JP2008102081A - Semiconductor inspection system, inspection device, semiconductor integrated circuit - Google Patents
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Abstract
【課題】検査に必要となるプローブ数を削減する。
【解決手段】検査装置200に信号重畳回路206を配置し信号発生器203からクロック信号を電源に重畳し、信号重畳後電源231として出力する。システムLSI100は信号抽出回路102において、クロック信号の抽出を行い、抽出信号125を出力し、検査制御回路104を動作させることで被測定回路101の検査を行う。その検査結果を測定装置200の判定装置205に伝達することで、本検査システムでの検査を行うことができる。その結果、従来必要としていたクロック端子113に対してプロープを接続することが不要となるため、プローブ数を削減することが可能となる。
【選択図】図1The number of probes required for inspection is reduced.
A signal superimposing circuit is disposed in an inspection apparatus and a clock signal is superimposed on a power source from a signal generator and output as a power source after being superimposed. The system LSI 100 extracts the clock signal in the signal extraction circuit 102, outputs the extraction signal 125, and operates the inspection control circuit 104 to inspect the circuit under measurement 101. By transmitting the inspection result to the determination device 205 of the measuring apparatus 200, it is possible to perform inspection with the present inspection system. As a result, it is not necessary to connect a probe to the clock terminal 113 that has been conventionally required, and the number of probes can be reduced.
[Selection] Figure 1
Description
本発明は、検査装置を用いて半導体集積回路を検査するシステムに関する。 The present invention relates to a system for inspecting a semiconductor integrated circuit using an inspection apparatus.
近年、半導体プロセスの微細化と半導体装置の集積化が進み、システムLSIの開発が主流となってきている。システムLSIでは、多種多様の機能を持つ集積回路を1つのチップ内又は1つのパッケージ内におさめている。 In recent years, the miniaturization of semiconductor processes and the integration of semiconductor devices have progressed, and the development of system LSIs has become mainstream. In the system LSI, integrated circuits having various functions are contained in one chip or one package.
その多種多様の機能を検査工程で精度よく保証を行うために重要な点として、システムLSIの可観測性と可制御性の向上が挙げられる。上記の可観測性と可制御性を効率よく行うためには、可制御性の観点では、システムLSIに対して制御させるための制御端子やシステムLSIに対してデータを与えるための入力信号端子が必要となり、また、可観測性の観点では、システムLSIの状態をモニターするための出力信号端子が必要となる。 An important point for accurately guaranteeing the various functions in the inspection process is improvement of observability and controllability of the system LSI. In order to efficiently perform the observability and controllability described above, from the viewpoint of controllability, a control terminal for controlling the system LSI and an input signal terminal for supplying data to the system LSI are provided. From the viewpoint of observability, an output signal terminal for monitoring the state of the system LSI is necessary.
また、半導体集積回路の製造工程では、微細化、集積化が進むにつれウエハー1枚から採れるチップの数が増え続けており、近年の300mmウエハーの到来によりその傾向はより顕著になってきている。そのため、大量生産を行う半導体集積回路の製造工程では、その検査やバーンインをいかに効率良く低コストで実現できるかが課題となる。 In the manufacturing process of a semiconductor integrated circuit, as the miniaturization and integration progress, the number of chips that can be taken from one wafer continues to increase, and the trend has become more prominent with the arrival of 300 mm wafers in recent years. Therefore, in the manufacturing process of a semiconductor integrated circuit that is mass-produced, it becomes a problem how efficiently the inspection and burn-in can be realized at a low cost.
その課題解決の最も有力な手段の1つとして、多数個の同時検査が挙げられる。特に近年では、バーンインをウエハーレベルで行うウエハーレベルバーンインを適用するケースが増えている。ウエハーレベルバーンインを適用すれば、ウエハー単位で一括してストレスをかけることができることより、効率性やコストの面で効果が大きくなる。 One of the most effective means for solving the problem is a large number of simultaneous inspections. In particular, in recent years, an increasing number of cases apply wafer level burn-in in which burn-in is performed at the wafer level. If wafer level burn-in is applied, stress can be applied in batches on a wafer basis, so that the effect is increased in terms of efficiency and cost.
また、プローブ検査においても同様に、採れ数が増えると1枚のウエハーに要する検査時間が膨大になるため、8、16、32個等の複数の半導体集積回路を同時に検査することで高効率化と検査コスト削減を図っている。
しかし、ここで課題となるのがプローブ数である。特にウエハーレベルバーンインではその装置の制約から1チップあたりに接続できるプローブ数に制限があるため、システムLSIが持つ全てのパッドに同時にプローブを当てることは不可能である。この課題は採れ数が増えるほどその影響が大きくなるのは言うまでもない。 However, the issue here is the number of probes. In particular, in wafer level burn-in, the number of probes that can be connected per chip is limited due to the limitations of the apparatus, and therefore it is impossible to apply probes to all pads of the system LSI at the same time. Needless to say, the impact of this issue increases as the number of harvests increases.
加えて、前述のようにシステムLSIでは、電源端子、GND端子、制御端子、入力信号端子、出力信号端子などが多数存在するため、ウエハーレベルバーンイン時にプローブを必要とするパッドは増える傾向にあり、プローブ数の問題は、より一層深刻な課題となってきている。 In addition, as described above, in the system LSI, since there are a large number of power supply terminals, GND terminals, control terminals, input signal terminals, output signal terminals, etc., the number of pads that require probes during wafer level burn-in tends to increase. The problem of the number of probes has become a more serious problem.
本発明による半導体検査システムは、検査装置を用いて半導体集積回路を検査するシステムである。検査装置は、半導体集積回路に供給する電源を生成する電源装置と、電源装置により生成された電源を半導体集積回路に供給するための第1のプローブと、半導体集積回路を検査するための信号を生成する第1の信号発生器と、電源装置により生成された電源に第1の信号発生器により生成された信号を重畳して第1のプローブに供給する第1の信号重畳回路とを備える。半導体集積回路は、第1のプローブから電源の供給を受ける第1の電源端子と、第1の電源端子に供給される電源に重畳された信号を抽出する第1の信号抽出回路と、第1の信号抽出回路により抽出された信号に基づいて被測定回路の検査を行う検査制御回路とを備える。 The semiconductor inspection system according to the present invention is a system for inspecting a semiconductor integrated circuit using an inspection apparatus. The inspection apparatus includes a power supply device that generates power to be supplied to the semiconductor integrated circuit, a first probe for supplying the power generated by the power supply device to the semiconductor integrated circuit, and a signal for inspecting the semiconductor integrated circuit. A first signal generator to be generated, and a first signal superimposing circuit that superimposes the signal generated by the first signal generator on the power generated by the power supply device and supplies the signal to the first probe. The semiconductor integrated circuit includes: a first power supply terminal that receives power supply from the first probe; a first signal extraction circuit that extracts a signal superimposed on the power supply supplied to the first power supply terminal; And an inspection control circuit for inspecting the circuit under measurement based on the signal extracted by the signal extraction circuit.
