JP2008179501A - 基板の分断方法及び電気光学装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】レーザ光を用いてスクライブするときに、レーザ光による損傷を受けにくい基板の分断方法及び電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】第１基板３４を分断予定面３４ｂに沿って切断する基板の分断方法に係る。第１基板３４の分断予定面３４ｂに沿って、一方の面に斜面３９ｂ、３９ｃを有する凹部３９を形成する斜面形成工程と、第１基板３４の分断予定面３４ｂに沿って、レーザ光２を照射して、改質部４１を形成する照射工程と、改質部４１に応力を加えて、第１基板３４を分断する分断工程とを有し、照射工程では、斜面３９ｂ、３９ｃが形成された面３４ｃと反対側の面から、斜面３９ｂ、３９ｃにレーザ光２の一部又は全部が照射されるように照射する。
【選択図】図５

Description

本発明は、基板の分断方法及び電気光学装置の製造方法に係り、特に基板上における構造物の損傷を防止する方法に関するものである。

光透過性のある基板を品質良く切断するために、レーザ光を基板に照射して基板内部に改質領域（以下、改質部と称す。）を形成するレーザスクライブ方法が特許文献１に開示されている。それによると、パルス幅が１μｓ以下のレーザ光を出射し、集光レンズで基板内部に集光し、集光点におけるピークパワー密度が１×１０⁸（Ｗ／ｃｍ²）以上にする。これにより、加工対象物の内部に多光子吸収による改質部を形成するものである。

また、このレーザスクライブ方法において、加工対象物の内部に形成される改質部あるいはこれを起点として形成される改質部の大きさは、集光レンズの特性と、レーザ光のピークパワー密度に依存する。例えば、上記特許文献１に示されたガラス（厚さ７００μｍ）に対してＹＡＧレーザを用いて切断する実施例では、集光レンズの開口数が０．５５の場合、ピークパワー密度がおよそ１×１０¹¹（Ｗ／ｃｍ²）では、改質部の大きさは、およそ１００μｍである。また、ピークパワー密度がおよそ５×１０¹¹（Ｗ／ｃｍ²）では、およそ２５０μｍである。基板の内部に改質部を配列して形成し、改質部を押圧することで、基板を改質部に沿って品質良く分断することができる。

液晶表示装置などの表示装置は、外形が矩形である１対の基板を用いて、１対の基板の間に液晶や発光素子を配置して形成されることが多い。その製造方法において、トランジスタなどのスイッチング素子や表示素子に対応するパターンを複数配列した素子マザー基板と、共通電極等のパターンを配置した対向マザー基板とを貼り合せて、分断する方法が広く採用されている。

特開２００２−１９２３７１号公報

１対の基板を接合した後に、基板にレーザ光を照射してスクライブするとき、一部のレーザ光は、形成される改質部を透過する。集光レンズに近い場所に位置する基板に形成される改質部を透過するレーザ光は、集光レンズから離れている場所に位置する基板を照射する。集光レンズから離れている場所に位置する基板に、配線、端子、電気素子などが配置されているとき、改質部を透過するレーザ光はこれらを照射する。レーザ光を照射される配線、端子、電気素子は、レーザ光により損傷を受ける可能性がある。その結果、損傷を受けた配線、端子、電気素子は、電気的機能を正常に機能できなくなる可能性がある。

本発明は、このような従来の問題点に着目してなされたもので、その目的は、レーザ光を用いてスクライブするときに、レーザ光による損傷を受けにくい基板の分断方法及び電気光学装置の製造方法を提供することにある。

上記課題を解決するために、本発明の基板の分断方法は、第１基板を分断予定面に沿って切断する基板の分断方法であって、第１基板の分断予定面に沿って、一方の面に斜面を形成する斜面形成工程と、第１基板の分断予定面に沿って、レーザ光を照射して、改質部を形成する照射工程と、改質部に応力を加えて、第１基板を分断する分断工程とを有し、照射工程では、斜面が形成された面と反対側の面から、斜面にレーザ光の一部又は全部が照射されるように照射することを特徴とする。

この基板の分断方法によれば、照射工程において、レーザ光が照射される。このとき、改質部を形成するために、レーザ光は、第１基板内の集光場所に集光して照射される。集光場所を通過したレーザ光は、集光場所から広がって、放射する。集光場所から放射されるレーザ光のうち、少なくとも一部は、第１基板に形成されている斜面に、照射される。第１基板は、大気中に比較して、屈折率が大きいので、斜面を照射するレーザ光のうち、少なくとも一部は、第１基板と大気との境界において、反射する。

第１基板から、第１基板と大気との境界面に到達するレーザ光の入射角が大きくなる様に、斜面を配置するとき、斜面で反射するレーザ光の光量を大きくすることができる。従って、基板の分断予定面から放出されるレーザ光の光量が減少する。その結果、分断予定面と対向する場所に、レーザ光により損傷を受ける構造物があるときにおいても、この構造物を照射するレーザ光の光量が小さくなっている為、構造物は、損傷を受け難くすることができる。

本発明の基板の分断方法は、斜面形成工程では、第１基板の分断予定面に沿って、少なくとも２つの斜面を有する凹部が形成され、照射工程では、レーザ光の光軸が、凹部の頂点付近を通る様に、レーザ光が照射されることを特徴とする。

この基板の分断方法によれば、第１基板には、分断予定面に沿って、２つの斜面が凹部を形成する様に配置されている。集光場所から放射されるレーザ光は、分断予定面から離れる方向に照射する。

分断予定面に沿ってレーザ光が照射され、凹部の頂点付近をレーザ光が通る様に照射する。そして、凹部の右側に右斜面、左側に左斜面を配置するとき、集光場所を通過して、分断予定面の右側に放射するレーザ光は右斜面を照射して、分断予定面の左側に放射するレーザ光は左斜面を照射する。右斜面と左斜面とで凹部を形成することから、右斜面は、左側を向いている。従って、右斜面を照射するレーザ光が、斜面に入射する入射角は、斜面が無い場合に比べて、入射角が大きくなる。そして、右斜面を照射するレーザ光は、右斜面で反射し易くなる。同様に、左斜面を照射するレーザ光は、左斜面で反射し易くなる。

つまり、集光場所から右側に放射するレーザ光も、左側に照射するレーザ光も凹部に形成される斜面で、第１基板内に反射され易くなる。その結果、分断予定面と対向する場所を照射するレーザ光の光量を減らすことができる。

本発明の基板の分断方法は、上記斜面の内少なくとも１つの斜面において、斜面と分断予定面とのなす角度が、凹部の頂点に近い場所の斜面が、凹部の頂点から遠い場所の斜面に比べて、鋭角に形成されていることを特徴とする。

この基板の分断方法によれば、凹部の斜面と分断予定面との角度が、斜面の場所により、異なって形成される。そして、凹部の頂点に近い場所の斜面は、分断予定面に対して鋭角に形成される。基板にレーザ光を照射するときに、レーザ光の光軸が分断予定面を通過する様に、レーザ光を照射した後、レーザ光は、光軸上の集光場所に集光される。

そして、集光場所から放射するレーザ光のうち、光軸に対して鋭角に進行するレーザ光は、凹部の頂点に近い斜面を照射する。このとき、凹部の頂点に近い斜面は、光軸に対して鋭角に形成されていることから、斜面を照射するレーザ光は、その斜面において、入射角が大きくなる為、反射し易くなっている。

集光場所から放射するレーザ光のうち、光軸に対して大きな角度で進行するレーザ光は、凹部の頂点から遠い斜面を照射する。このとき、凹部の頂点から遠い斜面は、光軸に対して大きな角度に形成されているが、この場所の斜面を照射するレーザ光は、光軸に対して大きな角度で進行することから、斜面を照射するレーザ光は、その斜面において、入射角が大きくなる為、反射し易くなっている。従って、凹部の頂点に近い場所においても、遠い場所においても、入射角が大きくなることにより、レーザ光が斜面で反射し易くなる。その結果、レーザ光が基板を通過し難くすることができる。

