JP2008171799A

JP2008171799A - Luminescent substrate, manufacturing method thereof, and image display device

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Publication number: JP2008171799A
Application number: JP2007272691A
Authority: JP
Inventors: Masahiro Yokota; 昌広横田; Hiroaki Ibuki; 裕昭伊吹; Masaaki Suzuki; 正明鈴木; Hiroyuki Suzuki; 啓之鈴木
Original assignee: Toshiba Corp; Canon Inc
Current assignee: Toshiba Corp; Canon Inc
Priority date: 2006-12-14
Filing date: 2007-10-19
Publication date: 2008-07-24

Abstract

【課題】リブを挟んで隣接する発光体間の高抵抗部材による電気的接続を確実とする。
【解決手段】前面基板１０と、該基板１０上に設けられた第１及び第２の発光体２０と、第１の発光体２０を覆う第１のメタルバック５０と、第２の発光体２０を覆うメタルバック５０とを有する。第１の発光体２０と第２の発光体２０との間に設けられ、第１のメタルバック５０と第２のメタルバック５０とを電気的に接続する抵抗リブ６０を有する。第１及び第２の発光体２０と対向する抵抗リブ６０の側面６３が基板１０の表面と成す角のうち、抵抗リブ６０が占める部分の角度は鋭角である。
【選択図】図３An electrical connection by a high resistance member between light emitters adjacent to each other with a rib interposed therebetween is ensured.
A front substrate, first and second light emitters provided on the substrate, a first metal back covering the first light emitter, and a second light emitter. And a metal back 50 covering the surface. A resistance rib 60 is provided between the first light emitter 20 and the second light emitter 20 and electrically connects the first metal back 50 and the second metal back 50. Of the angle formed by the side surface 63 of the resistance rib 60 facing the first and second light emitters 20 with the surface of the substrate 10, the angle occupied by the resistance rib 60 is an acute angle.
[Selection] Figure 3

Description

本発明は、対向する一方の基板に設けられた電子放出素子から放出された電子によって、他方の基板に設けられた蛍光体を励起発光させて画像を表示する表示装置に関する。 The present invention relates to a display device that displays an image by exciting and emitting phosphors provided on the other substrate by electrons emitted from electron-emitting devices provided on one opposing substrate.

近年、フィールドエミッションディスプレイ（ＦＥＤ）や、表面伝導型の電子放出素子を備えた表示装置（ＳＥＤ）などの平面型画像表示装置が知られている。 2. Description of the Related Art In recent years, flat-type image display devices such as a field emission display (FED) and a display device (SED) having a surface conduction electron-emitting device are known.

従来のＦＥＤやＳＥＤの内部構造の一例を図６に示す。従来のＦＥＤやＳＥＤは、スペーサ１を介して対向配置された前面基板２と背面基板（本発明の「電子源基板」に相当）３の周縁部が矩形枠状の側壁によって互いに接合された真空外囲器４を有する。 An example of the internal structure of a conventional FED or SED is shown in FIG. A conventional FED or SED is a vacuum in which the peripheral portions of a front substrate 2 and a rear substrate (corresponding to the “electron source substrate” of the present invention) 3 facing each other via a spacer 1 are joined to each other by a rectangular frame-shaped side wall. It has an envelope 4.

そして、前面基板２の内面には、複数の発光体（蛍光体）とこれを覆うメタルバック６が形成されている。一方、背面基板３の内面には、前面基板２に形成されている発光体を励起発光させるための電子を放出する電子放出素子７が各発光体に対応して形成されている。発光体には、電子放出素子７よりも数ｋＶ高い電圧が印加されており、個々の電子放出素子７から放出された電子（電子ビーム）は、この電界によって加速される。加速された電子は、対応する発光体に照射され、発光体を励起して発光させる。 A plurality of light emitters (phosphors) and a metal back 6 covering the light emitters (phosphors) are formed on the inner surface of the front substrate 2. On the other hand, on the inner surface of the back substrate 3, electron emitting elements 7 that emit electrons for exciting the light emitters formed on the front substrate 2 to emit light are formed corresponding to the light emitters. A voltage several kV higher than that of the electron-emitting device 7 is applied to the light emitter, and electrons (electron beams) emitted from the individual electron-emitting devices 7 are accelerated by this electric field. The accelerated electrons are irradiated to the corresponding light emitter, and excite the light emitter to emit light.

以上のように、ＦＥＤやＳＥＤでは、電子を加速させるために、近接する前面基板と背面基板との間に高電圧が印加されるので、しばしば放電の問題を生じる。放電が生じると、放電箇所を通じて多大な電流が流れ、電子放出素子が大きなダメージを受ける。 As described above, in the FED and the SED, a high voltage is applied between the adjacent front substrate and the rear substrate in order to accelerate electrons, so that a problem of discharge often occurs. When discharge occurs, a great amount of current flows through the discharge location, and the electron-emitting device is greatly damaged.