上記半導体検査システムでは、半導体集積回路の検査用信号(たとえばクロック信号や制御信号など)を電源に重畳して第1のプローブを通じて半導体集積回路の第1の電源端子に供給する。従来の検査装置では、半導体集積回路に検査用信号を供給するためのプローブと電源を供給するためのプローブとが別々に設けられていたが、上記半導体検査システムによれば、検査用信号を供給するためのプローブの数を削減することができる。 In the semiconductor inspection system, an inspection signal (for example, a clock signal or a control signal) of the semiconductor integrated circuit is superimposed on the power supply and supplied to the first power supply terminal of the semiconductor integrated circuit through the first probe. In the conventional inspection apparatus, the probe for supplying the inspection signal to the semiconductor integrated circuit and the probe for supplying the power are provided separately. However, according to the semiconductor inspection system, the inspection signal is supplied. The number of probes for doing so can be reduced.
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。なお、図面において実質的に同一の部分には同じ参照符号を付してその説明は繰り返さない。
《第1の実施形態》
図1は、本発明の第1の実施形態による半導体検査システムの構成を示すブロック図である。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the drawings, substantially the same parts are denoted by the same reference numerals, and the description thereof will not be repeated.
<< First Embodiment >>
FIG. 1 is a block diagram showing the configuration of the semiconductor inspection system according to the first embodiment of the present invention.
図1において、検査装置200は、システムLSI100の検査を行うための装置であり、電源装置201,202と、信号発生器203,204と、判定装置205と、信号重畳回路206と、プローブP1〜P4とを備えている。
In FIG. 1, an
電源装置201は、電源電圧(VDD)を生成し電源ライン221に伝達する。電源装置202は、グランド電圧(GND)を生成しGNDライン222に伝達する。GNDライン222はプローブP2に接続されており、電源装置202により生成されたグランド電圧(GND)はプローブP2を通じてシステムLSI100のGND端子112に供給される。
The
信号発生器203は、信号を生成し信号ライン223に伝達する装置であり、一般的にはパターンジェネレータと呼ばれ、任意のタイミングで任意の信号を生成することができる。本実施形態において信号発生器203は、システムLSI100に与えるクロック信号を生成している。
The
信号発生器204は、信号を生成し制御信号バス224に伝達する装置であり、信号発生器203と同一構成のものを並列に配置することで構成されている。本発明の第1の実施形態において信号発生器204は、システムLSI100を制御する様々な制御信号を生成している。制御信号バス224はプローブP4に接続されており、信号発生器204により生成された信号はプローブP4を通じてシステムLSI100の制御端子115に供給される。
The
判定装置205は、システムLSI100の検査制御回路104からの出力信号であるFLAG信号225と予め決められた任意の値とを比較し判定を行う装置である。システムLSI100の検査制御回路104からのFLAG信号はFLAG端子114に出力され、さらに検査装置200のプローブP3を通じて判定装置205に供給される。また、本実施形態の検査装置200においては、判定装置205と信号発生器203,204とが同期しており、信号発生器203,204の出力タイミングに応じて、任意の期待値とシステムLSI100からの出力との比較を行うことでシステムLSI100の検査を行う。
The
信号重畳回路206は、電源装置201から出力される電源電圧(VDD)を受ける電源ライン221に対して、信号発生器203から出力される出力信号223を重畳し、重畳した結果を信号重畳後電源231としてプローブP1に供給する回路である。たとえば信号重畳回路206は、図1に示すように、電源ライン221に対して信号発生器203の出力信号223をACカップリングすることで、信号発生器203の出力信号223のAC成分と電源装置201からの電源ライン221のDC成分とを備えた電源231ができる。なお、ACカップリングを行う前段に必要に応じて出力信号223を減衰/増幅できる回路があれば望ましい。
The signal
システムLSI100は、被測定回路101と、信号抽出回路102と、ノイズ除去回路103と、検査制御回路104と、VDD端子111と、GND端子112と、クロック端子113と、FLAG端子114と、制御端子115とを備えている。
The
被測定回路101は、システムLSI100の中で検査対象となる回路である。
The circuit under
検査制御回路104は、システムLSI100の検査に関する制御を行う回路である。たとえば検査制御回路104は、検査時における被測定回路101に対する制御および制御信号の生成、被測定回路101に与える信号(データやクロックなど)の生成および入出力、被測定回路101に与える信号の制御、被測定回路101の検査結果の判定、検査結果に対しての判定信号を生成し外部に出力する機能などを備えており、一般的にいわれるBIST回路に相当する。
The
信号抽出回路102は、VDD端子111に供給される電源からある特定の信号を抽出する機能を備えている。たとえば、信号抽出回路102がハイパスフィルターで構成されている場合であれば、ハイパスフィルターのカットオフ周波数で定められた高周波数成分を抽出し、その抽出した信号を抽出信号125として出力する。また、抽出した信号の振幅を必要に応じて増幅もしくは減衰させて抽出信号125として出力する機能を備えることができればさらに望ましい。
The
ノイズ除去回路103は、VDD端子111に供給される電源に重畳されているノイズ成分を除去し、システムLSI100に電源を供給するための回路である。たとえばノイズ除去回路103は、ある特定の周波数成分を除去するためのローパスフィルターなどで構成されており、ノイズ除去回路103を通過することにより、電源に重畳されたノイズ成分を除去することが可能となり、ノイズを除去した電源をノイズ除去後電源131としてシステムLSI100に供給する。
The
次に、上記のシステムLSI100と検査装置200を組み合わせたシステムについて説明を行う。
Next, a system combining the
まず、検査装置200の信号発生器203において、システムLSI100で使用するクロック信号を生成し、出力信号223として信号重畳回路206に伝達する。次に信号重畳回路206において、電源ライン221に対して出力信号223を重畳し信号重畳後電源231を生成する。信号重畳後電源231はプローブP1によりシステムLSI100のVDD端子111に供給される。また、電源装置202により生成されたグランド電圧(GND)がプローブP2によりシステムLSI100のGND端子112に供給され、信号発生器204により生成された信号はプローブP4を通じてシステムLSI100の制御端子115に供給される。このように検査装置200からシステムLSI100に、信号重畳後電源231とグランド電圧(GND)と制御信号とを伝達する。
First, the
一方、システムLSI100は、VDD端子111に供給される信号重畳後電源231を信号抽出回路102とノイズ除去回路103に分配する。信号抽出回路102において、信号重畳後電源231に重畳されたクロック信号を抽出し、抽出信号125として検査制御回路104に伝達する。またノイズ除去回路103において、電源のノイズ成分となる重畳されたクロック信号を除去したノイズ除去後電源131をシステムLSI100の電源として供給する。検査制御回路104は、制御端子115に供給される制御信号の内容に応じてクロック信号121、制御信号122、入力データ信号123を生成して被測定回路101に伝達し、被測定回路101はそれらの信号に応じて動作を行う。
On the other hand, the
被測定回路101の動作結果として出力データ信号124が検査制御回路104に出力される。検査制御回路104は、出力データ信号124について判定を行い、判定結果としてFLAG信号を生成しFLAG端子114に出力する。FLAG端子114に供給されたFLAG信号はプローブP3により検査装置200の判定装置205に伝達される。
An output data signal 124 is output to the
