができる。   In the present invention, the memory circuit is constituted by the first and second inverters driven by the first power source having a power source potential whose difference between the reference potential and the power source potential is larger than the amplitude of the digital signal. Since an output having a larger amplitude than that of the input digital signal can be obtained, the digital signal can be transferred at a low potential, and power consumption due to charging / discharging during the transfer of the digital signal is reduced. In addition, by inputting an intermediate potential between the high potential side and the low potential side potential of the digital signal to the memory circuit, it is not necessary to input a signal having a phase opposite to that of the input digital signal. The number of can be reduced.

上記データラッチ回路において、第1の電源と第1および第2のインバータの電源端子との間にそれぞれ配置され、サンプリング期間以外の期間にオンする第3および第4のスイッチング素子を有することを特徴とする。   The data latch circuit includes third and fourth switching elements that are respectively disposed between the first power supply and the power supply terminals of the first and second inverters and are turned on during a period other than the sampling period. And

本発明にあっては、第1の電源と第1および第2のインバータとの間にそれぞれスイッチング素子を備え、デジタル信号が入力されるサンプリング期間中は第1および第2のインバータへの電力の供給を停止し、サンプリング期間以外の期間に電力を供給することにより、サンプリング期間に入力されたデータをラッチし、サンプリング期間以外の期間により振幅の大きなデジタル信号として出力することを可能とする。   In the present invention, switching elements are provided between the first power source and the first and second inverters, respectively, and during the sampling period when the digital signal is input, the power to the first and second inverters is supplied. By stopping the supply and supplying power during a period other than the sampling period, data input during the sampling period can be latched and output as a digital signal having a larger amplitude during the period other than the sampling period.

上記データラッチ回路において、第1および第2のインバータの出力端子にそれぞれ接続され、サンプリング期間以外の期間にオンする第5および第6のスイッチング素子を有することを特徴とする。   The data latch circuit includes fifth and sixth switching elements that are respectively connected to output terminals of the first and second inverters and are turned on in a period other than the sampling period.

本発明にあっては、第1および第2のインバータの出力のそれぞれにスイッチング素子を備え、サンプリング期間中はスイッチング素子をオフし、サンプリング期間以外の期間にスイッチング素子をオンすることで、サンプリング期間に入力されたデータをラッチし、より振幅の大きなデジタル信号として出力をすることを可能とする。   In the present invention, each of the outputs of the first and second inverters is provided with a switching element, the switching element is turned off during the sampling period, and the switching element is turned on during a period other than the sampling period. It is possible to latch the data input to and output it as a digital signal having a larger amplitude.

第2の本発明に係る液晶表示装置は、マトリックス状に配置された複数の走査線および複数の信号線と、走査線と信号線との交点に配置された表示素子と、走査線を駆動する走査線駆動回路と、上記いずれかのデータラッチ回路と、データラッチ回路の出力をデジタルアナログ変換し、信号線に入力するデジタルアナログ変換回路と、を有することを特徴とする。   A liquid crystal display device according to a second aspect of the present invention drives a plurality of scanning lines and a plurality of signal lines arranged in a matrix, a display element arranged at the intersection of the scanning lines and the signal lines, and the scanning lines. A scanning line driving circuit, any one of the data latch circuits described above, and a digital / analog conversion circuit that converts the output of the data latch circuit from digital to analog and inputs the converted data to a signal line.

本発明によれば、消費電力の低減を図るデータラッチ回路および液晶表示装置を提供することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the data latch circuit and liquid crystal display device which aim at reduction of power consumption can be provided.

[第1の実施の形態]
図1は、第1の実施の形態におけるデータラッチ回路の構成を示す回路図である。同図に示すデータラッチ回路は、図7に示した液晶表示装置のサンプリングラッチ回路32などに用いられ、入力された映像信号をシフトレジスタ31からのタイミング信号によりラッチし、ロードラッチ回路33に出力するものである。
[First Embodiment]
FIG. 1 is a circuit diagram showing a configuration of a data latch circuit according to the first embodiment. The data latch circuit shown in the figure is used in the sampling latch circuit 32 of the liquid crystal display device shown in FIG. 7, etc., and latches the input video signal by the timing signal from the shift register 31 and outputs it to the load latch circuit 33. To do.

