JP2008159778A - 有機電界発光素子および表示装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】陽極13と陰極15との間に発光層14cを備えた有機層14を挟持してなる赤色発光性の有機電界発光素子11において、発光層14cは、赤色の発光性ゲスト材料と共に、母骨格が環員数4〜7の多環式芳香族炭化水素化合物からなるホスト材料を含有している。また発光層14cよりも短波長に発生する発光性ゲスト材料を含有する光増感層14dが、発光層14cに隣接して設けられている。
【選択図】図1
Description
図1は、本発明の有機電界発光素子を模式的に示す断面図である。この図に示す有機電界発光素子11は、基板12上に、陽極13、有機層14、および陰極15をこの順に積層してなる。このうち有機層14は、陽極13側から順に、例えば正孔注入層14a、正孔輸送層14b、発光層14c、光増感層14d、および電子輸送層14eを積層してなるものである。
基板12は、その一主面側に有機電界発光素子11が配列形成される支持体であって、公知のものであって良く、例えば、石英、ガラス、金属箔、もしくは樹脂製のフィルムやシートなどが用いられるこの中でも石英やガラスが好ましく、樹脂製の場合には、その材質としてポリメチルメタクリレート(PMMA)に代表されるメタクリル樹脂類、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリブチレンナフタレート(PBN)などのポリエステル類、もしくはポリカーボネート樹脂などが挙げられるが、透水性や透ガス性を抑える積層構造、表面処理を行うことが必要である。
陽極13には、効率良く正孔を注入するために電極材料の真空準位からの仕事関数が大きいもの、例えばアルミニウム(Al)、クロム(Cr)、モリブテン(Mo)、タングステン(W)、銅(Cu)、銀(Ag)、金(Au)の金属及びその合金さらにはこれらの金属や合金の酸化物等、または、酸化スズ(SnO2)とアンチモン(Sb)との合金、ITO(インジウムチンオキシド)、InZnO(インジウ亜鉛オキシド)、酸化亜鉛(ZnO)とアルミニウム(Al)との合金、さらにはこれらの金属や合金の酸化物等が、単独または混在させた状態で用いられる。
正孔注入層14aおよび正孔輸送層14bは、それぞれ発光層14cへの正孔注入効率を高めるためのものである。このような正孔注入層14aもしくは正孔輸送層14bの材料としては、例えば、ベンジン、スチリルアミン、トリフェニルアミン、ポルフィリン、トリフェニレン、アザトリフェニレン、テトラシアノキノジメタン、トリアゾール、イミダゾール、オキサジアゾール、ポリアリールアルカン、フェニレンジアミン、アリールアミン、オキザゾール、フラーレン、アントラセン、フルオレノン、ヒドラゾン、スチルベンあるいはこれらの誘導体、または、ポリシラン系化合物、ビニルカルバゾール系化合物、チオフェン系化合物あるいはアニリン系化合物等の複素環式共役系のモノマー、オリゴマーあるいはポリマーを用いることができる。
発光層14cは、陽極13と陰極15とに対する電圧印加時に、陽極13側から注入された正孔と、陰極15側から注入された電子とが再結合する領域である。本実施形態においては、この発光層14cの構成が一つの特徴である。つまり発光層14cは、赤色の発光性ゲスト材料がドーピングされたもので、さらに母骨格が環員数4〜7の多環式芳香族炭化水素化合物をホスト材料として用いたもので、赤色の発光光を発生する。
光増感層14dは、発光層14cに対してエネルギーを移動させ、発光層14cにおける発光効率を向上させるための層である。本実施形態においては、このような光増感層14dを、発光層14cに接して設けたことがもう1つの特徴である。このような光増感層14dは、発光層14cよりも短波長の発光を生じる発光性ゲスト材料が、ホスト材料に対してドーピングされたものである。
電子輸送層14eは、陰極15から注入される電子を発光層14cに輸送するためのものである。電子輸送層14eの材料としては、例えば、キノリン、ペリレン、フェナントロリン、ビススチリル、ピラジン、トリアゾール、オキサゾール、フラーレン、オキサジアゾール、フルオレノン、またはこれらの誘導体や金属錯体が挙げられる。具体的には、トリス(8−ヒドロキシキノリン)アルミニウム(略称Alq3 )、アントラセン、ナフタレン、フェナントレン、ピレン、アントラセン、ペリレン、ブタジエン、クマリン、C60、アクリジン、スチルベン、1,10−フェナントロリンまたはこれらの誘導体や金属錯体が挙げられる。
