JP2008118162A - Printed wiring board - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、半田バンプを介して集積回路チップを載置するためのパッケージ基板等を形成するプリント配線板に関するものである。 The present invention relates to a printed wiring board for forming a package substrate or the like for mounting an integrated circuit chip via solder bumps.
図11に従来技術に係るパッケージ基板を構成するプリント配線板を示す。該プリント配線板210では、ICチップ290を実装するために、半田バンプ276を形成し、これら半田バンプ276が互い融着しないようにソルダーレジスト層270を設けてある。
FIG. 11 shows a printed wiring board constituting a package substrate according to the prior art. In the printed
図12(A)は、図11のF部を拡大して示している。また、図12(B)は、図12(A)中のB矢視図、即ち、ソルダーレジスト層270の表面を示している。図12(A)に示すようにソルダーレジスト層270は、導体回路258の上に設けられると共に、図12(B)に示すように開口部271が半田パッド275に重ならないように形成されている。該半田パッド275に、ニッケルめっき層272、金めっき層274を設け、更に半田ペースト等を印刷、リフローすることで半田バンプ276Uが形成される。
しかしながら、従来技術の半田パッド275は、下層の層間樹脂絶縁層250との密着性が低いため、剥離し易く、ICチップ290との接続信頼性に欠けることがあった。更に、使用時に熱収縮を繰り返すと、半田パッド275の壁面を起点として図12(A)中に示すようにクラックCが下層の層間樹脂絶縁層250に生じ、該層間樹脂絶縁層250の下側の導体回路358に断線を生ぜしめることがあった。
However, since the
かかる課題に対応するため、例えば、特開平10−93235号にて、図12(C)に示すように半田パッド275の側面にテーパを設け、ソルダーレジスト層270と接触させて、半田パッド275をソルダーレジスト270で押さえる技術が提案されている。しかし、当該技術では、ソルダーレジスト層270の厚さと半田パッド275の厚さが同一であるため、ソルダーレジストが半田パッドを十分に押さえることができず、冷熱サイクル時や吸湿時に、半田パッド275と下層の層間樹脂絶縁層250との間で剥離が発生する。
In order to deal with such a problem, for example, in Japanese Patent Laid-Open No. 10-93235, the side surface of the
本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、その目的は、半田パッドの接続信頼性を高め得るプリント配線板を提供することにある。 SUMMARY An advantage of some aspects of the invention is to provide a printed wiring board capable of improving the connection reliability of solder pads.
上記目的を達成するため、請求項1の発明は、コア基板と、該コア基板上において層間樹脂絶縁層と導体回路とが交互に積層されてなるビルドアップ配線層と、該ビルドアップ配線層のうち最外層に位置する層間樹脂絶縁層上に形成されるとともに当該層間樹脂絶縁層表面の導体回路の一部を露出させる開口を有するソルダーレジスト層とを備え、前記導体回路において前記開口から露出する箇所には、半導体部品を搭載するための半田パッドが設けられてなるプリント配線板において、
前記ビルドアップ多層配線板のうち最外層に位置する層間樹脂絶縁層の表面は粗化されており、
且つ、前記半田パッドを備える前記導体回路はその側面を含む全表面に粗化面を有するとともに、前記開口の周縁を構成するソルダーレジスト層を、前記半田パッドを備える導体回路の周辺部に厚みをもって重なるように形成したことを技術的特徴とする。
In order to achieve the above object, the invention of
The surface of the interlayer resin insulation layer located in the outermost layer of the build-up multilayer wiring board is roughened,
And the said conductor circuit provided with the said solder pad has a roughening surface on the whole surface including the side surface, and has a solder resist layer which comprises the periphery of the said opening with thickness in the peripheral part of the said conductor circuit provided with the said solder pad. A technical feature is that they are formed to overlap.
請求項1の発明では、開口の周縁を構成するソルダーレジスト層を半田パッドの周辺部に厚みをもって重なるようにソルダーレジスト層の開口を形成してあるため、特開平1−93235号と異なり、ソルダ−レジスト層が半田パッドを上から押さえつけて、半田パッドが下層の絶縁層から剥離することがなくなり、接続信頼性が向上する。また、半田パッドとソルダーレジスト層とを密着させるため、下層の絶縁層(層間樹脂絶縁層)にクラックが入り難くなる。 In the first aspect of the invention, since the solder resist layer forming the periphery of the opening is formed so that the solder resist layer overlaps the peripheral portion of the solder pad with a thickness, the solder resist layer is different from JP-A-1-93235. -The resist layer presses the solder pad from above, and the solder pad is not peeled off from the lower insulating layer, thereby improving connection reliability. Further, since the solder pad and the solder resist layer are brought into close contact with each other, cracks are unlikely to occur in the lower insulating layer (interlayer resin insulating layer).
半田パッドの周辺部に3μm以上重なるようにソルダーレジスト層の開口を形成することが望ましい。半田パッドを押さえ、冷熱サイクル時、吸湿時の半田パッドの剥離、絶縁層のクラックを完全に防止できる。 It is desirable to form an opening in the solder resist layer so as to overlap the peripheral part of the solder pad by 3 μm or more. By holding the solder pad, it is possible to completely prevent the solder pad from peeling and the insulating layer from cracking during the cooling / heating cycle and moisture absorption.
ソルダーレジスト層の半田パッドの周辺部における重なりの厚みを10μm以上にすることが望ましい。半田パッドが下層の絶縁層から剥離することがなくなり、接続信頼性が向上する。 It is desirable that the overlapping thickness of the solder resist layer on the periphery of the solder pad be 10 μm or more. The solder pad is not peeled off from the lower insulating layer, and the connection reliability is improved.
ソルダーレジスト層の厚みを10〜50μmにしてすることが望ましい。10μm未満であると半田の流れをせき止めるソルダーダムとして機能せず、50μmを越えると開口を形成し難くなる上、半田バンプを構成する半田体と接触し、半田体にクラックを生じさせる原因となるからである。 The thickness of the solder resist layer is desirably 10 to 50 μm. If it is less than 10 μm, it will not function as a solder dam that stops the flow of solder, and if it exceeds 50 μm, it will be difficult to form an opening, and contact with the solder body constituting the solder bump will cause cracks in the solder body. It is.
ソルダーレジスト層の開口は、直径250μm以下の円形状であることが望ましい。半田パッドの直径が小さい程、剥離が発生しやすく、直径250μm以下の開口を設けなければならない程小さな直径の半田パッドを形成する場合に、効果が顕著である。 The opening of the solder resist layer is preferably circular with a diameter of 250 μm or less. The smaller the solder pad diameter is, the more easily peeling occurs, and the effect is remarkable when forming a solder pad having a diameter small enough to provide an opening having a diameter of 250 μm or less.