図1に示すデータラッチ回路は、入力端子と出力端子が互いにループ状に接続されたインバータ11,12により構成された記憶回路と、電源電位VDDを有する電源とインバータ11,12の電源端子との間に配置されたP型TFT13,14と、インバータ12の入力端子に接続され、デジタル信号が記憶回路に入力するか否かを制御するN型TFT16と、インバータ11の入力端子に接続され、デジタル信号の高電位側の電位VDCと低電位側の電位VSSの中間の電位VDC/2を記憶回路に入力するか否かを制御するN型TFT15と、を備えており、P型TFT13,14およびN型TFT15,16は、データバスラインに印加されるデジタル信号を記憶回路に書き込むサンプリング期間を定めるサンプリング信号Sによって制御されている。   The data latch circuit shown in FIG. 1 includes a memory circuit composed of inverters 11 and 12 whose input terminals and output terminals are connected in a loop, a power supply having a power supply potential VDD, and a power supply terminal of the inverters 11 and 12. P-type TFTs 13 and 14 disposed between them and an N-type TFT 16 connected to the input terminal of the inverter 12 for controlling whether or not a digital signal is input to the memory circuit, and an input terminal of the inverter 11 for digital And an N-type TFT 15 for controlling whether or not a potential VDC / 2 between the high potential VDC and the low potential VSS is input to the memory circuit, and P-type TFTs 13 and 14 and The N-type TFTs 15 and 16 are supplied with a sampling signal S that defines a sampling period in which a digital signal applied to the data bus line is written to the memory circuit. It is controlled.

電源電位VDDは5Vであり、データバスラインに印加されるデジタル信号の高電位側の電位VDC(3V)よりも大きい。インバータ11の入力端子に印加される電位VDC/2は1.5Vである。図1に示すように、サンプリング信号Sで制御されるTFT13,14,15,16を備えることにより、入力されるデジタル信号よりも大きな電圧で記憶回路を駆動することができるので、低電位でデジタル信号を転送することが可能となり、デジタル信号の転送の際の充放電による電力消費が低減される。また、デジタル信号の高電位側の電位VDCと低電位側の電位VSSの中間の電位VDC/2を記憶回路に入力することにより、デジタル信号がハイレベル(VDC)のときには、VDC/2がローレベルとなり、デジタル信号がローレベル(VSS)のときには、VDC/2がハイレベルとなるので、入力されるデジタル信号の逆相の信号を入力する必要がなくなり、必要な素子の数が減らすことができる。インバータ11の入力端子に印加する電位は、デジタル信号の高電位側の電位VDCと低電位側の電位VSSのちょうど中間の電位VDC/2でなくても、インバータ11,12がデジタル信号のハイレベル、ローレベルを識別できる電位であればよい。   The power supply potential VDD is 5 V, which is higher than the high potential VDC (3 V) of the digital signal applied to the data bus line. The potential VDC / 2 applied to the input terminal of the inverter 11 is 1.5V. As shown in FIG. 1, since the TFTs 13, 14, 15, and 16 controlled by the sampling signal S are provided, the memory circuit can be driven with a voltage larger than that of the input digital signal, so that the digital circuit can be applied at a low potential. Signals can be transferred, and power consumption due to charging / discharging during transfer of digital signals is reduced. Further, by inputting an intermediate potential VDC / 2 between the high potential side VDC and the low potential side potential VSS of the digital signal to the memory circuit, when the digital signal is at a high level (VDC), VDC / 2 is low. When the digital signal is at a low level (VSS), VDC / 2 is at a high level. Therefore, it is not necessary to input a signal having a phase opposite to that of the input digital signal, and the number of necessary elements can be reduced. it can. Even if the potential applied to the input terminal of the inverter 11 is not the intermediate potential VDC / 2 between the high-potential side potential VDC and the low-potential side potential VSS of the digital signal, the inverters 11 and 12 are not at the high level of the digital signal. Any potential that can identify the low level is acceptable.

