[go: up one dir, main page]

JP2008160072A - 露光装置及びデバイス製造方法 - Google Patents

露光装置及びデバイス製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2008160072A
JP2008160072A JP2007287855A JP2007287855A JP2008160072A JP 2008160072 A JP2008160072 A JP 2008160072A JP 2007287855 A JP2007287855 A JP 2007287855A JP 2007287855 A JP2007287855 A JP 2007287855A JP 2008160072 A JP2008160072 A JP 2008160072A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
optical system
light
exposure apparatus
illumination
projection optical
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2007287855A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiromi Suda
広美 須田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP2007287855A priority Critical patent/JP2008160072A/ja
Priority to TW096144608A priority patent/TW200839460A/zh
Priority to US11/944,777 priority patent/US7489387B2/en
Priority to KR1020070123114A priority patent/KR20080049673A/ko
Publication of JP2008160072A publication Critical patent/JP2008160072A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/70083Non-homogeneous intensity distribution in the mask plane
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/70091Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70308Optical correction elements, filters or phase plates for manipulating imaging light, e.g. intensity, wavelength, polarisation, phase or image shift

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

【課題】転写する回路パターンに対する照明光の更なる最適化を実現する露光装置を提供する。
【解決手段】光源からの光束を用いてレチクルを照明する照明光学系と、前記レチクルのパターンの像を基板に投影する投影光学系とを備える露光装置であって、前記照明光学系は、前記投影光学系の瞳面と共役な面の近傍に配置され、前記照明光学系の光軸に沿って移動可能な遮光部材を有し、前記遮光部材は、前記投影光学系の瞳面における光強度分布が不均一になるように移動されることを特徴とする露光装置を提供する。
【選択図】図1

