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JP2008120696A - 新規なトリピリジルフェニル誘導体、それよりなる電子輸送材料およびそれを含む有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents

新規なトリピリジルフェニル誘導体、それよりなる電子輸送材料およびそれを含む有機エレクトロルミネッセンス素子 Download PDF

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JP2008120696A
JP2008120696A JP2006303131A JP2006303131A JP2008120696A JP 2008120696 A JP2008120696 A JP 2008120696A JP 2006303131 A JP2006303131 A JP 2006303131A JP 2006303131 A JP2006303131 A JP 2006303131A JP 2008120696 A JP2008120696 A JP 2008120696A
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Application number
JP2006303131A
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Inventor
Junji Kido
淳二 城戸
Shi-Jian Su
仕健 蘇
Daisaku Tanaka
大作 田中
Takashi Takeda
孝 武田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Chemipro Kasei Kaisha Ltd
Original Assignee
Chemipro Kasei Kaisha Ltd
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Publication date
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Abstract

【課題】新規なトリピリジルフェニル誘導体、それよりなる電子輸送材料およびそれを含む有機エレクトロルミネッセンス素子の提供。
【解決手段】
下記一般式(1)
【化1】
Figure 2008120696

(式中、Qは、
【化2】
Figure 2008120696

よりなる群から選ばれた基であり、R〜R10は、水素および炭素数1〜6の直鎖または分岐のアルキル基よりなる群からそれぞれ独立して選ばれた基である。)
で示されるトリピリジルフェニル誘導体、それよりなる電子輸送材料およびそれを含む有機エレクトロルミネッセンス素子。
【選択図】なし

Description

本発明は、新規なトリピリジルフェニル誘導体、それよりなる電子輸送材料およびそれを含む有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。
有機エレクトロルミネッセンス素子(有機EL素子)は、電極から注入されたホールと電極の再結合によって生成した励起エネルギーが発光過程を経て基底状態に緩和されることにより自発光する。しかしながら、ホールと電子の再結合によって生成する励起状態には一重項励起状態と三重項励起状態の2種類がそれぞれ1対3の割合で存在する。これまでの多くは一重項励起状態からの発光を利用した蛍光材料が発光材料に利用されていたため、内部量子効率が最大で25%であるので、この時取り出し効率を20%とすると、最大外部量子効率は5%が理論限界であった。
近年、イリジウムやプラチナなどの重原子効果を利用した錯体化合物を用い三重項励起状態からの発光、すなわちリン光発光を用いることにより発光効率の向上が報告されるようになった(例えば、非特許文献1)。一重項励起状態に加え、三重項励起状態からの発光を利用することで最大内部量子効率は理論上100%に到達することが可能で、リン光材料は発光材料として注目を浴びている(非特許文献3)。
例えば緑色材料として、下記式
Figure 2008120696
に示すトリス(2−フェニルピリジナト)イリジウム(III)[Ir(ppy)]が広く利用されている。
また安達らによる非特許文献2などにより青色発光材料である下記式
Figure 2008120696
で示すビス[2−(4,6−ジフルオロフェニル)ピリジネート−N,C′]イリジウム(III)ピコリレート(FIrpic)が注目を浴びるようになり、それ以降FIrpicを用いた有機EL素子の高効率化検討および新規な青色リン光錯体探索研究が盛んに行われるようになった。
その結果最近ではS.R.Forrestらによる非特許文献1では下記式
Figure 2008120696
で示すトリス{1−〔4−(トリフルオロメチル)フェニル〕−1H−ピラゾラート,N,C2′}イリジウム(III)(Irtfmppz3)やM.E.Thompsonらによる非特許文献4では下記式
Figure 2008120696
で示すビス[2−(4′,6′−ジフルオロフェニル)ピリジネート−N,C2′]テトラキス(1−ピラゾリル)ボレート(Fir6)が開発された。
これら発光材料を効率よく発光させるにはホールと電子の注入バランスを整えて、発光層の中で十分にこれらのキャリアーの結合が行えるようにホール輸送剤や電子輸送剤などを選択しなければならない。
特に青色リン光材料についてはエネルギーギャップが大きいためにワイドギャップ化されたホール輸送剤や電子輸送剤が必要になってくる。現在これらリン光材料については、電子輸送材料に従来から使用されているAlq〔トリス(8−ヒドロキシキノリノラト)アルミニウム〕やBAlq〔ビス(2−メチル−8−キノリノラト)アルミニウムp−フェニルフェノラート〕等が使用されているが、リン光材料に使用するには十分なエネルギーギャップを持ち合わせていないため新規なワイドギャップな電子輸送材料の開発が必要である。
M.A.Baldo, S.Lamansky, P.E.Burrows, M.E.Thompson, S.R.Forrest Appl.Phys.Lett 1999 75(1) 4−7 Appl.Phys.Lett.,79, 2082(2001) J.Appl.Phys.90 5048(2001) Polyhedron 23 (2004) 419−428
本発明の目的は、新規なトリピリジルフェニル誘導体、それよりなる電子輸送材料およびそれを含む有機エレクトロルミネッセンス素子を提供する点にある。