図2は、図1の回路のインバータ11,12の構成を示す回路図である。同図に示すように、インバータ11,12は、ゲート電極およびドレイン電極をそれぞれ接続したP型TFTとN型TFTにより構成されており、ゲート電極を接続した点がインバータ11,12の入力端子INとなり、ドレイン電極を接続した点がインバータ11,12の出力端子OUTとなる。P型TFTのソース電極は、サンプリング信号Sにより制御されるP型TFTを介して電源電位VDDに接続され、N型TFTのソース電極は、基準電位VSSに接続されている。サンプリング信号Sがハイレベルのときには、電源電位に接続したP型TFTがオフするので出力端子OUTは、ハイインピーダンスか基準電位VSSとなり、サンプリング信号Sがローレベルで入力端子INに入力される信号がローレベルのときには、出力端子OUTの出力はハイレベル(VDD)となる。   FIG. 2 is a circuit diagram showing a configuration of inverters 11 and 12 of the circuit of FIG. As shown in the figure, the inverters 11 and 12 are each composed of a P-type TFT and an N-type TFT to which a gate electrode and a drain electrode are connected, and the point where the gate electrode is connected is the input terminal IN of the inverters 11 and 12. Thus, the point where the drain electrode is connected becomes the output terminal OUT of the inverters 11 and 12. The source electrode of the P-type TFT is connected to the power supply potential VDD via the P-type TFT controlled by the sampling signal S, and the source electrode of the N-type TFT is connected to the reference potential VSS. When the sampling signal S is at the high level, the P-type TFT connected to the power supply potential is turned off, so that the output terminal OUT becomes the high impedance or the reference potential VSS, and the signal input to the input terminal IN when the sampling signal S is at the low level. When it is at a low level, the output of the output terminal OUT is at a high level (VDD).

次に、図1に示すデータラッチ回路の動作について、図3の動作タイミング図を用いて説明する。   Next, the operation of the data latch circuit shown in FIG. 1 will be described with reference to the operation timing chart of FIG.

時刻t1においてサンプリング信号Sがハイレベルになると、P型TFT13,14はオフし、N型TFT15,16がオンとなる。このとき、インバータ11,12と電源とが切り離されるとともに、図1に示すノードAには、データバスラインのデジタル信号が印加され、ノードBには、VDC/2の電位が印加される。時刻t2においてデジタル信号がハイレベルになると、ノードAの電位もデジタル信号のハイレベルの電位VDCとなる。   When the sampling signal S becomes high level at time t1, the P-type TFTs 13 and 14 are turned off and the N-type TFTs 15 and 16 are turned on. At this time, the inverters 11 and 12 are disconnected from the power source, the digital signal of the data bus line is applied to the node A shown in FIG. 1, and the potential of VDC / 2 is applied to the node B. When the digital signal becomes high level at time t2, the potential of the node A also becomes the high level potential VDC of the digital signal.

時刻t3においてサンプリング信号Sがローレベルになると、P型TFT13,14はオンし、N型TFT15,16がオフとなる。このとき、インバータ11,12には電源が供給されるとともに、デジタル信号の入力が遮断される。記憶回路では、ノードAとノードBでデジタル信号とVDC/2との電位の比較が行われ、高い電位を有するノードはVDDに、低い電位を有するノードはVSSになる。   When the sampling signal S becomes low level at time t3, the P-type TFTs 13 and 14 are turned on and the N-type TFTs 15 and 16 are turned off. At this time, power is supplied to the inverters 11 and 12, and the input of digital signals is blocked. In the memory circuit, the potentials of the digital signal and VDC / 2 are compared between the node A and the node B, and a node having a high potential becomes VDD and a node having a low potential becomes VSS.

