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JP2000058710A - Printed wiring board - Google Patents

Printed wiring board

Info

Publication number
JP2000058710A
JP2000058710A JP10232293A JP23229398A JP2000058710A JP 2000058710 A JP2000058710 A JP 2000058710A JP 10232293 A JP10232293 A JP 10232293A JP 23229398 A JP23229398 A JP 23229398A JP 2000058710 A JP2000058710 A JP 2000058710A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
solder
wiring board
printed wiring
solder resist
resin
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP10232293A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Naohiro Hirose
直宏 広瀬
Motoo Asai
元雄 浅井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ibiden Co Ltd
Original Assignee
Ibiden Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ibiden Co Ltd filed Critical Ibiden Co Ltd
Priority to JP10232293A priority Critical patent/JP2000058710A/en
Publication of JP2000058710A publication Critical patent/JP2000058710A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H10W70/655
    • H10W90/724

Landscapes

  • Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半田パッドの接続信頼性を高め得るプリント
配線板を提供する。 【解決手段】 ソルダーレジスト層70の開口71を、
半田パッド75の周辺部に5μm重なり、且つ、重なり
の厚みを20μmになるように形成してあるため、半田
パッド75が層間樹脂絶縁層150から剥離することが
なくなり、接続信頼性が向上する。また、半田パッド7
5とソルダーレジスト層70とを密着させるため、下層
の層間樹脂絶縁層150にクラックが入り難くなる。
(57) [Problem] To provide a printed wiring board capable of improving the connection reliability of a solder pad. SOLUTION: An opening 71 of a solder resist layer 70 is formed.
Since the solder pad 75 is formed so as to overlap the peripheral portion of the solder pad 75 by 5 μm and the thickness of the overlap is 20 μm, the solder pad 75 does not peel off from the interlayer resin insulating layer 150, and the connection reliability is improved. Also, the solder pad 7
5 and the solder resist layer 70 are adhered to each other, so that the lower interlayer resin insulating layer 150 is less likely to crack.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、半田バンプを介
して集積回路チップを載置するためのパッケージ基板等
を形成するプリント配線板に関するものである。
[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a printed wiring board for forming a package substrate or the like for mounting an integrated circuit chip via solder bumps.

【0002】[0002]

【従来の技術】図11に従来技術に係るパッケージ基板
を構成するプリント配線板を示す。該プリント配線板2
10では、ICチップ290を実装するために、半田バ
ンプ276を形成し、これら半田バンプ276が互い融
着しないようにソルダーレジスト層270を設けてあ
る。
2. Description of the Related Art FIG. 11 shows a printed wiring board constituting a package substrate according to the prior art. The printed wiring board 2
In FIG. 10, in order to mount the IC chip 290, solder bumps 276 are formed, and a solder resist layer 270 is provided so that the solder bumps 276 do not fuse with each other.

【0003】図12(A)は、図11のF部を拡大して
示している。また、図12(B)は、図12(A)中の
B矢視図、即ち、ソルダーレジスト層270の表面を示
している。図12(A)に示すようにソルダーレジスト
層270は、導体回路258の上に設けられると共に、
図12(B)に示すように開口部271が半田パッド2
75に重ならないように形成されている。該半田パッド
275に、ニッケルめっき層272、金めっき層274
を設け、更に半田ペースト等を印刷、リフローすること
で半田バンプ276Uが形成される。
FIG. 12A is an enlarged view of a portion F in FIG. FIG. 12B is a view taken in the direction of arrow B in FIG. 12A, that is, the surface of the solder resist layer 270. As shown in FIG. 12A, the solder resist layer 270 is provided on the conductor circuit 258,
As shown in FIG. 12B, the opening 271 is
75 are formed so as not to overlap. A nickel plating layer 272 and a gold plating layer 274 are provided on the solder pad 275.
Are provided, and the solder bumps 276U are formed by printing and reflowing a solder paste or the like.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来技
術の半田パッド275は、下層の層間樹脂絶縁層250
との密着性が低いため、剥離し易く、ICチップ290
との接続信頼性に欠けることがあった。更に、使用時に
熱収縮を繰り返すと、半田パッド275の壁面を起点と
して図12(A)中に示すようにクラックCが下層の層
間樹脂絶縁層250に生じ、該層間樹脂絶縁層250の
下側の導体回路358に断線を生ぜしめることがあっ
た。
However, the solder pad 275 of the prior art has a lower interlayer resin insulation layer 250.
Adhesion is low, so it is easy to peel off and the IC chip 290
Connection reliability was sometimes lacking. Further, if heat shrinkage is repeated during use, cracks C are formed in the lower interlayer resin insulation layer 250 starting from the wall surface of the solder pad 275 as shown in FIG. Of the conductor circuit 358 in some cases.

【0005】かかる課題に対応するため、例えば、特開
平10−93235号にて、図12(C)に示すように
半田パッド275の側面にテーパを設け、ソルダーレジ
スト層270と接触させて、半田パッド275をソルダ
ーレジスト270で押さえる技術が提案されている。し
かし、当該技術では、ソルダーレジスト層270の厚さ
と半田パッド275の厚さが同一であるため、ソルダー
レジストが半田パッドを十分に押さえることができず、
冷熱サイクル時や吸湿時に、半田パッド275と下層の
層間樹脂絶縁層250との間で剥離が発生する。
In order to cope with such a problem, for example, in Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 10-93235, a taper is provided on the side surface of the solder pad 275 as shown in FIG. A technique has been proposed in which the pad 275 is pressed by the solder resist 270. However, in this technique, since the thickness of the solder resist layer 270 and the thickness of the solder pad 275 are the same, the solder resist cannot sufficiently hold down the solder pad,
Peeling occurs between the solder pad 275 and the lower interlayer resin insulation layer 250 during a cooling / heating cycle or moisture absorption.

【0006】本発明は、上述した課題を解決するために
なされたものであり、その目的は、半田パッドの接続信
頼性を高め得るプリント配線板を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and an object of the present invention is to provide a printed wiring board capable of improving the connection reliability of a solder pad.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項1のプリント配線板では、基板上に半導体部
品を搭載するための半田パッドと、該半田パッドが露出
する開口が設けられたソルダーレジスト層とが形成され
てなるプリント配線板において、前記ソルダーレジスト
層の開口を、前記半田パッド上に設けると共に前記開口
の周縁を構成するソルダーレジスト層を前記半田パッド
の周辺部に厚みをもって重なるように形成したことを技
術的特徴とする。
In order to achieve the above object, the printed wiring board of the present invention is provided with a solder pad for mounting a semiconductor component on a substrate, and an opening for exposing the solder pad. In a printed wiring board on which a solder resist layer is formed, an opening of the solder resist layer is provided on the solder pad, and a solder resist layer constituting a periphery of the opening overlaps a peripheral portion of the solder pad with a thickness. It is a technical feature that it is formed as described above.

【0008】また、請求項2では、請求項1において、
前記ソルダーレジスト層の開口を半用パッドの周辺部に
3μm以上重なるように形成したことを技術的特徴とす
る。
[0008] According to a second aspect, in the first aspect,
A technical feature is that the opening of the solder resist layer is formed so as to overlap the peripheral portion of the half pad by 3 μm or more.

【0009】請求項3では、請求項1において、前記ソ
ルダーレジスト層の半田パッドの周辺部における重なっ
た部分の厚さを10μm以上にしたことを技術的特徴と
する。
A third aspect of the present invention is characterized in that, in the first aspect, the thickness of the overlapping portion of the solder resist layer in the peripheral portion of the solder pad is set to 10 μm or more.

【0010】請求項4では、請求項1において、前記ソ
ルダーレジスト層の厚みを10〜50μmにしたことを
技術的特徴とする。
According to a fourth aspect, in the first aspect, the thickness of the solder resist layer is set to 10 to 50 μm.

【0011】請求項5では、請求項1において、前記ソ
ルダーレジスト層の開口は直経250μm以下の円形伏
であることを技術的特徴とする。
A fifth aspect of the present invention is characterized in that, in the first aspect, the opening of the solder resist layer has a circular shape with a diameter of 250 μm or less.

【0012】請求項6では、請求項1において、前記ソ
ルダーレジスト層は、ノボラック型エポキシ樹脂もしく
はノボラック型エポキシアクリレートからなり、イミダ
ゾール硬化剤を硬化剤として含むことを特徴とする。
According to a sixth aspect of the present invention, in the first aspect, the solder resist layer is made of a novolak epoxy resin or a novolak epoxy acrylate, and contains an imidazole curing agent as a curing agent.

【0013】請求項1の発明では、開口の周縁を構成す
るソルダーレジスト層を半田パッドの周辺部に厚みをも
って重なるようにソルダーレジスト層の開口を形成して
あるため、特開平1−93235号と異なり、ソルダ−
レジスト層が半田パッドを上から押さえつけて、半田パ
ッドが下層の絶縁層から剥離することがなくなり、接続
信頼性が向上する。また、半田パッドとソルダーレジス
ト層とを密着させるため、下層の絶縁層(層間樹脂絶縁
層)にクラックが入り難くなる。
According to the first aspect of the present invention, since the opening of the solder resist layer constituting the periphery of the opening is formed so as to overlap with the peripheral portion of the solder pad with a thickness, the opening of the solder resist layer is disclosed in JP-A-1-93235. No, solder
The resist layer presses the solder pad from above, and the solder pad does not peel from the lower insulating layer, thereby improving connection reliability. Further, since the solder pad and the solder resist layer are brought into close contact with each other, cracks are less likely to occur in the lower insulating layer (interlayer resin insulating layer).

