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JP2008121077A - マグネトロンスパッタリング用磁気回路 - Google Patents

マグネトロンスパッタリング用磁気回路 Download PDF

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JP2008121077A JP2006307396A JP2006307396A JP2008121077A JP 2008121077 A JP2008121077 A JP 2008121077A JP 2006307396 A JP2006307396 A JP 2006307396A JP 2006307396 A JP2006307396 A JP 2006307396A JP 2008121077 A JP2008121077 A JP 2008121077A
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義彦 栗山
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【課題】 ターゲットの長寿命化を図ることができるマグネトロンスパッタリング用磁気回路を提供する。
【解決手段】 長方形状のセンターヨーク21と、その表面の中央部に長辺方向に設置され高さ方向に磁化された内側磁石22と、その両側に設置された内側磁石22と逆極性の外側磁石23を有する第1磁石体2と、第1磁石体2の両端部に接続される第2磁石体3、4を備えている。第2磁石体3(4)は、センターヨーク21に隣接する長方形状の第1ヨーク311とその表面に設置された内側磁石322と外側磁石323を有する第1磁石ユニット31と、第1ヨークに隣接する第2ヨーク321とその表面に配置された内側磁石322と外側磁石323を有する第2磁石ユニット32を含む。第2磁石体3は一端側がセンターヨーク21の裏面に固定された連結板5により、センターヨーク21の長手方向に沿って移動可能に支持されている。
【選択図】図1

Description

本発明は、基板表面に薄膜を形成するために使用されるマグネトロンスパッタリング装置に組み込まれる磁気回路に関する。
半導体IC等の電子部品の製造プロセスにおいては、基板表面に薄膜を形成するために、膜の堆積速度が速くしかも基板への電子の衝突が起こらないので低温で成膜が可能となるという利点を有するマグネトロンスパッタリング装置が多用されている。マグネトロンスパッタリング装置によれば、真空チャンバー内に陽極側の基板と相対するように配置したターゲットを高周波電源に接続して陰極とし、13.33〜0.13Paの不活性ガス(例えばArガス)を導入した後、陽極と陰極との間に電圧を印加してグロー放電を起こして不活性ガスをイオン化し、ターゲットから放出された二次電子を磁界と直角の面内で捕獲し、ターゲット表面でサイクロイド運動を行わせてガス分子と衝突させることによりイオン化を促進し、ターゲット材が中性の原子として基板上に凝縮し(薄膜化)堆積することにより、薄膜の形成が行われる。
ターゲット表面にプラズマを閉じ込めて薄膜生成効率を高めるために、レーストラック状の磁界分布を有する磁気回路はターゲット裏面に配置されるが、コーナー部での磁束密度の分布が高くなるので、その部分の薄膜生成速度は他の部分よりも速い。その結果コーナー部に対向する領域のエロージョン進行が速くなる(局部的にスパッタされる)ので、基板上に生成される薄膜の膜厚が不均一になるという欠点がある。さらにターゲットが局部的に侵食されることにより、ターゲットの使用効率が低下し、ターゲットの寿命が短くなるので、薄膜生成コストの上昇を招来する。そこで、磁気回路には、磁束密度のバラツキが小さいことが要求されるので、種々の磁気回路構造が提案されている。
例えば、特許文献1には、矩形状のターゲットの中央部分に設けた中央磁石の周囲に外周磁石を設けるとともに、外周磁石のコーナー部を略馬蹄形にすることにより、ターゲット上の磁力線の磁束密度分布を均一にできることが記載されている。しかしてターゲットの長寿命化のためには、磁束密度分布を均一にできることに加えて、ターゲットの材質に応じた磁界分布が必要である。
