JP2008187050A - システムインパッケージ装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】チップの端子数の増加に対応可能なSIPを提供する。
【解決手段】本発明の例に係るシステムインパッケージ装置は、パッケージ基板11と、パッケージ基板11の一面側に配置される外部端子12と、パッケージ基板11の他面側に並んで配置される第1及び第2チップ13,14と、第1及び第2チップ13,14上に跨って配置され、第1及び第2チップ13,14の表面の一部のみを覆う第3チップ15と、第1及び第2チップ13,14と第3チップ15との間に配置されるバンプ16とを備える。第1及び第2チップ13,14は、第3チップ15を介して信号のやりとりを行う。
【選択図】 図2
【解決手段】本発明の例に係るシステムインパッケージ装置は、パッケージ基板11と、パッケージ基板11の一面側に配置される外部端子12と、パッケージ基板11の他面側に並んで配置される第1及び第2チップ13,14と、第1及び第2チップ13,14上に跨って配置され、第1及び第2チップ13,14の表面の一部のみを覆う第3チップ15と、第1及び第2チップ13,14と第3チップ15との間に配置されるバンプ16とを備える。第1及び第2チップ13,14は、第3チップ15を介して信号のやりとりを行う。
【選択図】 図2
Description
本発明は、システムインパッケージ装置に関する。
近年、システムの高性能と低コストとの両立を図るため、1つのパッケージ内にシステムを形成するSIP(system in package)が開発されている(例えば、特許文献1を参照)。
SIPの場合、1つのパッケージ内に複数のチップが形成されるため、これら複数のチップを接続するための配線技術が重要になる。
SIPには、複数のチップを並列に配置し、これらのチップをボンディングワイヤにより接続する並列タイプと、複数のチップを積み重ね、これらのチップをバンプにより接続する積み重ねタイプとがある。
並列タイプの場合、システムの高性能化に伴ってチップの端子数が増加すると、パッケージ内で複数のチップを互いに接続できなくなる欠点がある。
これに対し、積み重ねタイプの場合、直径が100μm以下のマイクロバンプを使用することにより、チップの端子数が増加しても、複数のチップの接続を十分に確保できる。
しかし、積み重ねタイプでは、その構造上、パッケージにヒートスプレッダーを付加することが難しい。
特開2001−24150号公報
本発明は、並列タイプシステムインパッケージ装置において、チップの端子数の増加に対応可能な構造、及び、放熱性に優れた構造を提案する。
本発明の例に係るシステムインパッケージ装置は、パッケージ基板と、パッケージ基板の一面側に配置される外部端子と、パッケージ基板の他面側に並んで配置される第1及び第2チップと、第1及び第2チップ上に跨って配置され、第1及び第2チップの表面の一部のみを覆う第3チップと、第1及び第2チップと第3チップとの間に配置されるバンプとを備え、第1及び第2チップは、第3チップを介して信号のやりとりを行う。
本発明の例に係るシステムインパッケージ装置は、ヒートスプレッダーと、ヒートスプレッダーの一面側の縁に沿って配置されるパッケージ基板と、パッケージ基板上に配置される外部端子と、ヒートスプレッダーの一面側の中央に並んで配置される第1及び第2チップと、第1及び第2チップ上に跨って配置され、第1及び第2チップの表面の一部のみを覆う第3チップと、第1及び第2チップと第3チップとの間に配置されるバンプとを備え、第1及び第2チップは、第3チップを介して信号のやりとりを行う。
本発明によれば、並列タイプシステムインパッケージ装置において、チップの端子数の増加に対応可能な構造、及び、放熱性に優れた構造を実現できる。
以下、図面を参照しながら、本発明の例を実施するための最良の形態について詳細に説明する。
1. 概要
本発明は、並列に配置された2つのチップ(第1及び第2チップ)を配線チップ(第3チップ)により互いに接続する、という構造を提案する。
本発明は、並列に配置された2つのチップ(第1及び第2チップ)を配線チップ(第3チップ)により互いに接続する、という構造を提案する。
具体的には、配線チップは、2つのチップ上に跨がり、かつ、2つのチップの表面の一部のみを覆って配置される。また、2つのチップと配線チップとは、バンプにより互いに接続される。