本発明の第1は、下記一般式(1)
Figure 2008120696
(式中、Qは、
Figure 2008120696
よりなる群から選ばれた基であり、R〜R10は、水素および炭素数1〜6の直鎖または分岐のアルキル基よりなる群からそれぞれ独立して選ばれた基である。)
で示されるトリピリジルフェニル誘導体に関する。
本発明の第2は、請求項1記載のトリピリジルフェニル誘導体よりなる電子輸送材料に関する。
本発明の第3は、請求項1記載のトリピリジルフェニル誘導体を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。
本発明のトリピリジルフェニル誘導体は、下記の反応により製造することができる。
Figure 2008120696
(式中、Qは、
Figure 2008120696
よりなる群から選ばれた基であり、R〜R10は、水素および炭素数1〜6の直鎖または分岐のアルキル基よりなる群からそれぞれ独立して選ばれた基である。)
本発明におけるR〜R10における炭素数1〜6の直鎖または分岐のアルキル基としては、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、n−ブチル、イソブチル、t−ブチル、ヘプチル、イソヘプチル、n−ヘキシル等を挙げることができる。
以下に本発明の化合物の具体例を示す。
Figure 2008120696
Figure 2008120696
Figure 2008120696
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本発明のトリピリジルフェニル誘導体は高い電子輸送性能を有する。従って、電子注入材料及び電子輸送材料として使用することができる。
本発明のトリピリジルフェニル誘導体を有機エレクトロルミネッセンス素子に使用する場合、適当な発光材料(ドーパント)と組み合わせて使用することもできる。
本発明のトリピリジルフェニル誘導体を電子輸送層に用いる場合、本発明の化合物は電子注入材料や電子輸送材料として使用できる。また他の電子輸送材料と組み合わせて使用することもできる。
次に本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子について説明する。本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、陽極と陰極間に一層もしくは多層の有機化合物を積層した素子であり、該有機化合物層の少なくとも一層が本発明のトリピリジルフェニル誘導体を含有する。有機エレクトロルミネッセンス素子が一層の場合、陽極と陰極間に発光層を設けている。発光層は、発光材料を含有しそれに加えて陽極から注入した正孔もしくは陰極から注入した電子を発光材料まで輸送するのが目的で、正孔注入材料もしくは電子注入材料を含有していても良い。多層型の有機エレクトロルミネッセンス素子の構成例としては、例えばITO/ホール輸送層/発光層/電子輸送層/陰極、ITO/ホール注入層/ホール輸送層/発光層/電子輸送層/陰極、ITO/ホール輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極、ITO/ホール輸送層/発光層/ホールブロック層/電子輸送層/陰極、ITO/ホール注入層/ホール輸送層/発光層/ホールブロック層/電子輸送層/陰極、ITO/ホール輸送層/発光層/ホールブロック層/電子輸送層/電子注入層/陰極、ITO/ホール注入層/ホール輸送層/発光層/ホールブロック層/電子輸送層/電子注入層/陰極等の多層構成で積層されたものがあげられる。また、必要に応じて陰極上に封止層を有していても良い。
正孔輸送層、電子輸送層、および発光層のそれぞれの層は、一層構造であっても、多層構造であっても良い。また正孔輸送層、電子輸送層はそれぞれの層で注入機能を受け持つ層(正孔注入層及び電子注入層)と輸送機能を受け持つ層(正孔輸送層および電子輸送層)を別々に設けることもできる。
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、上記構成例に限らず、種々の構成とすることができる。必要に応じて、正孔輸送層成分と発光層成分、あるいは電子輸送層成分と発光層成分を混合した層を設けても良い。
以下本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の構成要素に関して、陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極からなる素子構成を例として取り上げて詳細に説明する。本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、基板に支持されていることが好ましい。
基板の素材については特に制限はなく、従来の有機エレクトロルミネッセンス素子に慣用されているものであれば良く、例えばガラス、石英ガラス、透明プラスチックなどからなるものを用いることができる。
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の陽極としては、仕事関数の大きな金属単体(4eV以上)、仕事関数の大きな金属同士の合金(4eV以上)または導電性物質およびこれらの混合物を電極材料とすることが好ましい。このような電極材料の具体例としては、金、銀、銅等の金属、ITO(インジウム−スズオキサイド)、酸化スズ(SnO)、酸化亜鉛(ZnO)などの導電性透明材料、ポリピロール、ポリチオフェン等の導電性高分子材料が挙げられる。陽極はこれらの電極材料を、例えば蒸着、スパッタリング、塗布などの方法により基板上に形成することができる。陽極のシート電気抵抗は数百Ω/cm以下が好ましい。陽極の膜厚は材料にもよるが、一般に5〜1,000nm程度、好ましくは10〜500nmである。
陰極としては、仕事関数の小さな金属単体(4eV以下)、仕事関数の小さな金属同士の合金(4eV以下)または導電性物質およびこれらの混合物を電極材料とすることが好ましい。このような電極材料の具体例としては、リチウム、リチウム−インジウム合金、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、アルミニウム、アルミニウム−リチウム合金、アルミニウム−マグネシウム合金などが挙げられる。陰極はこれらの電極材料を、例えば蒸着、スパッタリングなどの方法により、薄膜を形成させることにより作製することができる。陰極のシート電気抵抗は数百Ω/cm以下が好ましい。陰極の膜厚は材料にもよるが、一般に5〜1,000nm程度、好ましくは10〜500nmである。本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の発光を効率良く取り出すために、陽極または陰極の少なくとも一方の電極は、透明もしくは半透明であることが好ましい。