図4は、第1の実施の形態における別のデータラッチ回路の構成を示す回路図である。同図に示すデータラッチ回路は、図1に示したものに対してインバータ11,12の代わりにクロックドインバータ41,42を用いたものである。クロックドインバータ41,42は、図5に示すように、4つのTFTを直列に接続した構成をしており、電源電位VDDおよび基準電位VSSに接続されたTFTのゲート電極にはサンプリング信号S、サンプリング信号Sの逆相の信号/Sが入力される。サンプリング信号Sがハイレベルになると、電源電位VDDおよび基準電位VSSに接続されたTFTがオフし、出力端子OUTはハイインピーダンス状態となる。   FIG. 4 is a circuit diagram showing a configuration of another data latch circuit in the first embodiment. The data latch circuit shown in the figure uses clocked inverters 41 and 42 instead of the inverters 11 and 12 in the circuit shown in FIG. As shown in FIG. 5, the clocked inverters 41 and 42 have a configuration in which four TFTs are connected in series, and the sampling signals S and V are applied to the gate electrodes of the TFTs connected to the power supply potential VDD and the reference potential VSS. A signal / S having a phase opposite to that of the sampling signal S is input. When the sampling signal S becomes a high level, the TFT connected to the power supply potential VDD and the reference potential VSS is turned off, and the output terminal OUT is in a high impedance state.

したがって、本実施の形態によれば、デジタル信号の振幅(0−3V)よりも大きな電源電位VDD(5V)を有する電源にTFT13,14を介して接続されたインバータ11,12で構成された記憶回路と、デジタル信号が印加されるデータバスラインとをTFT16を介して接続し、記憶回路にデータを書き込むサンプリング期間を定めるサンプリング信号SによってTFT13,14,15,16を制御することにより、入力されたデジタル信号の振幅(0−3V)より大きな出力(0−5V)が得られるので、低電位でデジタル信号を転送することが可能となり、デジタル信号の転送の際の充放電による電力消費が低減される。また、デジタル信号の高電位側の電位(3V)と低電位側の電位(0V)の中間の電位VDC/2(1.5V)を記憶回路のもう一方の入力端子に入力することにより、入力されるデジタル信号の逆相の信号を入力する必要がなくなるので、必要な素子の数を減らすことができる。   Therefore, according to the present embodiment, the memory constituted by the inverters 11 and 12 connected via the TFTs 13 and 14 to the power source having the power source potential VDD (5 V) larger than the amplitude (0-3 V) of the digital signal. The circuit and a data bus line to which a digital signal is applied are connected via the TFT 16, and the TFTs 13, 14, 15, and 16 are controlled by controlling the TFTs 13, 14, 15, and 16 with a sampling signal S that defines a sampling period for writing data to the memory circuit. Since an output (0-5V) larger than the amplitude (0-3V) of the digital signal can be obtained, it is possible to transfer the digital signal at a low potential, and power consumption due to charging / discharging during the transfer of the digital signal is reduced. Is done. In addition, by inputting a potential VDC / 2 (1.5 V) between the high potential side (3 V) and the low potential side potential (0 V) of the digital signal to the other input terminal of the memory circuit, Since it is not necessary to input a signal having a phase opposite to that of the digital signal, the number of necessary elements can be reduced.

[第2の実施の形態]
図6は、第2の実施の形態におけるデータラッチ回路の構成を示す回路図である。同図に示すデータラッチ回路は、第1の実施の形態のようにインバータの電源端子にTFTを接続するのではなく、インバータ61,62の出力端子にTFT63,64を接続し、サンプリング信号Sによりオン・オフを制御するものである。その他の構成については、第1の実施の形態と同様であるので説明を省略する。
[Second Embodiment]
FIG. 6 is a circuit diagram showing a configuration of the data latch circuit in the second embodiment. In the data latch circuit shown in the figure, the TFTs 63 and 64 are connected to the output terminals of the inverters 61 and 62 instead of connecting the TFT to the power supply terminal of the inverter as in the first embodiment, and the sampling signal S is used. It controls on / off. Since other configurations are the same as those in the first embodiment, description thereof will be omitted.