これにより、システムの高性能化に伴ってチップの端子数が増加しても、パッケージ内で2つのチップの接続を確保できる。また、配線チップは、2つのチップの表面を完全に覆うことがないため、2つのチップとパッケージの外部端子との接続も確保できる。
また、ヒートスプレッダーの一面側の縁に沿ってパッケージ基板を配置し、かつ、ヒートスプレッダーの中央に並んで2つのチップを配置する構造を採用すれば、放熱性の向上にも貢献できる。
ここで、チップの表面とは、素子又は導電層が形成される面のことをいい、チップの裏面とは、素子及び導電層のいずれも形成されない面のことをいうものとする。
2. 実施の形態
次に、最良と思われるいくつかの実施の形態について説明する。
次に、最良と思われるいくつかの実施の形態について説明する。
(1) 第1実施の形態
A. 構造
図1は、第1実施の形態に係るシステムインパッケージ装置を示している。図2は、図1のII−II線に沿う断面図である。
A. 構造
図1は、第1実施の形態に係るシステムインパッケージ装置を示している。図2は、図1のII−II線に沿う断面図である。
パッケージ基板11の一面側には、アレイ状の複数の外部端子12が配置される。本例では、複数の外部端子12をバンプとしているが、これに限られず、例えば、ピン、パッドなどであってもよい。
パッケージ基板11の他面側には、互いに並んで配置される2つのLSIチップ13,14が配置される。LSIチップ13は、例えば、ロジックチップ、LSIチップ14は、例えば、メモリチップである。LSIチップ13,14の裏面は、接着剤によりパッケージ基板11の他面に結合される。
LSIチップ13,14上には、これらLSIチップ13,14を跨いで配線チップ15が配置される。配線チップ15は、LSIチップ13,14を接続する導電層を有する。
これにより、LSIチップ13,14は、配線チップ15を介して信号のやりとりを行う。ここで、配線チップ15は、例えば、LSIチップ13,14を接続する導電層のみを有している。
また、配線チップ15は、LSIチップ13,14の表面の一部のみを覆う。この構造を実現するには、例えば、配線チップ15の表面の面積を、LSIチップ13,14の表面の合計の面積よりも小さくすればよい。
これにより、LSIチップ13,14とパッケージの外部端子12との接続が確保される。即ち、LSIチップ13,14は、ボンディングワイヤ17、導電層18及び導電線19を介して、複数の外部端子12に接続される。
LSIチップ13,14と配線チップ15との間には、アレイ状の複数のバンプ(例えば、直径が100μm以下のマイクロバンプ)16が配置される。
配線チップ15は、LSIチップ13,14に対してフリップチップボンディングされるため、LSIチップ13,14の表面と配線チップ15の表面とは互いに対向する形となる。
これにより、システムの高性能化に伴ってチップの端子数が増加しても、パッケージ内でLSIチップ13,14の接続を確保できる。
B. 変形例
図3は、第1実施の形態の変形例に係るシステムインパッケージ装置を示している。図3のシステムインパッケージ装置の平面図は、図1と同じであるため、ここでは、省略する。
図3は、第1実施の形態の変形例に係るシステムインパッケージ装置を示している。図3のシステムインパッケージ装置の平面図は、図1と同じであるため、ここでは、省略する。
この変形例の特徴は、図1及び図2の配線チップ15に代えて、バス及びバスコントローラを有するLSIチップ(バスブリッジ)21を使用した点にある。その他については、図1及び図2と同じである。
LSIチップ21は、LSIチップ13,14上に、これらを跨いで配置される。LSIチップ21は、LSIチップ13,14を接続するバスと、LSIチップ13,14の接続を制御するバスコントローラとを有する。
また、LSIチップ21は、LSIチップ13,14の表面の一部のみを覆う。この構造を実現するには、例えば、LSIチップ21の表面の面積を、LSIチップ13,14の表面の合計の面積よりも小さくすればよい。
C. まとめ
第1実施の形態によれば、並列タイプシステムインパッケージ装置において、チップの端子数の増加に対応可能な構造を実現できる。
第1実施の形態によれば、並列タイプシステムインパッケージ装置において、チップの端子数の増加に対応可能な構造を実現できる。
(2) 第2実施の形態
