JP2008169483A - 粒状垂直磁気記録媒体の中間層を形成するための成膜ターゲットとして有用なレニウム（Ｒｅ）ベースの合金及びそれを利用した媒体 - Google Patents
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Abstract
【課題】最適な構造を有する粒状垂直磁気記録層を得るために改良された中間層を成膜する。
【解決手段】５０ａｔ．％超のレニウム（Ｒｅ）と、少なくとも一つの合金化材料とを含んで構成されたレニウム（Ｒｅ）ベース合金材料であり、前記合金化材料がレニウム（Ｒｅ）の原子半径よりも大きい又は小さい原子半径を有し、室温以上の温度で六方稠密構造（ｈｃｐ）のレニウム（Ｒｅ）中に６ａｔ．％よりも小さい固溶度を有する微粒子化成分Ｘと、レニウム（Ｒｅ）の原子半径よりも大きい又は小さい原子半径を有し、室温以上の温度で六方稠密構造（ｈｃｐ）のレニウム（Ｒｅ）中で固溶体の形態を有する格子整合成分Ｙと、から成る群から選択されたもので、酸化物、窒素化物及び炭化物から成る群から選択された少なくとも１つの材料を更に含んで構成されて、ターゲットにされる。
【選択図】無し
【解決手段】５０ａｔ．％超のレニウム（Ｒｅ）と、少なくとも一つの合金化材料とを含んで構成されたレニウム（Ｒｅ）ベース合金材料であり、前記合金化材料がレニウム（Ｒｅ）の原子半径よりも大きい又は小さい原子半径を有し、室温以上の温度で六方稠密構造（ｈｃｐ）のレニウム（Ｒｅ）中に６ａｔ．％よりも小さい固溶度を有する微粒子化成分Ｘと、レニウム（Ｒｅ）の原子半径よりも大きい又は小さい原子半径を有し、室温以上の温度で六方稠密構造（ｈｃｐ）のレニウム（Ｒｅ）中で固溶体の形態を有する格子整合成分Ｙと、から成る群から選択されたもので、酸化物、窒素化物及び炭化物から成る群から選択された少なくとも１つの材料を更に含んで構成されて、ターゲットにされる。
【選択図】無し
Description
本願は、２００７年１月８日に出願された米国暫定特許出願番号第６０／８７９，４１８の優先権を主張し、米国暫定特許出願の全体が参照文献として本出願に統合される。
本出願は、レニウム（Ｒｅ）ベースの合金、これを含んで構成された成膜ターゲット、及びレニウム（Ｒｅ）ベース合金の中間層を含んで構成された薄膜磁気記録媒体に関し、特に、粒状垂直磁気記録層の下に形成される改善された中間層用のレニウム（Ｒｅ）ベース合金スパッタターゲットを利用して成る高性能で面記録密度の高い粒状垂直磁気記録媒体に関する。
磁気記録媒体は、各種用途、特に、データの情報蓄積及び検索用途のコンピュータ産業において広く使用され、代表的にはディスク形状を有したものであり、面記録密度、即ち磁気記録媒体のビット密度の増加を狙いとして多くの努力が継続して成されている。微粒子の多結晶磁気合金層が活性な記録層として作用する従来の薄膜磁気記録媒体は、一般に、粒状の磁性材料の磁区配向に依存して「長手」又は「垂直」に分類される。
上記垂直磁気記録媒体は、非常に高いビット密度を達成することにおいて従来の長手記録用媒体よりも優れていることが分かっている。垂直磁気記録媒体において、残留磁気は、一般に適合する基板上の磁性材料層内に磁気媒体の表面に垂直方向に形成される。非常に高い線記録密度は、上記垂直磁気記録媒体と一緒に「単磁極」の磁気変換器又は「ヘッド」を利用して得られる。
垂直磁気記録媒体を利用して高いビット記録密度を効果的に達成するには、磁性記録層と比較して比較的厚い柔磁性下層（ＳＵＬ）、即ち、例えばパーマロイ（ＮｉＦｅ）合金のような約１００Ｏｅ以下の比較的低い保磁力を有する磁性体層を、例えばガラス、アルミニウム（Ａｌ）又はアルミニウムベースの合金のような非磁性基板と、例えば垂直異方性を有するコバルトベースの合金（例えばＣｏＣｒＰｔＢのようなＣｏＣｒ合金）のような、ハード磁気記録層との間に介在させる必要がある。柔磁性下層は、ヘッドから発生した磁束をハード垂直磁気記録層まで案内する役目をする。
図１に示すように、従来の代表的な垂直磁気記録装置２０は、比較的厚い柔磁性下層、比較的薄いハード磁気記録層及び単磁極ヘッドを備えた垂直配向の磁気記録媒体２１を利用するものである。ここで、参照符号１０、１１Ａ、４、５及び６は、それぞれ非磁性基板、接着層（任意）、柔磁性下層、少なくとも１つの非磁性中間層及び少なくとも１つの垂直ハード磁気記録層を示している。参照符号７及び８は、それぞれ単磁極磁気変換ヘッド１６の単磁極（主磁極）及び補助磁極（リターンヨーク）を示している。
簡単に説明すると、少なくとも１つのハード磁気記録層６の下にある比較的薄い中間層５（また「中間の」層と呼ばれ、以下でより詳細に説明する）は、非磁性、又は実質的に非磁性の材料から成る１つ以上の層を含んで構成され、（１）柔磁性下層４と少なくとも１つのハード磁気記録層６との間の磁気的相互作用を阻止し、（２）少なくとも１つの磁気ハード記録層６の望ましい微細構造化及び磁気特性の向上を促進する働きをする。
図１に磁束φの磁路を矢印で示すように、磁束φは、単磁極磁気変換ヘッド１６の単磁極から発生し、単磁極７の下の領域で少なくとも１つの垂直配向ハード磁気記録層６に入り、そこを通り抜けて離れた柔磁性下層３内に入る。そして、柔磁性下層３内を通って、単磁極磁気変換ヘッド１６の補助磁磁極８下の領域において少なくとも１つの垂直ハード磁気記録層６に入り、さらにそこを通り抜ける。磁気変換ヘッド１６を通り過ぎる垂直磁気媒体２１の移動方向は、同図に媒体２１上の矢印で示す方向である。
また、図１に示す垂直の線９は、媒体２１を構成している積層体のうち多結晶層５，６の粒界を示している。磁気的にハードな主記録層６は、中間層５の上に形成されている。また、各多結晶層の粒子が、粒度分布で表され、水平方向に測定された幅が異なる場合、それらは一般に垂直（即ち、垂直に「相関がある」又は配列された）記録とされる。
積層体は、ハード磁気記録層６を覆ってダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）のような保護用のオーバーコート層（保護層）１４を形成し、保護用のオーバーコート層を覆ってパーフルオロポリエチレン（perfluoropolyethylene）材料のような潤滑性の上塗層（潤滑層）１５を形成して完成する。
基板１０は、一般に円盤状であり、非磁性金属又は合金（例えば、アルミニウム（Ａｌ）又は成膜表面にＮｉＰめっき層を有したＡｌ−Ｍｇのようなアルミニウム（Ａｌ）ベースの合金）で構成されている。又は、基板１０は、適当なガラス、セラミック、ガラスセラミック、高分子材料、又はこれらの材料を合成したもの又はラミネートしたもので構成さている。任意の接着層１１Ａは、チタン（Ｔｉ）又はチタン（Ｔｉ）合金のような材料からなる約４ｎｍの厚さの層まで現在は含むかもしれない。柔磁性下層４は、一般に、ニッケル（Ｎｉ）、ＮｉＦｅ（パーマロイ）、コバルト（Ｃｏ）、ＣｏＺｒ、ＣｏＺｒＣｒ、ＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＦｅＺｒＮｂ、ＣｏＦｅ、鉄（Ｆｅ）、ＦｅＮ、ＦｅＳｉＡｌ、ＦｅＳｉＡｌ、ＦｅＣｏＢ、ＦｅＣｏＣ等から成る群から選択された軟磁性材料の約５０ｎｍから約４００ｎｍの厚さの層を含んで構成されている。中間層５は、一般には、約３０ｎｍの厚さの層まで含み、又はルテニウム（Ｒｕ）、ＴｉＣｒ、Ｒｕ／ＣｏＣｒ３７Ｐｔ６、ＲｕＣｒ／ＣｏＣｒＰｔ等のような非磁性体層を含んで構成されている。また、少なくとも１つのハード磁気記録層６は、一般に、クロム（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）、タンタル（Ｔａ）、ニッケル（Ｎｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、白金（Ｐｔ）、バナジウム（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、ホウ素（Ｂ）及びパラジウム（Ｐｄ）を含む成分から選ばれた１以上の成分、鉄の窒化物又はその酸化物を含むコバルト（Ｃｏ）ベースの合金から成る約１０ｎｍ〜２５ｎｍの厚さの層を含んで構成されている。ハード磁気記録層６の材料は、垂直磁気異方性を有している。
磁気記録媒体を分類するために現在使用されている方法は、記録層の磁性粒子が、粒子の結合が物理的に磁気的に起こらないようにし、媒体の性能特性が改善されるようにするために相互に分離、即ち離れ離れになっているということに基づいている。この分類体系によれば、例えば、ＣｏＣｒ合金のようなコバルト（Ｃｏ）ベースの合金磁気記録層を備えた磁気記録媒体は、次の２つから成る別個のタイプに分類される。即ち、（１）第１のタイプは、層の粒界へ磁気記録層のクロム（Ｃｒ）原子が拡散し、クロム（Ｃｒ）リッチの粒界が形成されることによって粒子が分離されるというもので、拡散処理のために磁気記録層の成膜形成中に媒体基板を加熱する必要がある。（２）第２のタイプは、隣接した磁性粒子の間の境界に酸化物、窒化物、及び炭化物の中から選択された少なくとも１つの非磁性体を形成し、いわゆる「粒状」媒体を形成することによって粒子が分離されるというもので、上記酸化物、窒化物及び炭化物のうち少なくとも１つは、コバルト（Ｃｏ）合金ベースの磁気記録層をスパッタ成膜の際、例えばアルゴン（Ａｒ）のような不活性ガス雰囲気に酸素、窒素及び炭素原子（例えば、Ｏ２、Ｎ２、ＣＯ２等）のうち少なくとも１つの反応性ガスを僅かな量だけ導入することによって形成される。
粒状磁気記録層を備えた磁気記録媒体は、極めて高い面記録密度を達成するための大きな可能性を有している。より具体的に言えば、粒状記録層を有する磁気記録媒体は、保磁力（Ｈｃ）、残留保磁力（Ｈｃｒ）、残留磁気（Ｍｒ）、保磁力の直角度（Ｓ＊）（角型比）、信号と媒体ノイズとの比率（ＳＭＮＲ）及びＫμＶによって決定されるような熱安定性の点から、薄膜磁気記録媒体の絶えず増大している需要を満たす可能性を提供する。なお、上記Ｋμは、磁性材料の磁気異方性定数であり、Ｖは、磁性粒子の体積である。