本発明の基板の分断方法は、斜面形成工程と、照射工程との間に、第１基板と第２基板とを接合する接合工程を有し、第２基板において、分断予定面と対向する場所には、レーザ光の照射により損傷する構造物が形成されていることを特徴とする。

この基板の分断方法によれば、分断予定面にレーザ光を照射するとき、第２基板に形成される構造物は、レーザ光の照射を受ける可能性がある。斜面形成工程において、分断予定面に沿って、斜面が形成されるため、レーザ光は斜面で反射することにより、構造物を照射するレーザ光の光量が小さくなる。その結果、構造物がレーザ光の照射により損傷する構造物であっても、この構造物は損傷され難くすることができる。

上記課題を解決するために、本発明の電気光学装置の製造方法は、第１基板と、第２基板とを接合した後、分断予定面に沿って切断して形成する電気光学装置の製造方法であって、第１基板の分断予定面に沿って、一方の面に斜面を形成する斜面形成工程と、第１基板と第２基板とを接合する接合工程と、第１基板の分断予定面に沿って、レーザ光を照射して、改質部を形成する照射工程と、第１基板と第２基板とを分断する分断工程とを有し、照射工程では、斜面が形成された面と反対側の面から、斜面にレーザ光の一部又は全部が照射されるように照射することを特徴とする。

この電気光学装置の製造方法によれば、照射工程において、レーザ光が照射される。第１基板の内部から、第１基板と大気との境界面に到達するレーザ光の入射角が大きくなる様に、斜面を形成するとき、斜面で反射するレーザ光の光量を大きくすることができる。従って、第１基板の分断予定面において、第１基板の外部へ放出されるレーザ光の光量が減少する。その結果、分断予定面と対向する場所に、レーザ光により損傷を受ける構造物があるときにおいても、この構造物を照射するレーザ光の光量が小さくなっている為、構造物は、損傷を受け難くすることができる。

本発明の電気光学装置の製造方法は、斜面形成工程では、第１基板の分断予定面に沿って、少なくとも２つの斜面を有する凹部が形成され、照射工程では、レーザ光の光軸が、凹部の頂点付近を通る様に、レーザ光が照射されることを特徴とする。

この電気光学装置の製造方法によれば、第１基板には、分断予定面に沿って、少なくとも２つの斜面が凹部を形成する様に配置されている。そして、斜面が分断予定面の右側と左側に形成されているとき、集光場所から右側に放射するレーザ光は、右側の斜面で反射され易くなる。同様に、集光場所から左側に放射するレーザ光は、左側の斜面で反射され易くなる。つまり、集光場所から右側に放射するレーザ光も、左側に放射するレーザ光も凹部に形成される斜面で、第１基板内に反射され易くなる。その結果、分断予定面と対向する第２基板の場所を照射するレーザ光の光量を減らすことができる。

本発明の電気光学装置の製造方法は、第２基板において、第１基板の分断予定面と対向する場所には、電極又は配線が形成されていることを特徴とする。

この電気光学装置の製造方法によれば、第２基板において、分断予定面と対向する場所には、電極又は配線が形成されており、この電極又は配線には、照射工程において、レーザ光が照射される。電極及び配線は、レーザ光の照射を受けることにより、損傷するので、断線及び一部欠落して、抵抗値が上昇する不具合が生じる可能性がある。本発明では、第１基板の分断予定面上に、斜面を形成することにより、電極又は配線を照射するレーザ光の光量を小さくすることができる。その結果、電極又は配線は、レーザ光による損傷を受け難くすることができる。

以下、本発明を具体化した実施例について図面に従って説明する。
尚、各図面における各部材は、各図面上で認識可能な程度の大きさとするため、部材毎に縮尺を異ならせて図示している。

（第１の実施形態）
本実施形態では、レーザスクライブ装置を用いて、レーザスクライブ方法によりスクライブして分断する場合の例を説明する。ここで、本発明の特徴的な製造方法について説明する前にレーザスクライブ装置について図１を用いて説明する。

（レーザスクライブ装置）
図１は、レーザスクライブ装置の構成を示す模式概略図である。
図１に示すように、レーザスクライブ装置１は、レーザ光２を出射するレーザ光源３と、出射されたレーザ光２をワークに照射する光学経路部４と、光学経路部４に対してワークを相対的に移動させるテーブル部５と、動作を制御する制御装置６を主として構成されている。

レーザ光源３は、出射するレーザ光２を加工対象物の内部に集光して多光子吸収による改質部を形成できる光源であれば良い。例えば、レーザ光源３は、本実施形態において、ＬＤ励起Ｎｄ：ＹＡＧ（Ｎｄ：Ｙ₃Ａｌ₅Ｏ₁₂）のレーザ媒質からなり、第３次高調波（波長：３５５ｎｍ）のＱスイッチパルス発振のレーザ光２を出射する発光条件を採用している。パルス幅はおよそ１４ｎｓ（ナノ秒）、パルス周期は１０ｋＨｚ、出力はおよそ６０μＪ／パルスのレーザ光２を出射する発光条件を採用している。

光学経路部４はハーフミラー７を備えている。ハーフミラー７は、レーザ光源３から照射されるレーザ光２の光軸２ａ上に配置されている。ハーフミラー７はレーザ光源３から照射されるレーザ光２を反射して、光軸２ｂへ進行方向を変更する。ハーフミラー７に反射したレーザ光２が通過する光軸２ｂ上に集光部８が配置されている。集光部８は、その内部に凸レンズである集光レンズ８ａを備え、レーザ光２を集光場所２ｃに集光可能にしている。

集光部８はレンズ支持部１０により、レンズ移動機構１１に支持されている。レンズ移動機構１１は、図示しない直動機構を有し、集光部８を光軸２ｂ方向（図中Ｚ方向）に移動させて、集光部８を通過したレーザ光２が集光する集光場所２ｃを移動可能としている。

直動機構は、例えばＺ方向に延びるネジ軸（駆動軸）と、同ネジ軸と螺合するボールナットを供えたネジ式直動機構であって、その駆動軸が所定のパルス信号を受けて所定のステップ単位で正逆転する図示しないＺ軸モータに連結されている。そして、所定のステップ数に相当する駆動信号がＺ軸モータに入力されると、Ｚ軸モータが正転又は反転して、レンズ移動機構１１が同ステップ数に相当する分だけ、光軸２ｂ方向に沿って往動又は復動するようになっている。

集光部８とハーフミラー７とを通過する光軸２ｂの延長線上にあって、ハーフミラー７に対して集光部８の反対側には、撮像装置１２を備えている。撮像装置１２は、例えば、図示しない同軸落射型光源とＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ）が組み込まれたものである。同軸落射型光源から出射した可視光は、集光部８を透過してワーク９を照射する。撮像装置１２は、集光部８とハーフミラー７とを通してワーク９を撮像することが可能となっている。

テーブル部５は、基台１５を備えている。基台１５の光学経路部４側には、レール１６が凸設して配置されており、レール１６上にはＸ軸スライド１７が配置されている。Ｘ軸スライド１７は、図示しない直動機構を備え、レール１６上のＸ方向に移動可能となっている。直動機構は、レンズ移動機構１１が備える直動機構と同様な機構であり、所定のステップ数に相当する駆動信号に対応してＸ軸スライド１７が同ステップ数に相当する分だけ、Ｘ方向に沿って往動又は復動するようになっている。

Ｘ軸スライド１７の光学経路部４側にはレール１８が凸設して配置されており、レール１８上にはＹ軸スライド１９が配置されている。Ｙ軸スライド１９は、Ｘ軸スライド１７と同様な直動機構を備え、レール１８上をＹ方向に移動可能となっている。