【0014】請求項2の発明では、半田パッドの周辺部
に3μm以上重なるようにソルダーレジスト層の開口を
形成するため、半田パッドを押さえ、冷熱サイクル時、
吸湿時の半田パッドの剥離、絶縁層のクラックを完全に
防止できる。
According to the second aspect of the present invention, the opening of the solder resist layer is formed so as to overlap the peripheral portion of the solder pad by 3 μm or more.
Peeling of the solder pad and cracking of the insulating layer at the time of moisture absorption can be completely prevented.

【0015】請求項3の発明では、ソルダーレジスト層
の半田パッドの周辺部における重なりの厚みを10μm
以上にしてあるため、半田パッドが下層の絶縁層から剥
離することがなくなり、接続信頼性が向上する。
According to the third aspect of the present invention, the thickness of the solder resist layer at the peripheral portion of the solder pad is 10 μm.
As described above, the solder pad does not peel from the lower insulating layer, and the connection reliability is improved.

【0016】請求項4の発明では、ソルダーレジスト層
の厚みを10〜50μmにしてある。10μm未満であ
ると半田の流れをせき止めるソルダーダムとして機能せ
ず、50μmを越えると開口を形成し難くなる上、半田
バンプを構成する半田体と接触し、半田体にクラックを
生じさせる原因となるからである。
In the present invention, the thickness of the solder resist layer is set to 10 to 50 μm. If it is less than 10 μm, it will not function as a solder dam for blocking the flow of solder, and if it exceeds 50 μm, it will be difficult to form an opening, and it will come into contact with the solder body constituting the solder bump and cause cracks in the solder body. It is.

【0017】請求項5の発明では、ソルダーレジスト層
の開口は、直径250μm以下の円形状である。半田パ
ッドの直径が小さい程、剥離が発生しやすく、直径25
0μm以下の開口を設けなければならない程小さな直径
の半田パッドを形成する場合に、効果が顕著である。
According to the present invention, the opening of the solder resist layer has a circular shape with a diameter of 250 μm or less. The smaller the diameter of the solder pad, the easier the peeling occurs, and
The effect is remarkable when a solder pad having a diameter small enough to provide an opening of 0 μm or less is formed.

【0018】請求項6の発明では、ソルダーレジスト層
は、ノボラック型エポキシ樹脂もしくはノボラック型エ
ポキシ樹脂のアクリレートからなり、イミダゾール硬化
剤を硬化剤として含む。このような構成のソルダーレジ
スト層は、鉛のマイグレーション(鉛イオンがソルダー
レジスト層内を拡散する現象)が少ないという利点を持
つ。しかも、このソルダーレジスト層は、ノボラック型
エポキシ樹脂のアクリレートをイミダゾール硬化剤で硬
化した樹脂層であり、耐熱性、耐アルカリ性に優れ、は
んだが溶融する温度(200°C前後)でも劣化せず、
ニッケルめっき及び金めっきを行う際の強塩基性のめっ
き液で分解することもない。
According to the sixth aspect of the present invention, the solder resist layer is made of a novolak epoxy resin or an acrylate of a novolak epoxy resin, and contains an imidazole curing agent as a curing agent. The solder resist layer having such a configuration has an advantage that migration of lead (a phenomenon in which lead ions diffuse in the solder resist layer) is small. Moreover, this solder resist layer is a resin layer obtained by curing an acrylate of a novolak type epoxy resin with an imidazole curing agent, has excellent heat resistance and alkali resistance, and does not deteriorate even at a temperature at which the solder melts (around 200 ° C.)
It does not decompose with a strongly basic plating solution when performing nickel plating and gold plating.

【0019】なお、ソルダーレジスト層としては、種々
の樹脂を使用でき、例えば、ビスフェノールA型エポキ
シ樹脂、ビスフェノールA型エポキシ樹脂のアクリレー
ト、ノボラック型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ
樹脂のアクリレートをアミン系硬化剤やイミダゾール硬
化剤などで硬化させた樹脂を使用できる。
Various resins can be used for the solder resist layer. For example, bisphenol A type epoxy resin, acrylate of bisphenol A type epoxy resin, novolak type epoxy resin, acrylate of novolak type epoxy resin may be used as an amine curing agent. Or a resin cured with an imidazole curing agent or the like.

【0020】一方、このようなソルダーレジスト層は、
剛直骨格を持つ樹脂で構成されるので剥離が生じること
がある。このため、補強層を設けることでソルダーレジ
スト層の剥離を防止することもできる。
On the other hand, such a solder resist layer is
Since it is composed of a resin having a rigid skeleton, peeling may occur. Therefore, the provision of the reinforcing layer can also prevent the solder resist layer from peeling off.

【0021】ここで、上記ノボラック型エポキシ樹脂の
アクリレートとしては、フェノールノボラックやクレゾ
ールノボラックのグリシジルエーテルを、アクリル酸や
メタクリル酸などと反応させたエポキシ樹脂などを用い
ることができる。
Here, as the acrylate of the novolak type epoxy resin, an epoxy resin obtained by reacting glycidyl ether of phenol novolak or cresol novolak with acrylic acid, methacrylic acid or the like can be used.

【0022】上記イミダゾール硬化剤は、25℃で液状で
あることが望ましい。液状であれば均一混合できるから
である。このような液状イミダゾール硬化剤としては、
1-ベンジル−2-メチルイミダゾール(品名:1B2MZ )、
1-シアノエチル−2-エチル−4-メチルイミダゾール(品
名:2E4MZ-CN)、4-メチル−2-エチルイミダゾール(品
名:2E4MZ )を用いることができる。
The above imidazole curing agent is desirably liquid at 25 ° C. This is because a liquid can be uniformly mixed. As such a liquid imidazole curing agent,
1-benzyl-2-methylimidazole (product name: 1B2MZ),
1-cyanoethyl-2-ethyl-4-methylimidazole (product name: 2E4MZ-CN) and 4-methyl-2-ethylimidazole (product name: 2E4MZ) can be used.

【0023】このイミダゾール硬化剤の添加量は、上記
ソルダーレジスト組成物の総固形分に対して1〜10重量
%とすることが望ましい。この理由は、添加量がこの範
囲内にあれば均一混合がしやすいからである。
The addition amount of the imidazole curing agent is desirably 1 to 10% by weight based on the total solid content of the solder resist composition. The reason for this is that if the added amount is within this range, uniform mixing is easy.

【0024】上記ソルダーレジストの硬化前組成物は、
溶媒としてグリコールエーテル系の溶剤を使用すること
が望ましい。このような組成物を用いたソルダーレジス
ト層は、遊離酸が発生せず、銅パッド表面を酸化させな
い。また、人体に対する有害性も少ない。
The composition before curing of the solder resist is as follows:
It is desirable to use a glycol ether-based solvent as the solvent. The solder resist layer using such a composition does not generate free acid and does not oxidize the copper pad surface. It is also less harmful to the human body.

【0025】このようなグリコールエーテル系溶媒とし
ては、下記構造式のもの、特に望ましくは、ジエチレン
グリコールジメチルエーテル(DMDG)およびトリエ
チレングリコールジメチルエーテル(DMTG)から選
ばれるいずれか少なくとも1種を用いる。これらの溶剤
は、30〜50℃程度の加温により反応開始剤であるベンゾ
フェノンやミヒラーケトンを完全に溶解させることがで
きるからである。 CH 3 O-(CH2 CH2 O) n −CH3 (n=1〜5) このグリコールエーテル系の溶媒は、ソルダーレジスト
組成物の全重量に対して10〜70wt%がよい。
As such a glycol ether-based solvent, one having the following structural formula, particularly preferably at least one selected from diethylene glycol dimethyl ether (DMDG) and triethylene glycol dimethyl ether (DMTG) is used. This is because these solvents can completely dissolve benzophenone and Michler's ketone as reaction initiators by heating at about 30 to 50 ° C. CH 3 O— (CH 2 CH 2 O) n —CH 3 (n = 1 to 5) The amount of the glycol ether solvent is preferably 10 to 70% by weight based on the total weight of the solder resist composition.

【0026】以上説明したようなソルダーレジスト組成
物には、その他に、各種消泡剤やレベリング剤、耐熱性
や耐塩基性の改善と可撓性付与のために熱硬化性樹脂、
解像度改善のために感光性モノマーなどを添加すること
ができる。例えば、レベリング剤としてはアクリル酸エ
ステルの重合体からなるものがよい。また、開始剤とし
ては、チバガイギー製のイルガキュアI907、光増感
剤としては日本化薬製のDETX−Sがよい。さらに、
ソルダーレジスト組成物には、色素や顔料を添加しても
よい。配線パターンを隠蔽できるからである。この色素
としてはフタロシアニングリーンを用いることが望まし
い。
The solder resist composition as described above includes, in addition to the above, various defoaming agents and leveling agents, thermosetting resins for improving heat resistance and base resistance and imparting flexibility.
A photosensitive monomer or the like can be added to improve the resolution. For example, as the leveling agent, one made of a polymer of an acrylate ester is preferable. The initiator is preferably Irgacure I907 manufactured by Ciba-Geigy, and the photosensitizer is DETX-S manufactured by Nippon Kayaku. further,
A dye or pigment may be added to the solder resist composition. This is because the wiring pattern can be hidden. It is desirable to use phthalocyanine green as this dye.