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の正孔輸送層は、正孔伝達化合物からなるもので、陽極より注入された正孔を発光層に伝達する機能を有している。電界が与えた2つの電極間に正孔伝達化合物が配置されて陽極から正孔が注入された場合、少なくとも10−6cm/V・秒以上の正孔移動度を有する正孔伝達物質が好ましい。本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子に使用する正孔輸送層に使用する正孔伝達物質は、前記の好ましい性質を有するものであれば特に制限はない。従来から光導電材料において正孔の電荷注入輸送材料として慣用されているものや有機エレクトロルミネッセンス素子の正孔輸送層に使用されている公知の材料の中から任意のものを選択して用いることができる。
前記の正孔伝達物質としては、例えば銅フタロシアニンなどのフタロシアニン誘導体、N,N,N′,N′−テトラフェニル−1,4−フェニレンジアミン、N,N′−ジ(m−トリル)−N,N′−ジフェニル−4,4′−ジアミノビフェニル(TPD)、N,N′−ジ(1−ナフチル)−N,N′−ジフェニル−4,4′−ジアミノビフェニル(α−NPD)、等のトリアリールアミン誘導体、ポリフェニレンジアミン誘導体、ポリチオフェン誘導体、および水溶性のPEDOT−PSS(ポリエチレンジオキサチオフェン−ポリスチレンスルホン酸)が挙げられる。正孔輸送層は、これらの他の正孔伝達化合物一種または二種以上からなる一層で構成されたもので良く、前記の正孔伝達物質とは別の化合物からなる正孔輸送層を積層したものでもよい。
正孔注入材料としては、下記化学式に示すPEDOT:PSS(ポリマー混合物)やDNTPDを挙げることができる。
Figure 2008120696
正孔輸送材料としては、下記化学式に示すTPD、DTASI、m−DTATPBなどを挙げることができる。
Figure 2008120696
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の発光層の発光物質については特に制限されることはなく、従来の公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができる。
発光材料としては、ペリレン誘導体、ナフタセン誘導体、キナクリドン誘導体、クマリン誘導体(例えばクマリン1、クマリン540、クマリン545など)、ピラン誘導体(例えばDCM−1、DCM−2、DCJTBなど)、有機金属錯体、例えばトリス(8−ヒドロキシキノリノラト)アルミニウム(Alq)、トリス(4−メチル−8−ヒドロキシキノリノラト)アルミニウム(Almq)等の蛍光材料やビス[2−(4,6−ジフルオロフェニル)ピリジネート−N,C′]イリジウム(III)ピコリレート(FIrpic)、トリス{1−[4−(トリフルオロメチル)フェニル]−1H−ピラゾラート,N,C2′}イリジウム(III)(Irtfmppz)、ビス[2−(4′,6′−ジフルオロフェニル)ピリジネート−N,C2′]テトラキス(1−ピラゾリル)ボレート(Fir6)、トリス(2−フェニルピリジナト)イリジウム(III)[Ir(PPy)]などのリン光材料などを挙げることができる。
発光層は、ホスト材料とゲスト材料(ドーパント)から形成することもできる[Appl.Phys.Lett.,65 3610(1989)]。特にリン光材料を発光層に使用する場合、ホスト材料の使用が必要でありこの時使用されるホスト材料としては4,4′−ジ(N−カルバゾリル)−1,1′−ビフェニル(CBP)、1,4−ジ(N−カルバゾリル)ベンゼン、2,2′−ジ〔4″−(N−カルバゾリル)フェニル〕−1,1′−ビフェニル(4CzPBP)等があげられる。
ゲスト材料は、ホスト材料に対して、好ましくは0.01〜40重量%であり、より好ましくは0.1〜20重量%である。ゲスト材料としては、従来公知のFIrpic(化4)、Ir(PPy)(化3)、Fir6(化6)などを挙げることができる。
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の電子輸送層の材料としては、本発明のトリピリジルフェニル誘導体が好ましい。このものは単独で使用できるが他の電子輸送材料と併用しても構わない。
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、電子注入性をさらに向上させる目的で、陰極と有機層の間に絶縁体で構成される電子注入層をさらに設けても良い。ここで使用される導電体としては、アルカリ金属ハロゲン化物、アルカリ土類金属ハロゲン化物から選択される少なくとも一つの金属化合物を使用することが好ましい。アルカリ金属ハロゲン化物としては、フッ化リチウム、フッ化ナトリウム、フッ化カリウム、フッ化セシウム、塩化リチウム等が挙げられる。アルカリ土類金属ハロゲン化物としては、フッ化マグネシウム、フッ化カルシウム、フッ化バリウム、フッ化ストロンチウム等が挙げられる。
正孔輸送層、発光層の形成方法については特に限定されるものではない。例えば乾式成膜法(例えば真空蒸着法、イオン化蒸着法など)、湿式成膜法〔溶液塗布法(例えば、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法など)〕を使用することができる。本発明のトリピリジルフェニル誘導体の電子輸送層の形成方法については、乾式成膜法(例えば真空蒸着法、イオン化蒸着法)が好ましい。また素子の作製については上記の成膜方法を併用しても構わない。
真空蒸着法により正孔輸送層、発光層、電子輸送層等の各層を形成する場合、真空蒸着条件は、特に限定されるものではない。通常10−4Pa程度以下の真空下で50〜500℃程度のボート温度(蒸着源温度)、−50〜300℃程度の基板温度で、0.01〜50nm/sec.程度蒸着することが好ましい。正孔輸送層、発光層、電子輸送層の各層を複数の化合物を使用して形成する場合、化合物を入れた各ボートをそれぞれ温度制御しながら共蒸着することが好ましい。
