JP2008171399A - 半導体装置の設計方法、半導体装置設計システム及びコンピュータプログラム - Google Patents
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Abstract
【解決手段】縮小プロセス製品の寄生パラメータの抽出では、まず既存製品のレイアウトデータが用意され、このレイアウトデータがレイアウト編集ツール55に取り込まれる(S101)。次に、既存製品のレイアウトデータに対して、寄生パラメータ抽出の対象外とすべきマスク領域が指定される(S102)。マスク領域の指定が完了すると、ユーザからの指示を受けて配線変換処理が実行される(S103乃至S108)。この処理により、マスク領域内に存在する実配線層の配線部分が仮想配線層内の配線部分に変換される。その後、変換後のレイアウトに対してLPE処理を実行することにより、レイアウト全体又は特定部分の寄生パラメータが抽出される(S109)。
【選択図】図6
Description
11 半導体基板
12 バス配線領域
13 パッド配置領域
14 レイアウト変更による縮小箇所
15 マスク領域
20 縮小プロセス製品の半導体装置のレイアウト
31 実配線層
31A 第1の配線層
31B 第2の配線層
31C 第3の配線層
32 仮想配線層
32A 第1の仮想配線層
32B 第2の仮想配線層
32C 第3の仮想配線層
33 メタル配線
33a 配線部分
33b 配線部分
33c 配線部分
35 仮想コンタクトプラグ
50 半導体装置設計システム
51 記憶装置
52 演算処理装置
53 入力装置
54 表示装置
55 レイアウト編集ツール
56 LPEツール
57 レイアウト検証ツール
61 RCライブラリ
62 ネットリスト
63 レイアウトデータ
64 寄生パラメータ付ネットリスト
65 及び配線長データ
Claims (7)
- 半導体装置のレイアウト上にマスク領域を設定するマスク領域設定ステップと、
前記マスク領域内の配線部分の寄生パラメータをゼロに設定する寄生パラメータ変更ステップと、
前記レイアウト全体又は前記レイアウトの特定部分の寄生パラメータを抽出する寄生パラメータ抽出ステップとを備えることを特徴とする半導体装置の設計方法。 - 前記寄生パラメータ変更ステップは、
前記半導体装置の実配線層に対応する仮想配線層を生成する仮想配線層生成ステップと、
前記仮想配線層の寄生パラメータをゼロとして定義する寄生パラメータ定義ステップと、
前記実配線層の配線のうち前記マスク領域内にある配線部分を前記仮想配線層の配線部分に変換する配線層変換ステップとを備えることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の設計方法。 - 前記寄生パラメータ変更ステップは、
前記仮想配線層の前記配線部分を所定の長さだけ伸張する配線長補正ステップと、
前記仮想配線層の配線部分の端部と、前記実配線層の切断された配線の端部とを仮想コンタクトプラグで接続することにより連続的な配線とする配線再生ステップと、
前記仮想コンタクトプラグの寄生パラメータをゼロとして定義する定義ステップをさらに備えることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置の設計方法。 - 前記仮想配線層生成ステップは、
前記実配線層が複数ある場合に、各実配線層に対応する複数の仮想配線層を生成することを特徴とする請求項2又は3に記載の半導体装置の設計方法。 - 前記寄生パラメータは、寄生容量若しくは寄生抵抗又はそれらの両方であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の半導体装置の設計方法。
- 半導体装置のレイアウトデータを編集するためのレイアウト編集ツールと、
前記半導体装置のレイアウト全体又は前記レイアウトの特定部分の寄生パラメータを抽出する寄生パラメータ抽出ツールとを備え、
前記レイアウト編集ツールは、
半導体装置のレイアウト上にマスク領域を設定するマスク領域設定部と、
前記マスク領域内の配線部分の寄生パラメータをゼロに設定する寄生パラメータ変更部とを備えることを特徴とする半導体装置設計システム。 - コンピュータに、
半導体装置のレイアウト上にマスク領域を設定するマスク領域設定ステップと、
前記マスク領域内の配線部分の寄生パラメータをゼロに設定する寄生パラメータ変更ステップと、
前記レイアウト全体又は前記レイアウトの特定部分の寄生パラメータを抽出する寄生パラメータ抽出ステップを実行させるためのコンピュータプログラム。
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| CN106815379B (zh) * | 2015-11-27 | 2020-07-14 | 中国科学院微电子研究所 | 一种提取寄生电容的方法及系统 |
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