そこで、上記放電による問題を解決すべく、特許文献１によってソフトフラッシュ構造が提案されている。ソフトフラッシュ構造とは、前面基板の発光体を覆うメタルバックを電気的に小さな領域に分断し、分断された各領域間を高抵抗とすることによって、放電発生時に流れる電流が制限されるようにした構造である。
特開２００６−１２０４２２号公報 Therefore, in order to solve the problem caused by the above-described discharge, a soft flash structure is proposed in Patent Document 1. The soft flash structure is such that the metal back covering the light emitter on the front substrate is electrically divided into small areas, and the current between the divided areas is made high by limiting the current between the divided areas. This is the structure.
JP 2006-120422 A

従来のソフトフラッシュ構造には、次のような課題があった。すなわち、各発光体が電気的に完全に分断されていると、各発光体に対して個別にアノード電位を印加しなくてはならない。そこで、所定数の発光体同士を高抵抗部材を介して電気的に接続しておくことが好適である。ここで、抵抗リブによりメタルバックを分断する構成においては、電気的に接続する必要がある部分のメタルバックの接続を確実なものとするために、発光体と抵抗リブとの位置合わせを高精度に行う必要がある。しかし、例えば、スクリーン印刷法によって発光体を形成する場合には、高精度の位置合わせが困難となる。 The conventional soft flash structure has the following problems. That is, when each light emitter is electrically separated, an anode potential must be individually applied to each light emitter. Therefore, it is preferable to electrically connect a predetermined number of light emitters through a high resistance member. Here, in the configuration in which the metal back is divided by the resistance rib, in order to ensure the connection of the metal back in the portion that needs to be electrically connected, the alignment between the light emitter and the resistance rib is highly accurate. Need to be done. However, for example, when a light emitter is formed by a screen printing method, it is difficult to perform highly accurate alignment.

本発明の目的は、電気的な接続を意図する２以上の発光体間の高抵抗部材による電気的接続を確実なものとすることである。 An object of the present invention is to ensure electrical connection by a high resistance member between two or more light emitters intended for electrical connection.

本発明の製造方法の一つは、基板上に配置された複数のアノードと、複数のアノードのうちの一部のアノードを電気的に接続する抵抗体とを有する発光体基板の製造方法であって、次の工程を有する。すなわち、順テーパの側面を有する抵抗体を設ける工程を有する。また、逆テーパの側面を有し、複数のアノードを電気的に分断するリブを設ける工程を有する。さらに、抵抗体及びリブが設けられた基板の上に、アノード材料を堆積させてアノードを設ける工程を有する。 One of the manufacturing methods of the present invention is a method for manufacturing a light emitting substrate having a plurality of anodes arranged on a substrate and a resistor that electrically connects some of the plurality of anodes. And has the following steps. That is, a step of providing a resistor having a side surface with a forward taper is provided. Further, the method includes a step of providing a rib having an inversely tapered side surface and electrically dividing the plurality of anodes. Further, the method includes a step of depositing an anode material on a substrate provided with a resistor and a rib to provide an anode.

本発明の製造方法の他の一つは、基板上に設けられた第１及び第２の発光体と、第１の発光体を覆う第１のアノードと、第２の発光体を覆う第２のアノードと第１の発光体と第２の発光体との間に設けられた抵抗体とを有する発光体基板の製造方法である。尚、抵抗体は、第１のアノードと第２のアノードとを電気的に接続するものである。具体的には次の工程を有する。すなわち、抵抗体を構成する第１の層を設ける工程を有する。また、第１の層の上に抵抗体を構成する第２の層を積層する工程を有する。かかる工程では、第１の発光体と対向する第１の層の端部が、第１の発光体と対向する第２の層の端部より第１の発光体の側に突出させ、第２の発光体と対向する第１の層の端部が、第２の発光体と対向する第２の層の端部より第２の発光体の側に突出させる。さらに、第１及び第２の発光体を設ける工程と、第１の層、第２の層及び発光体が設けられた基板の上に、アノードを設ける工程とを有する。 Another one of the manufacturing methods of the present invention is the first and second light emitters provided on the substrate, the first anode covering the first light emitter, and the second covering the second light emitter. And a resistor provided between the first light emitter and the second light emitter. Note that the resistor electrically connects the first anode and the second anode. Specifically, it has the following steps. That is, it has the process of providing the 1st layer which comprises a resistor. In addition, the method includes a step of laminating a second layer constituting the resistor on the first layer. In this step, the end of the first layer facing the first light emitter is protruded toward the first light emitter from the end of the second layer facing the first light emitter, The end portion of the first layer facing the light emitter is protruded toward the second light emitter from the end portion of the second layer facing the second light emitter. Further, the method includes a step of providing first and second light emitters, and a step of providing an anode on the substrate provided with the first layer, the second layer, and the light emitter.

本発明の画像表示装置は、上記本発明の発光体基板と、該発光体基板に対向し、電子放出素子を備える電子源基板とを有する。 An image display device of the present invention includes the above-described light emitter substrate of the present invention and an electron source substrate that is opposed to the light emitter substrate and includes an electron-emitting device.

