JP2008157831A - Probe card - Google Patents
Probe card Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008157831A JP2008157831A JP2006348800A JP2006348800A JP2008157831A JP 2008157831 A JP2008157831 A JP 2008157831A JP 2006348800 A JP2006348800 A JP 2006348800A JP 2006348800 A JP2006348800 A JP 2006348800A JP 2008157831 A JP2008157831 A JP 2008157831A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- probe
- guide plate
- probe card
- tip
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000523 sample Substances 0.000 title claims abstract description 152
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 36
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 48
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 10
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000005489 elastic deformation Effects 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Measuring Leads Or Probes (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
【課題】 従来のプローブカードで必要となっていたプローブの先端の位置を調整する作業を省略することが可能なプローブカードを提供することを目的とする。
【解決手段】 基板、上記基板に対して垂直方向に配置されたプローブ、上記基板に対して平行に所定の間隔で設置され、上記プローブの先端が挿入されて上記プローブの先端の位置決めを行うガイド穴を有するガイド板、および上記ガイド板を上記基板に対して垂直方向に移動可能に支持する支持手段を備える。
【選択図】図１PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a probe card capable of omitting the work of adjusting the position of the tip of a probe, which is necessary for a conventional probe card.
A substrate, a probe arranged in a direction perpendicular to the substrate, a guide installed parallel to the substrate at a predetermined interval, and the tip of the probe is inserted to position the tip of the probe. A guide plate having a hole; and support means for supporting the guide plate so as to be movable in a direction perpendicular to the substrate.
[Selection] Figure 1
Description
本発明は、半導体ウエハ上の半導体デバイスの電気的諸特性を測定するプローブカードに関するもので、特に垂直型プローブカードの改良に関するものである。 The present invention relates to a probe card for measuring electrical characteristics of a semiconductor device on a semiconductor wafer, and more particularly to an improvement of a vertical probe card.
垂直型プローブカードは、測定対象の半導体デバイスの電極に対してプローブを垂直方向から接触させるもので、プローブの動きを上側ガイド板と下側ガイド板とによって規制している。 In the vertical probe card, the probe is brought into contact with the electrode of the semiconductor device to be measured from the vertical direction, and the movement of the probe is restricted by the upper guide plate and the lower guide plate.
上記上側ガイド板と下側ガイド板は一定の間隔で固定されており、それぞれに設けられたガイド穴をプローブが突き抜けるように構成されている。そして、プローブとしては、バレル内にスプリングを備えたいわゆるスプリングピンと呼ばれるもの、あるいは直線的な針形状のプローブなどが用いられている。 The upper guide plate and the lower guide plate are fixed at a constant interval, and the probe is configured to penetrate through a guide hole provided in each. As the probe, a so-called spring pin having a spring in a barrel, or a linear needle-shaped probe is used.
垂直型プローブカードには、複数のプローブが設けられており、プローブカードを使用して半導体デバイスの特性を測定する際には、複数のプローブの先端を、それぞれ半導体デバイスの電極に接触させ、さらに押し付ける必要がある。 The vertical probe card is provided with a plurality of probes. When measuring the characteristics of the semiconductor device using the probe card, the tips of the plurality of probes are brought into contact with the electrodes of the semiconductor device, respectively. It is necessary to press.
プローブの接触と押し付けのために、プローブの先端は垂直方向に所定の寸法だけ移動することになる。そのためにプローブの先端は下側ガイド板から所定の寸法以上に突き出しておく必要があり、具体的には４００〜６００μｍ程度突き出している。 Due to the contact and pressing of the probe, the tip of the probe moves by a predetermined dimension in the vertical direction. Therefore, the tip of the probe needs to protrude beyond a predetermined dimension from the lower guide plate, and specifically protrudes about 400 to 600 μm.
また、プローブの先端が測定対象の半導体デバイスの電極からはみ出すことがないように、プローブ先端の位置を高精度に調整する必要があり、下側ガイド板のガイド穴から４００〜６００μｍ程度突き出た状態で、電極の中心からプラスマイナス２０〜３０μｍの範囲内になるように数百〜数千本のプローブを１本ずつ調整しているために、プローブカードの製造には時間が掛かっていた。 In addition, it is necessary to adjust the position of the probe tip with high accuracy so that the tip of the probe does not protrude from the electrode of the semiconductor device to be measured, and the probe protrudes from the guide hole of the lower guide plate by about 400 to 600 μm. Thus, since several hundred to several thousand probes are adjusted one by one so as to be within a range of plus or minus 20 to 30 μm from the center of the electrode, it takes time to manufacture the probe card.