正孔輸送層、発光層を溶媒塗布法で形成する場合、各層を構成する成分を溶媒に溶解または分散させて塗布液とする。溶媒としては、炭化水素系溶媒(例えば、ヘプタン、トルエン、キシレン、シクロヘキサン等)、ケトン系溶媒(例えばアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等)、ハロゲン系溶媒(例えばジクロロメタン、クロロホルム、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン等)、エステル系溶媒(例えば酢酸エチル、酢酸ブチル等)、アルコール系溶媒(例えばメタノール、エタノール、ブタノール、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ等)、エーテル系溶媒(例えばジブチルエーテル、テトラヒドロフラン、1,4−ジオキサン、1,2−ジメトキシエタン等)、非プロトン性溶媒(例えばN,N′−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド等)、水等が挙げられる。溶媒は単独で使用しても良く、複数の溶媒を併用しても良い。
正孔輸送層、発光層、電子輸送層等の各層の膜厚は、特に限定されるものではないが、通常5〜5,000nmになるようにする。
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、酸素や水分等との接触を遮断する目的で保護層(封止層)を設けたり、不活性物質中に素子を封入して保護することができる。不活性物質としては、パラフィン、シリコンオイル、フルオロカーボン等が挙げられる。保護層に使用する材料としては、フッ素樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリエステル、ポリカーボネート、光硬化性樹脂等が挙げられる。
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、通常直流駆動の素子として使用できる。直流電圧を印加する場合、陽極をプラス、陰極をマイナスの極性として電圧を通常1.5〜20V程度印加すると発光が観測される。また、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は交流駆動の素子としても使用できる。交流電圧を印加する場合には、陽極がプラス、陰極がマイナスの状態になった時に発光する。本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、例えば電子写真感光体、フラットパネルディスプレイなどの平面発光体、複写機、プリンター、液晶ディスプレイのバックライト、計器等の光源、各種発光素子、各種表示素子、各種標識、各種センサー、各種アクセサリーなどに使用することができる。
図35〜48に、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の好ましい例を示す。
図35は、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の一例を示す断面図である。図35は、基板1上に陽極2、発光層3および陰極4を順次設けた構成のものである。ここで使用する発光素子は、それ自体が正孔輸送性、電子輸送性及び発光性の機能を単一で有している場合や、それぞれの機能を有する化合物を混合して使用する場合に有用である。
図36は、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子における他の例を示す断面図である。図36は、基板1上に、陽極2、正孔輸送層5、発光層3及び陰極4を順次設けた構成のものである。この場合、発光層は電子輸送性の機能を有している場合に有用である。
図37は、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子における他の例を示す断面図である。図37は、基板1上に、陽極2、発光層3、電子輸送層6及び陰極4を順次設けた構成のものである。この場合、発光層は正孔輸送性の機能を有している場合に有用である。
図38は、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子における他の例を示す断面図である。図38は、基板1上に、陽極2、正孔輸送層5、発光層3、電子輸送層6及び陰極4を順次設けた構成のものである。これは、キャリア輸送と発光の機能を分離したものであり、材料選択の自由度が増すために、発光の高効率化や発光色の自由度が増すことになる。
図39は、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子における他の例を示す断面図である。図39は、基板1上に、陽極2、正孔注入層7、正孔輸送層5、発光層3、電子輸送層6及び陰極4を順次設けた構成のものである。この場合、正孔注入層7を設けることにより、陽極2と正孔輸送層5の密着性を高めたり、陽極から正孔の注入を良くし、発光素子の低電圧駆動に効果がある。
図40は、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子における他の例を示す断面図である。図40は、基板1上に、陽極2、正孔輸送層5、発光層3、電子輸送層6、電子注入層8及び陰極4を順次設けた構成のものである。この場合、陰極4から電子の注入を良くし、発光素子の低電圧駆動に効果がある。
図41は、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子における他の例を示す断面図である。図41は、基板1上に、陽極2、正孔注入層7、正孔輸送層5、発光層3、電子輸送層6、電子注入層8及び陰極4を順次設けた構成のものである。この場合、陽極2から正孔の注入を良くし、陰極4からは電子の注入を良くし、最も低電圧駆動に効果がある構成である。
図42〜48は、素子の中に正孔ブロック層を挿入したものの断面図である。正孔ブロック層は、陽極から注入された正孔、あるいは発光層3で再結合により生成した励起子が陰極4に抜けることを防止する効果があり、エレクトロルミネッセンス素子の発光効率の向上に効果がある。正孔ブロック層9については、発光層3と陰極4の間もしくは発光層3と電子輸送層6の間あるいは発光層3と電子注入層8の間に挿入することができる。より好ましいものは発光層3と電子輸送層6の間である。
図42〜48で、正孔輸送層5、正孔注入層7、電子輸送層6、電子注入層8、発光層3、正孔ブロック層9のそれぞれの層は、一層構造であっても、多層構造であってもよい。
図35〜48は、あくまで基本的な素子構成であり、本発明の化合物を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子の構成は、これに限定されるものではない。
