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JP2008182148A - 光電変換素子アレイ、光電変換デバイス、光電変換ユニット、および画像読取り装置 - Google Patents

光電変換素子アレイ、光電変換デバイス、光電変換ユニット、および画像読取り装置 Download PDF

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JP2008182148A
JP2008182148A JP2007016021A JP2007016021A JP2008182148A JP 2008182148 A JP2008182148 A JP 2008182148A JP 2007016021 A JP2007016021 A JP 2007016021A JP 2007016021 A JP2007016021 A JP 2007016021A JP 2008182148 A JP2008182148 A JP 2008182148A
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organic photoelectric
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Masahiro Inoue
雅博 井上
Shinichiro Kaneko
信一郎 金子
Takashi Kitada
貴司 北田
Takahiro Komatsu
隆宏 小松
Hirotaka Sawa
裕隆 澤
Masakazu Mizusaki
正和 水崎
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

【課題】高解像度のものを作製し易い光電変換素子アレイ、光電変換デバイス、光電変換ユニット、および画像読取り装置を得ること。
【解決手段】第1電極7と、該第1電極7上に配置された有機光電変換部8と、該有機光電変換部8上に配置された第2電極9とを有する有機光電変換素子10を支持基板1上に多数配置して光電変換素子アレイ30Aを構成するにあたり、第1電極7、有機光電変換部8、および第2電極9のうちの1つまたは2つは、各有機光電変換素子10が1つの膜を共用したコモン構造とし、第1電極7および第2電極9のうちの少なくとも一方は有機光電変換素子10毎に形成された個別電極とする。
【選択図】図2

Description

本発明は、物体の形状や画像等の各種情報を電気信号に変換する光電変換素子アレイと、該光電変換素子アレイを備えた光電変換デバイスと、該光電変換デバイスを備えた光電変換ユニットと、該光電変換ユニットを備えた画像読取り装置とに関するものである。
文字や図形などの各種物体のイメージを電気信号に変換して画像データを得るにあたっては、まず、多数の光電変換素子によって構成された光電変換素子アレイ上に上記のイメージが結像される。そして、個々の光電変換素子への入射光の強度に応じて当該光電変換素子に生じる電気信号を所定の読出し手段で読み出した後に、これらの電気信号を基に画像データが作成される。
上記の光電変換素子アレイとしては、CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)方式のものや、CCD(Charge Coupled Device)方式のものなどが知られており、当該光電変換素子アレイは、ファクシミリやイメージスキャナなど幅広い製品に用いられている。近年では、フルカラーの画像データが得られるように、カラーフィルタを備えた光電変換デバイスや、(特許文献1)に記載された原稿読取り装置のように赤色光、緑色光、および青色光の各光源(発光ダイオード)を備えた原稿読取り装置も開発されている。
従来の光電変換素子アレイは、半導体基板に形成された多数の無機光電変換素子(フォトダイオード)によってイメージを電気信号に変換するものであり、その作製には大掛かりな半導体プロセスが必要となる。このため、工数が非常に多く、半導体基板の大面積化が難しいことと相俟って低コスト化が困難であるという課題を有している。そこで、(非特許文献1)に記載されているように、有機光電変換材料によって光電変換層を形成することでコストの削減を図る試みがなされている。
有機光電変換材料は容易に溶液化することができ、スピンコート法やディッピング法などの非常に簡便な方法により薄膜化することができる。すなわち、有機光電変換膜を容易に形成することができる。そして、一対の電極の間に有機光電変換膜が配置された構造を有する有機光電変換素子は、その作製が容易であるにも拘わらず無機光電変換素子と同様の機能を発現できることから、今日、非常に注目を集めている。例えば(特許文献2)には、光電変換波長域が赤色光域の有機光電変化材料を用いた赤色センサと、緑色光域の有機光電変化材料を用いた青色センサと、青色光域の有機光電変化材料を用いた青色センサとを有する画像感知素子が記載されている。この画像感知素子では、個々の色センサが互いに電気的に独立した有機光電変換素子からなる
特開平3−274856号公報 特表2002−502120号公報 G.Yu, Y.Cao, J.Wang, J.McElvain and A.J.Heeger, Synth. Met, 102, 904(1999)
光電変換素子アレイを用いて得る画像データについては高解像度化が常に求められており、そのために、光電変換素子アレイでの光電変換素子の微細化が進められている。
しかしながら、例えば(特許文献2)に記載された画像感知素子のように、互いに異なる有機光電変換材料を用いて赤色センサ、緑色センサ、および青色センサを構成し、かつ個々の色センサにおける一対の電極をそれぞれ個別に形成したのでは、高解像度化を図る際に高度な微細加工技術が求められる結果として、生産性を高め難い。
本発明は上記の事情に鑑みてなされたものであり、高解像度のものを作製し易い光電変換素子アレイ、該光電変換素子アレイを備えた光電変換デバイス、該光電変換デバイスを備えた光電変換ユニット、および該光電変換ユニットを備えた画像読取り装置を得ることを目的とする。
上記の目的を達成する本発明の光電変換素子アレイは、支持基板と、該支持基板上に配置された複数の有機光電変換素子とを備え、複数の有機光電変換素子の各々は、支持基板上に配置された第1電極と、該第1電極上に配置された有機光電変換部と、該有機光電変換部上に配置された第2電極とを有する光電変換素子アレイであって、第1電極、有機光電変換部、および第2電極のうちの1つまたは2つは、各有機光電変換素子が1つの膜を共用したコモン構造をなし、第1電極および第2電極のうちの少なくとも一方は有機光電変換素子毎に形成された個別電極であることを特徴とする。
また、上記の目的を達成する本発明の光電変換デバイスは、撮像光学系により形成された画像を電気信号に変換する光電変換デバイスであって、上述した本発明の光電変換素子アレイと、この光電変換素子アレイにおける支持基板上に実装されて複数の有機光電変換素子の各々から電気信号を読み出す信号読出し手段とを備えていることを特徴とする。
上記の目的を達成する本発明の光電変換ユニットは、撮像光学系と、この撮像光学系により形成された画像を電気信号に変換する光電変換デバイスとを備えた光電変換ユニットであって、撮像光学系は、人工光源と、該人工光源から出射して被撮像物で反射した光、または前記人工光源から出射して被撮像物を透過した光を結像させる光学系とを有し、光電変換デバイスは上述した本発明の光電変換デバイスであることを特徴とする。
そして、上記の目的を達成する本発明の画像読取り装置は、撮像光学系により形成した原稿の画像を電気信号に変換する光電変換ユニットと、この光電変換ユニットと原稿とを相対的に移動させて撮像光学系による原稿の撮像位置を変位させる撮像位置変移手段と、光電変換ユニットで作成された電気信号を基に画像データを作成する画像データ作成部とを備えた画像読取り装置であって、光電変換ユニットは、上述した本発明の光電変換ユニットであることを特徴とする。
本発明の光電変換素子アレイにおいて有機光電変換素子毎に個別に形成されるのは、個々の有機光電変換素子を構成する第1電極、有機光電変換部、および第2電極のうちの多くとも2つである。このため、第1電極、有機光電変換部、および第2電極の各々を有機光電変換素子毎に個別に形成する場合に比べ、有機光電変換素子の集積密度を高めて高解像度化を図ったときでも生産性を高め易い。
第1の発明の光電変換素子アレイは、支持基板と、該支持基板上に配置された複数の有機光電変換素子とを備え、複数の有機光電変換素子の各々は、支持基板上に配置された第1電極と、該第1電極上に配置された有機光電変換部と、該有機光電変換部上に配置された第2電極とを有する光電変換素子アレイであって、第1電極、有機光電変換部、および第2電極のうちの1つまたは2つは、各有機光電変換素子が1つの膜を共用したコモン構造をなし、第1電極および第2電極のうちの少なくとも一方は有機光電変換素子毎に形成された個別電極であることを特徴とする。
この光電変換素子アレイにおいて有機光電変換素子毎に個別に形成されるのは、第1電極、有機光電変換部、および第2電極のうちの多くとも2つである。残りの1つまたは2つについては、有機光電変換素子毎に個別に形成することなく、各有機光電変換素子が1つの膜を共用したコモン構造とされる。このため、第1電極、有機光電変換部、および第2電極の各々を有機光電変換素子毎に個別に形成する場合に比べて、高解像度化を図ったときでも生産性を高め易い。
第2の発明の光電変換素子アレイは、上記第1の発明の光電変換素子アレイに含まれるものであり、支持基板は光透過性を有することを特徴とする。