本発明は、プローブの先端位置を調整する作業を省略することが可能な構造のプローブカードを提供することを目的とする。 An object of this invention is to provide the probe card of the structure which can abbreviate | omit the operation | work which adjusts the front-end | tip position of a probe.
本発明のプローブカードは、基板、上記基板に対して垂直方向に配置されたプローブ、上記基板に対して平行に所定の間隔で設置され、上記プローブの先端が挿入されて上記プローブの先端の位置決めを行うガイド穴を有するガイド板、および上記ガイド板を上記基板に対して垂直方向に移動可能に支持する支持手段を備えたことを特徴とする。 The probe card according to the present invention includes a substrate, a probe arranged in a direction perpendicular to the substrate, and is placed in parallel to the substrate at a predetermined interval, and the tip of the probe is inserted to position the tip of the probe. And a support plate for supporting the guide plate so as to be movable in a direction perpendicular to the substrate.
また、上記支持手段が弾性部材であることが好ましい。 Moreover, it is preferable that the said support means is an elastic member.
そして、上記ガイド板の上記基板に相対する面とは反対面に、突起状のストッパーを設けることが好ましい。 And it is preferable to provide a protruding stopper on the surface of the guide plate opposite to the surface facing the substrate.
本発明のプローブカードは、基板、上記基板に対して垂直方向に配置されたプローブ、上記基板に対して平行に所定の間隔で設置され、上記プローブの先端が挿入されて上記プローブの先端の位置決めを行うガイド穴を有するガイド板、および上記ガイド板を上記基板に対して垂直方向に移動可能に支持する支持手段を備えたことにより、従来のプローブカードで必要となっていたプローブの先端の位置の調整する作業を省略することが可能となり、プローブカード製造時の作業時間を大幅に短縮できる。 The probe card according to the present invention includes a substrate, a probe arranged in a direction perpendicular to the substrate, and is placed in parallel to the substrate at a predetermined interval, and the tip of the probe is inserted to position the tip of the probe. The position of the tip of the probe required in the conventional probe card is provided with a guide plate having a guide hole for carrying out and a support means for supporting the guide plate so as to be movable in a direction perpendicular to the substrate. This makes it possible to dispense with the adjustment work and greatly shortens the work time when manufacturing the probe card.
また、上記支持手段が弾性部材であることにより、基板と下側ガイド板の距離をスムーズに変化させることが可能となる。 Further, since the supporting means is an elastic member, the distance between the substrate and the lower guide plate can be changed smoothly.
そして、上記ガイド板の上記基板に相対する面とは反対面に、突起状のストッパーを設けることにより、下側ガイド板の表面が半導体ウエハの表面に接触することを防ぎ、測定時に、半導体ウエハを傷付ける可能性を少なくすることができる。 Further, by providing a protrusion-like stopper on the surface of the guide plate opposite to the surface facing the substrate, the surface of the lower guide plate is prevented from coming into contact with the surface of the semiconductor wafer. The possibility of hurting can be reduced.
以下に図を用いて本発明のプローブカードについて詳しく説明する。 Hereinafter, the probe card of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
図１は第１の実施形態のプローブカード１の概略断面図で半導体デバイス１０の電気的諸特性を測定する前の状態を示しており、図２は半導体デバイス１０の電気的諸特性を測定している状態を示すプローブカード１の概略断面図である。 FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of the probe card 1 according to the first embodiment, showing a state before measuring the electrical characteristics of the semiconductor device 10. FIG. 2 shows the electrical characteristics of the semiconductor device 10. It is a schematic sectional drawing of the probe card 1 which shows the state which is holding.
図１に示すように、本発明のプローブカード１は、基板２、上記基板２に対して垂直方向に配置されたプローブ６、上記基板２対して平行に所定の間隔で設置され、上記プローブ６の先端が挿入されて上記プローブ６の先端の位置決めを行うガイド穴９を有するガイド板４、および上記ガイド板４に対して垂直方向に移動可能に支持する支持手段を備える。 As shown in FIG. 1, a probe card 1 of the present invention is provided with a substrate 2, a probe 6 arranged in a direction perpendicular to the substrate 2, and a parallel arrangement with respect to the substrate 2 at a predetermined interval. A guide plate 4 having a guide hole 9 for positioning the tip of the probe 6 and a support means for supporting the guide plate 4 so as to be movable in the vertical direction.