Description

本発明は、露光装置及びデバイス製造方法に関する。
フォトリソグラフィー(焼き付け)技術を用いて半導体メモリーや論理回路などの微細な半導体デバイスを製造する際に、投影露光装置が従来から使用されている。投影露光装置は、レチクル(マスク)に描画された回路パターンを投影光学系によってウエハ等に投影して回路パターンを転写する。近年では、半導体デバイスの微細化に伴って、露光光源の波長以下のパターンを解像するための超解像技術が種々提案されている。かかる超解像技術の一つとして、変形照明法(斜入射照明法)と呼ばれるものがある。変形照明法は、一様な角度分布を有する照明光でレチクルを照明するのではなく、レチクルに対して斜めに照明光を入射させる方法であり、例えば、輪帯照明法、2重極照明法、4重極照明法などがある。なお、変形照明法では、レチクルを照明する光束の角度分布は、レチクル(物体面)に対する瞳面(フーリエ変換面)の位置分布に対応する。
光源からの光束の瞳面上での光強度分布は軸対象なガウス分布であり、瞳面上での光強度分布を輪帯形状、2重極形状又は4重極形状にするためには、光強度分布を変換する光学系が必要である。光強度分布を変換する最も簡単な光学系は、例えば、瞳面に相当するオプティカルインテグレータの射出面に配置される2重極や4重極の開口絞りである。但し、開口絞りを用いた場合、光源からの光束の一部を切り出すことになるため、光源からの光束を効率的に利用することができず、レチクル上での照度が低下してしまう。
また、回折光学素子を用いてオプティカルインテグレータの入射面における光強度分布を変換する技術も提案されており、開口絞りを用いることなく、所望の光強度分布を得ることができる。
一方、レチクルに対する変形照明を最適化するために、輪帯形状の光束(輪帯比)やコヒーレンシーσ(即ち、照明光学系の射出側の開口数/投影光学系の入射側の開口数)の大きさを変更することも提案されている。例えば、輪帯比は、入射面が凹型の円錐状、且つ、射出面が平面である光学素子と、入射面が平面、且つ、射出面が凸型の円錐状である光学素子とを用いることによって変更することができる。かかる2つの光学素子は、光軸上に配置されると輪帯形状の光束を形成し、2つの光学素子の間隔を変えることによって、輪帯比や大きさを変更することができる。また、コヒーレンシーσは、倍率可変のズーム光学系を用いることによって変更することができる。
特開平7−201697号公報
しかしながら、輪帯比やコヒーレンシーσを変更させたりするだけでは、変形照明の最適化(即ち、転写する回路パターンに対する照明光の最適化)として不十分である。例えば、輪帯比やコヒーレンシーσを変更しても、近接効果の影響によって、隣り合うパターンがくっついたり、孤立パターンが細くなったりしてしまう場合がある。
そこで、本発明は、転写する回路パターンに対する照明光の更なる最適化を実現する露光装置を提供することを例示的目的とする。
上記目的を達成するために、本発明の一側面としての露光装置は、光源からの光束を用いてレチクルを照明する照明光学系と、前記レチクルのパターンの像を基板に投影する投影光学系とを備える露光装置であって、前記照明光学系は、前記投影光学系の瞳面と共役な面の近傍に配置され、前記照明光学系の光軸に沿って移動可能な遮光部材を有し、前記遮光部材は、前記投影光学系の瞳面における光強度分布が不均一になるように移動されることを特徴とする。
本発明の別の側面としての露光装置は、光源からの光束を用いてレチクルを照明する照明光学系と、前記レチクルのパターンの像を基板に投影する投影光学系とを備える露光装置であって、前記照明光学系は、前記投影光学系の瞳面と共役な面の近傍に配置され、前記照明光学系の光軸に沿って移動可能な遮光部材を有し、前記遮光部材は、前記光束を透過する透過基板と、前記透過基板に形成され、前記光束を遮蔽する遮蔽部とを有し、前記遮蔽部は、記照明光学系の光軸が前記遮蔽部を通過するように配置されていることを特徴とする。
本発明の更に別の側面としてのデバイス製造方法は、上述の露光装置を用いて基板を露光するステップと、露光された前記基板を現像するステップとを有することを特徴とする。
本発明の更なる目的又はその他の特徴は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施例によって明らかにされるであろう。
本発明によれば、例えば、転写する回路パターンに対する照明光の更なる最適化を実現する露光装置を提供することができる。
本発明者は、近接効果の影響を低減し、転写する回路パターンに対する照明光の更なる最適化を図るためには、投影光学系の瞳面における光強度分布内での強度を調整することが必要であることを見いだした。例えば、輪帯形状の光強度分布の輪帯部におけるピーク強度位置を内寄り、或いは、外寄りに調整することで近接効果が変化するため、転写する回路パターンに対する照明光の更なる最適化を図ることが可能となる。そこで、ピーク強度位置を中心からずらした回折光学素子を用いることが考えられる。但し、この場合には、1つの光強度分布に対して1つの回折光学素子が必要となり、光強度分布の微細な調整を実現するためには多数の回折光学素子が必要となる。なお、本発明では、多数の回折光学素子を必要とすることなく、投影光学系の瞳面における光強度分布のピーク強度位置を調整し、転写する回路パターンに対する照明光の更なる最適化を図ることができる露光装置を提案する。
以下、添付図面を参照して、本発明の一側面としての露光装置について説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。ここで、図1は、本発明の露光装置1の構成を示す概略断面図である。