ソルダーレジスト層は、ノボラック型エポキシ樹脂もしくはノボラック型エポキシ樹脂のアクリレートからなり、イミダゾール硬化剤を硬化剤として含むことが望ましい。このような構成のソルダーレジスト層は、鉛のマイグレーション(鉛イオンがソルダーレジスト層内を拡散する現象)が少ないという利点を持つ。しかも、このソルダーレジスト層は、ノボラック型エポキシ樹脂のアクリレートをイミダゾール硬化剤で硬化した樹脂層であり、耐熱性、耐アルカリ性に優れ、はんだが溶融する温度(200°C前後)でも劣化せず、ニッケルめっき及び金めっきを行う際の強塩基性のめっき液で分解することもない。 The solder resist layer is preferably made of a novolak type epoxy resin or an acrylate of a novolak type epoxy resin, and preferably contains an imidazole curing agent as a curing agent. The solder resist layer having such a configuration has an advantage that lead migration (a phenomenon in which lead ions diffuse in the solder resist layer) is small. Moreover, this solder resist layer is a resin layer obtained by curing an acrylate of a novolak type epoxy resin with an imidazole curing agent, and has excellent heat resistance and alkali resistance, and does not deteriorate even at a temperature at which the solder melts (around 200 ° C.). It is not decomposed by a strongly basic plating solution when performing nickel plating and gold plating.
なお、ソルダーレジスト層としては、種々の樹脂を使用でき、例えば、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールA型エポキシ樹脂のアクリレート、ノボラック型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂のアクリレートをアミン系硬化剤やイミダゾール硬化剤などで硬化させた樹脂を使用できる。 Various types of resins can be used as the solder resist layer. For example, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol A type epoxy resin acrylate, novolak type epoxy resin, novolak type epoxy resin acrylate can be used as an amine curing agent or imidazole curing agent. A resin cured with an agent can be used.
一方、このようなソルダーレジスト層は、剛直骨格を持つ樹脂で構成されるので剥離が生じることがある。このため、補強層を設けることでソルダーレジスト層の剥離を防止することもできる。 On the other hand, since such a solder resist layer is made of a resin having a rigid skeleton, peeling may occur. For this reason, peeling of a soldering resist layer can also be prevented by providing a reinforcement layer.
ここで、上記ノボラック型エポキシ樹脂のアクリレートとしては、フェノールノボラックやクレゾールノボラックのグリシジルエーテルを、アクリル酸やメタクリル酸などと反応させたエポキシ樹脂などを用いることができる。 Here, as the acrylate of the novolak type epoxy resin, an epoxy resin obtained by reacting glycidyl ether of phenol novolak or cresol novolak with acrylic acid, methacrylic acid or the like can be used.
上記イミダゾール硬化剤は、25℃で液状であることが望ましい。液状であれば均一混合できるからである。このような液状イミダゾール硬化剤としては、1-ベンジル−2-メチルイミダゾール(品名:1B2MZ )、1-シアノエチル−2-エチル−4-メチルイミダゾール(品名:2E4MZ-CN)、4-メチル−2-エチルイミダゾール(品名:2E4MZ )を用いることができる。 The imidazole curing agent is desirably liquid at 25 ° C. This is because uniform mixing is possible if it is liquid. Examples of such liquid imidazole curing agents include 1-benzyl-2-methylimidazole (product name: 1B2MZ), 1-cyanoethyl-2-ethyl-4-methylimidazole (product name: 2E4MZ-CN), 4-methyl-2- Ethylimidazole (product name: 2E4MZ) can be used.
このイミダゾール硬化剤の添加量は、上記ソルダーレジスト組成物の総固形分に対して1〜10重量%とすることが望ましい。この理由は、添加量がこの範囲内にあれば均一混合がしやすいからである。 The amount of the imidazole curing agent added is desirably 1 to 10% by weight based on the total solid content of the solder resist composition. This is because uniform mixing is easy if the added amount is within this range.
上記ソルダーレジストの硬化前組成物は、溶媒としてグリコールエーテル系の溶剤を使用することが望ましい。このような組成物を用いたソルダーレジスト層は、遊離酸が発生せず、銅パッド表面を酸化させない。また、人体に対する有害性も少ない。 It is desirable that the pre-curing composition of the solder resist uses a glycol ether solvent as a solvent. A solder resist layer using such a composition does not generate free acid and does not oxidize the copper pad surface. In addition, it is less harmful to the human body.
このようなグリコールエーテル系溶媒としては、下記構造式のもの、特に望ましくは、ジエチレングリコールジメチルエーテル(DMDG)およびトリエチレングリコールジメチルエーテル(DMTG)から選ばれるいずれか少なくとも1種を用いる。これらの溶剤は、30〜50℃程度の加温により反応開始剤であるベンゾフェノンやミヒラーケトンを完全に溶解させることができるからである。
CH 3 O-(CH2 CH2 O) n −CH3 (n=1〜5)
このグリコールエーテル系の溶媒は、ソルダーレジスト組成物の全重量に対して10〜70wt%がよい。
As such a glycol ether solvent, at least one selected from the following structural formulas, particularly preferably diethylene glycol dimethyl ether (DMDG) and triethylene glycol dimethyl ether (DMTG) is used. This is because these solvents can completely dissolve benzophenone and Michler's ketone as reaction initiators by heating at about 30 to 50 ° C.
CH 3 O- (CH 2 CH 2 O) n -CH 3 (n = 1~5)
The glycol ether solvent is preferably 10 to 70 wt% with respect to the total weight of the solder resist composition.
以上説明したようなソルダーレジスト組成物には、その他に、各種消泡剤やレベリング剤、耐熱性や耐塩基性の改善と可撓性付与のために熱硬化性樹脂、解像度改善のために感光性モノマーなどを添加することができる。例えば、レベリング剤としてはアクリル酸エステルの重合体からなるものがよい。また、開始剤としては、チバガイギー製のイルガキュアI907、光増感剤としては日本化薬製のDETX−Sがよい。さらに、ソルダーレジスト組成物には、色素や顔料を添加してもよい。配線パターンを隠蔽できるからである。この色素としてはフタロシアニングリーンを用いることが望ましい。 In addition to the solder resist composition described above, various antifoaming agents and leveling agents, thermosetting resins for improving heat resistance and base resistance and providing flexibility, and photosensitive for improving resolution. A monomer can be added. For example, the leveling agent is preferably made of an acrylic ester polymer. Further, Irgacure I907 manufactured by Ciba Geigy is preferable as the initiator, and DETX-S manufactured by Nippon Kayaku is preferable as the photosensitizer. Furthermore, you may add a pigment | dye and a pigment to a soldering resist composition. This is because the wiring pattern can be concealed. It is desirable to use phthalocyanine green as this dye.