Ｙ軸スライド１９の光学経路部４側には、ステージ２０が配置され、ステージ２０の上面には図示しない吸引式のチャック機構が設けられている。そして、ワーク９を載置すると、チャック機構によって、ワーク９がステージ２０の上面における所定の位置に位置決めされて固定されるようになっている。

制御装置６は、メインコンピュータ２４を備えている。メインコンピュータ２４は内部に図示しないＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）やメモリを備えている。ＣＰＵはメモリ内に記憶されたプログラムソフトに従って、レーザスクライブ装置１の動作を制御するものである。

メインコンピュータ２４は、図示しない入出力インターフェースを備え、入力装置２５、表示装置２６、レーザ制御装置２７、レンズ制御装置２８、画像処理装置２９、ステージ制御装置３０と接続されている。

入力装置２５は、レーザ加工の際に用いられる各種加工条件のデータを入力する装置であり、表示装置２６はレーザ加工時の各種情報を表示する装置である。ＣＰＵは、入力される各種加工条件とプログラムソフトとに従って、レーザ加工を行い、加工状況を表示装置２６に表示する。操作者が表示装置２６に表示される各種情報を見て、レーザ加工状況を確認して操作するようになっている。

レーザ制御装置２７は、レーザ光源３を駆動するパルス信号のパルス幅、パルス周期、出力の開始と停止、等を制御する装置であり、メインコンピュータ２４の制御信号により制御される。

レンズ制御装置２８は、レンズ移動機構１１の移動、停止を制御する装置である。レンズ移動機構１１には、移動距離を検出可能な図示しない位置センサが内蔵されており、レンズ制御装置２８は、この位置センサの出力を検出することにより、集光部８の光軸２ｂ方向の位置を認識する。レンズ制御装置２８は、レンズ移動機構１１にパルス信号を送信し、レンズ移動機構１１を所望の位置に移動することができるようになっている。

画像処理装置２９は、撮像装置１２から出力される画像データを演算する機能を備えている。ステージ２０にワーク９を配置し、撮像装置１２で撮像した画像を観察するとき、レンズ移動機構１１を操作して、集光部８とワーク９との距離を変えることにより画像が鮮明になるときとぼやけるときが存在する。集光部８を移動して、ワーク９のステージ２０側の面に焦点が合うときと、ワーク９の光学経路部４側の面に焦点が合うときに、撮像される画像が鮮明になる。一方、焦点が合っていないとき、撮像される画像は、ぼやけた画像となる。画像処理装置２９は、撮像される画像のコントラストを演算し、コントラストデータをメインコンピュータ２４に送信する。

メインコンピュータ２４は、集光部８を光軸２ｂの方向に移動して、撮像装置１２が撮像する画像が鮮明になるときの集光部８の位置を、内蔵する位置センサで検出することにより、ワーク９の厚みを測定することが可能となる。

撮像装置１２で撮像するときに焦点が合う合焦点位置と、レーザ光２を照射したときに、集光部８により集光される集光位置との差の距離を計測することで、合焦点位置と集光位置の差の距離であるオフセット距離を知ることができる。例えば、透明な２枚の基板を重ねた物をワーク９としてステージ２０に設置し、２枚の基板の接触部に撮像装置１２の焦点が合うように集光部８を移動する。次に、レーザ光２を照射して改質部を形成する。２枚の基板の接触部と改質部との距離を計測することでオフセット距離を設定することができる。

集光部８を光軸２ｂ方向（図中Ｚ方向）に移動して、ワーク９の光学経路部４側の面に撮像装置１２の焦点を合わせる。レーザ光２を照射したい位置とオフセット距離とのデータを用いて、集光部８の移動距離を演算し、演算した移動距離に対応する距離分、集光部８を移動させる。この方法でワーク９における所定の深さにレーザ光２を集光することが可能となる。

ステージ制御装置３０は、Ｘ軸スライド１７とＹ軸スライド１９との位置情報の取得と移動制御を行う。Ｘ軸スライド１７とＹ軸スライド１９とには図示しない位置センサが内蔵されており、ステージ制御装置３０は位置センサの出力を検出することにより、Ｘ軸スライド１７とＹ軸スライド１９との位置を検出する。ステージ制御装置３０は、Ｘ軸スライド１７とＹ軸スライド１９との位置情報を取得し、メインコンピュータ２４から指示される位置情報と比較し、差に相当する距離に対応して、Ｘ軸スライド１７とＹ軸スライド１９とを駆動して移動する。ステージ制御装置３０はＸ軸スライド１７とＹ軸スライド１９とを駆動して、所望の位置にワーク９を移動することが可能となっている。

ステージ制御装置３０がワーク９をＸＹ方向に移動して、ワーク９にレーザ光２が照射される場所位置を制御する。画像処理装置２９が集光部８とワーク９との距離を検出する。検出する距離に基づいて、レンズ制御装置２８が集光部８とワーク９との距離を制御する。続いて、レーザ制御装置２７がレーザ光源３を制御しレーザ光２を発光させる。発光されるレーザ光２が、光学経路部４を通過してワーク９を照射する。上述した制御を行い、所望の位置にレーザ光２を集光して照射することが可能となっている。

ここで、多光子吸収による改質部の形成について説明する。集光部８によって集光されたレーザ光２は、ワーク９に入射する。そして、ワーク９がレーザ光２を透過する材料であっても、材料の吸収バンドギャップより光子のエネルギーが非常に大きいときには、ワーク９は光子エネルギーを吸収する。これを多光子吸収と呼び、レーザ光２のパルス幅を極めて短くすることでエネルギーを高めて、多光子吸収をワーク９の内部に起こさせると、多光子吸収のエネルギーが熱エネルギーに転化せずに、永続的な構造変化が誘起された領域が形成される。

本実施形態では、この構造変化領域を改質部と呼ぶ。改質部のうち、大きく構造変化した結果、クラックが形成された領域をクラック部と呼ぶ。尚、材料の種類によっては、例えば石英ガラスなどの場合には、クラック部は、空洞状のクラックが形成される場合もある。また、レーザ光２を用いて改質部を配列して形成することをレーザスクライブ、又はスクライブと称す。

このような改質部を形成するためのレーザ光２の照射条件は、加工対象物毎にレーザ光２の出力やパルス幅、パルス周期等の設定が必要になる。特に、レーザ光源３が照射するレーザ光２の出力は、ハーフミラー７や集光部８のような光軸２ｂ上に配置される透過性物質による吸収で減衰することを考慮する必要がある。従って、実際の加工対象物を用いた予備試験を実施して、最適な照射条件を導くことが望ましい。

（基板の分断方法）
次に本発明の基板の分断方法について図２〜図７にて説明する。図２は、基板の分断方法のフローチャートであり、図３〜図７は基板の分断方法を説明する図である。

図２のフローチャートにおいて、ステップＳ１は斜面形成工程に相当し、基板をレーザスクライブする予定の場所に斜面を形成する工程である。次にステップＳ２に移行する。ステップＳ２は、接合工程に相当し、基板に接着剤を塗布して、２つの基板を接合する工程である。次にステップＳ３に移行する。ステップＳ３は、移動工程に相当し、レーザ光を照射する予定の場所を、集光部８と対向する場所に移動する工程である。次にステップＳ４に移行する。ステップＳ４は、照射工程に相当し、基板にレーザ光を照射して改質部を形成する工程である。次にステップＳ５に移行する。

ステップＳ５は予定した領域総てに改質部を形成したかを判断する工程に相当し、改質部を形成する予定の領域と改質部を形成した領域とを比較し、改質部を形成する予定の領域で、まだ改質部を形成していない領域を検索する工程である。改質部を形成する予定の領域で、まだ改質部を形成していない領域があるとき（ＮＯのとき）、ステップＳ３に移行する。改質部を形成する予定の領域で、改質部を形成していない領域がないとき（ＹＥＳのとき）、ステップＳ６に移行する。ステップＳ３〜ステップＳ５を合わせてステップＳ１１のレーザスクライブ工程とする。