第3の発明の光電変換素子アレイは、上記第1または第2の発明の光電変換素子アレイに含まれるものであり、上記の個別電極は透明電極であることを特徴とする。
第4の発明の光電変換素子アレイは、上記第1〜第3の発明の光電変換素子アレイに含まれるものであり、第1電極および第2電極のうちの一方のみが有機光電変換素子毎に形成された個別電極であり、複数の有機光電変換素子の各々における前記有機光電変換部を互いに離隔させるバンク層を更に有することを特徴とする。この光電変換素子アレイでは、各有機光電変換部がバンク層によって互いに離隔されているので、有機光電変換素子として設計した領域以外でのキャリアの生成を抑え易く、結果として、有機光電変換素子同士間でのクロストークを抑え易い。
第5の発明の光電変換素子アレイは、上記第4の発明の光電変換素子アレイに含まれるものであり、バンク層の膜厚は第1電極の膜厚よりも厚いことを特徴とする。この光電変換素子アレイでは、バンク層の膜厚が第1電極の膜厚よりも厚いので、各有機光電変換部をバンク層によって互いに離隔させることが容易である。
第6の発明の光電変換素子アレイは、上記第4または第5の発明の光電変換素子アレイに含まれるものであり、バンク層における有機光電変換素子側の各側面のうちで少なくとも有機光電変換部に面する領域は逆テーパ状であることを特徴とする。この光電変換素子アレイでは、バンク層が上記逆テーパ状の領域を有しているので、各有機光電変換部の材料となる有機光電変換材料を例えばスピンコートするだけで、有機光電変換部の元となる塗膜を各第1電極上に個別に形成することができる。したがって、バンク層によって互いに離隔された所定個の有機光電変換部を容易に形成することができる。
第7の発明の光電変換素子アレイは、上記第4〜第6の発明の光電変換素子アレイに含まれるものであり、バンク層は有機高分子材料を含むことを特徴とする。この光電変換素子アレイでは、バンク層が有機高分子材料を含んでいるので、その元となる組成物を塗工して得た塗膜を比較的簡単な方法によりパターニングすることでバンク層を形成することができる。
第8の発明の光電変換素子アレイは、上記第7の発明の光電変換素子アレイに含まれるものであり、バンク層はポリイミド系樹脂を含むことを特徴とする。この光電変換素子アレイでは、バンク層がポリイミド系樹脂を含んでいるので、耐熱性を有するバンク層を比較的容易に形成することができる。
第9の発明の光電変換素子アレイは、上記第7または第8の発明の光電変換素子アレイに含まれるものであり、バンク層は感光性樹脂を含むことを特徴とする。この光電変換素子アレイでは、バンク層が感光性樹脂を含んでいるので、その元となる感光性樹脂組成物を塗工して得た塗膜に選択的な露光処理を施した後に現像処理を施すという比較的簡単な工程により、バンク層を形成することができる。
第10の発明の光電変換素子アレイは、上記第4〜第6の発明の光電変換素子アレイに含まれるものであり、バンク層はセラミックを含むことを特徴とする。この光電変換素子アレイでは、バンク層がセラミックを含んでいるので、耐久性のあるバンク層を形成することができる。
第11の発明の光電変換素子アレイは、上記第10の発明の光電変換素子アレイに含まれるものであり、バンク層はケイ素原子を含むことを特徴とする。この光電変換素子アレイでは、バンク層がセラミックを含み、かつセラミックはケイ素原子を含んでいるので、耐久性のあるバンク層を形成し易い。
第12の発明の光電変換素子アレイは、上記第10または第11の発明の光電変換素子アレイに含まれるものであり、バンク層はケイ素窒化物またはケイ素酸窒化物を含むことを特徴とする。この光電変換素子アレイでは、バンク層がケイ素窒化物またはケイ素酸窒化物を含んでいるので、緻密で耐久性のあるバンク層を形成し易い。
第13の発明の光電変換素子アレイは、上記第4〜第12の発明の光電変換素子アレイに含まれるものであり、バンク層は遮光層としての機能を有することを特徴とする。この光電変換素子アレイでは、バンク層が遮光層としての機能を有しているので、有機光電変換素子として設計した領域以外でのキャリアの生成が抑えられ、結果として有機光電変換素子同士間でのクロストークが抑えられたものを得易い。
第14の発明の光電変換素子アレイは、上記第13の発明の光電変換素子アレイに含まれるものであり、バンク層は炭素系の色材を含むことを特徴とする。この光電変換素子アレイでは、バンク層に炭素系の色材を含ませることで当該バンク層に遮光層としての機能を付与しているので、製造時や廃棄時の環境への負荷が小さいバンク層を形成し易い。
第15の発明の光電変換素子アレイは、上記第13または第14の発明の光電変換素子アレイに含まれるものであり、バンク層の光学濃度が2.0以上であることを特徴とする。この光電変換素子アレイでは、バンク層の光学濃度が2.0以上であるので、換言すればバンク層の遮光率が99%以上であるので、有機光電変換素子として設計した領域以外でのキャリアの生成を十分に抑えることができ、結果として有機光電変換素子同士間でのクロストークが十分に抑えられたものを得易い。
第16の発明の光電変換素子アレイは、上記第1〜第15の発明の光電変換素子アレイに含まれるものであり、有機光電変換部はインクジェット法により形成されたものであることを特徴とする。この光電変換素子アレイでは、有機光電変換部がインクジェット法により形成されるので、有機光電変換素子として設計した領域内にのみ有機光電変換部を形成し易く、結果として、有機光電変換素子として設計した領域以外でのキャリアの生成を抑え易い。
第17の発明の光電変換素子アレイは、上記第1〜第16の発明の光電変換素子アレイに含まれるものであり、有機光電変換部は電子供与性材料と電子受容性材料とを含むことを特徴とする。この光電変換素子アレイでは、有機光電変換部が電子供与性材料と電子受容性材料とを含んでいるので、光電変換効率が高いものを得易い。
第18の発明の光電変換素子アレイは、上記第1〜第17の発明の光電変換素子アレイに含まれるものであり、複数の有機光電変換素子の各々に1本ずつ接続された信号読出し配線を更に有することを特徴とする。この光電変換素子アレイでは、上記の信号読出し配線を有していることから、支持基板上に所定の信号読出し手段を実装するだけで容易に光電変換デバイスを得ることができる。
第19の発明の光電変換素子アレイは、上記第1〜第18の発明の光電変換素子アレイに含まれるものであり、複数の有機光電変換素子の各々を封止する封止部を更に有することを特徴とする。この光電変換素子アレイでは、上記の封止部を有していることから、個々の有機光電変換素子の素子寿命が長いものを得易い。
第20の発明の光電変換素子アレイは、上記第1〜第19の発明の光電変換素子アレイに含まれるものであり、支持基板上に配置されて複数の有機光電変換素子それぞれへの入射光の波長域を規制するカラーフィルタを更に有することを特徴とする。この光電変換素子アレイでは、上記のカラーフィルタを有していることから、当該光電変換素子アレイを用いてカラーの画像データを得ることが容易になる。
第21の発明の光電変換デバイスは、撮像光学系により形成された画像を電気信号に変換する光電変換デバイスであって、上記第1〜第20の発明の光電変換素子アレイのいずれか1つと、光電変換素子アレイにおける支持基板上に実装されて複数の有機光電変換素子の各々から電気信号を読み出す信号読出し手段とを備えていることを特徴とする。
第22の発明の光電変換ユニットは、撮像光学系と、該撮像光学系により形成された画像を電気信号に変換する光電変換デバイスとを備えた光電変換ユニットであって、撮像光学系は、人工光源と、該人工光源から出射して被撮像物で反射した光、または人工光源から出射して被撮像物を透過した光を結像させる光学系とを有し、光電変換デバイスは上記第21の発明の光電変換デバイスであることを特徴とする。
第23の発明の画像読取り装置は、撮像光学系により形成した原稿の画像を電気信号に変換する光電変換ユニットと、該光電変換ユニットと原稿とを相対的に移動させて撮像光学系による原稿の撮像位置を変位させる撮像位置変移手段と、光電変換ユニットで作成された電気信号を基に画像データを作成する画像データ作成部とを備えた画像読取り装置であって、光電変換ユニットは、上記第22の発明の光電変換ユニットであることを特徴とする。
以下、本発明の光電変換素子アレイ、光電変換デバイス、光電変換ユニット、および画像読取り装置それぞれの実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。なお、本発明は以下に説明する実施の形態に限定されるものではない。
(実施の形態1)
図1は、本発明の光電変換デバイスの一例を概略的に示す一部切欠き平面図であり、図2は、図1に示した光電変換デバイスを概略的に示す断面図である。これらの図において、20Aは光電変換素子アレイ、25は信号読出し手段、30Aは光電変換デバイスである。
上記の光電変換素子アレイ20Aは本発明の光電変換素子アレイの1つであり、当該光電変換素子アレイ20Aは、光透過性を有する支持基板1(以下、「透明支持基板1」という。)と、透明支持基板1上に配置されたカラーフィルタ3と、カラーフィルタ3上に保護膜5A(図2参照)を介して配置された複数の有機光電変換素子10と、後述するバンク層13と、1つの有機光電変換素子10に1本ずつ接続された信号読出し配線15とを有している。
カラーフィルタ3は、各有機光電変換素子10への入射光の波長域を規制する。このカラーフィルタ3は赤色フィルタ3Rと緑色フィルタ3Gと青色フィルタ3Bとからなり、これらは互いに平行なストライプ状に形成されている。また、保護膜5Aはカラーフィルタ3の上面および側面を覆って当該カラーフィルタ3を保護している。
