[go: up one dir, main page]

JP2008102081A - Semiconductor inspection system, inspection device, semiconductor integrated circuit - Google Patents

Semiconductor inspection system, inspection device, semiconductor integrated circuit Download PDF

Info

Publication number
JP2008102081A
JP2008102081A JP2006286254A JP2006286254A JP2008102081A JP 2008102081 A JP2008102081 A JP 2008102081A JP 2006286254 A JP2006286254 A JP 2006286254A JP 2006286254 A JP2006286254 A JP 2006286254A JP 2008102081 A JP2008102081 A JP 2008102081A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
signal
circuit
power supply
inspection
semiconductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2006286254A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Naohiro Fujii
直宏 藤井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP2006286254A priority Critical patent/JP2008102081A/en
Publication of JP2008102081A publication Critical patent/JP2008102081A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

【課題】検査に必要となるプローブ数を削減する。
【解決手段】検査装置200に信号重畳回路206を配置し信号発生器203からクロック信号を電源に重畳し、信号重畳後電源231として出力する。システムLSI100は信号抽出回路102において、クロック信号の抽出を行い、抽出信号125を出力し、検査制御回路104を動作させることで被測定回路101の検査を行う。その検査結果を測定装置200の判定装置205に伝達することで、本検査システムでの検査を行うことができる。その結果、従来必要としていたクロック端子113に対してプロープを接続することが不要となるため、プローブ数を削減することが可能となる。
【選択図】図1
The number of probes required for inspection is reduced.
A signal superimposing circuit is disposed in an inspection apparatus and a clock signal is superimposed on a power source from a signal generator and output as a power source after being superimposed. The system LSI 100 extracts the clock signal in the signal extraction circuit 102, outputs the extraction signal 125, and operates the inspection control circuit 104 to inspect the circuit under measurement 101. By transmitting the inspection result to the determination device 205 of the measuring apparatus 200, it is possible to perform inspection with the present inspection system. As a result, it is not necessary to connect a probe to the clock terminal 113 that has been conventionally required, and the number of probes can be reduced.
[Selection] Figure 1

Description

本発明は、検査装置を用いて半導体集積回路を検査するシステムに関する。   The present invention relates to a system for inspecting a semiconductor integrated circuit using an inspection apparatus.

近年、半導体プロセスの微細化と半導体装置の集積化が進み、システムLSIの開発が主流となってきている。システムLSIでは、多種多様の機能を持つ集積回路を1つのチップ内又は1つのパッケージ内におさめている。   In recent years, the miniaturization of semiconductor processes and the integration of semiconductor devices have progressed, and the development of system LSIs has become mainstream. In the system LSI, integrated circuits having various functions are contained in one chip or one package.

その多種多様の機能を検査工程で精度よく保証を行うために重要な点として、システムLSIの可観測性と可制御性の向上が挙げられる。上記の可観測性と可制御性を効率よく行うためには、可制御性の観点では、システムLSIに対して制御させるための制御端子やシステムLSIに対してデータを与えるための入力信号端子が必要となり、また、可観測性の観点では、システムLSIの状態をモニターするための出力信号端子が必要となる。   An important point for accurately guaranteeing the various functions in the inspection process is improvement of observability and controllability of the system LSI. In order to efficiently perform the observability and controllability described above, from the viewpoint of controllability, a control terminal for controlling the system LSI and an input signal terminal for supplying data to the system LSI are provided. From the viewpoint of observability, an output signal terminal for monitoring the state of the system LSI is necessary.

また、半導体集積回路の製造工程では、微細化、集積化が進むにつれウエハー1枚から採れるチップの数が増え続けており、近年の300mmウエハーの到来によりその傾向はより顕著になってきている。そのため、大量生産を行う半導体集積回路の製造工程では、その検査やバーンインをいかに効率良く低コストで実現できるかが課題となる。   In the manufacturing process of a semiconductor integrated circuit, as the miniaturization and integration progress, the number of chips that can be taken from one wafer continues to increase, and the trend has become more prominent with the arrival of 300 mm wafers in recent years. Therefore, in the manufacturing process of a semiconductor integrated circuit that is mass-produced, it becomes a problem how efficiently the inspection and burn-in can be realized at a low cost.

その課題解決の最も有力な手段の1つとして、多数個の同時検査が挙げられる。特に近年では、バーンインをウエハーレベルで行うウエハーレベルバーンインを適用するケースが増えている。ウエハーレベルバーンインを適用すれば、ウエハー単位で一括してストレスをかけることができることより、効率性やコストの面で効果が大きくなる。   One of the most effective means for solving the problem is a large number of simultaneous inspections. In particular, in recent years, an increasing number of cases apply wafer level burn-in in which burn-in is performed at the wafer level. If wafer level burn-in is applied, stress can be applied in batches on a wafer basis, so that the effect is increased in terms of efficiency and cost.

また、プローブ検査においても同様に、採れ数が増えると1枚のウエハーに要する検査時間が膨大になるため、8、16、32個等の複数の半導体集積回路を同時に検査することで高効率化と検査コスト削減を図っている。
特開平05−291368号公報
Similarly, in the probe inspection, if the number of samples is increased, the inspection time required for one wafer becomes enormous. Therefore, high efficiency can be achieved by inspecting a plurality of semiconductor integrated circuits such as 8, 16, 32, etc. at the same time. And reducing inspection costs.
JP 05-291368 A

しかし、ここで課題となるのがプローブ数である。特にウエハーレベルバーンインではその装置の制約から1チップあたりに接続できるプローブ数に制限があるため、システムLSIが持つ全てのパッドに同時にプローブを当てることは不可能である。この課題は採れ数が増えるほどその影響が大きくなるのは言うまでもない。   However, the issue here is the number of probes. In particular, in wafer level burn-in, the number of probes that can be connected per chip is limited due to the limitations of the apparatus, and therefore it is impossible to apply probes to all pads of the system LSI at the same time. Needless to say, the impact of this issue increases as the number of harvests increases.

加えて、前述のようにシステムLSIでは、電源端子、GND端子、制御端子、入力信号端子、出力信号端子などが多数存在するため、ウエハーレベルバーンイン時にプローブを必要とするパッドは増える傾向にあり、プローブ数の問題は、より一層深刻な課題となってきている。   In addition, as described above, in the system LSI, since there are a large number of power supply terminals, GND terminals, control terminals, input signal terminals, output signal terminals, etc., the number of pads that require probes during wafer level burn-in tends to increase. The problem of the number of probes has become a more serious problem.

本発明による半導体検査システムは、検査装置を用いて半導体集積回路を検査するシステムである。検査装置は、半導体集積回路に供給する電源を生成する電源装置と、電源装置により生成された電源を半導体集積回路に供給するための第1のプローブと、半導体集積回路を検査するための信号を生成する第1の信号発生器と、電源装置により生成された電源に第1の信号発生器により生成された信号を重畳して第1のプローブに供給する第1の信号重畳回路とを備える。半導体集積回路は、第1のプローブから電源の供給を受ける第1の電源端子と、第1の電源端子に供給される電源に重畳された信号を抽出する第1の信号抽出回路と、第1の信号抽出回路により抽出された信号に基づいて被測定回路の検査を行う検査制御回路とを備える。   The semiconductor inspection system according to the present invention is a system for inspecting a semiconductor integrated circuit using an inspection apparatus. The inspection apparatus includes a power supply device that generates power to be supplied to the semiconductor integrated circuit, a first probe for supplying the power generated by the power supply device to the semiconductor integrated circuit, and a signal for inspecting the semiconductor integrated circuit. A first signal generator to be generated, and a first signal superimposing circuit that superimposes the signal generated by the first signal generator on the power generated by the power supply device and supplies the signal to the first probe. The semiconductor integrated circuit includes: a first power supply terminal that receives power supply from the first probe; a first signal extraction circuit that extracts a signal superimposed on the power supply supplied to the first power supply terminal; And an inspection control circuit for inspecting the circuit under measurement based on the signal extracted by the signal extraction circuit.

上記半導体検査システムでは、半導体集積回路の検査用信号(たとえばクロック信号や制御信号など)を電源に重畳して第1のプローブを通じて半導体集積回路の第1の電源端子に供給する。従来の検査装置では、半導体集積回路に検査用信号を供給するためのプローブと電源を供給するためのプローブとが別々に設けられていたが、上記半導体検査システムによれば、検査用信号を供給するためのプローブの数を削減することができる。   In the semiconductor inspection system, an inspection signal (for example, a clock signal or a control signal) of the semiconductor integrated circuit is superimposed on the power supply and supplied to the first power supply terminal of the semiconductor integrated circuit through the first probe. In the conventional inspection apparatus, the probe for supplying the inspection signal to the semiconductor integrated circuit and the probe for supplying the power are provided separately. However, according to the semiconductor inspection system, the inspection signal is supplied. The number of probes for doing so can be reduced.

以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。なお、図面において実質的に同一の部分には同じ参照符号を付してその説明は繰り返さない。
《第1の実施形態》
図1は、本発明の第1の実施形態による半導体検査システムの構成を示すブロック図である。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the drawings, substantially the same parts are denoted by the same reference numerals, and the description thereof will not be repeated.
<< First Embodiment >>
FIG. 1 is a block diagram showing the configuration of the semiconductor inspection system according to the first embodiment of the present invention.

図1において、検査装置200は、システムLSI100の検査を行うための装置であり、電源装置201,202と、信号発生器203,204と、判定装置205と、信号重畳回路206と、プローブP1〜P4とを備えている。   In FIG. 1, an inspection apparatus 200 is an apparatus for inspecting a system LSI 100, and includes power supply apparatuses 201 and 202, signal generators 203 and 204, a determination apparatus 205, a signal superimposing circuit 206, and probes P1 to P1. P4.

電源装置201は、電源電圧(VDD)を生成し電源ライン221に伝達する。電源装置202は、グランド電圧(GND)を生成しGNDライン222に伝達する。GNDライン222はプローブP2に接続されており、電源装置202により生成されたグランド電圧(GND)はプローブP2を通じてシステムLSI100のGND端子112に供給される。   The power supply device 201 generates a power supply voltage (VDD) and transmits it to the power supply line 221. The power supply device 202 generates a ground voltage (GND) and transmits it to the GND line 222. The GND line 222 is connected to the probe P2, and the ground voltage (GND) generated by the power supply device 202 is supplied to the GND terminal 112 of the system LSI 100 through the probe P2.

信号発生器203は、信号を生成し信号ライン223に伝達する装置であり、一般的にはパターンジェネレータと呼ばれ、任意のタイミングで任意の信号を生成することができる。本実施形態において信号発生器203は、システムLSI100に与えるクロック信号を生成している。   The signal generator 203 is a device that generates a signal and transmits the signal to the signal line 223, and is generally called a pattern generator, and can generate an arbitrary signal at an arbitrary timing. In the present embodiment, the signal generator 203 generates a clock signal to be given to the system LSI 100.