本発明の発光体基板の一つは、基板と、基板の上に設けられた第１及び第２の発光体と、第１の発光体を覆う第１のアノードと、第２の発光体を覆う第２のアノードとを有する。また、第１の発光体と第２の発光体との間に設けられ、第１のアノードと第２のアノードとを電気的に接続する抵抗体を有する。ここで、抵抗体は、少なくとも第１の層と、第１の層の上に積層された第２の層とを有する。また、第１の発光体と対向する第１の層の端部は、第１の発光体と対向する第２の層の端部より第１の発光体の側に突出している。さらに、第２の発光体と対向する第１の層の端部は、第２の発光体と対向する第２の層の端部より第２の発光体の側に突出している。 One of the light emitter substrates of the present invention includes a substrate, first and second light emitters provided on the substrate, a first anode covering the first light emitter, and a second light emitter. A second anode covering. In addition, a resistor is provided between the first light emitter and the second light emitter and electrically connects the first anode and the second anode. Here, the resistor includes at least a first layer and a second layer stacked on the first layer. In addition, the end of the first layer facing the first light emitter protrudes toward the first light emitter from the end of the second layer facing the first light emitter. Furthermore, the end of the first layer facing the second light emitter projects toward the second light emitter from the end of the second layer facing the second light emitter.

本発明によれば、リブを挟んで隣接する発光体間の高抵抗部材による電気的接続が確実なものとなる。 According to the present invention, the electrical connection by the high resistance member between the light emitters adjacent to each other with the rib interposed therebetween is ensured.

次に、本発明の発光体基板及び画像表示装置の実施形態の一例について説明する。もっとも、本発明の発光体基板及び画像表示装置の基本構造は、従来の発光体基板及び画像表示装置と同様である。従来の発光体基板及び画像表示装置に対する本発明の発光体基板及び画像表示装置の主な相違点は、発光体基板（前面基板）の内面構造である。そこで、従来の前面基板及び画像表示装置と共通する構造については説明を省略し、本発明の特徴である前面基板の内面構造について詳細に説明する。
＜発光体基板の構造＞
図１は、本例の画像表示装置が備える前面基板の内面構造を示す部分拡大平面図である。図２（ａ）は、図１のＡ−Ａ断面図であり、図２（ｂ）は、同Ｂ―Ｂ断面図である。もっとも、便宜上の理由から、図１に示されている構成の一部が図２（ａ）（ｂ）では省略されている場合がある。また、図２（ａ）（ｂ）に示されている構造の一部が図１では省略されている場合もある。 Next, an example of an embodiment of a light emitter substrate and an image display device of the present invention will be described. However, the basic structure of the light emitter substrate and the image display device of the present invention is the same as that of the conventional light emitter substrate and the image display device. The main difference of the light emitter substrate and the image display device of the present invention from the conventional light emitter substrate and the image display device is the inner surface structure of the light emitter substrate (front substrate). Therefore, the description of the structure common to the conventional front substrate and image display device is omitted, and the inner surface structure of the front substrate, which is a feature of the present invention, will be described in detail.
<Structure of light emitter substrate>
FIG. 1 is a partially enlarged plan view showing an inner surface structure of a front substrate provided in the image display apparatus of this example. 2A is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. 1, and FIG. 2B is a cross-sectional view taken along the line BB in FIG. However, part of the configuration shown in FIG. 1 may be omitted in FIGS. 2A and 2B for reasons of convenience. Also, some of the structures shown in FIGS. 2A and 2B may be omitted in FIG.

図１に示すように、前面基板１０（本発明の「基板」に相当）の内面には、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の蛍光体粒子２１ｒ、２１ｇ、２１ｂ（図２参照）からなる発光体２０ｒ、２０ｇ、２０ｂがマトリックス状に配置されている。さらに、各発光体２０の周囲には、遮光層３０が形成されている。そして、図中Ｘ方向（横方向）に隣接する発光体２０は、各発光体２０の間に形成された絶縁リブ４０によって電気的に分断されている。具体的には、図２（ａ）に示すように、発光体２０及び絶縁リブ４０の上にそれらを覆うように形成されるメタルバック５０を、発光体２０と絶縁リブ４０との間の段差を利用して複数に分断することによって、各発光体２０を電気的に分断している。 As shown in FIG. 1, R (red), G (green), and B (blue) phosphor particles 21r, 21g, and 21b (FIG. 1) are formed on the inner surface of a front substrate 10 (corresponding to the “substrate” of the present invention). 2), the light emitters 20r, 20g, and 20b are arranged in a matrix. Further, a light shielding layer 30 is formed around each light emitter 20. The light emitters 20 adjacent to each other in the X direction (lateral direction) in the figure are electrically separated by insulating ribs 40 formed between the light emitters 20. Specifically, as shown in FIG. 2A, a metal back 50 formed on the light emitter 20 and the insulating rib 40 so as to cover them is formed as a step between the light emitter 20 and the insulating rib 40. Each light emitting body 20 is electrically divided by dividing into a plurality using the above.