検査装置200の判定装置205において、FLAG信号225の内容と期待値との比較を行うことでシステムLSI100の検査を行うことが可能となる。
The
このように本システムによれば、システムLSI100のクロック端子113に対して直接プローブなどを用いてクロックを供給する必要が無くなるためプローブ数を削減することが可能となる。
Thus, according to the present system, it is not necessary to supply a clock directly to the
なお、ここでは信号発生器203の出力信号223を電源ライン221に重畳する例を示したが、信号発生器203の出力信号223をGNDライン222に重畳するようにしてもよい。この場合、信号重畳回路206は、電源装置202から出力されるグランド電圧(GND)を受けるGNDライン222に対して、信号発生器203から出力される出力信号223を重畳し、重畳した結果をプローブP2に供給する回路として構成される。また、システムLSI100側においては、信号抽出回路102は、GND端子112に供給されるグランド電圧からある特定の信号を抽出する回路として構成され、ノイズ除去回路103は、GND端子112に供給されるグランド電圧に重畳されているノイズ成分を除去し、システムLSI100にグランド電圧を供給するための回路として構成される。
Although an example in which the
また、信号抽出回路102についてハイパスフィルターの構成で説明を行ったが、バンドパスフィルターの構成を採り抽出信号125を生成するようにしてもよい。この場合、必要な信号の周波数成分を特定できるため、抽出された信号の信頼性は高くなる。
Further, although the
また、SCAN回路を用いたBIST回路を前提で説明を行ったが、他の検査についても制御信号に応じて行うことが可能である。たとえば検査制御回路104内に温度測定回路を内蔵し、温度に対しての判定を行うことも可能であり、また検査制御回路104内に電流測定回路を内蔵することで電流測定を行うことも可能であり、同様に電圧測定回路を内蔵することで電圧測定を行うことも可能となり、同様に周波数測定回路を内蔵することで周波数測定を行うことも可能となるなどの様々な検査を行うことが可能となる。
《第2の実施形態》
図2は、本発明の第2の実施形態による半導体検査システムの構成を示すブロック図である。図2と図1で異なる点は、システムLSI100の構成が異なる点であり、以下、第1の実施形態と異なる点を中心に第2の実施形態の説明を行う。
Although the description has been made on the premise of the BIST circuit using the SCAN circuit, other inspections can be performed according to the control signal. For example, a temperature measurement circuit can be built in the
<< Second Embodiment >>
FIG. 2 is a block diagram showing a configuration of a semiconductor inspection system according to the second embodiment of the present invention. The difference between FIG. 2 and FIG. 1 is that the configuration of the
図2のシステムでは、検査制御回路104を、複数の独立したBIST回路BIST_A,BIST_B,BIST_Cとして構成している。各BIST回路BIST_A〜Cはそれぞれ被測定回路101の対応する回路ブロックA,B,Cの検査に関する制御を行う回路である。各BIST回路BIST_A〜Cは、BIST制御回路からの制御信号の内容に応じてクロック信号121A〜C、制御信号122A〜C、入力データ信号123A〜Cを生成して回路ブロックA〜Cに伝達し、回路ブロックA〜Cはそれらの信号に応じて動作を行う。回路ブロックA〜Cの動作結果として出力データ信号124A〜CがそれぞれBIST回路BIST_A〜Cに出力される。各BIST回路BIST_A〜Cは、出力データ信号124A〜Cについて判定を行い、判定結果をBIST制御回路に出力する。BIST制御回路は、各BIST回路BIST_A〜Cからの判定結果に基づいてFLAG信号を生成しFLAG端子114に出力する。このように構成された検査制御回路104において、制御信号バス224の内容に応じて任意のBIST回路のみを動作させるようにすれば、検査時における電源電流の削減を行うことができる。言い換えると電源ノイズを削減することができるため、システムLSI100に重畳される信号の信頼性が向上する。
In the system of FIG. 2, the
また、図2のシステムでは、周波数変換回路を設けることにより、被測定回路101を動作させるクロック信号121A〜Cを、信号抽出回路102で生成された抽出信号125と異なる周波数成分を持つ信号としている。例えば、抽出信号125を分周したクロックやPLLなどで逓倍されたクロックをクロック信号121A〜Cとして入力することにより、電源ノイズの周波数成分とクロック信号121A〜Cの周波数成分とが異なることとなる。そのことにより、重畳された信号(ここではクロック信号121A〜C)の信頼性が高くなる。
In the system of FIG. 2, by providing a frequency conversion circuit, the clock signals 121A to 121C for operating the circuit under
また、図2のシステムでは、信号抽出回路102を、複数の周波数帯域の信号を抽出できるよう、周波数帯域の異なるバンドパスフィルターを複数用いて構成している。同様に、信号重畳回路206で重畳する信号の周波数についても、信号抽出回路102に合わせ複数の信号発生器203からそれぞれ異なる周波数帯域の信号を重畳する回路を構成し、システムLSI100に伝達を行う。
In the system of FIG. 2, the
信号抽出回路102では複数の周波数帯域の異なる信号を抽出することができる。その信号を検査制御回路104に伝達することで、検査制御回路104は複数の周波数の信号を扱うことが可能となる。それにより、被測定回路101に応じて周波数を割り当てることで被測定回路101の実動作試験が可能となる。
The
また、複数の独立したBIST回路BIST_A〜Cを各々の周波数で動作させることもでき、その場合は周波数帯域が異なる信号で動くため、電源ノイズの周波数成分が拡散される。 In addition, a plurality of independent BIST circuits BIST_A to C can be operated at respective frequencies. In this case, the frequency components of power supply noise are diffused because they operate with signals having different frequency bands.
また、検査制御回路104に任意の複数の周波数の信号が入力されるため、検査制御回路104に周波数検知機能を持たせることで任意の周波数の信号が正しく入力されていることが解る。言い換えると、検査以外の状態において任意の複数の周波数信号が入力していることはないため、検査制御回路104は検査状態にあることを認識することができる。これにより、検査状態であることを認識するために必要としていた、制御端子115から入力している制御信号バス224の信号数を削減することが可能となる。
《第3の実施形態》
図3は、本発明の第3の実施形態における半導体検査システムの構成を示すブロック図である。図3と図1で異なる点は、システムLSI100の構成が異なる点であり、信号抽出回路102の後段にクロック生成回路108を配置している点である。また検査装置200から出力する信号重畳後電源231の信号の内容が第1の実施形態と異なる点である。以下、第1の実施形態と異なる点を中心に第3の実施形態の説明を行う。
Further, since signals having a plurality of arbitrary frequencies are input to the
<< Third Embodiment >>
FIG. 3 is a block diagram showing a configuration of a semiconductor inspection system according to the third embodiment of the present invention. The difference between FIG. 3 and FIG. 1 is that the configuration of the
まず、検査装置200においては、信号発生器203から任意の一定周期で出力される同期パターンを出力信号223として出力し、信号重畳回路206で同期パターンを重畳する。また、出力信号223の同期パターンのフォーマットについては、任意の決められたパターン構成とする。
First, in the
次に、システムLSI100においては、クロック生成回路108は、任意の一定周期で出力される同期パターンを基にクロックを生成する回路であり、たとえば、PLL回路と同期パターン検出回路で構成される。
Next, in the
図3のシステムでは、任意の一定周期で出力される同期パターンを重畳した信号重畳後電源231が検査装置200からシステムLSI100に伝達される。