ステップＳ６は、分断工程に相当し、基板の改質部が配列して形成された場所を押圧して、基板を分断する工程である。以上の工程により基板を分断する加工が完了する。

次に、図１、図３〜図７を用いて、図２に示したステップと対応させて、製造方法を詳細に説明する。図３（ａ）は、本実施形態で形成する基板の模式平面図であり、図３（ｂ）は、基板をＹ方向から見た模式側面図である。図３（ａ）及び図３（ｂ）に示す様に、基板３３は矩形に形成された第１基板３４と、同じく矩形に形成された第２基板３５とが接着剤３６により接合されている。そして、第１基板３４の端部３４ａが分断予定面３４ｂにて分断された後、除去されている。第１基板３４及び第２基板３５は、レーザ光２に透過性のある材質からなり、本実施形態では、例えば、石英ガラスを採用している。第２基板３５において、第１基板３４と対向する面には、構造物としての配線３７が形成されており、この配線３７は、金属により構成されている。そのため、配線３７は、レーザ光２の照射を受けるとき、損傷を受けて断線したり、配線３７の一部が欠落して、電気抵抗が上昇したりする恐れがある。

図３（ｃ）〜図４（ａ）はステップＳ１に対応する図であり、第１基板３４を側面からに見た図である。図３（ｃ）及び図４（ａ）は、基板をＹ方向から見た模式側面図であり、図３（ｄ）は、基板をＸ方向から見た模式側面図である。図３（ｃ）及び図３（ｄ）に示す様に、第１基板３４の分断予定面３４ｂに沿って、回転している砥石３８を接触させながら、進行することにより、第１基板３４を研削する。砥石３８の外周はＶ字状に形成されていることから、第１基板３４には、砥石３８の外周と略同形にＶ字状の凹部３９が形成される。続いて、研磨液を凹部３９に流しながら、凹部３９を回転する研磨ディスクを用いて研磨する。砥石３８を用いた研削方法及び研磨方法は、公知な技術であり、加工条件等の詳細な説明は省略する。その結果、図４（ａ）に示す様に、Ｖ字状の凹部３９が形成された第１基板３４が完成する。

図４（ｂ）及び図４（ｃ）はステップＳ２に対応する図であり、基板をＹ方向から見た模式側面図である。図４（ｂ）に示す様に、配線３７が形成されている第２基板３５に接着剤３６を塗布する。このとき、第１基板３４と第２基板３５とを接着する予定の場所に、接着剤３６を塗布する。そして、第１基板３４の凹部３９が形成されている面と、第２基板３５の接着剤３６が塗布されている面とを合わせて、第１基板３４と第２基板３５とを接合する。

その結果、図４（ｃ）に示す様に、第１基板３４と第２基板３５とが接合された基板３３となる。次に、基板３３を加熱乾燥することにより、接着剤３６を固化して、第１基板３４と第２基板３５との接合が終了する。

図５（ａ）及び図５（ｂ）はステップＳ３に対応する図である。図５（ａ）は、基板をＹ方向から見た模式側面図であり、図５（ｂ）は、Ｘ方向と逆の方向から見た模式側面図である。図５（ａ）及び図５（ｂ）に示す様に、ステージ２０を移動することにより、集光部８と対向する場所に、改質部を形成する予定の場所である予定点４０の場所が位置するように、基板３３を移動する。

この予定点４０は、分断予定面３４ｂ上において、第２基板３５に近い場所で、且つ、第１基板３４の端面３４ｅに近い場所に設定される。

図５（ｃ）〜図７（ｂ）はステップＳ４に対応する図である。図５（ｃ）は、基板をＹ方向からみた側面図である。図５（ｃ）に示す様に、集光部８がレーザ光２を集光して、第１基板３４の内部を照射する。レーザ光２が集光して照射される集光場所２ｃには、改質部４１が形成され、改質部４１の中央には、空洞となっているクラック部４２が形成される。

図６は、レーザ光２を照射するときの凹部３９付近をＹ方向から見た部分断面図である。図６に示す様に、レーザ光２は、その光軸２ｂが分断予定面３４ｂと略同じ場所を通過するように照射される。そして、レーザ光２は、集光部８により集光場所２ｃに集光される。光線２ｄ〜光線２ｉは、集光場所２ｃに集光されるレーザ光２を示す。第１基板３４に形成される凹部３９の頂点３９ａは、分断予定面３４ｂ上に配置されている。

集光場所２ｃに対して、図中左上から照射される光線２ｄ〜光線２ｆは、右側の斜面３９ｂを照射した後、斜面３９ｂにおいて反射することにより、第１基板３４の内部に進行する。そして、光線２ｄ〜光線２ｆは、第１基板３４の第２基板３５と対向する面３４ｃに反射して、内部に進行する。このとき、第１基板３４は、大気より屈折率が大きいことから、第１基板３４から大気中に進行するレーザ光２は、反射し易くなっている。

同様に、集光場所２ｃに対して、図中右上から照射される光線２ｇ〜光線２ｉは、左側の斜面３９ｃを照射した後、斜面３９ｃにおいて反射することにより、第１基板３４の内部に進行する。そして、光線２ｇ〜光線２ｉは、第１基板３４の第２基板３５と対向する面３４ｃに反射して、内部に進行する。従って、レーザ光２は、分断予定面３４ｂに沿って通過し難くなっている。

ステップＳ５において、メインコンピュータ２４は、メモリに記憶されている照射予定の位置と照射済の位置とを比較して、照射していない場所を検索する。そして、ステップＳ３〜ステップＳ５を繰り返すことにより、図７（ａ）に示す様に、まず１段目の改質部４１ａを配列して、形成する。続いて、レーザ光２を集光して照射する集光場所２ｃを、第１基板３４の厚さ方向に移動して、加工を継続する。そして、１段目４１ａに形成されている改質部４１と隣接する場所に、改質部４１を配列して、２段目の改質部４１を形成する。３段目以降も同様に形成する。

その結果、図７（ｂ）に示す様に、第１基板３４の分断予定面３４ｂに沿って、改質部４１が、配列されて形成されているスクライブ面３４ｄが形成される。

図７（ｃ）〜図７（ｄ）はステップＳ６に対応する図であり、基板をＹ方向から見た模式側面図である。図７（ｃ）に示す様に、基板３３を弾性材などから少なくともなる台４３の上に配置する。分断予定面３４ｂに形成されたスクライブ面３４ｄと対向する場所を、加圧部材４４を用いて押圧する。基板３３は台４３に沈み込み、クラック部４２に張力が作用する。第１基板３４は、台４３と接する面に近いクラック部４２ａを起点として破断が進行し、分断する。

その結果、図７（ｄ）に示すように、第１基板３４は、スクライブ面３４ｄで分断され、図３（ａ）に示す基板３３が完成する。

上述したように、本実施形態によれば、以下の効果を有する。
（１）本実施形態によれば、図６に示す様に、第１基板３４から大気中に進行するレーザ光２の入射角４５が大きくなる様に、斜面３９ｂ，３９ｃを形成するとき、斜面３９ｂ，３９ｃで反射するレーザ光２の光量を大きくすることができる。従って、第１基板３４の集光場所２ｃから分断予定面３４ｂに沿って、第１基板３４の外側へ放出されるレーザ光２の光量が減少する。その結果、分断予定面３４ｂと対向する場所に、レーザ光２により損傷を受ける配線３７があるときにおいても、この配線３７を照射するレーザ光２の光量が小さくなっている為、配線３７は、損傷を受け難くすることができる。