サンプリング信号Sがハイレベルのときには、インバータ61,62の出力端子に接続されたTFT63,64はオフとなり、VDC/2の電源、データバスラインに接続されたTFT65,66がオンとなるので、ノードAにはデータバスラインのデジタル信号が印加され、ノードBにはVDC/2の電位が印加される。サンプリング信号Sがハイレベルからローレベルへ変化するときに、TFT63,64がオンに、TFT65,66がオフになり、入力されたデジタル信号の値がラッチされる。インバータ61,62はVDDで駆動されているので、高い電位を有するノードの電位はVDDに、低い電位を有するノードの電位はVSSとなり、入力されたデジタル信号の振幅よりも大きな出力を得ることができる。   When the sampling signal S is at a high level, the TFTs 63 and 64 connected to the output terminals of the inverters 61 and 62 are turned off, and the TFTs 65 and 66 connected to the power source of VDC / 2 and the data bus line are turned on. A digital signal of the data bus line is applied to A, and a potential of VDC / 2 is applied to node B. When the sampling signal S changes from the high level to the low level, the TFTs 63 and 64 are turned on, the TFTs 65 and 66 are turned off, and the value of the input digital signal is latched. Since the inverters 61 and 62 are driven by VDD, the potential of a node having a high potential is VDD, the potential of a node having a low potential is VSS, and an output larger than the amplitude of the input digital signal can be obtained. it can.

したがって、本実施の形態によれば、デジタル信号の振幅(0−3V)よりも大きな電源電位VDD(5V)により駆動されるインバータ61,62により構成された記憶回路の出力端子にTFT63,64を接続し、記憶回路とデジタル信号が印加されるデータバスラインとをTFT66を介して接続して、サンプリング信号SによってTFT63,64,65,66を制御することにより、入力されたデジタル信号の振幅(0−3V)より大きな出力(0−5V)が得られるので、低電位でデジタル信号を転送することが可能となり、デジタル信号の転送の際の充放電による電力消費が低減される。   Therefore, according to the present embodiment, the TFTs 63 and 64 are connected to the output terminals of the memory circuit constituted by the inverters 61 and 62 driven by the power supply potential VDD (5 V) larger than the amplitude (0-3 V) of the digital signal. The storage circuit and the data bus line to which the digital signal is applied are connected via the TFT 66, and the TFTs 63, 64, 65, 66 are controlled by the sampling signal S, whereby the amplitude ( Since an output (0-5V) larger than 0-3V) can be obtained, a digital signal can be transferred at a low potential, and power consumption due to charging / discharging during the transfer of the digital signal is reduced.

第1の実施の形態におけるデータラッチ回路の構成を示す回路図である。1 is a circuit diagram showing a configuration of a data latch circuit in a first embodiment. FIG. 図1の回路のインバータの構成を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the structure of the inverter of the circuit of FIG. 図1の回路の動作タイミング図である。FIG. 2 is an operation timing chart of the circuit of FIG. 1. 第1の実施の形態における別のデータラッチ回路の構成を示す回路図である。FIG. 5 is a circuit diagram showing a configuration of another data latch circuit in the first embodiment. 図4の回路のクロックドインバータの構成を示す回路図である。FIG. 5 is a circuit diagram showing a configuration of a clocked inverter of the circuit of FIG. 4. 第2の実施の形態におけるデータラッチ回路の構成を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the structure of the data latch circuit in 2nd Embodiment. 従来の駆動回路一体型の液晶表示装置の構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the structure of the conventional liquid crystal display device integrated with a drive circuit.