保護膜5A上に配置されている各有機光電変換素子10は、保護膜5A上に配置された第1電極7と、第1電極7上に配置された有機光電変換部8と、有機光電変換部8上に配置された第2電極9とを有している。各第1電極7は有機光電変換素子10毎に形成された個別電極であり、各有機光電変換部8も有機光電変換素子10毎に形成されている。これに対し、各第2電極9は、個々の有機光電変換素子10が1つの電極膜9Aを共用したコモン構造をなしている。有機光電変換部8の各々を覆うようにして形成された1つの電極膜9Aにおける互いに別個の一領域が、各有機光電変換素子10での第2電極9として機能する。
バンク層13は、電気絶縁性物質によって保護膜5A上に形成されており、当該バンク層13の膜厚は、第1電極7の膜厚と有機光電変換部8の膜厚との和よりも厚い。第1電極7の各々はバンク層13によって互いに離隔されており、有機光電変換部8の各々もまたバンク層13によって互いに離隔されている。そして、バンク層13における有機光電変換素子10側の各側面のうちで少なくとも有機光電変換部8に面する領域は逆テーパ状になっており、当該領域とバンク層13の底面とのなす角は90°よりも大きい。なお、第2電極9の元となっている電極膜9Aは、各有機光電変換部8を覆っていると共に当該バンク層13の上面を覆っている。
一方、信号読出し手段25は、コンデンサ機能、スイッチング機能、リセット機能などの機能を有する集積回路を備えており、有機光電変換素子10で生じた電気信号を信号読出し配線15を通じて読み出す。図示の例では、個々の有機光電変換素子10における第1電極7に信号読出し配線15が1本ずつ接続されており、これらの信号読出し配線15の各々に信号読出し手段25が接続されている。図1および図2には1個の信号読出し手段25のみが現れているが、通常、複数個の有機光電変換素子10に1つの信号読出し手段25が対応するようにして、透明支持基板1上に複数個の信号読出し手段25が配置される。
上述した構成を有する光電変換デバイス30Aは、個々の有機光電変換素子10での第1電極7側を光入射面として利用するものであり、透明支持基板1側から光L(図2参照)が照射されると各有機光電変換部8で光吸収が起こり、励起子が形成される。この励起子は極短時間でキャリア(正孔と電子)に分離し、電子は負極(例えば第2電極9)へと移動し、正孔は正極(例えば第1電極7)へと移動する。これにより第1電極7と第2電極9との間に起電力が生じ、結果として有機光電変換素子10に起電力が生じる。
このとき、個々の有機光電変換部8がバンク層13によって互いに離隔されていることから、有機光電変換素子10として設計した領域以外でのキャリアの生成が抑えられ、結果として、有機光電変換素子10同士間でのクロストークが抑えられる。
個々の有機光電変換素子10での起電力の大きさ(強さ)は、有機光電変換部8に入射した光のエネルギーに応じて変化する。したがって、各有機光電変換素子10に生じた起電力(電気信号)を当該有機光電変換素子10毎に信号読出し手段25により検出する(読み出す)ことで、所望の画像データを得ることが可能になる。光電変換デバイス30Aをスキャナやファクシミリなどの画像読取り装置における光電変換ユニットの一構成部材として用いることにより、情報の有無による反射光強度の差異あるいは透過光強度の差異をそれに対応した起電力の差異として検出して、画像データを得ることができる。
このように構成された光電変換デバイス30Aでは、前述のように各第2電極9がコモン構造をなすので、第1電極7、有機光電変換部8、および第2電極9のうちの第1電極7と有機光電変換部8の2つのみが有機光電変換素子10毎に個別に形成される。
また、バンク層13の膜厚が第1電極7の膜厚と有機光電変換部8の膜厚との和よりも厚く、かつ当該バンク層13における有機光電変換素子10側の各側面のうちで少なくとも有機光電変換部8に面する領域が逆テーパ状になっていることから、バンク層13の形成後に例えばスピンコート法やディッピング法を利用して各有機光電変換部8を一括形成しても、各第1電極7上に他の有機光電変換素子10から離隔された有機光電変換部8を形成することが容易である。
これらのことから、光電変換デバイス30Aでは、有機光電変換素子10の集積密度を高めて高解像度化を図ったときでも、その作製が容易である。さらに、バンク層13によってクロストークを抑えることができるので、この点からも高解像度化を図ることが容易である。
上述の技術的効果を奏する光電変換デバイスでの光電変換素子アレイは、例えば次のようにして作製することができる。以下の説明は、図2で用いた参照符号を適宜引用して行う。ただし、以下に説明する製造例では、カラーフィルタ3、保護膜5A、および信号読出し配線15(図2参照)の各々を形成していない。
図3は本発明の光電変換素子アレイを製造する際の工程の一例を概略的に示す断面図であり、まず、図3(a)に示すように透明支持基板1を用意する。次いで、図3(b)に示すように、透明支持基板1上に所定個の第1電極7を形成する。これらの第1電極7は、例えば、元となる電極膜を物理的気相蒸着法(PVD法)または化学的気相蒸着法(CVD法)により形成し、その上に所定形状のエッチングマスクを形成してから当該電極膜をドライエッチングまたはウェットエッチングによりパターニングした後、上記のエッチングマスクを剥離することによって得られる。
次に、バンク層13の元となる電気絶縁膜をその材質に応じた成膜方法、例えばスピンコート法、ディッピング法、PVD法、またはCVD法により成膜し、その上に所定形状のエッチングマスクを形成してから当該電気絶縁膜をドライエッチングまたはウェットエッチングによりパターニングした後、上記のエッチングマスクを剥離して、バンク層13を得る。
このとき、上記のドライエッチングまたはウェットエッチングは、オーバエッチングとなるように条件設定する。これにより、バンク層13において有機光電変換素子10側となる各側面のうちで少なくとも有機光電変換部8(図2参照)に面することになる領域は、図3(c)に示すように、逆テーパ状となる。
この後、有機光電変換材料の溶液を例えばスピンコート法やディッピング法により塗布して、図3(d)に示すように、各第1電極7上に有機光電変換部8を形成する。このとき、バンク層13の上面上にも有機光電変化材料の層8aが形成されるので、必要であれば、有機光電変換部8を形成した後に当該層8aを図3(e)に示すように除去する。
目的とする光電変換素子アレイは、有機光電変換部8の形成後に当該有機光電変換部8およびバンク層13を覆うようにして所望の電極膜を形成することによって得られる。最後に形成した電極膜のうちで有機光電変換部8上に位置する領域が、有機光電変換素子10での第2電極9(図2参照)として機能する。
(実施の形態2)
本発明の光電変換素子アレイは、カラーフィルタを必須の構成要素とするものではなく、カラーフィルタを設けるか否かは適宜選択可能である。
図4は、カラーフィルタを有していない光電変換素子アレイの一例を概略的に示す一部切欠き平面図であり、図5は、図4に示した光電変換素子アレイを概略的に示す断面図である。これらの図に示す光電変換素子アレイ20Bは、図2に示したカラーフィルタ3および保護膜5Aをそれぞれ有していない点を除き、図2に示した光電変換デバイス30Aでの光電変換素子アレイ20Aと同じ構造を有している。図4または図5に示した構成要素のうちで図1または図2に示した構成要素と共通するものについては、図1または図2で用いた参照符号と同じ参照符号を付してその説明を省略する。
上述の構造を有する光電変換素子アレイ20Bは、モノカラーの画像データを得るための画像読取り装置における光電変換ユニットの一構成部材として、あるいは赤色光源、緑色光源、および青色光源の3つの人工光源を備えた画像読取り装置における光電変換ユニットの一構成部材として用いることができる。
この光電変換素子アレイ20Bは、実施の形態1で説明した光電変換素子アレイ20A(図2参照)における理由と同様の理由から、高解像度化を図ったときでもその作製が容易である。また、バンク層13によってクロストークを抑えることができるので、この点からも高解像度化を図ることが容易である。
(実施の形態3)
本発明の光電変換素子アレイは、バンク層を必須の構成要素とするものではなく、バンク層を設けるか否かは適宜選択可能である。
図6は、バンク層を有していない光電変換素子アレイの一例を概略的に示す一部切欠き平面図であり、図7は、図6に示した光電変換素子アレイを概略的に示す断面図である。これらの図に示す光電変換素子アレイ20Cは、図4および図5に示したバンク層13を有していない点を除き、図4および図5に示した光電変換素子アレイ20Bと同様の構造有している。図6または図7に示した構成要素のうちで図4または図5に示した構成要素と共通するものについては、図4または図5で用いた参照符号と同じ参照符号を付してその説明を省略する。
なお、光電変換素子アレイ20Cにおける有機光電変換部8の各々は例えばインクジェット法により形成することができ、電極膜9Aは、例えば、他の基板上に一旦形成したものを有機光電変換部8の各々を覆うようにして当該有機光電変換部8上に転写することによって形成することができる。
このような構造を有する光電変換素子アレイ20Cでは、個々の有機光電変換素子10を構成する第1電極7、有機光電変換部8、および第2電極9のうちの第1電極7と有機光電変換部8の2つのみが有機光電変換素子10毎に個別に形成されているので、第1電極、有機光電変換部、および第2電極の各々を有機光電変換素子毎に個別に形成する場合に比べて、高解像度化を図ったときでもその作製が容易である。
(実施の形態4)