（２）本実施形態によれば、第１基板３４には、分断予定面３４ｂを中心として、２つの斜面３９ｂ，３９ｃが凹部３９を形成する様に配置されている。そして、集光場所２ｃから放射されるレーザ光２は、分断予定面３４ｂから離れる方向に放射される。その後、集光場所２ｃから右側に放射するレーザ光も、左側に放射するレーザ光も斜面３９ｂ，３９ｃで、第１基板３４内に反射される。その結果、分断予定面３４ｂと対向する場所を照射するレーザ光２の光量を減らすことができる。

（第２の実施形態）
次に、本発明を具体化した基板の分断方法の一実施形態について図８を用いて説明する。図８は、基板の分断方法を説明する図であり、レーザ光を照射するときの凹部付近をＹ方向から見た部分断面図である。
この実施形態が第１の実施形態と異なるところは、第１基板に形成される凹部の形状が異なる点にある。

図８に示す様に、第１の実施形態における第１基板３４に相当する第１基板４７に形成される凹部４８は、頂点４８ａが分断予定面４７ａ上に配置され、分断予定面４７ａを中心として、右側の斜面４８ｂと左側の斜面４８ｃにより構成されている。この斜面４８ｂ及び斜面４８ｃは、第１の実施形態においては、平面により形成されていたが、この実施形態においては、曲面により形成されている。そして、分断予定面４７ａとのなす角度が、頂点４８ａに近い場所の斜面４８ｄが、頂点４８ａから遠い場所の斜面４８ｅに比べて、鋭角に形成されている。

集光場所２ｃから放射するレーザ光２のうち、光軸２ｂに対して鋭角に進行する光線２ｆは、凹部４８の頂点４８ａに近い斜面４８ｄを照射する。このとき、凹部４８の頂点４８ａに近い斜面４８ｄは、光軸２ｂに対して鋭角に形成されていることから、斜面４８ｄを照射するレーザ光２は、斜面４８ｄにおいて、入射角４５ｄが大きくなり、反射し易くなっている。

集光場所２ｃから放射するレーザ光２のうち、光軸２ｂに対して、光線２ｆより大きい角度に進行する光線２ｄは、凹部４８の頂点４８ａから遠い斜面４８ｅを照射する。このとき、凹部４８の頂点４８ａから遠い斜面４８ｅは、光軸２ｂに対して、斜面４８ｄより大きい角度に形成されているが、この場所の斜面４８ｅを照射するレーザ光２は、光軸２ｂに対して大きい角度に進行することから、斜面４８ｅを照射するレーザ光２は、斜面４８ｅにおいて、入射角４５ｅが大きくなり、反射し易くなっている。

斜面４８ｃは、分断予定面４７ａに対して、斜面４８ｂと略対象形に形成されていることから、光線２ｇは、光線２ｆと同様に進行する。そして、光線２ｉは、光線２ｄと同様に進行する。

上述したように、本実施形態によれば、第１の実施形態における効果（１）及び（２）に加え、以下の効果を有する。
（１）本実施形態によれば、凹部４８の頂点４８ａに近い斜面４８ｄにおいても、凹部４８の頂点４８ａから遠い斜面４８ｅにおいても、入射角４５が大きくなり、レーザ光２が斜面４８ｂで反射し易くなっている為、基板を通過し難くすることができる。

（第３の実施形態）
次に、本発明を具体化した液晶表示装置の製造方法の一実施形態について図９〜図１４を用いて説明する。
本実施形態では、本発明における基板の分断方法を用いて液晶表示装置を製造する場合の例を説明する。ここで、本発明の特徴的な製造方法について説明する前に、液晶表示装置について説明する。

（液晶表示装置）
図９（ａ）は、液晶表示装置の模式平面図であり、図９（ｂ）は、図９（ａ）の液晶表示装置のＡ−Ａ’線に沿う模式断面図である。

図９（ａ）及び図９（ｂ）において、本実施形態の電気光学装置としての液晶表示装置５１は、対をなすＴＦＴアレイ基板５２（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）と対向基板５３とが熱硬化性の封止材であるシール５４によって貼り合わされ、このシール５４によって区画される領域内に封入された液晶５５からなる液晶層を狭持している。シール５４は、基板面内の領域において閉ざされた枠形状に形成されている。

シール５４を形成する場所の内側で対向基板５３の液晶５５側の面には、遮光性材料で配線を隠すための周辺見切り５６が形成されている。シール５４の外側の場所には、データ線駆動回路５７及び電極としての実装端子５８がＴＦＴアレイ基板５２の辺５２ａ（図９（ａ）中下側の辺）に沿って形成されており、この辺５２ａに隣接する辺５２ｂ及び辺５２ｃ（図９（ａ）中左右の辺）に沿って走査線駆動回路５９が形成されている。データ線駆動回路５７、実装端子５８及び走査線駆動回路５９はアルミニウムを素材とする配線６０ａにより電気的に接続されている。ＴＦＴアレイ基板５２の残る辺５２ｄ（図９（ａ）中上側の辺）には、２つの走査線駆動回路５９の間を接続するための配線６０ｂが設けられている。また、対向基板５３のコーナー部の４箇所においては、ＴＦＴアレイ基板５２と対向基板５３との間で電気的導通をとるための基板間導通材６１が配設されている。

また、液晶表示装置５１はカラー表示用として構成しており、対向基板５３において、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のカラーフィルタ６２Ｒ，６２Ｇ，６２Ｂが図示しない保護膜とともに形成されている。カラーフィルタ６２Ｒ，６２Ｇ，６２Ｂの各フィルタ素子の間には、遮光膜６３が形成されており、カラーフィルタ６２Ｒ，６２Ｇ，６２Ｂを通過しない光は遮光膜６３が遮断するようになっている。さらに、カラーフィルタ６２Ｒ，６２Ｇ，６２ＢのＴＦＴアレイ基板５２側には対向電極６４と配向膜６５とが配置されている。

液晶は、該液晶を挟持する電極に電圧を印加すると液晶の傾き角度が変化する性質を持っており、ＴＦＴのスイッチング動作により、液晶にかける電圧をコントロールして液晶の傾き角度を制御し、画素毎に光を透過させたり遮ったりする動作を行う。それにより、透過した光は、画素毎に相対して設置される赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色の色フィルタを有するカラーフィルタを透過することで、画素毎に対応する各色フィルタの色を色光として透過する。尚、光が液晶により遮られた画素に対応する色フィルタには当然光は入射しないため、黒色となる。このようにＴＦＴのスイッチング動作により、液晶をシャッタとして動作させて、画素毎に光の透過をコントロールし、画素を明滅させることにより、カラー映像を表示させることができる。

このような構造を有する液晶表示装置５１の画像を表示する領域には、複数の画素がｍ行ｎ列のマトリクス状に構成されているとともに、これらの画素の各々には、画素信号をスイッチングするＴＦＴ（スイッチング素子）が形成されている。画素信号を供給するデータ線（ソース配線）がＴＦＴのソース電極に電気的に接続され、走査信号を供給する走査線（ゲート配線）がＴＦＴのゲート電極に電気的に接続され、ＴＦＴのドレイン電極に画素電極６６が電気的に接続されている。画素電極６６はカラーフィルタ６２Ｒ，６２Ｇ，６２Ｂの各フィルタ素子と対向する場所に形成されている。走査線が接続されるＴＦＴのゲート電極には、所定のタイミングで、走査線からパルス信号の走査信号が供給される。

画素電極６６は、ＴＦＴのドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴを一定期間だけオン状態とすることにより、データ線から供給される画素信号が各画素の画素電極６６に所定のタイミングで供給される。このようにして画素電極６６に供給された所定レベルの画素信号の電圧レベルは、対向基板５３の対向電極６４との間で保持され、画素信号の電圧レベルに応じて、液晶５５の光透過量が変化する。液晶表示装置５１はカラーフィルタを備えており、カラーフィルタ６２Ｒ，６２Ｇ，６２Ｂを透過する光を液晶５５からなる液晶層を挟持する電極に印加する画像信号により制御することで、液晶表示装置５１はカラー画像を表示することができる。