添加成分としての上記熱硬化性樹脂としては、ビスフェノール型エポキシ樹脂を用いることができる。このビスフェノール型エポキシ樹脂には、ビスフェノールA型エポキシ樹脂とビスフェノールF型エポキシ樹脂があり、耐塩基性を重視する場合には前者が、低粘度化が要求される場合(塗布性を重視する場合)には後者がよい。 As the thermosetting resin as an additive component, a bisphenol type epoxy resin can be used. This bisphenol type epoxy resin includes a bisphenol A type epoxy resin and a bisphenol F type epoxy resin. When the basic resistance is important, the former is required when the viscosity is reduced (when the coating property is important). The latter is better.
添加成分としての上記感光性モノマーとしては、多価アクリル系モノマーを用いることができる。多価アクリル系モノマーは、解像度を向上させることができるからである。例えば、多価アクリル系モノマーとして、日本化薬製のDPE−6A、共栄社化学製のR−604を用いることができる。 As the photosensitive monomer as an additive component, a polyvalent acrylic monomer can be used. This is because the polyvalent acrylic monomer can improve the resolution. For example, Nippon Kayaku DPE-6A and Kyoeisha Chemical R-604 can be used as the polyvalent acrylic monomer.
また、これらのソルダーレジスト組成物は、25℃で0.5〜10Pa・s、より望ましくは1〜10Pa・sがよい。ロールコータで塗布しやすい粘度だからである。 Moreover, these solder resist compositions are 0.5-10 Pa.s at 25 degreeC, More preferably, 1-10 Pa.s is good. This is because the viscosity is easy to apply with a roll coater.
本発明では、上記絶縁層もしくは層間絶縁層として無電解めっき用接着剤を用いることが望ましい。この無電解めっき用接着剤は、硬化処理された酸あるいは酸化剤に可溶性の耐熱性樹脂粒子が、酸あるいは酸化剤に難溶性の未硬化の耐熱性樹脂中に分散されてなるものが最適である。酸、酸化剤で処理することにより、耐熱性樹脂粒子が溶解除去されて、表面に蛸つぼ状のアンカーからなる粗化面を形成できる。 In the present invention, it is desirable to use an electroless plating adhesive as the insulating layer or interlayer insulating layer. This electroless plating adhesive is optimally prepared by dispersing heat-resistant resin particles that are soluble in a cured acid or oxidizing agent in an uncured heat-resistant resin that is sparingly soluble in acid or oxidizing agent. is there. By treating with an acid and an oxidizing agent, the heat-resistant resin particles are dissolved and removed, and a roughened surface made of crucible-like anchors can be formed on the surface.
上記無電解めっき用接着剤において、特に硬化処理された前記耐熱性樹脂粒子としては、(1)平均粒径が10μm以下の耐熱性樹脂粉末、(2)平均粒径が2μm以下の耐熱性樹脂粉末を凝集させた凝集粒子、(3)平均粒径が2〜10μmの耐熱性粉末樹脂粉末と平均粒径が2μm以下の耐熱性樹脂粉末との混合物、(4)平均粒径が2〜10μmの耐熱性樹脂粉末の表面に平均粒径が2μm以下の耐熱性樹脂粉末または無機粉末のいずれか少なくとも1種を付着させてなる疑似粒子、(5)平均粒径が0.1〜0.8μmの耐熱性粉末樹脂粉末と平均粒径が0.8μmを越え、2μm未満の耐熱性樹脂粉末との混合物、(6)平均粒径が0.1〜1.0μmの耐熱性粉末樹脂粉末を用いることが望ましい。これらは、より複雑なアンカーを形成できるからである。 In the above electroless plating adhesive, the cured heat-resistant resin particles include (1) heat-resistant resin powder having an average particle size of 10 μm or less, and (2) heat-resistant resin having an average particle size of 2 μm or less. Aggregated particles obtained by agglomerating powder, (3) a mixture of heat-resistant powder resin powder having an average particle diameter of 2 to 10 μm and heat-resistant resin powder having an average particle diameter of 2 μm or less, and (4) an average particle diameter of 2 to 10 μm Pseudo-particles obtained by adhering at least one of a heat-resistant resin powder or an inorganic powder having an average particle size of 2 μm or less to the surface of the heat-resistant resin powder, and (5) an average particle size of 0.1 to 0.8 μm A heat-resistant powder resin powder having a mean particle diameter of more than 0.8 μm and less than 2 μm, and (6) a heat-resistant powder resin powder having an average particle diameter of 0.1 to 1.0 μm It is desirable. This is because more complex anchors can be formed.
粗化面の深さは、Rmax=0.01〜20μmがよい。密着性を確保するためである。特にセミアディティブ法では、0.1〜5μmがよい。密着性を確保しつつ、無電解めっき膜を除去できるからである。 The depth of the roughened surface is preferably Rmax = 0.01 to 20 μm. This is to ensure adhesion. Particularly in the semi-additive method, 0.1 to 5 μm is preferable. This is because the electroless plating film can be removed while ensuring adhesion.
前記酸あるいは酸化剤に難溶牲の耐熱性樹脂としては、「熱硬化性樹脂および熱可塑性樹脂からなる樹脂複合体」又は「感光性樹脂および熱可塑性樹脂からなる樹脂複合体」からなることが望ましい。前者については耐熱性が高く、後者についてはバイアホール用の開口をフォトリソグラフィーにより形成できるからである。 The heat-resistant resin hardly soluble in the acid or the oxidizing agent may be composed of “a resin composite made of a thermosetting resin and a thermoplastic resin” or “a resin composite made of a photosensitive resin and a thermoplastic resin”. desirable. This is because the former has high heat resistance, and the latter can form a via hole opening by photolithography.
前記熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂などを使用できる。また、感光化する場合は、メタクリル酸やアクリル酸などと熱硬化基をアクリル化反応させる。特にエポキシ樹脂のアクリレートが最適である。エポキシ樹脂としては、フェノールノボラック型、クレゾールノボラック型、などのノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変成した脂環式エポキシ樹脂などを使用することができる。 As the thermosetting resin, an epoxy resin, a phenol resin, a polyimide resin, or the like can be used. When sensitizing, methacrylic acid, acrylic acid, and the like are subjected to an acrylic reaction with a thermosetting group. In particular, epoxy resin acrylate is most suitable. As the epoxy resin, a novolak type epoxy resin such as a phenol novolac type or a cresol novolak type, a dicyclopentadiene-modified alicyclic epoxy resin, or the like can be used.