A. 構造
図4は、第2実施の形態に係るシステムインパッケージ装置を示している。図5は、図4のV−V線に沿う断面図である。
A. 構造
図4は、第2実施の形態に係るシステムインパッケージ装置を示している。図5は、図4のV−V線に沿う断面図である。
パッケージ基板20A,20Bは、ヒートスプレッダー31の一面側の縁に沿って配置される。パッケージ基板20B上には、アレイ状の複数の外部端子12が配置される。本例では、複数の外部端子12をバンプとしているが、これに限られず、例えば、ピン、パッドなどであってもよい。
パッケージ基板20Bのサイズは、パッケージ基板20Aのサイズよりも小さくなっており、ヒートスプレッダー31の上部からみて、パッケージ基板20Aの一部が露出している。この部分は、ボンディング部となる。
ボンディング部には、導電層18が配置され、導電層18は、導電線19を介して外部端子12に接続される。
LSIチップ13,14は、ヒートスプレッダー31の一面側の中央に並んで配置される。LSIチップ13は、例えば、ロジックチップ、LSIチップ14は、例えば、メモリチップである。LSIチップ13,14の裏面は、接着剤によりパッケージ基板11の他面に結合される。
LSIチップ13,14上には、これらLSIチップ13,14を跨いで配線チップ15が配置される。配線チップ15は、LSIチップ13,14を接続する導電層を有する。
これにより、LSIチップ13,14は、配線チップ15を介して信号のやりとりを行う。ここで、配線チップ15は、例えば、LSIチップ13,14を接続する導電層のみを有している。
また、配線チップ15は、LSIチップ13,14の表面の一部のみを覆う。この構造を実現するには、例えば、配線チップ15の表面の面積を、LSIチップ13,14の表面の合計の面積よりも小さくすればよい。
これにより、LSIチップ13,14とパッケージの外部端子12との接続が確保される。即ち、LSIチップ13,14は、ボンディングワイヤ17、導電層18及び導電線19を介して、複数の外部端子12に接続される。
LSIチップ13,14と配線チップ15との間には、アレイ状の複数のバンプ(例えば、直径が100μm以下のマイクロバンプ)16が配置される。
配線チップ15は、LSIチップ13,14に対してフリップチップボンディングされるため、LSIチップ13,14の表面と配線チップ15の表面とは互いに対向する形となる。
これにより、システムの高性能化に伴ってチップの端子数が増加しても、パッケージ内でLSIチップ13,14の接続を確保できる。
しかも、LSIチップ13,14にヒートスプレッダー31を直接接触させることができるため、放熱性の向上に貢献できる。
B. 変形例
図6は、第2実施の形態の変形例に係るシステムインパッケージ装置を示している。図6のシステムインパッケージ装置の平面図は、図4と同じであるため、ここでは、省略する。
図6は、第2実施の形態の変形例に係るシステムインパッケージ装置を示している。図6のシステムインパッケージ装置の平面図は、図4と同じであるため、ここでは、省略する。
この変形例の特徴は、図4及び図5の配線チップ15に代えて、バス及びバスコントローラを有するLSIチップ(バスブリッジ)21を使用した点にある。その他については、図4及び図5と同じである。
LSIチップ21は、LSIチップ13,14上に、これらを跨いで配置される。LSIチップ21は、LSIチップ13,14を接続するバスと、LSIチップ13,14の接続を制御するバスコントローラとを有する。
また、LSIチップ21は、LSIチップ13,14の表面の一部のみを覆う。この構造を実現するには、例えば、LSIチップ21の表面の面積を、LSIチップ13,14の表面の合計の面積よりも小さくすればよい。
C. まとめ
第2実施の形態によれば、並列タイプシステムインパッケージ装置において、チップの端子数の増加に対応可能な構造、及び、放熱性に優れた構造を同時に実現できる。
第2実施の形態によれば、並列タイプシステムインパッケージ装置において、チップの端子数の増加に対応可能な構造、及び、放熱性に優れた構造を同時に実現できる。
3. 適用例
本発明の例は、メモリシステムに適用できる。
本発明の例は、メモリシステムに適用できる。