上記支持手段として弾性部材５を用いており、上記弾性部材５が伸縮することにより、上記ガイド板４は、上記基板２に対して垂直方向に移動可能であり、これにより、上記基板２とガイド板４の間隔は可変となっている。 An elastic member 5 is used as the support means. When the elastic member 5 expands and contracts, the guide plate 4 can move in the vertical direction with respect to the substrate 2. The interval between the plates 4 is variable.
上記基板２にはガイド穴２’が設けられ、上記ガイド穴２’および上記ガイド穴９にプローブ６が挿入されてプローブカード１に保持されている。 A guide hole 2 ′ is provided in the substrate 2, and a probe 6 is inserted into the guide hole 2 ′ and the guide hole 9 and held by the probe card 1.
支持手段である上記弾性部材５の構造としては、例えば、スリーブとばねを組み合わせて、弾性部材５が伸縮可能な構造とすることができる。また、そのほかの構造によって、弾性部材５が伸縮可能な構造とすることによって、上記基板２と上記ガイド板４の間隔を変えることが出来るようにしてもよい。 As a structure of the elastic member 5 as a support means, for example, a structure in which the elastic member 5 can be expanded and contracted by combining a sleeve and a spring can be used. In addition, the distance between the substrate 2 and the guide plate 4 may be changed by adopting a structure in which the elastic member 5 can expand and contract by another structure.
本実施形態のプローブカード１においては、上記基板２と上記ガイド板４の間隔が最大の時（図１に示す弾性部材５が伸びた状態の時）、プローブ６の先端７は、上記ガイド板４のガイド穴９から突出することなく完全に隠れた状態となっている。 In the probe card 1 of the present embodiment, when the distance between the substrate 2 and the guide plate 4 is maximum (when the elastic member 5 shown in FIG. 1 is extended), the tip 7 of the probe 6 is connected to the guide plate. It is completely hidden without protruding from the four guide holes 9.
本実施形態では、プローブ６は、図１，２に示すような、垂直接触型プローブを用いる。他の形状のプローブの使用については別の実施形態で説明する。 In this embodiment, the probe 6 uses a vertical contact type probe as shown in FIGS. The use of other shaped probes will be described in another embodiment.
上述のような構成の第１の実施形態のプローブカード１の構造についてさらに詳しく説明を行う。 The structure of the probe card 1 of the first embodiment configured as described above will be described in more detail.
上述のように図１に示すのが、半導体デバイス１０の測定を行う前のプローブカード１の状態であり、プローブ６の先端７は、ガイド板４のガイド穴９に隠された状態となっている。 As described above, FIG. 1 shows the state of the probe card 1 before the measurement of the semiconductor device 10, and the tip 7 of the probe 6 is hidden in the guide hole 9 of the guide plate 4. Yes.
上記半導体デバイス１０の測定を行うために、図１の状態のプローブカード１を、上記半導体デバイス１０へと押し付ける。そうすると、上記ガイド板４の半導体デバイス１０側の表面が、半導体デバイス１０の表面層（パシベーション層）１２に接触し、さらにプローブカード１を押し付けてオーバードライブを掛けると、上記弾性部材５が縮んで、上記基板２と上記ガイド板４との間隔が次第に狭くなり、プローブ６の先端７が、ガイド板４のガイド穴９から突出する。 In order to measure the semiconductor device 10, the probe card 1 in the state of FIG. 1 is pressed against the semiconductor device 10. Then, the surface of the guide plate 4 on the semiconductor device 10 side comes into contact with the surface layer (passivation layer) 12 of the semiconductor device 10, and when the probe card 1 is further pressed to apply overdrive, the elastic member 5 is contracted. The distance between the substrate 2 and the guide plate 4 is gradually narrowed, and the tip 7 of the probe 6 protrudes from the guide hole 9 of the guide plate 4.