画素電極６６の対向基板５３側には配向膜６７が配置されている。配向膜６５と配向膜６７とにはその表面に溝状の凹凸が形成されており、配向膜６５と配向膜６７との間に充填された液晶５５は、溝状の凹凸に沿って配列して形成される。

ＴＦＴアレイ基板５２及び対向基板５３において、液晶５５と反対側の面には、図示しない偏光シートが配置され、偏光シート及び液晶５５の作用により、液晶表示装置５１を透過する光透過量が変化するようになっている。

（液晶表示装置の製造方法）
次に上述した液晶表示装置５１における基板の分断方法について図１０〜図１４にて説明する。図１０は、基板の分断方法のフローチャートであり、図１１〜１４は基板の分断方法を説明する図である。

図１０のフローチャートにおいて、ステップＳ２１は斜面形成工程に相当し、対向マザー基板の分断予定面に沿って斜面を有する凹部を形成する工程である。ステップＳ２２は、素子形成工程に相当し、液晶を駆動する素子や、配線、電極等を形成する工程である。次にステップＳ２３に移行する。ステップＳ２３は接合工程に相当し、素子マザー基板と対向マザー基板とを接合する工程である。次にステップＳ２４に移行する。

ステップＳ２４は、対向マザー基板の第１スクライブ工程に相当し、対向マザー基板にレーザ光を照射して、一方向に改質部を配列して形成することにより、スクライブする工程である。次にステップＳ２５に移行する。ステップＳ２５は対向マザー基板の第２スクライブ工程に相当し、対向マザー基板にレーザ光を照射して、スクライブされた方向と直交する方向に、改質部を配列して形成することにより、スクライブする工程である。次にステップＳ２６に移行する。ステップＳ２６は素子マザー基板の第１スクライブ工程に相当し、素子マザー基板にレーザ光を照射して、一方向に改質部を配列して形成することにより、スクライブする工程である。次にステップＳ２７に移行する。ステップＳ２７は素子マザー基板の第２スクライブ工程に相当し、素子マザー基板にレーザ光を照射して、ステップＳ２６でスクライブされた方向と直交する方向に、改質部を配列して形成することにより、スクライブする工程である。次にステップＳ２８に移行する。

ステップＳ２８は素子マザー基板の第１分断工程に相当し、ステップＳ２６にてスクライブされている場所を分断する工程である。次にステップＳ２９に移行する。ステップＳ２９は素子マザー基板の第２分断工程に相当し、ステップＳ２７にてスクライブされている場所を分断する工程である。次にステップＳ３０に移行する。ステップＳ３０は対向マザー基板の第１分断工程に相当し、ステップＳ２４にてスクライブされている場所を分断する工程である。次にステップＳ３１に移行する。ステップＳ３１は対向マザー基板の第２分断工程に相当し、ステップＳ２５にてスクライブされている場所を分断する工程である。

ステップＳ２４〜ステップＳ２７を合わせて、ステップＳ４１とする。ステップＳ４１はレーザスクライブ工程に相当し、対向基板５３とＴＦＴアレイ基板５２とにレーザ光２を照射して、改質部を配列して形成することにより、スクライブする工程である。そして、ステップＳ２８〜ステップＳ３１を合わせて、ステップＳ４２とする。ステップＳ４２は分断工程に相当し、対向マザー基板及び素子マザー基板を分断する工程である。以上の工程で、液晶表示装置５１が形成される。

次に、図１１〜図１４を用いて、図１０に示したステップと対応させて、製造方法を詳細に説明する。
図１１（ａ）及び図１１（ｂ）は、ステップＳ２１に対応する図である。図１１（ａ）は、対向基板が区画形成されたマザー基板である対向マザー基板を示す模式平面図である。図１１（ｂ）は、図１１（ａ）のＢ−Ｂ’線に沿った模式断面図である。

図１１（ａ）及び図１１（ｂ）に示す様に、対向マザー基板７１は、円板状に形成されている第１基板としての基板７２により構成されている。基板７２の材質は、光透過性のある材質であれば良く、例えば、本実施形態では石英ガラスを採用している。

対向マザー基板７１から液晶表示装置５１を切り出すために分断する予定の面のうち、Ｘ軸方向に切断する予定の面をＨ対向切断面７３とする。Ｈ対向切断面７３は一点鎖線で示した基板７２の切断面であり、Ｘ軸方向に延在する切断面である。７３ａ，７３ｂ，７３ｃ，７３ｄ，７３ｅはそれぞれＨ対向切断面７３である。

同様に、対向マザー基板７１から液晶表示装置５１を切り出すために分断する予定の面のうち、Ｙ軸方向に切断する予定の面をＶ対向切断面７４とする。Ｖ対向切断面７４は一点鎖線で示した基板７２の切断面であり、Ｙ軸方向に延在する切断面である。７４ａ，７４ｂ，７４ｃはそれぞれＶ対向切断面７４である。

基板７２のＨ対向切断面７３ａに沿って、回転している砥石３８を基板７２に接触させながら、進行することにより、基板７２を研削する。砥石３８の外周はＶ字状に形成されていることから、基板７２には、砥石３８の外周と略同形にＶ字状の凹部３９が形成される。同様に、他のＨ対向切断面７３及びＶ対向切断面７４に沿って凹部３９を形成する。

図１２（ａ）及び図１２（ｂ）は、ステップＳ２２に対応する図である。図１２（ａ）は、対向マザー基板を示す模式断面図であり、図１２（ｂ）は、素子マザー基板を示す模式断面図である。図１２（ａ）に示す様に、対向マザー基板７１において、基板７２上に、周辺見切り５６、カラーフィルタ６２、遮光膜６３を形成する。さらに、周辺見切り５６、カラーフィルタ６２、遮光膜６３の表面には、光透過性及び通電性のある対向電極６４を形成する。対向電極６４の表面には、配向膜６５を形成した後、表面に凹凸を形成する配向処理を施す。

図１２（ｂ）に示すように、素子マザー基板７５において、円板状に形成されている第２基板としての基板７６に、画素電極６６及び画素電極６６をスイッチングするＴＦＴを形成する。その後、画素電極６６の表面に、配向膜６７を形成する。そして、配向膜６７には配向処理を施す。次に、配線６０ａ，６０ｂ及び実装端子５８を形成する。その後、データ線駆動回路５７、図９に示す走査線駆動回路５９を実装する。ステップＳ２２における製造方法は、公知の技術により製造されるので、詳細な説明を省略する。

図１３（ａ）及び図１３（ｂ）は、ステップＳ２３に対応する図である。図１３（ａ）は、対向マザー基板を示す模式平面図であり、図１３（ｂ）は、図１３（ａ）のＣ−Ｃ’線に沿った模式断面図である。図１３（ａ）及び図１３（ｂ）に示す様に、基板７６上にシール５４の材料であるシール材５４ａを枠形状に塗布する。シール材５４ａを塗布する方法は、シール５４を所望の形状に塗布できれば良く、例えば、本実施形態においては、スクリーン印刷法を採用している。シール材５４ａは、固化後に接着力が得られ、液晶５５に接触して劣化しない材料であれば良く、例えば、本実施形態においては、熱硬化性のエポキシ樹脂を採用している。

枠形状にシール材５４ａを塗布した後、シール材５４ａの内側にディスペンサを用いて液晶５５を塗布する。図示しない真空チャンバに素子マザー基板７５を配置して、真空チャンバ内を脱気して真空にする。真空中で、対向マザー基板７１と素子マザー基板７５との相対位置を合わせて押圧する。

一つの素子マザー基板７５には、複数の液晶表示装置５１に対応する形状にシール材５４ａが塗布されており、一つの素子マザー基板７５に一つの対向マザー基板７１を配置する。素子マザー基板７５に対向マザー基板７１を押圧した後、真空チャンバ内に空気を流入する。それで、大気圧により対向マザー基板７１と素子マザー基板７５とが加圧される。