【0027】添加成分としての上記熱硬化性樹脂として
は、ビスフェノール型エポキシ樹脂を用いることができ
る。このビスフェノール型エポキシ樹脂には、ビスフェ
ノールA型エポキシ樹脂とビスフェノールF型エポキシ
樹脂があり、耐塩基性を重視する場合には前者が、低粘
度化が要求される場合(塗布性を重視する場合)には後
者がよい。
As the thermosetting resin as an additional component, a bisphenol-type epoxy resin can be used. This bisphenol type epoxy resin includes a bisphenol A type epoxy resin and a bisphenol F type epoxy resin, and when importance is attached to base resistance, the former is required to reduce viscosity (when importance is attached to coating properties). The latter is better.

【0028】添加成分としての上記感光性モノマーとし
ては、多価アクリル系モノマーを用いることができる。
多価アクリル系モノマーは、解像度を向上させることが
できるからである。例えば、多価アクリル系モノマーと
して、日本化薬製のDPE−6A、共栄社化学製のR−
604を用いることができる。
As the photosensitive monomer as an additive component, a polyvalent acrylic monomer can be used.
This is because the polyvalent acrylic monomer can improve the resolution. For example, Nippon Kayaku's DPE-6A and Kyoeisha Chemical's R-
604 can be used.

【0029】また、これらのソルダーレジスト組成物
は、25℃で0.5〜10Pa・s、より望ましくは1
〜10Pa・sがよい。ロールコータで塗布しやすい粘
度だからである。
These solder resist compositions may be used at a temperature of 25 ° C. in a range of 0.5 to 10 Pa · s,
-10 Pa · s is preferred. This is because the viscosity is easy to apply with a roll coater.

【0030】本発明では、上記絶縁層もしくは層間絶縁
層として無電解めっき用接着剤を用いることが望まし
い。この無電解めっき用接着剤は、硬化処理された酸あ
るいは酸化剤に可溶性の耐熱性樹脂粒子が、酸あるいは
酸化剤に難溶性の未硬化の耐熱性樹脂中に分散されてな
るものが最適である。酸、酸化剤で処理することによ
り、耐熱性樹脂粒子が溶解除去されて、表面に蛸つぼ状
のアンカーからなる粗化面を形成できる。
In the present invention, it is desirable to use an adhesive for electroless plating as the insulating layer or the interlayer insulating layer. The most suitable adhesive for electroless plating is one in which heat-resistant resin particles soluble in a cured acid or oxidizing agent are dispersed in an uncured heat-resistant resin hardly soluble in an acid or oxidizing agent. is there. By treating with an acid or an oxidizing agent, the heat-resistant resin particles are dissolved and removed, and a roughened surface composed of an octopus-shaped anchor can be formed on the surface.

【0031】上記無電解めっき用接着剤において、特に
硬化処理された前記耐熱性樹脂粒子としては、平均粒
径が10μm以下の耐熱性樹脂粉末、平均粒径が2μm
以下の耐熱性樹脂粉末を凝集させた凝集粒子、平均粒
径が2〜10μmの耐熱性粉末樹脂粉末と平均粒径が2μ
m以下の耐熱性樹脂粉末との混合物、平均粒径が2〜
10μmの耐熱性樹脂粉末の表面に平均粒径が2μm以下
の耐熱性樹脂粉末または無機粉末のいずれか少なくとも
1種を付着させてなる疑似粒子、平均粒径が0.1〜
0.8μmの耐熱性粉末樹脂粉末と平均粒径が0.8μ
mを越え、2μm未満の耐熱性樹脂粉末との混合物、
平均粒径が0.1〜1.0μmの耐熱性粉末樹脂粉末を
用いることが望ましい。これらは、より複雑なアンカー
を形成できるからである。
In the above-mentioned adhesive for electroless plating, the heat-resistant resin particles particularly subjected to the curing treatment include a heat-resistant resin powder having an average particle diameter of 10 μm or less, and an average particle diameter of 2 μm.
Aggregated particles obtained by aggregating the following heat-resistant resin powder, a heat-resistant powder resin powder having an average particle size of 2 to 10 μm and an average particle size of 2 μm
m and a mixture with a heat-resistant resin powder having a mean particle size of 2 or less.
Pseudo particles obtained by adhering at least one of a heat-resistant resin powder or an inorganic powder having an average particle diameter of 2 μm or less to the surface of a 10 μm heat-resistant resin powder, and an average particle diameter of 0.1 to
0.8μm heat resistant resin powder and average particle size 0.8μ
m, and a mixture with a heat-resistant resin powder of less than 2 μm,
It is desirable to use a heat-resistant resin powder having an average particle size of 0.1 to 1.0 μm. This is because they can form more complex anchors.

【0032】粗化面の深さは、Rmax=0.01〜2
0μmがよい。密着性を確保するためである。特にセミ
アディティブ法では、0.1〜5μmがよい。密着性を
確保しつつ、無電解めっき膜を除去できるからである。
The depth of the roughened surface is Rmax = 0.01 to 2
0 μm is preferred. This is to ensure adhesion. Particularly, in the semi-additive method, the thickness is preferably 0.1 to 5 μm. This is because the electroless plating film can be removed while ensuring adhesion.

【0033】前記酸あるいは酸化剤に難溶牲の耐熱性樹
脂としては、「熱硬化性樹脂および熱可塑性樹脂からな
る樹脂複合体」又は「感光性樹脂および熱可塑性樹脂か
らなる樹脂複合体」からなることが望ましい。前者につ
いては耐熱性が高く、後者についてはバイアホール用の
開口をフォトリソグラフィーにより形成できるからであ
る。
The heat-resistant resin which is hardly soluble in an acid or an oxidizing agent includes a “resin composite composed of a thermosetting resin and a thermoplastic resin” or a “resin composite composed of a photosensitive resin and a thermoplastic resin”. It is desirable to become. This is because the former has high heat resistance, and the latter can form an opening for a via hole by photolithography.

【0034】前記熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹
脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂などを使用でき
る。また、感光化する場合は、メタクリル酸やアクリル
酸などと熱硬化基をアクリル化反応させる。特にエポキ
シ樹脂のアクリレートが最適である。エポキシ樹脂とし
ては、フェノールノボラック型、クレゾールノボラック
型、などのノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタ
ジエン変成した脂環式エポキシ樹脂などを使用すること
ができる。
As the thermosetting resin, epoxy resin, phenol resin, polyimide resin and the like can be used. In the case of photosensitization, methacrylic acid, acrylic acid, or the like is subjected to an acrylate reaction with a thermosetting group. Particularly, acrylate of epoxy resin is most suitable. As the epoxy resin, a novolak type epoxy resin such as a phenol novolak type and a cresol novolak type, and an alicyclic epoxy resin modified with dicyclopentadiene can be used.

【0035】熱可塑性樹脂としては、ポリエーテルスル
フォン(PES)、ポリスルフォン(PSF)、ポリフ
ェニレンスルフォン(PPS)、ポリフェニレンサルフ
ァイド(PPES)、ポリフェニルエーテル(PP
E)、ポリエーテルイミド(PI)などを使用できる。
熱硬化性樹脂(感光性樹脂)と熱可塑性樹脂の混合割合
は、熱硬化性樹脂(感光性樹脂)/熱可塑性樹脂=95
/5〜50/50がよい。耐熱性を損なうことなく、高
い靭性値を確保できるからである。
As the thermoplastic resin, polyether sulfone (PES), polysulfone (PSF), polyphenylene sulfone (PPS), polyphenylene sulfide (PPES), polyphenyl ether (PP
E), polyetherimide (PI) and the like can be used.
The mixing ratio of the thermosetting resin (photosensitive resin) and the thermoplastic resin is: thermosetting resin (photosensitive resin) / thermoplastic resin = 95
/ 5 to 50/50 is preferred. This is because a high toughness value can be secured without impairing the heat resistance.

【0036】前記耐熱性樹脂粒子の混合重量比は、耐熱
性樹脂マトリックスの固形分に対して5〜50重量%、
望ましくは10〜40重量%がよい。耐熱性樹脂粒子
は、アミノ樹脂(メラミン樹脂、尿素樹脂、グアナミン
樹脂)、エポキシ樹脂などがよい。なお、接着剤は、組
成の異なる2層により構成してもよい。
The weight ratio of the heat-resistant resin particles is 5 to 50% by weight based on the solid content of the heat-resistant resin matrix.
Desirably, the content is 10 to 40% by weight. As the heat-resistant resin particles, amino resin (melamine resin, urea resin, guanamine resin), epoxy resin and the like are preferable. The adhesive may be composed of two layers having different compositions.

【0037】[0037]

【実施例】以下、本発明の実施例に係るプリント配線板
及びその製造方法について図を参照して説明する。先
ず、本発明の第1実施例に係るプリント配線板10の構
成について、図7及び図8を参照して説明する。図7
は、半導体部品である集積回路チップ90搭載前のプリ
ント配線板(パッケージ基板)10の断面を示し、図8
は、集積回路チップ90を搭載した状態のプリント配線
板10の断面を示している。図8に示すように、プリン
ト配線板10の上面側には、集積回路チップ90が搭載
され、下面側は、ドータボード94へ接続されている。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A printed wiring board according to an embodiment of the present invention and a method of manufacturing the same will be described below with reference to the drawings. First, the configuration of the printed wiring board 10 according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG.
8 shows a cross section of the printed wiring board (package substrate) 10 before mounting the integrated circuit chip 90 as a semiconductor component.
Shows a cross section of the printed wiring board 10 in a state where the integrated circuit chip 90 is mounted. As shown in FIG. 8, an integrated circuit chip 90 is mounted on the upper surface side of the printed wiring board 10, and the lower surface side is connected to the daughter board 94.