一方、図１中のＹ方向（縦方向）に隣接する発光体２０（本発明の「第１の発光体」、「第２の発光体」に相当）は、メタルバック５０（本発明の「アノード」に相当）を介して接続されている。具体的には、Ｙ方向に隣接する各発光体２０の間には、抵抗リブ６０（本発明の「抵抗体」に相当）が形成されている。 On the other hand, the light emitter 20 (corresponding to the “first light emitter” and “second light emitter” of the present invention) adjacent to the Y direction (vertical direction) in FIG. Connected to the anode). Specifically, a resistance rib 60 (corresponding to the “resistor” of the present invention) is formed between the light emitters 20 adjacent in the Y direction.

ここで、抵抗リブ６０は、図２（ｂ）に示すように、下層部６０ａ（本発明の「第１の層」に相当）と上層部６０ｂ（本発明の「第２の層」に相当）とからなる２層構造を有する。さらに、下層部６０ａは、上層部６０ｂよりも発光体２０に近接している。従って、抵抗リブ６０の縦断面（図１のＢ―Ｂ断面）における形状は、図２（ｂ）に示すような階段状になっている。この結果、蛍光体粒子２１の一部が下層部６０ａの上に乗り上げるようにして発光体２０が形成されるので、発光体２０と抵抗リブ６０との間に大きな段差が生じることがない。従って、発光体２０及び抵抗リブ６０の上にメタルバック材料を蒸着させると、発光体２０と抵抗リブ６０との間に間断なくメタルバック５０が形成される。 Here, as shown in FIG. 2B, the resistance rib 60 corresponds to the lower layer portion 60a (corresponding to the “first layer” of the present invention) and the upper layer portion 60b (corresponding to the “second layer” of the present invention). ). Furthermore, the lower layer portion 60a is closer to the light emitter 20 than the upper layer portion 60b. Therefore, the shape of the resistance rib 60 in the longitudinal cross section (the BB cross section in FIG. 1) is stepped as shown in FIG. As a result, the light emitter 20 is formed such that a part of the phosphor particles 21 rides on the lower layer portion 60 a, so that a large step does not occur between the light emitter 20 and the resistance rib 60. Therefore, when a metal back material is deposited on the light emitter 20 and the resistance rib 60, the metal back 50 is formed between the light emitter 20 and the resistance rib 60 without interruption.

本実施形態においては、蛍光体粒子２１の粒径はおよそ５μｍ、発光体２０の高さ（厚み）は１０〜１５μｍ、下層部６０ａと上層部６０ｂを合わせた抵抗リブ６０の高さはおよそ１０μｍとした。特に下層部６０ａの高さ（厚み）が薄いほど蛍光体粒子２１が下層部６０ａの上に乗り上げやすくなるため、例えば、下層部６０ａの高さは５μｍ以下であることが望ましい。なお、蛍光体の高さ（厚み）は輝度と関連し、抵抗リブの高さは抵抗値と関係するものであり、蛍光体の高さと抵抗リブの高さとを揃えることが事実上困難である場合がある。 In this embodiment, the particle diameter of the phosphor particles 21 is approximately 5 μm, the height (thickness) of the light emitter 20 is 10 to 15 μm, and the height of the resistance rib 60 including the lower layer portion 60a and the upper layer portion 60b is approximately 10 μm. It was. In particular, as the height (thickness) of the lower layer portion 60a is thinner, the phosphor particles 21 are more likely to ride on the lower layer portion 60a. For example, the height of the lower layer portion 60a is desirably 5 μm or less. Note that the height (thickness) of the phosphor is related to the luminance, and the height of the resistance rib is related to the resistance value, and it is practically difficult to align the height of the phosphor and the height of the resistance rib. There is a case.

また、本実施形態においては２層構造について説明したが、本発明はこれに限られるものではない。すなわち、３層以上の構造のものであっても、蛍光体粒子の一部が下層部の上に乗り上げるように形成される場合は、本発明の効果を有する。 Further, although the two-layer structure has been described in the present embodiment, the present invention is not limited to this. That is, even if it has a structure of three or more layers, the effect of the present invention is obtained when a part of the phosphor particles is formed so as to run on the lower layer portion.

尚、図２（ｂ）では、発光体２０（本発明の「第１の発光体」）から下層部６０ａにかけて間断なく形成されたメタルバック５０（本発明の「第１のアノード」）と、上層部６０ｂに形成されたメタルバック５０とは、物理的に分断されている。そのため、図１におけるＹ方向に隣接する発光体２０（本発明の「第２の発光体」）から下層部６０ａにかけて間断なく形成されたメタルバック５０（本発明の「第２のアノード」）とも物理的に分断されている。しかし、これらメタルバック５０同士（本発明の「第１のアノード」、「第２のアノード」）は、抵抗リブ６０（下層部６０ａ及び上層部６０ｂ）を介して電気的な接続が確保されている。 In FIG. 2B, a metal back 50 (“first anode of the present invention”) formed without interruption from the light emitter 20 (the “first light emitter” of the present invention) to the lower layer portion 60a, The metal back 50 formed on the upper layer portion 60b is physically separated. Therefore, the metal back 50 ("second anode" of the present invention) formed without interruption from the light emitter 20 adjacent to the Y direction in FIG. 1 (the "second light emitter" of the present invention) to the lower layer portion 60a is also included. It is physically divided. However, the metal backs 50 (the “first anode” and the “second anode” in the present invention) are electrically connected via the resistance rib 60 (the lower layer portion 60a and the upper layer portion 60b). Yes.