対向マザー基板７１と素子マザー基板７５との相対位置を保持した状態で加熱し、シール材５４ａを固化してシール５４を形成する。対向マザー基板７１と素子マザー基板７５とがシール５４を介して接合されているマザー基板７７が完成し、ステップＳ２３を終了する。ステップＳ２３における製造方法は、公知の技術により製造されるので、詳細な説明を省略する。

素子マザー基板７５から液晶表示装置５１を切り出すために分断する予定の面のうち、Ｘ軸方向に切断する予定の面をＨ素子切断面７８とする。Ｈ素子切断面７８は一点鎖線で示した基板７６の切断面であり、Ｘ軸方向に延在する切断面である。７８ａ，７８ｂ，７８ｃはそれぞれＨ素子切断面７８である。

同様に、素子マザー基板７５から液晶表示装置５１を切り出すために分断する予定の面のうち、Ｙ軸方向に切断する予定の面をＶ素子切断面７９とする。Ｖ素子切断面７９は一点鎖線で示した基板７６の切断面であり、のＹ軸方向に延在する切断面である。７９ａ，７９ｂ，７９ｃはそれぞれＶ素子切断面７９である。そして、対向マザー基板７１のＹ軸方向に延在する７４ｄ，７４ｅ，７４ｆはそれぞれＶ対向切断面７４である。

図１４（ａ）及び図１４（ｂ）はステップＳ２４に対応する図であり、Ｘ方向から見た模式断面図である。図１４（ａ）に示すように、集光部８を用いて、レーザ光２を基板７２の内部に集光して照射する。レーザ光２が集光される場所には、改質部４１が形成され、改質部４１の中央にはクラック部４２が形成される。

集光部８と対向マザー基板７１とを相対的に、移動しながら、レーザ光２を照射し、改質部４１を配列して形成する。このとき、レーザ光２は、凹部３９で反射するので、レーザ光２が基板７２を通過した後、素子マザー基板７５を照射するレーザ光２の光量は小さくなる。

そして、集光部８と対向マザー基板７１とは、対向マザー基板７１の平面方向に、Ｖ対向切断面７４に沿って相対移動する。続いて、レーザ光２を集光する場所を基板７２の厚み方向に移動する。移動した後、集光部８と対向マザー基板７１とを相対的に、移動しながら、レーザ光２を照射し、改質部４１を配列して形成する。これを繰り返し、対向マザー基板７１における総てのＶ対向切断面７４に改質部４１が配列して形成されたクラック面８０を形成する。

図１４（ｂ）に示すように、その結果、対向マザー基板７１における総てのＶ対向切断面７４に改質部４１が配列して形成されたクラック面８０が形成される。

ステップＳ２５では、図１３に示す対向マザー基板７１のＨ対向切断面７３に沿ってレーザ光２を照射する。その結果、ステップＳ２４と同様に、対向マザー基板７１における総てのＨ対向切断面７３に改質部４１が配列して形成されたクラック面８０が形成される。このとき、レーザ光２は、凹部３９で反射することにより、レーザ光２が基板７２を通過した後、素子マザー基板７５を照射するレーザ光２の光量は小さくなる。

ステップＳ２６では、マザー基板７７を反転し、素子マザー基板７５のＨ素子切断面７８に沿ってレーザ光２を照射する。その結果、ステップＳ２４と同様に、素子マザー基板７５における総てのＨ素子切断面７８に改質部４１が配列して形成されたクラック面８０が形成される。

ステップＳ２７では、素子マザー基板７５のＶ素子切断面７９に沿ってレーザ光２を照射する。その結果、ステップＳ２４と同様に、素子マザー基板７５における総てのＶ素子切断面７９に改質部４１が配列して形成されたクラック面８０が形成される。

図１４（ｃ）及び図１４（ｄ）はステップＳ２８に対応する図であり、Ｘ方向から見た模式断面図である。図１４（ｃ）に示すように、素子マザー基板７５を弾性材からなる台４３の上に配置し、Ｈ素子切断面７８のクラック面８０と対向する場所を、加圧部材４４を用いて押圧する。素子マザー基板７５は台４３に沈み込み、クラック部４２に張力が作用する。素子マザー基板７５は、台４３と接する面に近いクラック部４２ｂを起点として破断が進行し、分断する。

図１４（ｄ）に示すように、その結果、素子マザー基板７５は、素子マザー基板７５に形成されている総てのＨ素子切断面７８のクラック面８０が分断される。

ステップＳ２９では、ステップＳ２８と同様に、素子マザー基板７５を弾性材からなる台４３の上に配置し、Ｖ素子切断面７９のクラック面８０と対向する場所を、加圧部材４４を用いて押圧する。素子マザー基板７５は、台４３と接する面に近いクラック部４２ｂを起点として破断が進行し、分断する。その結果、素子マザー基板７５は、素子マザー基板７５に形成されている総てのＶ素子切断面７９のクラック面８０が分断される。

ステップＳ３０では、マザー基板７７を反転して、対向マザー基板７１を弾性材からなる台４３の上に配置し、Ｈ対向切断面７３のクラック面８０と対向する場所を、加圧部材４４を用いて押圧する。対向マザー基板７１は、台４３と接する面に近いクラック部４２ｂを起点として破断が進行し、分断する。その結果、対向マザー基板７１は、対向マザー基板７１に形成されている総てのＨ対向切断面７３のクラック面８０が分断される。

ステップＳ３１では、対向マザー基板７１を弾性材からなる台４３の上に配置し、Ｖ対向切断面７４のクラック面８０と対向する場所を、加圧部材４４を用いて押圧する。対向マザー基板７１は、台４３と接する面に近いクラック部４２ｂを起点として破断が進行し、分断する。その結果、対向マザー基板７１は、対向マザー基板７１に形成されている総てのＶ対向切断面７４のクラック面８０が分断され、マザー基板７７から、複数の液晶表示装置５１が形成される。

図９（ｂ）に示すＴＦＴアレイ基板５２及び対向基板５３に図示しない偏光シートを貼り付けて液晶表示装置５１が完成する。

上述したように、本実施形態によれば、以下の効果を有する。
（１）本実施形態によれば、素子マザー基板７５において、Ｈ対向切断面７３と対向する場所には、配線６０ａ，６０ｂが形成されており、この配線６０ａ，６０ｂには、ステップＳ２４及びステップＳ２５において、レーザ光２が照射される。対向マザー基板７１のＨ対向切断面７３及びＶ対向切断面７４上に、斜面を含むＶ字状の凹部３９を形成することにより、レーザ光２が斜面で反射するので、配線６０ａ，６０ｂを照射するレーザ光の光量を小さくすることができる。その結果、配線６０ａ，６０ｂは、レーザ光２による損傷を受け難くすることができる。

（２）本実施形態によれば、基板７２には、Ｈ対向切断面７３及びＶ対向切断面７４に沿って、左右に２つの斜面が凹部を形成する様に配置されている。そして、レーザ光２の集光場所２ｃから右側に放射するレーザ光２も、左側に放射するレーザ光２も凹部に形成される斜面で、基板７２板内に反射され易くなる。その結果、Ｈ対向切断面７３及びＶ対向切断面７４と対向する場所を照射するレーザ光２の光量を減らすことができる。

尚、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、種々の変更や改良を加えることも可能である。変形例を以下に述べる。
（変形例１）
前記第１の実施形態では、図６に示す様に、凹部３９がＶ字状に形成されたが、図１５に示す様に、凹部８１が台形状に形成されても良い。集光場所２ｃに対して、右上から左下に進行する光線２ｇ〜光線２ｉは、斜面８１ｃにて反射することにより、第１基板３４の内部の左側へ進行する。そして、集光場所２ｃに対して、左上から右下に進行する光線２ｄ〜光線２ｆは、上面８１ａを通過することから、第１基板３４の下側へ進行する光量が、第１の実施形態に比べて、若干増加する。