前記電子注入層に用いる電子注入材料としては、本出願人の特願2006−292032号にかかる化合物、例えば下記化合物群を例示することができる。
Figure 2008120696
本発明のトリピリジルフェニル誘導体は、電子親和力の値が2.8〜3.0と大きく電子の閉じこめ効果が大きい。またエネルギーギャップの値が3.4〜4.1と大きな値をとるため、大きなエネルギーを必要とする青色発光材料の電子輸送材料に適している。本発明化合物の励起スペクトルを測定すると青色の領域になる。しかし、実施例で緑色に光っているのは、発光材料に緑色のリン光材料であるIr(ppy)を使用しているからである。
以下に実施例を挙げて本発明を説明するが、本発明はこれにより何ら限定されるものではない。
実施例1
トリス−1,3,5−〔6′−(ピリジン−3″−イル)ピリジン−3′−イル〕ベンゼン{Tris−1,3,5−〔6′−(pyridine−3″−yl)pyridine−3′−yl〕benzene}(Tp33BPYB)の合成
Figure 2008120696
500ml四つ口フラスコに5−ブロモ−2,3−ビピリジン(3.4g,14.5mmol)、トリス−1,3,5−(4′,4′,5′,5′−テトラメチル−1′,3′,2′−ジオキサボロラン−2′−イル)ベンゼン〔Tris−1,3,5−〔4′,4′,5′,5′−tetramethyl−1′,3′,2′−dioxaborolan−2′−yl)benzene〕TDOBB(2g,4.39mmol)、トルエン140mL、エタノール70mL、炭酸ナトリウム(15.4g,145mmol)の80mL水溶液を投入し40分間窒素フローした。その後テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム〔Pd(PPh〕(1g,0.87mmol)を投入し、70℃に加熱し2時間反応させた。目的物が析出してくるので冷却後、ろ過して固体を回収し、水分散洗浄1時間、熱トルエン分散洗浄1時間、熱クロロホルム分散洗浄1時間をそれぞれ行い、乾燥しTp33BPYBの白色結晶2.18gを得た。構造はH−NMR、DI−MSで確認した。
このもののUVスペクトルおよびPLスペクトルは図1および図2に示す。
実施例2
トリス−1,3,5−〔6′−(ピリジン−3″−イル)ピリジン−3′−イル〕−2,4,6−トリメチルベンゼン{Tris−1,3,5−〔6′−(pyridine−3″−yl)pyridine−3′−yl〕−2,4,6−trimethylbenzene}(Tp33BPYMES)の合成
Figure 2008120696
300ml四つ口フラスコに2−(ピリジン−3′−イル)−5−(4′,4′,5′,5′−テトラメチル−1′,3′,2′−ジオキサボロラン−2′−イル)ピリジン〔2−(pyridine−3′−yl)−5−(4′,4′,5′,5′−tetramethyl−1′,3′,2′−dioxaborolan−2′−yl)pyridine〕5−DOB−2,3−ビピリジン(3.6g,12.8mmol)、トリブロモメシチレン(1.3g,3.64mmol)、トルエン80mL、エタノール40mL、リン酸カリウムn水和物10gの40mL水溶液を投入し40分間窒素フローした。その後テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム(253mg,0.22mmol)を投入し、70℃に加熱し24時間反応させた。室温まで冷却後、分液洗浄を3回行い有機層に硫酸マグネシウムを投入して乾燥した。ろ過して硫酸マグネシウムを除去し、溶液を濃縮し茶色の粗結晶を得た。これをシリカゲルカラム(クロロホルム/メタノール=40/1)で精製し、Tp33BPYMESの白色結晶1.41gを得た。構造はH−NMR、DI−MSで確認した。
このもののUVスペクトルおよびPLスペクトルは図1および図2に示す。
実施例3
トリス−1,3,5−〔5′−(ピリジン−3″−イル)ピリジン−3′−イル〕ベンゼン{Tris−1,3,5−〔5′−(pyridine−3″−yl)pyridine−3′−yl〕benzene}(Tm33BPyB)の合成
Figure 2008120696
300ml四つ口フラスコにTDOBB(1.37g,3.0mmol)、5−ブロモ−〔3,3′〕ビピリジニル(5−Bromo−〔3,3′〕bipyridinyl)(2.23g,9.5mmol)、Pd(PPh(0.208g,0.18mmol)、トルエン/エタノール(3/1,160mL)と2MKCO(30mL)を入れて、窒素気流下90℃で24時間反応させた。反応終了後、反応溶液を水に注ぎ、クロロホルムで抽出し、飽和食塩水で洗浄した。無水硫酸マグネシウムで脱水し、溶媒をエバポレーターで除去した。
精製はカラムクロマトグラフィー法(展開溶媒:クロロホルム/メタノール=20/1)を行い、白い粉末を得た。収率:56.7mol%。
構造確認はH−NMRで行った。
このもののUVスペクトルおよびPLスペクトルは図1および図2に示す。
実施例1〜3で得られたそれぞれの化合物の電気化学特性は下記表のとおりである。
Figure 2008120696
エネルギーギャップ(Eg)については、蒸着機で作成した薄膜を紫外−可視吸光度計で薄膜の吸収曲線を測定する。その薄膜の短波長側の立ち上がりの所に接線を引き、求まった交点の波長W(nm)を次の式に代入し目的の値を求める。それによって得た値がEgになる。
Eg=1240÷W
例えば接線を引いて求めた値W(nm)が470nmだったとしたらこの時のEgの値は
Eg=1240÷470=2.63(eV)
と言うことになる。
Ip(イオン化ポテンシャル)は、イオン化ポテンシャル測定装置(例えば理研計器AC−1)を使用して測定し、測定するサンプルがイオン化を開始しだしたところの電圧(eV)の値を読む。
Ea(電子親和力)は、IpからEgを引いた値である。
本明細書における波長に対する強度(intensity a.u.)の測定は、浜松ホトニクス社製ストリークカメラを用いて、クライオスタット中で4.2Kにおいて測定した。
IP=HOMO,Ea=LUMO
図1、2にそれぞれの蒸着膜のUV吸収、PLスペクトルを示した。表1には電気化学特性を示した。UV吸収スペクトルやPLスペクトルからもわかるように吸収端、発光ピークはいずれもTp33BPYB、Tp33BPYMES、Tm33BPYBの順にブルーシフトすることがわかる。この結果より共役系を最も制御できているのがメタ結合で結合したTm33BPYBであるということができる。IpはTp33BPYMES、Tm33BPYBともに6.6eV以上と高いものであり、これら2つの化合物はホールブロック性が高い。