詳述すると、ターゲットが侵食される速さは磁場強度に比例して増加するプラズマ密度とターゲットの材質に依存するとともに、半導体基板や液晶基板には多層の薄膜を形成するので、薄膜の材質に応じたターゲットが選定される。しかしてターゲットごとに磁気回路を変更することは、コストを考慮すると実用性に欠けるので、共通の磁気回路を使用し、ターゲットの材質変更に伴い、磁気回路全体とターゲット表面との距離を調整し、ターゲット表面にかかる磁場強度を適宜調整することが行われている。しかるに磁気回路全体とターゲット表面との距離を調整すると、コーナー部の磁場強度は改善されるが、直線部の磁場強度は低下するという欠点がある。
そこで、磁気回路を直線部とコーナー部とに分割し、コーナー部とターゲット表面との距離を調整することが行われている。例えば特許文献2には、マグネトロン磁場発生用磁石を上部マグネット、中部マグネット、下部マグネットに3分割し,ターゲットの摩耗に応じてそれらの配置を変える、例えばターゲットの上部及び下部の摩耗の進行が速いときには、上部マグネットと下部マグネットを中部マグネットよりも多くターゲットから引き離すことが記載されている。
特開平7−34244号公報(第3−4頁、図1、図5) 特開平11−350129号公報(第3−4頁、図1、図2、図3)
特許文献2に記載された構造では、磁気回路を分割し、分割部ごとに選択的にターゲットとの距離を変更できるが、基板サイズの大型化に対応するためには十分とは言えない。すなわち、磁気回路の大型化に伴い、磁気回路とターゲット表面との距離を調整するだけでは均一な膜厚分布が得られ難く、特にプラズマ密度が高くなり易いコーナー部では安定的に均一な膜厚分布を得ることが困難である。
従って本発明の目的は、材質などが異なる多種類のターゲットに対してターゲットの長寿命化を図ることができるマグトロンスパッタリング用磁気回路を提供することである。
上記目的を達成するために、本発明のマグネトロンスパッタリング用磁気回路は、センターヨークと、その表面の中央部に所定方向に設置され高さ方向に磁化された内側磁石と、その両側に設置された前記内側磁石と逆極性の外側磁石を有する第1磁石体と、前記第1磁石体の両端部に接続される第2磁石体とを備え、前記第2磁石体は、前記センターヨークに隣接する第1ヨークとその表面に設置された内側磁石と外側磁石を有する第1磁石ユニットと、前記第1ヨークに隣接する第2ヨークとその表面に配置された磁石を有する第2磁石ユニットを含むとともに、一端側が前記センターヨークの裏面に固定された連結部材に前記各磁石ユニットが前記所定方向に沿って移動可能に支持され、レーストラック状の磁場分布を調整可能とすることを特徴とするものである。
本発明のマグネトロンスパッタリング用磁気回路において、前記第2磁石部材は、前記第2磁石ユニットに隣接する第3磁石ユニットと、前記第3磁石ユニットに隣接する第4磁石ユニットをさらに含み、前記第2磁石ユニット及び前記第3磁石ユニットは前記外側磁石と同極性の外側磁石を有し、第4磁石ユニットは、前記外側磁石と同極性の端部磁石を有することが好ましい。
本発明のマグネトロンスパッタリング用磁気回路において、前記連結部材は、前記各磁石ユニットを固定する締結部材が各磁石ユニットの連結方向に沿って移動可能に装着される調整穴を有することがさらに好ましい。
本発明によれば、磁気回路の長手方向に沿ってその両端部(第2磁石体)を直線部(第1磁石体)とコ−ナー部(第2磁石体)とに分割し、必要に応じさらにコーナー部を複数個の磁石ユニットに分割するとともに、各磁石ユニット間の間隔を調整する機構を有するので、磁石の材質、極性又は形状を容易に変更することができる。
これにより第2磁石体の表面から所定距離だけ離れた位置(ターゲットの表面に相当する位置)における磁場強度(磁束密度の水平方向成分と同垂直方向成分)を変更することができ、もって磁場分布をターゲットの材質に応じて調整することが可能となり、コーナー部での安定的な膜厚分布特性が得られ、ターゲットのエロージョン領域の均一化を拡大できるマグネットスパッタリング装置を実現することができる。したがってターゲットの長寿命化を図ることができ、さらに基板に均一な膜厚を有する薄膜を低コストで形成することが可能となる。
また、第2磁石体を構成する磁石ユニットを増加することにより、磁気回路を長くすることができるので、基板サイズに応じた磁気回路を容易に作製することができる。
以下本発明の詳細を添付図面により説明する。図1は本発明の実施の形態に係わるマグネトロンスパッタリング用磁気回路の平面図、図2は図1のA−A線断面図、図3は図1のB−B線断面図、図4は図1のC−C線断面図、図5は図2をD方向から見た矢視図、図6は第2磁石ユニットを示し(a)は平面図、(b)は(a)をE方向から見た矢視図、図7は第3磁石ユニットを示し(a)は平面図、(b)は(a)をF方向から見た矢視図、図8は第4磁石ユニットを示し(a)は平面図、(b)は(a)をG方向から見た矢視図である。