熱可塑性樹脂としては、ポリエーテルスルフォン(PES)、ポリスルフォン(PSF)、ポリフェニレンスルフォン(PPS)、ポリフェニレンサルファイド(PPES)、ポリフェニルエーテル(PPE)、ポリエーテルイミド(PI)などを使用できる。熱硬化性樹脂(感光性樹脂)と熱可塑性樹脂の混合割合は、熱硬化性樹脂(感光性樹脂)/熱可塑性樹脂=95/5〜50/50がよい。耐熱性を損なうことなく、高い靭性値を確保できるからである。 As the thermoplastic resin, polyether sulfone (PES), polysulfone (PSF), polyphenylene sulfone (PPS), polyphenylene sulfide (PPES), polyphenyl ether (PPE), polyetherimide (PI) and the like can be used. The mixing ratio of the thermosetting resin (photosensitive resin) and the thermoplastic resin is preferably thermosetting resin (photosensitive resin) / thermoplastic resin = 95/5 to 50/50. This is because a high toughness value can be secured without impairing the heat resistance.
前記耐熱性樹脂粒子の混合重量比は、耐熱性樹脂マトリックスの固形分に対して5〜50重量%、望ましくは10〜40重量%がよい。耐熱性樹脂粒子は、アミノ樹脂(メラミン樹脂、尿素樹脂、グアナミン樹脂)、エポキシ樹脂などがよい。なお、接着剤は、組成の異なる2層により構成してもよい。 The mixing weight ratio of the heat resistant resin particles is 5 to 50% by weight, preferably 10 to 40% by weight, based on the solid content of the heat resistant resin matrix. The heat-resistant resin particles are preferably an amino resin (melamine resin, urea resin, guanamine resin), an epoxy resin, or the like. The adhesive may be composed of two layers having different compositions.
[実施例]
以下、本発明の実施例に係るプリント配線板及びその製造方法について図を参照して説明する。先ず、本発明の第1実施例に係るプリント配線板10の構成について、図7及び図8を参照して説明する。図7は、半導体部品である集積回路チップ90搭載前のプリント配線板(パッケージ基板)10の断面を示し、図8は、集積回路チップ90を搭載した状態のプリント配線板10の断面を示している。図8に示すように、プリント配線板10の上面側には、集積回路チップ90が搭載され、下面側は、ドータボード94へ接続されている。
[Example]
Hereinafter, a printed wiring board and a manufacturing method thereof according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. First, the configuration of the printed
図7を参照してプリント配線板の構成について詳細に説明する。該プリント配線板10では、多層コア基板30の表面及び裏面にビルドアップ配線層80A、80Bが形成されている。該ビルトアップ層80Aは、バイアホール60及び導体回路58の形成された層間樹脂絶縁層50と、バイアホール160及び導体回路158の形成された層間樹脂絶縁層150とからなる。また、ビルドアップ配線層80Bは、バイアホール60及び導体回路58の形成された層間樹脂絶縁層50と、バイアホール160及び導体回路158の形成された層間樹脂絶縁層150とからなる。
The configuration of the printed wiring board will be described in detail with reference to FIG. In the printed
上面側には、集積回路チップ90のランド92(図8参照)へ接続するための半田バンプ76Uが配設されている。半田バンプ76Uはバイアホール160及びバイアホール60を介してスルーホール36へ接続されている。一方、下面側には、ドーターボード(サブボード)94のランド96(図8参照)に接続するための半田バンプ76Dが配設されている。該半田バンプ76Dは、バイアホール160及びバイアホール60を介してスルーホール36へ接続されている。該半田バンプ76U、76Dは、ソルダーレジスト70の開口71内の導体回路158及びバイアホール160上に、ニッケルめっき層72、金めっき層74が形成された半田パッド75に半田体77が配設されてなる。
Solder bumps 76U for connection to the lands 92 (see FIG. 8) of the
図8に示すようにプリント配線板10とICチップ90との間には樹脂封止を行うアンダーフィル88が配設されている。同様に、プリント配線板10とマザーボード84との間にアンダーフィル88が配設されている。
As shown in FIG. 8, an
図7中にGにて示すソルダーレジスト層及び半田パッドを拡大して図9(A)に示す。また、図9(B)に図9(A)のH矢視図、即ち、ソルダーレジスト層70の表面を示す。本実施例のプリント配線板10では、図9(B)に示すようにソルダーレジスト層70の開口部71が、半田パッド75の周辺部に3μm以上(実施例では5μm)重なるように形成してある。このため、該ソルダーレジストの70の重なりによって、半田パッド75が押さえられ、半田パッド75が下層の層間樹脂絶縁層150から剥離することがなくなり、ICチップ90及びドータボード94との接続信頼性が向上している。また、図9(A)に示すように半田パッド75とソルダーレジスト層70とが密着しているため、図12(A)を参照して上述した従来技術のプリント配線板と異なり、プリント配線板が熱収縮を繰り返しても下層の層間樹脂絶縁層150にクラックが入り難くなっている。
FIG. 9A shows an enlarged view of a solder resist layer and solder pads indicated by G in FIG. Further, FIG. 9B shows a view taken in the direction of arrow H in FIG. 9A, that is, the surface of the solder resist
なお、ソルダ−レジスト層70の開口部71は、図9(A)に示すようにテーパが設けられていてもよく、図13(A)に示すように垂直な壁面を有していてもよい。また、図13(B)に示すようにソルダ−レジスト層70が半田パッド75上でやや盛り上がった形状にしてもよい。
The
また、本実施例のプリント配線板では、図9(A)に示すようにソルダーレジスト層70の半田パッド75の周辺部における重なりの厚みを10μm以上(実施例では20μm)にしてあるため、該ソルダーレジストの70の重なりによって、半田パッド75が押さえられ、半田パッド75が下層の層間樹脂絶縁層150から剥離することがなくなり、接続信頼性が高められている。
Further, in the printed wiring board of the present embodiment, as shown in FIG. 9A, the overlapping thickness of the solder resist
更に、本実施例のプリント配線板では、図9(A)に示すようにソルダーレジスト層70の厚みを40μmに設定してある。ここで、ソルダーレジスト層70の厚みは、20〜50μmが好適である。これは、20μm未満であるとリフローの際に半田の流れをせき止めるソルダーダムとして機能せず、50μmを越えると開口70を形成し難くなる上、半田バンプ76U、76Dを構成する半田体77と接触し、半田体77側へクラックを生じさせる原因となるからである。
Furthermore, in the printed wiring board of the present embodiment, as shown in FIG. 9A, the thickness of the solder resist
引き続き、図7に示すプリント配線板を製造する方法について一例を挙げて具体的に説明する。まず、A.無電解めっき用接着剤、B.層間樹脂絶縁剤、C.樹脂充填剤、D.ソルダーレジストの組成について説明する。 Subsequently, the method for producing the printed wiring board shown in FIG. 7 will be specifically described with an example. First, A. B. Adhesive for electroless plating, Interlayer resin insulation, C.I. Resin filler, D.I. The composition of the solder resist will be described.