符号の説明Explanation of symbols

1…表示部
2…走査線駆動回路
3…信号線駆動回路
4…走査線
5…信号線
11,12,61,62…インバータ
41,42…クロックドインバータ
13,14,15,16,43,44,63,64,65,66…TFT
100…画素
101…TFT
102…液晶
103…補助容量
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Display part 2 ... Scanning line drive circuit 3 ... Signal line drive circuit 4 ... Scanning line 5 ... Signal line 11, 12, 61, 62 ... Inverter 41, 42 ... Clocked inverter 13, 14, 15, 16, 43, 44, 63, 64, 65, 66 ... TFT
100 ... Pixel 101 ... TFT
102 ... Liquid crystal 103 ... Auxiliary capacity

Claims (4)

デジタル信号が印加されるデータバスラインと、
基準電位と電源電位との差が前記デジタル信号の振幅よりも大きな電源電位を有する第1の電源と、
前記第1の電源により電力を供給される第1および第2のインバータと、
前記第1および第2のインバータの入力端子と出力端子を互いにループ状に接続して構成した記憶回路と、
前記データバスラインと前記第1または第2のインバータの入力端子のいずれか一方とに接続され、前記デジタル信号を前記記憶回路に書き込むサンプリング期間中はオンする第1のスイッチング素子と、
前記デジタル信号の高電位側の電位と低電位側の電位の中間の電位を有する第2の電源と、
前記第2の電源と前記第1または第2のインバータの入力端子のうち前記データバスラインを接続していない方の入力端子とに接続され、前記サンプリング期間中はオンする第2のスイッチング素子と、
を有することを特徴とするデータラッチ回路。
A data bus line to which a digital signal is applied;
A first power supply having a power supply potential in which a difference between a reference potential and a power supply potential is larger than an amplitude of the digital signal;
First and second inverters powered by the first power source;
A memory circuit configured by connecting the input terminal and the output terminal of the first and second inverters in a loop;
A first switching element connected to the data bus line and either one of the input terminals of the first or second inverter and turned on during a sampling period for writing the digital signal to the memory circuit;
A second power source having an intermediate potential between a high potential side potential and a low potential side potential of the digital signal;
A second switching element connected to the second power supply and an input terminal not connected to the data bus line among the input terminals of the first or second inverter and turned on during the sampling period; ,
A data latch circuit comprising:
前記第1の電源と前記第1および第2のインバータの電源端子との間にそれぞれ配置され、前記サンプリング期間以外の期間にオンする第3および第4のスイッチング素子を有することを特徴とする請求項1記載のデータラッチ回路。   3. A third switching element and a fourth switching element which are respectively disposed between the first power supply and the power supply terminals of the first and second inverters and are turned on in a period other than the sampling period. Item 2. A data latch circuit according to Item 1. 前記第1および第2のインバータの出力端子にそれぞれ接続され、前記サンプリング期間以外の期間にオンする第5および第6のスイッチング素子を有することを特徴とする請求項1記載のデータラッチ回路。   2. The data latch circuit according to claim 1, further comprising fifth and sixth switching elements that are respectively connected to output terminals of the first and second inverters and are turned on in a period other than the sampling period. マトリックス状に配置された複数の走査線および複数の信号線と、
前記走査線と前記信号線との交点に配置された表示素子と、
前記走査線を駆動する走査線駆動回路と、
請求項1乃至3のいずれかに記載のデータラッチ回路と、
前記データラッチ回路の出力をデジタルアナログ変換し、前記信号線に入力するデジタルアナログ変換回路と、
を有することを特徴とする液晶表示装置。
A plurality of scanning lines and a plurality of signal lines arranged in a matrix;
A display element disposed at an intersection of the scanning line and the signal line;
A scanning line driving circuit for driving the scanning lines;
A data latch circuit according to any one of claims 1 to 3,
Digital-to-analog conversion of the output of the data latch circuit and input to the signal line; and
A liquid crystal display device comprising:
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