信号発生器204は、信号を生成し制御信号バス224に伝達する装置であり、信号発生器203と同一構成のものを並列に配置することで構成されている。本発明の第1の実施形態において信号発生器204は、システムLSI100を制御する様々な制御信号を生成している。制御信号バス224はプローブP4に接続されており、信号発生器204により生成された信号はプローブP4を通じてシステムLSI100の制御端子115に供給される。   The signal generator 204 is a device that generates a signal and transmits the signal to the control signal bus 224, and is configured by arranging the same configuration as the signal generator 203 in parallel. In the first embodiment of the present invention, the signal generator 204 generates various control signals for controlling the system LSI 100. The control signal bus 224 is connected to the probe P4, and the signal generated by the signal generator 204 is supplied to the control terminal 115 of the system LSI 100 through the probe P4.

判定装置205は、システムLSI100の検査制御回路104からの出力信号であるFLAG信号225と予め決められた任意の値とを比較し判定を行う装置である。システムLSI100の検査制御回路104からのFLAG信号はFLAG端子114に出力され、さらに検査装置200のプローブP3を通じて判定装置205に供給される。また、本実施形態の検査装置200においては、判定装置205と信号発生器203,204とが同期しており、信号発生器203,204の出力タイミングに応じて、任意の期待値とシステムLSI100からの出力との比較を行うことでシステムLSI100の検査を行う。   The determination device 205 is a device that makes a determination by comparing a FLAG signal 225 that is an output signal from the inspection control circuit 104 of the system LSI 100 with a predetermined arbitrary value. The FLAG signal from the inspection control circuit 104 of the system LSI 100 is output to the FLAG terminal 114 and further supplied to the determination device 205 through the probe P3 of the inspection device 200. Further, in the inspection apparatus 200 of the present embodiment, the determination apparatus 205 and the signal generators 203 and 204 are synchronized, and an arbitrary expected value and the system LSI 100 are determined according to the output timing of the signal generators 203 and 204. The system LSI 100 is inspected by comparing with the output of.

信号重畳回路206は、電源装置201から出力される電源電圧(VDD)を受ける電源ライン221に対して、信号発生器203から出力される出力信号223を重畳し、重畳した結果を信号重畳後電源231としてプローブP1に供給する回路である。たとえば信号重畳回路206は、図1に示すように、電源ライン221に対して信号発生器203の出力信号223をACカップリングすることで、信号発生器203の出力信号223のAC成分と電源装置201からの電源ライン221のDC成分とを備えた電源231ができる。なお、ACカップリングを行う前段に必要に応じて出力信号223を減衰/増幅できる回路があれば望ましい。   The signal superimposing circuit 206 superimposes the output signal 223 output from the signal generator 203 on the power supply line 221 that receives the power supply voltage (VDD) output from the power supply apparatus 201, and the superimposed result is a power supply after signal superimposition. A circuit 231 supplies the probe P1. For example, as shown in FIG. 1, the signal superimposing circuit 206 AC-couples the output signal 223 of the signal generator 203 to the power supply line 221, so that the AC component of the output signal 223 of the signal generator 203 and the power supply device are coupled. A power source 231 having a DC component of the power source line 221 from 201 is formed. It should be noted that a circuit capable of attenuating / amplifying the output signal 223 as necessary is preferably provided before the AC coupling.

システムLSI100は、被測定回路101と、信号抽出回路102と、ノイズ除去回路103と、検査制御回路104と、VDD端子111と、GND端子112と、クロック端子113と、FLAG端子114と、制御端子115とを備えている。   The system LSI 100 includes a circuit under test 101, a signal extraction circuit 102, a noise removal circuit 103, a test control circuit 104, a VDD terminal 111, a GND terminal 112, a clock terminal 113, a FLAG terminal 114, and a control terminal. 115.

被測定回路101は、システムLSI100の中で検査対象となる回路である。   The circuit under test 101 is a circuit to be inspected in the system LSI 100.

検査制御回路104は、システムLSI100の検査に関する制御を行う回路である。たとえば検査制御回路104は、検査時における被測定回路101に対する制御および制御信号の生成、被測定回路101に与える信号(データやクロックなど)の生成および入出力、被測定回路101に与える信号の制御、被測定回路101の検査結果の判定、検査結果に対しての判定信号を生成し外部に出力する機能などを備えており、一般的にいわれるBIST回路に相当する。   The inspection control circuit 104 is a circuit that performs control related to the inspection of the system LSI 100. For example, the inspection control circuit 104 generates control and control signals for the circuit under measurement 101 at the time of inspection, generates and inputs / outputs signals (data, clocks, etc.) given to the circuit under measurement 101, and controls signals given to the circuit under measurement 101. It has a function of determining a test result of the circuit under test 101, a function of generating a determination signal for the test result and outputting the same to the outside, and corresponds to a BIST circuit which is generally called.

信号抽出回路102は、VDD端子111に供給される電源からある特定の信号を抽出する機能を備えている。たとえば、信号抽出回路102がハイパスフィルターで構成されている場合であれば、ハイパスフィルターのカットオフ周波数で定められた高周波数成分を抽出し、その抽出した信号を抽出信号125として出力する。また、抽出した信号の振幅を必要に応じて増幅もしくは減衰させて抽出信号125として出力する機能を備えることができればさらに望ましい。   The signal extraction circuit 102 has a function of extracting a specific signal from the power supplied to the VDD terminal 111. For example, if the signal extraction circuit 102 is configured with a high-pass filter, a high-frequency component determined by the cutoff frequency of the high-pass filter is extracted, and the extracted signal is output as the extraction signal 125. It is further desirable to have a function of amplifying or attenuating the amplitude of the extracted signal as necessary and outputting it as the extracted signal 125.

ノイズ除去回路103は、VDD端子111に供給される電源に重畳されているノイズ成分を除去し、システムLSI100に電源を供給するための回路である。たとえばノイズ除去回路103は、ある特定の周波数成分を除去するためのローパスフィルターなどで構成されており、ノイズ除去回路103を通過することにより、電源に重畳されたノイズ成分を除去することが可能となり、ノイズを除去した電源をノイズ除去後電源131としてシステムLSI100に供給する。   The noise removal circuit 103 is a circuit for removing a noise component superimposed on the power supplied to the VDD terminal 111 and supplying power to the system LSI 100. For example, the noise removal circuit 103 is configured by a low-pass filter or the like for removing a specific frequency component. By passing through the noise removal circuit 103, the noise component superimposed on the power supply can be removed. Then, the power supply from which noise has been removed is supplied to the system LSI 100 as the power supply 131 after noise removal.

次に、上記のシステムLSI100と検査装置200を組み合わせたシステムについて説明を行う。   Next, a system combining the system LSI 100 and the inspection apparatus 200 will be described.

まず、検査装置200の信号発生器203において、システムLSI100で使用するクロック信号を生成し、出力信号223として信号重畳回路206に伝達する。次に信号重畳回路206において、電源ライン221に対して出力信号223を重畳し信号重畳後電源231を生成する。信号重畳後電源231はプローブP1によりシステムLSI100のVDD端子111に供給される。また、電源装置202により生成されたグランド電圧(GND)がプローブP2によりシステムLSI100のGND端子112に供給され、信号発生器204により生成された信号はプローブP4を通じてシステムLSI100の制御端子115に供給される。このように検査装置200からシステムLSI100に、信号重畳後電源231とグランド電圧(GND)と制御信号とを伝達する。   First, the signal generator 203 of the inspection apparatus 200 generates a clock signal used in the system LSI 100 and transmits it as an output signal 223 to the signal superimposing circuit 206. Next, the signal superimposing circuit 206 superimposes the output signal 223 on the power supply line 221 to generate a power source 231 after signal superimposition. The power 231 after signal superimposition is supplied to the VDD terminal 111 of the system LSI 100 by the probe P1. The ground voltage (GND) generated by the power supply device 202 is supplied to the GND terminal 112 of the system LSI 100 by the probe P2, and the signal generated by the signal generator 204 is supplied to the control terminal 115 of the system LSI 100 through the probe P4. The In this way, the power supply 231 after signal superposition, the ground voltage (GND), and the control signal are transmitted from the inspection apparatus 200 to the system LSI 100.

一方、システムLSI100は、VDD端子111に供給される信号重畳後電源231を信号抽出回路102とノイズ除去回路103に分配する。信号抽出回路102において、信号重畳後電源231に重畳されたクロック信号を抽出し、抽出信号125として検査制御回路104に伝達する。またノイズ除去回路103において、電源のノイズ成分となる重畳されたクロック信号を除去したノイズ除去後電源131をシステムLSI100の電源として供給する。検査制御回路104は、制御端子115に供給される制御信号の内容に応じてクロック信号121、制御信号122、入力データ信号123を生成して被測定回路101に伝達し、被測定回路101はそれらの信号に応じて動作を行う。   On the other hand, the system LSI 100 distributes the signal superimposed power source 231 supplied to the VDD terminal 111 to the signal extraction circuit 102 and the noise removal circuit 103. In the signal extraction circuit 102, the clock signal superimposed on the power source 231 after signal superimposition is extracted and transmitted to the inspection control circuit 104 as an extraction signal 125. Further, the noise removal circuit 103 supplies the noise-removed power supply 131 from which the superimposed clock signal, which is a noise component of the power supply, has been removed, as the power supply for the system LSI 100. The inspection control circuit 104 generates a clock signal 121, a control signal 122, and an input data signal 123 according to the contents of the control signal supplied to the control terminal 115, and transmits them to the circuit under test 101. The operation is performed according to the signal.

被測定回路101の動作結果として出力データ信号124が検査制御回路104に出力される。検査制御回路104は、出力データ信号124について判定を行い、判定結果としてFLAG信号を生成しFLAG端子114に出力する。FLAG端子114に供給されたFLAG信号はプローブP3により検査装置200の判定装置205に伝達される。   An output data signal 124 is output to the inspection control circuit 104 as an operation result of the circuit under test 101. The inspection control circuit 104 determines the output data signal 124, generates a FLAG signal as a determination result, and outputs the FLAG signal to the FLAG terminal 114. The FLAG signal supplied to the FLAG terminal 114 is transmitted to the determination device 205 of the inspection device 200 by the probe P3.

検査装置200の判定装置205において、FLAG信号225の内容と期待値との比較を行うことでシステムLSI100の検査を行うことが可能となる。   The determination device 205 of the inspection device 200 can inspect the system LSI 100 by comparing the content of the FLAG signal 225 with the expected value.

このように本システムによれば、システムLSI100のクロック端子113に対して直接プローブなどを用いてクロックを供給する必要が無くなるためプローブ数を削減することが可能となる。   Thus, according to the present system, it is not necessary to supply a clock directly to the clock terminal 113 of the system LSI 100 using a probe or the like, so that the number of probes can be reduced.