A.無電解めっき用接着剤調製用の原料組成物(上層用接着剤)
〔樹脂組成物(1)〕クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(日本化薬製、分子量2500)の25%アクリル化物を80wt%の濃度でDMDGに溶解させた樹脂液を35重量部、感光性モノマー(東亜合成製、アロニックスM315 )3.15重量部、消泡剤(サンノプコ製、S−65)0.5 重量部、NMP 3.6重量部を攪拌混合して得た。
A. Raw material composition for preparing electroless plating adhesive (upper layer adhesive)
[Resin composition (1)] 35 parts by weight of a resin solution prepared by dissolving 25% acrylate of cresol novolac type epoxy resin (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., molecular weight 2500) in DMDG at a concentration of 80 wt%, photosensitive monomer (Toa It was obtained by stirring and mixing 3.15 parts by weight of a synthetic product, Aronix M315), 0.5 parts by weight of an antifoaming agent (Sanopco, S-65) and 3.6 parts by weight of NMP.
〔樹脂組成物(2)〕ポリエーテルスルフォン(PES)12重量部、エポキシ樹脂粒子(三洋化成製、ポリマーポール)の平均粒径 1.0μmのものを 7.2重量部、平均粒径 0.5μmのものを3.09重量部、を混合した後、さらにNMP30重量部を添加し、ビーズミルで攪拌混合して得た。 [Resin composition (2)] Polyether sulfone (PES) 12 parts by weight, epoxy resin particles (manufactured by Sanyo Chemical Co., Ltd., polymer pole) with an average particle size of 1.0 μm, 7.2 parts by weight, and an average particle size of 0.5 μm After mixing 3.09 parts by weight, 30 parts by weight of NMP was further added, and the mixture was stirred and mixed with a bead mill.
〔硬化剤組成物(3)〕イミダゾール硬化剤(四国化成製、2E4MZ-CN)2重量部、光開始剤(チバガイギー製、イルガキュア I−907 )2重量部、光増感剤(日本化薬製、DETX-S)0.2 重量部、NMP 1.5重量部を攪拌混合して得た。 [Curing agent composition (3)] 2 parts by weight of imidazole curing agent (manufactured by Shikoku Chemicals, 2E4MZ-CN), 2 parts by weight of photoinitiator (manufactured by Ciba Geigy, Irgacure I-907), photosensitizer (manufactured by Nippon Kayaku) , DETX-S) 0.2 parts by weight and NMP 1.5 parts by weight were obtained by stirring and mixing.
B.層間樹脂絶縁剤調製用の原料組成物(下層用接着剤)
〔樹脂組成物(1)〕クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(日本化薬製、分子量2500)の25%アクリル化物を80wt%の濃度でDMDGに溶解させた樹脂液を35重量部、感光性モノマー(東亜合成製、アロニックスM315 )4重量部、消泡剤(サンノプコ製、S−65)0.5 重量部、NMP 3.6重量部を攪拌混合して得た。
B. Raw material composition for preparing interlayer resin insulation (adhesive for lower layer)
[Resin composition (1)] 35 parts by weight of a resin solution prepared by dissolving 25% acrylate of cresol novolac type epoxy resin (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., molecular weight 2500) in DMDG at a concentration of 80 wt%, photosensitive monomer (Toa A synthetic product, Aronix M315) 4 parts by weight, an antifoaming agent (manufactured by Sannopco, S-65) 0.5 part by weight and NMP 3.6 parts by weight were obtained by stirring and mixing.
〔樹脂組成物(2)〕ポリエーテルスルフォン(PES)12重量部、エポキシ樹脂粒子(三洋化成製、ポリマーポール)の平均粒径 0.5μmのものを 14.49重量部、を混合した後、さらにNMP30重量部を添加し、ビーズミルで攪拌混合して得た。 [Resin composition (2)] After mixing 12 parts by weight of polyethersulfone (PES) and 14.49 parts by weight of epoxy resin particles (manufactured by Sanyo Chemical Co., Ltd., polymer pole) having an average particle size of 0.5 μm, further 30 weights of NMP Part was added and obtained by stirring and mixing with a bead mill.
〔硬化剤組成物(3)〕イミダゾール硬化剤(四国化成製、2E4MZ-CN)2重量部、光開始剤(チバガイギー製、イルガキュア I−907 )2重量部、光増感剤(日本化薬製、DETX-S)0.2 重量部、NMP1.5 重量部を攪拌混合して得た。 [Curing agent composition (3)] 2 parts by weight of imidazole curing agent (manufactured by Shikoku Chemicals, 2E4MZ-CN), 2 parts by weight of photoinitiator (manufactured by Ciba Geigy, Irgacure I-907), photosensitizer (manufactured by Nippon Kayaku) DETX-S) 0.2 parts by weight and 1.5 parts by weight of NMP were obtained by stirring and mixing.
C.樹脂充填剤調製用の原料組成物
〔樹脂組成物(1)〕
ビスフェノールF型エポキシモノマー(油化シェル製、分子量310 、YL983U)100重量部、表面にシランカップリング剤がコーティングされた平均粒径 1.6μmのSiO2 球状粒子(アドマテック製、CRS 1101−CE、ここで、最大粒子の大きさは後述する内層銅パターンの厚み(15μm)以下とする) 170重量部、レベリング剤(サンノプコ製、ペレノールS4)1.5 重量部を攪拌混合することにより、その混合物の粘度を23±1℃で45,000〜49,000cps に調整して得た。
〔硬化剤組成物(2)〕
イミダゾール硬化剤(四国化成製、2E4MZ-CN)6.5 重量部。
C. Raw material composition for resin filler preparation [resin composition (1)]
100 parts by weight of bisphenol F type epoxy monomer (Oilized Shell, molecular weight 310, YL983U), SiO 2 spherical particles with an average particle size of 1.6 μm coated with a silane coupling agent on the surface (manufactured by Admatech, CRS 1101-CE, here The maximum particle size is 170 mm by weight of the inner layer copper pattern (15 μm or less) described later, and 1.5 parts by weight of a leveling agent (manufactured by San Nopco, Perenol S4) is stirred and mixed, whereby the viscosity of the mixture is adjusted. It was obtained by adjusting to 45,000-49,000 cps at 23 ± 1 ° C.
(Curing agent composition (2))
6.5 parts by weight of imidazole curing agent (Shikoku Chemicals, 2E4MZ-CN).