上述したように、粒状磁気記録媒体を製造する現在の方法は、例えば、Ｏ２／Ａｒ及びＮ２／Ａｒ雰囲気のうち少なくともいずれか一方のような反応性ガスを含んだスパッタ雰囲気中で磁気記録層を反応性スパッタして、磁気記録層に酸化物、窒化物及び炭化物の少なくとも１つを取り入れ、より小さくてもっと分離された磁性粒子を得ようとするものである。これに関して、Ａｒスパッタ雰囲気中にＯ２、Ｎ２及びＣＯ２の少なくとも１つを導入することは、粒界に入り込んで粒界内に非磁性の酸化物、窒化物及び炭化物のうち少なくとも１つを形成するＯ２及びＮ２のうちの少なくとも一方の供給源を提供することであると考えられている。これにより、隣接する磁性粒子間の交換カップリングの小さい構造を提供することができる。
より具体的に言えば、粒状磁気媒体のハード磁気記録層における粒界に存在する酸素によって、磁性粒子の成長が制限され微粒化に寄与する、アモルファスで、硬くて脆い境界領域が形成される。上述したように、少なくとも１つの粒状磁気記録層６は、一般に、非磁性（又は磁気が最も弱い）で結晶性の中間層５上に、例えばスパッタ成膜によって形成される。ここで、中間層５は、六方稠密構造（以下「ｈｃｐ」という）の層であり、その上を覆って形成される膜面に垂直に配向したコバルト（Ｃｏ）ベースの粒状磁気記録層６のコバルト（Ｃｏ）結晶組織を良くする働きをするものである。これにより、非常に強い垂直異方性が得られる。その結果、中間層５は、最適な記録ができ安定な性能を有する粒状垂直磁気記録媒体の形成に重大な役割を果たす。
磁気記録媒体の性能における著しい改善が粒状媒体によって図られたにもかかわらず、記録密度の増加及び高性能磁気媒体に対する要求は継続してあり、特にハードディスク媒体において、粒状媒体技術の更に進んだ改善が必要とされている。
以上を考慮して、安定性が改善され最適な記録特性を有し、面記録密度が高く、高性能な粒状タイプの長手及び垂直磁気記録媒体を製造する方法が明らかに必要とされている。そして、この方法は、上記高性能な磁気記録媒体の高い製品スループット、コスト効率、製造の自動化の要求を十分に両立し得ることが必要である。
本発明の利点は、改良されたレニウム（Ｒｅ）ベースの合金材料にある。
本発明の更なる利点は、粒状垂直磁気記録媒体の中間層の形成において使用するのに適した改良されたレニウム（Ｒｅ）ベースの合金材料にある。
本発明の別の利点は、レニウム（Ｒｅ）ベース合金中間層の形成や、レニウム（Ｒｅ）ベース合金材料の構成において使用するのに適した、スパッタターゲットのような改良された物理的気相成長法（ＰＶＤ）のターゲットにある。
本発明の更に別の利点は、粒状垂直磁気記録層の直ぐ下のレニウム（Ｒｅ）ベース合金中間層を含んで構成された改良された粒状垂直磁気記録媒体にある。
本発明の更に他の利点は、粒状垂直磁気記録層の直ぐ下のレニウム（Ｒｅ）ベース合金中間層を含む粒状垂直磁気記録媒体の改良された製造方法にある。
本発明の更なる利点及び特徴は、以下に開示されており、一部は以下を検証することにより当業者に明白になるであろうし、本発明を実施することにより明らかになるであろう。その諸利点は、添付の請求の範囲において特に指摘されているように実現、達成されるであろう。
本発明の一態様によれば、前述及び他の利点は、以下に記載のような改良されたレニウム（Ｒｅ）ベース合金材料によって一部は達成される。即ち、レニウム（Ｒｅ）ベース合金材料は、５０ａｔ．％超のレニウム（Ｒｅ）と、少なくとも１つの合金化材料と、を含んで構成され、前記合金化材料は、（ａ）レニウム（Ｒｅ）の原子半径よりも大きい又は小さい原子半径を有し、室温以上の温度で六方稠密構造（ｈｃｐ）のレニウム（Ｒｅ）中に６ａｔ．％よりも小さい固溶度を有する微粒子化成分Ｘと、（ｂ）レニウム（Ｒｅ）の原子半径よりも大きい又は小さい原子半径を有し、室温以上の温度で六方稠密構造（ｈｃｐ）のレニウム（Ｒｅ）中で固溶体の形態を有する格子整合成分Ｙと、から成る群から選択されるものである。
本発明の諸実施形態によれば、前記合金は、Ｒｅ−Ｘ組成を有し、且つ、ベリリウム（Ｂｅ）、ホウ素（Ｂ）、シリコン（Ｓｉ）、チタン（Ｔｉ）、バナジウム（Ｖ）、マンガン（Ｍｎ）、鉄（Ｆｅ）、銅（Ｃｕ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、セレン（Ｓｅ）、イットリウム（Ｙ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ニオブ（Ｎｂ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、錫（Ｓｎ）、アンチモン（Ｓｂ）、テルル（Ｔｅ）、ランタン（Ｌａ）、ネオジム（Ｎｄ）、サマリウム（Ｓｍ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウムタービァム（Ｔｂ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、ルテチウム（Ｌｕ）、ハフニウム（Ｈｆ）、タンタル（Ｔａ）、ビスマス（Ｂｉ）、トリウム（Ｔｈ）及びウラン（Ｕ）から成る群から選択される少なくとも１つのＸ成分を含んで構成されたものである。この場合、前記合金材料は、随意に酸化物、窒素化物及び炭化物から成る群から選択された少なくとも１つの材料を更に含んで構成されてもよい。
本発明の他の実施形態によれば、前記合金は、Ｒｅ−Ｙ組成を有し、且つ、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、オスミウム（Ｏｓ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、炭素（Ｃ）、クロム（Ｃｒ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、イリジウム（Ｉｒ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、及びオスミウム（Ｏｓ）から成る群から選択される少なくとも１つのＹ成分を含んで構成されたものである。この場合、前記合金材料は、随意に酸化物、窒素化物及び炭化物から成る群から選択された少なくとも１つの材料を更に含んで構成されてもよい。
本発明の更に他の実施形態によれば、前記合金は、Ｒｅ−Ｘ−Ｙ組成を有し、且つ、ベリリウム（Ｂｅ）、ホウ素（Ｂ）、シリコン（Ｓｉ）、チタン（Ｔｉ）、バナジウム（Ｖ）、マンガン（Ｍｎ）、鉄（Ｆｅ）、銅（Ｃｕ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、セレン（Ｓｅ）、イットリウム（Ｙ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ニオブ（Ｎｂ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、錫（Ｓｎ）、アンチモン（Ｓｂ）、テルル（Ｔｅ）、ランタン（Ｌａ）、ネオジム（Ｎｄ）、サマリウム（Ｓｍ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウムタービァム（Ｔｂ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、ルテチウム（Ｌｕ）、ハフニウム（Ｈｆ）、タンタル（Ｔａ）、ビスマス（Ｂｉ）、トリウム（Ｔｈ）及びウラン（Ｕ）から成る群から選択される少なくとも１つのＸ成分と、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、オスミウム（Ｏｓ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、炭素（Ｃ）、クロム（Ｃｒ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、イリジウム（Ｉｒ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、及びオスミウム（Ｏｓ）から成る群から選択される少なくとも１つのＹ成分と、を含んで構成されたものである。この場合、前記合金材料は、随意に酸化物、窒素化物及び炭化物から成る群から選択された少なくとも１つの材料を更に含んで構成されてもよい。
本発明の他の態様は、（ａ）表面を有する非磁性基板と、（ｂ）前記基板の表面に形成された積層体と、を含んで構成され、前記積層体は、（i）非磁性又は実質的に非磁性の中間層と、（ii）前記中間層を覆った状態で接触した粒状垂直磁気記録層と、を前記基板の表面から順番に含んでおり、前記粒状垂直磁気記録層は、前記中間層が、５０ａｔ．％超のレニウム（Ｒｅ）と、少なくとも１つの合金化材料と、を含んで構成され、前記合金化材料が、レニウム（Ｒｅ）の原子半径よりも大きい又は小さい原子半径を有し、室温以上の温度で六方稠密構造（ｈｃｐ）のレニウム（Ｒｅ）中に６ａｔ．％よりも小さい固溶度を有する微粒子化成分Ｘと、レニウム（Ｒｅ）の原子半径よりも大きい又は小さい原子半径を有し、室温以上の温度の六方稠密構造（ｈｃｐ）のレニウム（Ｒｅ）中で固溶体の形態を有する格子整合成分Ｙと、から成る群から選択されるものである。
本発明の諸実施形態によれば、前記中間層のレニウム（Ｒｅ）ベースの合金材料は、Ｒｅ−Ｘ組成を含み、且つ、ベリリウム（Ｂｅ）、ホウ素（Ｂ）、シリコン（Ｓｉ）、チタン（Ｔｉ）、バナジウム（Ｖ）、マンガン（Ｍｎ）、鉄（Ｆｅ）、銅（Ｃｕ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、セレン（Ｓｅ）、イットリウム（Ｙ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ニオブ（Ｎｂ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、錫（Ｓｎ）、アンチモン（Ｓｂ）、テルル（Ｔｅ）、ランタン（Ｌａ）、ネオジム（Ｎｄ）、サマリウム（Ｓｍ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウムタービァム（Ｔｂ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、ルテチウム（Ｌｕ）、ハフニウム（Ｈｆ）、タンタル（Ｔａ）、ビスマス（Ｂｉ）、トリウム（Ｔｈ）及びウラン（Ｕ）から成る群から選択される少なくとも１つのＸ成分を含んで構成されたものである。この場合、前記中間層のレニウム（Ｒｅ）ベースの合金材料は、酸化物、窒素化物及び炭化物から成る群から選択された少なくとも１つの材料を更に含んで構成されてもよい。