なお、ここでは信号発生器203の出力信号223を電源ライン221に重畳する例を示したが、信号発生器203の出力信号223をGNDライン222に重畳するようにしてもよい。この場合、信号重畳回路206は、電源装置202から出力されるグランド電圧(GND)を受けるGNDライン222に対して、信号発生器203から出力される出力信号223を重畳し、重畳した結果をプローブP2に供給する回路として構成される。また、システムLSI100側においては、信号抽出回路102は、GND端子112に供給されるグランド電圧からある特定の信号を抽出する回路として構成され、ノイズ除去回路103は、GND端子112に供給されるグランド電圧に重畳されているノイズ成分を除去し、システムLSI100にグランド電圧を供給するための回路として構成される。   Although an example in which the output signal 223 of the signal generator 203 is superimposed on the power supply line 221 is shown here, the output signal 223 of the signal generator 203 may be superimposed on the GND line 222. In this case, the signal superimposing circuit 206 superimposes the output signal 223 output from the signal generator 203 on the GND line 222 that receives the ground voltage (GND) output from the power supply device 202, and probes the superimposed result. The circuit is configured to be supplied to P2. On the system LSI 100 side, the signal extraction circuit 102 is configured as a circuit that extracts a specific signal from the ground voltage supplied to the GND terminal 112, and the noise removal circuit 103 is configured as a ground supplied to the GND terminal 112. The circuit is configured as a circuit for removing a noise component superimposed on the voltage and supplying a ground voltage to the system LSI 100.

また、信号抽出回路102についてハイパスフィルターの構成で説明を行ったが、バンドパスフィルターの構成を採り抽出信号125を生成するようにしてもよい。この場合、必要な信号の周波数成分を特定できるため、抽出された信号の信頼性は高くなる。   Further, although the signal extraction circuit 102 has been described with the configuration of a high-pass filter, the extraction signal 125 may be generated using a configuration of a band-pass filter. In this case, since the frequency component of the necessary signal can be specified, the reliability of the extracted signal is increased.

また、SCAN回路を用いたBIST回路を前提で説明を行ったが、他の検査についても制御信号に応じて行うことが可能である。たとえば検査制御回路104内に温度測定回路を内蔵し、温度に対しての判定を行うことも可能であり、また検査制御回路104内に電流測定回路を内蔵することで電流測定を行うことも可能であり、同様に電圧測定回路を内蔵することで電圧測定を行うことも可能となり、同様に周波数測定回路を内蔵することで周波数測定を行うことも可能となるなどの様々な検査を行うことが可能となる。
《第2の実施形態》
図2は、本発明の第2の実施形態による半導体検査システムの構成を示すブロック図である。図2と図1で異なる点は、システムLSI100の構成が異なる点であり、以下、第1の実施形態と異なる点を中心に第2の実施形態の説明を行う。
Although the description has been made on the premise of the BIST circuit using the SCAN circuit, other inspections can be performed according to the control signal. For example, a temperature measurement circuit can be built in the inspection control circuit 104 to make a determination on temperature, and a current measurement circuit can be built in the inspection control circuit 104 to measure current. Similarly, it is possible to perform voltage measurement by incorporating a voltage measurement circuit, and it is also possible to perform various inspections, such as enabling frequency measurement by incorporating a frequency measurement circuit. It becomes possible.
<< Second Embodiment >>
FIG. 2 is a block diagram showing a configuration of a semiconductor inspection system according to the second embodiment of the present invention. The difference between FIG. 2 and FIG. 1 is that the configuration of the system LSI 100 is different. Hereinafter, the second embodiment will be described focusing on the differences from the first embodiment.

図2のシステムでは、検査制御回路104を、複数の独立したBIST回路BIST_A,BIST_B,BIST_Cとして構成している。各BIST回路BIST_A〜Cはそれぞれ被測定回路101の対応する回路ブロックA,B,Cの検査に関する制御を行う回路である。各BIST回路BIST_A〜Cは、BIST制御回路からの制御信号の内容に応じてクロック信号121A〜C、制御信号122A〜C、入力データ信号123A〜Cを生成して回路ブロックA〜Cに伝達し、回路ブロックA〜Cはそれらの信号に応じて動作を行う。回路ブロックA〜Cの動作結果として出力データ信号124A〜CがそれぞれBIST回路BIST_A〜Cに出力される。各BIST回路BIST_A〜Cは、出力データ信号124A〜Cについて判定を行い、判定結果をBIST制御回路に出力する。BIST制御回路は、各BIST回路BIST_A〜Cからの判定結果に基づいてFLAG信号を生成しFLAG端子114に出力する。このように構成された検査制御回路104において、制御信号バス224の内容に応じて任意のBIST回路のみを動作させるようにすれば、検査時における電源電流の削減を行うことができる。言い換えると電源ノイズを削減することができるため、システムLSI100に重畳される信号の信頼性が向上する。   In the system of FIG. 2, the inspection control circuit 104 is configured as a plurality of independent BIST circuits BIST_A, BIST_B, and BIST_C. Each of the BIST circuits BIST_A to C is a circuit that performs control related to the inspection of the circuit blocks A, B, and C corresponding to the circuit under test 101. Each BIST circuit BIST_A-C generates clock signals 121A-C, control signals 122A-C, and input data signals 123A-C according to the contents of the control signals from the BIST control circuit, and transmits them to the circuit blocks A-C. The circuit blocks A to C operate according to these signals. Output data signals 124A to 124C are output to the BIST circuits BIST_A to C as the operation results of the circuit blocks A to C, respectively. Each BIST circuit BIST_A to C performs determination on the output data signals 124A to 124C, and outputs the determination result to the BIST control circuit. The BIST control circuit generates a FLAG signal based on the determination result from each BIST circuit BIST_A to C, and outputs it to the FLAG terminal 114. In the inspection control circuit 104 configured as described above, if only an arbitrary BIST circuit is operated in accordance with the contents of the control signal bus 224, the power supply current at the time of inspection can be reduced. In other words, since power supply noise can be reduced, the reliability of signals superimposed on the system LSI 100 is improved.

また、図2のシステムでは、周波数変換回路を設けることにより、被測定回路101を動作させるクロック信号121A〜Cを、信号抽出回路102で生成された抽出信号125と異なる周波数成分を持つ信号としている。例えば、抽出信号125を分周したクロックやPLLなどで逓倍されたクロックをクロック信号121A〜Cとして入力することにより、電源ノイズの周波数成分とクロック信号121A〜Cの周波数成分とが異なることとなる。そのことにより、重畳された信号(ここではクロック信号121A〜C)の信頼性が高くなる。   In the system of FIG. 2, by providing a frequency conversion circuit, the clock signals 121A to 121C for operating the circuit under test 101 are signals having a frequency component different from that of the extraction signal 125 generated by the signal extraction circuit 102. . For example, by inputting a clock obtained by dividing the extracted signal 125 or a clock multiplied by a PLL as the clock signals 121A to 121C, the frequency components of the power supply noise and the frequency components of the clock signals 121A to 121C are different. . As a result, the reliability of the superimposed signal (here, the clock signals 121A to 121C) is increased.

また、図2のシステムでは、信号抽出回路102を、複数の周波数帯域の信号を抽出できるよう、周波数帯域の異なるバンドパスフィルターを複数用いて構成している。同様に、信号重畳回路206で重畳する信号の周波数についても、信号抽出回路102に合わせ複数の信号発生器203からそれぞれ異なる周波数帯域の信号を重畳する回路を構成し、システムLSI100に伝達を行う。   In the system of FIG. 2, the signal extraction circuit 102 is configured using a plurality of bandpass filters having different frequency bands so that signals of a plurality of frequency bands can be extracted. Similarly, with respect to the frequency of the signal to be superimposed by the signal superimposing circuit 206, a circuit that superimposes signals of different frequency bands from a plurality of signal generators 203 is configured in accordance with the signal extraction circuit 102 and transmitted to the system LSI 100.

信号抽出回路102では複数の周波数帯域の異なる信号を抽出することができる。その信号を検査制御回路104に伝達することで、検査制御回路104は複数の周波数の信号を扱うことが可能となる。それにより、被測定回路101に応じて周波数を割り当てることで被測定回路101の実動作試験が可能となる。   The signal extraction circuit 102 can extract a plurality of signals having different frequency bands. By transmitting the signal to the inspection control circuit 104, the inspection control circuit 104 can handle signals having a plurality of frequencies. Thereby, an actual operation test of the circuit under test 101 can be performed by assigning a frequency according to the circuit under test 101.

また、複数の独立したBIST回路BIST_A〜Cを各々の周波数で動作させることもでき、その場合は周波数帯域が異なる信号で動くため、電源ノイズの周波数成分が拡散される。   In addition, a plurality of independent BIST circuits BIST_A to C can be operated at respective frequencies. In this case, the frequency components of power supply noise are diffused because they operate with signals having different frequency bands.

また、検査制御回路104に任意の複数の周波数の信号が入力されるため、検査制御回路104に周波数検知機能を持たせることで任意の周波数の信号が正しく入力されていることが解る。言い換えると、検査以外の状態において任意の複数の周波数信号が入力していることはないため、検査制御回路104は検査状態にあることを認識することができる。これにより、検査状態であることを認識するために必要としていた、制御端子115から入力している制御信号バス224の信号数を削減することが可能となる。
《第3の実施形態》
図3は、本発明の第3の実施形態における半導体検査システムの構成を示すブロック図である。図3と図1で異なる点は、システムLSI100の構成が異なる点であり、信号抽出回路102の後段にクロック生成回路108を配置している点である。また検査装置200から出力する信号重畳後電源231の信号の内容が第1の実施形態と異なる点である。以下、第1の実施形態と異なる点を中心に第3の実施形態の説明を行う。
Further, since signals having a plurality of arbitrary frequencies are input to the inspection control circuit 104, it can be understood that signals having an arbitrary frequency are correctly input by providing the inspection control circuit 104 with a frequency detection function. In other words, since a plurality of arbitrary frequency signals are not input in a state other than the inspection, the inspection control circuit 104 can recognize that it is in the inspection state. As a result, it is possible to reduce the number of signals of the control signal bus 224 input from the control terminal 115, which is necessary for recognizing the inspection state.
<< Third Embodiment >>
FIG. 3 is a block diagram showing a configuration of a semiconductor inspection system according to the third embodiment of the present invention. The difference between FIG. 3 and FIG. 1 is that the configuration of the system LSI 100 is different, and that the clock generation circuit 108 is arranged at the subsequent stage of the signal extraction circuit 102. Further, the signal content of the post-signal superimposing power supply 231 output from the inspection apparatus 200 is different from the first embodiment. Hereinafter, the third embodiment will be described with a focus on differences from the first embodiment.

まず、検査装置200においては、信号発生器203から任意の一定周期で出力される同期パターンを出力信号223として出力し、信号重畳回路206で同期パターンを重畳する。また、出力信号223の同期パターンのフォーマットについては、任意の決められたパターン構成とする。   First, in the inspection apparatus 200, a synchronization pattern output from the signal generator 203 at an arbitrary fixed cycle is output as the output signal 223, and the synchronization pattern is superimposed by the signal superimposing circuit 206. In addition, the format of the synchronization pattern of the output signal 223 has an arbitrarily determined pattern configuration.

次に、システムLSI100においては、クロック生成回路108は、任意の一定周期で出力される同期パターンを基にクロックを生成する回路であり、たとえば、PLL回路と同期パターン検出回路で構成される。   Next, in the system LSI 100, the clock generation circuit 108 is a circuit that generates a clock based on a synchronization pattern that is output at an arbitrary fixed period, and includes, for example, a PLL circuit and a synchronization pattern detection circuit.