そして、さらにプローブカード１を押し付けてオーバードライブを掛けると上記プローブ６の先端７が、電極１１に接触し押し付けられる。この状態で、半導体デバイス１０の電気的諸特性の測定を行う。これが図２に示す状態である。このとき、プローブ６は弾性変形部を有することにより、垂直方向への変位が可能となっている。 When the probe card 1 is further pressed and overdrive is applied, the tip 7 of the probe 6 contacts and is pressed against the electrode 11. In this state, various electrical characteristics of the semiconductor device 10 are measured. This is the state shown in FIG. At this time, the probe 6 has an elastic deformation part, so that it can be displaced in the vertical direction.
そして、測定が終了し、プローブカード１が半導体デバイス１０から離されると、弾性部材５の弾性力により、基板２とガイド板４の間隔は、再び広げられ、プローブ６の先端７が、ガイド板４のガイド穴９に隠れる。 When the measurement is completed and the probe card 1 is separated from the semiconductor device 10, the distance between the substrate 2 and the guide plate 4 is expanded again by the elastic force of the elastic member 5, and the tip 7 of the probe 6 is moved to the guide plate. 4 is hidden in the guide hole 9.
本発明のプローブカード１は上述のような構成とすることで、プローブ６の先端７が、ガイド板４のガイド穴９によって位置決めされるので、従来のプローブカードでは必要であった、プローブカード製造時の、プローブ先端の位置の調整の作業が不要となり、プローブカード製造時の作業時間の大幅な短縮が可能となる。ただし、ガイド板３のガイド穴の位置検査は必要であるが、これは従来の製造過程でも必要なことであり、プローブカードの製造時間に影響するものではない。 Since the probe card 1 of the present invention is configured as described above, the tip 7 of the probe 6 is positioned by the guide hole 9 of the guide plate 4, which is necessary for a conventional probe card. This eliminates the need to adjust the position of the probe tip, and greatly reduces the work time during probe card manufacture. However, although the position inspection of the guide hole of the guide plate 3 is necessary, this is also necessary in the conventional manufacturing process, and does not affect the manufacturing time of the probe card.
次に上側ガイド板３と下側ガイド板４’の２枚のガイド板を用いた第２の実施形態について説明する。図３に示すのが、２枚のガイド板を用いたプローブカード１の概略断面図であり、半導体デバイス１０の電気的諸特性を測定する前の状態を示しており、図４は半導体デバイス１０の電気的諸特性を測定している状態を示す第２の実施形態のプローブカード１の概略断面図である。 Next, a second embodiment using two guide plates, that is, an upper guide plate 3 and a lower guide plate 4 'will be described. FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of the probe card 1 using two guide plates, showing a state before measuring various electrical characteristics of the semiconductor device 10, and FIG. 4 shows the semiconductor device 10. It is a schematic sectional drawing of the probe card 1 of 2nd Embodiment which shows the state which is measuring various electrical characteristics.
図３に示すように、本実施形態のプローブカード１は、基板２と基板２に固定された上側ガイド板３、そして上記上側ガイド板３と所定の間隔を有して設置された下側ガイド板４’、そして上記上側ガイド板３と下側ガイド板４’に保持されたプローブ６から構成される。 As shown in FIG. 3, the probe card 1 of this embodiment includes a substrate 2, an upper guide plate 3 fixed to the substrate 2, and a lower guide installed with a predetermined distance from the upper guide plate 3. It consists of a plate 4 'and a probe 6 held by the upper guide plate 3 and the lower guide plate 4'.
本実施形態では、上側ガイド板３と下側ガイド板４’が支持手段である弾性部材５により接続されており、上記弾性部材５が伸縮することにより、上記下側ガイド板４’は、上記上側ガイド板３に対して垂直方向に移動可能であり、これにより、上記上側ガイド板３と下側ガイド板４’の間隔は可変となっており、基板２と下側ガイド板４’との距離も可変となっている。 In the present embodiment, the upper guide plate 3 and the lower guide plate 4 ′ are connected by an elastic member 5 that is a support means, and the elastic member 5 expands and contracts, so that the lower guide plate 4 ′ The upper guide plate 3 can be moved in the vertical direction, whereby the distance between the upper guide plate 3 and the lower guide plate 4 ′ is variable, and the distance between the substrate 2 and the lower guide plate 4 ′ is variable. The distance is also variable.
上記上側ガイド板３にはガイド穴８が設けられ、上記ガイド穴２’，８，９にプローブ６が挿入されてプローブカード１に保持されている。 A guide hole 8 is provided in the upper guide plate 3, and a probe 6 is inserted into the guide holes 2 ′, 8, 9 and held by the probe card 1.