図8は、バンク層を有していない光電変換素子アレイの他の例を概略的に示す断面図である。同図に示す光電変換素子アレイ20Dは、図1および図2に示したバンク層13を有していない点を除き、図1および図2に示した光電変換素子アレイ20Aと同様の構造有している。図8に示した構成要素のうちで図2に示した構成要素と共通するものについては、図2で用いた参照符号と同じ参照符号を付してその説明を省略する。なお、光電変換素子アレイ20Dにおける有機光電変換部8の各々および電極膜9Aは、例えば実施の形態3で説明した方法により形成することができる。
上述の構造を有する光電変換素子アレイ20Dでは、実施の形態3で説明した光電変換素子アレイ20Cにおける理由と同様の理由から、高解像度化を図ったときでもその作製が容易である。
(実施の形態5)
本発明の光電変換素子アレイでは、各有機光電変換部をコモン構造とする、すなわち各有機光電変換素子が1つの有機光電変換膜を共用した構造とすることができる。この場合、個々の有機光電変換素子における第1電極および第2電極のうちのいずれか一方、または両方が有機光電変換素子毎に個別に形成される。
図9は、各有機光電変換部がコモン構造をなす光電変換素子アレイの一例を概略的に示す一部切欠き平面図であり、図10は、図9に示した光電変換素子アレイの一部を概略的に示す断面図である。
これらの図に示す光電変換素子アレイ20Eは、図4および図5に示したバンク層13を有していない点、および各有機光電変換部8がコモン構造をなしている点をそれぞれ除き、図4および図5に示した光電変換素子アレイ20Bと同様の構造を有している。図9または図10に示した構成要素のうちで図4または図5に示した構成要素と共通するものについては、図4または図5で用いた参照符号と同じ参照符号を付してその説明を省略する。
このような構造を有する光電変換素子アレイ20Eでは、第1電極7、有機光電変換部8、および第2電極9のうちの第1電極7のみが有機光電変換素子10毎に個別に形成されているので、第1電極、有機光電変換部、および第2電極の各々を有機光電変換素子毎に個別に形成する場合に比べて、高解像度化を図ったときでもその作製が容易である。
(実施の形態6)
図11は、各有機光電変換部がコモン構造をなす光電変換素子アレイの他の例を概略的に示す断面図である。同図に示す光電変換素子アレイ20Fは、図1および図2に示したバンク層13を有していない点、および各有機光電変換部8がコモン構造をなす点をそれぞれ除き、図1および図2に示した光電変換素子アレイ20Aと同様の構造を有している。図11に示した構成要素のうちで図2または図10に示した構成要素と共通するものについては、図2または図10で用いた参照符号と同じ参照符号を付してその説明を省略する。
このような構造を有する光電変換素子アレイ20Fでは、実施の形態5で説明した光電変換素子アレイ20Eにおける理由と同様の理由から、高解像度化を図ったときでもその作製が容易である。
(実施の形態7)
本発明の光電変換素子アレイでは、各第1電極をコモン構造とする、すなわち各有機光電変換素子が1つの電極膜を共用した構造とすることができる。この場合、個々の有機光電変換素子における第2電極は有機光電変換素子毎に個別に形成される。また、個々の有機光電変換素子における有機光電変換部は有機光電変換素子毎に個別に形成してもよいし、コモン構造としてもよい。
図12は、各第1電極がコモン構造をなす光電変換素子アレイの一例を概略的に示す一部切欠き平面図であり、図13は、図12に示した光電変換素子アレイの一部を概略的に示す断面図である。
これらの図に示す光電変換素子アレイ20Gは、各第1電極7がコモン構造をなしている点、各第2電極9が有機光電変換素子10毎に個別に形成されている点、および1つの第2電極9に1本ずつ信号読出し配線15が接続されている点をそれぞれ除き、図9および図10に示した光電変換素子アレイ20Eと同様の構造を有している。各有機光電変換素子10は1つの電極膜7Aを共用しており、該電極膜7Aにおける互いに別個の一領域が個々の有機光電変換素子10の第1電極7として機能する。図12または図13に示した構成要素のうちで図9または図10に示した構成要素と共通するものについては、図9または図10で用いた参照符号と同じ参照符号を付してその説明を省略する。なお、図12中の参照符号17は、電極膜7Aに接続されて該電極膜7Aに一定電圧を印加する信号線を示している。
このような構造を有する光電変換素子アレイ20Gでは、第1電極7、有機光電変換部8、および第2電極9のうちの第2電極9のみが有機光電変換素子10毎に個別に形成されているので、第1電極、有機光電変換部、および第2電極の各々を有機光電変換素子毎に個別に形成する場合に比べて、高解像度化を図ったときでもその作製が容易である。
(実施の形態8)
図14は、各第1電極がコモン構造をなす光電変換素子アレイの他の例を概略的に示す断面図である。同図に示す光電変換素子アレイ20Hは、各第1電極7がコモン構造をなす点、各第2電極9が有機光電変換素子10毎に個別に形成されている点、および1つの第2電極9に1本ずつ信号読出し配線15が接続されている点をそれぞれ除き、図11に示した光電変換素子アレイ20Fと同様の構造を有している。図14に示した構成要素のうちで図11または図13に示した構成要素と共通するものについては、図11または図13で用いた参照符号と同じ参照符号を付してその説明を省略する。
このような構造を有する光電変換素子アレイ20Hでは、実施の形態7で説明した光電変換素子アレイ20Gにおける理由と同様の理由から、高解像度化を図ったときでもその作製が容易である。
(実施の形態9)
本発明の光電変換素子アレイでは、第1電極および第2電極の各々を個別電極とすることができる。この場合、各有機光電変換部はコモン構造とする。
図15は、第1電極および第2電極の各々が個別電極である光電変換素子アレイの一例を概略的に示す一部切欠き平面図であり、図16は、図15に示した光電変換素子アレイの一部を概略的に示す断面図である。
これらの図に示す光電変換素子アレイ20Iは、各第2電極9が有機光電変換素子10毎に個別に形成されている点、および1つの第2電極9に1本ずつ該第2電極9に一定電圧を印加する信号線17が接続されている点をそれぞれ除き、図9および図10に示した光電変換素子アレイ20Eと同様の構造を有している。図15または図16に示した構成要素のうちで図9または図10に示した構成要素と共通するものについては、図9または図10で用いた参照符号と同じ参照符号を付してその説明を省略する。
このような構造を有する光電変換素子アレイ20Iでは、第1電極7、有機光電変換部8、および第2電極9のうちの第1電極7と第2電極9の2つのみが有機光電変換素子10毎に個別に形成されているので、第1電極、有機光電変換部、および第2電極の各々を有機光電変換素子毎に個別に形成する場合に比べて、高解像度化を図ったときでもその作製が容易である。
(実施の形態10)
図17は、第1電極および第2電極の各々が個別電極である光電変換素子アレイの更に他の例を概略的に示す断面図である。同図に示す光電変換素子アレイ20Jは、各第2電極9が有機光電変換素子10毎に個別に形成されている点、および1つの第2電極9に1本ずつ該第2電極9に一定電圧を印加する信号線(図17には現れていない。)が接続されている点をそれぞれ除き、図11に示した光電変換素子アレイ20Fと同様の構造を有している。図17に示した構成要素のうちで図11に示した構成要素と共通するものについては、図11で用いた参照符号と同じ参照符号を付してその説明を省略する。
このような構造を有する光電変換素子アレイ20Jでは、実施の形態9で説明した光電変換素子アレイ20Iにおける理由と同様の理由から、高解像度化を図ったときでもその作製が容易である。
(実施の形態11)
本発明の光電変換素子アレイには、複数の有機光電変換素子の各々を封止する封止部を設けることができる。
図18は、封止部を有する光電変換素子アレイを備えた光電変換デバイスの一例を概略的に示す断面斜視図であり、図19は、図18に示した光電変換デバイスを概略的に示す他の断面斜視図である。これらの図に示す光電変換デバイス30Bは、図2に示した保護膜5Aに代えて保護膜5Bを有すると共に各有機光電変換素子10を封止する封止部170を有する光電変換素子アレイ20Kを備えており、これら保護膜5Bおよび封止部170をそれぞれ除いた残りの構成は、図1または図2に示した光電変換デバイス30Aにおける構成と同様である。図18または図19に示した構成要素のうちで図1または図2に示した構成要素と共通するものについては、図1または図2で用いた参照符号と同じ参照符号を付してその説明を省略する。
上記の保護膜5Bは、信号読出し手段25側の側面が順テーパ状に成形されたものであり、当該側面を順テーパ状とすることで各信号読出し配線15の断線を抑えている。
また封止部170は、例えば、各有機光電変換素子10を覆うようにして極浅い箱状のガラス容器を被せて光硬化型接着剤など(図示せず。)で透明支持基板1に固着させたものであり、個々の有機光電変換素子10への酸素や水分の侵入を防止して素子寿命の低下を抑制している。
このように構成された光電変換デバイス30Bでは、実施の形態1で説明した理由と同様の理由から、光電変換素子アレイ20Kの高解像度化を図ったときでもその作製が容易である。また、上述のように保護層5Bによって各信号読出し配線15の断線が抑えられるので、信頼性の高いものを得易い。さらに、封止部170を有しているので、個々の有機光電変換素子10の素子寿命が長いものを得易い。
(実施の形態12)
本発明の光電変換素子アレイにカラーフィルタを設ける場合には、当該光電変換素子アレイを備えた画像読取り装置での色の分解性や、この画像読取り装置によって得た画像データを基に画像を再生する際の色再現性などの向上を図るうえから、互いに隣り合う色フィルタ同士の平面視上の間に遮光層を設けることが実用好ましい。