図3のシステムでは、任意の一定周期で出力される同期パターンを重畳した信号重畳後電源231が検査装置200からシステムLSI100に伝達される。   In the system of FIG. 3, a signal superimposed power source 231 on which a synchronization pattern output at an arbitrary fixed period is superimposed is transmitted from the inspection apparatus 200 to the system LSI 100.

システムLSI100では、信号抽出回路102からの抽出信号125がクロック生成回路108に入力される。クロック生成回路108の同期パターン検出回路は、入力された同期パターンと任意の決められたパターン構成とを比較することにより、同期パターンが出力した同期タイミングを検出し、PLL回路に伝達する。PLL回路ではそこで得られた同期タイミングを基に任意の逓倍クロックを生成しメインクロック142として検査制御回路105に伝達する。検査制御回路104ではそのクロック142を用いて被測定回路101の検査を行い、その結果を検査装置200に伝達する。   In the system LSI 100, the extraction signal 125 from the signal extraction circuit 102 is input to the clock generation circuit 108. The synchronization pattern detection circuit of the clock generation circuit 108 detects the synchronization timing output by the synchronization pattern by comparing the input synchronization pattern with any predetermined pattern configuration, and transmits it to the PLL circuit. In the PLL circuit, an arbitrary multiplied clock is generated based on the synchronization timing obtained there, and is transmitted to the inspection control circuit 105 as the main clock 142. The inspection control circuit 104 uses the clock 142 to inspect the circuit under test 101 and transmits the result to the inspection apparatus 200.

第3の実施形態では、同期信号を用いることで同期パターン以外の時間については信号を動作させる必要性が無くなる。たとえば10MHzのクロックが必要な場合において、第1の実施形態では常にクロック信号を信号重畳回路206により重畳させる必要性が有ったが、第3の実施形態では、同期パターンを低速の周期とし、また同期パターンのDuty比を999:1などにすることで、信号重畳後電源231がふれている時間が1000分の2となるため、信号を重畳することに伴う電源ノイズを低減することが可能となる。
《第4の実施形態》
図4は、本発明の第4の実施形態における半導体検査システムの構成を示すブロック図である。図4と図3で異なる点は、検査装置200において遅延回路210が設けられ、システムLSI100においてOR回路160が設けられている点である。以下、第3の実施形態と異なる点を中心に第4の実施形態の説明を行う。
In the third embodiment, the use of the synchronization signal eliminates the need to operate the signal for times other than the synchronization pattern. For example, when a 10 MHz clock is required, the first embodiment always has to superimpose the clock signal by the signal superimposing circuit 206, but in the third embodiment, the synchronization pattern is a low-speed cycle, In addition, by setting the duty ratio of the synchronization pattern to 999: 1 or the like, the time that the power source 231 is touched after signal superimposition is two thousandths, so that it is possible to reduce the power noise caused by superimposing the signal. It becomes.
<< Fourth Embodiment >>
FIG. 4 is a block diagram showing a configuration of a semiconductor inspection system according to the fourth embodiment of the present invention. 4 differs from FIG. 3 in that a delay circuit 210 is provided in the inspection apparatus 200 and an OR circuit 160 is provided in the system LSI 100. FIG. Hereinafter, the fourth embodiment will be described focusing on differences from the third embodiment.

図4のシステムでは、システムLSI100のFLAG端子114より抽出信号125が出力される。検査制御回路104による検査状況がOKであった場合は出力し、検査状況がNGであった場合は出力しないよう、検査制御回路104の後段のOR回路160で制御し、判定装置205に入力する。また、信号発生器203の出力信号223を遅延回路210(LSI100との同期のため)を通じた後に判定装置205に入力する。これにより、信号発生器203で発生した信号223とLSI100のFLAG端子114から出力された信号225(この場合は信号発生器203の出力信号)とが同一であるため、比較を行うことが可能となる。この動作により、信号発生器203で発生した信号の信頼性と判定結果の信頼性は向上する。
《第5の実施形態》
図5は、本発明の第5の実施形態における半導体検査システムの構成を示すブロック図である。図5と図3で異なる点は、検査装置200の構成が異なり、信号抽出回路207を新たに設け、信号抽出回路207を信号重畳後電源231と接続し、判定装置205の前段に配置している点である。また、システムLSI100においては、検査制御回路104の後段に符号化回路150を配置し、符号化回路150の後段に信号重畳回路151を配置し、信号重畳後電源231に信号を重畳する点と、信号抽出回路102の後段に復号回路110を配置している点、検査制御回路104の後段にチップID回路109を配置している点である。復号回路110は、予め決められたフォーマットで入力された信号を復号する回路である。
In the system of FIG. 4, the extraction signal 125 is output from the FLAG terminal 114 of the system LSI 100. Control is performed by the OR circuit 160 subsequent to the inspection control circuit 104 so as to output when the inspection status by the inspection control circuit 104 is OK, and not output when the inspection status is NG, and input to the determination device 205. . The output signal 223 of the signal generator 203 is input to the determination device 205 after passing through the delay circuit 210 (for synchronization with the LSI 100). As a result, the signal 223 generated by the signal generator 203 is the same as the signal 225 output from the FLAG terminal 114 of the LSI 100 (in this case, the output signal of the signal generator 203), so that comparison can be performed. Become. This operation improves the reliability of the signal generated by the signal generator 203 and the reliability of the determination result.
<< Fifth Embodiment >>
FIG. 5 is a block diagram showing a configuration of a semiconductor inspection system according to the fifth embodiment of the present invention. The difference between FIG. 5 and FIG. 3 is that the configuration of the inspection apparatus 200 is different, a signal extraction circuit 207 is newly provided, the signal extraction circuit 207 is connected to the power supply 231 after signal superimposition, and is arranged in the previous stage of the determination apparatus 205. It is a point. Further, in the system LSI 100, the encoding circuit 150 is disposed at the subsequent stage of the inspection control circuit 104, the signal superimposing circuit 151 is disposed at the subsequent stage of the encoding circuit 150, and the signal is superimposed on the power source 231 after signal superimposition, The decoding circuit 110 is disposed at the subsequent stage of the signal extraction circuit 102, and the chip ID circuit 109 is disposed at the subsequent stage of the inspection control circuit 104. The decoding circuit 110 is a circuit that decodes a signal input in a predetermined format.

データフォーマットの一例を図6に示す。データフォーマットのタイミングはあらかじめ決められている。基準となる同期信号を検出し、同期信号と次の同期信号間のクロックをクロック生成回路108で生成する。ここでは10000CLOCKとなる。このクロック周期を1Tと定義する。このクロックを用いて入力データのサンプリングを行う。また、出力するデータもこのクロックに同期する形で出力を行う。同期信号に用いられているパルス幅については、それ以降の制御信号、チップIDデータ、入力データ、出力データで使用されないパルス幅で構成される。また、誤検出防止のため、最小パルス幅(ここでは3T)と最大パルス幅(ここでは11T)を組み合わせて同期信号とすることで信頼性は向上する。   An example of the data format is shown in FIG. The timing of the data format is predetermined. A reference synchronization signal is detected, and the clock generation circuit 108 generates a clock between the synchronization signal and the next synchronization signal. Here, it is 10,000 CLOCK. This clock cycle is defined as 1T. The input data is sampled using this clock. The output data is also output in synchronization with this clock. The pulse width used for the synchronization signal is configured with a pulse width that is not used in the subsequent control signal, chip ID data, input data, and output data. In order to prevent erroneous detection, reliability is improved by combining the minimum pulse width (here, 3T) and the maximum pulse width (here, 11T) into a synchronization signal.

次に、上記のシステムLSI100と検査装置200を組み合わせたシステムについて説明を行う。   Next, a system combining the system LSI 100 and the inspection apparatus 200 will be described.

まず、検査装置200から出力する信号重畳後電源231には、前述のフォーマットの同期パターン、制御信号領域、チップID符号領域、データ領域で構成された信号が重畳される。   First, the signal composed of the synchronization pattern, the control signal area, the chip ID code area, and the data area in the above-described format is superimposed on the post-superimposition power source 231 output from the inspection apparatus 200.

信号抽出回路102は、周波数成分が異なる3Tから11Tまでのデータを抽出できるフィルター構成としており、同期パターン、制御信号領域、チップID符号領域、データ領域で構成された信号の抽出信号125を出力し、クロック生成回路108と復号回路110に伝達する。   The signal extraction circuit 102 has a filter configuration that can extract data from 3T to 11T having different frequency components, and outputs a signal extraction signal 125 composed of a synchronization pattern, a control signal region, a chip ID code region, and a data region. , To the clock generation circuit 108 and the decoding circuit 110.

復号回路110は、信号抽出回路102からの抽出信号125とクロック生成回路108で生成されたメインクロック142を入力し、同期パターンとそれ以外の領域(制御信号領域、チップID符号領域、データ領域)の分離を行い、制御信号領域、チップID符号領域、データ領域の信号の抽出を行う。抽出された制御信号領域、チップID符号領域、データ領域の信号を復号信号143として検査制御回路104に伝達する。   The decoding circuit 110 receives the extraction signal 125 from the signal extraction circuit 102 and the main clock 142 generated by the clock generation circuit 108, and receives the synchronization pattern and other areas (control signal area, chip ID code area, data area). And the signals in the control signal area, chip ID code area, and data area are extracted. The extracted control signal area, chip ID code area, and data area signals are transmitted to the inspection control circuit 104 as a decoded signal 143.

検査制御回路104においては、その復号信号143とメインクロック142を用いて被測定回路101の検査および判定を行う。第3の実施形態においてはメインクロック142のみを用いて被測定回路101の検査および判定を行っているが、本実施形態によれば、第3の実施形態よりもデータ量が増えるため、被測定回路101の可制御性が高くなる。検査制御回路104は、判定結果を出力信号145として符号化回路150に出力するとともに出力制御信号144を符号化回路150に伝達する。符号化回路150は出力信号145と出力制御信号144をもとに予め決められたフォーマットに従い符号化を行い、符号化信号146を出力する。信号重畳回路151は信号重畳回路206と同一要素で構成されており、符号化信号146に応じて信号重畳後電源231に信号の重畳を行う。   In the inspection control circuit 104, the circuit under test 101 is inspected and determined using the decoded signal 143 and the main clock 142. In the third embodiment, the circuit under test 101 is inspected and determined using only the main clock 142. However, according to the present embodiment, the amount of data is larger than in the third embodiment, so that the device under test is measured. The controllability of the circuit 101 is increased. The inspection control circuit 104 outputs the determination result as an output signal 145 to the encoding circuit 150 and transmits the output control signal 144 to the encoding circuit 150. The encoding circuit 150 performs encoding according to a predetermined format based on the output signal 145 and the output control signal 144, and outputs an encoded signal 146. The signal superimposing circuit 151 includes the same elements as the signal superimposing circuit 206, and superimposes a signal on the power source 231 after signal superimposition according to the encoded signal 146.