In the system of FIG. 3, a signal superimposed
システムLSI100では、信号抽出回路102からの抽出信号125がクロック生成回路108に入力される。クロック生成回路108の同期パターン検出回路は、入力された同期パターンと任意の決められたパターン構成とを比較することにより、同期パターンが出力した同期タイミングを検出し、PLL回路に伝達する。PLL回路ではそこで得られた同期タイミングを基に任意の逓倍クロックを生成しメインクロック142として検査制御回路105に伝達する。検査制御回路104ではそのクロック142を用いて被測定回路101の検査を行い、その結果を検査装置200に伝達する。
In the
第3の実施形態では、同期信号を用いることで同期パターン以外の時間については信号を動作させる必要性が無くなる。たとえば10MHzのクロックが必要な場合において、第1の実施形態では常にクロック信号を信号重畳回路206により重畳させる必要性が有ったが、第3の実施形態では、同期パターンを低速の周期とし、また同期パターンのDuty比を999:1などにすることで、信号重畳後電源231がふれている時間が1000分の2となるため、信号を重畳することに伴う電源ノイズを低減することが可能となる。
《第4の実施形態》
図4は、本発明の第4の実施形態における半導体検査システムの構成を示すブロック図である。図4と図3で異なる点は、検査装置200において遅延回路210が設けられ、システムLSI100においてOR回路160が設けられている点である。以下、第3の実施形態と異なる点を中心に第4の実施形態の説明を行う。
In the third embodiment, the use of the synchronization signal eliminates the need to operate the signal for times other than the synchronization pattern. For example, when a 10 MHz clock is required, the first embodiment always has to superimpose the clock signal by the
<< Fourth Embodiment >>
FIG. 4 is a block diagram showing a configuration of a semiconductor inspection system according to the fourth embodiment of the present invention. 4 differs from FIG. 3 in that a
図4のシステムでは、システムLSI100のFLAG端子114より抽出信号125が出力される。検査制御回路104による検査状況がOKであった場合は出力し、検査状況がNGであった場合は出力しないよう、検査制御回路104の後段のOR回路160で制御し、判定装置205に入力する。また、信号発生器203の出力信号223を遅延回路210(LSI100との同期のため)を通じた後に判定装置205に入力する。これにより、信号発生器203で発生した信号223とLSI100のFLAG端子114から出力された信号225(この場合は信号発生器203の出力信号)とが同一であるため、比較を行うことが可能となる。この動作により、信号発生器203で発生した信号の信頼性と判定結果の信頼性は向上する。
《第5の実施形態》
図5は、本発明の第5の実施形態における半導体検査システムの構成を示すブロック図である。図5と図3で異なる点は、検査装置200の構成が異なり、信号抽出回路207を新たに設け、信号抽出回路207を信号重畳後電源231と接続し、判定装置205の前段に配置している点である。また、システムLSI100においては、検査制御回路104の後段に符号化回路150を配置し、符号化回路150の後段に信号重畳回路151を配置し、信号重畳後電源231に信号を重畳する点と、信号抽出回路102の後段に復号回路110を配置している点、検査制御回路104の後段にチップID回路109を配置している点である。復号回路110は、予め決められたフォーマットで入力された信号を復号する回路である。
In the system of FIG. 4, the
<< Fifth Embodiment >>
FIG. 5 is a block diagram showing a configuration of a semiconductor inspection system according to the fifth embodiment of the present invention. The difference between FIG. 5 and FIG. 3 is that the configuration of the
データフォーマットの一例を図6に示す。データフォーマットのタイミングはあらかじめ決められている。基準となる同期信号を検出し、同期信号と次の同期信号間のクロックをクロック生成回路108で生成する。ここでは10000CLOCKとなる。このクロック周期を1Tと定義する。このクロックを用いて入力データのサンプリングを行う。また、出力するデータもこのクロックに同期する形で出力を行う。同期信号に用いられているパルス幅については、それ以降の制御信号、チップIDデータ、入力データ、出力データで使用されないパルス幅で構成される。また、誤検出防止のため、最小パルス幅(ここでは3T)と最大パルス幅(ここでは11T)を組み合わせて同期信号とすることで信頼性は向上する。
An example of the data format is shown in FIG. The timing of the data format is predetermined. A reference synchronization signal is detected, and the
次に、上記のシステムLSI100と検査装置200を組み合わせたシステムについて説明を行う。
Next, a system combining the
まず、検査装置200から出力する信号重畳後電源231には、前述のフォーマットの同期パターン、制御信号領域、チップID符号領域、データ領域で構成された信号が重畳される。
First, the signal composed of the synchronization pattern, the control signal area, the chip ID code area, and the data area in the above-described format is superimposed on the
信号抽出回路102は、周波数成分が異なる3Tから11Tまでのデータを抽出できるフィルター構成としており、同期パターン、制御信号領域、チップID符号領域、データ領域で構成された信号の抽出信号125を出力し、クロック生成回路108と復号回路110に伝達する。
The
復号回路110は、信号抽出回路102からの抽出信号125とクロック生成回路108で生成されたメインクロック142を入力し、同期パターンとそれ以外の領域(制御信号領域、チップID符号領域、データ領域)の分離を行い、制御信号領域、チップID符号領域、データ領域の信号の抽出を行う。抽出された制御信号領域、チップID符号領域、データ領域の信号を復号信号143として検査制御回路104に伝達する。
The
検査制御回路104においては、その復号信号143とメインクロック142を用いて被測定回路101の検査および判定を行う。第3の実施形態においてはメインクロック142のみを用いて被測定回路101の検査および判定を行っているが、本実施形態によれば、第3の実施形態よりもデータ量が増えるため、被測定回路101の可制御性が高くなる。検査制御回路104は、判定結果を出力信号145として符号化回路150に出力するとともに出力制御信号144を符号化回路150に伝達する。符号化回路150は出力信号145と出力制御信号144をもとに予め決められたフォーマットに従い符号化を行い、符号化信号146を出力する。信号重畳回路151は信号重畳回路206と同一要素で構成されており、符号化信号146に応じて信号重畳後電源231に信号の重畳を行う。
In the
このように本実施形態では、データフォーマットに制御信号領域を設け、制御信号領域のデータを用いて検査制御回路104の動作を制御している。たとえば、検査制御回路104の中に制御信号領域のデータをデコードする回路を内蔵し、そのデコード結果に応じて検査制御を行う。このことにより、システムLSI100に制御信号を供給するための専用のプローブP4の数を削減することが可能となる。
As described above, in this embodiment, the control signal area is provided in the data format, and the operation of the
検査装置200においては、信号重畳後電源231から信号抽出回路207により符号化信号146のデータを抽出しFLAG信号225を生成し判定装置205に伝達し、FLAG信号225の判定を判定装置205で行う。なお、信号抽出回路207は信号抽出回路102と同一要素で構成されている。
In the
このように本実施形態では、FLAG信号225の内容を信号重畳後電源231に重畳しているため、システムLSI100のFLAG端子114からFLAG信号225を入手するためのプローブP3の数を削減することが可能となる。
Thus, in this embodiment, since the contents of the