上記弾性部材５の構造としては、第１の実施形態と同じで、スリーブとばねを組み合わせて、弾性部材５が伸縮可能な構造としている。 The structure of the elastic member 5 is the same as that of the first embodiment, and the elastic member 5 can be expanded and contracted by combining a sleeve and a spring.
本実施形態のプローブカード１においては、上記上側ガイド板３と上記下側ガイド板４’の間隔が最大の時（図１に示す弾性部材５が伸びた状態の時）、プローブ６の先端７は、上記下側ガイド板４’のガイド穴９から突出することなく完全に隠れた状態となっている。 In the probe card 1 of the present embodiment, when the distance between the upper guide plate 3 and the lower guide plate 4 ′ is maximum (when the elastic member 5 shown in FIG. 1 is extended), the tip 7 of the probe 6 is used. Is completely hidden without protruding from the guide hole 9 of the lower guide plate 4 ′.
本実施形態のプローブカード１を用いた半導体デバイス１０の測定状況は、上側ガイド板３を用いている以外は第１の実施形態と同じであり、図４に示すような状態となって上記プローブ６の先端７が上記下側ガイド板４’のガイド穴から突出し、測定が終了すると再び図３の状態に戻り、上記プローブ６の先端７が上記下側ガイド板４’のガイド穴９に隠れた状態となる。 The measurement status of the semiconductor device 10 using the probe card 1 of the present embodiment is the same as that of the first embodiment except that the upper guide plate 3 is used, and the probe is in the state shown in FIG. 6 protrudes from the guide hole of the lower guide plate 4 ′ and returns to the state shown in FIG. 3 when the measurement is completed. The tip 7 of the probe 6 is hidden in the guide hole 9 of the lower guide plate 4 ′. It becomes a state.
次に、垂直スプリング接触型プローブを用いた第３の実施形態について説明する。図５に示すのが、垂直スプリング接触型プローブを用いたプローブカード１の概略断面図であり、半導体デバイス１０の電気的諸特性を測定する前の状態を示しており、図６は半導体デバイス１０の電気的諸特性を測定している状態を示す第３の実施形態のプローブカード１の概略断面図である。 Next, a third embodiment using a vertical spring contact type probe will be described. FIG. 5 is a schematic cross-sectional view of the probe card 1 using a vertical spring contact type probe, showing a state before various electrical characteristics of the semiconductor device 10 are measured. FIG. It is a schematic sectional drawing of the probe card 1 of 3rd Embodiment which shows the state which is measuring various electrical characteristics.
本実施形態に使用するプローブ６は、支持ケース１３から先端部１４が突出した状態で、かつ支持ケース１３が上側ガイド板３と下側ガイド板４’との間に位置し、先端部１４が下側ガイド板４’のガイド穴９によって位置決めされ、隠された状態でガイド板３に設置されている。 In the probe 6 used in the present embodiment, the distal end portion 14 protrudes from the support case 13, the support case 13 is positioned between the upper guide plate 3 and the lower guide plate 4 ′, and the distal end portion 14 is The guide plate 9 is positioned by the guide hole 9 of the lower guide plate 4 ′ and is hidden in the guide plate 3.
上述のプローブカード１を、半導体デバイス１０の電気的諸特性の測定を行うために、半導体デバイス１０へと押し付ける。そうすると、上記下側ガイド板４’の半導体デバイス１０側の表面が、半導体デバイス１０の表面層（パシベーション層）１２に接触し、さらにプローブカード１を押し付けてオーバードライブを掛けると、上記弾性部材５が縮んで、上記上側ガイド板３と上記下側ガイド板４’との間隔が次第に狭くなり、上記プローブ６の支持ケース１３が上へと押され、上記先端部１４が上記支持ケース１３からさらに突出されて、上記下側ガイド板４’のガイド穴９から突出された状態となる。 The above-described probe card 1 is pressed against the semiconductor device 10 in order to measure various electrical characteristics of the semiconductor device 10. Then, the surface of the lower guide plate 4 ′ on the semiconductor device 10 side comes into contact with the surface layer (passivation layer) 12 of the semiconductor device 10, and when the probe card 1 is further pressed to apply overdrive, the elastic member 5 The distance between the upper guide plate 3 and the lower guide plate 4 ′ gradually decreases, the support case 13 of the probe 6 is pushed upward, and the distal end portion 14 further extends from the support case 13. It protrudes and it will be in the state protruded from the guide hole 9 of the said lower side guide plate 4 '.