本発明の他の諸実施形態によれば、前記中間層のレニウム（Ｒｅ）ベースの合金材料は、Ｒｅ−Ｙ組成を有し、且つ、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、オスミウム（Ｏｓ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、炭素（Ｃ）、クロム（Ｃｒ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、イリジウム（Ｉｒ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、及びオスミウム（Ｏｓ）から成る群から選択される少なくとも１つのＹ成分を含んで構成されたものである。この場合、前記中間層のレニウム（Ｒｅ）ベースの合金材料は、酸化物、窒素化物及び炭化物から成る群から選択された少なくとも１つの材料を更に含んで構成されてもよい。
本発明の更に他の諸実施形態は、前記中間層のレニウム（Ｒｅ）ベースの合金材料が、Ｒｅ−Ｘ−Ｙ組成を有し、且つ、ベリリウム（Ｂｅ）、ホウ素（Ｂ）、シリコン（Ｓｉ）、チタン（Ｔｉ）、バナジウム（Ｖ）、マンガン（Ｍｎ）、鉄（Ｆｅ）、銅（Ｃｕ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、セレン（Ｓｅ）、イットリウム（Ｙ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ニオブ（Ｎｂ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、錫（Ｓｎ）、アンチモン（Ｓｂ）、テルル（Ｔｅ）、ランタン（Ｌａ）、ネオジム（Ｎｄ）、サマリウム（Ｓｍ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウムタービァム（Ｔｂ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、ルテチウム（Ｌｕ）、ハフニウム（Ｈｆ）、タンタル（Ｔａ）、ビスマス（Ｂｉ）、トリウム（Ｔｈ）及びウラン（Ｕ）から成る群から選択される少なくとも１つのＸ成分と、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、オスミウム（Ｏｓ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、炭素（Ｃ）、クロム（Ｃｒ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、イリジウム（Ｉｒ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、及びオスミウム（Ｏｓ）から成る群から選択される少なくとも１つのＹ成分と、を含んで構成されたものである。この場合、前記中間層のレニウム（Ｒｅ）ベースの合金材料は、酸化物、窒素化物及び炭化物から成る群から選択された少なくとも１つの材料を更に含んで構成されてもよい。
本発明の更に他の態様によれば、（ａ）表面を有する非磁性基板を供給する第１ステップと、（ｂ）前記基板表面に積層体を形成する第２ステップと、を含んで構成され、前記積層体は、（i）非磁性又は実質的に非磁性の中間層と、（ii）前記中間層を覆った状態で接触した粒状垂直磁気記録層と、を前記基板面から順番に含んでおり、前記粒状垂直磁気記録層は、前記中間層が、５０ａｔ．％超のレニウム（Ｒｅ）と、少なくとも１つの合金化材料と、を含んで構成されたレニウム（Ｒｅ）ベースの合金材料を含んで構成され、前記合金化材料が、レニウム（Ｒｅ）の原子半径よりも大きい又は小さい原子半径を有し、室温以上の温度で六方稠密構造（ｈｃｐ）のレニウム（Ｒｅ）中に６ａｔ．％よりも小さい固溶度を有する微粒子化成分Ｘと、レニウム（Ｒｅ）の原子半径よりも大きい又は小さい原子半径を有し、室温以上の温度で六方稠密構造（ｈｃｐ）のレニウム（Ｒｅ）中で固溶体の形態を有する格子整合成分Ｙと、から成る群から選択されるものである。
本発明の諸実施形態によれば、前記第２ステップ（ｂ）は、Ｒｅ−Ｘ組成を有し、且つ、ベリリウム（Ｂｅ）、ホウ素（Ｂ）、シリコン（Ｓｉ）、チタン（Ｔｉ）、バナジウム（Ｖ）、マンガン（Ｍｎ）、鉄（Ｆｅ）、銅（Ｃｕ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、セレン（Ｓｅ）、イットリウム（Ｙ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ニオブ（Ｎｂ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、錫（Ｓｎ）、アンチモン（Ｓｂ）、テルル（Ｔｅ）、ランタン（Ｌａ）、ネオジム（Ｎｄ）、サマリウム（Ｓｍ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウムタービァム（Ｔｂ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、ルテチウム（Ｌｕ）、ハフニウム（Ｈｆ）、タンタル（Ｔａ）、ビスマス（Ｂｉ）、トリウム（Ｔｈ）及びウラン（Ｕ）から成る群から選択される少なくとも１つのＸ成分を含んで構成された前記中間層を形成することを含んで構成されたものである。この場合、前記中間層は、酸化物、窒素化物及び炭化物から成る群から選択された少なくとも１つの材料を更に含んで構成されてもよい。
本発明の他の諸実施形態によれば、前記第２ステップ（ｂ）は、Ｒｅ−Ｙ組成を有し、且つ、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、オスミウム（Ｏｓ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、炭素（Ｃ）、クロム（Ｃｒ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、イリジウム（Ｉｒ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、及びオスミウム（Ｏｓ）から成る群から選択される少なくとも１つのＹ成分を含んで構成された前記中間層を形成することを含んで構成されたものである。この場合、前記中間層は、酸化物、窒素化物及び炭化物から成る群から選択された少なくとも１つの材料を更に含んで構成されてもよい。
好ましくは、前記第２ステップ（ｂ）は、次の（i）〜（viii）に示された代替のスパッタ成膜工程のうちの１つを行うことを含んで構成されたことを特徴とする粒状垂直磁気記録媒体の製造方法で、（i）Ｒｅ−Ｘ合金を含んで構成された第１のターゲットを使用してスパッタ成膜する方法であって、レニウム（Ｒｅ）が、５０ａｔ．％超えであり、Ｘが、ベリリウム（Ｂｅ）、ホウ素（Ｂ）、シリコン（Ｓｉ）、チタン（Ｔｉ）、バナジウム（Ｖ）、マンガン（Ｍｎ）、鉄（Ｆｅ）、銅（Ｃｕ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、セレン（Ｓｅ）、イットリウム（Ｙ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ニオブ（Ｎｂ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、錫（Ｓｎ）、アンチモン（Ｓｂ）、テルル（Ｔｅ）、ランタン（Ｌａ）、ネオジム（Ｎｄ）、サマリウム（Ｓｍ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウムタービァム（Ｔｂ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、ルテチウム（Ｌｕ）、ハフニウム（Ｈｆ）、タンタル（Ｔａ）、ビスマス（Ｂｉ）、トリウム（Ｔｈ）及びウラン（Ｕ）から成る群から選択される少なくとも１つの成分であること、を特徴とする第１のスパッタ成膜工程、（ii）前記第１のスパッタ成膜工程（i）における前記第１のターゲットを使用してスパッタ成膜する方法であって、前記第１のターゲットは、酸化物、窒素化物及び炭化物から成る群から選択される少なくとも１つの材料を更に含んで構成された第２のターゲットである、第２のスパッタ成膜工程、（iii）Ｒｅ−Ｙ合金を含んで構成された第３のターゲットを使用してスパッタ成膜する第３のスパッタ成膜工程であって、レニウム（Ｒｅ）が、５０ａｔ．％超えであり、Ｙが、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、オスミウム（Ｏｓ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、炭素（Ｃ）、クロム（Ｃｒ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、イリジウム（Ｉｒ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、及びオスミウム（Ｏｓ）から成る群から選択される少なくとも１つの成分であること、を特徴とする第３のスパッタ成膜工程、（iv）前記第３のスパッタ成膜工程（iii）における前記第３のターゲットを使用してスパッタ成膜する方法であって、前記第３のターゲットは、酸化物、窒素化物及び炭化物から成る群から選択される少なくとも１つの材料を更に含んで構成された第４のターゲットである、第４のスパッタ成膜工程、（v）Ｒｅ−Ｘ−Ｙ合金を含んで構成された第５のターゲットを使用してスパッタ成膜する方法であって、レニウム（Ｒｅ）が、５０ａｔ．