また、信号重畳後電源231に重畳されている信号フォーマットに入出力極性を持たせることで信号の入出力の極性を区別することができ、これにより、判定装置205の誤判定発生確率が削減できる。たとえば、検査装置200は、同期パターンとデータ領域と制御信号領域とチップID符号領域とで構成されるシステムLSI100への信号を先に出力し、次に同期パターンと出力データ領域とで構成される信号を受け取る。それを繰り返すことで双方向の通信を時分割で行えるため、信号の入出力の極性を区別することができるため、判定装置205の誤判定発生確率が削減できる。また、その際には同期パターンは検査装置200から常に出力を行い、それに応じてシステムLSI100から出力データ領域とチップID符号領域を出力する方が本検査システムではシステムLSI100のメインクロック142が安定するため望ましい。
Also, by giving the input / output polarity to the signal format superimposed on the
また、本実施形態では、データフォーマットにチップID符号領域を設け、検査制御回路104の後段にチップID回路109を配置し、チップID符号領域のデータとチップID回路109のデータとを検査制御回路104で比較している。これにより、たとえば、複数のシステムLSI100を一括で検査を行う場合において、チップID符号領域のデータと、制御信号領域のデータを組み合わせることにより、任意のシステムLSI100に対しての制御を行うことができる。
Further, in this embodiment, a chip ID code area is provided in the data format, a
図7は、複数のシステムLSI100a,100bを一括で検査を行う場合にチップID回路109を使用した一例である。なお、図7では主要な構成要素のみを示しており、一部の構成要素を省略している。検査制御回路104で被測定回路101に与える必要な信号を生成するが、チップIDを使用することによって、信号に載せられたチップIDと各システムLSI100a,100bに割り振られたID番号とをIDデコーダで照合し制御することが可能となる。たとえば、ID番号0000のチップ100aに対して検査結果を出力する命令を入れた場合、ID番号0000の検査結果をトライステートバッファをイネーブルとし、出力することが可能となる。このときID番号0001のチップ100bは自分の番号ではないので、トライステートバッファをディスイネーブルとし検査結果を出力しないこととする。これにより、チップを個別に制御できる。また被測定回路101に与える入力も同様にIDに応じて動作を行うか否かの制御を行うことが可能となる。
FIG. 7 shows an example in which the
本実施形態では、FLAG信号225の出力制御について制御信号領域が出力命令を出すと共にチップID符号領域のデータでシステムLSI100を特定するため、指定されたシステムLSI100のみFLAG信号225を出力することが可能となる。これにより複数のFLAG信号225を受ける判定装置205について複数用意する必要性が無くなる。
In this embodiment, since the control signal area issues an output command for the output control of the
また、出力信号145にチップID符号を内挿することで、複数のシステムLSI100について一括で検査を行っている場合においても、チップID符号を基にシステムLSI100の特定が可能となる。これにより、信号重畳後電源231が複数のシステムLSIで共用できることとなるため、検査装置200の構成が簡素化できる。
Further, by interpolating the chip ID code into the
なお、前述のフォーマットは同期パターンとデータ領域と制御信号領域とチップID符号領域で構成されていたが、さらに冗長符号領域を追加することと、復号回路110は、冗長符号に基づいた誤り検出もしくは誤り訂正の機能を持つことで、受け取ったデータに誤りがあることを検出もしくは訂正することが可能となり、復号信号143のデータの信頼性が高くなる。また、符号化回路150より出力される符号化信号146に冗長符号を内挿し、また判定装置205に冗長符号を基に誤り検出ないしは誤り訂正を行う機能を持たせることで、判定装置205の誤判定発生確率が削減できる。
《第6の実施形態》
図8は、本発明の第6の実施形態における半導体検査システムの構成を示すブロック図である。図8と図1で異なる点は、まず検査装置200の構成が異なり、電源装置201から出力する電源ライン221と電源装置202から出力するGNDライン222の後段に差動信号重畳回路406を配置し、信号発生器203から出力した出力信号223を差動信号として重畳し、差動電源信号232、差動GND信号233を生成する点である。
The above-described format is composed of a synchronization pattern, a data area, a control signal area, and a chip ID code area. However, adding a redundant code area, the
<< Sixth Embodiment >>
FIG. 8 is a block diagram showing a configuration of a semiconductor inspection system according to the sixth embodiment of the present invention. The difference between FIG. 8 and FIG. 1 is that the configuration of the
システムLSI100においては、差動電源信号232、差動GND信号233から信号を抽出する差動信号抽出回路302を備え、信号の抽出を行い、検査制御回路104に伝達を行う。また、差動信号が電源、GNDに重畳されているため、それぞれの重畳された信号を除去するためのノイズ除去回路103で構成されている点である。
The
差動信号重畳回路406の回路構成例としては、差動出力アンプと前記の信号重畳回路206で構成され、出力信号223をまず差動出力アンプで差動信号に変換を行い、電源ライン221と電源に重畳する差動信号を用いて信号重畳回路206で信号を重畳し、差動電源信号232として出力をおこなう。同様に出力信号223を差動アンプで差動信号に変換を行い、GNDライン222とGNDに重畳する差動信号を用いて信号重畳回路206で信号を重畳し、差動GND信号233を出力する。
An example of the circuit configuration of the differential
差動信号抽出回路302の回路構成例としては、オフセット電圧除去回路と差動入力アンプと前記の信号抽出回路106で構成され、差動電源信号232と差動GND信号233の信号をそれぞれオフセット電圧除去回路に入力しDC成分の除去をおこなう。オフセット除去後の差動信号を差動入力アンプの+側、−側で受け差動信号の電圧差を基に信号を生成し、信号抽出回路106に伝達する。信号抽出回路106では出力クロック信号124を生成し、検査制御回路106の伝達する。
An example of the circuit configuration of the differential
本発明の第6の実施形態における半導体検査システムは、前記の検査装置200とシステムLSI100を組み合わせる事によって、実施形態1と同様に半導体検査を行うことができる。
A semiconductor inspection system according to the sixth embodiment of the present invention can perform a semiconductor inspection in the same manner as in the first embodiment by combining the
本発明の第6の実施形態は、重畳する信号に差動信号を用いることで、電源側とGND側の両方から信号を得られるため、第1の実施形態の信号重畳後電源231を用いるものより信号の信頼性が向上する。信号の信頼性が向上することより、重畳する信号振幅レベルを下げることができるため、信号を重畳することに伴う電源ノイズを削減する効果が得られる。
In the sixth embodiment of the present invention, a signal is obtained from both the power supply side and the GND side by using a differential signal as a signal to be superimposed. Therefore, the signal superimposed
また、第1の実施形態を用いて説明を行ったが、同様に差動信号を用いることは第2〜4の実施形態についても適用することが可能である。
《第7の実施形態》
図9は、本発明の第7の実施形態における半導体検査システムの構成を示すブロック図である。図9と図5で異なる点は、まず検査装置200の構成が異なり、第6の実施形態で説明した差動信号重畳回路406で、電源装置201から出力する電源ライン221と電源装置202から出力するGNDライン222に、信号発生器203,204から出力された信号を差動信号として重畳し、差動電源信号232、差動GND信号233を生成する点と信号抽出回路207に替えて差動信号抽出回路407を配置した点である。
Moreover, although it demonstrated using 1st Embodiment, it can be applied also to 2nd-4th embodiment similarly using a differential signal.