露光装置1は、本実施形態では、ステップ・アンド・スキャン方式でレチクルのパターンをウエハ50に露光する投影露光装置である。但し、露光装置1は、ステップ・アンド・リピート方式やその他の露光方式も適用することができる。露光装置1は、照明装置と、レチクル30を載置するレチクルステージと、投影光学系40と、ウエハ50を載置するウエハステージとを有する。
照明装置は、転写用の回路パターンが形成されたレチクル30を照明し、光源部10と、照明光学系20とを有する。
光源部10は、例えば、光源として、波長約248nmのKrFエキシマレーザー、波長約193nmのArFエキシマレーザーなどを使用する。但し、光源部10の光源はエキシマレーザーに限定されず、例えば、波長約157nmのFレーザーなどを使用してもよい。
照明光学系20は、光源部10からの光束を用いてレチクル30を照明する光学系である。照明光学系20は、本実施形態では、ビーム整形光学系201と、回折光学素子202と、集光光学系203と、遮光部材220と、駆動部230と、ズーム光学系204と、多光束発生部205とを有する。また、照明光学系20は、アパーチャー206と、コリメータレンズ207と、マスキングブレード208と、結像光学系209と、ミラー210と、結像光学系211とを有する。
ビーム整形光学系201は、ミラーやリレーレンズで構成される引き回し光学系を介して入射する光源部10からの光束を所定の形状に整形する。
回折光学素子202は、集光光学系203を介して、被照明面ISの位置に所望の光強度分布(例えば、輪帯形状や4重極形状など)を形成する。回折光学素子202は、例えば、計算機ホログラムであり、振幅分布型のホログラムや位相分布型のホログラム又はキノフォームなどを使用する。回折光学素子202は、照明光学系20の光路から退避できるように構成される。回折光学素子202は、例えば、切り換え可能なターレットに配置され、他の回折光学素子と切り換えることによって、被照明面ISに様々な光強度分布を形成する。
集光光学系203は、回折光学素子202の射出面と被照明面ISとの関係をフーリエ変換面の関係にする。これにより、光源部10からの光束が微少変動しても、回折光学素子202に入射する光束の入射位置及び発散角は、ビーム整形光学系201によって常に所定の値に制御され、被照明面ISの位置に形成される光強度分布を常に一定に維持することができる。
遮光部材220は、照明光学系20の瞳面近傍に位置決めされ、照明光学系の光軸方向に移動可能に配置されている。そして、遮光部材220が照明光学系の光軸方向に移動することによって、投影光学系40の瞳面における光強度分布が不均一になる。特に、遮光部材を移動することによって、投影光学系40の光軸と垂直な方向の光強度分布(即ち、光強度分布のうち、投影光学系40の光軸の位置から径方向における光強度)が変化する。換言すれば、遮光部材220は、回折光学素子202によって形成される光強度分布を調整する機能を有する。なお、遮光部材220は、本実施形態では、集光光学系203とズーム光学系204との間の瞳面近傍に配置されているが、照明光学系20の瞳面近傍に配置されていればよい。例えば、アパーチャー206の位置、即ち、多光束発生部205の射出面205bの近傍に配置されてもよい。また、遮光部材220は、切り換え可能なターレットに配置され、回折光学素子202が形成する光強度分布に応じて(回折光学素子202の切り換えに応じて)、最適な遮光部材を選択できるように構成される。
駆動部230は、遮光部材220を照明光学系20の光軸に対して平行な方向に駆動する。駆動部230は、例えば、アクチュエータなどで構成される。また、駆動部230は、遮光部材220を照明光学系20の光路外に駆動する(即ち、遮光部材220を照明光学系20の光路から取り出す)こともできる。
ここで、図2を参照して、遮光部材220及び駆動部230について詳細に説明する。図2は、遮光部材220の近傍及び遮光部材220を通過した光束が投影光学系40の瞳面に形成する光強度分布を示す図である。なお、図2では、遮光部材220が、開口が設けられた1枚の遮光板からなる開口絞り220Aである場合を例に説明する。開口は、回折光学素子202が被照明面ISに形成する輪帯形状の光強度分布の外形と略等しく、光軸が開口の中心を通るように配置されている。遮光部材220としての開口絞り220Aは、図2に示すように、開口絞り220Aの開口の外周近傍に入射する光束(光量)を制限することによって、回折光学素子202によって形成される光強度分布(輪帯形状分布)の外径を調整する。
図2(a)に示すように、開口絞り220Aが照明光学系20の瞳面近傍に位置決めされると、投影光学系40の瞳面には、輪帯部の光強度が一様な光強度分布が形成される。この状態から、駆動部230によって開口絞り220Aを照明光学系20の光軸に対して平行な方向に駆動すると、図2(b)に示すように、図2(a)の状態では開口絞り220Aの開口を通過していた外周近傍に入射する光束が遮断される。これにより、開口絞り220Aを通過した光束は軸外の光強度が低下し、投影光学系40の瞳面には、図2(b)に示すように、不均一な強度分布であって、輪帯部におけるピーク強度位置が光軸側(内側)に寄った光強度分布が形成される。なお、本実施形態では、照明光学系20の光軸に対して平行な方向として、開口絞り220Aを集光光学系203から離れる方向に駆動しているが、開口絞り220Aを集光光学系203に近づく方向に駆動してもよい。また、図2(a)の状態からの開口絞り220Aの駆動量(即ち、開口絞り220Aを駆動する距離)を増やすと、図2(c)に示すように、軸外の光強度を更に低下させることができる。このように、開口絞り220Aを光軸に平行な方向に駆動することで、輪帯部のピーク強度位置が光軸側(内側)に寄った光強度分布を形成することができる。換言すれば、開口絞り220Aを光軸に平行な方向に駆動することで、投影光学系40の瞳面における光強度分布が不均一になる。特に、投影光学系の光軸と垂直な方向の光強度分布(即ち、光強度分布のうち、投影光学系40の光軸の位置から径方向における光強度)が変化する。