図1及び図2に示す磁気回路1は、図示しないターゲットの裏面側に所定間隔をおいて配置されるもので、レーストラック状の磁場分布を得るために、第1磁石体2とその両側に接続された第2磁石体3、4を備えている。図1及び図2の右半分は第1磁石体2に第2磁石体3が接続された状態を示し、図1及び図2の左半分は第1磁石体2に連結板5が固定された状態を示し、一点鎖線で示す第2磁石体4が固定される前の状態を示す。
第1磁石体2は、平板状(例えば長方形状)のセンターヨーク21と、その中央にヨークの長辺方向に沿って設置された内側磁石22と、平面からみてその磁石を挟むように設置された外側磁石23を有する。内側磁石22は例えば高さ方向に磁化された複数のブロック磁石(直方体形状を有する永久磁石)をヨークの長辺方向に沿って1列に並べて形成され、外側磁石23は、内側磁石22と逆方向に磁化された複数のブロック磁石を内側磁石22と同方向に1列に並べて形成される。各磁石は実質的に同一の高さを有するように磁気回路が構成されている。
第2磁石体3は、平板状(例えば長方形状)の連結部材(以下連結板という)5に設置された第1磁石ユニット31、第2磁石ユニット32、第3磁石ユニット33及び第4磁石ユニット34をこの順に並べて構成される。
図2に示すように連結板5は、その全長Lはセンターヨークに重なる部分(長さL1)と、第1磁石ユニット31を支持する部分(長さL2)と、第2磁石ユニット(長さL5)と、第3磁石ユニット(長さL6)及び第4磁石ユニット(長さL7)を支持する部分(長さL3)と各磁石ユニット間の間隔を調整できるようにするための余長部(長さL4)の合計である。図2のように各磁石ユニットが相互に密着している場合は、連結板5の全長LはL1、L2及びL3の合計より長くなり、余長部L4が生じる。余長部L4が存在することにより、第1磁石ユニット32〜第4磁石ユニット34をその配列方向に沿って移動させることができる。したがって隣接する磁石ユニットの間隔(矢印S1、S2、S3及びS4の位置)を変更できるので、磁場強度を調整することができる。
連結板5は、図5に示すようにセンターヨークに固定される部分(長さL1)に、複数(図5では4個)のめねじ51を有する。また第1磁石ユニット32〜第4磁石ユニット34をその配列方向に沿って移動可能とするために、2列の長穴状の調整穴52及び調整穴53が形成されるとともに、各列の調整穴は穴の中心が平面からみて同一の直線上に位置する。まず第1磁石ユニット31がセットされる部分(長さL2)には2列(4個)の長穴状の調整穴52が形成されている。なお、調整穴52の数は第1磁石ユニット31の長さに応じて選定すればよく、2列であれば2個あるいは6個以上でもよい。さらに第2磁石ユニット32〜第4磁石ユニット34がセットされる部分(長さL3)には2個(2列)の長穴状の調整穴53が形成されている。なお、調整穴53の長さはこれに限定されず、第1磁石ユニット以外の磁石ユニット数に応じて変更すればよく、例えばそのユニット数が4個以上の場合は、さらに長くすることができる。これらの調整穴はボルト(例えば六角穴付ボルト)をねじ込んだときに、ボルトの頭部が連結板からはみ出すのを防止するために座ぐり付のものである。
第1磁石ユニット31は、図3及び図4も参照すると、平板状の第1ヨーク311とその表面に設置された内側磁石312を有する。内側磁石312は第1磁石体2を構成する内側磁石22と同方向に磁化された複数のブロック磁石を2列に並べたもので、外側磁石313は第1磁石体2を構成する外側磁石22と同方向に磁化された複数のブロック磁石を1列に並べたものである。
第1磁石ユニットとともに連結板5に支持される第2磁石ユニット32、第3磁石ユニット33及び第4磁石ユニット34を図6〜8により説明する。
第2磁石ユニット32は、図6に示すように、矩形状の第2ヨーク321と、その表面に立設された内側磁石332と、その両側に位置する外側磁石323を有する。
第3磁石ユニット33は、図7に示すように、矩形状の第3ヨーク331と、その表面に立設された内側磁石332と、その両側に位置する外側磁石333を有する。
第4磁石ユニット34は、図8に示すように、矩形状の第4ヨーク341と、その表面に立設された平面からみて山形状の端部磁石342を有する。