D.ソルダーレジスト組成物
DMDGに溶解させた60重量%のクレゾールノボラック型エポキシ樹脂(日本化薬製)のエポキシ基50%をアクリル化した感光性付与のオリゴマー(分子量4000)を 46.67g、メチルエチルケトンに溶解させた80重量%のビスフェノールA型エポキシ樹脂(油化シェル製、エピコート1001)15.0g、イミダゾール硬化剤(四国化成製、2E4MZ-CN)1.6 g、感光性モノマーである多価アクリルモノマー(日本化薬製、R604 )3g、同じく多価アクリルモノマー(共栄社化学製、DPE6A ) 1.5g、分散系消泡剤(サンノプコ社製、S−65)0.71gを混合し、さらにこの混合物に対して光開始剤としてのベンゾフェノン(関東化学製)を2g、光増感剤としてのミヒラーケトン(関東化学製)を 0.2g加えて、粘度を25℃で2.0Pa・sに調整したソルダーレジスト組成物を得た。なお、粘度測定は、B型粘度計(東京計器、 DVL-B型)で 60rpmの場合はローターNo.4、6rpm の場合はローターNo.3によった。
D. Solder resist composition DMDG dissolved 60% by weight of cresol novolak type epoxy resin (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.) with 50% epoxy acrylated photosensitizing oligomer (molecular weight 4000) dissolved in methyl ethyl ketone 80% by weight of bisphenol A type epoxy resin (Oka Chemical Shell, Epicoat 1001) 15.0 g, imidazole curing agent (Shikoku Chemicals, 2E4MZ-CN) 1.6 g, polyvalent acrylic monomer (Nippon Kayaku) R604) 3 g, 1.5 g polyvalent acrylic monomer (Kyoeisha Chemical Co., DPE6A), 0.71 g dispersion antifoam (Sannopco, S-65) are mixed, and the photoinitiator is mixed with this mixture. 2 g of benzophenone (manufactured by Kanto Chemical Co., Ltd.) A rudder resist composition was obtained. Viscosity was measured with a B-type viscometer (Tokyo Keiki, DVL-B type) at 60 rpm with rotor No. 4 and at 6 rpm with rotor No. 3.
引き続き、図1〜図7を参照してプリント配線板10の製造方法を説明する。
E.プリント配線板の製造
(1) 厚さ1mmのガラスエポキシ樹脂またはBT(ビスマレイミドトリアジン)樹脂からなる基板30の両面に18μmの銅箔32がラミネートされている銅張積層板30Aを出発材料とした(図1(A)参照)。まず、この銅張積層板30Aをドリル削孔し、無電解めっき処理を施し、パターン状にエッチングすることにより、基板30の両面に内層銅パターン34とスルーホール36を形成した(図1(B))。
Next, a method for manufacturing the printed
E. Manufacture of printed wiring boards
(1) A copper-clad
(2) 内層銅パターン34およびスルーホール36を形成した基板30を水洗いし、乾燥した後、酸化浴(黒化浴)として、NaOH(10g/l),NaClO2 (40g/l),Na3 PO4 (6g/l)、還元浴として、NaOH(10g/l),NaBH4 (6g/l)を用いた酸化−還元処理により、内層銅パターン34およびスルーホール36の表面に粗化層38を設けた(図1(C)参照)。
(2) The
(3) Cの樹脂充填剤調製用の原料組成物を混合混練して樹脂充填剤を得た。
(4) 前記(3) で得た樹脂充填剤40を、調製後24時間以内に基板30の両面にロールコータを用いて塗布することにより、導体回路(内層銅パターン)34と導体回路34との間、及び、スルーホール36内に充填し、70℃,20分間で乾燥させ、他方の面についても同様にして樹脂充填剤40を導体回路34間あるいはスルーホール36内に充填し、70℃,20分間で加熱乾燥させた(図1(D)参照)。
(3) The raw material composition for preparing the C resin filler was mixed and kneaded to obtain a resin filler.
(4) By applying the
(5) 前記(4) の処理を終えた基板30の片面を、#600 のベルト研磨紙(三共理化学製)を用いたベルトサンダー研磨により、内層銅パターン34の表面やスルーホール36のランド36a表面に樹脂充填剤40が残らないように研磨し、次いで、前記ベルトサンダー研磨による傷を取り除くためのバフ研磨を行った。このような一連の研磨を基板の他方の面についても同様に行った(図2(E)参照)。次いで、100 ℃で1時間、120 ℃で3時間、 150℃で1時間、 180℃で7時間の加熱処理を行って樹脂充填剤40を硬化した。
(5) The surface of the inner
このようにして、スルーホール36等に充填された樹脂充填剤40の表層部および内層導体回路34上面の粗化層38を除去して基板30両面を平滑化した上で、樹脂充填剤40と内層導体回路34の側面とが粗化層38を介して強固に密着し、またスルーホール36の内壁面と樹脂充填剤40とが粗化層38を介して強固に密着した配線基板を得た。即ち、この工程により、樹脂充填剤40の表面と内層銅パターン34の表面が同一平面となる。
In this way, after removing the surface layer portion of the
(6) 導体回路34を形成した基板30にアルカリ脱脂してソフトエッチングして、次いで、塩化パラジウウムと有機酸からなる触媒溶液で処理して、Pd触媒を付与し、この触媒を活性化した後、硫酸銅3.2×10-2mol/l、硫酸ニッケル3.9×10-3mol/l、錯化剤5.4×10-2mol/l、次亜りん酸ナトリウム3.3×10-1mol/l、ホウ酸5.0×10-1mol/l、界面活性剤(日信化学工業製、サーフィール465)0.1g/l、PH=9からなる無電解めっき液に浸積し、浸漬1分後に、4秒当たり1回に割合で縦、および、横振動させて、導体回路34およびスルーホール36のランド36aの表面にCu−Ni−Pからなる針状合金の被覆層と粗化層42を設けた(図2(F)参照)。
(6) The
さらに、ホウフっ化スズ0.1mol/l、チオ尿素1.0mol/l、温度35℃、PH=1.2の条件でCu−Sn置換反応させ、粗化層の表面に厚さ0.3μmSn層(図示せず)を設けた。 Furthermore, a Cu—Sn substitution reaction was carried out under the conditions of tin borofluoride 0.1 mol / l, thiourea 1.0 mol / l, temperature 35 ° C., PH = 1.2, and a thickness of 0.3 μm Sn was formed on the surface of the roughened layer. A layer (not shown) was provided.
(7) Bの層間樹脂絶縁剤調製用の原料組成物を攪拌混合し、粘度1.5 Pa・sに調整して層間樹脂絶縁剤(下層用)を得た。次いで、Aの無電解めっき用接着剤調製用の原料組成物を攪拌混合し、粘度7Pa・sに調整して無電解めっき用接着剤溶液(上層用)を得た。 (7) The raw material composition for preparing the interlayer resin insulation B was mixed by stirring and adjusted to a viscosity of 1.5 Pa · s to obtain an interlayer resin insulation (for the lower layer). Next, the raw material composition for preparing an electroless plating adhesive of A was mixed by stirring and adjusted to a viscosity of 7 Pa · s to obtain an electroless plating adhesive solution (for the upper layer).