上述した図２（ｂ）においては、発光体２０と対向する下層部６０ｂの端部６２は、発光体２０と対向する上層部６０ａの端部６２よりも発光体２０側に突出していると言える。 In FIG. 2B described above, it can be said that the end portion 62 of the lower layer portion 60b facing the light emitter 20 protrudes more toward the light emitter 20 than the end portion 62 of the upper layer portion 60a facing the light emitter 20. .

電気的接続を意図する２以上の発光体に跨るメタルバックの段切れを確実に防止するための抵抗リブの形状としては、図２（ｂ）に示す形状以外に、図３、図４に示す形状が一例として挙げられる。 In addition to the shape shown in FIG. 2 (b), the shape of the resistance rib for reliably preventing the disconnection of the metal back straddling two or more light emitters intended for electrical connection is shown in FIGS. An example is the shape.

図３に示す抵抗リブ６０は、発光体２０と対向する側面６３が、前面基板１０の（表面）内面から離れるに従って発光体２０から離間する方向に後退するように傾斜している。図３のように傾斜する面を順テーパ面と呼ぶ。一方、上記とは逆方向に傾斜する面を逆テーパ面と呼ぶ。従って、図２（ｂ）に示す抵抗リブ６０の端部６２は逆テーパ面である。 The resistance rib 60 shown in FIG. 3 is inclined such that the side surface 63 facing the light emitter 20 recedes in a direction away from the light emitter 20 as the distance from the (front) inner surface of the front substrate 10 increases. The inclined surface as shown in FIG. 3 is called a forward tapered surface. On the other hand, a surface inclined in the opposite direction to the above is called a reverse tapered surface. Therefore, the end 62 of the resistance rib 60 shown in FIG. 2B is a reverse tapered surface.

本例では、発光体２０と対向する抵抗リブ６０の側面６３が順テーパ面であるので、蛍光体粒子２１の一部が側面６３に乗り上げるようにして発光体２０が形成され、発光体２０と抵抗リブ６０との間に大きな段差が生じることがない。従って、発光体２０及び抵抗リブ６０の上にメタルバック材料（アノード材料）を蒸着（堆積）させると、発光体２０と抵抗リブ６０との間に間断なくメタルバック５０が形成される。 In this example, since the side surface 63 of the resistance rib 60 facing the light emitter 20 is a forward tapered surface, the light emitter 20 is formed such that a part of the phosphor particles 21 rides on the side surface 63. A large step does not occur between the resistance rib 60. Therefore, when a metal back material (anode material) is vapor-deposited (deposited) on the light emitter 20 and the resistor rib 60, the metal back 50 is formed between the light emitter 20 and the resistor rib 60 without interruption.

図４に示す抵抗リブ６０は、図３に示す抵抗リブ６０と同一の断面形状を有する。すなわち、発光体２０と対向する側面６３は順テーパ面である。異なるのは、図４に示す抵抗リブ６０は、図３に示す抵抗リブ６０に比べて、発光体２０から離間する方向（紙面右方向）に後退している点である。この結果、図４に示す抵抗リブ６０の側面６３と、これに対向する発光体２０の端面との間に隙間が生じ、遮光層３０が部分的に露出している。この結果、メタルバック材料は、発光体２０及び抵抗リブ６０の上のみでなく、遮光層３０の上にも蒸着される。従って発光体２０、遮光層３０及び抵抗リブ６０に跨る一連のメタルバック５０が間断なく形成される。これは、抵抗リブ６０の側面６３と発光体２０の端面との間に遮光層３０が露出してさえいれば、両者の間の間隔が図示されている以上に開いていても変わることはない。すなわち、発光体２０と抵抗リブ６０の膜厚のバラツキや位置精度のバラツキに対しては、図３に示す構成よりも図４に示す構成の方が優れている。 The resistance rib 60 shown in FIG. 4 has the same cross-sectional shape as the resistance rib 60 shown in FIG. That is, the side surface 63 facing the light emitter 20 is a forward tapered surface. 4 is different from the resistance rib 60 shown in FIG. 3 in that the resistance rib 60 recedes in a direction away from the light emitter 20 (right direction in the drawing). As a result, a gap is generated between the side surface 63 of the resistance rib 60 shown in FIG. 4 and the end surface of the light emitting body 20 facing the resistance rib 60, and the light shielding layer 30 is partially exposed. As a result, the metal back material is deposited not only on the light emitter 20 and the resistance rib 60 but also on the light shielding layer 30. Therefore, a series of metal backs 50 straddling the light emitting body 20, the light shielding layer 30, and the resistance rib 60 are formed without interruption. As long as the light shielding layer 30 is exposed between the side surface 63 of the resistance rib 60 and the end surface of the light emitting body 20, this does not change even if the distance between them is larger than shown. . That is, the configuration shown in FIG. 4 is superior to the configuration shown in FIG. 3 with respect to variations in film thickness and positional accuracy between the light emitter 20 and the resistance rib 60.