これらの磁石ユニット31〜34は、連結板5(図2及び図5参照)にセット(載置)された後、磁石ユニット間の距離が調整されて、所定の磁場強度が得られる位置で固定される。すなわち第1磁石ユニット31は、4本のボルト62をねじ込み後、第1磁石体との間隔を調整して、所定の位置で各ボルトを完全に締め付けて連結板5に固定される。次いで第2磁石ユニット31は、2本のボルト63をねじ込み後、第1磁石ユニット31との間隔を調整して、所定の位置で各ボルトを完全に締め付けて連結板5に固定される。さらに第3磁石ユニット32及び第4磁石ユニット33も第2磁石ユニット32と同様の手順で連結板5に固定される。最後に、第4磁石ユニット34(図8参照)のヨーク341のめねじ343にボルト(図示を省略)をねじ込むことにより、所定の磁場強度を有する磁気回路が組立てられる。
上記の説明では、一方の第2磁石体を4分割した例を示したが、本発明はこれに限らず、2分割以上すれば磁場分布の調整が可能となる。但し、分割数が少ないと、磁場の調整範囲が狭くなり、分割数が多いと、磁気回路の製造コストや調整工数が増大するので、これらも考慮して分割数を設定すればよい。
本発明において、磁気回路を構成する部材は例えば以下の材料で形成することができる。磁石は、公知の永久磁石材料で形成することができるが、高い磁束密度を得るために希土類磁石を使用することが好ましく、特にR(RはNd等の希土類元素のうちの少なくとも一種である。)、T(TはFe又はFe及びCoである。)及びBを必須成分とするR−T−B系焼結磁石(耐食性の点から各種の表面処理を施したもの)を使用することがより好ましい。またこのR−T−B系異方性焼結磁石のうちでは、ターゲット表面の磁束密度を向上し、ターゲットのエロージョン領域を拡大して、ターゲットの寿命を長くし、しかも基板上に均一な厚さを有する成膜を実現するために、最大エネルギー積が40MGOe以上となる磁気特性を有するものがより好ましい。
ヨーク及び連結板は鉄鋼材料(例えばSS材)のような強磁性体で形成し、耐食性を付与するために例えばメッキ層(例えば無電解Niメッキ層)で表面を被覆することが好ましい。またスペーサは非磁性体(例えばアルミニウム合金)で形成すればよい。
本発明の実施の形態に係わるマグネトロンスパッタリング用磁気回路の平面図である。 図1のA−A線断面図である。 図1のB−B線断面図である。 図1のC−C線断面図である。 図2をD方向から見た矢視図である。 第1コーナー部を示し(a)は平面図、(b)は(a)をE方向から見た矢視図である。 第2コーナー部を示し(a)は平面図、(b)は(a)をF方向から見た矢視図、である。 第3コーナー部を示し(a)は平面図、(b)は(a)をG方向から見た矢視図である。
符号の説明
1:磁気回路、
2:第1磁石体、21:センターヨーク、22:内側磁石、23:外側磁石、
3:第2磁石体、
31:第1磁石ユニット、311:第1ヨーク、312:内側磁石、313:外側磁石、
32:第2磁石ユニット、321:第2ヨーク、322:内側磁石、323:外側磁石、
33:第3磁石ユニット、331:第3ヨーク、332:内側磁石、333:外側磁石、
34:第4磁石ユニット、341:第4ヨーク、342:端部磁石、
4:第2磁石体
5:連結板、51、54:めねじ、52、53:調整穴、
62、63:ボルト

Claims (3)

  1. センターヨークと、その表面の中央部に所定方向に設置され高さ方向に磁化された内側磁石と、その両側に設置された前記内側磁石と逆極性の外側磁石を有する第1磁石体と、前記第1磁石体の両端部に接続される第2磁石体とを備え、前記第2磁石体は、前記センターヨークに隣接する第1ヨークとその表面に設置された内側磁石と外側磁石を有する第1磁石ユニットと、前記第1ヨークに隣接する第2ヨークとその表面に配置された磁石を有する第2磁石ユニットを含むとともに、一端側が前記センターヨークの裏面に固定された連結部材に前記各磁石ユニットが前記所定方向に沿って移動可能に支持され、レーストラック状の磁場分布を調整可能とすることを特徴とするマグネトロンスパッタリング用磁気回路。
  2. 前記第2磁石体は、前記第2磁石ユニットに隣接する第3磁石ユニットと、前記第3磁石ユニットに隣接する第4磁石ユニットをさらに含み、前記第2磁石ユニット及び前記第3磁石ユニットは前記外側磁石と同極性の外側磁石を有し、第4磁石ユニットは、前記外側磁石と同極性の端部磁石を有することを特徴とする請求項1に記載のマグネトロンスパッタリング用磁気回路。