さらにプローブカード１を押し付けてオーバードライブを掛けると上記プローブ６の先端部１４が、半導体デバイス１０の電極１１に接触し押し付けられる。このような図２示すような状態で、半導体デバイス１０の電気的諸特性の測定を行う。 When the probe card 1 is further pressed and overdrive is applied, the tip end portion 14 of the probe 6 contacts and is pressed against the electrode 11 of the semiconductor device 10. In such a state as shown in FIG. 2, various electrical characteristics of the semiconductor device 10 are measured.
そして、測定が終了し、プローブカード１が上記半導体デバイス１０から離されると、上記弾性部材５の弾性力により、上側ガイド板３と下側ガイド板４’の間隔が再び広げられ、上記プローブ６の支持ケース１３が下へと移動し、上記先端部１４の支持ケース１３からの突出長さが短くなり、上記下側ガイド板４’のガイド穴９に隠れる。 When the measurement is completed and the probe card 1 is separated from the semiconductor device 10, the distance between the upper guide plate 3 and the lower guide plate 4 ′ is increased again by the elastic force of the elastic member 5, and the probe 6 The support case 13 moves downward, the protruding length of the distal end portion 14 from the support case 13 is shortened, and is hidden in the guide hole 9 of the lower guide plate 4 ′.
このようにして、垂直スプリング接触型プローブを用いても、下側ガイド板４’によってプローブの先端部の位置決めを行うことが可能となる。 In this way, even if a vertical spring contact type probe is used, the tip of the probe can be positioned by the lower guide plate 4 '.
ここまで、プローブの先端が下側ガイド板のガイド穴に完全に隠れるプローブカードについて説明を行ってきたが、本発明のプローブカードを用いることにより、プローブの先端を下側ガイド板のガイド穴から僅かに突出させておいても、従来のプローブカードで行ってきたプローブ先端の位置の調整の作業を省略することが可能である。このようなプローブカードを第４の実施形態として説明する。 Up to this point, the probe card in which the tip of the probe is completely hidden in the guide hole of the lower guide plate has been described. By using the probe card of the present invention, the tip of the probe is removed from the guide hole of the lower guide plate. Even if it is slightly protruded, it is possible to omit the work of adjusting the position of the probe tip, which has been performed with a conventional probe card. Such a probe card will be described as a fourth embodiment.
図７に示すのが、第４の実施形態のプローブカード１の概略断面図である。この図に示すように、本実施形態のプローブカード１の構造は第２の実施形態のプローブカード１とほぼ同じ構造をしている。 FIG. 7 is a schematic cross-sectional view of the probe card 1 of the fourth embodiment. As shown in this figure, the structure of the probe card 1 of the present embodiment is substantially the same as that of the probe card 1 of the second embodiment.
つまり、本実施形態のプローブカード１は、基板２と基板２に固定された上側ガイド板３、そして上記上側ガイド板３と所定の間隔を有して設置された下側ガイド板４’、そして上記上側ガイド板３と下側ガイド板４’に保持されたプローブ６から構成され、上記上側ガイド板３と上記上側ガイド板４は、支持手段である弾性部材５によりその間隔が可変に接続されている。 That is, the probe card 1 of this embodiment includes a substrate 2, an upper guide plate 3 fixed to the substrate 2, a lower guide plate 4 ′ installed with a predetermined distance from the upper guide plate 3, and The upper guide plate 3 and the lower guide plate 4 ′ are composed of probes 6 held on the upper guide plate 3 and the lower guide plate 4 ′. The upper guide plate 3 and the upper guide plate 4 are connected to each other by an elastic member 5 serving as support means. ing.
そして、上記上側ガイド板３と下側ガイド板４’に設けられたガイド穴８，９によって上記プローブ６は保持されているが、第２の実施形態とは異なり、プローブ６の先端７は上記下側ガイド板４’のガイド穴９に完全に隠されるのではなく、僅かに突出した状態で保持されている。 And although the said probe 6 is hold | maintained by the guide holes 8 and 9 provided in the said upper side guide plate 3 and lower side guide plate 4 ', unlike 2nd Embodiment, the front-end | tip 7 of the probe 6 is the above-mentioned. It is not completely hidden in the guide hole 9 of the lower guide plate 4 ′ but is held in a slightly protruding state.