％超えであり、Ｘが、ベリリウム（Ｂｅ）、ホウ素（Ｂ）、シリコン（Ｓｉ）、チタン（Ｔｉ）、バナジウム（Ｖ）、マンガン（Ｍｎ）、鉄（Ｆｅ）、銅（Ｃｕ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、セレン（Ｓｅ）、イットリウム（Ｙ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ニオブ（Ｎｂ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、錫（Ｓｎ）、アンチモン（Ｓｂ）、テルル（Ｔｅ）、ランタン（Ｌａ）、ネオジム（Ｎｄ）、サマリウム（Ｓｍ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウムタービァム（Ｔｂ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、ルテチウム（Ｌｕ）、ハフニウム（Ｈｆ）、タンタル（Ｔａ）、ビスマス（Ｂｉ）、トリウム（Ｔｈ）及びウラン（Ｕ）から成る群から選択される少なくとも１つの成分であり、Ｙが、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、オスミウム（Ｏｓ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、炭素（Ｃ）、クロム（Ｃｒ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、イリジウム（Ｉｒ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、及びオスミウム（Ｏｓ）から成る群から選択される少なくとも１つの成分である、第５のスパッタ成膜工程、（vi）前記第５のターゲットを使用してスパッタを成膜する方法であって、前記第５のスパッタ成膜工程（v）における前記第５のターゲットは、酸化物、窒素化物及び炭化物から成る群から選択される少なくとも１つの材料を更に含んで構成された第６のターゲットである第６のスパッタ成膜工程、（vii）第１のスパッタ成膜工程（i）におけるような第１のターゲットと、第３のスパッタ成膜工程（iii）におけるような第３のターゲットと、を使用してスパッタ成膜する第７のスパッタ成膜工程、（viii）第１のスパッタ成膜工程（i）におけるような第１のターゲットと、第３のスパッタ成膜工程（iii）におけるような第３のターゲットと、を使用してスパッタ成膜され、前記第１及び第３のターゲットの少なくとも１つが、酸化物、窒素化物及び炭化物から成る群から選択される少なくとも１つの材料を更に含んで構成された、第８のスパッタ成膜工程である。
本発明の更なる利点及び態様は、本発明の実施を意図とした最良の態様を単に示すことによって本発明の好ましい実施形態のみを記載した以下の詳細な説明から当業者が容易に想到することができるであろう。本発明に基づいて他の実施形態及び異なった実施形態が実現可能であることは自明である。また、その各構成要素は、本発明の技術的思想を逸脱しなければ様々に変形することができる。したがって、図面及び詳細な説明の記載は、具体的な説明上の実施例とみなされるべきであり、限定的なものと見なされるべきではない。
本発明は、媒体ノイズが少なく、安定で、高性能な、極めて高い面記録密度の粒状垂直磁気記録媒体の製造において、とりわけ中間層として使用するための改善されたレニウム（Ｒｅ）ベースの合金の提供を狙いとしたものである。そのような高性能媒体を得るための重要な要件は、よく分離され、大きな垂直磁気異方性Ｋｕを有して結合した微粒子構造のハードな粒状垂直磁気記録層の形成である。
前述したように、そのような粒状垂直磁気記録媒体においては、主たる磁性記録層は、代表的には酸素を含有したＣｏＣｒＰｔ合金層である。この場合、粒界に酸素が存在すると、アモルファスで、硬くて脆い粒界領域が形成される。粒界に存在する酸素は、粒子の成長を抑制し、微粒化に寄与する。粒状垂直磁気記録層は、通常、非磁性か磁気の弱い結晶性のｈｃｐベース中間層上に成膜される。ここで、中間層は、膜面に垂直に配向したコバルト（Ｃｏ）ベースのハード磁気記録層のコバルト（Ｃｏ）＜０００２＞結晶構造を良くする働きをするものである。これにより、非常に強い垂直異方性Ｋｕが得られる。
本発明は、室温でレニウム（Ｒｅ）のｈｃｐ結晶構造を有し、例えば、還元電位が０．２７６Ｖで相対的に不活性であることを考慮して、レニウム（Ｒｅ）層が一般に酸素を含有した粒状垂直磁気合金層との接合面で酸化物を形成し難いという認識に基づいている。その結果、レニウム（Ｒｅ）及びレニウム（Ｒｅ）ベース合金が粒状垂直磁気記録媒体の形成において、中間層として使用するのに優れた候補物であると認識された。
これに関して、粒状垂直磁気記録媒体の中間層が、それを覆う粒状磁気記録層の結晶構造を良くする機能を果たすだけでなく、粒状磁気記録層が微細な粒径を有する中間層上にエピタキシャル成長するとき、その微粒化に寄与するということに注目することは重要である。さらに、中間層とそれを覆う粒状磁気記録層との間に一致する細密格子は、面内磁化の可能性を減らして、それらの間に実質的に欠陥の無い接合面を形成することを保証する。
簡単に述べると、本発明の主たる特長によれば、中間層及びそれを覆う粒状磁気記録層の微粒化は、レニウム（Ｒｅ）ベースの合金材料を含む中間層を使用することによって得られる。ここで、Ｒｅは、＞〜５０ａｔ．％であり、例えば１以上のＸ成分、又は１以上の酸化物、窒化物及び（又は）炭化物を随意有するような１以上の第１タイプの合金化添加物を含んでいる。この目的のための諸合金成分Ｘは、結晶成長抑制剤として機能している。このとき、それらは、（１）室温ではレニウム（Ｒｅ）に実質的に不溶性であり、又は高温ではレニウム（Ｒｅ）に例えば＜〜６ａｔ．％のような限られた溶解性を有しており、（２）アモルファスで、硬くて脆い粒界領域を形成し、中間層における粒子の成長を制限する。
本発明の別の主たる特長は、Ｃｏベースのｈｃｐ粒状垂直磁気記録層の強い＜０００２＞配向に対する要求から発生している。即ち、その要求は、ｈｃｐ＜０００２＞結晶面を膜面と平行に配向することによって達成される。しかしながら、中間層と粒状磁気記録層との間の接合面に少しでも格子不整合があると、望ましくない面内磁化を増加させる欠陥が生じる。本発明によれば、結晶性のレニウム（Ｒｅ）ベース中間層とその上を覆うＣｏベース粒状垂直磁気記録層との間の格子不整合（又は不適合）は軽減される。即ち、１以上の酸化物及び（又は）窒化物を有し、又は有しない１以上の成分Ｙのような１以上の第２タイプの合金化添加剤を含有させることによって減少する。格子整合の目的のための合金成分Ｙは、（１）室温及び高温でｈｃｐレニウム（Ｒｅ）に溶解し、その直ぐ後に固溶体を形成し、（２）レニウム（Ｒｅ）よりも大きいか又は小さな原子半径を有している。合金成分Ｙは、レニウム（Ｒｅ）の面内（ａ軸）格子定数を変え、これにより結晶性のレニウム（Ｒｅ）ベース中間層とその上を覆うＣｏベースの粒状垂直磁気記録層との間のどんな格子不整合又は不適合をも減少させるように機能する。例えば、＜０．１３７ｎｍのレニウム（Ｒｅ）より小さな原子半径を有する合金成分Ｙの添加は、レニウム（Ｒｅ）合金格子を縮める働きをする。一方、例えば＞０．１３７ｎｍのレニウム（Ｒｅ）よりも大きい原子半径を有する合金成分Ｙの添加は、レニウム（Ｒｅ）合金格子を拡げる働きをする。
本発明の別の主たる特長によれば、またその多様性を説明すると、Ｒｅ−Ｘ合金やＲｅ−Ｙ合金のようなＸ又はＹ合金化添加物のいずれか１つ、又はＲｅ−Ｘ−Ｙ合金のようにＸ及びＹ合金化添加物の両方を含むレニウム（Ｒｅ）ベースの合金を利用する能力がある。
レニウム（Ｒｅ）合金用のＸ合金化添加物として使用可能な成分は、下表１に示されている。上述したように、図１に示す中間層５のような微粒子を有する結晶性の中間層は、粒状垂直磁気記録層の粒径を制御し微細化するように働く。このとき、粒状垂直磁気記録層は、中間層の表面にエピタキシャル成長する。この効果は、中間層がレニウム（Ｒｅ）合金及びＸ成分のような粒径を微細化する添加物を含むときに向上する。結晶成長抑制剤として機能する合金化添加物のＸ成分は、室温でレニウム（Ｒｅ）に溶解せず、又は非常に低い溶解性、即ち、高温でレニウム（Ｒｅ）に＜〜６ａｔ．％だけしか溶解しない。溶解し難いために合金化添加物は、レニウム（Ｒｅ）ベースの中間層にアモルファスで、硬くて脆い粒界を形成させる。これにより、中間層のスパッタ成膜中及びその後の粒状垂直磁気記録層の成膜中に粒子の成長が抑えられる。合金化添加成分は、非磁性又は磁気の弱い、例えば、＜１．５×１０−７ｍ３／ｋｇの質量磁化率を有し、さらにレニウム（Ｒｅ）の原始半径よりも大きいか小さい原子半径を有している。しかし、必ずしもこれを要求するものではない。合金化添加成分は、室温以上の温度で純粋なレニウム（Ｒｅ）中に成分の最大溶解限界を上回って存在し得る。最後に、微粒子化成分は、表１に示された成分のうちのいずれかの成分、又はそれらがアモルファスの粒界を形成することにより結晶成長抑制剤として同様の方法で機能するようないくらかの他の金属の酸化物、窒化物及び炭化物から成る群から選択された少なくとも１つの材料と結合して利用される。