図20は、遮光層を有する光電変換素子アレイを備えた光電変換デバイスの一例を概略的に示す断面図である。同図に示す光電変換デバイス30Cは、遮光層2と封止部170とを有する光電変換素子アレイ20Lを備えており、該光電変換素子アレイ20Lにおける遮光層2および封止部170の各々を除いた残りの構成は図2に示した光電変換素子アレイ20Aにおける構成と同じである。また、光電変換デバイス30Cにおける光電変換素子アレイ20L以外の構成は、図2に示した光電変換デバイス30Aにおける構成と同じである。図20に示した構成要素のうちで図2または図18に示した構成要素と共通するものについては、図2または図18で用いた参照符号と同じ参照符号を付してその説明を省略する。
上記の遮光層2は、カラーフィルタ3を構成する各色フィルタ(赤色フィルタ3R、緑色フィルタ3G、青色フィルタ3B)のうちで互いに隣り合う色フィルタ同士の平面視上の間に位置するようにして、透明支持基板1上に設けられている。
このような遮光層2を設けることにより、個々の色フィルタを透過した光が当該色フィルタの隣の色フィルタ上に配置されている有機光電変換素子10に入射することが抑えられる。その結果として、光電変換デバイス30Cを備えた画像読取り装置での色の分解性や、この画像読取り装置によって得た画像データを基に画像を再生する際の色再現性などが向上する。また、光電変換素子アレイ20Lは、実施の形態1で説明した光電変換素子アレイ20Aにおける理由と同様の理由から、高解像度化を図ったときでもその作製が容易である。
(実施の形態13)
本発明の光電変換ユニットは、例えばファクシミリやイメージスキャナなどの画像読取り装置の一構成要素であり、撮像光学系と上述した本発明の光電変換デバイスとを備えている。当該光電変換ユニットは、反射型および透過型のいずれの型の画像読取り装置にも用いることができる。
図21は、本発明の光電変換ユニットの一例を概略的に示す斜視図である。同図に示す光電変換ユニット80は反射型の画像読取り装置に用いられるものであり、当該光電変換ユニット80は、撮像光学系70と実施の形態1で説明した光電変換デバイス30Aとを備えており、撮像光学系70によって形成される原稿などの被撮像物85の像を光電変換デバイス30Aにより電気信号に変換する。
上記の撮像光学系70は、人工光源60と、該人工光源60から出射して被撮像物85で反射した光を結像させる光学系65とを有している。人工光源60は、例えば赤色発光ダイオード、緑色発光ダイオード、および青色発光ダイオードが所定個ずつ配置された線状光源や、白色蛍光灯等であり、斜め上方に向けて光を出射する。また、光学系65は、例えば多数のロットレンズ65aを有するロッドレンズアレイであり、人工光源60から出射して被撮像物85で反射した光を鉛直方向下向きに導波させて、当該光学系65の鉛直方向下方に画像を形成する。なお、人工光源60、光学系65、および光電変換デバイス30Aは、図示を省略した1つの保持部材にそれぞれ保持されて図21に示す位置関係に保たれている。
撮像光学系70による被撮像物85の画像は、光電変換デバイス30Aにおける光電変換素子アレイ上に形成され、当該光電変換デバイス30Aによって前述のように電気信号に変換される。このように構成された光電変換ユニット80では、当該光電変換ユニット80が光電変換デバイス30Aを備えていることから、実施の形態1で説明した理由と同様の理由により、高解像度化を図ったときでもその作製が容易である。
(実施の形態14)
本発明の画像読取り装置は、例えばファクシミリやスキャナのように原稿の画像を電気信号に変換して画像データを得るものであり、当該画像読取り装置は、上述した本発明の光電変換ユニットと、該光電変換ユニットと原稿とを相対的に移動させて撮像光学系による原稿の撮像位置を変位させる撮像位置変移手段と、光電変換ユニットで作成された電気信号を基に画像データを作成する画像データ作成部とを備えている。この画像読取り装置は、反射型および透過型のいずれであってもよい。
図22は、本発明の画像読取り装置の一例を概略的に示す斜視図であり、図23は、図22に示す画像読取り装置の内部構造を示す概略図である。これらの図に示す画像読取り装置130は、自動原稿送り部110と、自動原稿送り部110内に配置された2つの光電変換ユニット80a,80bと、フラットベッド部115と、フラットベッド部115内に配置された1つの光電変換ユニット80cと、自動原稿送り部110内に配置された画像データ作成部120とを備えている。各光電変換ユニット80a,80b,80cは、いずれも本発明の光電変換ユニットに含まれるものであり、実施の形態13で説明した光電変換ユニット80と同じ構造を有している。
上記の自動原稿送り部110は、原稿を載せる給紙台101と、給紙台101上に載せられた原稿を自動原稿送り部110の内部に1枚ずつ供給した後に排紙口103からフラットベッド部115上に排紙する原稿送り手段109とを有している。図23には、原稿送り手段109を構成する1つのガイドローラ105と、3対のガイドローラ106,107,108が示されている。
この自動原稿送り部110では、原稿送り手段109によって給紙台101から当該自動原稿送り部110内に供給された原稿が、まず、ガイドローラ105によって1対のガイドローラ106間に導かれ、その後、1対のガイドローラ107間および1対のガイドローラ108間にこの順番で導かれて、排紙口103からフラットベッド部115上に排紙される。上述した2つの光電変換ユニット80a,80bは、いずれも、1対のガイドローラ107と1対のガイドローラ108との間に固定配置されている。光電変換ユニット80aは原稿の下方から当該原稿を撮像して、このときの画像を電気信号に変換する。また、光電変換ユニット80bは原稿の上方から当該原稿を撮像して、このときの画像を電気信号に変換する。
原稿が原稿送り手段109によって上述のように搬送されることから、各光電変換ユニット80a,80bと原稿とが相対的に移動することとなり、光電変換ユニット80a,80bの各々での撮像光学系による原稿の撮像位置が変位する。
一方、フラットベッド部115は、ガラスなどの透明材料で形成された原稿台112と、原稿台112を覆って遮光する原稿台カバー114とを有している。光電変換ユニット80cは原稿台112の下方に配置されており、図示を省略した移動手段により水平方向に移動しながら原稿の下方から当該原稿を撮像して、このときの画像を電気信号に変換する。光電変換ユニット80cが移動手段によって上述のように移動することから、当該光電変換ユニット80cと原稿とが相対的に移動することとなり、光電変換ユニット80cでの撮像光学系による原稿の撮像位置が変位する。
画像データ作成部120は、各光電変換ユニット80a,80b,80cに接続された状態で自動原稿送り部110内に配置されて、個々の光電変換ユニット80a,80b,80cが作成した電気信号を基に当該電気信号に対応した画像データを作成する。
このように構成された画像読取り装置130では、光電変換ユニット80a,80b,80cの各々が本発明の光電変換ユニットであることから、実施の形態1で説明した理由と同様の理由により、高解像度化を図ったときでもその作製が容易である。
以上、実施の形態を挙げて本発明の光電変換素子アレイ、光電変換デバイス、光電変換ユニット、および画像読取り装置についてそれぞれ説明したが、前述のように、本発明はこれらの形態に限定されるものではない。例えば、光電変換素子アレイを構成する各部材の材料は、作製しようとする光電変換素子アレイに求められる性能や当該光電変換素子アレイの用途などに応じて適宜選定可能である。
例えば、有機光電変換素子が配置される支持基板としては、所望の機械的強度および熱的強度を有する無機材料製または有機材料製のものが適宜選定され、個々の有機光電変換素子での第1電極側を光入射面として利用する場合には透明基板が用いられる。支持基板は電気絶縁性を有していることが好ましいが、有機光電変換素子の動作を妨げない範囲で、あるいは光電変換素子アレイの用途によっては、導電性を有していてもよい。
このような基板の材料としては、(1)ソーダ石英ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英ガラス、無アルカリガラス、フッ化物ガラスなどの無機ガラス、(2)ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート、ポリエーテルスルフォン、ポリフッ化ビニル、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリアクリレート、非晶質ポリオレフィン、フッ素系樹脂などの有機高分子化合物、(3)As23、As4010、S40Ge10などのカルコゲナイドガラス、(4)酸化亜鉛、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化ケイ素、酸化ハフニウム、酸化チタンなどの金属酸化物および窒化ケイ素などの金属窒化物、(5)顔料などにより着色された透明基板材料、および(6)表面に絶縁処理を施した金属材料、などを用いることができる。さらには、特定波長のみを透過する材料や、光−光変換機能により入射光を特定の波長の光に変換する材料などを用いることもできる。支持基板は、単層構造とする他に、複数の基板材料が積層された積層構造とすることもできる。