実施例4
トリス−1,3,5−〔6′−(ピリジン−3″−イル)ピリジン−2′−イル〕ベンゼン{Tris−1,3,5−〔6′−(pyridine−3″−yl)pyridine−2′−yl〕benzene}(Tm23BPyB)の合成
Figure 2008120696
300ml四つ口フラスコにTDOBB(1.37g,3.0mmol)、6−ブロモ−〔2,3′〕ビピリジニル(6−Bromo−〔2,3′〕bipyridinyl)(2.23g,9.5mmol)、Pd(PPh(0.208g,0.18mmol)、トルエン/エタノール(3/1,160mL)と2M(2モル/リットル濃度のこと、以下、同様)KCO(30mL)を入れて、窒素気流下90℃で24時間反応させた。反応終了後、反応溶液を水に注ぎ、クロロホルムで抽出し、飽和食塩水で洗浄した。無水硫酸マグネシウムで脱水し、溶媒をエバポレーターで除去した。
精製はカラムクロマトグラフィー法(展開溶媒:クロロホルム/メタノール=30/1)を行い、白い粉末を得た。収率:74.6mol%。
構造確認はH−NMRで行った。
実施例5
トリス−1,3,5−〔6′−(ピリジン−2″−イル)ピリジン−2′−イル〕ベンゼン{Tris−1,3,5−〔6′−(pyridine−2″−yl)pyridine−2′−yl〕benzene}(Tm22BPyB)の合成
Figure 2008120696
300ml四つ口フラスコにTDOBB(1.82g,4.0mmol)、6−ブロモ−〔2,2′〕ビピリジニル(6−Bromo−〔2,2′〕bipyridinyl)(3.49g,14.8mmol)、Pd(PPh(0.780g,0.675mmol)、トルエン/エタノール(3/1,170mL)と2MKCO(50mL)を入れて、窒素気流下90℃で24時間反応させた。反応終了後、反応溶液を水に注ぎ、クロロホルムで抽出し、飽和食塩水で洗浄した。無水硫酸マグネシウムで脱水し、溶媒をエバポレーターで除去した。
精製はカラムクロマトグラフィー法(展開溶媒:クロロホルム/酢酸エチル=2/1)を行い、白い粉末を得た。収率:(2.20g),90.4mol%。
構造確認はH−NMRおよびMASSで行った。
比較例1
下記化学構造式
Figure 2008120696
をもつTmPyPhB{トリス−1,3,5−〔3′−(ピリジン−3″−イル)フェニル〕ベンゼン{Tris−1,3,5−〔3′−(pyridine−3″−yl)phenyl〕benzene}と本発明の実施例4で得られたTm23BPyBおよび実施例3で得られたTm33BPyBの物性を評価した。
TmPyPhB、Tm23BPyBおよびTm33BPyBの各蒸着膜の吸収スペクトルおよび蛍光スペクトルは、図3および4に示し、その電気化学的特性は下記表に示す。
Figure 2008120696
図3、4および前記表の結果をみると、TmPyPhBとTm33BPyBの蒸着膜の吸収スペクトルは共に255nmに吸収ピークが現れている。それに対し、Tm23BPyBの蒸着膜の吸収スペクトルは245、310nmに吸収ピーク、275nmに吸収肩のような複雑な吸収が現れている。TmPyPhB、Tm33BPyB、Tm23BPyBの発光スペクトルはそれぞれ353、360.369nmにピークが現れている。
Tm33BPyBの光学的エネルギーギャップ(Eg)は、吸収スペクトルの吸収端より3.86eVと見積もった。Tm23BPyBは長波長に吸収ピークが現れたため、吸収端より見積もった光学的エネルギーギャップ(Eg)は狭くなり、3.58eVである。大気中光電子分析装置(AC−3)の測定結果より、Tm33BPyBのHOMO値は6.68eVであり、Egとの差より、LUMOの値は2.82eVと見積もった。Tm23BPyBのHOMO値は6.66eVであり、LUMOの値は3.08eVであ5る。Tm23BPyBのLUMOレベルは低いため、電子注入障壁は低いと予測され、電子輸送材料として有機EL素子への応用が期待される。
実施例6、7、比較例2
実施例2で得られたTp33BPYMES
実施例3で得られたTm33BPyB
をそれぞれ電子輸送材料として用いた有機EL素子をつくり、電子輸送材料として代表的なAlqのみを用いた有機EL素子(比較例2)と対比した。
有機EL素子の構成
比較例2:ITO/α−NPD(50nm)/Alq(70nm)/LiF(0.5nm)/Al(100nm)
実施例6:ITO/α−NPD(50nm)/Alq(40nm)/Tp33BPYMES(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(100nm)
実施例7:ITO/α−NPD(50nm)/Alq(40nm)/Tm33BPyB(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(100nm)
Figure 2008120696
図5、6に電流密度−電圧特性、輝度−電圧特性を示す。なおいずれの素子からもAlqのみの発光が得られている。メシチレンにビピリジンが結合したTp33BPYMESの低電圧領域における電流注入性はAlqを若干上回っており陰極からの電子注入障壁は低いと考えられる。Tm33BPYBについては低電圧領域の電流注入性はAlqより若干劣るが高電圧領域の電流注入は良好であるという結果が得られた。
実施例8、比較例3
実施例2で得られたTp33BPYMESを用いて緑リン光素子を作成した。
Tp33BPYMESの代りにBCP/Alqを用いたものを比較例3とした。
有機EL素子の構成
比較例3:ITO/TPDPES:TBPAH(20nm)/TAPC(30nm)/CBP:Ir(ppy)(9wt%)(30nm)/BCP(10nm)/Alq(20nm)/LiF(0.5nm)/Al(100nm)
実施例8:ITO/TPDPES:TBPAH(20nm)/TAPC(30nm)/CBP:Ir(ppy)(9wt%)(30nm)/Tp33BPYMES(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(100nm)
TPDPESは、ポリ〔オキシ−1,4−フェニレンスルホニル−1,4−フェニレンオキシ−1,4−フェニレン(フェニルイミノ)(1,1′−ビフェニル)−4,4′−ジイル(フェニルイミノ)−1,4−フェニレン〕{poly〔oxy−1,4−phenylensulfonyl−1,4−phenyleneoxy−1,4−phenylene)(phenylimino)(1,1′−biphenyl)−4,4′−diyl(phenylimino)−1,4−phenylene〕}(9CI)(CA INDEX NAME)の略称である。