【0038】図7を参照してプリント配線板の構成につ
いて詳細に説明する。該プリント配線板10では、多層
コア基板30の表面及び裏面にビルドアップ配線層80
A、80Bが形成されている。該ビルトアップ層80A
は、バイアホール60及び導体回路58の形成された層
間樹脂絶縁層50と、バイアホール160及び導体回路
158の形成された層間樹脂絶縁層150とからなる。
また、ビルドアップ配線層80Bは、バイアホール60
及び導体回路58の形成された層間樹脂絶縁層50と、
バイアホール160及び導体回路158の形成された層
間樹脂絶縁層150とからなる。
The configuration of the printed wiring board will be described in detail with reference to FIG. In the printed wiring board 10, the build-up wiring layers 80 are formed on the front and back surfaces of the multilayer core substrate 30.
A and 80B are formed. The built-up layer 80A
Is composed of an interlayer resin insulation layer 50 having via holes 60 and conductor circuits 58 formed therein, and an interlayer resin insulation layer 150 having via holes 160 and conductor circuits 158 formed therein.
Further, the build-up wiring layer 80B is
And an interlayer resin insulation layer 50 on which the conductor circuit 58 is formed,
It comprises a via hole 160 and an interlayer resin insulation layer 150 in which a conductor circuit 158 is formed.

【0039】上面側には、集積回路チップ90のランド
92(図8参照)へ接続するための半田バンプ76Uが
配設されている。半田バンプ76Uはバイアホール16
0及びバイアホール60を介してスルーホール36へ接
続されている。一方、下面側には、ドーターボード(サ
ブボード)94のランド96(図8参照)に接続するた
めの半田バンプ76Dが配設されている。該半田バンプ
76Dは、バイアホール160及びバイアホール60を
介してスルーホール36へ接続されている。該半田バン
プ76U、76Dは、ソルダーレジスト70の開口71
内の導体回路158及びバイアホール160上に、ニッ
ケルめっき層72、金めっき層74が形成された半田パ
ッド75に半田体77が配設されてなる。
On the upper surface side, solder bumps 76U for connection to lands 92 (see FIG. 8) of the integrated circuit chip 90 are provided. The solder bump 76U is in the via hole 16
0 and via hole 60 to through hole 36. On the other hand, on the lower surface side, a solder bump 76D for connection to a land 96 (see FIG. 8) of a daughter board (sub-board) 94 is provided. The solder bump 76D is connected to the through hole 36 via the via hole 160 and the via hole 60. The solder bumps 76U and 76D are formed in the openings 71 of the solder resist 70.
A solder body 77 is disposed on a solder pad 75 having a nickel plating layer 72 and a gold plating layer 74 formed on the conductor circuit 158 and the via hole 160 in the inside.

【0040】図8に示すようにプリント配線板10とI
Cチップ90との間には樹脂封止を行うアンダーフィル
88が配設されている。同様に、プリント配線板10と
マザーボード84との間にアンダーフィル88が配設さ
れている。
As shown in FIG. 8, the printed wiring boards 10 and I
An underfill 88 for performing resin sealing is provided between the underfill 88 and the C chip 90. Similarly, an underfill 88 is provided between the printed wiring board 10 and the motherboard 84.

【0041】図7中にGにて示すソルダーレジスト層及
び半田パッドを拡大して図9(A)に示す。また、図9
(B)に図9(A)のH矢視図、即ち、ソルダーレジス
ト層70の表面を示す。本実施例のプリント配線板10
では、図9(B)に示すようにソルダーレジスト層70
の開口部71が、半田パッド75の周辺部に3μm以上
(実施例では5μm)重なるように形成してある。この
ため、該ソルダーレジストの70の重なりによって、半
田パッド75が押さえられ、半田パッド75が下層の層
間樹脂絶縁層150から剥離することがなくなり、IC
チップ90及びドータボード94との接続信頼性が向上
している。また、図9(A)に示すように半田パッド7
5とソルダーレジスト層70とが密着しているため、図
12(A)を参照して上述した従来技術のプリント配線
板と異なり、プリント配線板が熱収縮を繰り返しても下
層の層間樹脂絶縁層150にクラックが入り難くなって
いる。
FIG. 9A is an enlarged view of the solder resist layer and the solder pad indicated by G in FIG. FIG.
FIG. 9B is a view taken in the direction of arrow H in FIG. 9A, that is, the surface of the solder resist layer 70. Printed wiring board 10 of the present embodiment
Now, as shown in FIG. 9B, the solder resist layer 70
Is formed so as to overlap the peripheral portion of the solder pad 75 by 3 μm or more (5 μm in the embodiment). For this reason, the solder pad 70 is pressed down by the overlap of the solder resist 70, and the solder pad 75 does not peel off from the lower interlayer resin insulation layer 150, and
The connection reliability between the chip 90 and the daughter board 94 is improved. Also, as shown in FIG.
5 and the solder resist layer 70 are in close contact with each other, unlike the conventional printed wiring board described above with reference to FIG. Cracking is hard to occur in 150.

【0042】なお、ソルダ−レジスト層70の開口部7
1は、図9(A)に示すようにテーパが設けられていて
もよく、図13(A)に示すように垂直な壁面を有して
いてもよい。また、図13(B)に示すようにソルダ−
レジスト層70が半田パッド75上でやや盛り上がった
形状にしてもよい。
The opening 7 of the solder-resist layer 70
1 may be provided with a taper as shown in FIG. 9A, or may have a vertical wall surface as shown in FIG. Also, as shown in FIG.
The resist layer 70 may have a slightly raised shape on the solder pad 75.

【0043】また、本実施例のプリント配線板では、図
9(A)に示すようにソルダーレジスト層70の半田パ
ッド75の周辺部における重なりの厚みを10μm以上
(実施例では20μm)にしてあるため、該ソルダーレ
ジストの70の重なりによって、半田パッド75が押さ
えられ、半田パッド75が下層の層間樹脂絶縁層150
から剥離することがなくなり、接続信頼性が高められて
いる。
Further, in the printed wiring board of this embodiment, as shown in FIG. 9A, the thickness of the solder resist layer 70 at the peripheral portion of the solder pad 75 is set to 10 μm or more (20 μm in this embodiment). Therefore, the solder pad 70 is pressed by the overlap of the solder resist 70, and the solder pad 75 is moved to the lower interlayer resin insulation layer 150.
The connection reliability is improved.

【0044】更に、本実施例のプリント配線板では、図
9(A)に示すようにソルダーレジスト層70の厚みを
40μmに設定してある。ここで、ソルダーレジスト層
70の厚みは、20〜50μmが好適である。これは、
20μm未満であるとリフローの際に半田の流れをせき
止めるソルダーダムとして機能せず、50μmを越える
と開口70を形成し難くなる上、半田バンプ76U、7
6Dを構成する半田体77と接触し、半田体77側へク
ラックを生じさせる原因となるからである。
Further, in the printed wiring board of this embodiment, as shown in FIG. 9A, the thickness of the solder resist layer 70 is set to 40 μm. Here, the thickness of the solder resist layer 70 is preferably 20 to 50 μm. this is,
If it is less than 20 μm, it will not function as a solder dam for blocking the flow of solder at the time of reflow, and if it is more than 50 μm, it will be difficult to form an opening 70 and solder bumps 76U, 7
This is because it comes into contact with the solder body 77 constituting the 6D and causes a crack on the solder body 77 side.

【0045】引き続き、図7に示すプリント配線板を製
造する方法について一例を挙げて具体的に説明する。ま
ず、A.無電解めっき用接着剤、B.層間樹脂絶縁剤、
C.樹脂充填剤、D.ソルダーレジストの組成について
説明する。
Subsequently, a method of manufacturing the printed wiring board shown in FIG. 7 will be specifically described by way of an example. First, A. Adhesive for electroless plating, B. Interlayer resin insulation,
C. Resin filler, D.I. The composition of the solder resist will be described.

【0046】A.無電解めっき用接着剤調製用の原料組
成物(上層用接着剤) 〔樹脂組成物〕クレゾールノボラック型エポキシ樹脂
(日本化薬製、分子量2500)の25%アクリル化物を80wt
%の濃度でDMDGに溶解させた樹脂液を35重量部、感
光性モノマー(東亜合成製、アロニックスM315 )3.15
重量部、消泡剤(サンノプコ製、S−65)0.5 重量部、
NMP 3.6重量部を攪拌混合して得た。
A. Raw material composition for preparation of adhesive for electroless plating (adhesive for upper layer) [Resin composition] 80 wt% of 25% acrylate of cresol novolak type epoxy resin (Nippon Kayaku, molecular weight 2500)
35% by weight of a resin solution dissolved in DMDG at a concentration of 3.15% and a photosensitive monomer (Toa Gosei Co., Aronix M315) 3.15
Parts by weight, 0.5 parts by weight of an antifoaming agent (manufactured by San Nopco, S-65)
3.6 parts by weight of NMP were obtained by stirring and mixing.

【0047】〔樹脂組成物〕ポリエーテルスルフォン
(PES)12重量部、エポキシ樹脂粒子(三洋化成製、
ポリマーポール)の平均粒径 1.0μmのものを 7.2重量
部、平均粒径 0.5μmのものを3.09重量部、を混合した
後、さらにNMP30重量部を添加し、ビーズミルで攪拌
混合して得た。
[Resin composition] 12 parts by weight of polyether sulfone (PES), epoxy resin particles (manufactured by Sanyo Chemical Industries,
After mixing 7.2 parts by weight of a polymer pole having an average particle size of 1.0 μm and 3.09 parts by weight of a polymer pole having an average particle size of 0.5 μm, 30 parts by weight of NMP was further added, followed by stirring and mixing with a bead mill.