(8) 前記(6) の基板の両面に、前記(7) で得られた粘度 1.5Pa・sの層間樹脂絶縁剤(下層用)44を調製後24時間以内にロールコータで塗布し、水平状態で20分間放置してから、60℃で30分の乾燥(プリベーク)を行い、次いで、前記(7)で得られた粘度7Pa・sの感光性の接着剤溶液(上層用)46を調製後24時間以内に塗布し、水平状態で20分間放置してから、60℃で30分の乾燥(プリベーク)を行い、厚さ35μmの接着剤層50αを形成した(図2(G)参照)。 (8) Apply the interlayer resin insulation (for lower layer) 44 having a viscosity of 1.5 Pa · s obtained in (7) on both sides of the substrate in (6) with a roll coater within 24 hours after preparation. After standing for 20 minutes in the state, drying (prebaking) at 60 ° C. for 30 minutes, and then preparing a photosensitive adhesive solution (for upper layer) 46 having a viscosity of 7 Pa · s obtained in (7) above. The coating was applied within 24 hours and allowed to stand for 20 minutes in a horizontal state, followed by drying (prebaking) at 60 ° C. for 30 minutes to form an adhesive layer 50α having a thickness of 35 μm (see FIG. 2G). .
(9) 前記(8) で接着剤層を形成した基板30の両面に、図2(H)に示すように85μmφの黒円51aが印刷されたフォトマスクフィルム51を密着させ、超高圧水銀灯により 500mJ/cm2 で露光した。これをDMTG溶液でスプレー現像し、さらに、当該基板30を超高圧水銀灯により3000mJ/cm2 で露光し、100 ℃で1時間、120 ℃で1時間、その後 150℃で3時間の加熱処理(ポストベーク)をすることにより、フォトマスクフィルムに相当する寸法精度に優れた85μmφの開口(バイアホール形成用開口)48を有する厚さ35μmの層間樹脂絶縁層(2層構造)50を形成した(図3(I)参照)。なお、バイアホールとなる開口48には、スズめっき層(図示せず)を部分的に露出させた。
(9) A
(10)開口48が形成された基板30を、クロム酸に19分間浸漬し、層間樹脂絶縁層50の表面に存在するエポキシ樹脂粒子を溶解除去することにより、当該層間樹脂絶縁層50の表面を粗化し(図3(J)参照)、その後、中和溶液(シプレイ社製)に浸漬してから水洗いした。さらに、粗面化処理(粗化深さ6μm)した該基板の表面に、パラジウム触媒(アトテック製)を付与することにより、層間樹脂絶縁層50の表面およびバイアホール用開口48の内壁面に触媒核を付けた。
(10) The
(11)以下に示す組成の無電解銅めっき水溶液中に基板を浸漬して、粗面全体に厚さ0.6 μmの無電解銅めっき膜52を形成した(図3(K))。
〔無電解めっき水溶液〕
EDTA 150 g/l
硫酸銅 20 g/l
HCHO 30 ml/l
NaOH 40 g/l
α、α’−ビピリジル 80 mg/l
PEG 0.1 g/l
〔無電解めっき条件〕
70℃の液温度で30分
(11) The substrate was immersed in an electroless copper plating aqueous solution having the following composition to form an electroless
[Electroless plating aqueous solution]
EDTA 150 g / l
Copper sulfate 20 g / l
NaOH 40 g / l
α, α'-bipyridyl 80 mg / l
PEG 0.1 g / l
[Electroless plating conditions]
30 minutes at a liquid temperature of 70 ° C
(12)前記(11)で形成した無電解銅めっき膜52上に市販の感光性ドライフィルムを張り付け、マスクを載置して、100 mJ/cm2 で露光、0.8 %炭酸ナトリウムで現像処理し、厚さ15μmのめっきレジスト54を設けた(図3(L)参照)。
(12) A commercially available photosensitive dry film is pasted on the electroless
(13)ついで、レジスト非形成部分に以下の条件で電解銅めっきを施し、厚さ15μmの電解銅めっき膜56を形成した(図4(M)参照)。
〔電解めっき水溶液〕
硫酸 180 g/l
硫酸銅 80 g/l
添加剤(アトテックジャパン製、カパラシドGL) 1 ml/l
〔電解めっき条件〕
電流密度 1A/dm2
時間 30分
温度 室温
(13) Next, electrolytic copper plating was applied to the non-resist forming portion under the following conditions to form an electrolytic
(Electrolytic plating aqueous solution)
Sulfuric acid 180 g / l
Copper sulfate 80 g / l
Additive (manufactured by Atotech Japan, Kaparaside GL) 1 ml / l
[Electrolytic plating conditions]
Current density 1A / dm 2
30 minutes
Temperature room temperature
(14)めっきレジスト54を5%KOHで剥離除去した後、そのめっきレジスト下の無電解めっき膜52を硫酸と過酸化水素の混合液でエッチング処理して溶解除去し、無電解銅めっき膜52と電解銅めっき膜56からなる厚さ18μmの導体回路58及びバイアホール60を形成した(図4(N))。
(14) After stripping and removing the plating resist 54 with 5% KOH, the
(15)(6) と同様の処理を行い、導体回路58及びバイアホール60の表面にCu-Ni-P からなる粗化面62を形成し、さらにその表面にSn置換を行った(図4(O)参照)。
(16)前記(7) 〜(15)の工程を繰り返すことにより、さらに上層の層間樹脂絶縁層150を設けてから導体回路158及びバイアホール160を形成し、多層配線基板を得た(図4(P)参照)。但し、該導体回路158及びバイアホール160の表面に形成した粗化面62では、Sn置換を行わなかった。
(15) The same treatment as in (6) was performed to form a roughened
(16) By repeating the steps (7) to (15), the upper interlayer
(17)前記(16)で得られた基板30両面に、上記D.にて説明したソルダーレジスト組成物70αを45μmの厚さで塗布した(図5(Q)参照)。次いで、70℃で20分間、70℃で30分間の乾燥処理を行った後、円パターン(マスクパターン)が描画された厚さ5mmのフォトマスクフィルム(図示せず)を密着させて載置し、1000mJ/cm2 の紫外線で露光し、DMTG現像処理した。そしてさらに、80℃で1時間、 100℃で1時間、 120℃で1時間、 150℃で3時間の条件で加熱処理し、はんだパッド部分(バイアホールとそのランド部分を含む)に開口(開口径 200μm)71を有するソルダーレジスト層(厚み20μm)70を形成した(図5(R)参照)。
(17) On the both surfaces of the
(18)次に、塩化ニッケル2.31×10-1mol/l、次亜リン酸ナトリウム2.8 ×10-1mol/l、クエン酸ナトリウム1.85×10-1mol/l、からなるpH=4.5の無電解ニッケルめっき液に該基板30を20分間浸漬して、開口部71に厚さ5μmのニッケルめっき層72を形成した。さらに、その基板を、シアン化金カリウム4.1 ×10-2mol/l、塩化アンモニウム1.87×10-1mol/l、クエン酸ナトリウム1.16×10-1mol/l、次亜リン酸ナトリウム1.7 ×10-1mol/lからなる無電解金めっき液に80℃の条件で7分20秒間浸漬して、ニッケルめっき層上に厚さ0.03μmの金めっき層74を形成することで、バイアホール160及び導体回路158に半田パッド75を形成した(図6(S)参照)。
(18) Next, pH = 4.5 consisting of nickel chloride 2.31 × 10 −1 mol / l, sodium hypophosphite 2.8 × 10 −1 mol / l, sodium citrate 1.85 × 10 −1 mol / l The
(19)そして、ソルダーレジスト層70の開口部71に、半田ペーストを印刷して200℃でリフローすることにより、半田バンプ(半田体)76U、76Dを形成し、プリント配線板10を形成した(図6(T)参照)。
(19) Then, solder paste is printed in the