このように本実施形態では、データフォーマットに制御信号領域を設け、制御信号領域のデータを用いて検査制御回路104の動作を制御している。たとえば、検査制御回路104の中に制御信号領域のデータをデコードする回路を内蔵し、そのデコード結果に応じて検査制御を行う。このことにより、システムLSI100に制御信号を供給するための専用のプローブP4の数を削減することが可能となる。   As described above, in this embodiment, the control signal area is provided in the data format, and the operation of the inspection control circuit 104 is controlled using the data in the control signal area. For example, a circuit that decodes data in the control signal area is built in the inspection control circuit 104, and inspection control is performed according to the decoding result. As a result, the number of dedicated probes P4 for supplying control signals to the system LSI 100 can be reduced.

検査装置200においては、信号重畳後電源231から信号抽出回路207により符号化信号146のデータを抽出しFLAG信号225を生成し判定装置205に伝達し、FLAG信号225の判定を判定装置205で行う。なお、信号抽出回路207は信号抽出回路102と同一要素で構成されている。   In the inspection apparatus 200, the signal extraction circuit 207 extracts the data of the encoded signal 146 from the power supply 231 after signal superimposition, generates a FLAG signal 225, transmits it to the determination apparatus 205, and determines the FLAG signal 225 by the determination apparatus 205. . The signal extraction circuit 207 includes the same elements as the signal extraction circuit 102.

このように本実施形態では、FLAG信号225の内容を信号重畳後電源231に重畳しているため、システムLSI100のFLAG端子114からFLAG信号225を入手するためのプローブP3の数を削減することが可能となる。   Thus, in this embodiment, since the contents of the FLAG signal 225 are superimposed on the power supply 231 after signal superimposition, the number of probes P3 for obtaining the FLAG signal 225 from the FLAG terminal 114 of the system LSI 100 can be reduced. It becomes possible.

また、信号重畳後電源231に重畳されている信号フォーマットに入出力極性を持たせることで信号の入出力の極性を区別することができ、これにより、判定装置205の誤判定発生確率が削減できる。たとえば、検査装置200は、同期パターンとデータ領域と制御信号領域とチップID符号領域とで構成されるシステムLSI100への信号を先に出力し、次に同期パターンと出力データ領域とで構成される信号を受け取る。それを繰り返すことで双方向の通信を時分割で行えるため、信号の入出力の極性を区別することができるため、判定装置205の誤判定発生確率が削減できる。また、その際には同期パターンは検査装置200から常に出力を行い、それに応じてシステムLSI100から出力データ領域とチップID符号領域を出力する方が本検査システムではシステムLSI100のメインクロック142が安定するため望ましい。   Also, by giving the input / output polarity to the signal format superimposed on the power source 231 after signal superimposition, it is possible to distinguish the input / output polarity of the signal, thereby reducing the probability of erroneous determination occurrence of the determination device 205. . For example, the inspection apparatus 200 first outputs a signal to the system LSI 100 including a synchronization pattern, a data area, a control signal area, and a chip ID code area, and then includes a synchronization pattern and an output data area. Receive a signal. By repeating this, bidirectional communication can be performed in a time-sharing manner, so that the input / output polarities of the signals can be distinguished, and the probability of occurrence of erroneous determination by the determination device 205 can be reduced. In this case, the main pattern 142 of the system LSI 100 is more stable in this inspection system when the synchronization pattern is always output from the inspection apparatus 200 and the output data area and the chip ID code area are output from the system LSI 100 accordingly. Therefore it is desirable.

また、本実施形態では、データフォーマットにチップID符号領域を設け、検査制御回路104の後段にチップID回路109を配置し、チップID符号領域のデータとチップID回路109のデータとを検査制御回路104で比較している。これにより、たとえば、複数のシステムLSI100を一括で検査を行う場合において、チップID符号領域のデータと、制御信号領域のデータを組み合わせることにより、任意のシステムLSI100に対しての制御を行うことができる。   Further, in this embodiment, a chip ID code area is provided in the data format, a chip ID circuit 109 is disposed after the inspection control circuit 104, and the data in the chip ID code area and the data of the chip ID circuit 109 are inspected. Comparison is made at 104. As a result, for example, when a plurality of system LSIs 100 are inspected at once, control of an arbitrary system LSI 100 can be performed by combining the data in the chip ID code area and the data in the control signal area. .

図7は、複数のシステムLSI100a,100bを一括で検査を行う場合にチップID回路109を使用した一例である。なお、図7では主要な構成要素のみを示しており、一部の構成要素を省略している。検査制御回路104で被測定回路101に与える必要な信号を生成するが、チップIDを使用することによって、信号に載せられたチップIDと各システムLSI100a,100bに割り振られたID番号とをIDデコーダで照合し制御することが可能となる。たとえば、ID番号0000のチップ100aに対して検査結果を出力する命令を入れた場合、ID番号0000の検査結果をトライステートバッファをイネーブルとし、出力することが可能となる。このときID番号0001のチップ100bは自分の番号ではないので、トライステートバッファをディスイネーブルとし検査結果を出力しないこととする。これにより、チップを個別に制御できる。また被測定回路101に与える入力も同様にIDに応じて動作を行うか否かの制御を行うことが可能となる。   FIG. 7 shows an example in which the chip ID circuit 109 is used when a plurality of system LSIs 100a and 100b are inspected collectively. In FIG. 7, only main components are shown, and some components are omitted. The inspection control circuit 104 generates a necessary signal to be supplied to the circuit under test 101. By using the chip ID, the chip ID placed on the signal and the ID number assigned to each of the system LSIs 100a and 100b are used as an ID decoder. It becomes possible to collate and control with. For example, when an instruction for outputting a test result is input to the chip 100a having the ID number 0000, the test result having the ID number 0000 can be enabled and output by the tri-state buffer. At this time, since the chip 100b with ID number 0001 is not its own number, the tri-state buffer is disabled and the inspection result is not output. As a result, the chips can be individually controlled. Similarly, it is possible to control whether or not the input given to the circuit under test 101 is operated according to the ID.

本実施形態では、FLAG信号225の出力制御について制御信号領域が出力命令を出すと共にチップID符号領域のデータでシステムLSI100を特定するため、指定されたシステムLSI100のみFLAG信号225を出力することが可能となる。これにより複数のFLAG信号225を受ける判定装置205について複数用意する必要性が無くなる。   In this embodiment, since the control signal area issues an output command for the output control of the FLAG signal 225 and the system LSI 100 is specified by the data in the chip ID code area, only the specified system LSI 100 can output the FLAG signal 225. It becomes. This eliminates the need to prepare a plurality of determination devices 205 that receive a plurality of FLAG signals 225.

また、出力信号145にチップID符号を内挿することで、複数のシステムLSI100について一括で検査を行っている場合においても、チップID符号を基にシステムLSI100の特定が可能となる。これにより、信号重畳後電源231が複数のシステムLSIで共用できることとなるため、検査装置200の構成が簡素化できる。   Further, by interpolating the chip ID code into the output signal 145, the system LSI 100 can be identified based on the chip ID code even when a plurality of system LSIs 100 are inspected collectively. Thereby, since the power source 231 after signal superposition can be shared by a plurality of system LSIs, the configuration of the inspection apparatus 200 can be simplified.

なお、前述のフォーマットは同期パターンとデータ領域と制御信号領域とチップID符号領域で構成されていたが、さらに冗長符号領域を追加することと、復号回路110は、冗長符号に基づいた誤り検出もしくは誤り訂正の機能を持つことで、受け取ったデータに誤りがあることを検出もしくは訂正することが可能となり、復号信号143のデータの信頼性が高くなる。また、符号化回路150より出力される符号化信号146に冗長符号を内挿し、また判定装置205に冗長符号を基に誤り検出ないしは誤り訂正を行う機能を持たせることで、判定装置205の誤判定発生確率が削減できる。
《第6の実施形態》
図8は、本発明の第6の実施形態における半導体検査システムの構成を示すブロック図である。図8と図1で異なる点は、まず検査装置200の構成が異なり、電源装置201から出力する電源ライン221と電源装置202から出力するGNDライン222の後段に差動信号重畳回路406を配置し、信号発生器203から出力した出力信号223を差動信号として重畳し、差動電源信号232、差動GND信号233を生成する点である。
The above-described format is composed of a synchronization pattern, a data area, a control signal area, and a chip ID code area. However, adding a redundant code area, the decoding circuit 110 performs error detection based on the redundant code or By having an error correction function, it is possible to detect or correct that there is an error in the received data, and the reliability of the data of the decoded signal 143 is increased. In addition, a redundant code is interpolated in the encoded signal 146 output from the encoding circuit 150, and the determination device 205 is provided with a function of performing error detection or error correction based on the redundant code. The probability of determination occurrence can be reduced.
<< Sixth Embodiment >>
FIG. 8 is a block diagram showing a configuration of a semiconductor inspection system according to the sixth embodiment of the present invention. The difference between FIG. 8 and FIG. 1 is that the configuration of the inspection apparatus 200 is different. First, the differential signal superimposing circuit 406 is arranged at the subsequent stage of the power supply line 221 output from the power supply apparatus 201 and the GND line 222 output from the power supply apparatus 202. The output signal 223 output from the signal generator 203 is superimposed as a differential signal to generate a differential power supply signal 232 and a differential GND signal 233.

システムLSI100においては、差動電源信号232、差動GND信号233から信号を抽出する差動信号抽出回路302を備え、信号の抽出を行い、検査制御回路104に伝達を行う。また、差動信号が電源、GNDに重畳されているため、それぞれの重畳された信号を除去するためのノイズ除去回路103で構成されている点である。   The system LSI 100 includes a differential signal extraction circuit 302 that extracts signals from the differential power supply signal 232 and the differential GND signal 233, extracts a signal, and transmits the signal to the inspection control circuit 104. In addition, since the differential signal is superimposed on the power supply and GND, it is configured with a noise removal circuit 103 for removing each superimposed signal.

差動信号重畳回路406の回路構成例としては、差動出力アンプと前記の信号重畳回路206で構成され、出力信号223をまず差動出力アンプで差動信号に変換を行い、電源ライン221と電源に重畳する差動信号を用いて信号重畳回路206で信号を重畳し、差動電源信号232として出力をおこなう。同様に出力信号223を差動アンプで差動信号に変換を行い、GNDライン222とGNDに重畳する差動信号を用いて信号重畳回路206で信号を重畳し、差動GND信号233を出力する。   An example of the circuit configuration of the differential signal superimposing circuit 406 includes a differential output amplifier and the signal superimposing circuit 206. The output signal 223 is first converted into a differential signal by the differential output amplifier. The signal superimposing circuit 206 superimposes the signal using the differential signal superimposed on the power supply, and outputs it as a differential power supply signal 232. Similarly, the output signal 223 is converted into a differential signal by a differential amplifier, the signal is superimposed by the signal superimposing circuit 206 using the differential signal superimposed on the GND line 222 and GND, and the differential GND signal 233 is output. .