次に、このような構成の有機層14上に設けられる陰極15は、例えば、有機層14側から順に第1層15a、第2層15bを積層させた2層構造で構成されている。
図2は、実施形態の表示装置10の一例を示す図であり、図2(A)は概略構成図、図2(B)は画素回路の構成図である。ここでは、発光素子として有機電界発光素子11を用いたアクティブマトリックス方式の表示装置10に本発明を適用した実施形態を説明する。
図3には、上記表示装置10の表示領域における主要部の断面構成の第1の例を示す。
図4には、表示装置10の表示領域における主要部の断面構成の第2の例を示す。
図5には、表示装置10の表示領域における主要部の断面構成の第3の例を示す。
図6には、表示装置10の表示領域における主要部の断面構成の第4の例を示す。
図7には、表示装置10の表示領域における主要部の断面構成の第5の例を示す。
図8には、表示装置10の表示領域における主要部の断面構成の第6の例を示す。
図9には、表示装置10の表示領域における主要部の断面構成の第7の例を示す。
また以上説明した本発明に係る表示装置は、図11〜図15に示す様々な電子機器、例えば、デジタルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置、ビデオカメラなど、電子機器に入力された映像信号、若しくは、電子機器内で生成した映像信号を、画像若しくは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置に適用することが可能である。以下に、本発明が適用される電子機器の一例について説明する。
実施例1〜4で説明した有機電界発光素子の作製手順おける光増感層14dの形成で、青色の発光性ゲスト材料として構造式(107)〜構造式(111)に示す材料をそれぞれ用いて光増感層14dを形成した。ゲスト材料のドーピング量は下記表1に示す量(相対膜厚比)とした。これ以外は、実施例1〜4と同様に行った。
実施例1〜4で説明した有機電界発光素子の作製手順における光増感層14dの形成を行わず、代わりにAlq3(8−ヒドロキシキノリンアルミニウム)からなる電子輸送層の膜厚を45nmに厚膜化した。これ以外は、実施例1〜4と同様に行った。
実施例1〜4で説明した有機電界発光素子の作製手順おける光増感層14dの形成で、青色の発光性ゲスト材料をドーパントせずにホスト材料のみで光増感層14dを形成した。これ以外は、実施例1〜4と同様に行った。
以上の実施例1〜9および比較例1,2で作製した各有機電界発光素子について、電流密度10mA/cm2での駆動時における駆動電圧(V)、電流効率(cd/A)、色座標(x、y)を測定した。この結果を上記表1に示す。
実施例1〜4で説明した有機電界発光素子の作製手順おける光増感層14dの形成において用いる発光性のゲスト材料を、緑色の発光性ゲスト材料に変更したこと以外は、実施例1〜4と同様の手順を行った。ここでは、緑色の発光性ゲスト材料として、下記構造式(112)に示すジアミノアントラセン誘導体を用いた。緑色の発光性ゲスト材料は、実施例10〜13において2%、5%、10%、15%の各ドーピング量(相対膜厚比)とした。
実施例1〜4で説明した有機電界発光素子の作製手順おける光増感層14dの形成で、緑色の発光性ゲスト材料として構造式(113)〜構造式(117)に示す材料をそれぞれ用いて光増感層14dを形成した。ゲスト材料のドーピング量は、実施例14では相対膜厚比で5%、実施例15〜18では相対膜厚比で1%とした。これ以外は、実施例1〜4と同様に行った。
以上の実施例10〜18で作製した各有機電界発光素子について、電流密度10mA/cm2での駆動時における駆動電圧(V)、電流効率(cd/A)、色座標(x、y)を測定した。この結果を、下記表2に示す。尚、この表2には、先の比較例1,2の結果を合わせて示す。
実施例1と同様の有機電界発光素子を用いた表示装置を、次のようにして作製した(図5参照)。