図３、図４に示す実施形態の場合、Ｙ方向に隣接する各蛍光体の上に設けられたメタルバックは、抵抗リブ６０を介して電気的に接続される。しかし、抵抗リブ６０の上に形成されたリブ４１により、Ｙ方向に隣接する各蛍光体の上に設けられたメタルバックは、物理的に分断されている。 In the case of the embodiment shown in FIGS. 3 and 4, the metal back provided on each phosphor adjacent in the Y direction is electrically connected via the resistance rib 60. However, the metal back provided on each phosphor adjacent in the Y direction is physically divided by the rib 41 formed on the resistance rib 60.

なお、蛍光体粒子２１は膜厚に対して粒径が大きいため、通常のスクリーン印刷やフォトリソグラフィーを用いた場合に、下面（前面基板１０に接している面）に対し上面（発光体２０の表面）の面積が大きくなることはない。よって、発光体２０上のメタルバック５０と遮光層３０上のメタルバック５０とが分断されることはない。 Since the phosphor particles 21 have a larger particle size than the film thickness, the upper surface (the surface of the light emitting body 20) of the lower surface (the surface in contact with the front substrate 10) is used when ordinary screen printing or photolithography is used. The surface area does not increase. Therefore, the metal back 50 on the light emitter 20 and the metal back 50 on the light shielding layer 30 are not divided.

上述した図３、図４においては、発光体２０と対向する抵抗リブ６０の側面６３が前面基板１０の表面と成す角のうち、抵抗リブ６０が占める部分の角度は鋭角であると言える。 3 and 4 described above, it can be said that the angle of the portion occupied by the resistance rib 60 is an acute angle among the angles formed by the side surface 63 of the resistance rib 60 facing the light emitter 20 and the surface of the front substrate 10.

また、上述したように、本実施形態においては、発光体の高さ（厚み）よりも抵抗リブの高さの方が低くなる構成とした。しかし、発光体の高さ（厚み）よりも抵抗リブの高さの方が高くなる場合は、段切れの問題がより生じやすい。よって、発光体の表面までの高さが抵抗リブの高さよりも高い構成においても本発明を適用することが可能となる。この場合の高さ（厚み）は、例えば、図１のＢ−Ｂ断面図のように、発光体２０のＸ方向における中心付近で断面ＳＥＭを撮影することによって平均的な高さを測定して求めることが出来る。
＜発光体基板の製造方法＞
次に、これまで説明した抵抗リブの形成方法について説明する。一般に、高精細で複雑なパターンを形成する場合には、フォトリソグラフィー法を用いる。フォトリソグラフィー法では、スクリーン印刷版を用いて基板全面にフォトレジストを含む印刷ペーストを印刷する。次いで、所望のパターンが形成されたフォトマスクを用いて露光、現像を行うことでパターンを形成する。 Further, as described above, in the present embodiment, the height of the resistance rib is lower than the height (thickness) of the light emitter. However, when the height of the resistance rib is higher than the height (thickness) of the light emitter, the problem of step breakage is more likely to occur. Therefore, the present invention can be applied even in a configuration in which the height to the surface of the light emitter is higher than the height of the resistance rib. The height (thickness) in this case is, for example, an average height measured by photographing a cross section SEM in the vicinity of the center in the X direction of the light emitter 20 as shown in the BB cross section of FIG. You can ask.
<Method for Manufacturing Light Emitter Substrate>
Next, the resistance rib forming method described so far will be described. In general, when a high-definition and complicated pattern is formed, a photolithography method is used. In the photolithography method, a printing paste containing a photoresist is printed on the entire surface of the substrate using a screen printing plate. Next, a pattern is formed by performing exposure and development using a photomask on which a desired pattern is formed.

ここで、上記フォトリソグラフィー法によって、抵抗リブを形成する場合、被露光部の印刷ペースト表面と、印刷ペースト裏面（前面基板に接している面）とのレジスト反応速度の違いを利用して側面を逆テーパ面にすることができる。よって、端部６２が逆テーパ面である図２（ｂ）の抵抗リブ６０は、上記フォトリソグラフィー法によって形成することができる。尚、図２（ｂ）に示す下層部６０ａと上層部６０ｂは、それぞれ異なるフォトマスクを用いることによって容易に形成可能である。また、側面６３の角度（テーパ角）については、レジスト感度、露光時間、現像条件を変えることによって調整可能である。 Here, when the resistance rib is formed by the photolithography method, the side surface is utilized by utilizing the difference in resist reaction speed between the print paste surface of the exposed portion and the back surface of the print paste (the surface in contact with the front substrate). A reverse tapered surface can be formed. Therefore, the resistance rib 60 of FIG. 2B in which the end 62 is a reverse tapered surface can be formed by the photolithography method. Note that the lower layer portion 60a and the upper layer portion 60b shown in FIG. 2B can be easily formed by using different photomasks. The angle (taper angle) of the side surface 63 can be adjusted by changing the resist sensitivity, the exposure time, and the development conditions.