差動信号抽出回路302の回路構成例としては、オフセット電圧除去回路と差動入力アンプと前記の信号抽出回路106で構成され、差動電源信号232と差動GND信号233の信号をそれぞれオフセット電圧除去回路に入力しDC成分の除去をおこなう。オフセット除去後の差動信号を差動入力アンプの+側、−側で受け差動信号の電圧差を基に信号を生成し、信号抽出回路106に伝達する。信号抽出回路106では出力クロック信号124を生成し、検査制御回路106の伝達する。   An example of the circuit configuration of the differential signal extraction circuit 302 includes an offset voltage removal circuit, a differential input amplifier, and the signal extraction circuit 106. The differential power supply signal 232 and the differential GND signal 233 are respectively converted into offset voltages. Input to the removal circuit to remove the DC component. The differential signal after offset removal is received on the + side and − side of the differential input amplifier, a signal is generated based on the voltage difference of the differential signal, and is transmitted to the signal extraction circuit 106. The signal extraction circuit 106 generates an output clock signal 124 and transmits it to the inspection control circuit 106.

本発明の第6の実施形態における半導体検査システムは、前記の検査装置200とシステムLSI100を組み合わせる事によって、実施形態1と同様に半導体検査を行うことができる。   A semiconductor inspection system according to the sixth embodiment of the present invention can perform a semiconductor inspection in the same manner as in the first embodiment by combining the inspection apparatus 200 and the system LSI 100.

本発明の第6の実施形態は、重畳する信号に差動信号を用いることで、電源側とGND側の両方から信号を得られるため、第1の実施形態の信号重畳後電源231を用いるものより信号の信頼性が向上する。信号の信頼性が向上することより、重畳する信号振幅レベルを下げることができるため、信号を重畳することに伴う電源ノイズを削減する効果が得られる。   In the sixth embodiment of the present invention, a signal is obtained from both the power supply side and the GND side by using a differential signal as a signal to be superimposed. Therefore, the signal superimposed power source 231 of the first embodiment is used. The reliability of the signal is further improved. Since the signal amplitude level to be superimposed can be lowered by improving the reliability of the signal, an effect of reducing power supply noise accompanying the signal superposition can be obtained.

また、第1の実施形態を用いて説明を行ったが、同様に差動信号を用いることは第2〜4の実施形態についても適用することが可能である。
《第7の実施形態》
図9は、本発明の第7の実施形態における半導体検査システムの構成を示すブロック図である。図9と図5で異なる点は、まず検査装置200の構成が異なり、第6の実施形態で説明した差動信号重畳回路406で、電源装置201から出力する電源ライン221と電源装置202から出力するGNDライン222に、信号発生器203,204から出力された信号を差動信号として重畳し、差動電源信号232、差動GND信号233を生成する点と信号抽出回路207に替えて差動信号抽出回路407を配置した点である。
Moreover, although it demonstrated using 1st Embodiment, it can be applied also to 2nd-4th embodiment similarly using a differential signal.
<< Seventh Embodiment >>
FIG. 9 is a block diagram showing a configuration of a semiconductor inspection system according to the seventh embodiment of the present invention. 9 and 5 are different in the configuration of the inspection apparatus 200. First, the differential signal superimposing circuit 406 described in the sixth embodiment outputs the power line 221 output from the power supply apparatus 201 and the power supply apparatus 202. The signal output from the signal generators 203 and 204 is superimposed as a differential signal on the GND line 222 to be generated, and a differential power supply signal 232 and a differential GND signal 233 are generated instead of the signal extraction circuit 207. The signal extraction circuit 407 is arranged.

システムLSI100においては、第6の実施形態で説明した、差動電源信号232、差動GND信号233から信号を抽出する差動信号抽出回路302を備え、信号の抽出を行い、検査制御回路104に伝達を行う。また、差動信号が電源、GNDに重畳されているため、それぞれの重畳された信号を除去するためのノイズ除去回路103で構成されている点と、信号重畳回路151に替えて差動信号重畳回路351を配置した点である。   The system LSI 100 includes the differential signal extraction circuit 302 that extracts signals from the differential power supply signal 232 and the differential GND signal 233 described in the sixth embodiment, and performs signal extraction, and the inspection control circuit 104 Make a transmission. In addition, since the differential signal is superimposed on the power supply and GND, the differential signal superposition is performed in place of the signal superimposition circuit 151, and the point that the noise removal circuit 103 is configured to remove each superimposed signal. The circuit 351 is arranged.

また、差動信号抽出回路407は差動信号抽出回路302と同一要素で構成されており、それにより、符号化信号146のデータを抽出しFLAG信号225を生成し判定装置205に伝達を行い、FLAG信号225の判定を判定装置205で行う。   Further, the differential signal extraction circuit 407 is composed of the same elements as the differential signal extraction circuit 302, thereby extracting the data of the encoded signal 146, generating the FLAG signal 225, and transmitting it to the determination device 205, The determination unit 205 determines the FLAG signal 225.

また、差動信号重畳回路351は差動信号重畳回路406と同一要素で構成されており、符号化信号146に応じて差動電源信号232、差動GND信号233に信号の重畳を行う。   Further, the differential signal superimposing circuit 351 is composed of the same elements as the differential signal superimposing circuit 406 and superimposes signals on the differential power supply signal 232 and the differential GND signal 233 in accordance with the encoded signal 146.

本発明の第7の実施形態における半導体検査システムは、前記の検査装置200とシステムLSI100を組み合わせることによって、実施形態5と同様に半導体検査を行うことができる。   The semiconductor inspection system according to the seventh embodiment of the present invention can perform the semiconductor inspection similarly to the fifth embodiment by combining the inspection apparatus 200 and the system LSI 100.

また、差動信号を用いることで、第6の実施形態と同様に信号の信頼性が向上することと、信号の信頼性が向上することより、重畳する信号振幅レベルを下げることができるため、信号を重畳することに伴う電源ノイズを削減する効果が得られる。

《第8の実施形態》
図10は、本発明の第8の実施形態における半導体検査システムの構成を示すブロック図である。図10と図9で異なる点は、まず検査装置200の構成が異なり、第6の実施形態で説明した、電源装置201から出力する電源ライン221と電源装置202から出力するGNDライン222を差動信号重畳回路406に入力するとともに、電源ライン221を外部へ出力するためのプローブP5とGNDライン222を外部へ出力するためのプローブP6を設けた点である。
Also, by using differential signals, the signal amplitude level to be superimposed can be lowered by improving the signal reliability as in the sixth embodiment and improving the signal reliability. An effect of reducing power supply noise caused by superimposing signals can be obtained.

<< Eighth Embodiment >>
FIG. 10 is a block diagram showing a configuration of a semiconductor inspection system according to the eighth embodiment of the present invention. The difference between FIG. 10 and FIG. 9 is that the configuration of the inspection apparatus 200 is different, and the power line 221 output from the power supply apparatus 201 and the GND line 222 output from the power supply apparatus 202 described in the sixth embodiment are differentiated. A probe P5 for outputting the power supply line 221 to the outside and a probe P6 for outputting the GND line 222 to the outside are provided in addition to being input to the signal superimposing circuit 406.

システムLSI100においては、電源およびGNDにバイパス回路を備えており、ノイズ除去後電源131に、信号が重畳されていない電源である電源ライン221をプローブP5および端子116を通じて接続し、また、ノイズ除去後GND131に、信号が重畳されていないGNDであるGNDライン222をプローブP6および端子117を通じて接続している点である。   In the system LSI 100, the power supply and GND are provided with a bypass circuit, and the power supply line 221 which is a power supply on which no signal is superimposed is connected to the power supply 131 after noise removal through the probe P5 and the terminal 116, and after noise removal. A GND line 222, which is a GND on which no signal is superimposed, is connected to the GND 131 through a probe P6 and a terminal 117.

電源およびGNDに対してバイパス回路を構成することにより、電源、GNDの強化が図れることは言うまでも無い。また、特にプローブを用いるテストにおいては、1ピンあたりに流すことができる許容電流量についての制限がある。たとえば1ピンあたりの許容電流量が100mAとした場合においては、第7の実施形態で検査可能なLSIの消費電流は100mA以下のものに限定される。図10の構成を採ることで2ピン分のバイパス回路が入るため300mAまでの消費電流のLSIについて検査可能となる。また、バイパス回路は、検査以外の通常使用時の電源、GNDと兼用することは可能である。言い換えると、システムLSI100の差動電源信号232、差動GND信号233を入出力する端子をテスト専用端子とすることも可能である。また、そのテスト専用端子については誤動作防止回路(たとえばノイズ除去回路としてシュミットインバータ)を備えることで検査以外の通常使用時において誤動作が発生しシステムLSI100の動作に影響を与えないようにすることも可能である。   It goes without saying that the power supply and GND can be strengthened by configuring a bypass circuit for the power supply and GND. In particular, in a test using a probe, there is a limit on an allowable current amount that can flow per pin. For example, when the allowable current amount per pin is 100 mA, the consumption current of the LSI that can be inspected in the seventh embodiment is limited to 100 mA or less. By adopting the configuration shown in FIG. 10, a bypass circuit for two pins is inserted, so that an LSI with a current consumption of up to 300 mA can be inspected. Further, the bypass circuit can also be used as a power supply and GND during normal use other than inspection. In other words, the terminals for inputting / outputting the differential power supply signal 232 and the differential GND signal 233 of the system LSI 100 can be used as test-dedicated terminals. In addition, by providing a malfunction prevention circuit (for example, a Schmitt inverter as a noise removal circuit) for the test dedicated terminal, it is possible to prevent malfunction during normal use other than inspection and not affect the operation of the system LSI 100. It is.

本発明は、半導体集積回路の検査全般に対して適用可能であるが、中でもプローブを用いる検査においてプローブ数を削減することが可能となるため、複数個を同時に検査するプローブ検査や、ウエハーを一括で検査を行うウエハーレベルバーンインなどが特に有効である。   The present invention can be applied to general inspection of semiconductor integrated circuits, but in particular, since it is possible to reduce the number of probes in inspection using probes, probe inspection for simultaneously inspecting a plurality of wafers or a batch of wafers. Wafer level burn-in, etc., in which inspection is performed in particular, is particularly effective.

第1の実施形態による半導体検査システムの構成を示すブロック図である。1 is a block diagram showing a configuration of a semiconductor inspection system according to a first embodiment. 第2の実施形態による半導体検査システムの構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the structure of the semiconductor inspection system by 2nd Embodiment. 第3の実施形態による半導体検査システムの構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the structure of the semiconductor inspection system by 3rd Embodiment. 第4の実施形態による半導体検査システムの構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the structure of the semiconductor inspection system by 4th Embodiment. 第5の実施形態による半導体検査システムの構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the structure of the semiconductor inspection system by 5th Embodiment. 信号フォーマットの一例を示す図である。It is a figure which shows an example of a signal format. 複数のシステムLSIを一括で検査を行う場合にチップID回路を使用した一例を示すブロック図である。It is a block diagram which shows an example which used the chip ID circuit when test | inspecting several system LSIs collectively. 第6の実施形態による半導体検査システムの構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the structure of the semiconductor inspection system by 6th Embodiment. 第7の実施形態による半導体検査システムの構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the structure of the semiconductor inspection system by 7th Embodiment. 第8の実施形態による半導体検査システムの構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the structure of the semiconductor inspection system by 8th Embodiment.