従来のプローブカードでは、このプローブ先端の突出量が、４００〜６００μｍ必要であり、この突出量のために、プローブ先端の位置決めを正確に行う必要があり、プローブ先端の位置の調整の作業が必要であった。 In the conventional probe card, the protruding amount of the probe tip needs to be 400 to 600 μm. Because of this protruding amount, the probe tip needs to be accurately positioned, and the adjustment of the probe tip position is necessary. Met.
本実施形態では、このプローブ６の先端７の突出量は１００μｍ以下としている。これは、上記上側ガイド板３と下側ガイド板４’の間隔が可変であることにより、このような従来よりも少ない１００μｍ以下の突出量とすることが可能となっている。本発明のような構造を用いることにより、プローブ６の先端７を僅かに突出させていてもプローブ６の先端の位置決めを省略することが可能となった。 In this embodiment, the protruding amount of the tip 7 of the probe 6 is 100 μm or less. This is because the distance between the upper guide plate 3 and the lower guide plate 4 ′ is variable, and thus it is possible to make the projection amount 100 μm or less, which is smaller than the conventional one. By using the structure as in the present invention, positioning of the tip of the probe 6 can be omitted even if the tip 7 of the probe 6 is slightly protruded.
本実施形態のプローブカード１を用いた半導体デバイス１０の測定状況は、第２の実施形態と同じであり、図４に示すような状態となり、測定が終了すると再び図７の状態に戻り、上記プローブ６の先端７が僅かに上記下側ガイド板４’のガイド穴９から突出した状態となる。 The measurement state of the semiconductor device 10 using the probe card 1 of the present embodiment is the same as that of the second embodiment, and is in a state as shown in FIG. 4. When the measurement is completed, the state returns to the state of FIG. The tip 7 of the probe 6 slightly protrudes from the guide hole 9 of the lower guide plate 4 ′.
ここまで説明してきた実施形態では、プローブカード１による半導体デバイス１０の電気的諸特性の測定時には、下側ガイド板４’が半導体デバイス１０の表面層１２と接触した状態となっていたが、下側ガイド板４’を半導体デバイス１０の表面層１２に接触させずに測定を行うことが可能なプローブカード１の実施形態について説明を行う。 In the embodiment described so far, the lower guide plate 4 ′ is in contact with the surface layer 12 of the semiconductor device 10 when the electrical characteristics of the semiconductor device 10 are measured by the probe card 1. An embodiment of the probe card 1 capable of performing measurement without bringing the side guide plate 4 ′ into contact with the surface layer 12 of the semiconductor device 10 will be described.
このプローブカード１を第５の実施形態として、図８，９を用いて説明を行う。図８に示すのが、第５の実施形態のプローブカード１の概略断面図であり、半導体デバイス１０の電気的諸特性を測定する前の状態を示しており、図９は半導体デバイス１０の電気的諸特性を測定している状態を示すプローブカード１の概略断面図である。 This probe card 1 will be described as a fifth embodiment with reference to FIGS. FIG. 8 is a schematic cross-sectional view of the probe card 1 according to the fifth embodiment, showing a state before measuring various electrical characteristics of the semiconductor device 10, and FIG. 9 shows the electrical characteristics of the semiconductor device 10. It is a schematic sectional drawing of the probe card 1 which shows the state which measures various characteristics.
本実施形態のプローブカード１は、第４の実施形態のプローブカード１に、ストッパー１５を設けたものである。 The probe card 1 of this embodiment is obtained by providing a stopper 15 on the probe card 1 of the fourth embodiment.
図８に示すように、本実施形態のプローブカード１は、基板２と基板２に固定された上側ガイド板３、そして上記上側ガイド板３と所定の間隔を有して設置された下側ガイド板４’、そして上記上側ガイド板３と下側ガイド板４’に保持されたプローブ６から構成され、上記上側ガイド板３と上記上側ガイド板４は、弾性部材５によりその間隔が可変に接続されている。 As shown in FIG. 8, the probe card 1 of the present embodiment includes a substrate 2, an upper guide plate 3 fixed to the substrate 2, and a lower guide installed at a predetermined interval from the upper guide plate 3. The upper guide plate 3 and the upper guide plate 4 ′ are composed of a probe 4 held by the plate 4 ′ and the upper guide plate 3 and the lower guide plate 4 ′. Has been.