また、図3に示すような光学部材220Bを遮光部材220として用いることによって、輪帯部におけるピーク強度位置が軸外側(外側)に寄った光強度分布を形成することもできる。図3は、遮光部材220の一例としての光学部材220Bの近傍及び光学部材220Bを通過した光束が投影光学系40の瞳面に形成する光強度分布を示す図である。
光学部材220Bは、光源部10からの光束を透過する透過基板222Bと、透過基板222B上の一部に形成され、光源部10からの光束を遮蔽する遮蔽部224Bとを有する。透過基板222Bは、例えば、石英や蛍石で構成される。遮蔽部224Bは、例えば、クロム(Cr)等で構成され、回折光学素子202が形成する輪帯形状分布の内径と略等しい大きさを有する。遮蔽部224Bは、光学部材220Bが照明光学系20の瞳面位置近傍に位置決めされた際、回折光学素子202が形成する輪帯形状分布の内径の位置と一致するように形成されている。遮光部材220としての光学部材220Bは、図3に示すように、遮蔽部224Bの外周近傍に入射する光束(光量)を制限することによって、回折光学素子202によって形成される光強度分布(輪帯形状分布)の内径を調整する。
図3(a)に示すように、光学部材220Bが照明光学系20の瞳面近傍に位置決めされると、投影光学系40の瞳面には、輪帯部の光強度が一様な光強度分布が形成される。この状態から、駆動部230によって光学部材220Bを照明光学系20の光軸に対して平行な方向に駆動すると、図3(b)に示すように、図3(a)の状態では光学部材220Bを通過していた遮蔽部224Bの外周近傍に入射する光束が遮断される。これにより、光学部材220Bを通過した光束は光軸側(光軸に近い部分)の強度が低下し、投影光学系40の瞳面には、図3(b)に示すように、不均一な強度分布であって、輪帯部におけるピーク強度位置が軸外側(外側)に寄った光強度分布が形成される。なお、本実施形態では、照明光学系20の光軸に対して平行な方向として、光学部材220Bを集光光学系203から離れる方向に駆動しているが、光学部材220Bを集光光学系203に近づく方向に駆動してもよい。また、図2(a)の状態からの光学部材220Bの駆動量(即ち、光学部材220Bを駆動する距離)を増やすと、光軸側の強度を更に低下させることができる。このように、光学部材220Bを光軸に平行な方向に駆動することで、輪帯部のピーク強度位置が軸外側(外側)に寄った光強度分布を形成することができる。換言すれば、光学部材220Bを光軸に平行な方向に駆動することで、投影光学系40の瞳面における光強度分布が不均一になる。特に、投影光学系の光軸と垂直な方向の光強度分布(即ち、光強度分布のうち、投影光学系40の光軸の位置から径方向における光強度)が変化する。
露光装置1において、遮光部材220は、駆動部230と共同して、投影光学系40の瞳面における光強度分布のピーク強度位置をも変化させることができる。従って、露光装置1は、レチクル30のパターンに応じて遮光部材220を駆動し、光強度分布を不均一にすることで、レチクル30のパターンに対する照明光の最適化を図ることができる。なお、露光装置1では、遮光部材220と駆動部230という簡易な構成で投影光学系40の瞳面における光強度分布のピーク強度位置を調整することができ、装置の大型化やコストアップを招くこともない。勿論、開口絞り220Aと光学部材220Bとを選択可能に構成することで、投影光学系40の瞳面における光強度分布のピーク強度位置を光軸側にも軸外側にも調整することができる。
なお、駆動部230は、投影光学系40の瞳面における光強度分布において、投影光学系40の光軸と垂直な方向の光強度分布が連続的に変化するように、遮光部材220を駆動することが好ましい。これにより、投影光学系40の瞳面における光強度分布のピーク強度位置を微細に調整することができる。また、駆動部230は、図2及び図3に示したように、コヒーレンシーが一定に維持されるように、遮光部材220を駆動することが好ましい。これは、光強度分布のピーク強度位置とコヒーレンシーとは独立して調整されるからである。即ち、遮光部材220の駆動によってコヒーレンシーが変動する分はズーム光学系204によってコヒーレンシーを調整することができる。
図1に戻って、ズーム光学系204は、被照明面IS上の光パターンを多光束発生部205の入射面205aに種々の倍率で投影(結像)する。
多光束発生部205は、射出面205bに被照明面IS上の光パターン像に対応した形状の光源像を形成する。多光束発生部205は、例えば、複数の微小レンズからなるハエの目レンズやファイバー束などで構成され、射出面205bには複数の点光源からなる面光源が形成される。なお、ハエの目レンズを構成する微小レンズは回折光学素子であってもよく、マイクロレンズアレイでもよい。
アパーチャー206は、多光束発生部205の射出面205bの近傍に配置され、所望の光源像が得られるように光束を遮蔽する。
コリメータレンズ207は、多光束発生部205によって形成された多数の集光点を2次光源として、マスキングブレード208、結像光学系209、ミラー210及び結像光学系211を介して、レチクル30を照明する。
マスキングブレード208は、例えば、独立に駆動する4つの遮光板で構成されており、レチクル30上の照明領域を制限する。マスキングブレード208は、レチクル30と光学的に共役な位置に配置されている。