符号の説明Explanation of symbols

100 システムLSI
101 被測定回路
102 信号抽出回路
103 ノイズ除去回路
104 検査制御回路
108 クロック生成回路
110 復号回路
111 VDD端子
112 GND端子
113 クロック端子
114 FLAG端子
115 制御端子
150 符号化回路
151 信号重畳回路
160 OR回路
200 検査装置
201 電源装置(VDD出力)
202 電源装置(GND出力)
203 信号発生器(クロック信号)
204 信号発生器(制御信号)
205 判定装置
206 信号重畳回路
207 信号抽出回路
210 遅延回路
302 差動信号抽出回路
351 差動信号重畳回路
406 差動信号重畳回路
407 差動信号抽出回路
P1〜P6 プローブ
100 system LSI
101 circuit under test 102 signal extraction circuit 103 noise removal circuit 104 inspection control circuit 108 clock generation circuit 110 decoding circuit 111 VDD terminal 112 GND terminal 113 clock terminal 114 FLAG terminal 115 control terminal 150 encoding circuit 151 signal superposition circuit 160 OR circuit 200 Inspection device 201 Power supply device (VDD output)
202 Power supply (GND output)
203 Signal generator (clock signal)
204 Signal generator (control signal)
205 Determination Device 206 Signal Superimposing Circuit 207 Signal Extracting Circuit 210 Delay Circuit 302 Differential Signal Extracting Circuit 351 Differential Signal Superimposing Circuit 406 Differential Signal Superimposing Circuit 407 Differential Signal Extracting Circuits P1 to P6 Probe

Claims (27)

検査装置を用いて半導体集積回路を検査するシステムであって、
前記検査装置は、
前記半導体集積回路に供給する電源を生成する電源装置と、
前記電源装置により生成された電源を前記半導体集積回路に供給するための第1のプローブと、
前記半導体集積回路を検査するための信号を生成する第1の信号発生器と、
前記電源装置により生成された電源に前記第1の信号発生器により生成された信号を重畳して前記第1のプローブに供給する第1の信号重畳回路とを備え、
前記半導体集積回路は、
前記第1のプローブから電源の供給を受ける第1の電源端子と、
前記第1の電源端子に供給される電源に重畳された信号を抽出する第1の信号抽出回路と、
前記第1の信号抽出回路により抽出された信号に基づいて被測定回路の検査を行う検査制御回路とを備える、
ことを特徴とする半導体検査システム。
A system for inspecting a semiconductor integrated circuit using an inspection apparatus,
The inspection device includes:
A power supply device for generating power to be supplied to the semiconductor integrated circuit;
A first probe for supplying power generated by the power supply device to the semiconductor integrated circuit;
A first signal generator for generating a signal for inspecting the semiconductor integrated circuit;
A first signal superimposing circuit that superimposes the signal generated by the first signal generator on the power source generated by the power supply device and supplies the signal to the first probe;
The semiconductor integrated circuit is:
A first power supply terminal receiving power supply from the first probe;
A first signal extraction circuit for extracting a signal superimposed on a power source supplied to the first power source terminal;
An inspection control circuit that inspects the circuit under measurement based on the signal extracted by the first signal extraction circuit;
A semiconductor inspection system characterized by that.
請求項1において、
前記電源装置は、
電源電圧とグランド電圧とを生成し、
前記第1のプローブは、
前記電源装置により生成された電源電圧を前記半導体集積回路に供給するための第2のプローブと、
前記電源装置により生成されたグランド電圧を前記半導体集積回路に供給するための第3のプローブとを含み、
前記第1の電源端子は、
前記第2のプローブから電源電圧の供給を受ける第2の電源端子と、
前記第3のプローブからグランド電圧の供給を受ける第3の電源端子とを含む、
ことを特徴とする半導体検査システム。
In claim 1,
The power supply device
Generate power supply voltage and ground voltage,
The first probe includes:
A second probe for supplying a power supply voltage generated by the power supply device to the semiconductor integrated circuit;
A third probe for supplying a ground voltage generated by the power supply device to the semiconductor integrated circuit,
The first power supply terminal is
A second power supply terminal that receives supply of power supply voltage from the second probe;
A third power supply terminal that receives a ground voltage from the third probe,
A semiconductor inspection system characterized by that.
請求項2において、
前記第1の信号重畳回路は、
前記第1の信号発生器により生成された信号を前記電源装置により生成された電源電圧に重畳して前記第2のプローブに供給し、
前記第1の信号抽出回路は、
前記第2の電源端子に供給される電源電圧に重畳された信号を抽出する、
ことを特徴とする半導体検査システム。
In claim 2,
The first signal superimposing circuit includes:
Supplying the second probe with the signal generated by the first signal generator superimposed on the power supply voltage generated by the power supply device;
The first signal extraction circuit includes:
Extracting a signal superimposed on a power supply voltage supplied to the second power supply terminal;
A semiconductor inspection system characterized by that.
請求項2において、
前記第1の信号重畳回路は、
前記第1の信号発生器により生成された信号を前記電源装置により生成されたグランド電圧に重畳して前記第3のプローブに供給し、
前記第1の信号抽出回路は、
前記第3の電源端子に供給されるグランド電圧に重畳された信号を抽出する、
ことを特徴とする半導体検査システム。
In claim 2,
The first signal superimposing circuit includes:
A signal generated by the first signal generator is superimposed on a ground voltage generated by the power supply device and supplied to the third probe;
The first signal extraction circuit includes:
Extracting a signal superimposed on a ground voltage supplied to the third power supply terminal;
A semiconductor inspection system characterized by that.
請求項2において、
前記第1の信号重畳回路は、
前記第1の信号発生器により生成された信号を前記電源装置により生成された電源電圧とグランド電圧とに差動で重畳して前記第2および第3のプローブに供給し、
前記第1の信号抽出回路は、
前記第2の電源端子に供給される電源電圧と前記第3の電源端子に供給されるグランド電圧とに差動で重畳された信号を抽出する、
ことを特徴とする半導体検査システム。
In claim 2,
The first signal superimposing circuit includes:
A signal generated by the first signal generator is differentially superimposed on a power supply voltage and a ground voltage generated by the power supply device and supplied to the second and third probes;
The first signal extraction circuit includes:
Extracting a differentially superimposed signal between a power supply voltage supplied to the second power supply terminal and a ground voltage supplied to the third power supply terminal;
A semiconductor inspection system characterized by that.
請求項1において、
前記半導体集積回路は、
前記第1の電源端子に供給される電源に重畳されているノイズ成分を除去して内部回路に供給するノイズ除去回路をさらに備える、
ことを特徴とする半導体検査システム。
In claim 1,
The semiconductor integrated circuit is:
A noise removing circuit that removes a noise component superimposed on a power source supplied to the first power source terminal and supplies the noise component to an internal circuit;
A semiconductor inspection system characterized by that.
請求項1において、
前記検査制御回路は複数のBIST回路を含み、
前記複数のBIST回路の各々は、
前記被測定回路の対応する部分を検査するものであり、
前記検査制御回路は、
前記複数のBIST回路の各々を制御信号に応じて活性化/不活性化する、
ことを特徴とする半導体検査システム。
In claim 1,
The inspection control circuit includes a plurality of BIST circuits,
Each of the plurality of BIST circuits includes:
Inspecting the corresponding part of the circuit under test,
The inspection control circuit includes:
Activating / deactivating each of the plurality of BIST circuits according to a control signal;
A semiconductor inspection system characterized by that.
請求項1において、
前記制御検査回路から前記被測定回路に対して伝達する信号の周波数と前記第1の信号抽出回路で抽出する信号の周波数とが異なる、
ことを特徴とする半導体検査システム。
In claim 1,
The frequency of the signal transmitted from the control inspection circuit to the circuit under test is different from the frequency of the signal extracted by the first signal extraction circuit.
A semiconductor inspection system characterized by that.
請求項1において、
前記第1の信号発生器は、
各々異なる周波数の信号を生成する複数の信号発生ユニットを含み、
前記第1の信号抽出回路は、
前記第1の電源端子に供給される電源に重畳された信号のうち各々異なる周波数の信号を抽出する複数の信号抽出ユニットを含む、
ことを特徴とする半導体検査システム。
In claim 1,
The first signal generator is
A plurality of signal generating units each generating a signal of a different frequency;
The first signal extraction circuit includes:
A plurality of signal extraction units for extracting signals having different frequencies from among signals superimposed on a power source supplied to the first power source terminal;
A semiconductor inspection system characterized by that.
請求項9において、
前記検査制御回路は、
複数の任意の周波数信号について検知を行う機能を搭載しており、複数の任意の周波数信号状態に応じて制御信号を生成し、前記被測定回路の制御を行う、
ことを特徴とする半導体検査システム。
In claim 9,
The inspection control circuit includes:
It has a function of detecting a plurality of arbitrary frequency signals, generates a control signal according to a plurality of arbitrary frequency signal states, and controls the circuit under test.
A semiconductor inspection system characterized by that.
請求項1において、
前記第1の信号発生器により生成される信号は、任意の一定周期の同期信号を含み、
前記半導体集積回路は、
前記第1の信号抽出回路により抽出された同期信号に基づいてクロック信号を生成するクロック生成回路をさらに備え、
前記検査制御回路は、
前記クロック生成回路により生成されたクロック信号を用いて前記被測定回路を検査する、
ことを特徴とする半導体検査システム。
In claim 1,
The signal generated by the first signal generator includes a synchronization signal having an arbitrary fixed period,
The semiconductor integrated circuit is:
A clock generation circuit for generating a clock signal based on the synchronization signal extracted by the first signal extraction circuit;
The inspection control circuit includes:
Inspecting the circuit under test using a clock signal generated by the clock generation circuit;
A semiconductor inspection system characterized by that.
請求項11において、
前記第1の信号発生器により生成される信号は、前記同期信号に続く任意のデータ信号をさらに含む、
ことを特徴とする半導体検査システム。
In claim 11,
The signal generated by the first signal generator further includes an arbitrary data signal following the synchronization signal,
A semiconductor inspection system characterized by that.
請求項11において、
前記第1の信号発生器により生成される信号は、前記同期信号に続く制御信号をさらに含む、
ことを特徴とする半導体検査システム。
In claim 11,
The signal generated by the first signal generator further includes a control signal following the synchronization signal,
A semiconductor inspection system characterized by that.
請求項1において、
前記第1の信号発生器により生成される信号は、検査対象チップのチップID符号を含み、
前記半導体集積回路は、
前記半導体集積回路のチップID符号を前記検査制御回路に伝達するチップID回路をさらに備え、
前記検査制御回路は、
前記第1の信号抽出回路により抽出されたチップID符号と前記チップID回路からのチップID符号とを比較し、比較結果に基づいて前記被測定回路の検査を行う、
ことを特徴とする半導体検査システム。
In claim 1,
The signal generated by the first signal generator includes a chip ID code of the inspection target chip,
The semiconductor integrated circuit is:
A chip ID circuit for transmitting a chip ID code of the semiconductor integrated circuit to the inspection control circuit;
The inspection control circuit includes:
The chip ID code extracted by the first signal extraction circuit is compared with the chip ID code from the chip ID circuit, and the circuit under test is inspected based on the comparison result.
A semiconductor inspection system characterized by that.
請求項1において、
前記第1の信号発生器により生成される信号は、当該信号の信頼性を高めるための冗長符号を含み、
前記半導体集積回路は、
前記第1の信号抽出回路により抽出された信号に含まれている冗長符号に基づいて当該抽出信号を復合化する復号回路をさらに備え、
前記検査制御回路は、
前記復号回路により復号化された信号に基づいて前記被測定回路の検査を行う、
ことを特徴とする半導体検査システム。
In claim 1,
The signal generated by the first signal generator includes a redundant code for increasing the reliability of the signal,
The semiconductor integrated circuit is:
A decoding circuit for decoding the extracted signal based on a redundant code included in the signal extracted by the first signal extracting circuit;
The inspection control circuit includes:
Inspecting the circuit under measurement based on the signal decoded by the decoding circuit,
A semiconductor inspection system characterized by that.
請求項1において、
前記半導体集積回路は、
前記検査制御回路により得られた検査結果を示す信号を前記第1の電源端子に供給される電源に重畳する第2の信号重畳回路をさらに備え、
前記検査装置は、
前記第2の信号重畳回路により重畳された信号を抽出する第2の信号抽出回路と、
前記第2の信号抽出回路により抽出された信号の内容を判定する判定装置とをさらに備える、
ことを特徴とする半導体検査システム。
In claim 1,
The semiconductor integrated circuit is:
A second signal superimposing circuit that superimposes a signal indicating a test result obtained by the test control circuit on a power source supplied to the first power source terminal;
The inspection device includes:
A second signal extraction circuit for extracting the signal superimposed by the second signal superposition circuit;
A determination device for determining the content of the signal extracted by the second signal extraction circuit;
A semiconductor inspection system characterized by that.
請求項16において、
前記判定装置は、
前記第1の信号発生器により生成された信号と前記第2の信号抽出回路により抽出された信号との差分を用いて、前記第2の信号抽出回路により抽出された信号の内容を判定する、
ことを特徴とする半導体検査システム。
In claim 16,
The determination device includes:
Using the difference between the signal generated by the first signal generator and the signal extracted by the second signal extraction circuit to determine the content of the signal extracted by the second signal extraction circuit;
A semiconductor inspection system characterized by that.
請求項16において、
前記第2の信号重畳回路により重畳される信号の周波数帯域と前記第1の信号発生器により生成される信号の周波数帯域とが異なる、
ことを特徴とする半導体検査システム。
In claim 16,
The frequency band of the signal superimposed by the second signal superposition circuit is different from the frequency band of the signal generated by the first signal generator.
A semiconductor inspection system characterized by that.
請求項16において、
前記第2の重畳回路は、
前記半導体集積回路のチップID符号を内挿した信号を重畳する、
ことを特徴とする半導体検査システム。
In claim 16,
The second superposition circuit includes:
Superimposing a signal interpolating the chip ID code of the semiconductor integrated circuit;
A semiconductor inspection system characterized by that.
請求項16において、
前記第2の重畳回路は、
冗長符号を内挿した信号を重畳する、
ことを特徴とする半導体検査システム。
In claim 16,
The second superposition circuit includes:
Superimpose a signal interpolated with a redundant code,
A semiconductor inspection system characterized by that.
請求項6において、
前記検査装置は、
前記電源装置により生成された電源を前記半導体集積回路に供給するための第4のプローブをさらに備え、
前記半導体集積回路は、
前記第4のプローブから電源の供給を受ける第4の電源端子をさらに備え、
前記第4の電源端子は、
前記ノイズ除去回路の出力に接続される、
ことを特徴とする半導体検査システム。
In claim 6,
The inspection device includes:
A fourth probe for supplying power generated by the power supply device to the semiconductor integrated circuit;
The semiconductor integrated circuit is:
A fourth power supply terminal that receives power from the fourth probe;
The fourth power terminal is
Connected to the output of the noise removal circuit;
A semiconductor inspection system characterized by that.
請求項21において、
前記第1の電源端子は検査専用の端子である、
ことを特徴とする半導体検査システム。
In claim 21,
The first power supply terminal is a terminal dedicated for inspection.
A semiconductor inspection system characterized by that.
請求項22において、
前記半導体集積回路は、
前記第1の電源端子の後段に誤動作防止回路をさらに備える、
ことを特徴とする半導体検査システム。
In claim 22,
The semiconductor integrated circuit is:
A malfunction prevention circuit is further provided at a stage subsequent to the first power supply terminal.
A semiconductor inspection system characterized by that.
半導体集積回路を検査する装置であって、
前記半導体集積回路に供給する電源を生成する電源装置と、
前記電源装置により生成された電源を前記半導体集積回路の電源端子に供給するためのプローブと、
前記半導体集積回路を検査するための信号を生成する信号発生器と、
前記電源装置により生成された電源に前記信号発生器により生成された信号を重畳して前記プローブに供給する信号重畳回路とを備える、
ことを特徴とする検査装置。
An apparatus for inspecting a semiconductor integrated circuit,
A power supply device for generating power to be supplied to the semiconductor integrated circuit;
A probe for supplying power generated by the power supply device to a power supply terminal of the semiconductor integrated circuit;
A signal generator for generating a signal for inspecting the semiconductor integrated circuit;
A signal superimposing circuit that superimposes the signal generated by the signal generator on the power source generated by the power supply device and supplies the signal to the probe.
Inspection apparatus characterized by that.
請求項24において、
前記半導体集積回路は、
前記電源端子に供給される電源に重畳された信号を抽出する信号抽出回路と、
前記信号抽出回路により抽出された信号に基づいて被測定回路の検査を行う検査制御回路とを備える、
ことを特徴とする検査装置。
In claim 24,
The semiconductor integrated circuit is:
A signal extraction circuit for extracting a signal superimposed on a power supply supplied to the power supply terminal;
An inspection control circuit for inspecting a circuit under measurement based on the signal extracted by the signal extraction circuit;
Inspection apparatus characterized by that.
検査装置のプローブから電源の供給を受ける電源端子と、
前記電源端子に供給される電源に重畳された信号を抽出する信号抽出回路と、
前記信号抽出回路により抽出された信号に基づいて被測定回路の検査を行う検査制御回路とを備える、
ことを特徴とする半導体集積回路。
A power supply terminal that receives power from the probe of the inspection device;
A signal extraction circuit for extracting a signal superimposed on a power supply supplied to the power supply terminal;
An inspection control circuit for inspecting a circuit under measurement based on the signal extracted by the signal extraction circuit;
A semiconductor integrated circuit.
請求項26において、
前記検査装置は、
前記半導体集積回路に供給する電源を生成する電源装置と、
前記電源装置により生成された電源を前記電源端子に供給するためのプローブと、
前記半導体集積回路を検査するための信号を生成する信号発生器と、
前記電源装置により生成された電源に前記信号発生器により生成された信号を重畳して前記プローブに供給する信号重畳回路とを備える、
ことを特徴とする半導体集積回路。
In claim 26,
The inspection device includes:
A power supply device for generating power to be supplied to the semiconductor integrated circuit;
A probe for supplying power generated by the power supply device to the power supply terminal;
A signal generator for generating a signal for inspecting the semiconductor integrated circuit;
A signal superimposing circuit that superimposes the signal generated by the signal generator on the power source generated by the power supply device and supplies the signal to the probe.
A semiconductor integrated circuit.
JP2006286254A 2006-10-20 2006-10-20 Semiconductor inspection system, inspection device, semiconductor integrated circuit Pending JP2008102081A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006286254A JP2008102081A (en) 2006-10-20 2006-10-20 Semiconductor inspection system, inspection device, semiconductor integrated circuit