【0048】〔硬化剤組成物〕イミダゾール硬化剤
(四国化成製、2E4MZ-CN)2重量部、光開始剤(チバガ
イギー製、イルガキュア I−907 )2重量部、光増感
剤(日本化薬製、DETX-S)0.2 重量部、NMP 1.5重量
部を攪拌混合して得た。
[Curing Agent Composition] 2 parts by weight of imidazole curing agent (2E4MZ-CN, manufactured by Shikoku Chemicals), 2 parts by weight of photoinitiator (Irgacure I-907, manufactured by Ciba Geigy), photosensitizer (manufactured by Nippon Kayaku) , DETX-S) 0.2 parts by weight and NMP 1.5 parts by weight.

【0049】B.層間樹脂絶縁剤調製用の原料組成物
(下層用接着剤) 〔樹脂組成物〕クレゾールノボラック型エポキシ樹脂
(日本化薬製、分子量2500)の25%アクリル化物を80wt
%の濃度でDMDGに溶解させた樹脂液を35重量部、感
光性モノマー(東亜合成製、アロニックスM315 )4重
量部、消泡剤(サンノプコ製、S−65)0.5 重量部、N
MP 3.6重量部を攪拌混合して得た。
B. Raw material composition for preparing interlayer resin insulation agent (adhesive for lower layer) [Resin composition] 80 wt% of 25% acrylate of cresol novolak type epoxy resin (Nippon Kayaku, molecular weight 2500)
% Of a resin solution dissolved in DMDG at a concentration of 35%, 4 parts by weight of a photosensitive monomer (Alonix M315, manufactured by Toagosei Co., Ltd.), 0.5 parts by weight of an antifoaming agent (S-65, manufactured by San Nopco), N
3.6 parts by weight of MP were obtained by stirring and mixing.

【0050】〔樹脂組成物〕ポリエーテルスルフォン
(PES)12重量部、エポキシ樹脂粒子(三洋化成製、
ポリマーポール)の平均粒径 0.5μmのものを 14.49重
量部、を混合した後、さらにNMP30重量部を添加し、
ビーズミルで攪拌混合して得た。
[Resin composition] 12 parts by weight of polyether sulfone (PES), epoxy resin particles (manufactured by Sanyo Chemical Industries,
After mixing 14.49 parts by weight of a polymer pole having an average particle size of 0.5 μm, 30 parts by weight of NMP were further added,
It was obtained by stirring and mixing with a bead mill.

【0051】〔硬化剤組成物〕イミダゾール硬化剤
(四国化成製、2E4MZ-CN)2重量部、光開始剤(チバガ
イギー製、イルガキュア I−907 )2重量部、光増感
剤(日本化薬製、DETX-S)0.2 重量部、NMP1.5 重量
部を攪拌混合して得た。
[Curing agent composition] 2 parts by weight of an imidazole curing agent (2E4MZ-CN, manufactured by Shikoku Chemicals), 2 parts by weight of a photoinitiator (Irgacure I-907, manufactured by Ciba Geigy), and a photosensitizer (manufactured by Nippon Kayaku) , DETX-S) 0.2 parts by weight and NMP 1.5 parts by weight with stirring.

【0052】C.樹脂充填剤調製用の原料組成物 〔樹脂組成物〕ビスフェノールF型エポキシモノマー
(油化シェル製、分子量310 、YL983U)100重量部、表
面にシランカップリング剤がコーティングされた平均粒
径 1.6μmのSiO2 球状粒子(アドマテック製、CRS 11
01−CE、ここで、最大粒子の大きさは後述する内層銅パ
ターンの厚み(15μm)以下とする) 170重量部、レベ
リング剤(サンノプコ製、ペレノールS4)1.5 重量部
を攪拌混合することにより、その混合物の粘度を23±1
℃で45,000〜49,000cps に調整して得た。 〔硬化剤組成物〕イミダゾール硬化剤(四国化成製、
2E4MZ-CN)6.5 重量部。
C. Raw material composition for resin filler preparation [Resin composition] 100 parts by weight of bisphenol F type epoxy monomer (manufactured by Yuka Shell, molecular weight 310, YL983U), having an average particle diameter of 1.6 μm coated with a silane coupling agent on the surface SiO 2 spherical particles (Admatech, CRS 11
01-CE, where the maximum particle size is 170 parts by weight of the inner layer copper pattern described below (15 μm or less) and 1.5 parts by weight of a leveling agent (manufactured by San Nopco, Perenol S4) by stirring and mixing. The viscosity of the mixture is 23 ± 1
The temperature was adjusted to 45,000-49,000 cps at ℃. [Curing agent composition] Imidazole curing agent (Shikoku Chemicals,
2E4MZ-CN) 6.5 parts by weight.

【0053】D.ソルダーレジスト組成物 DMDGに溶解させた60重量%のクレゾールノボラック
型エポキシ樹脂(日本化薬製)のエポキシ基50%をアク
リル化した感光性付与のオリゴマー(分子量4000)を 4
6.67g、メチルエチルケトンに溶解させた80重量%のビ
スフェノールA型エポキシ樹脂(油化シェル製、エピコ
ート1001)15.0g、イミダゾール硬化剤(四国化成製、
2E4MZ-CN)1.6 g、感光性モノマーである多価アクリル
モノマー(日本化薬製、R604 )3g、同じく多価アク
リルモノマー(共栄社化学製、DPE6A ) 1.5g、分散系
消泡剤(サンノプコ社製、S−65)0.71gを混合し、さ
らにこの混合物に対して光開始剤としてのベンゾフェノ
ン(関東化学製)を2g、光増感剤としてのミヒラーケ
トン(関東化学製)を 0.2g加えて、粘度を25℃で2.0P
a・sに調整したソルダーレジスト組成物を得た。な
お、粘度測定は、B型粘度計(東京計器、 DVL-B型)で
60rpmの場合はローターNo.4、6rpm の場合はローター
No.3によった。
D. Solder resist composition 60% by weight of cresol novolak type epoxy resin (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.) dissolved in DMDG was sensitized with 50% of epoxy groups of acrylated oligomer (molecular weight 4000).
6.67 g, 15.0 g of 80 wt% bisphenol A type epoxy resin (manufactured by Yuka Shell, Epicoat 1001) dissolved in methyl ethyl ketone, imidazole curing agent (manufactured by Shikoku Chemicals,
2E4MZ-CN) 1.6 g, photosensitive acrylic monomer (Nippon Kayaku, R604) 3 g, polyvalent acrylic monomer (Kyoeisha Chemical, DPE6A) 1.5 g, dispersion defoamer (Sannopco) , S-65), and 2 g of benzophenone (Kanto Chemical) as a photoinitiator and 0.2 g of Michler's ketone (Kanto Chemical) as a photosensitizer were added to the mixture. 2.0P at 25 ° C
A solder resist composition adjusted to a · s was obtained. The viscosity was measured using a B-type viscometer (Tokyo Keiki, DVL-B type).
Rotor No.4 for 60rpm, rotor for 6rpm
No.3.

【0054】引き続き、図1〜図7を参照してプリント
配線板10の製造方法を説明する。E.プリント配線板
の製造 (1) 厚さ1mmのガラスエポキシ樹脂またはBT(ビスマ
レイミドトリアジン)樹脂からなる基板30の両面に18
μmの銅箔32がラミネートされている銅張積層板30
Aを出発材料とした(図1(A)参照)。まず、この銅
張積層板30Aをドリル削孔し、無電解めっき処理を施
し、パターン状にエッチングすることにより、基板30
の両面に内層銅パターン34とスルーホール36を形成
した(図1(B))。
Next, a method of manufacturing the printed wiring board 10 will be described with reference to FIGS. E. FIG. Manufacture of Printed Wiring Board (1) Both sides of a substrate 30 made of glass epoxy resin or BT (bismaleimide triazine) resin having a thickness of 1 mm
copper-clad laminate 30 on which copper foil 32 of μm is laminated
A was used as a starting material (see FIG. 1A). First, the copper-clad laminate 30A is drilled, subjected to an electroless plating process, and etched in a pattern to form a substrate 30A.
An inner copper pattern 34 and a through hole 36 were formed on both surfaces of the substrate (FIG. 1B).

【0055】(2) 内層銅パターン34およびスルーホー
ル36を形成した基板30を水洗いし、乾燥した後、酸
化浴(黒化浴)として、NaOH(10g/l),NaClO
2 (40g/l),Na3 PO4 (6g/l)、還元浴とし
て、NaOH(10g/l),NaBH4 (6g/l)を用いた酸
化−還元処理により、内層銅パターン34およびスルー
ホール36の表面に粗化層38を設けた(図1(C)参
照)。
(2) The substrate 30 on which the inner layer copper pattern 34 and the through hole 36 are formed is washed with water and dried, and then used as an oxidation bath (blackening bath) as NaOH (10 g / l) and NaClO.
2 (40 g / l), Na 3 PO 4 (6 g / l), and NaOH (10 g / l) and NaBH 4 (6 g / l) as a reducing bath were subjected to oxidation-reduction treatment to form the inner layer copper pattern 34 and the through-hole. A roughened layer 38 was provided on the surface of the hole 36 (see FIG. 1C).