結像光学系209及び211は、マスキングブレード208の位置を物体面とし、レチクル30の位置を像面とする結像光学系である。結像光学系209及び211は、マスキングブレード208の位置で実現された照度分布をレチクル30上に投影する。
レチクル30は、回路パターンを有し、図示しないレチクルステージに支持及び駆動される。レチクル30から発せられた回折光は、投影光学系40を介して、ウエハ50に投影される。露光装置1は、ステップ・アンド・スキャン方式の露光装置であるため、レチクル30とウエハ50を走査することによって、レチクル30のパターンをウエハ50に転写する。
投影光学系40は、レチクル30のパターンをウエハ50に投影する光学系である。投影光学系40としては、屈折系、反射屈折系、または反射系を使用することができる。また、投影光学系40は、投影光学系40の開口数を制御する絞り45を、投影光学系40の瞳面に有する。
ウエハ50は、図示しないウエハステージに支持及び駆動される。本実施形態では、被露光基板として、ウエハ50を使用しているが、ガラスプレートなど他の基板を使用することもできる。ウエハ50には、フォトレジストが塗布されている。
露光において、光源部10から発せられた光束は、照明光学系20によりレチクル30を照明する。レチクル30を通過してパターンを反映する光は投影光学系40によりウエハ50に結像される。露光装置1が使用する照明光学系20は、上述したように、遮光部材220及び駆動部230によって、投影光学系40の瞳面における光強度分布が不均一になり、特に、投影光学系の光軸と垂直な方向の光強度分布を調整することができる。これにより、露光装置1は、レチクル30のパターンに対する照明光の最適化を図ることができ、高いスループットで経済性よく高品位なデバイス(半導体素子、LCD素子、撮像素子(CCDなど)、薄膜磁気ヘッドなど)を提供することができる。
次に、図4及び図5を参照して、上述の露光装置1を利用したデバイスの製造方法の実施例を説明する。図4は、デバイス(半導体デバイス、液晶デバイス等)の製造を説明するためのフローチャートである。ここでは、半導体デバイスの製造を例に説明する。ステップ1(回路設計)では、デバイスの回路設計を行う。ステップ2(レチクル製作)では、設計した回路パターンを形成したレチクルを製作する。ステップ3(ウエハ製造)では、シリコンなどの材料を用いてウエハを製造する。ステップ4(ウエハプロセス)は、前工程と呼ばれ、レチクルとウエハを用いて本発明のリソグラフィー技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。ステップ5(組み立て)は、後工程と呼ばれ、ステップ4によって作成されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程(ダイシング、ボンディング)、パッケージング工程(チップ封入)等の工程を含む。ステップ6(検査)では、ステップ5で作成された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テストなどの検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷(ステップ7)される。
図5は、ステップ4のウエハプロセスの詳細なフローチャートである。ステップ11(酸化)では、ウエハの表面を酸化させる。ステップ12(CVD)では、ウエハの表面に絶縁膜を形成する。ステップ13(電極形成)では、ウエハ上に電極を蒸着などによって形成する。ステップ14(イオン打ち込み)では、ウエハにイオンを打ち込む。ステップ15(レジスト処理)では、ウエハに感光剤を塗布する。ステップ16(露光)では、上述の露光装置1によってレチクルの回路パターンをウエハに露光する。ステップ17(現像)では、露光したウエハを現像する。ステップ18(エッチング)では、現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ19(レジスト剥離)では、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行うことによってウエハ上に多重に回路パターンが形成される。かかるデバイス製造方法によれば、従来よりも高品位のデバイスを製造することができる。このように、露光装置1を使用するデバイス製造方法、並びに結果物としてのデバイスも本発明の一側面を構成する。
以上、本発明の好ましい実施例について説明したが、本発明はこれらの実施例に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。
本発明に係る露光装置の構成を示す概略断面図である。 図1に示す露光装置の遮光部材の一例としての開口絞りの近傍及びかかる開口絞りを通過した光束が投影光学系の瞳面に形成する光強度分布を示す図である。 図1に示す露光装置の遮光部材の一例としての光学部材の近傍及びかかる光学部材を通過した光束が投影光学系の瞳面に形成する光強度分布を示す図である。 デバイスの製造を説明するためのフローチャートである。 図4に示すステップ4のウエハプロセスの詳細なフローチャートである。
符号の説明
1 露光装置
10 光源部
20 照明光学系
201 ビーム整形光学系
202 回折光学素子
203 集光光学系
204 ズーム光学系
205 多光束発生部
206 アパーチャー
207 コリメータレンズ
208 マスキングブレード
209 結像光学系
210 ミラー
211 結像光学系
220 遮光部材
220A 開口絞り
220B 光学部材
222B 透過基板
224B 遮蔽部
230 駆動部
30 レチクル
40 投影光学系
50 ウエハ