<< Seventh Embodiment >>
FIG. 9 is a block diagram showing a configuration of a semiconductor inspection system according to the seventh embodiment of the present invention. 9 and 5 are different in the configuration of the
システムLSI100においては、第6の実施形態で説明した、差動電源信号232、差動GND信号233から信号を抽出する差動信号抽出回路302を備え、信号の抽出を行い、検査制御回路104に伝達を行う。また、差動信号が電源、GNDに重畳されているため、それぞれの重畳された信号を除去するためのノイズ除去回路103で構成されている点と、信号重畳回路151に替えて差動信号重畳回路351を配置した点である。
The
また、差動信号抽出回路407は差動信号抽出回路302と同一要素で構成されており、それにより、符号化信号146のデータを抽出しFLAG信号225を生成し判定装置205に伝達を行い、FLAG信号225の判定を判定装置205で行う。
Further, the differential
また、差動信号重畳回路351は差動信号重畳回路406と同一要素で構成されており、符号化信号146に応じて差動電源信号232、差動GND信号233に信号の重畳を行う。
Further, the differential
本発明の第7の実施形態における半導体検査システムは、前記の検査装置200とシステムLSI100を組み合わせることによって、実施形態5と同様に半導体検査を行うことができる。
The semiconductor inspection system according to the seventh embodiment of the present invention can perform the semiconductor inspection similarly to the fifth embodiment by combining the
また、差動信号を用いることで、第6の実施形態と同様に信号の信頼性が向上することと、信号の信頼性が向上することより、重畳する信号振幅レベルを下げることができるため、信号を重畳することに伴う電源ノイズを削減する効果が得られる。
《第8の実施形態》
図10は、本発明の第8の実施形態における半導体検査システムの構成を示すブロック図である。図10と図9で異なる点は、まず検査装置200の構成が異なり、第6の実施形態で説明した、電源装置201から出力する電源ライン221と電源装置202から出力するGNDライン222を差動信号重畳回路406に入力するとともに、電源ライン221を外部へ出力するためのプローブP5とGNDライン222を外部へ出力するためのプローブP6を設けた点である。
Also, by using differential signals, the signal amplitude level to be superimposed can be lowered by improving the signal reliability as in the sixth embodiment and improving the signal reliability. An effect of reducing power supply noise caused by superimposing signals can be obtained.
<< Eighth Embodiment >>
FIG. 10 is a block diagram showing a configuration of a semiconductor inspection system according to the eighth embodiment of the present invention. The difference between FIG. 10 and FIG. 9 is that the configuration of the
システムLSI100においては、電源およびGNDにバイパス回路を備えており、ノイズ除去後電源131に、信号が重畳されていない電源である電源ライン221をプローブP5および端子116を通じて接続し、また、ノイズ除去後GND131に、信号が重畳されていないGNDであるGNDライン222をプローブP6および端子117を通じて接続している点である。
In the
電源およびGNDに対してバイパス回路を構成することにより、電源、GNDの強化が図れることは言うまでも無い。また、特にプローブを用いるテストにおいては、1ピンあたりに流すことができる許容電流量についての制限がある。たとえば1ピンあたりの許容電流量が100mAとした場合においては、第7の実施形態で検査可能なLSIの消費電流は100mA以下のものに限定される。図10の構成を採ることで2ピン分のバイパス回路が入るため300mAまでの消費電流のLSIについて検査可能となる。また、バイパス回路は、検査以外の通常使用時の電源、GNDと兼用することは可能である。言い換えると、システムLSI100の差動電源信号232、差動GND信号233を入出力する端子をテスト専用端子とすることも可能である。また、そのテスト専用端子については誤動作防止回路(たとえばノイズ除去回路としてシュミットインバータ)を備えることで検査以外の通常使用時において誤動作が発生しシステムLSI100の動作に影響を与えないようにすることも可能である。
It goes without saying that the power supply and GND can be strengthened by configuring a bypass circuit for the power supply and GND. In particular, in a test using a probe, there is a limit on an allowable current amount that can flow per pin. For example, when the allowable current amount per pin is 100 mA, the consumption current of the LSI that can be inspected in the seventh embodiment is limited to 100 mA or less. By adopting the configuration shown in FIG. 10, a bypass circuit for two pins is inserted, so that an LSI with a current consumption of up to 300 mA can be inspected. Further, the bypass circuit can also be used as a power supply and GND during normal use other than inspection. In other words, the terminals for inputting / outputting the differential
本発明は、半導体集積回路の検査全般に対して適用可能であるが、中でもプローブを用いる検査においてプローブ数を削減することが可能となるため、複数個を同時に検査するプローブ検査や、ウエハーを一括で検査を行うウエハーレベルバーンインなどが特に有効である。 The present invention can be applied to general inspection of semiconductor integrated circuits, but in particular, since it is possible to reduce the number of probes in inspection using probes, probe inspection for simultaneously inspecting a plurality of wafers or a batch of wafers. Wafer level burn-in, etc., in which inspection is performed in particular, is particularly effective.
100 システムLSI
101 被測定回路
102 信号抽出回路
103 ノイズ除去回路
104 検査制御回路
108 クロック生成回路
110 復号回路
111 VDD端子
112 GND端子
113 クロック端子
114 FLAG端子
115 制御端子
150 符号化回路
151 信号重畳回路
160 OR回路
200 検査装置
201 電源装置(VDD出力)
202 電源装置(GND出力)
203 信号発生器(クロック信号)
204 信号発生器(制御信号)
205 判定装置
206 信号重畳回路
207 信号抽出回路
210 遅延回路
302 差動信号抽出回路
351 差動信号重畳回路
406 差動信号重畳回路
407 差動信号抽出回路
P1〜P6 プローブ
100 system LSI
101 circuit under
202 Power supply (GND output)
203 Signal generator (clock signal)
204 Signal generator (control signal)
205
Claims (27)
前記検査装置は、
前記半導体集積回路に供給する電源を生成する電源装置と、
前記電源装置により生成された電源を前記半導体集積回路に供給するための第1のプローブと、
前記半導体集積回路を検査するための信号を生成する第1の信号発生器と、
前記電源装置により生成された電源に前記第1の信号発生器により生成された信号を重畳して前記第1のプローブに供給する第1の信号重畳回路とを備え、
前記半導体集積回路は、
前記第1のプローブから電源の供給を受ける第1の電源端子と、
前記第1の電源端子に供給される電源に重畳された信号を抽出する第1の信号抽出回路と、
前記第1の信号抽出回路により抽出された信号に基づいて被測定回路の検査を行う検査制御回路とを備える、
ことを特徴とする半導体検査システム。 A system for inspecting a semiconductor integrated circuit using an inspection apparatus,
The inspection device includes:
A power supply device for generating power to be supplied to the semiconductor integrated circuit;
A first probe for supplying power generated by the power supply device to the semiconductor integrated circuit;
A first signal generator for generating a signal for inspecting the semiconductor integrated circuit;
A first signal superimposing circuit that superimposes the signal generated by the first signal generator on the power source generated by the power supply device and supplies the signal to the first probe;
The semiconductor integrated circuit is:
A first power supply terminal receiving power supply from the first probe;
A first signal extraction circuit for extracting a signal superimposed on a power source supplied to the first power source terminal;
An inspection control circuit that inspects the circuit under measurement based on the signal extracted by the first signal extraction circuit;
A semiconductor inspection system characterized by that.
前記電源装置は、
電源電圧とグランド電圧とを生成し、
前記第1のプローブは、
前記電源装置により生成された電源電圧を前記半導体集積回路に供給するための第2のプローブと、
前記電源装置により生成されたグランド電圧を前記半導体集積回路に供給するための第3のプローブとを含み、
前記第1の電源端子は、
前記第2のプローブから電源電圧の供給を受ける第2の電源端子と、
前記第3のプローブからグランド電圧の供給を受ける第3の電源端子とを含む、
ことを特徴とする半導体検査システム。 In claim 1,
The power supply device
Generate power supply voltage and ground voltage,
The first probe includes:
A second probe for supplying a power supply voltage generated by the power supply device to the semiconductor integrated circuit;
A third probe for supplying a ground voltage generated by the power supply device to the semiconductor integrated circuit,
The first power supply terminal is
A second power supply terminal that receives supply of power supply voltage from the second probe;
A third power supply terminal that receives a ground voltage from the third probe,
A semiconductor inspection system characterized by that.