有機光電変換素子を構成する第1電極および第2電極のうちのどちらを正極とし、どちらを負極とするかは、適宜選択可能である。いずれにしても、個々の有機光電変換素子での光入射面として利用する側の電極については、透明電極とすることが好ましい。本発明の光電変換素子アレイを構成する各有機光電変換素子は、第1電極側を光入射面として機能させることは勿論、第2電極側を光入射面として機能させることも可能である。
上記の透明電極の材料としては、(1)インジウムスズ酸化物(ITO;塗布型ITOを含む。)、酸化スズ、酸化亜鉛、インジウム亜鉛酸化物、アンチモンドープ酸化スズ、アルミニウムドープ酸化亜鉛などの透明導電性酸化物、(2)アルミニウム、銅、チタン、銀などの薄膜や、これらの金属の混合薄膜、積層薄膜といった金属薄膜、(3)ポリピロール、ポリエチレンジオキシチオフェン(以下、「PEDOT」と略記する。)、ポリフェニレンビニレン(以下、「PPV」と略記する。)、ポリフルオレンなどの導電性高分子化合物、などを用いることができる。
透明電極の形成は、例えば、該透明電極の元となる膜をその材料に応じて真空蒸着法、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、スパッタ法などの物理的気相蒸着法、あるいは各種の重合法(電界重合法など)などにより形成した後、当該膜をリソグラフィ法(フォトリソグラフィ法、電子線リソグラフィ法など)とエッチング法とを利用して所定形状にパターニングすることで行われる。所定形状のマスクを用いた物理的気相蒸着法や重合法により所望形状の透明電極を直接形成することも可能である。
透明電極は、十分な導電性を持たせるために、あるいは支持基板表面の凹凸に起因する有機光電変換部への不均一な光入射を防ぐために、1nm以上の厚さにすることが望ましい。また、十分な透明性を持たせるために500nm以下の厚さにすることが望ましい。
有機光電変換素子を構成する第1電極および第2電極のうちで負極として利用する電極の材料としては、有機光電変換部で生じた電子を効率よく取り出すことができるように、アルミニウム、インジウム、マグネシウム、チタン、銀、カルシウム、ストロンチウムなどの金属や、これらの金属を含有した合金、あるいは前記の金属を含有した導電性の酸化物もしくはフッ化物などが用いられる。これらの材料からなる負極の形成は、例えば抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、スパッタ法などの物理的気相蒸着法により行うことができる。
なお、第1電極および第2電極のいずれについても、その構造は単層構造とすることもできるし、積層構造とすることもできる。また、有機光電変換部での光電変換効率を高めるうえからは、第1電極および第2電極のうちで光入射面側に位置する電極とは反対側の電極については、光電変換に寄与することなく当該電極に達した光を再び有機光電変換部へ供給して光電変換に寄与させることができるように、光反射率の高い材料によって形成することが好ましい。第1電極や第2電極の平面形状は四角形に限定されるものではなく、四角形以外の多角形や楕円形(円形を含む。)など、所望の形状とすることができる。
必要に応じて、有機光電変換膜の材料の1つである後述の電子供与性材料よりも低い仕事関数を有すると共に正極よりも高い仕事関数を有する物質からなる正極バッファ層を、正極と有機光電変換部との間に介在させることもできる。また、フッ化リチウムをはじめとする金属フッ化物や金属酸化物など、有機光電変換膜の材料の1つである後述の電子受容性材料よりも高い仕事関数を有すると共に負極よりも低い仕事関数を有する物質からなる負極バッファ層を、負極と有機光電変換部との間に介在させることができる。
有機光電変換膜や有機光電変換部は、例えば電子供与性材料と電子受容性材料とを用いて形成される。このとき、電子供与性材料としては、(1)フェニレンビニレンおよびその誘導体、フルオレンおよびその誘導体(骨格にキノリン基またはピリジン基を有するフルオレン系コポリマー(P0F66、P1F66、PFPVなど)など)、フルオレン含有アリールアミンポリマー、カルバゾールおよびその誘導体、インドールおよびその誘導体、ピレンおよびその誘導体、ピロールおよびその誘導体、ピコリンおよびその誘導体、チオフェンおよびその誘導体、アセチレンおよびその誘導体、ジアセチレンおよびその誘導体などの重合体ならびにその誘導体、(2)デンドリマーとして総称される一群の高分子材料、(3)ポルフィン、テトラフェニルポルフィン銅、フタロシアニン、銅フタロシアニン、チタニウムフタロシアニンオキサイドなどのポリフィリン化合物、(4)1,1−ビス(4−(ジ−p−トリルアミノ)フェニル)シクロヘキサン、4,4’,4″−ト
リメチルトリフェニルアミン、N,N,N’,N’−テトラキス(p−トリル)−p−フェニレンジアミン、1−(N,N−ジ−p−トリルアミノ)ナフタレン、4,4’−ビス(ジメチルアミノ)−2,2’−ジメチルトリフェニルメタン、N,N,N’,N’−テトラフェニル−4,4’−ジアミノビフェニル、N,N’−ジフェニル−N,N’−ジ−m−トリル−4,4’−ジアミノビフェニル、N−フェニルカルバゾールなどの芳香族第三級アミン、(5)4−ジ−p−トリルアミノスチルベン、4−(ジ−p−トリルアミノ)−4’−(4−(ジ−p−トリルアミノ)スチリル)スチルベンなどのスチルベン化合物、などを用いることができる。
さらには、トリアゾールおよびその誘導体、オキサジアゾールおよびその誘導体、イミダゾールおよびその誘導体、ポリアリールアルカンおよびその誘導体、ピラゾリンおよびその誘導体、ピラゾロンおよびその誘導体、フェニレンジアミンおよびその誘導体、アリールアミンおよびその誘導体、アミノ置換カルコンおよびその誘導体、オキサゾールおよびその誘導体、スチリルアントラセンおよびその誘導体、フルオレノンおよびその誘導体、ヒドラゾンおよびその誘導体体、シラザンおよびその誘導体、ポリシラン系アニリン系共重合体、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、ポリ3−メチルチオフェンなども用いることができる。なお、電子供与性材料は、化学的に修飾して吸収波長特性を調整することも可能である。
また、電子受容性材料としては、上述した電子供与性材料と同様の低分子および高分子材料の他に、次の(i)〜(vi)の化合物を繰り返し単位とする重合体、すなわち(i)1,3−ビス(4−tert−ブチルフェニル−1,3,4−オキサジアゾリル)フェニレンなどのオキサジアゾールおよびその誘導体、(ii)フルオレンおよびその誘導体、(iii) アントラキノジメタンおよびその誘導体、(iv)ジフェニルキノンおよびその誘導体、(v)フラーレンおよびその誘導体([5,6]−フェニル C61 酪酸メチルエステル、[6,6]−フェニル C61 酪酸メチルエステルなど)、(vi)カーボンナノチューブおよびその誘導体などを繰り返し単位とする重合体や、上記(i)〜(vi)の化合物と他のモノマーとの共重合体などが用いられる。さらには、デンドリマーとして総称される一群の高分子材料を用いることもできる。なお、電子受容性材料は、化学的に修飾して吸収波長特性を調整することも可能である。
有機光電変換膜や有機光電変換部の形成は、使用する材料に応じて、例えば真空蒸着法やスパッタリング法などの真空プロセスやスピンコート法、ディッピング法、インクジェット法などのウェットプロセスにより行うことができ、ウェットプロセスにより有機光電変換膜を形成した場合には、低コスト、高生産性の下に光電変換素子アレイを得ることが容易になる。
電子供与性材料と電子受容性材料とを用いて有機光電変化層を形成する場合、これら電子供与性材料および電子受容性材料は、互いに混合物を形成していてもよいし、互いに分離していてもよい。
図24は、有機光電変換膜の一例を概略的に示す断面図である。同図に示す有機光電変換膜8Bでは電子供与性材料81と電子受容性材料82とが混合物状態にある。ここで、上記の「混合物」とは、液相または固相の材料を容器に入れ、必要に応じて溶剤を添加したうえで攪拌などにより混ざり合わせた状態のものをいい、これをスピンコート法やインクジェット法などで成膜したものを含む。また、電子供与性材料と電子受容性材料との混合状態は均一である必要はなく、不均一に混ざっていてもよいし、一部のみが混合物を形成していてもよい。
また、図25は、有機光電変換膜の他の例を概略的に示す断面図である。同図に示す有機光電変換膜8Cでは電子供与性材料81と電子受容性材料82とが互いに別個に層状をなす。それぞれの層は完全に分離していなくてもよく、電子供与性材料81と電子受容性材料82との層間の一部が混合状態であってもよい。電子供与性材料81からなる層と電子受容性材料82からなる層とを完全に分離させようとする場合には、例えば、電子供与性材料81からなる層と電子受容性材料82からなる層とをそれぞれ別個に成膜する。なお、図24中および図25中の参照符号7は第1電極を指し、参照符号9は第2電極を指している。
電子供与性材料81と電子受容性材料82とが互いに混合物を形成していても互いに分離していても、有機光電変換膜で生じたキャリアのうちの電子は電子受容性材料82を通じて負極へ移動し、正孔は電子供与性有機材料81を通じて正極へと移動する。
カラーフィルタを設ける場合、当該カラーフィルタは、例えば原色系または補色系の複数種の色フィルタにより構成される。原色系のカラーフィルタは、赤、緑、および青の3原色の色フィルタによって構成する他に、第4の色、例えばオレンジの色フィルタを加えた4色のフィルタによって構成することもできる。カラーフィルタは、例えば所望の染料や顔料などの色材で着色された有機組成物(例えばカラーレジン)により形成した層をフォトリソグラフィ法により所定形状にパターニングすることで形成される。また、色材で着色された所望の有機組成物を印刷法、インクジェット法、蒸着法などの方法で所定パターンに塗工したり、電着法により所定箇所に堆積させたりすることでも形成することができる。カラーフィルタを構成する各色のフィルタの配置は、図1に示した配置に限定されるものではなく、適宜選定可能である。