【0056】(3) Cの樹脂充填剤調製用の原料組成物を
混合混練して樹脂充填剤を得た。 (4) 前記(3) で得た樹脂充填剤40を、調製後24時間以
内に基板30の両面にロールコータを用いて塗布するこ
とにより、導体回路(内層銅パターン)34と導体回路
34との間、及び、スルーホール36内に充填し、70
℃,20分間で乾燥させ、他方の面についても同様にして
樹脂充填剤40を導体回路34間あるいはスルーホール
36内に充填し、70℃,20分間で加熱乾燥させた(図1
(D)参照)。
(3) The raw material composition for preparing the resin filler C was mixed and kneaded to obtain a resin filler. (4) By applying the resin filler 40 obtained in the above (3) to both surfaces of the substrate 30 using a roll coater within 24 hours after the preparation, the conductor circuit (inner layer copper pattern) 34 and the conductor circuit 34 During and between the through holes 36, 70
After drying at 20 ° C. for 20 minutes, a resin filler 40 was similarly filled between the conductor circuits 34 or inside the through holes 36 on the other surface, and dried by heating at 70 ° C. for 20 minutes (FIG. 1).
(D)).

【0057】(5) 前記(4) の処理を終えた基板30の片
面を、#600 のベルト研磨紙(三共理化学製)を用いた
ベルトサンダー研磨により、内層銅パターン34の表面
やスルーホール36のランド36a表面に樹脂充填剤4
0が残らないように研磨し、次いで、前記ベルトサンダ
ー研磨による傷を取り除くためのバフ研磨を行った。こ
のような一連の研磨を基板の他方の面についても同様に
行った(図2(E)参照)。次いで、100 ℃で1時間、
120 ℃で3時間、 150℃で1時間、 180℃で7時間の加
熱処理を行って樹脂充填剤40を硬化した。
(5) The surface of the inner layer copper pattern 34 and the through holes 36 are polished on one side of the substrate 30 after the treatment of the above (4) by belt sanding using # 600 belt abrasive paper (manufactured by Sankyo Rikagaku). Filler 4 on the surface of land 36a
Polishing was performed so that 0 did not remain, and then buffing was performed to remove scratches caused by the belt sander polishing. Such a series of polishing was similarly performed on the other surface of the substrate (see FIG. 2E). Then at 100 ° C for 1 hour,
The resin filler 40 was cured by performing a heat treatment at 120 ° C. for 3 hours, 150 ° C. for 1 hour, and 180 ° C. for 7 hours.

【0058】このようにして、スルーホール36等に充
填された樹脂充填剤40の表層部および内層導体回路3
4上面の粗化層38を除去して基板30両面を平滑化し
た上で、樹脂充填剤40と内層導体回路34の側面とが
粗化層38を介して強固に密着し、またスルーホール3
6の内壁面と樹脂充填剤40とが粗化層38を介して強
固に密着した配線基板を得た。即ち、この工程により、
樹脂充填剤40の表面と内層銅パターン34の表面が同
一平面となる。
The surface layer of the resin filler 40 filled in the through holes 36 and the like and the inner conductor circuit 3
4 After removing the roughened layer 38 on the upper surface and smoothing both surfaces of the substrate 30, the resin filler 40 and the side surface of the inner conductor circuit 34 are firmly adhered to each other through the roughened layer 38, and the through hole 3 is formed.
A wiring board in which the inner wall surface of No. 6 and the resin filler 40 were firmly adhered via the roughened layer 38 was obtained. That is, by this process,
The surface of the resin filler 40 and the surface of the inner layer copper pattern 34 are flush with each other.

【0059】(6) 導体回路34を形成した基板30にア
ルカリ脱脂してソフトエッチングして、次いで、塩化パ
ラジウウムと有機酸からなる触媒溶液で処理して、Pd
触媒を付与し、この触媒を活性化した後、硫酸銅3.2
×10-2mol/l、硫酸ニッケル3.9×10-3mo
l/l、錯化剤5.4×10-2mol/l、次亜りん酸
ナトリウム3.3×10-1mol/l、ホウ酸5.0×
10-1mol/l、界面活性剤(日信化学工業製、サー
フィール465)0.1g/l、PH=9からなる無電
解めっき液に浸積し、浸漬1分後に、4秒当たり1回に
割合で縦、および、横振動させて、導体回路34および
スルーホール36のランド36aの表面にCu−Ni−
Pからなる針状合金の被覆層と粗化層42を設けた(図
2(F)参照)。
(6) The substrate 30 on which the conductor circuit 34 is formed is alkali-degreased and soft-etched, and then treated with a catalyst solution comprising palladium chloride and an organic acid to form Pd.
After applying a catalyst and activating the catalyst, copper sulfate 3.2
× 10 -2 mol / l, nickel sulfate 3.9 × 10 -3 mo
1 / l, complexing agent 5.4 × 10 -2 mol / l, sodium hypophosphite 3.3 × 10 -1 mol / l, boric acid 5.0 ×
10 -1 mol / l, 0.1 g / l of surfactant (Surfir 465, manufactured by Nissin Chemical Co., Ltd.), immersion in an electroless plating solution consisting of PH = 9, 1 minute after immersion, 1 By vibrating vertically and horizontally at times, Cu-Ni- is formed on the surface of the land 36a of the conductor circuit 34 and the through hole 36.
A coating layer of a needle-shaped alloy made of P and a roughened layer 42 were provided (see FIG. 2F).

【0060】さらに、ホウフっ化スズ0.1mol/
l、チオ尿素1.0mol/l、温度35℃、PH=
1.2の条件でCu−Sn置換反応させ、粗化層の表面
に厚さ0.3μmSn層(図示せず)を設けた。
Further, tin borofluoride 0.1 mol /
1, thiourea 1.0 mol / l, temperature 35 ° C., PH =
A Cu—Sn substitution reaction was performed under the conditions of 1.2, and a 0.3 μm-thick Sn layer (not shown) was provided on the surface of the roughened layer.

【0061】(7) Bの層間樹脂絶縁剤調製用の原料組成
物を攪拌混合し、粘度1.5 Pa・sに調整して層間樹脂絶
縁剤(下層用)を得た。次いで、Aの無電解めっき用接
着剤調製用の原料組成物を攪拌混合し、粘度7Pa・sに
調整して無電解めっき用接着剤溶液(上層用)を得た。
(7) The raw material composition for preparing the interlayer resin insulating agent of B was stirred and mixed, and the viscosity was adjusted to 1.5 Pa · s to obtain an interlayer resin insulating agent (for lower layer). Next, the raw material composition for preparing the adhesive for electroless plating of A was stirred and mixed, and the viscosity was adjusted to 7 Pa · s to obtain an adhesive solution for electroless plating (for the upper layer).

【0062】(8) 前記(6) の基板の両面に、前記(7) で
得られた粘度 1.5Pa・sの層間樹脂絶縁剤(下層用)4
4を調製後24時間以内にロールコータで塗布し、水平状
態で20分間放置してから、60℃で30分の乾燥(プリベー
ク)を行い、次いで、前記(7)で得られた粘度7Pa・s
の感光性の接着剤溶液(上層用)46を調製後24時間以
内に塗布し、水平状態で20分間放置してから、60℃で30
分の乾燥(プリベーク)を行い、厚さ35μmの接着剤層
50αを形成した(図2(G)参照)。
(8) The interlayer resin insulating material (for lower layer) having a viscosity of 1.5 Pa · s obtained in (7) is applied to both surfaces of the substrate of (6).
4 was coated with a roll coater within 24 hours after preparation, left in a horizontal state for 20 minutes, dried at 60 ° C. for 30 minutes (prebaked), and then the viscosity of 7 Pa · obtained in the above (7) was obtained. s
Of the photosensitive adhesive solution (for upper layer) 46 is applied within 24 hours after preparation, and left in a horizontal state for 20 minutes.
The adhesive layer 50α having a thickness of 35 μm was formed (see FIG. 2G).

【0063】(9) 前記(8) で接着剤層を形成した基板3
0の両面に、図2(H)に示すように85μmφの黒円5
1aが印刷されたフォトマスクフィルム51を密着さ
せ、超高圧水銀灯により 500mJ/cm2 で露光した。これ
をDMTG溶液でスプレー現像し、さらに、当該基板3
0を超高圧水銀灯により3000mJ/cm2 で露光し、100 ℃
で1時間、120 ℃で1時間、その後 150℃で3時間の加
熱処理(ポストベーク)をすることにより、フォトマス
クフィルムに相当する寸法精度に優れた85μmφの開口
(バイアホール形成用開口)48を有する厚さ35μmの
層間樹脂絶縁層(2層構造)50を形成した(図3
(I)参照)。なお、バイアホールとなる開口48に
は、スズめっき層(図示せず)を部分的に露出させた。
(9) The substrate 3 on which the adhesive layer was formed in the above (8)
0, a black circle 5 of 85 μmφ as shown in FIG.
The photomask film 51 on which 1a was printed was brought into close contact with the photomask film 51, and was exposed at 500 mJ / cm 2 using an ultrahigh pressure mercury lamp. This is spray-developed with a DMTG solution.
Exposure to 3,000 mJ / cm 2 by ultra-high pressure mercury lamp at 100 ° C
Heat treatment (post-baking) at 120 ° C. for 1 hour and then at 150 ° C. for 3 hours to obtain an 85 μm φ opening (opening for forming a via hole) 48 having excellent dimensional accuracy equivalent to a photomask film. A 35 μm-thick interlayer resin insulating layer (two-layer structure) 50 having a thickness of 50 μm was formed (FIG. 3).
(I)). Note that a tin plating layer (not shown) was partially exposed in the opening 48 serving as a via hole.