上記基準に基づいて、本発明によるＲｅ−Ｘ合金は、ベリリウム（Ｂｅ）、ホウ素（Ｂ）、シリコン（Ｓｉ）、チタン（Ｔｉ）、バナジウム（Ｖ）、マンガン（Ｍｎ）、鉄（Ｆｅ）、銅（Ｃｕ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、セレン（Ｓｅ）、イットリウム（Ｙ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ニオブ（Ｎｂ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、錫（Ｓｎ）、アンチモン（Ｓｂ）、テルル（Ｔｅ）、ランタン（Ｌａ）、ネオジム（Ｎｄ）、サマリウム（Ｓｍ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウムタービァム（Ｔｂ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、ルテチウム（Ｌｕ）、ハフニウム（Ｈｆ）、タンタル（Ｔａ）、ビスマス（Ｂｉ）、トリウム（Ｔｈ）及びウラン（Ｕ）のうち１つ以上を含んでいる。
本発明によるＲｅ−Ｙ合金用の合金化添加物Ｙとして使用するのに適した成分は、下表２，３に示されている。上述したように、ｈｃｐコバルト（Ｃｏ）ベースの粒状垂直磁気記録層は、レニウム（Ｒｅ）ベースの中間層の上面に成膜される。白金（Ｐｔ）は、室温でコバルト（Ｃｏ）中に非常によく溶解する。したがって、白金（Ｐｔ）の原子半径が大きいため、コバルト（Ｃｏ）中の白金（Ｐｔ）結合によってコバルト（Ｃｏ）のａ軸格子定数が著しく変化する。本発明によれば、合金化添加物の成分Ｙは、レニウム（Ｒｅ）中間層の中にあるとき、室温以上でレニウム（Ｒｅ）と一緒に固溶体を形成することにより、レニウム（Ｒｅ）のａ軸格子定数を変化させる。合金化添加物成分は、非磁性、又は例えば質量磁化率が＜１．５×１０−７ｍ３／ｋｇであるような磁気の弱いものであるが、しかし、これを要求するものではない。
レニウム（Ｒｅ）よりも原子半径の大きいＲｅ−Ｙ合金用の合金化添加物成分Ｙは、レニウム（Ｒｅ）ベースの中間層の格子を広げるものであり、下表２に示したものがある。一方、レニウム（Ｒｅ）よりも原子半径の小さい、Ｒｅ−Ｙ合金用の合金化添加物成分Ｙは、レニウム（Ｒｅ）ベースの中間層の格子を縮めるものであり、下表３に示したものがある。
合金化添加物成分Ｙは、格子定数の調節を行ない、総量でそれらの最大溶解限度内、又は最大溶解限度まで純粋なレニウム（Ｒｅ）に添加されると、レニウム（Ｒｅ）ベース中間層とその上を覆う粒状垂直磁気記録層との不整合又は不適合を減少させる。さらに、合金化添加物成分Ｙは、最大溶解限度より多く添加されてもよく、この場合は、微粒化と格子整合の二つの目的に役立つ。そして、合金化添加物成分は、酸化物、窒化物及び炭化物のうちから選択された１以上の材料と結合してレニウム（Ｒｅ）に添加されてもよく、この場合、例えば上記選択された材料は結晶成長抑制剤として機能する。
上述したように、本発明は、レニウム（Ｒｅ）ベースの合金及び例えばスパッタターゲットのようなＰＶＤ源の形成を意図としており、これらは、Ｒｅ−Ｘ及びＲｅ−Ｙ合金のような少なくとも１つのＸ又はＹ合金化添加物、又はＲｅ−Ｘ−Ｙ合金のようなＸとＹの両方の合金化添加物を含んで構成されている。そして、同じ構成の合金及びターゲットは、粒状垂直磁気記録媒体用の改善された中間層を形成するために有効に利用される。本発明によって考えられたレニウム（Ｒｅ）ベースの合金及び例えばスパッタターゲットのようなＰＶＤ源は、それぞれ、例えば、構成物質の圧蜜粉末及び細密粉末を含む粉末冶金技術を包含する従来方法によって、又は合金組成の溶解物及び鋳物を含む固化冶金技術によって製造することができる。
本発明によれば、中間層は、例えば、次の（i）〜（viii）に示された代替のスパッタ成膜工程のうちの１つを実行することにより、単一のターゲットを使用する反応性又は非反応性スパッタリング、又は複数のターゲットの同時スパッタリングを含むスパッタ成膜技術によって好適に形成される。即ち、代替のスパッタ成膜工程は、
（i）Ｒｅ−Ｘ合金を含んで構成された第１のターゲットを使用してスパッタ成膜する方法であって、レニウム（Ｒｅ）が、５０ａｔ．％超えであり、Ｘが、ベリリウム（Ｂｅ）、ホウ素（Ｂ）、シリコン（Ｓｉ）、チタン（Ｔｉ）、バナジウム（Ｖ）、マンガン（Ｍｎ）、鉄（Ｆｅ）、銅（Ｃｕ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、セレン（Ｓｅ）、イットリウム（Ｙ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ニオブ（Ｎｂ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、錫（Ｓｎ）、アンチモン（Ｓｂ）、テルル（Ｔｅ）、ランタン（Ｌａ）、ネオジム（Ｎｄ）、サマリウム（Ｓｍ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウムタービァム（Ｔｂ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、ルテチウム（Ｌｕ）、ハフニウム（Ｈｆ）、タンタル（Ｔａ）、ビスマス（Ｂｉ）、トリウム（Ｔｈ）及びウラン（Ｕ）から成る群から選択される少なくとも１つの成分であること、を特徴とする第１のスパッタ成膜工程、
（ii）前記第１のスパッタ成膜工程（i）における前記第１のターゲットを使用してスパッタ成膜する方法であって、前記第１のターゲットは、酸化物、窒素化物及び炭化物から成る群から選択される少なくとも１つの材料を更に含んで構成された第２のターゲットである、第２のスパッタ成膜工程、
（iii）Ｒｅ−Ｙ合金を含んで構成された第３のターゲットを使用してスパッタ成膜する第３のスパッタ成膜工程であって、レニウム（Ｒｅ）が、５０ａｔ．％超えであり、Ｙが、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、オスミウム（Ｏｓ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、炭素（Ｃ）、クロム（Ｃｒ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、イリジウム（Ｉｒ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、及びオスミウム（Ｏｓ）から成る群から選択される少なくとも１つの成分であること、を特徴とする第３のスパッタ成膜工程、
（iv）前記第３のスパッタ成膜工程（iii）における前記第３のターゲットを使用してスパッタ成膜する方法であって、前記第３のターゲットは、酸化物、窒素化物及び炭化物から成る群から選択される少なくとも１つの材料を更に含んで構成された第４のターゲットである、第４のスパッタ成膜工程、
（v）Ｒｅ−Ｘ−Ｙ合金を含んで構成された第５のターゲットを使用してスパッタ成膜する方法であって、レニウム（Ｒｅ）が、５０ａｔ．％超えであり、Ｘが、ベリリウム（Ｂｅ）、ホウ素（Ｂ）、シリコン（Ｓｉ）、チタン（Ｔｉ）、バナジウム（Ｖ）、マンガン（Ｍｎ）、鉄（Ｆｅ）、銅（Ｃｕ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、セレン（Ｓｅ）、イットリウム（Ｙ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ニオブ（Ｎｂ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、錫（Ｓｎ）、アンチモン（Ｓｂ）、テルル（Ｔｅ）、ランタン（Ｌａ）、ネオジム（Ｎｄ）、サマリウム（Ｓｍ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウムタービァム（Ｔｂ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、ルテチウム（Ｌｕ）、ハフニウム（Ｈｆ）、タンタル（Ｔａ）、ビスマス（Ｂｉ）、トリウム（Ｔｈ）及びウラン（Ｕ）から成る群から選択される少なくとも１つの成分であり、Ｙが、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、オスミウム（Ｏｓ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、炭素（Ｃ）、クロム（Ｃｒ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、イリジウム（Ｉｒ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、及びオスミウム（Ｏｓ）から成る群から選択される少なくとも１つの成分である、第５のスパッタ成膜工程、
（vi）前記第５のターゲットを使用してスパッタを成膜する方法であって、前記第５のスパッタ成膜工程（v）における前記第５のターゲットは、酸化物、窒素化物及び炭化物から成る群から選択される少なくとも１つの材料を更に含んで構成された第６のターゲットである第６のスパッタ成膜工程、
（vii）第１のスパッタ成膜工程（i）におけるような第１のターゲットと、第３のスパッタ成膜工程（iii）におけるような第３のターゲットと、を使用してスパッタ成膜する第７のスパッタ成膜工程、
（viii）第１のスパッタ成膜工程（i）におけるような第１のターゲットと、第３のスパッタ成膜工程（iii）におけるような第３のターゲットと、を使用してスパッタ成膜され、前記第１及び第３のターゲットの少なくとも１つが、酸化物、窒素化物及び炭化物から成る群から選択される少なくとも１つの材料を更に含んで構成された、第８のスパッタ成膜工程、
である。