このようにして、下層部６０ａ（第１の層）を設け、その下層部６０ａ（第１の層）の上に上層部６０ｂ（第２の層）を設けることで図２（ｂ）に示す抵抗リブ６０を得ることができる。すなわち、発光体２０と対向する下層部６０ａ（第１の層）の端部６２が、発光体２０と対向する上層部６０ｂ（第２の層）の端部６２より発光体２０の側に突出するように、下層部６０ａと上層部６０ｂとを積層することが出来る。 In this way, the lower layer portion 60a (first layer) is provided, and the upper layer portion 60b (second layer) is provided on the lower layer portion 60a (first layer), as shown in FIG. The resistance rib 60 can be obtained. That is, the end 62 of the lower layer 60a (first layer) facing the light emitter 20 protrudes toward the light emitter 20 from the end 62 of the upper layer 60b (second layer) facing the light emitter 20. As described above, the lower layer portion 60a and the upper layer portion 60b can be stacked.

なお、第１の層と第２の層を積層した後に発光体を設けてもよいし、第１の層を設けた後に発光体を設け、その後に第２の層を積層してもよい。 Note that the light emitter may be provided after the first layer and the second layer are stacked, or the light emitter may be provided after the first layer is provided, and then the second layer may be stacked.

一方、メッシュと乳剤で形成されたパターンに印刷ペーストを塗り、スキージさせて抵抗リブを形成する場合、印刷ペーストが乳剤の裏側に回り込むため、抵抗リブの側面は順テーパ面となる。よって、側面６３が順テーパ面である図３、図４の抵抗リブ６０は、かかる方法を用いて形成することができる。 On the other hand, when a printing paste is applied to a pattern formed of a mesh and an emulsion and squeezed to form a resistance rib, the side surface of the resistance rib becomes a forward tapered surface because the printing paste wraps around the back side of the emulsion. Therefore, the resistance rib 60 of FIGS. 3 and 4 in which the side surface 63 is a forward tapered surface can be formed by using this method.

図５を参照しながら図３に示す抵抗リブ６０の形成方法について具体的に説明する。まず、図５（ａ）に示すように、前面基板１０の内面に遮光層３０を形成する。遮光層３０には、発光体２０の形成を意図する位置に開口部を形成する。 A method of forming the resistance rib 60 shown in FIG. 3 will be specifically described with reference to FIG. First, as shown in FIG. 5A, the light shielding layer 30 is formed on the inner surface of the front substrate 10. An opening is formed in the light shielding layer 30 at a position where the light emitter 20 is intended to be formed.

次に、図５（ｂ）に示すように乳剤７０とメッシュ７１とで構成されるスクリーン版７２を用意する。このスクリーン版７２を用いて、図５（ａ）の前面基板１０との位置関係を保持した状態でフォトレジスト７３を印刷すると図５（ｃ）の状態となる。ここでのフォトレジスト７３は、フォトレジストを含む印刷ペーストである。次に、図５（ｄ）に示すフォトマスク２４を用い、図５（ｃ）の状態の基板との位置関係を保持した状態で露光、現像を行う。ここでの露光、現像は、側面が逆テーパとなる条件の下で行う。すると、図５（ｅ）のように抵抗リブ６０の側面は斜線部分を除いて逆テーパ面となるが、斜線部分の側面は上述したスクリーン印刷の性質が維持されているため順テーパ面となる。 Next, as shown in FIG. 5B, a screen plate 72 composed of an emulsion 70 and a mesh 71 is prepared. When the photoresist 73 is printed using the screen plate 72 while maintaining the positional relationship with the front substrate 10 in FIG. 5A, the state shown in FIG. 5C is obtained. Here, the photoresist 73 is a printing paste containing a photoresist. Next, exposure and development are performed using the photomask 24 shown in FIG. 5D while maintaining the positional relationship with the substrate in the state shown in FIG. The exposure and development here are performed under the condition that the side surface is reversely tapered. Then, as shown in FIG. 5E, the side surface of the resistance rib 60 becomes a reverse taper surface except for the shaded portion, but the side surface of the shaded portion becomes a forward tapered surface because the above-described screen printing properties are maintained. .

このようにして、発光体２０と対向する抵抗リブ６０の側面６３が前面基板１０の表面と成す角のうち、抵抗リブ６０が占める部分の角度は鋭角となるように抵抗リブ６０を設けることが出来る。 Thus, the resistance rib 60 is provided so that the angle of the portion occupied by the resistance rib 60 out of the angle formed by the side surface 63 of the resistance rib 60 facing the light emitter 20 and the surface of the front substrate 10 is an acute angle. I can do it.

続いて、開口部に発光体２０を印刷法により構成し、その後、メタルバック５０（アノード）を蒸着させることによって、発光体基板を製造することが出来る。 Subsequently, the light emitter 20 is formed in the opening by a printing method, and then the metal back 50 (anode) is vapor-deposited, whereby the light emitter substrate can be manufactured.

更に、図６に示したような電子放出素子を備える背面基板（電子源基板）を製造し、発光体基板と電子源基板とを組み合わせて画像表示装置を製造することが出来る。 Furthermore, a back substrate (electron source substrate) including an electron-emitting device as shown in FIG. 6 can be manufactured, and an image display device can be manufactured by combining a light emitter substrate and an electron source substrate.