カラーフィルタを覆う保護膜は、耐熱性および耐溶剤性に優れている他に、平坦性、密着性、透明性、耐光性、耐熱変色性、保存安定性などにも優れているものであることが好ましく、このような保護膜の原料としては、例えばアクリル系、エポキシ系、ポリイミド系、シロキサン系、アルキル系などの光硬化性または熱硬化性の樹脂組成物などが用いられる。光硬化性または熱硬化性の樹脂組成物を用いて保護膜を形成する場合には、当該樹脂組成物をスピンコート法などの方法で塗工して塗膜を形成した後、この塗膜に所定波長域の光を照射して半硬化させてから所定形状にパターニングするか、または熱処理を施して半硬化させてから所定形状にパターニングし、その後、光照射または熱処理により完全に硬化させる。
カラーフィルタにおいて互いに隣り合う色フィルタ同士の平面視上の間に遮光層を設ける場合、当該遮光層としては光学濃度が2.0以上(遮光率99%以上)のものが好ましい。このような遮光層は、例えばカーボンなどの色材を含有した有機高分子材料や、光反射性もしくは光吸収性に優れたクロム(Cr)、アルミニウム(Al)、銅(Cu)、ニッケル(Ni)、タンタル(Ta)、タングステン(W)などの金属、あるいは黒鉛などの炭素系材料などによって形成することができる。また、赤色に着色された有機高分子材料と緑色に着色された有機高分子材料と青色に着色された有機高分子材料とを重ねる合わせることで遮光層を形成することもできる。色材で着色された有機高分子材料を用いる場合、ベースとなる有機高分子材料としては、例えばポリイミド系樹脂のように耐光性、耐熱性、保存安定性などに優れた感光性または熱硬化性のものが好適に使用される。遮光層を形成するにあたっては、その材料に応じて、スパッタ法、フォトリソグラフィ法とエッチング法とを組み合わせた方法、無電界メッキ法、電着法、印刷法などの方法が適宜用いられる。
バンク層を設ける場合、当該バンク層の材料としては電気絶縁性材料、例えばポリイミド系樹脂などの有機高分子材料やセラミックなどが用いられる。有機高分子材料によりバンク層を形成するにあたっては、その材質に応じて、フォトリソグラフィ法、印刷法、インクジェット法、電着法などの方法を適用することができる。生産性を高めるという観点からは、熱硬化性樹脂よりも感光性樹脂を用いてバンク層を形成した方が好ましい。
また、セラミックを用いてバンク層を形成するときには、例えば、ケイ素酸化物やアルミニウム酸化物などの無機酸化物、ケイ素窒化物などの無機窒化物、ケイ素酸窒化物などの無機酸窒化物、電気絶縁性の無機フッ素化合物などからなる層をPVD法またはCVD法により形成し、当該層を例えばフォトリソグラフィ法とエッチング法とによって所定形状にパターニングする。バンク層の材料に用いるセラミックとしては、ケイ素窒化物やケイ素酸化窒化物など、ケイ素原子を含んだセラミックが好ましい。
必要に応じて、バンク層には遮光層としての機能を付与することができる。遮光層としての機能が付与されたバンク層は、例えば上述した遮光層の材料(ただし、電気絶縁性材料に限る。)を所定形状に成形することで得られる。
信号読出し配線は、第1電極と同じ材料によって形成することもできるし、第2電極と同じ材料によって形成することもできるし、上述の遮光層として導電性の遮光層を設ける場合には当該遮光層と同じ材料によって形成することもできる。さらには、他の導電性材料、例えば金により形成することもできる。また、複数種の導電性材料の混合物や、各層が互いに異なる導電性材料からなる積層物によって当該信号読出し配線を形成することもできる。この信号読出し配線を他の部材(第1電極、第2電極、または遮光層)と同じ材料によって形成する場合には、当該配線の一部または全部を上記の部材と一緒に形成してもよし、別々に形成してもよい。
有機光電変換素子の素子寿命が長い光電変換素子アレイを得るうえからは、前述のように、各有機光電変換素子を覆うようにして封止部を設け、該封止部により各有機光電変換素子への酸素や水分の侵入を抑制することが好ましい。この封止部は、前述のように極浅い箱状のガラス容器を用いて形成する以外に、各有機光電変換素子を覆うようにして酸化ケイ素、酸窒化ケイ素、酸化アルミニウム、窒化ケイ素、フッ化リチウムなどからなる無機膜やゾル−ゲル法によるガラス膜、あるいは熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂、封止効果のあるシラン系高分子材料などからなる有機膜を基板上に成膜することによっても、形成することができる。さらには、各有機光電変換素子を覆うようにして平板状のガラス板を接着剤により固着させることによっても封止部を形成することができる。
光電変換デバイスを構成する信号読出し手段は、例えば単結晶シリコン基板などの半導体基板に所望の集積回路、例えばコンデンサ機能、スイッチ機能、リセット機能、増幅機能などを有する集積回路を形成し、例えば個々の有機光電変換素子での光起電力に起因する電流または電圧を有機光電変換素子毎に所定の時間蓄積あるいは積分することで各有機光電変換素子に生じた電気信号を読み取る。この信号読出し手段は、異方性導電フィルムなどを用いて支持基板に実装される。1つの光電変換デバイスにおける信号読出し手段の数は、有機光電変換素子の数に応じて1以上の所望数とすることができる。信号読出し手段を幾つ設けるかは、有機光電変換素子の総数や信号読出し手段の製造コストなどを考慮して適宜選定される。
本発明の光電変換素子アレイ、光電変換デバイス、光電変換ユニット、および画像読取り装置については、上述した以外にも種々の変形、修飾、組合せなどが可能である。以下、本発明の具体的な内容について、実施例を挙げて説明する。
(実施例1)
まず、支持基板として無アルカリガラス板を用意し、この無アルカリガラス板上に赤色のカラーレジンを塗布して塗膜を形成した。次いで、該塗膜を100℃で仮焼成した後にフォトマスクを介して露光し、現像を行って、ストライプ状にパターニングされた膜厚2μmの赤色カラーレジン層を得た。同様にして、ストライプ状にパターニングされた膜厚2μmの緑色カラーレジン層と膜厚2μmの青色カラーレジン層とを得た後、これら赤色、緑色、および青色の各カラーレジン層を本焼成して、赤色フィルタと緑色フィルタと青色フィルタとからなるカラーフィルタを得た。
次に、上記のカラーフィルタを覆うようにして熱硬化性樹脂組成物をスピンコート法により塗布して塗膜を形成し、この塗膜を乾燥させてから当該塗膜上に所定形状のフォトマスクを形成した。そして、このフォトマスクを用いて上記乾燥後の塗膜を選択的に露光した後に現像を行い、200℃で焼成して、上記のカラーフィルタの上面および側面を覆う膜厚(カラーフィルタ上での膜厚)2μmの保護膜を得た。
この保護膜上および無アルカリガラス板の露出面上にスパッタ法により膜厚160nmのITO膜を成膜した後、該ITO膜上にスピンコート法によりレジスト材を塗布して膜厚10μmのレジスト膜を形成し、このレジスト膜に選択的な露光および現像を施して所定形状のレジストパターンを得た。そして、該レジストパターンまで形成した無アルカリガラス板を液温60℃の50%塩酸水溶液中に浸漬して、レジストパターンが形成されていない部分のITO膜をエッチングにより除去した。
この後、上記のレジストパターンを除去して、3行7500列に亘ってマトリックス状に配置された多数のITO電極と、個々のITO電極に1本ずつ接続された信号読出し配線とを得た。上記の各ITO電極は有機光電変換素子での第1電極として利用されるものであり、行方向のピッチおよび列方向のピッチはいずれも0.042mmである。
ITO電極まで形成した無アルカリガラス板にポリイミド系光硬化性樹脂組成物をスピンコートして塗膜を形成し、この塗膜を120℃でプリベークした後にフォトマスクを介して露光し、さらに現像、および260℃でのポストベークを順次行って、後述する有機光電変換部を有機光電変換素子毎に互いに離隔させることになるバンク層を得た。このバンク層の側面のうちで後述の有機光電変換部に面することになる領域は、いずれも、逆テーパ状である。
このようにしてバンク層まで形成した無アルカリガラス板に、純水による10分間の超音波洗浄、界面活性剤(米国オーカイト社製のPD−6(商品名))による5分間の超音波洗浄、および純水による10分間の超音波洗浄をこの順番で順次施した後、無アルカリガラス板に付着している水分を窒素ブロアーで除去した。
次に、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)とポリスチレンスルフォネートとの混合物を目開き0.45μmのフィルタを通して無アルカリガラス板上に滴下し、スピンコート法によって均一に塗布した。これを200℃のクリーンオーブン中で30分間加熱することで、上記のITO電極それぞれの上に正極バッファ層を形成した。
次いで、ポリ(2−メトキシ−5−(2’−エチルヘキシルオキシ)−1,4−フェニレンビニレン)と[5,6]−フェニル C61 酪酸メチルエステルとを1:4の重量比で含有するクロロベンゼン溶液をスピンコート法により上記の正極側バッファ層上に塗布し、100℃のクリーンオーブン中で30分間加熱処理して、上記の正極バッファ層それぞれの上に厚さ約100nmの有機光電変換部を形成した。各有機光電変換部の上面は、バンク層の上面よりも下方にある。
続いて、0.27mPa(2×10-6Torr)以下の真空度にまで減圧した抵抗加熱蒸着装置内にて、膜厚2nmのフッ化リチウム膜と膜厚約100nmのアルミニウム膜とを有機光電変換膜上にこの順番で順次成膜した。フッ化リチウム膜は各有機光電変換部を覆っており、アルミニウム膜は負極バッファ層を覆っている。