（i）Ｒｅ−Ｘ合金を含んで構成された第１のターゲットを使用してスパッタ成膜する方法であって、レニウム（Ｒｅ）が、５０ａｔ．％超えであり、Ｘが、ベリリウム（Ｂｅ）、ホウ素（Ｂ）、シリコン（Ｓｉ）、チタン（Ｔｉ）、バナジウム（Ｖ）、マンガン（Ｍｎ）、鉄（Ｆｅ）、銅（Ｃｕ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、セレン（Ｓｅ）、イットリウム（Ｙ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ニオブ（Ｎｂ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、錫（Ｓｎ）、アンチモン（Ｓｂ）、テルル（Ｔｅ）、ランタン（Ｌａ）、ネオジム（Ｎｄ）、サマリウム（Ｓｍ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウムタービァム（Ｔｂ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、ルテチウム（Ｌｕ）、ハフニウム（Ｈｆ）、タンタル（Ｔａ）、ビスマス（Ｂｉ）、トリウム（Ｔｈ）及びウラン（Ｕ）から成る群から選択される少なくとも１つの成分であること、を特徴とする第１のスパッタ成膜工程、
（ii）前記第１のスパッタ成膜工程（i）における前記第１のターゲットを使用してスパッタ成膜する方法であって、前記第１のターゲットは、酸化物、窒素化物及び炭化物から成る群から選択される少なくとも１つの材料を更に含んで構成された第２のターゲットである、第２のスパッタ成膜工程、
（iii）Ｒｅ−Ｙ合金を含んで構成された第３のターゲットを使用してスパッタ成膜する第３のスパッタ成膜工程であって、レニウム（Ｒｅ）が、５０ａｔ．％超えであり、Ｙが、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、オスミウム（Ｏｓ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、炭素（Ｃ）、クロム（Ｃｒ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、イリジウム（Ｉｒ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、及びオスミウム（Ｏｓ）から成る群から選択される少なくとも１つの成分であること、を特徴とする第３のスパッタ成膜工程、
（iv）前記第３のスパッタ成膜工程（iii）における前記第３のターゲットを使用してスパッタ成膜する方法であって、前記第３のターゲットは、酸化物、窒素化物及び炭化物から成る群から選択される少なくとも１つの材料を更に含んで構成された第４のターゲットである、第４のスパッタ成膜工程、
（v）Ｒｅ−Ｘ−Ｙ合金を含んで構成された第５のターゲットを使用してスパッタ成膜する方法であって、レニウム（Ｒｅ）が、５０ａｔ．％超えであり、Ｘが、ベリリウム（Ｂｅ）、ホウ素（Ｂ）、シリコン（Ｓｉ）、チタン（Ｔｉ）、バナジウム（Ｖ）、マンガン（Ｍｎ）、鉄（Ｆｅ）、銅（Ｃｕ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、セレン（Ｓｅ）、イットリウム（Ｙ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ニオブ（Ｎｂ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、錫（Ｓｎ）、アンチモン（Ｓｂ）、テルル（Ｔｅ）、ランタン（Ｌａ）、ネオジム（Ｎｄ）、サマリウム（Ｓｍ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウムタービァム（Ｔｂ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、ルテチウム（Ｌｕ）、ハフニウム（Ｈｆ）、タンタル（Ｔａ）、ビスマス（Ｂｉ）、トリウム（Ｔｈ）及びウラン（Ｕ）から成る群から選択される少なくとも１つの成分であり、Ｙが、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、オスミウム（Ｏｓ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、炭素（Ｃ）、クロム（Ｃｒ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、イリジウム（Ｉｒ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、及びオスミウム（Ｏｓ）から成る群から選択される少なくとも１つの成分である、第５のスパッタ成膜工程、
（vi）前記第５のターゲットを使用してスパッタを成膜する方法であって、前記第５のスパッタ成膜工程（v）における前記第５のターゲットは、酸化物、窒素化物及び炭化物から成る群から選択される少なくとも１つの材料を更に含んで構成された第６のターゲットである第６のスパッタ成膜工程、
（vii）第１のスパッタ成膜工程（i）におけるような第１のターゲットと、第３のスパッタ成膜工程（iii）におけるような第３のターゲットと、を使用してスパッタ成膜する第７のスパッタ成膜工程、
（viii）第１のスパッタ成膜工程（i）におけるような第１のターゲットと、第３のスパッタ成膜工程（iii）におけるような第３のターゲットと、を使用してスパッタ成膜され、前記第１及び第３のターゲットの少なくとも１つが、酸化物、窒素化物及び炭化物から成る群から選択される少なくとも１つの材料を更に含んで構成された、第８のスパッタ成膜工程、
である。
要約すると、本発明は、合金化添加物を含む改善されたレニウム（Ｒｅ）ベース合金を提供するものである。ここで、合金化添加物は、コバルト（Ｃｏ）ベースの粒状垂直磁気記録媒体の薄膜積層体における結晶性中間層の形成に特に有用である。合金化添加物の一部は、後に成膜される粒状垂直磁気記録層における場合と同様に、中間層を形成する際に粒径を微細化する。一方、他の合金化添加物は、レニウム（Ｒｅ）ベースの中間層とそれを覆うコバルト（Ｃｏ）ベースの粒状垂直磁気記録層との間の格子不整合又は不適合を減少させる。本発明によって提供される改善された磁気記録層は、信号対雑音比（ＳＮＲ）が改善され垂直磁気異方性が増加されて、高性能で、面記録密度が高い粒状垂直磁気記録媒体の製造を容易にする。
以上の説明においては、本発明がよく理解できるように、特定の素材、構造、工程等のような様々な特定事項が示されている。しかしながら、本発明は上記特定事項によらずに実施することができる。他の例示においては、本発明を不必要に不明瞭にしないために、周知の工程材料及び技術は詳細には示されていない。
本発明の開示において、本発明の好ましい実施形態だけでなく、その多くの用途のうち少数の例が示され説明されている。本発明は、様々な他の組合せ及び環境下で使用することができ、ここに示されているような開示の概念の範囲内で変更及び改良することができるということは理解されよう。
５…中間層
６…粒状垂直磁気記録層
１０…基板
６…粒状垂直磁気記録層
１０…基板
Claims (25)
- ５０ａｔ．％超のレニウム（Ｒｅ）と、少なくとも１つの合金化材料と、を含んで構成され、前記合金化材料は、
（ａ）レニウム（Ｒｅ）の原子半径よりも大きい又は小さい原子半径を有し、室温以上の温度で六方稠密構造（ｈｃｐ）のレニウム（Ｒｅ）中に６ａｔ．％よりも小さい固溶度を有する微粒子化成分Ｘと、
（ｂ）レニウム（Ｒｅ）の原子半径よりも大きい又は小さい原子半径を有し、室温以上の温度で六方稠密構造（ｈｃｐ）のレニウム（Ｒｅ）中で固溶体の形態を有する格子整合成分Ｙと、
から成る群から選択されることを特徴とするレニウム（Ｒｅ）ベースの合金材料。 - Ｒｅ−Ｘ組成を有し、且つ、
ベリリウム（Ｂｅ）、ホウ素（Ｂ）、シリコン（Ｓｉ）、チタン（Ｔｉ）、バナジウム（Ｖ）、マンガン（Ｍｎ）、鉄（Ｆｅ）、銅（Ｃｕ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、セレン（Ｓｅ）、イットリウム（Ｙ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ニオブ（Ｎｂ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、錫（Ｓｎ）、アンチモン（Ｓｂ）、テルル（Ｔｅ）、ランタン（Ｌａ）、ネオジム（Ｎｄ）、サマリウム（Ｓｍ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウムタービァム（Ｔｂ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、ルテチウム（Ｌｕ）、ハフニウム（Ｈｆ）、タンタル（Ｔａ）、ビスマス（Ｂｉ）、トリウム（Ｔｈ）及びウラン（Ｕ）から成る群から選択される少なくとも１つのＸ成分を含んで構成されたこと、
を特徴とする請求項１に記載の合金材料。 - 酸化物、窒素化物及び炭化物から成る群から選択される少なくとも１つの材料を更に含んで構成されたことを特徴とする請求項２に記載の合金材料。
- Ｒｅ−Ｙ組成を有し、且つ、
アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、オスミウム（Ｏｓ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、炭素（Ｃ）、クロム（Ｃｒ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、イリジウム（Ｉｒ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、及びオスミウム（Ｏｓ）から成る群から選択される少なくとも１つのＹ成分を含んで構成されたこと、
を特徴とする請求項１に記載の合金材料。 - 酸化物、窒素化物及び炭化物から成る群から選択される少なくとも１つの材料を更に含んで構成されたことを特徴とする請求項４に記載の合金材料。
- Ｒｅ−Ｘ−Ｙ組成を有し、且つ、