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006286254A JP2008102081A (en) 2006-10-20 2006-10-20 Semiconductor inspection system, inspection device, semiconductor integrated circuit

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2008102081A true JP2008102081A (en) 2008-05-01

Family

ID=39436505

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006286254A Pending JP2008102081A (en) 2006-10-20 2006-10-20 Semiconductor inspection system, inspection device, semiconductor integrated circuit

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2008102081A (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009147810A1 (en) * 2008-06-01 2009-12-10 株式会社アドバンテスト Test system, electronic device, and testing apparatus
JP2011527746A (en) * 2008-07-11 2011-11-04 株式会社アドバンテスト Test apparatus and semiconductor device
JP2015170146A (en) * 2014-03-07 2015-09-28 アルプス電気株式会社 Electronic circuit

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009147810A1 (en) * 2008-06-01 2009-12-10 株式会社アドバンテスト Test system, electronic device, and testing apparatus
US7847572B2 (en) 2008-06-01 2010-12-07 Advantest Corporation Test system, electronic device, and test apparatus
JPWO2009147810A1 (en) * 2008-06-01 2011-10-20 株式会社アドバンテスト Test system, electronic device, and test apparatus
JP2011527746A (en) * 2008-07-11 2011-11-04 株式会社アドバンテスト Test apparatus and semiconductor device
JP2015170146A (en) * 2014-03-07 2015-09-28 アルプス電気株式会社 Electronic circuit

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4941868B2 (en) Semiconductor device, semiconductor device design method, design device, and failure detection method
JP6054597B2 (en) Semiconductor integrated circuit
US20090089635A1 (en) Electronic Device Testing System and Method
CN102770778B (en) Method for testing an integrated circuit
US20090210566A1 (en) Multi-chip digital system signal identification apparatus
US20110179325A1 (en) System for boundary scan register chain compression
JP2008102081A (en) Semiconductor inspection system, inspection device, semiconductor integrated circuit
CN101398465A (en) Electronic component detection system and method
JP2008305450A (en) Test system and test method
US9557382B1 (en) Inter-block scan testing with share pads
CN103576079B (en) Chip testing system and chip testing method
JP2007263790A (en) Semiconductor integrated circuit device, and delayed fault testing method
CN112527710A (en) JTAG data capturing and analyzing system
JP2003513287A (en) Scan test point monitoring system and method
Ali et al. Design and implementation of a dependable CPSoC for automotive applications
JP5221554B2 (en) Don&#39;t care bit extraction method and don&#39;t care bit extraction program
JP2011163961A (en) Semiconductor integrated circuit and testing device of semiconductor integrated circuit
KR20060095283A (en) Cable Delay Failure Test Controller for System-on-Chip with Multiple System Clocks and Heterogeneous Cores
US9383408B2 (en) Fault detection system, generation circuit, and program
JP2003090866A (en) Inspection method of AD converter
JP4703398B2 (en) Semiconductor integrated circuit and test method thereof
JP2015141098A (en) Test board, integrated circuit test method, integrated circuit device, and integrated circuit test system
JP2005031036A (en) Semiconductor circuit AC timing test apparatus and method
JP2005276882A (en) Semiconductor device
JP2001004706A (en) Method for inspecting defective soldering