TBPAHはトリス(4−ブロモフェニル)アミニウム ヘキサクロロアンチモネート〔Tris(4−bromophenyl)aminium hexachloroantimonate〕である。
Figure 2008120696
Figure 2008120696
Figure 2008120696
Figure 2008120696
図7、8、9、10に電流密度−電圧、輝度−電圧、視感効率−輝度、電流効率−輝度の各特性を示す。また得られた素子特性を上記表3にまとめた。電圧−電流特性よりTp33BPYMESを用いた実施例8の素子の低電圧領域の電流注入性は、比較例3のBCP/Alqを用いたものよりも上回っておりα−NPD/Alq型素子(比較例2の素子)の評価と同様の傾向が観測された。すなわち、低電圧領域(2−6V付近)では比較例の素子に比べて電流密度が高く、比較例の素子より高い効率を示す(図5〜8参照)。そのため100cd/m、1000cd/m時の視感効率、電流効率ともにBCP/Alqを若干ではあるが上回る結果が得られている。
実施例9、10
実施例9として、実施例4で得られたTm23BPyBを用い、実施例10として、実施例3で得られたTm33BPyBを用い、それぞれ下記構成の有機EL素子を作り、比較例2の有機EL素子と対比した。
有機EL素子の構成
比較例2;○:ITO/α−NPD(50nm)/Alq(70nm)/LiF(0.5nm)/Al(100nm)
実施例9;△:ITO/α−NPD(50nm)/Alq(40nm)/Tm23BPyB(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(100nm)
実施例10;◇:ITO/α−NPD(50nm)/Alq(40nm)/Tm33BPyB(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(100nm)
図11に各素子の電流密度−電圧特性を、
図12に各素子の輝度 −電圧特性を、
図13に各素子の視感効率−電圧特性を、
図14に各素子の電流効率−電圧特性を、
図15に各素子の視感効率−輝度特性を、
図16に各素子のELスペクトルを
それぞれ示す。
Tm23BPyBとTm33BPyBのそれぞれの電子輸送性の評価は下記表4に示す。
Figure 2008120696
Tm23BPyBとTm33BPyBのそれぞれの電子輸送性の評価@100cd/mは下記表5に示す。
Figure 2008120696
Tm23BPyBとTm33BPyBのそれぞれの電子輸送性の評価@1000cd/mは下記表6に示す。
Figure 2008120696
図11〜16をみると、比較例2のα−NPD/Alq素子と比べ、実施例10のTm33BPyBを用いた素子の電流注入は若干低いが、高電圧領域にα−NPD/Alq素子と同等の電流密度を有する。それに対し、実施例9のTm23BPyBを用いた素子の電流密度は比較例2のα−NPD/Alq素子より遥かに高い。これは、Tm23BPyBが低い電子注入障壁を有する一方、電子移動度も高いことにあると思われる。その結果、Tm23BPyBを用いた実施例9の素子の駆動電圧は低くなり、同じ輝度での視感効率は最高の水準であると思われる。Tm23BPyBを電子輸送層として用い、燐光素子の高効率化も期待できる。
実施例11、12、比較例4
前記TmPyPhBに対して、実施例4で得られたTm23BPyBと実施例3で得られたTm33BPyBの電子輸送性を評価するため、下記の有機EL素子を作った。
有機EL素子の構成
比較例4;○:ITO/TPDPES(20nm)/TAPC(30nm)/CBP:Ir(ppy)(8wt%)(30nm)/TmPyPhB(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(100nm)
実施例11;△:ITO/TPDPES(20nm)/TAPC(30nm)/CBP:Ir(ppy)(8wt%)(30nm)/Tm23BPyB(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(100nm)
実施例12;◇:ITO/TPDPES(20nm)/TAPC(30nm)/CBP:Ir(ppy)(8wt%)(30nm)/Tm33BPyB(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(100nm)
図17に各素子の電流密度−電圧特性を、
図18に各素子の輝度 −電圧特性を、
図19に各素子の輝度 −電流密度特性を、
図20に各素子の外部量子効率−輝度特性を、
図21に各素子の視感効率−輝度特性を、
図22に各素子の電流効率−電圧特性を、
図23に各素子の視感効率−電圧特性を、
図24に各素子の電流効率−電流密度特性を、
図25に各素子のELスペクトルを
それぞれ示す。
実施例13、14、比較例5
実施例1〜5に準じて、下記本発明のTm24BPyB[トリス−1,3,5−〔6′−(ピリジン−4″−イル)ピリジン−2′−イル〕ベンゼン{Tris−1,3,5−〔6′−(pyridine−4″−yl)pyridine−2′−yl〕benzene}]およびTm34BPyB[トリス−1,3,5−〔6′−(ピリジン−4″−イル)ピリジン−3′−イル〕ベンゼン{Tris−1,3,5−〔6′−(pyridine−4″−yl)pyridine−3′−yl〕benzene}]を作り、これらを用いた有機EL素子と、対比のための下記Tm4PyPhB[トリス−1,3,5−〔3′−(ピリジン−4″−イル)フェニル〕ベンゼン{Tris−1,3,5−〔3′−(pyridine−4″−yl)phenyl〕benzene}]を用いた有機EL素子を作り、その性能を評価した。
Figure 2008120696
有機EL素子の構成
比較例5;○:ITO/TPDPES(20nm)/TAPC(30nm)/CBP:Ir(ppy)(8wt%)(30nm)/Tm4PyPhB(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(100nm)
実施例13;△:ITO/TPDPES(20nm)/TAPC(30nm)/CBP:Ir(ppy)(8wt%)(30nm)/Tm24BPyB(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(100nm)