前記第1の信号重畳回路は、
前記第1の信号発生器により生成された信号を前記電源装置により生成された電源電圧に重畳して前記第2のプローブに供給し、
前記第1の信号抽出回路は、
前記第2の電源端子に供給される電源電圧に重畳された信号を抽出する、
ことを特徴とする半導体検査システム。 In claim 2,
The first signal superimposing circuit includes:
Supplying the second probe with the signal generated by the first signal generator superimposed on the power supply voltage generated by the power supply device;
The first signal extraction circuit includes:
Extracting a signal superimposed on a power supply voltage supplied to the second power supply terminal;
A semiconductor inspection system characterized by that.
前記第1の信号重畳回路は、
前記第1の信号発生器により生成された信号を前記電源装置により生成されたグランド電圧に重畳して前記第3のプローブに供給し、
前記第1の信号抽出回路は、
前記第3の電源端子に供給されるグランド電圧に重畳された信号を抽出する、
ことを特徴とする半導体検査システム。 In claim 2,
The first signal superimposing circuit includes:
A signal generated by the first signal generator is superimposed on a ground voltage generated by the power supply device and supplied to the third probe;
The first signal extraction circuit includes:
Extracting a signal superimposed on a ground voltage supplied to the third power supply terminal;
A semiconductor inspection system characterized by that.
前記第1の信号重畳回路は、
前記第1の信号発生器により生成された信号を前記電源装置により生成された電源電圧とグランド電圧とに差動で重畳して前記第2および第3のプローブに供給し、
前記第1の信号抽出回路は、
前記第2の電源端子に供給される電源電圧と前記第3の電源端子に供給されるグランド電圧とに差動で重畳された信号を抽出する、
ことを特徴とする半導体検査システム。 In claim 2,
The first signal superimposing circuit includes:
A signal generated by the first signal generator is differentially superimposed on a power supply voltage and a ground voltage generated by the power supply device and supplied to the second and third probes;
The first signal extraction circuit includes:
Extracting a differentially superimposed signal between a power supply voltage supplied to the second power supply terminal and a ground voltage supplied to the third power supply terminal;
A semiconductor inspection system characterized by that.
前記半導体集積回路は、
前記第1の電源端子に供給される電源に重畳されているノイズ成分を除去して内部回路に供給するノイズ除去回路をさらに備える、
ことを特徴とする半導体検査システム。 In claim 1,
The semiconductor integrated circuit is:
A noise removing circuit that removes a noise component superimposed on a power source supplied to the first power source terminal and supplies the noise component to an internal circuit;
A semiconductor inspection system characterized by that.
前記検査制御回路は複数のBIST回路を含み、
前記複数のBIST回路の各々は、
前記被測定回路の対応する部分を検査するものであり、
前記検査制御回路は、
前記複数のBIST回路の各々を制御信号に応じて活性化/不活性化する、
ことを特徴とする半導体検査システム。 In claim 1,
The inspection control circuit includes a plurality of BIST circuits,
Each of the plurality of BIST circuits includes:
Inspecting the corresponding part of the circuit under test,
The inspection control circuit includes:
Activating / deactivating each of the plurality of BIST circuits according to a control signal;
A semiconductor inspection system characterized by that.
前記制御検査回路から前記被測定回路に対して伝達する信号の周波数と前記第1の信号抽出回路で抽出する信号の周波数とが異なる、
ことを特徴とする半導体検査システム。 In claim 1,
The frequency of the signal transmitted from the control inspection circuit to the circuit under test is different from the frequency of the signal extracted by the first signal extraction circuit.
A semiconductor inspection system characterized by that.
前記第1の信号発生器は、
各々異なる周波数の信号を生成する複数の信号発生ユニットを含み、
前記第1の信号抽出回路は、
前記第1の電源端子に供給される電源に重畳された信号のうち各々異なる周波数の信号を抽出する複数の信号抽出ユニットを含む、
ことを特徴とする半導体検査システム。 In claim 1,
The first signal generator is
A plurality of signal generating units each generating a signal of a different frequency;
The first signal extraction circuit includes:
A plurality of signal extraction units for extracting signals having different frequencies from among signals superimposed on a power source supplied to the first power source terminal;
A semiconductor inspection system characterized by that.
前記検査制御回路は、
複数の任意の周波数信号について検知を行う機能を搭載しており、複数の任意の周波数信号状態に応じて制御信号を生成し、前記被測定回路の制御を行う、
ことを特徴とする半導体検査システム。 In claim 9,
The inspection control circuit includes:
It has a function of detecting a plurality of arbitrary frequency signals, generates a control signal according to a plurality of arbitrary frequency signal states, and controls the circuit under test.
A semiconductor inspection system characterized by that.
前記第1の信号発生器により生成される信号は、任意の一定周期の同期信号を含み、
前記半導体集積回路は、
前記第1の信号抽出回路により抽出された同期信号に基づいてクロック信号を生成するクロック生成回路をさらに備え、
前記検査制御回路は、
前記クロック生成回路により生成されたクロック信号を用いて前記被測定回路を検査する、
ことを特徴とする半導体検査システム。 In claim 1,
The signal generated by the first signal generator includes a synchronization signal having an arbitrary fixed period,
The semiconductor integrated circuit is:
A clock generation circuit for generating a clock signal based on the synchronization signal extracted by the first signal extraction circuit;
The inspection control circuit includes:
Inspecting the circuit under test using a clock signal generated by the clock generation circuit;
A semiconductor inspection system characterized by that.
前記第1の信号発生器により生成される信号は、前記同期信号に続く任意のデータ信号をさらに含む、
ことを特徴とする半導体検査システム。 In claim 11,
The signal generated by the first signal generator further includes an arbitrary data signal following the synchronization signal,
A semiconductor inspection system characterized by that.
前記第1の信号発生器により生成される信号は、前記同期信号に続く制御信号をさらに含む、
ことを特徴とする半導体検査システム。 In claim 11,
The signal generated by the first signal generator further includes a control signal following the synchronization signal,
A semiconductor inspection system characterized by that.
前記第1の信号発生器により生成される信号は、検査対象チップのチップID符号を含み、
前記半導体集積回路は、
前記半導体集積回路のチップID符号を前記検査制御回路に伝達するチップID回路をさらに備え、
前記検査制御回路は、
前記第1の信号抽出回路により抽出されたチップID符号と前記チップID回路からのチップID符号とを比較し、比較結果に基づいて前記被測定回路の検査を行う、
ことを特徴とする半導体検査システム。 In claim 1,
The signal generated by the first signal generator includes a chip ID code of the inspection target chip,
The semiconductor integrated circuit is:
A chip ID circuit for transmitting a chip ID code of the semiconductor integrated circuit to the inspection control circuit;
The inspection control circuit includes:
The chip ID code extracted by the first signal extraction circuit is compared with the chip ID code from the chip ID circuit, and the circuit under test is inspected based on the comparison result.
A semiconductor inspection system characterized by that.