ベリリウム（Ｂｅ）、ホウ素（Ｂ）、シリコン（Ｓｉ）、チタン（Ｔｉ）、バナジウム（Ｖ）、マンガン（Ｍｎ）、鉄（Ｆｅ）、銅（Ｃｕ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、セレン（Ｓｅ）、イットリウム（Ｙ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ニオブ（Ｎｂ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、錫（Ｓｎ）、アンチモン（Ｓｂ）、テルル（Ｔｅ）、ランタン（Ｌａ）、ネオジム（Ｎｄ）、サマリウム（Ｓｍ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウムタービァム（Ｔｂ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、ルテチウム（Ｌｕ）、ハフニウム（Ｈｆ）、タンタル（Ｔａ）、ビスマス（Ｂｉ）、トリウム（Ｔｈ）及びウラン（Ｕ）から成る群から選択される少なくとも１つのＸ成分と、
アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、オスミウム（Ｏｓ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、炭素（Ｃ）、クロム（Ｃｒ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、イリジウム（Ｉｒ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、及びオスミウム（Ｏｓ）から成る群から選択される少なくとも１つのＹ成分と、
を含んで構成されたことを特徴とする、
請求項１に記載の合金材料。 - 酸化物、窒素化物及び炭化物から成る群から選択される少なくとも１つの材料を更に含んで構成されたことを特徴とする請求項６に記載の合金材料。
- 請求項２に記載のレニウム（Ｒｅ）ベースの合金材料を含んで構成されたことを特徴とする物理的気相成長法（ＰＶＤ）ターゲット。
- 請求項５に記載のレニウム（Ｒｅ）ベースの合金材料を含んで構成されたことを特徴とする物理的気相成長法（ＰＶＤ）ターゲット。
- （ａ）表面を有する非磁性基板と、
（ｂ）前記基板の表面に形成された積層体と、
を含んで構成され、
前記積層体は、
（i）非磁性又は実質的に非磁性の中間層と、
（ii）前記中間層を覆った状態で接触した粒状垂直磁気記録層と、
を前記基板の表面から順番に含んでおり、
前記粒状垂直磁気記録層は、
前記中間層が、
５０ａｔ．％超のレニウム（Ｒｅ）と、
少なくとも１つの合金化材料と、
を含んで構成され、
前記合金化材料が、
レニウム（Ｒｅ）の原子半径よりも大きい又は小さい原子半径を有し、室温以上の温度で六方稠密構造（ｈｃｐ）のレニウム（Ｒｅ）中に６ａｔ．％よりも小さい固溶度を有する微粒子化成分Ｘと、
レニウム（Ｒｅ）の原子半径よりも大きい又は小さい原子半径を有し、室温以上の温度で六方稠密構造（ｈｃｐ）のレニウム（Ｒｅ）中で固溶体の形態を有する格子整合成分Ｙと、
から成る群から選択されること、
を特徴とする粒状垂直磁気記録媒体。 - 前記中間層のレニウム（Ｒｅ）ベースの合金材料は、
Ｒｅ−Ｘ組成を有し、且つ、
ベリリウム（Ｂｅ）、ホウ素（Ｂ）、シリコン（Ｓｉ）、チタン（Ｔｉ）、バナジウム（Ｖ）、マンガン（Ｍｎ）、鉄（Ｆｅ）、銅（Ｃｕ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、セレン（Ｓｅ）、イットリウム（Ｙ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ニオブ（Ｎｂ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、錫（Ｓｎ）、アンチモン（Ｓｂ）、テルル（Ｔｅ）、ランタン（Ｌａ）、ネオジム（Ｎｄ）、サマリウム（Ｓｍ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウムタービァム（Ｔｂ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、ルテチウム（Ｌｕ）、ハフニウム（Ｈｆ）、タンタル（Ｔａ）、ビスマス（Ｂｉ）、トリウム（Ｔｈ）及びウラン（Ｕ）から成る群から選択される少なくとも１つのＸ成分を含んで構成されたことを特徴とする請求項１０に記載の粒状垂直磁気記録媒体。 - 前記中間層のレニウム（Ｒｅ）ベースの合金材料は、酸化物、窒素化物及び炭化物から成る群から選択される少なくとも１つの材料を更に含んで構成されたことを特徴とする請求項１１に記載の粒状垂直磁気記録媒体。
- 前記中間層のレニウム（Ｒｅ）ベースの合金材料は、
Ｒｅ−Ｙ組成を有し、且つ、
アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、オスミウム（Ｏｓ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、炭素（Ｃ）、クロム（Ｃｒ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、イリジウム（Ｉｒ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、及びオスミウム（Ｏｓ）から成る群から選択される少なくとも１つのＹ成分を含んで構成されたことを特徴とする請求項１０に記載の粒状垂直磁気記録媒体。 - 前記中間層のレニウム（Ｒｅ）ベースの合金材料は、酸化物、窒素化物及び炭化物から成る群から選択される少なくとも１つの材料を更に含んで構成されたことを特徴とする請求項１３に記載の粒状垂直磁気記録媒体。
- 前記中間層のレニウム（Ｒｅ）ベースの合金材料は、
Ｒｅ−Ｘ−Ｙ組成を有し、且つ
ベリリウム（Ｂｅ）、ホウ素（Ｂ）、シリコン（Ｓｉ）、チタン（Ｔｉ）、バナジウム（Ｖ）、マンガン（Ｍｎ）、鉄（Ｆｅ）、銅（Ｃｕ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、セレン（Ｓｅ）、イットリウム（Ｙ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ニオブ（Ｎｂ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、錫（Ｓｎ）、アンチモン（Ｓｂ）、テルル（Ｔｅ）、ランタン（Ｌａ）、ネオジム（Ｎｄ）、サマリウム（Ｓｍ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウムタービァム（Ｔｂ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、ルテチウム（Ｌｕ）、ハフニウム（Ｈｆ）、タンタル（Ｔａ）、ビスマス（Ｂｉ）、トリウム（Ｔｈ）及びウラン（Ｕ）から成る群から選択される少なくとも１つのＸ成分と、
アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、オスミウム（Ｏｓ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、炭素（Ｃ）、クロム（Ｃｒ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、イリジウム（Ｉｒ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、及びオスミウム（Ｏｓ）から成る群から選択される少なくとも１つのＹ成分と、
を含んで構成されたことを特徴とする請求項１０に記載の粒状垂直磁気記録媒体。 - 前記中間層のレニウム（Ｒｅ）ベースの合金材料は、酸化物、窒素化物及び炭化物から成る群から選択される少なくとも１つの材料を更に含んで構成されたことを特徴とする請求項１５に記載の粒状垂直磁気記録媒体。
- （ａ）表面を有する非磁性基板を供給する第１ステップと、
（ｂ）前記基板表面に積層体を形成する第２ステップと、
を含んで構成され、
前記積層体は、
（i）非磁性又は実質的に非磁性の中間層と、
（ii）前記中間層を覆った状態で接触した粒状垂直磁気記録層と、
を前記基板面から順番に含んでおり、
前記粒状垂直磁気記録層は、
前記中間層が、
５０ａｔ．％超のレニウム（Ｒｅ）と、
少なくとも１つの合金化材料と、
を含んで構成されたレニウム（Ｒｅ）ベースの合金材料を含んで構成され、
前記合金化材料が、
レニウム（Ｒｅ）の原子半径よりも大きい又は小さい原子半径を有し、室温以上の温度で六方稠密構造（ｈｃｐ）のレニウム（Ｒｅ）中に６ａｔ．％よりも小さい固溶度を有する微粒子化成分Ｘと、
レニウム（Ｒｅ）の原子半径よりも大きい又は小さい原子半径を有し、室温以上の温度で六方稠密構造（ｈｃｐ）のレニウム（Ｒｅ）中で固溶体の形態を有する格子整合成分Ｙと、
から成る群から選択されること、
を特徴とする粒状垂直磁気記録媒体の製造方法。 - 前記第２ステップ（ｂ）は、
Ｒｅ−Ｘ組成を有し、且つ、
ベリリウム（Ｂｅ）、ホウ素（Ｂ）、シリコン（Ｓｉ）、チタン（Ｔｉ）、バナジウム（Ｖ）、マンガン（Ｍｎ）、鉄（Ｆｅ）、銅（Ｃｕ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、セレン（Ｓｅ）、イットリウム（Ｙ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ニオブ（Ｎｂ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、錫（Ｓｎ）、アンチモン（Ｓｂ）、テルル（Ｔｅ）、ランタン（Ｌａ）、ネオジム（Ｎｄ）、サマリウム（Ｓｍ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウムタービァム（Ｔｂ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、ルテチウム（Ｌｕ）、ハフニウム（Ｈｆ）、タンタル（Ｔａ）、ビスマス（Ｂｉ）、トリウム（Ｔｈ）及びウラン（Ｕ）から成る群から選択される少なくとも１つのＸ成分を含んで構成された前記中間層を形成することを含んで構成されたことを特徴する請求項１７に記載の粒状垂直磁気記録媒体の製造方法。 - 前記第２ステップ（ｂ）は、酸化物、窒素化物及び炭化物から成る群から選択される少なくとも１つの材料を更に含んで構成された前記中間層を形成することを含んで構成されたことを特徴する請求項１８に記載の粒状垂直磁気記録媒体の製造方法。