Claims (7)

  1. 光源からの光束を用いてレチクルを照明する照明光学系と、前記レチクルのパターンの像を基板に投影する投影光学系とを備える露光装置であって、
    前記照明光学系は、前記投影光学系の瞳面と共役な面の近傍に配置され、前記照明光学系の光軸に沿って移動可能な遮光部材を有し、
    前記遮光部材は、前記投影光学系の瞳面における光強度分布が不均一になるように移動されることを特徴とする露光装置。
  2. 前記遮光部材を移動することによって、前記光強度分布のうち、前記投影光学系の光軸の位置から径方向における光強度が変化することを特徴とする請求項1に記載の露光装置。
  3. 前記遮光部材は、1枚の遮光板からなることを特徴とする請求項1記載の露光装置。
  4. 光源からの光束を用いてレチクルを照明する照明光学系と、前記レチクルのパターンの像を基板に投影する投影光学系とを備える露光装置であって、
    前記照明光学系は、前記投影光学系の瞳面と共役な面の近傍に配置され、前記照明光学系の光軸に沿って移動可能な遮光部材を有し、
    前記遮光部材は、前記光束を透過する透過基板と、
    前記透過基板に形成され、前記光束を遮蔽する遮蔽部とを有し、
    前記遮蔽部は、前記照明光学系の光軸が前記遮蔽部を通過するように配置されていることを特徴とする露光装置。
  5. 前記遮光部材を移動することによって、前記投影光学系の瞳面における光強度分布のうち、前記投影光学系の光軸の位置から径方向における光強度が変化することを特徴とする請求項4に記載の露光装置。
  6. コヒーレンシーが一定に維持されるように、前記遮光部材を移動することを特徴とする請求項1又は4に記載の露光装置。
  7. 請求項1乃至6のうちいずれか1項に記載の露光装置を用いて基板を露光するステップと、
    露光された前記基板を現像するステップとを有することを特徴とするデバイス製造方法。
JP2007287855A 2006-11-30 2007-11-05 露光装置及びデバイス製造方法 Withdrawn JP2008160072A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007287855A JP2008160072A (ja) 2006-11-30 2007-11-05 露光装置及びデバイス製造方法
TW096144608A TW200839460A (en) 2006-11-30 2007-11-23 Exposure apparatus and semiconductor device fabrication method
US11/944,777 US7489387B2 (en) 2006-11-30 2007-11-26 Exposure apparatus and device fabrication method
KR1020070123114A KR20080049673A (ko) 2006-11-30 2007-11-30 노광장치 및 디바이스의 제조방법