凹部８１は、先端である上面８１ａが平坦に形成されることから、凹部８１を形成する砥石は、先端を平坦にすることができる。砥石の先端が突状になっている場合に比べて、先端が平坦になっている方が、砥石の先端部にかかる圧力が小さくなるので、先端における消耗が少なくなる。その結果、砥石の寿命が延びて、省資源な加工方法とすることができる。

（変形例２）
前記第３の実施形態では、Ｈ対向切断面７３及びＶ対向切断面７４と対向する場所に配線６０ａ，６０ｂが形成されたが、配線以外に、電極、データ線駆動回路５７、走査線駆動回路５９等の素子でも良い。照射されるレーザ光２の光量が小さいことから、損傷を受け難くすることができる。

（変形例３）
前記第３の実施形態では、対向基板５３に石英ガラスを用いているが、これに限らない。光透過性があり、液晶表示装置５１を構成できる脆性材料であれば良く、例えば、石英ガラスの他に、ソーダ石灰ガラス、パイレックス（登録商標）等のホウ珪酸ガラス、ＯＡ−１０（日本電気硝子社製）等の無アルカリガラス、ネオセラム（登録商標）等の耐熱結晶化ガラス、光学ガラス、水晶等を挙げることができる。この場合においても、前記実施形態と、同様の効果を得ることができる。

同様に、前記第１の実施形態では、第１基板３４に石英ガラスを用いているが、これに限らない。光透過性の脆性材料であれば良く、例えば、石英ガラスの他に、ソーダ石灰ガラス、パイレックス（登録商標）等のホウ珪酸ガラス、ＯＡ−１０（日本電気硝子社製）等の無アルカリガラス、ネオセラム（登録商標）等の耐熱結晶化ガラス、光学ガラス、水晶等を挙げることができる。この場合においても、前記実施形態と、同様の効果を得ることができる。

（変形例４）
前記実施形態では、液晶表示装置５１に本発明の製造方法を用いたが、液晶表示装置５１以外の電気光学装置にも用いることができる。基板を備えた電気光学装置として、例えば、プラズマディスプレイ、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）ディスプレイ、真空蛍光ディスプレイ、フィールドエミッションディスプレイ等における製造方法として好適に用いることができる。いずれの場合でも、前記実施形態と、同様の効果を得ることができる。

（変形例５）
前記実施形態では、レーザ光源３にＹＡＧレーザを用いたが、フェムト秒レーザを用いても良い。出射するレーザ光を加工対象物の内部に集光して多光子吸収による改質部を形成できる光源であれば良い。例えば、チタンサファイアを固体光源とするレーザ光をフェムト秒のパルス幅で出射するいわゆるフェムト秒レーザを採用しても良い。発光条件及び集光レンズの条件の例としては、パルスレーザ光は、波長分散特性を有しており、中心波長が８００ｎｍであり、その半値幅はおよそ２０ｎｍである。またパルス幅はおよそ３００ｆｓ（フェムト秒）、パルス周期は１ｋＨｚ、出力はおよそ７００ｍＷである。集光レンズは、この場合、倍率が１００倍、開口数（ＮＡ）が０．８、ＷＤ（Ｗｏｒｋｉｎｇ Ｄｉｓｔａｎｃｅ）が３ｍｍの対物レンズを採用しても良い。ＹＡＧレーザを用いた場合と同様の効果を得ることができる。

（変形例６）
前記第２の実施形態では、図８に示す凹部４８の斜面４８ｂ，４８ｃは曲面に形成されているが、複数の平面から構成されても良い。砥石を形成するときに、曲面に比べて、平面の方が、面の角度を精度良く形成し易いことから、斜面４８ｂ，４８ｃの角度を精度良く形成することができる。

第１の実施形態に係るレーザスクライブ装置の構成を示す概略図。 基板の分断方法のフローチャート。 基板の分断方法を説明する図。 基板の分断方法を説明する図。 基板の分断方法を説明する図。 基板の分断方法を説明する図。 基板の分断方法を説明する図。 第２の実施形態に係る基板の分断方法を説明する図。 第３の実施形態に係る液晶表示装置の模式図。 液晶表示装置における基板の分断方法のフローチャート。 液晶表示装置における基板の分断方法を説明する図。 液晶表示装置における基板の分断方法を説明する図。 液晶表示パネルが区画形成されたマザー基板を示す模式図。 液晶表示装置における基板の分断方法を説明する図。 変形例１に係る基板の分断方法を説明する図。

符号の説明

２…レーザ光、３４ｂ…分断予定面、３４…第１基板、３５…第２基板、３７…構造物としての配線、３９，４８，８１…凹部、３９ａ…頂点、３９ｂ，３９ｃ，４８ｂ，４８ｃ，４８ｄ，４８ｅ…斜面、４１…改質部、４７…第１基板、５１…電気光学装置としての液晶表示装置、７２…第１基板としての基板、７６…第２基板としての基板。

Claims (7)

1. 第１基板を分断予定面に沿って切断する基板の分断方法であって、
   前記第１基板の前記分断予定面に沿って、一方の面に斜面を形成する斜面形成工程と、
   前記第１基板の前記分断予定面に沿って、レーザ光を照射して、改質部を形成する照射工程と、
   前記改質部に応力を加えて、前記第１基板を分断する分断工程とを有し、
   前記照射工程では、前記斜面が形成された面と反対側の面から、前記斜面にレーザ光の一部又は全部が照射されるように照射することを特徴とする基板の分断方法。
2. 請求項１に記載の基板の分断方法であって、
   前記斜面形成工程では、前記第１基板の前記分断予定面に沿って、少なくとも２つの斜面を有する凹部が形成され、
   前記照射工程では、前記レーザ光の光軸が、前記凹部の頂点付近を通る様に、前記レーザ光が照射されることを特徴とする基板の分断方法。
3. 請求項２に記載の基板の分断方法であって、前記斜面の内少なくとも１つの斜面において、前記斜面と前記分断予定面とのなす角度が、前記凹部の前記頂点に近い場所の前記斜面が、前記凹部の前記頂点から遠い場所の前記斜面に比べて、鋭角に形成されていることを特徴とする基板の分断方法。
4. 請求項１又は２に記載の基板の分断方法であって、
   前記斜面形成工程と、前記照射工程との間に、前記第１基板と第２基板とを接合する接合工程を有し、
   前記第２基板において、前記分断予定面と対向する場所には、レーザ光の照射により損傷する構造物が形成されていることを特徴とする基板の分断方法。
5. 第１基板と、第２基板とを接合した後、分断予定面に沿って切断して形成する電気光学装置の製造方法であって、
   前記第１基板の前記分断予定面に沿って、一方の面に斜面を形成する斜面形成工程と、
   前記第１基板と前記第２基板とを接合する接合工程と、
   前記第１基板の前記分断予定面に沿って、レーザ光を照射して、改質部を形成する照射工程と、
   前記第１基板と前記第２基板とを分断する分断工程とを有し、
   前記照射工程では、前記斜面が形成された面と反対側の面から、前記斜面にレーザ光の一部又は全部が照射されるように照射することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
6. 請求項５に記載の電気光学装置の製造方法であって、
   前記斜面形成工程では、前記第１基板の前記分断予定面に沿って、少なくとも２つの斜面を有する凹部が形成され、
   前記照射工程では、前記レーザ光の光軸が、前記凹部の頂点付近を通る様に、前記レーザ光が照射されることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
7. 請求項５又は６に記載の電気光学装置の製造方法であって、
   前記第２基板において、前記第１基板の前記分断予定面と対向する場所には、電極又は配線が形成されていることを特徴とする電気光学装置の製造方法。

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