【0064】(10)開口48が形成された基板30を、ク
ロム酸に19分間浸漬し、層間樹脂絶縁層50の表面に存
在するエポキシ樹脂粒子を溶解除去することにより、当
該層間樹脂絶縁層50の表面を粗化し(図3(J)参
照)、その後、中和溶液(シプレイ社製)に浸漬してか
ら水洗いした。さらに、粗面化処理(粗化深さ6μm)
した該基板の表面に、パラジウム触媒(アトテック製)
を付与することにより、層間樹脂絶縁層50の表面およ
びバイアホール用開口48の内壁面に触媒核を付けた。
(10) The substrate 30 in which the openings 48 are formed is immersed in chromic acid for 19 minutes to dissolve and remove the epoxy resin particles present on the surface of the interlayer resin insulation layer 50, thereby obtaining the interlayer resin insulation layer 50. Was roughened (see FIG. 3 (J)), and then immersed in a neutralizing solution (manufactured by Shipley) and then washed with water. Furthermore, surface roughening treatment (roughening depth 6 μm)
Palladium catalyst (Atotech) on the surface of the substrate
, A catalyst nucleus was attached to the surface of the interlayer resin insulation layer 50 and the inner wall surface of the via hole opening 48.

【0065】(11)以下に示す組成の無電解銅めっき水溶
液中に基板を浸漬して、粗面全体に厚さ0.6 μmの無電
解銅めっき膜52を形成した(図3(K))。 〔無電解めっき水溶液〕 EDTA 150 g/l 硫酸銅 20 g/l HCHO 30 ml/l NaOH 40 g/l α、α’−ビピリジル 80 mg/l PEG 0.1 g/l 〔無電解めっき条件〕70℃の液温度で30分
(11) The substrate was immersed in an electroless copper plating aqueous solution having the following composition to form an electroless copper plating film 52 having a thickness of 0.6 μm on the entire rough surface (FIG. 3 (K)). [Electroless plating aqueous solution] EDTA 150 g / l Copper sulfate 20 g / l HCHO 30 ml / l NaOH 40 g / l α, α'-bipyridyl 80 mg / l PEG 0.1 g / l [Electroless plating conditions] 70 ° C. 30 minutes at liquid temperature

【0066】(12)前記(11)で形成した無電解銅めっき膜
52上に市販の感光性ドライフィルムを張り付け、マス
クを載置して、100 mJ/cm2 で露光、0.8 %炭酸ナトリ
ウムで現像処理し、厚さ15μmのめっきレジスト54を
設けた(図3(L)参照)。
(12) A commercially available photosensitive dry film is stuck on the electroless copper plating film 52 formed in the above (11), a mask is placed on the film, exposed at 100 mJ / cm 2 , and exposed to 0.8% sodium carbonate. After development, a plating resist 54 having a thickness of 15 μm was provided (see FIG. 3 (L)).

【0067】(13)ついで、レジスト非形成部分に以下の
条件で電解銅めっきを施し、厚さ15μmの電解銅めっき
膜56を形成した(図4(M)参照)。 〔電解めっき水溶液〕 硫酸 180 g/l 硫酸銅 80 g/l 添加剤(アトテックジャパン製、カパラシドGL) 1 ml/l 〔電解めっき条件〕 電流密度 1A/dm2 時間 30分 温度 室温
(13) Next, electrolytic copper plating was applied to the non-resist-formed portion under the following conditions to form an electrolytic copper plating film 56 having a thickness of 15 μm (see FIG. 4 (M)). [Aqueous electrolytic plating solution] Sulfuric acid 180 g / l Copper sulfate 80 g / l Additive (Captoside GL, manufactured by Atotech Japan) 1 ml / l [Electroplating conditions] Current density 1 A / dm 2 hours 30 minutes Temperature Room temperature

【0068】(14)めっきレジスト54を5%KOHで剥
離除去した後、そのめっきレジスト下の無電解めっき膜
52を硫酸と過酸化水素の混合液でエッチング処理して
溶解除去し、無電解銅めっき膜52と電解銅めっき膜5
6からなる厚さ18μmの導体回路58及びバイアホール
60を形成した(図4(N))。
(14) After peeling off the plating resist 54 with 5% KOH, the electroless plating film 52 under the plating resist is dissolved and removed by etching with a mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide, and the electroless copper is removed. Plating film 52 and electrolytic copper plating film 5
An 18 μm-thick conductor circuit 58 and via hole 60 made of 6 were formed (FIG. 4 (N)).

【0069】(15)(6) と同様の処理を行い、導体回路5
8及びバイアホール60の表面にCu-Ni-P からなる粗化
面62を形成し、さらにその表面にSn置換を行った(図
4(O)参照)。 (16)前記(7) 〜(15)の工程を繰り返すことにより、さら
に上層の層間樹脂絶縁層150を設けてから導体回路1
58及びバイアホール160を形成し、多層配線基板を
得た(図4(P)参照)。但し、該導体回路158及び
バイアホール160の表面に形成した粗化面62では、
Sn置換を行わなかった。
(15) The same processing as in (6) is performed, and the conductor circuit 5
A roughened surface 62 made of Cu-Ni-P was formed on the surfaces of the via holes 60 and the via holes 60, and the surfaces thereof were further substituted with Sn (see FIG. 4 (O)). (16) By repeating the above steps (7) to (15), an upper interlayer resin insulation layer 150 is further provided, and the conductor circuit 1
58 and via holes 160 were formed to obtain a multilayer wiring board (see FIG. 4 (P)). However, in the roughened surface 62 formed on the surface of the conductor circuit 158 and the via hole 160,
No Sn substitution was performed.

【0070】(17)前記(16)で得られた基板30両面に、
上記D.にて説明したソルダーレジスト組成物70αを
45μmの厚さで塗布した(図5(Q)参照)。次い
で、70℃で20分間、70℃で30分間の乾燥処理を行った
後、円パターン(マスクパターン)が描画された厚さ5
mmのフォトマスクフィルム(図示せず)を密着させて載
置し、1000mJ/cm2 の紫外線で露光し、DMTG現像処理し
た。そしてさらに、80℃で1時間、 100℃で1時間、 1
20℃で1時間、 150℃で3時間の条件で加熱処理し、は
んだパッド部分(バイアホールとそのランド部分を含
む)に開口(開口径 200μm)71を有するソルダーレ
ジスト層(厚み20μm)70を形成した(図5(R)参
照)。
(17) On both surfaces of the substrate 30 obtained in the above (16),
The above D. Was applied in a thickness of 45 μm (see FIG. 5 (Q)). Next, after performing a drying process at 70 ° C. for 20 minutes and at 70 ° C. for 30 minutes, a thickness 5 on which a circular pattern (mask pattern) is drawn is formed.
A photomask film (not shown) of 1 mm was placed in close contact with the substrate, exposed to ultraviolet light of 1000 mJ / cm 2 , and subjected to DMTG development processing. And 1 hour at 80 ° C, 1 hour at 100 ° C,
Heat treatment is performed at 20 ° C. for 1 hour and at 150 ° C. for 3 hours to form a solder resist layer (thickness: 20 μm) 70 having an opening (opening diameter: 200 μm) 71 in a solder pad portion (including a via hole and its land portion). It was formed (see FIG. 5 (R)).

【0071】(18)次に、塩化ニッケル2.31×10-1mol
/l、次亜リン酸ナトリウム2.8 ×10-1mol/l、ク
エン酸ナトリウム1.85×10-1mol/l、からなるpH
=4.5の無電解ニッケルめっき液に該基板30を20
分間浸漬して、開口部71に厚さ5μmのニッケルめっ
き層72を形成した。さらに、その基板を、シアン化金
カリウム4.1 ×10-2mol/l、塩化アンモニウム1.87
×10-1mol/l、クエン酸ナトリウム1.16×10-1mo
l/l、次亜リン酸ナトリウム1.7 ×10-1mol/lか
らなる無電解金めっき液に80℃の条件で7分20秒間浸
漬して、ニッケルめっき層上に厚さ0.03μmの金めっき
層74を形成することで、バイアホール160及び導体
回路158に半田パッド75を形成した(図6(S)参
照)。
(18) Next, nickel chloride 2.31 × 10 -1 mol
/ L, sodium hypophosphite 2.8 × 10 -1 mol / l, sodium citrate 1.85 × 10 -1 mol / l, pH
= 4.5 of the substrate 30 in an electroless nickel plating solution.
By immersing for 5 minutes, a nickel plating layer 72 having a thickness of 5 μm was formed in the opening 71. Further, the substrate was treated with 4.1 × 10 -2 mol / l of potassium gold cyanide and 1.87 mol of ammonium chloride.
× 10 -1 mol / l, sodium citrate 1.16 × 10 -1 mo
1 / l, sodium hypophosphite 1.7 × 10 -1 mol / l, immersed in electroless gold plating solution at 80 ° C. for 7 minutes and 20 seconds, and gold plating 0.03 μm thick on nickel plating layer By forming the layer 74, the solder pads 75 were formed in the via holes 160 and the conductor circuits 158 (see FIG. 6 (S)).

【0072】(19)そして、ソルダーレジスト層70の開
口部71に、半田ペーストを印刷して200℃でリフロー
することにより、半田バンプ(半田体)76U、76D
を形成し、プリント配線板10を形成した(図6(T)
参照)。
(19) Then, solder paste is printed on the opening 71 of the solder resist layer 70 and reflowed at 200 ° C., so that the solder bumps (solder bodies) 76U and 76D
To form a printed wiring board 10 (FIG. 6 (T)).
reference).