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006324693 2006-11-30
JP2007287855A JP2008160072A (ja) 2006-11-30 2007-11-05 露光装置及びデバイス製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2008160072A true JP2008160072A (ja) 2008-07-10

Family

ID=39660612

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007287855A Withdrawn JP2008160072A (ja) 2006-11-30 2007-11-05 露光装置及びデバイス製造方法

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP2008160072A (ja)
KR (1) KR20080049673A (ja)
TW (1) TW200839460A (ja)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009260337A (ja) * 2008-04-14 2009-11-05 Nikon Corp 照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法
JP2010028088A (ja) * 2008-07-18 2010-02-04 Nikon Corp 照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法
JP2010147433A (ja) * 2008-12-22 2010-07-01 Nikon Corp 照明光学系、露光装置及びデバイスの製造方法
JP2010147434A (ja) * 2008-12-22 2010-07-01 Nikon Corp 照明光学系、露光装置及びデバイスの製造方法
JP2010192532A (ja) * 2009-02-16 2010-09-02 Nikon Corp 遮光ユニット、照明光学系、露光装置及びデバイスの製造方法
JP2017083903A (ja) * 2008-08-28 2017-05-18 株式会社ニコン 照明光学系、露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法
CN113009788A (zh) * 2021-02-24 2021-06-22 上海华力微电子有限公司 光刻装置
CN113238454A (zh) * 2021-03-30 2021-08-10 上海华力微电子有限公司 光掩模结构和光刻设备

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009260337A (ja) * 2008-04-14 2009-11-05 Nikon Corp 照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法
JP2010028088A (ja) * 2008-07-18 2010-02-04 Nikon Corp 照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法
JP2017083903A (ja) * 2008-08-28 2017-05-18 株式会社ニコン 照明光学系、露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法
JP2010147433A (ja) * 2008-12-22 2010-07-01 Nikon Corp 照明光学系、露光装置及びデバイスの製造方法
JP2010147434A (ja) * 2008-12-22 2010-07-01 Nikon Corp 照明光学系、露光装置及びデバイスの製造方法
JP2010192532A (ja) * 2009-02-16 2010-09-02 Nikon Corp 遮光ユニット、照明光学系、露光装置及びデバイスの製造方法
CN113009788A (zh) * 2021-02-24 2021-06-22 上海华力微电子有限公司 光刻装置
CN113238454A (zh) * 2021-03-30 2021-08-10 上海华力微电子有限公司 光掩模结构和光刻设备

Also Published As

Publication number Publication date
TW200839460A (en) 2008-10-01
KR20080049673A (ko) 2008-06-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6930754B1 (en) Multiple exposure method
KR101346406B1 (ko) 노광 방법 및 장치, 그리고 디바이스 제조 방법
JP5459571B2 (ja) オプティカルインテグレータ系、照明光学装置、露光装置、およびデバイス製造方法
JP4545874B2 (ja) 照明光学系、および該照明光学系を備えた露光装置と該露光装置によるデバイスの製造方法
US6762823B2 (en) Illumination system and scanning exposure apparatus using the same
JP2011135099A (ja) オプティカルインテグレータ、照明光学装置、露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法
JP2008160072A (ja) 露光装置及びデバイス製造方法
KR100823405B1 (ko) 노광장치 및 디바이스 제조 방법
JP2006222222A (ja) 投影光学系及びそれを有する露光装置
JP2001217188A (ja) リソグラフィ装置用照明器、そのような照明器を含むリソグラフィ装置、およびそのようなリソグラフィ装置を使う製造方法
US7489387B2 (en) Exposure apparatus and device fabrication method
JP4474121B2 (ja) 露光装置
JP2009130071A (ja) 照明光学系、露光装置及びデバイスの製造方法
JP2009130091A (ja) 照明光学装置、露光装置及びデバイス製造方法
JP3984950B2 (ja) 照明光学系及びそれを有する露光装置
JP2004207709A (ja) 露光方法及び装置
JP2006245270A (ja) 露光装置及び露光方法
JP5103995B2 (ja) 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
JP2002118043A (ja) 照明光学装置および該照明光学装置を備えた露光装置
JP2005310942A (ja) 露光装置、露光方法、及びそれを用いたデバイス製造方法
JP2008270571A (ja) 照明光学装置、引き回し光学系、露光装置及びデバイス製造方法
JP4366374B2 (ja) 露光装置
JP2009033047A (ja) 露光装置、デバイス製造方法及び補正方法
JPH10111479A (ja) 回折光学素子を含む光学系及びそれを用いた光学装置
JP2008277347A (ja) 露光装置及びデバイス製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20110201