前記第1の信号発生器により生成される信号は、当該信号の信頼性を高めるための冗長符号を含み、
前記半導体集積回路は、
前記第1の信号抽出回路により抽出された信号に含まれている冗長符号に基づいて当該抽出信号を復合化する復号回路をさらに備え、
前記検査制御回路は、
前記復号回路により復号化された信号に基づいて前記被測定回路の検査を行う、
ことを特徴とする半導体検査システム。 In claim 1,
The signal generated by the first signal generator includes a redundant code for increasing the reliability of the signal,
The semiconductor integrated circuit is:
A decoding circuit for decoding the extracted signal based on a redundant code included in the signal extracted by the first signal extracting circuit;
The inspection control circuit includes:
Inspecting the circuit under measurement based on the signal decoded by the decoding circuit,
A semiconductor inspection system characterized by that.
前記半導体集積回路は、
前記検査制御回路により得られた検査結果を示す信号を前記第1の電源端子に供給される電源に重畳する第2の信号重畳回路をさらに備え、
前記検査装置は、
前記第2の信号重畳回路により重畳された信号を抽出する第2の信号抽出回路と、
前記第2の信号抽出回路により抽出された信号の内容を判定する判定装置とをさらに備える、
ことを特徴とする半導体検査システム。 In claim 1,
The semiconductor integrated circuit is:
A second signal superimposing circuit that superimposes a signal indicating a test result obtained by the test control circuit on a power source supplied to the first power source terminal;
The inspection device includes:
A second signal extraction circuit for extracting the signal superimposed by the second signal superposition circuit;
A determination device for determining the content of the signal extracted by the second signal extraction circuit;
A semiconductor inspection system characterized by that.
前記判定装置は、
前記第1の信号発生器により生成された信号と前記第2の信号抽出回路により抽出された信号との差分を用いて、前記第2の信号抽出回路により抽出された信号の内容を判定する、
ことを特徴とする半導体検査システム。 In claim 16,
The determination device includes:
Using the difference between the signal generated by the first signal generator and the signal extracted by the second signal extraction circuit to determine the content of the signal extracted by the second signal extraction circuit;
A semiconductor inspection system characterized by that.
前記第2の信号重畳回路により重畳される信号の周波数帯域と前記第1の信号発生器により生成される信号の周波数帯域とが異なる、
ことを特徴とする半導体検査システム。 In claim 16,
The frequency band of the signal superimposed by the second signal superposition circuit is different from the frequency band of the signal generated by the first signal generator.
A semiconductor inspection system characterized by that.
前記第2の重畳回路は、
前記半導体集積回路のチップID符号を内挿した信号を重畳する、
ことを特徴とする半導体検査システム。 In claim 16,
The second superposition circuit includes:
Superimposing a signal interpolating the chip ID code of the semiconductor integrated circuit;
A semiconductor inspection system characterized by that.
前記第2の重畳回路は、
冗長符号を内挿した信号を重畳する、
ことを特徴とする半導体検査システム。 In claim 16,
The second superposition circuit includes:
Superimpose a signal interpolated with a redundant code,
A semiconductor inspection system characterized by that.
前記検査装置は、
前記電源装置により生成された電源を前記半導体集積回路に供給するための第4のプローブをさらに備え、
前記半導体集積回路は、
前記第4のプローブから電源の供給を受ける第4の電源端子をさらに備え、
前記第4の電源端子は、
前記ノイズ除去回路の出力に接続される、
ことを特徴とする半導体検査システム。 In claim 6,
The inspection device includes:
A fourth probe for supplying power generated by the power supply device to the semiconductor integrated circuit;
The semiconductor integrated circuit is:
A fourth power supply terminal that receives power from the fourth probe;
The fourth power terminal is
Connected to the output of the noise removal circuit;
A semiconductor inspection system characterized by that.
前記第1の電源端子は検査専用の端子である、
ことを特徴とする半導体検査システム。 In claim 21,
The first power supply terminal is a terminal dedicated for inspection.
A semiconductor inspection system characterized by that.
前記半導体集積回路は、
前記第1の電源端子の後段に誤動作防止回路をさらに備える、
ことを特徴とする半導体検査システム。 In claim 22,
The semiconductor integrated circuit is:
A malfunction prevention circuit is further provided at a stage subsequent to the first power supply terminal.
A semiconductor inspection system characterized by that.
前記半導体集積回路に供給する電源を生成する電源装置と、
前記電源装置により生成された電源を前記半導体集積回路の電源端子に供給するためのプローブと、
前記半導体集積回路を検査するための信号を生成する信号発生器と、
前記電源装置により生成された電源に前記信号発生器により生成された信号を重畳して前記プローブに供給する信号重畳回路とを備える、
ことを特徴とする検査装置。 An apparatus for inspecting a semiconductor integrated circuit,
A power supply device for generating power to be supplied to the semiconductor integrated circuit;
A probe for supplying power generated by the power supply device to a power supply terminal of the semiconductor integrated circuit;
A signal generator for generating a signal for inspecting the semiconductor integrated circuit;
A signal superimposing circuit that superimposes the signal generated by the signal generator on the power source generated by the power supply device and supplies the signal to the probe.
Inspection apparatus characterized by that.
前記半導体集積回路は、
前記電源端子に供給される電源に重畳された信号を抽出する信号抽出回路と、
前記信号抽出回路により抽出された信号に基づいて被測定回路の検査を行う検査制御回路とを備える、
ことを特徴とする検査装置。 In claim 24,
The semiconductor integrated circuit is:
A signal extraction circuit for extracting a signal superimposed on a power supply supplied to the power supply terminal;
An inspection control circuit for inspecting a circuit under measurement based on the signal extracted by the signal extraction circuit;
Inspection apparatus characterized by that.
前記電源端子に供給される電源に重畳された信号を抽出する信号抽出回路と、
前記信号抽出回路により抽出された信号に基づいて被測定回路の検査を行う検査制御回路とを備える、
ことを特徴とする半導体集積回路。 A power supply terminal that receives power from the probe of the inspection device;
A signal extraction circuit for extracting a signal superimposed on a power supply supplied to the power supply terminal;
An inspection control circuit for inspecting a circuit under measurement based on the signal extracted by the signal extraction circuit;
A semiconductor integrated circuit.
前記検査装置は、
前記半導体集積回路に供給する電源を生成する電源装置と、
前記電源装置により生成された電源を前記電源端子に供給するためのプローブと、
前記半導体集積回路を検査するための信号を生成する信号発生器と、
前記電源装置により生成された電源に前記信号発生器により生成された信号を重畳して前記プローブに供給する信号重畳回路とを備える、
ことを特徴とする半導体集積回路。 In claim 26,
The inspection device includes:
A power supply device for generating power to be supplied to the semiconductor integrated circuit;
A probe for supplying power generated by the power supply device to the power supply terminal;
A signal generator for generating a signal for inspecting the semiconductor integrated circuit;
A signal superimposing circuit that superimposes the signal generated by the signal generator on the power source generated by the power supply device and supplies the signal to the probe.
A semiconductor integrated circuit.
Priority Applications (1)
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| JP2006286254A JP2008102081A (en) | 2006-10-20 | 2006-10-20 | Semiconductor inspection system, inspection device, semiconductor integrated circuit |
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|---|---|
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|---|---|
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009147810A1 (en) * | 2008-06-01 | 2009-12-10 | 株式会社アドバンテスト | Test system, electronic device, and testing apparatus |
| JP2011527746A (en) * | 2008-07-11 | 2011-11-04 | 株式会社アドバンテスト | Test apparatus and semiconductor device |
| JP2015170146A (en) * | 2014-03-07 | 2015-09-28 | アルプス電気株式会社 | Electronic circuit |
-
2006
- 2006-10-20 JP JP2006286254A patent/JP2008102081A/en active Pending
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