このようなプリント配線板は、−52〜125°Cのヒートサイクル試験や、121°C、2atm 、相対湿度100%のプレッシャクッカテスト(pressurecooker test)においても、半田パッドとソルダーレジスト層の剥離がなく、なた、絶縁層のクラックが発生しない。これに対して、図12(C)に示すプリント配線板では、半田パッドとソルダーレジストの境界部分の絶縁層にクラックが発生し、また、半田パッドとソルダーレジストとの間に、剥離が生じた。 Such a printed wiring board can peel the solder pad and the solder resist layer even in a heat cycle test of -52 to 125 ° C and a pressure cooker test of 121 ° C, 2 atm and 100% relative humidity. Neither does the insulating layer crack. On the other hand, in the printed wiring board shown in FIG. 12C, a crack occurred in the insulating layer at the boundary between the solder pad and the solder resist, and peeling occurred between the solder pad and the solder resist. .
引き続き、該プリント配線板10へのICチップの載置及び、ドータボード94への取り付けについて、図8を参照して説明する。完成したプリント配線板10の半田バンプ76UにICチップ90の半田パッド92が対応するように、ICチップ90を載置し、リフローを行うことで、ICチップ90の取り付けを行う。その後、ICチップ90とプリント配線板10との間に、アンダーフィル88となる封止樹脂を充填する。同様に、リフローによりプリント配線板10の半田バンプ76Dにドータボード94を取り付け、アンダーフィル88となる封止樹脂を充填する。
Next, placement of the IC chip on the printed
図10は、本発明の第2実施例に係るプリント配線板を示している。この第2実施例に係るプリント配線板では、ソルダーレジスト層70の上に、補強層98が形成されている。係る構成では、ソルダーレジスト層70の剥離が完全に防止され、半田パッド75が更に強固に層間樹脂絶縁層150側に押さえられることで、接続信頼性が高められている。
FIG. 10 shows a printed wiring board according to the second embodiment of the present invention. In the printed wiring board according to the second embodiment, a reinforcing
30 コア基板
50 層間樹脂絶縁層
58 導体回路
60 バイアホール
70 ソルダーレジスト
71 開口
72 ニッケルめっき層
74 金めっき層
75 半田パッド
150 層間樹脂絶縁層
158 導体回路
160 バイアホール
30
Claims (3)
前記ビルドアップ多層配線板のうち最外層に位置する層間樹脂絶縁層の表面は粗化されており、
且つ、前記半田パッドを備える前記導体回路はその側面を含む全表面に粗化面を有するとともに、前記開口の周縁を構成するソルダーレジスト層を、前記半田パッドを備える導体回路の周辺部に厚みをもって重なるように形成したことを特徴とするプリント配線板。 Formed on a core substrate, a buildup wiring layer in which an interlayer resin insulation layer and a conductor circuit are alternately laminated on the core substrate, and an interlayer resin insulation layer located on the outermost layer of the buildup wiring layer And a solder resist layer having an opening exposing a part of the conductor circuit on the surface of the interlayer resin insulation layer, and a solder pad for mounting a semiconductor component is provided at a position exposed from the opening in the conductor circuit. In the printed wiring board provided,
The surface of the interlayer resin insulation layer located in the outermost layer of the build-up multilayer wiring board is roughened,
And the said conductor circuit provided with the said solder pad has a roughening surface on the whole surface including the side surface, and has a solder resist layer which comprises the periphery of the said opening with thickness in the peripheral part of the said conductor circuit provided with the said solder pad. A printed wiring board characterized by being formed to overlap.
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013168628A (en) * | 2012-01-20 | 2013-08-29 | Kyocera Corp | Mounting substrate, semiconductor device, and method for manufacturing the same |
| JP2013183002A (en) * | 2012-03-01 | 2013-09-12 | Ibiden Co Ltd | Electronic component |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63128788A (en) * | 1986-11-19 | 1988-06-01 | ソニー株式会社 | Manufacture of circuit board |
| JPH05144815A (en) * | 1991-11-25 | 1993-06-11 | Ibiden Co Ltd | Substrate for mounting electronic components having bumps |
| JPH1098271A (en) * | 1996-03-29 | 1998-04-14 | Ibiden Co Ltd | Interlayer insulating agent and multilayered printed wiring board |
| JPH10107436A (en) * | 1996-09-27 | 1998-04-24 | Ibiden Co Ltd | Printed wiring board and manufacturing method thereof |
| JPH10150249A (en) * | 1996-11-20 | 1998-06-02 | Ibiden Co Ltd | Printed-wiring board |
-
2008
- 2008-01-29 JP JP2008017198A patent/JP2008118162A/en active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63128788A (en) * | 1986-11-19 | 1988-06-01 | ソニー株式会社 | Manufacture of circuit board |
| JPH05144815A (en) * | 1991-11-25 | 1993-06-11 | Ibiden Co Ltd | Substrate for mounting electronic components having bumps |
| JPH1098271A (en) * | 1996-03-29 | 1998-04-14 | Ibiden Co Ltd | Interlayer insulating agent and multilayered printed wiring board |
| JPH10107436A (en) * | 1996-09-27 | 1998-04-24 | Ibiden Co Ltd | Printed wiring board and manufacturing method thereof |
| JPH10150249A (en) * | 1996-11-20 | 1998-06-02 | Ibiden Co Ltd | Printed-wiring board |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013168628A (en) * | 2012-01-20 | 2013-08-29 | Kyocera Corp | Mounting substrate, semiconductor device, and method for manufacturing the same |
| JP2013183002A (en) * | 2012-03-01 | 2013-09-12 | Ibiden Co Ltd | Electronic component |
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