実施例14;◇:ITO/TPDPES(20nm)/TAPC(30nm)/CBP:Ir(ppy)(8wt%)(30nm)/Tm34BPyB(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(100nm)
図26に各素子の電流密度−電圧特性を、
図27に各素子の輝度 −電圧特性を、
図28に各素子の輝度 −電流密度特性を、
図29に各素子の外部量子効率−輝度特性を、
図30に各素子の視感効率−輝度特性を、
図31に各素子の電流効率−電圧特性を、
図32に各素子の視感効率−電圧特性を、
図33に各素子の電流効率−電流密度特性を、
図34に各素子のELスペクトルを
それぞれ示す。
つぎに、実施例11、12、23、14および比較例4、5の緑色リン光素子の物性値を表7〜9に示す。
Figure 2008120696
この「印加電圧」は、発光が始まるときの電圧である。
Figure 2008120696
この「電圧」は、素子が100cd/mの時の電圧である。
表8のデータは、輝度100cd/mのときのデータである。ただし、比較例4のみは輝度138cd/mの時のデータである。
Figure 2008120696
比較例のTmPyPhBやTm4PyPhBを用いた緑色リン光素子と比べ、Tm23BPyBおよびTm24BPyBを用いた素子の電流密度は高い。それは、Tm23BPyBとTm24BPyBのLUMOレベルはTmPyPhBまたはTm4PyPhBより低く、電子注入障壁も低いではないかと考えられる。その上、その電子移動度も高いではないかと考えられる。とくに、Tm24BPyBを用いた素子の駆動電圧は極めて低く、100cd/m値の視感効率80lm/W近くであり、これまで高い値であることが確認された。しかし、Tm33BPyBまたはTm34BPyBを用いた素子はトリフェニルベンゼン誘導体を用いた素子(比較例5)より低電圧領域(<3V)での電流密度は若干高いが、高電圧領域での電流密度は低い。それは、Tm33BPyBまたはTm34BPyBはTmPyPhBやTm4PyPhBより電子注入障壁は低い一方、下記式に示すように、すべてのピリジン窒素原子は
Figure 2008120696
分子外側(窒素原子が全部外向きであり、窒素原子が一部向き合う形ではない)にあり、分子の電子親和力も極めて高いため、陰極から注入した電子は逆に発光層に注入し難くなるのではないかと考えられる。その結果、高電圧駆動になる一方、キャンリアバランスも崩れ、外部量子効率および視感効率が下がった。
実施例1で得られたTpBPYB(Tp33BPYB)、実施例2で得られたTpBPYMES(Tp33BPYMES)、実施例3で得られたTmBPYB(Tm33BPyB)のそれぞれのUV吸収スペクトルを示す。 実施例1で得られたTpBPYB(Tp33BPYB)、実施例2で得られたTpBPYMES(Tp33BPYMES)、実施例3で得られたTmBPYB(Tm33BPyB)のそれぞれのPLスペクトルを示す。 TmPyPhB、Tm23BPyBおよびTm33BPyBのそれぞれの蒸着膜の吸収スペクトルを示すグラフである。 TmPyPhB、Tm23BPyBおよびTm33BPyBのそれぞれの蒸着膜の蛍光スペクトルを示すグラフである。 各素子の電流密度−電圧特性を示す。 各素子の輝度−電圧特性を示す。 各素子の電流密度−電圧特性のを示す。 各素子の輝度−電圧特性を示す。 各素子の視感効率−輝度特性を示す。 各素子の電流効率−輝度特性を示す。 各素子の電流密度−電圧特性を示す。 各素子の輝度−電圧特性を示す。 各素子の視感効率−電圧特性を示す。 各素子の電流効率−電圧特性を示す。 各素子の視感効率−輝度特性を示す。 各素子のELスペクトルを示す。 各素子の電流密度−電圧特性を示す。 各素子の輝度−電圧特性を示す。 各素子の輝度−電流密度特性を示す。 各素子の外部量子効率−輝度特を示す。 各素子の視感効率−輝度特性を示す。 各素子の電流効率−電圧特性を示す。 各素子の視感効率−電圧特性を示す。 各素子の電流効率−電流密度特性を示す。 各素子のELスペクトルを示す。 各素子の電流密度−電圧特性を示す。 各素子の輝度−電圧特性を示す。 各素子の輝度−電流密度特性を示す。 各素子の外部量子効率−輝度特性を示す。 各素子の視感効率−輝度特性を示す。 各素子の電流効率−電圧特性を示す。 各素子の視感効率−電圧特性を示す。 各素子の電流効率−電流密度特性を示す。 各素子のELスペクトルを示す。 本発明における有機エレクトロルミネッセンス素子の一例を示す断面図である。 本発明における有機エレクトロルミネッセンス素子の一例を示す断面図である。 本発明における有機エレクトロルミネッセンス素子の一例を示す断面図である。 本発明における有機エレクトロルミネッセンス素子の一例を示す断面図である。 本発明における有機エレクトロルミネッセンス素子の一例を示す断面図である。 本発明における有機エレクトロルミネッセンス素子の一例を示す断面図である。 本発明における有機エレクトロルミネッセンス素子の一例を示す断面図である。 本発明における有機エレクトロルミネッセンス素子の一例を示す断面図である。 本発明における有機エレクトロルミネッセンス素子の一例を示す断面図である。 本発明における有機エレクトロルミネッセンス素子の一例を示す断面図である。 本発明における有機エレクトロルミネッセンス素子の一例を示す断面図である。 本発明における有機エレクトロルミネッセンス素子の一例を示す断面図である。 本発明における有機エレクトロルミネッセンス素子の一例を示す断面図である。 本発明における有機エレクトロルミネッセンス素子の一例を示す断面図である。
符号の説明
1 基板
2 陽極(ITO)
3 発光層
4 陰極
5 正孔輸送層(ホール輸送層)
6 電子輸送層
7 正孔注入層(ホール注入層)
8 電子注入層
9 正孔ブロック層(ホールブロック層)

Claims (3)

  1. 下記一般式(1)
    Figure 2008120696
    (式中、Qは、
    Figure 2008120696
    よりなる群から選ばれた基であり、R〜R10は、水素および炭素数1〜6の直鎖または分岐のアルキル基よりなる群からそれぞれ独立して選ばれた基である。)
    で示されるトリピリジルフェニル誘導体。
  2. 請求項1記載のトリピリジルフェニル誘導体よりなる電子輸送材料。
  3. 請求項1記載のトリピリジルフェニル誘導体を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子。
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