- 前記第２ステップ（ｂ）は、Ｒｅ−Ｙ組成を有し、且つ、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、オスミウム（Ｏｓ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、炭素（Ｃ）、クロム（Ｃｒ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、イリジウム（Ｉｒ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、及びオスミウム（Ｏｓ）から成る群から選択される少なくとも１つのＹ成分を含んで構成された前記中間層を形成することを含んで構成されたことを特徴する請求項１７に記載の粒状垂直磁気記録媒体の製造方法。
- 前記第２ステップ（ｂ）は、酸化物、窒素化物及び炭化物から成る群から選択される少なくとも１つの材料を更に含んで構成された前記中間層を形成することを含んで構成されたことを特徴する請求項２０に記載の粒状垂直磁気記録媒体の製造方法。
- 前記第２ステップ（ｂ）は、
Ｒｅ−Ｘ−Ｙ組成を有し、且つ、
ベリリウム（Ｂｅ）、ホウ素（Ｂ）、シリコン（Ｓｉ）、チタン（Ｔｉ）、バナジウム（Ｖ）、マンガン（Ｍｎ）、鉄（Ｆｅ）、銅（Ｃｕ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、セレン（Ｓｅ）、イットリウム（Ｙ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ニオブ（Ｎｂ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、錫（Ｓｎ）、アンチモン（Ｓｂ）、テルル（Ｔｅ）、ランタン（Ｌａ）、ネオジム（Ｎｄ）、サマリウム（Ｓｍ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウムタービァム（Ｔｂ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、ルテチウム（Ｌｕ）、ハフニウム（Ｈｆ）、タンタル（Ｔａ）、ビスマス（Ｂｉ）、トリウム（Ｔｈ）及びウラン（Ｕ）から成る群から選択される少なくとも１つのＸ成分と、
アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、オスミウム（Ｏｓ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、炭素（Ｃ）、クロム（Ｃｒ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、イリジウム（Ｉｒ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、及びオスミウム（Ｏｓ）から成る群から選択される少なくとも１つのＹ成分と、
を含んで構成された前記中間層を形成することを含んで構成されたことを特徴する請求項１７に記載の粒状垂直磁気記録媒体の製造方法。 - 前記第２ステップ（ｂ）は、酸化物、窒素化物及び炭化物から成る群から選択される少なくとも１つの材料を更に含んで構成された前記中間層を形成することを含んで構成されたことを特徴する請求項２２に記載の粒状垂直磁気記録媒体の製造方法。
- 前記第２ステップ（ｂ）は、１以上のターゲットを使用したスパッタ成膜工程により前記中間層を形成することを含んで構成されたことを特徴とする請求項１７に記載の粒状垂直磁気記録媒体の製造方法。
- 前記第２ステップ（ｂ）は、次の（i）〜（viii）に示された代替のスパッタ成膜工程のうちの１つを行うことを含んで構成されたことを特徴とする請求項２４に記載の粒状垂直磁気記録媒体の製造方法、
（i）Ｒｅ−Ｘ合金を含んで構成された第１のターゲットを使用してスパッタ成膜する方法であって、
レニウム（Ｒｅ）が、５０ａｔ．％超えであり、
Ｘが、ベリリウム（Ｂｅ）、ホウ素（Ｂ）、シリコン（Ｓｉ）、チタン（Ｔｉ）、バナジウム（Ｖ）、マンガン（Ｍｎ）、鉄（Ｆｅ）、銅（Ｃｕ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、セレン（Ｓｅ）、イットリウム（Ｙ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ニオブ（Ｎｂ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、錫（Ｓｎ）、アンチモン（Ｓｂ）、テルル（Ｔｅ）、ランタン（Ｌａ）、ネオジム（Ｎｄ）、サマリウム（Ｓｍ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウムタービァム（Ｔｂ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、ルテチウム（Ｌｕ）、ハフニウム（Ｈｆ）、タンタル（Ｔａ）、ビスマス（Ｂｉ）、トリウム（Ｔｈ）及びウラン（Ｕ）から成る群から選択される少なくとも１つの成分であること、
を特徴とする第１のスパッタ成膜工程、
（ii）前記第１のスパッタ成膜工程（i）における前記第１のターゲットを使用してスパッタ成膜する方法であって、
前記第１のターゲットは、酸化物、窒素化物及び炭化物から成る群から選択される少なくとも１つの材料を更に含んで構成された第２のターゲットである、第２のスパッタ成膜工程、
（iii）Ｒｅ−Ｙ合金を含んで構成された第３のターゲットを使用してスパッタ成膜する第３のスパッタ成膜工程であって、
レニウム（Ｒｅ）が、５０ａｔ．％超えであり、
Ｙが、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、オスミウム（Ｏｓ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、炭素（Ｃ）、クロム（Ｃｒ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、イリジウム（Ｉｒ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、及びオスミウム（Ｏｓ）から成る群から選択される少なくとも１つの成分であること、
を特徴とする第３のスパッタ成膜工程、
（iv）前記第３のスパッタ成膜工程（iii）における前記第３のターゲットを使用してスパッタ成膜する方法であって、
前記第３のターゲットは、酸化物、窒素化物及び炭化物から成る群から選択される少なくとも１つの材料を更に含んで構成された第４のターゲットである、第４のスパッタ成膜工程、
（v）Ｒｅ−Ｘ−Ｙ合金を含んで構成された第５のターゲットを使用してスパッタ成膜する方法であって、
レニウム（Ｒｅ）が、５０ａｔ．％超えであり、
Ｘが、ベリリウム（Ｂｅ）、ホウ素（Ｂ）、シリコン（Ｓｉ）、チタン（Ｔｉ）、バナジウム（Ｖ）、マンガン（Ｍｎ）、鉄（Ｆｅ）、銅（Ｃｕ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、セレン（Ｓｅ）、イットリウム（Ｙ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ニオブ（Ｎｂ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、錫（Ｓｎ）、アンチモン（Ｓｂ）、テルル（Ｔｅ）、ランタン（Ｌａ）、ネオジム（Ｎｄ）、サマリウム（Ｓｍ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウムタービァム（Ｔｂ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、ルテチウム（Ｌｕ）、ハフニウム（Ｈｆ）、タンタル（Ｔａ）、ビスマス（Ｂｉ）、トリウム（Ｔｈ）及びウラン（Ｕ）から成る群から選択される少なくとも１つの成分であり、
Ｙが、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、オスミウム（Ｏｓ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、炭素（Ｃ）、クロム（Ｃｒ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、イリジウム（Ｉｒ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、及びオスミウム（Ｏｓ）から成る群から選択される少なくとも１つの成分である、
第５のスパッタ成膜工程、
（vi）前記第５のターゲットを使用してスパッタを成膜する方法であって、前記第５のスパッタ成膜工程（v）における前記第５のターゲットは、酸化物、窒素化物及び炭化物から成る群から選択される少なくとも１つの材料を更に含んで構成された第６のターゲットである第６のスパッタ成膜工程、
（vii）第１のスパッタ成膜工程（i）におけるような第１のターゲットと、第３のスパッタ成膜工程（iii）におけるような第３のターゲットと、を使用してスパッタ成膜する第７のスパッタ成膜工程、
（viii）第１のスパッタ成膜工程（i）におけるような第１のターゲットと、第３のスパッタ成膜工程（iii）におけるような第３のターゲットと、を使用してスパッタ成膜され、
前記第１及び第３のターゲットの少なくとも１つが、酸化物、窒素化物及び炭化物から成る群から選択される少なくとも１つの材料を更に含んで構成された、第８のスパッタ成膜工程。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20080626 |