実施例10と同様の有機電界発光素子を用いた表示装置を、次のようにして作製した(図8参照)。
実施例10と同様の有機電界発光素子を用いた表示装置を、次のようにして作製した。図9の構成において、発光層の下層側を共通層とした例である。
Claims (10)
- 陽極と陰極との間に発光層を備えた有機層を挟持してなる赤色発光性の有機電界発光素子において、
前記発光層は、赤色の発光性ゲスト材料と共に、母骨格が環員数4〜7の多環式芳香族炭化水素化合物からなるホスト材料を含有し、
前記発光層よりも短波長に発生する発光性ゲスト材料を含有する光増感層が、当該発光層に隣接して設けられた
ことを特徴とする有機電界発光素子。 - 請求項1記載の有機電界発光素子において、
前記赤色の発光性ゲスト材料として、下記一般式(1)に示す化合物が用いられている
ことを特徴とする有機電界発光素子
ただし、一般式(1)中において、X1〜X20はそれぞれ独立に、水素、ハロゲン、ヒドロキシル基、炭素数20以下の置換あるいは無置換のカルボニル基、炭素数20以下の置換あるいは無置換のカルボニルエステル基、炭素数20以下の置換あるいは無置換のアルキル基、炭素数20以下の置換あるいは無置換のアルケニル基、炭素数20以下の置換あるいは無置換のアルコキシル基、シアノ基、ニトロ基、炭素数30以下の置換あるいは無置換のシリル基,炭素数30以下の置換あるいは無置換のアリール基、炭素数30以下の置換あるいは無置換の複素環基、もしくは炭素数30以下の置換あるいは無置換のアミノ基を示す。 - 請求項1記載の有機電界発光素子において、
前記ホスト材料を構成する多環式芳香族炭化水素化合物の母骨格が、ピレン、ベンゾピレン、クリセン、ナフタセン、ベンゾナフタセン、ジベンゾナフタセン、ペリレン、コロネンから選択された
ことを特徴とする有機電界発光素子。 - 請求項1記載の有機電界発光素子において、
前記発光層のホスト材料として、下記一般式(2)に示す化合物が用いられている
ことを特徴とする有機電界発光素子。
ただし、一般式(2)中において、R1〜R8はそれぞれ独立に、水素、ハロゲン、ヒドロキシル基、炭素数20以下の置換あるいは無置換のカルボニル基、炭素数20以下の置換あるいは無置換のカルボニルエステル基、炭素数20以下の置換あるいは無置換のアルキル基、炭素数20以下の置換あるいは無置換のアルケニル基、炭素数20以下の置換あるいは無置換のアルコキシル基、シアノ基、ニトロ基、炭素数30以下の置換あるいは無置換のシリル基,炭素数30以下の置換あるいは無置換のアリール基、炭素数30以下の置換あるいは無置換の複素環基、もしくは炭素数30以下の置換あるいは無置換のアミノ基を示す。 - 請求項1記載の有機電界発光素子において、
前記光増感層は、前記発光層に隣接して当該発光層と前記陰極との間に設けられている
ことを特徴とする有機電界発光素子。 - 請求項1記載の有機電界発光素子において、
前記発光層で発生した赤色の発光光が、前記陽極と陰極との間の何れかの層間において多重干渉して当該陽極または陰極の一方側から取り出される
ことを特徴とする有機電界発光素子。 - 陽極と陰極との間に発光層を備えた有機層を挟持してなる赤色発光性の有機電界発光素子を基板上に複数形成してなる表示装置において、
前記発光層は、赤色の発光性ゲスト材料と共に、母骨格が環員数4〜7の多環式芳香族炭化水素化合物からなるホスト材料を含有し、
前記発光層よりも短波長に発生する発光性ゲスト材料を含有する光増感層が、前記発光層に隣接して設けられた
ことを特徴とする表示装置。 - 請求項7記載の表示装置において、
前記有機電界発光素子が、赤色発光素子として複数の画素のうちの一部の画素に設けられている
ことを特徴とする表示装置。 - 請求項8記載の表示装置において、
前記赤色発光素子として設けられた前記有機電界発光素子の光増感層は、前記基板上に設けられた当該赤色発光素子以外の有機電界発光素子における発光層として、複数の画素にわたる連続パターンの形状で設けられている
ことを特徴とする表示装置。 - 請求項8記載の表示装置において、
前記基板上には、前記赤色発光素子と共に、青色発光の有機電界発光素子および緑色発光の有機電界発光素子が設けられている
ことを特徴とする表示装置。
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