  3. 前記連結部材は、前記各磁石ユニットを固定する締結部材が各磁石ユニットの連結方向に沿って移動可能に装着される調整穴を有することを特徴とする請求項2に記載のマグネトロンスパッタリング用磁気回路。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20110065353A (ko) * 2009-12-09 2011-06-15 가부시키가이샤 알박 마그네트론 스퍼터 전극용의 자석 유닛 및 스퍼터링 장치
JP2011202217A (ja) * 2010-03-25 2011-10-13 Canon Anelva Corp マグネトロンスパッタリング装置、及び、スパッタリング方法
JP2014095122A (ja) * 2012-11-09 2014-05-22 Ulvac Japan Ltd マグネトロンスパッタ装置
EP2669403A4 (en) * 2011-01-24 2015-05-20 Hitachi Metals Ltd MAGNETIC FIELD GENERATING DEVICE FOR PERMITTING MAGNETRON SPRAY
JP2016113646A (ja) * 2014-12-11 2016-06-23 株式会社アルバック ロータリーカソード、および、スパッタ装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09125242A (ja) * 1995-10-27 1997-05-13 Anelva Corp マグネトロンスパッタ用カソード電極
JP2007154291A (ja) * 2005-12-08 2007-06-21 Ulvac Japan Ltd マグネトロンスパッタ電極及びマグネトロンスパッタ電極を用いたスパッタリング装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09125242A (ja) * 1995-10-27 1997-05-13 Anelva Corp マグネトロンスパッタ用カソード電極
JP2007154291A (ja) * 2005-12-08 2007-06-21 Ulvac Japan Ltd マグネトロンスパッタ電極及びマグネトロンスパッタ電極を用いたスパッタリング装置

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20110065353A (ko) * 2009-12-09 2011-06-15 가부시키가이샤 알박 마그네트론 스퍼터 전극용의 자석 유닛 및 스퍼터링 장치
CN102097270A (zh) * 2009-12-09 2011-06-15 株式会社爱发科 用于磁控管溅射电极的磁铁组以及溅射装置
JP2011122195A (ja) * 2009-12-09 2011-06-23 Ulvac Japan Ltd マグネトロンスパッタ電極用の磁石ユニット及びスパッタリング装置
TWI503436B (zh) * 2009-12-09 2015-10-11 Ulvac Inc Magnetron sputtering electrode magnet unit, and sputtering device
KR101944975B1 (ko) 2009-12-09 2019-02-01 가부시키가이샤 알박 마그네트론 스퍼터 전극용의 자석 유닛 및 스퍼터링 장치
JP2011202217A (ja) * 2010-03-25 2011-10-13 Canon Anelva Corp マグネトロンスパッタリング装置、及び、スパッタリング方法
EP2669403A4 (en) * 2011-01-24 2015-05-20 Hitachi Metals Ltd MAGNETIC FIELD GENERATING DEVICE FOR PERMITTING MAGNETRON SPRAY
JP2014095122A (ja) * 2012-11-09 2014-05-22 Ulvac Japan Ltd マグネトロンスパッタ装置
JP2016113646A (ja) * 2014-12-11 2016-06-23 株式会社アルバック ロータリーカソード、および、スパッタ装置

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