例えば、図1乃至図6におけるLSIチップ13をロジックチップとし、LSIチップ14をメモリチップとすれば、本発明の例に係るシステムインパッケージ装置を搭載したPDA(personal digital assistance)などの電子機器を製作できる。この場合、パッケージ内にマイコンチップを搭載してもよい。
また、本発明の例は、ロジックシステムに適用できる。
例えば、図1乃至図6における配線チップ15又はLSIチップ21内に、インターフェイス回路を形成する。この場合、LSIチップ13,14に対する信号の入出力は、配線チップ15内又はLSIチップ21内のインターフェイス回路を介して行う。
例えば、図7及び図8に示す構造の場合には、LSIチップ(ロジックチップ)13は、配線チップ15内のインターフェイス回路、LSIチップ14内の導電線22、ボンディングワイヤ17、導電層18及び導電線19を介して、複数の外部端子12のうちの1つに接続される。
また、図9及び図10に示す構造の場合には、LSIチップ(ロジックチップ)13は、配線チップ15内のインターフェイス回路、配線チップ15内のスルーホール21、配線チップ15の裏面の導電層22、ボンディングワイヤ17、導電層18及び導電線19を介して、複数の外部端子12のうちの1つに接続される。
4. むすび
本発明によれば、並列タイプシステムインパッケージ装置において、チップの端子数の増加に対応可能な構造、及び、放熱性に優れた構造を実現できる。
本発明によれば、並列タイプシステムインパッケージ装置において、チップの端子数の増加に対応可能な構造、及び、放熱性に優れた構造を実現できる。
本発明の例は、上述の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で、各構成要素を変形して具体化できる。また、上述の実施の形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を構成できる。例えば、上述の実施の形態に開示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよいし、異なる実施の形態の構成要素を適宜組み合わせてもよい。
11,20A,20B: パッケージ基板、 12: 外部端子、 13,14: LSIチップ、 15: 配線チップ、 16: バンプ、 17: ボンディングワイヤ、 18,22: 導電層、 19: 導電線、 21: スルーホール、 31: ヒートスプレッダー。
Claims (5)
- パッケージ基板と、前記パッケージ基板の一面側に配置される外部端子と、前記パッケージ基板の他面側に並んで配置される第1及び第2チップと、前記第1及び第2チップ上に跨って配置され、前記第1及び第2チップの表面の一部のみを覆う第3チップと、前記第1及び第2チップと前記第3チップとの間に配置されるバンプとを具備し、前記第1及び第2チップは、前記第3チップを介して信号のやりとりを行うことを特徴とするシステムインパッケージ装置。
- ヒートスプレッダーと、前記ヒートスプレッダーの一面側の縁に沿って配置されるパッケージ基板と、前記パッケージ基板上に配置される外部端子と、前記ヒートスプレッダーの一面側の中央に並んで配置される第1及び第2チップと、前記第1及び第2チップ上に跨って配置され、前記第1及び第2チップの表面の一部のみを覆う第3チップと、前記第1及び第2チップと前記第3チップとの間に配置されるバンプとを具備し、前記第1及び第2チップは、前記第3チップを介して信号のやりとりを行うことを特徴とするシステムインパッケージ装置。
- 前記第3チップの表面の面積は、前記第1及び第2チップの表面の合計の面積よりも小さいことを特徴とする請求項1又は2に記載のシステムインパッケージ装置。
- 前記第3チップは、導電層のみを有する配線チップであることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載のシステムインパッケージ装置。
- 前記第1チップは、ロジックチップであり、前記第2チップは、メモリチップであり、前記第3チップは、前記ロジックチップと前記メモリチップとを接続するバスと、前記ロジックチップと前記メモリチップとの接続を制御するバスコントローラとを有することを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載のシステムインパッケージ装置。
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