このようにしてアルミニウム膜まで形成することにより、無アルカリガラス板上に3行7500列に亘ってマトリックス状に配置された多数の有機光電変換素子が得られた。個々の有機光電変換素子は、第1電極(ITO膜)と、正極バッファ層と、有機光電変換部と、フッ化リチウム膜の一領域からなる負極バッファ層と、アルミニウム膜の一領域からなる第2電極とを備えている。
この後、エポキシ系の光硬化型接着剤により上記のアルミニウム膜上にガラス板を接着させて封止部を形成し、これにより、上記多数の有機光電変換素子とこれらの有機光電変換素子を封止する封止部とを備えた光電変換素子アレイを得た。
最後に、信号読出し手段としての所定個の半導体チップを無アルカリガラス板上に実装して、光電変換デバイスを得た。この光電変換デバイスにおける正極バッファ層、負極バッファ層、および封止部をそれぞれ除いた残りの構成は、図1および図2に示した光電変換デバイス30Aでの構成と同様であり、個々の半導体チップは異方性導電フィルムを介して無アルカリガラス板上に実装されて、所定の信号読み出し配線を介して所定の有機光電変換素子に接続されている。
(実施例2)
黒色の色材としてのカーボンを含有した光硬化性樹脂組成物を用いてバンク層を形成した以外は実施例1と同様の条件の下に光電変換素子アレイを作製した後、実施例1と同様の条件の下に信号読出し手段としての所定個の半導体チップを無アルカリガラス板上に実装して、光電変換デバイスを得た。
本発明にかかる光電変換素子アレイ、光電変換デバイス、光電変換ユニット、および画像読取り装置は、物体の形状や画像等の各種情報を電気信号として取り出すスキャナー装置、ファックス装置などへの利用が可能である。
本発明の光電変換デバイスの一例を概略的に示す一部切欠き平面図 図1に示した光電変換デバイスを概略的に示す断面図 本発明の光電変換素子アレイを製造する際の工程の一例を概略的に示す断面図 本発明の光電変換素子アレイのうちでカラーフィルタを有していないものの一例を概略的に示す一部切欠き平面図 図4に示した光電変換素子アレイを概略的に示す断面図 本発明の光電変換素子アレイのうちでバンク層を有していないものの一例を概略的に示す一部切欠き平面図 図6に示した光電変換素子アレイを概略的に示す断面図 本発明の光電変換素子アレイのうちでバンク層を有していないものの他の例を概略的に示す断面図 本発明の光電変換素子アレイのうちで各有機光電変換部がコモン構造をなすものの一例を概略的に示す一部切欠き平面図 図9に示した光電変換素子アレイの一部を概略的に示す断面図 本発明の光電変換素子アレイのうちで各有機光電変換部がコモン構造をなすものの他の例を概略的に示す断面図 本発明の光電変換素子アレイのうちで各第1電極がコモン構造をなす光電変換素子アレイの一例を概略的に示す一部切欠き平面図 図12に示した光電変換素子アレイの一部を概略的に示す断面図 本発明の光電変換素子アレイのうちで各第1電極がコモン構造をなす光電変換素子アレイの他の例を概略的に示す断面図 本発明の光電変換素子アレイのうちで第1電極および第2電極の各々が個別電極である光電変換素子アレイの一例を概略的に示す一部切欠き平面図 図15に示した光電変換素子アレイの一部を概略的に示す断面図 本発明の光電変換素子アレイのうちで第1電極および第2電極の各々が個別電極である光電変換素子アレイの更に他の例を概略的に示す断面図 本発明の光電変換デバイスのうちで封止部を有する光電変換素子アレイを備えたものの一例を概略的に示す断面斜視図 図18に示した光電変換デバイスを概略的に示す他の断面斜視図 本発明の光電変換デバイスのうちで遮光層を有する光電変換素子アレイを備えたものの一例を概略的に示す断面図 本発明の光電変換ユニットの一例を概略的に示す斜視図 本発明の画像読取り装置の一例を概略的に示す斜視図 図22に示す画像読取り装置の内部構造を示す概略図 有機光電変換膜の一例を概略的に示す断面図 有機光電変換膜の他の例を概略的に示す断面図
符号の説明
1 支持基板
3 カラーフィルタ
3R 赤色フィルタ
3G 緑色フィルタ
3B 青色フィルタ
5A,5B 保護膜
7 第1電極
7A 電極膜
8 有機光電変換部
8A 有機光電変換膜
9 第2電極
9A 電極膜
10 有機光電変換素子
13 バンク層
15 信号読出し配線
20A〜20L 光電変換素子アレイ
25 信号読出し手段
30A〜30C 光電変換デバイス
60 人工光源
65 光学系
70 撮像光学系
80,80a〜80c 光電変換ユニット
110 自動原稿送り部
120 画像データ作成部
130 画像読取り装置

Claims (23)

  1. 支持基板と、該支持基板上に配置された複数の有機光電変換素子とを備え、前記複数の有機光電変換素子の各々は、前記支持基板上に配置された第1電極と、該第1電極上に配置された有機光電変換部と、該有機光電変換部上に配置された第2電極とを有する光電変換素子アレイであって、
    前記第1電極、前記有機光電変換部、および前記第2電極のうちの1つまたは2つは、各有機光電変換素子が1つの膜を共用したコモン構造をなし、前記第1電極および前記第2電極のうちの少なくとも一方は有機光電変換素子毎に形成された個別電極であることを特徴とする光電変換素子アレイ。
  2. 前記支持基板は光透過性を有することを特徴とする請求項1に記載の光電変換素子アレイ。
  3. 前記個別電極は透明電極であることを特徴とする請求項1または2に記載の光電変換素子アレイ。
  4. 前記第1電極および前記第2電極のうちの一方のみが有機光電変換素子毎に形成された個別電極であり、
    前記複数の有機光電変換素子の各々における前記有機光電変換部を互いに離隔させるバンク層を更に有する、
    ことを特徴とする請求項1〜3のいずれか1つに記載の光電変換素子アレイ。
  5. 前記バンク層の膜厚は前記第1電極の膜厚よりも厚いことを特徴とする請求項4に記載の光電変換素子アレイ。
  6. 前記バンク層における有機光電変換素子側の各側面のうちで少なくとも有機光電変換部に面する領域は逆テーパ状であることを特徴とする請求項4または5に記載の光電変換素子アレイ。
  7. 前記バンク層は有機高分子材料を含むことを特徴とする請求項4〜6のいずれか1つに記載の光電変換素子アレイ。
  8. 前記バンク層はポリイミド系樹脂を含むことを特徴とする請求項7に記載の光電変換素子アレイ。
  9. 前記バンク層は感光性樹脂を含むことを特徴とする請求項7または8に記載の光電変換素子アレイ。
  10. 前記バンク層はセラミックを含むことを特徴とする請求項4〜6のいずれか1つに記載の光電変換素子アレイ。
  11. 前記バンク層はケイ素原子を含むことを特徴とする請求項10に記載の光電変換素子アレイ。
  12. 前記バンク層はケイ素窒化物またはケイ素酸窒化物を含むことを特徴とする請求項10または11に記載の光電変換素子アレイ。
  13. 前記バンク層は遮光層としての機能を有することを特徴とする請求項4〜12のいずれか1つに記載の光電変換素子アレイ。
  14. 前記バンク層は炭素系の色材を含むことを特徴とする請求項13に記載の光電変換素子アレイ。
  15. 前記バンク層の光学濃度は2.0以上であることを特徴とする請求項13または14に記載の光電変換素子アレイ。
  16. 前記有機光電変換部はインクジェット法により形成されたものであることを特徴とする請求項1〜15のいずれか1つに記載の光電変換素子アレイ。
  17. 前記有機光電変換部は電子供与性材料と電子受容性材料とを含むことを特徴とする請求項1〜16のいずれか1つに記載の光電変換素子アレイ。
  18. 前記複数の有機光電変換素子の各々に1本ずつ接続された信号読出し配線を更に有することを特徴とする請求項1〜17のいずれか1つに記載の光電変換素子アレイ。
  19. 前記複数の有機光電変換素子の各々を封止する封止部を更に有することを特徴とする請求項1〜18のいずれか1つに記載の光電変換素子アレイ。
  20. 前記支持基板上に配置されて前記複数の有機光電変換素子それぞれへの入射光の波長域を規制するカラーフィルタを更に有することを特徴とする請求項1〜19のいずれか1つに記載の光電変換素子アレイ。
  21. 撮像光学系により形成された画像を電気信号に変換する光電変換デバイスであって、
    請求項1〜20いずれか1つに記載の光電変換素子アレイと、
    前記光電変換素子アレイにおける前記支持基板上に実装されて前記複数の有機光電変換素子の各々から電気信号を読み出す信号読出し手段と、
    を備えていることを特徴とする光電変換デバイス。
  22. 撮像光学系と、該撮像光学系により形成された画像を電気信号に変換する光電変換デバイスとを備えた光電変換ユニットであって、
    前記撮像光学系は、人工光源と、該人工光源から出射して被撮像物で反射した光、または前記人工光源から出射して被撮像物を透過した光を結像させる光学系とを有し、
    前記光電変換デバイスは請求項21に記載の光電変換デバイスである、
    ことを特徴とする光電変換ユニット。
  23. 撮像光学系により形成した原稿の画像を電気信号に変換する光電変換ユニットと、該光電変換ユニットと原稿とを相対的に移動させて前記撮像光学系による前記原稿の撮像位置を変位させる撮像位置変移手段と、前記光電変換ユニットで作成された電気信号を基に画像データを作成する画像データ作成部とを備えた画像読取り装置であって、
    前記光電変換ユニットは、請求項22に記載の光電変換ユニットであることを特徴とする画像読取り装置。
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