【0073】このようなプリント配線板は、−52〜1
25°Cのヒートサイクル試験や、121°C、2atm
、相対湿度100%のプレッシャクッカテスト(press
urecooker test)においても、半田パッドとソルダーレ
ジスト層の剥離がなく、なた、絶縁層のクラックが発生
しない。これに対して、図12(C)に示すプリント配
線板では、半田パッドとソルダーレジストの境界部分の
絶縁層にクラックが発生し、また、半田パッドとソルダ
ーレジストとの間に、剥離が生じた。
Such a printed wiring board has a size of -52 to 1
Heat cycle test at 25 ° C, 121 ° C, 2atm
, 100% relative humidity pressure cooker test (press
Also in the urecooker test), there is no peeling of the solder pad and the solder resist layer, and no cracking of the insulating layer occurs. On the other hand, in the printed wiring board shown in FIG. 12C, cracks occurred in the insulating layer at the boundary between the solder pads and the solder resist, and peeling occurred between the solder pads and the solder resist. .

【0074】引き続き、該プリント配線板10へのIC
チップの載置及び、ドータボード94への取り付けにつ
いて、図8を参照して説明する。完成したプリント配線
板10の半田バンプ76UにICチップ90の半田パッ
ド92が対応するように、ICチップ90を載置し、リ
フローを行うことで、ICチップ90の取り付けを行
う。その後、ICチップ90とプリント配線板10との
間に、アンダーフィル88となる封止樹脂を充填する。
同様に、リフローによりプリント配線板10の半田バン
プ76Dにドータボード94を取り付け、アンダーフィ
ル88となる封止樹脂を充填する。
Subsequently, the IC to the printed wiring board 10
The placement of the chip and the attachment to the daughter board 94 will be described with reference to FIG. The IC chip 90 is mounted such that the solder pads 92 of the IC chip 90 correspond to the solder bumps 76U of the completed printed wiring board 10, and the IC chip 90 is mounted by performing reflow. After that, a sealing resin serving as an underfill 88 is filled between the IC chip 90 and the printed wiring board 10.
Similarly, the daughter board 94 is attached to the solder bumps 76D of the printed wiring board 10 by reflow, and a sealing resin to be the underfill 88 is filled.

【0075】図10は、本発明の第2実施例に係るプリ
ント配線板を示している。この第2実施例に係るプリン
ト配線板では、ソルダーレジスト層70の上に、補強層
98が形成されている。係る構成では、ソルダーレジス
ト層70の剥離が完全に防止され、半田パッド75が更
に強固に層間樹脂絶縁層150側に押さえられること
で、接続信頼性が高められている。
FIG. 10 shows a printed wiring board according to a second embodiment of the present invention. In the printed wiring board according to the second embodiment, a reinforcing layer 98 is formed on the solder resist layer 70. With such a configuration, the peeling of the solder resist layer 70 is completely prevented, and the solder pads 75 are more firmly pressed against the interlayer resin insulating layer 150, thereby improving the connection reliability.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】図1(A)、図1(B)、図1(C)、図1
(D)は、本発明の第1実施例に係るプリント配線板の
製造工程図である。
1 (A), 1 (B), 1 (C), 1
(D) is a manufacturing process diagram of the printed wiring board according to the first example of the present invention.

【図2】図2(E)、図2(F)、図2(G)、図2
(H)は、本発明の第1実施例に係るプリント配線板の
製造工程図である。
FIG. 2 (E), FIG. 2 (F), FIG. 2 (G), FIG.
(H) is a manufacturing process diagram of a printed wiring board according to the first example of the present invention.

【図3】図3(I)、図3(J)、図3(K)、図3
(L)は、本発明の第1実施例に係るプリント配線板の
製造工程図である。
FIG. 3 (I), FIG. 3 (J), FIG. 3 (K), FIG.
(L) is a manufacturing process diagram of the printed wiring board according to the first example of the present invention.

【図4】図4(M)、図4(N)、図4(O)、図4
(P)は、本発明の第1実施例に係るプリント配線板の
製造工程図である。
FIGS. 4 (M), 4 (N), 4 (O), 4
(P) is a manufacturing process diagram of the printed wiring board according to the first example of the present invention.

【図5】図5(Q)、図5(R)は、本発明の第1実施
例に係るプリント配線板の製造工程図である。
FIGS. 5 (Q) and 5 (R) are manufacturing process diagrams of the printed wiring board according to the first embodiment of the present invention.

【図6】図6(S)、図6(T)は、本発明の第1実施
例に係るプリント配線板の製造工程図である。
FIGS. 6 (S) and 6 (T) are manufacturing process diagrams of the printed wiring board according to the first embodiment of the present invention.

【図7】本発明の第1実施例に係るプリント配線板の断
面図である。
FIG. 7 is a sectional view of the printed wiring board according to the first embodiment of the present invention.

【図8】本発明の第1実施例に係るプリント配線板にI
Cチップを載置させた状態を示す断面図である。
FIG. 8 shows a printed wiring board according to a first embodiment of the present invention;
It is sectional drawing which shows the state in which the C chip was mounted.

【図9】図9(A)は、図7中のG部の拡大図であり、
図9(B)は、図9(A)のH矢視図である。
FIG. 9A is an enlarged view of a portion G in FIG. 7,
FIG. 9B is a view taken in the direction of the arrow H in FIG. 9A.

【図10】本発明の第2実施例に係るプリント配線板の
断面図である。
FIG. 10 is a sectional view of a printed wiring board according to a second embodiment of the present invention.

【図11】従来技術に係るプリント配線板の断面図であ
る。
FIG. 11 is a sectional view of a printed wiring board according to the related art.

【図12】図12(A)は、図11中のF部の拡大図で
あり、図12(B)は、図12(A)のB矢視図であ
り、図12(C)は、従来技術のプリント配線板の断面
図である。
12 (A) is an enlarged view of a portion F in FIG. 11, FIG. 12 (B) is a view on arrow B in FIG. 12 (A), and FIG. It is sectional drawing of the printed wiring board of a prior art.

【図13】図13(A)及び図13(B)は、本発明に
係るプリント配線板のソルダーレジスト開口部の断面図
である。
13 (A) and 13 (B) are cross-sectional views of a solder resist opening of a printed wiring board according to the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

30 コア基板 50 層間樹脂絶縁層 58 導体回路 60 バイアホール 70 ソルダーレジスト 71 開口 72 ニッケルめっき層 74 金めっき層 75 半田パッド 150 層間樹脂絶縁層 158 導体回路 160 バイアホール Reference Signs List 30 core substrate 50 interlayer resin insulating layer 58 conductive circuit 60 via hole 70 solder resist 71 opening 72 nickel plating layer 74 gold plating layer 75 solder pad 150 interlayer resin insulating layer 158 conductive circuit 160 via hole

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 5E314 AA24 BB11 BB12 CC01 FF01 GG09 5E319 AA03 AB05 AC13 BB04 CC12 CC33 GG11  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 5E314 AA24 BB11 BB12 CC01 FF01 GG09 5E319 AA03 AB05 AC13 BB04 CC12 CC33 GG11

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板上に半導体部品を搭載するための半
田パッドと、該半田パッドが露出する開口が設けられた
ソルダーレジスト層とが形成されてなるプリント配線板
において、 前記ソルダーレジスト層の開口を、前記半田パッド上に
設けると共に前記開口の周縁を構成するソルダーレジス
ト層を前記半田パッドの周辺部に厚みをもって重なるよ
うに形成したことを特徴とするプリント配線板。
1. A printed wiring board comprising: a solder pad for mounting a semiconductor component on a substrate; and a solder resist layer provided with an opening through which the solder pad is exposed. And a solder resist layer forming the periphery of the opening is formed on the solder pad so as to overlap the peripheral portion of the solder pad with a thickness.
【請求項2】 前記ソルダーレジスト層の開口を半用パ
ッドの周辺部に3μm以上重なるように形成したことを
特徴とする請求項1に記載のプリント配線板。
2. The printed wiring board according to claim 1, wherein an opening of the solder resist layer is formed so as to overlap a peripheral portion of the half pad by 3 μm or more.
【請求項3】 前記ソルダーレジスト層の半田パッドの
周辺部における重なった部分の厚さを10μm以上にし
たことを特徴とする請求項1に記載のプリント配線板。
3. The printed wiring board according to claim 1, wherein a thickness of an overlapping portion of the solder resist layer in a peripheral portion of the solder pad is set to 10 μm or more.
【請求項4】 前記ソルダーレジスト層の厚みを10〜
50μmにしたことを特徴とする請求項1に記載のプリ
ント配線板。
4. The solder resist layer has a thickness of 10 to 10.
The printed wiring board according to claim 1, wherein the thickness is set to 50 µm.
【請求項5】 前記ソルダーレジスト層の開口は直経2
50μm以下の円形伏であることを特徴とする請求項1
に記載のプリント配線板。
5. An opening in the solder resist layer has a straight line 2
2. A circular shape having a diameter of 50 μm or less.
A printed wiring board according to claim 1.
【請求項6】 前記ソルダーレジスト層は、ノボラック
型エポキシ樹脂もしくはノボラック型エポキシアクリレ
ートからなり、イミダゾール硬化剤を硬化剤として含む
ことを特徴とする請求項1に記載のプリント配線板。
6. The printed wiring board according to claim 1, wherein the solder resist layer is made of a novolak epoxy resin or a novolak epoxy acrylate, and contains an imidazole curing agent as a curing agent.
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JP2007318179A (en) * 2000-12-06 2007-12-06 Ibiden Co Ltd IC chip mounting substrate
JP2012212912A (en) * 2012-06-20 2012-11-01 Princo Corp Structure of surface treatment layer of multilayer substrate and manufacturing method of the same

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007318179A (en) * 2000-12-06 2007-12-06 Ibiden Co Ltd IC chip mounting substrate
JP2012212912A (en) * 2012-06-20 2012-11-01 Princo Corp Structure of surface treatment layer of multilayer substrate and manufacturing method of the same

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