本実施形態においては、抵抗リブを設けた後に発光体を設ける構成としたが、本発明はこれに限定されるものではない。すなわち、図４に示すように、抵抗リブ６０の側面６３と、これに対向する発光体２０の端面との間に隙間が生じ、遮光層３０が部分的に露出する構成とする場合には、発光体２０を設けた後に抵抗リブを設ける構成としてもよい。 In the present embodiment, the light emitter is provided after the resistor rib is provided, but the present invention is not limited to this. That is, as shown in FIG. 4, when the gap is formed between the side surface 63 of the resistance rib 60 and the end surface of the light emitter 20 facing the resistance rib 60, the light shielding layer 30 is partially exposed. It is good also as a structure which provides a resistance rib after providing the light-emitting body 20. FIG.

なお、図３、図４に示す実施形態の場合、リブ４１は、メタルバック５０が蒸着される前に、側面が逆テーパとなる条件で、抵抗リブ６０の上に形成されればよい。 In the case of the embodiment shown in FIGS. 3 and 4, the rib 41 may be formed on the resistance rib 60 under the condition that the side surface is reversely tapered before the metal back 50 is deposited.

なお、本発明の画像表示装置における電子源基板は従来の電子源基板と同様であるため、その構造と製造方法についての説明は省略する。 Since the electron source substrate in the image display device of the present invention is the same as the conventional electron source substrate, the description of the structure and the manufacturing method is omitted.

本発明の画像表示装置が備える前面基板の内面構造を示す部分拡大平面図である。It is a partial enlarged plan view which shows the inner surface structure of the front substrate with which the image display apparatus of this invention is provided. （ａ）は、図１のＡ−Ａ断面図、（ｂ）はＢ−Ｂ断面図である。(A) is AA sectional drawing of FIG. 1, (b) is BB sectional drawing. 図１に示す抵抗リブの変形例を示す部分断面図である。It is a fragmentary sectional view which shows the modification of the resistance rib shown in FIG. 図１に示す抵抗リブの変形例を示す部分断面図である。It is a fragmentary sectional view which shows the modification of the resistance rib shown in FIG. 図３に示す抵抗リブの形成工程を示す部分拡大平面図である。FIG. 4 is a partial enlarged plan view showing a process of forming a resistance rib shown in FIG. 3. 従来の平面型画像表示装置の内部構造を示す部分断面図である。It is a fragmentary sectional view which shows the internal structure of the conventional flat type image display apparatus.

Explanation of symbols

１０前面基板
２０、２０ｒ、２０ｇ、２０ｂ発光体
２１、２１ｒ、２１ｇ、２１ｂ蛍光体粒子
４０絶縁リブ
６０抵抗リブ
６０ａ下層部
６０ｂ上層部
６２端部
６３側面 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Front substrate 20, 20r, 20g, 20b Luminescent substance 21, 21r, 21g, 21b Phosphor particle 40 Insulating rib 60 Resistive rib 60a Lower layer part 60b Upper layer part 62 End part 63 Side surface

Claims

A method of manufacturing a light emitter substrate, comprising: a substrate; a plurality of anodes disposed on the substrate; and a resistor that electrically connects some of the plurality of anodes.
Providing the resistor having a forward tapered side surface;
Providing a rib having a reverse tapered side surface and electrically dividing the plurality of anodes;
And a step of depositing an anode material on the substrate on which the resistor and the rib are provided to provide the anode.

A substrate; first and second light emitters provided on the substrate; a first anode covering the first light emitter; a second anode covering the second light emitter; A method of manufacturing a light emitter substrate, comprising: a light emitter provided between one light emitter and the second light emitter, and a resistor electrically connecting the first anode and the second anode. And
Providing a first layer constituting the resistor;
A second layer constituting the resistor is formed on the first layer, and an end portion of the first layer facing the first light emitter is opposed to the first light emitter. The end of the first layer that protrudes toward the first light emitter from the end of the second layer and that faces the second light emitter is the second that faces the second light emitter. Laminating so as to protrude from the end of the layer toward the second light emitter;
Providing the first and second light emitters;
And providing the anode on the substrate on which the first layer, the second layer, and the light emitter are provided.

A substrate,
First and second light emitters provided on the substrate;
A first anode covering the first light emitter, a second anode covering the second light emitter,
A light emitter substrate provided between the first light emitter and the second light emitter, and having a resistor electrically connecting the first anode and the second anode,
The resistor includes at least a first layer and a second layer stacked on the first layer;
The end portion of the first layer facing the first light emitter projects from the end portion of the second layer facing the first light emitter toward the first light emitter,
The end portion of the first layer facing the second light emitter is projected to the second light emitter side from the end portion of the second layer facing the second light emitter. A light emitter substrate characterized by the above.

The light emitter substrate according to claim 3, wherein a height from the surface of the substrate to the surfaces of the first and second light emitters is lower than a height from the surface of the substrate to the surface of the resistor.

The light emitter substrate according to claim 3 or 4, and
An image display device comprising: an electron source substrate that is opposed to the light emitter substrate and includes an electron-emitting device.