そして、上記上側ガイド板３と下側ガイド板４’に設けられたガイド穴８，９によって上記プローブ６は保持され、プローブ６の先端７は上記下側ガイド板４’のガイド穴９から僅かに突出した状態で保持されている。 The probe 6 is held by the guide holes 8 and 9 provided in the upper guide plate 3 and the lower guide plate 4 ′, and the tip 7 of the probe 6 is slightly from the guide hole 9 of the lower guide plate 4 ′. It is held in a protruding state.
さらに、本実施形態では上記下側ガイド板４’に突起状のストッパー１５が設けられている。このストッパー１５は、測定対象となる半導体デバイス１０の所定の領域、例えばスクラブライン１６など接触しても支障のない領域に対応した位置に設けられている。 Furthermore, in the present embodiment, a protruding stopper 15 is provided on the lower guide plate 4 ′. The stopper 15 is provided at a position corresponding to a predetermined region of the semiconductor device 10 to be measured, for example, a region where there is no problem even if it contacts the scrub line 16 or the like.
このストッパー１５により、下側ガイド板４’を半導体デバイス１０の表面層１２に接触させずに測定を行うことが可能となっている。このことをさらに図を用いて詳しく説明する。 The stopper 15 enables measurement without bringing the lower guide plate 4 ′ into contact with the surface layer 12 of the semiconductor device 10. This will be further described in detail with reference to the drawings.
本実施形態のプローブカード１を、半導体デバイス１０の電気的諸特性の測定を行うために、半導体デバイス１０へと押し付ける。そうすると、最初に、上記下側ガイド板４’に設けられたストッパー１５が半導体デバイス１０のスクラブライン１６に接触する。 The probe card 1 of the present embodiment is pressed against the semiconductor device 10 in order to measure various electrical characteristics of the semiconductor device 10. Then, first, the stopper 15 provided on the lower guide plate 4 ′ contacts the scrub line 16 of the semiconductor device 10.
この時、下側ガイド板４’の表面は、半導体デバイス１０の表面層１２と接触せずに所定の間隔を有した状態となっている。さらにプローブカード１を押し付けてオーバードライブを掛けると、上記弾性部材５が縮んで、上記上側ガイド板３と上記下側ガイド板４’との間隔が次第に狭くなり、上記プローブ６の先端７のガイド穴９からの突出量が増加していく。 At this time, the surface of the lower guide plate 4 ′ is in a state having a predetermined interval without contacting the surface layer 12 of the semiconductor device 10. When the probe card 1 is further pressed and overdrive is applied, the elastic member 5 is contracted, and the distance between the upper guide plate 3 and the lower guide plate 4 ′ is gradually reduced, and the guide of the tip 7 of the probe 6 is reduced. The amount of protrusion from the hole 9 increases.
そして、さらにプローブカード１を押し付けてオーバードライブを掛けると上記プローブ６の先端７が、電極１１に接触し押し付けられる。この状態で、半導体デバイス１０の電気的諸特性の測定を行う。これが図９に示す状態である。この時も、下側ガイド板４’の表面は、半導体デバイス１０の表面層１２と接触せずに所定の間隔を有した状態となっている。 When the probe card 1 is further pressed and overdrive is applied, the tip 7 of the probe 6 contacts and is pressed against the electrode 11. In this state, various electrical characteristics of the semiconductor device 10 are measured. This is the state shown in FIG. Also at this time, the surface of the lower guide plate 4 ′ is in a state having a predetermined interval without contacting the surface layer 12 of the semiconductor device 10.
そして、測定が終了し、プローブカード１が半導体デバイス１０から離されると、弾性部材５の弾性力により、上側ガイド板３と下側ガイド板４’の間隔は、再び広げられ、図８の状態へと戻る。 When the measurement is completed and the probe card 1 is separated from the semiconductor device 10, the distance between the upper guide plate 3 and the lower guide plate 4 ′ is expanded again by the elastic force of the elastic member 5, and the state shown in FIG. Return to.
このように、ストッパー１５を下側ガイド板４’の適切な位置に設けることにより、下側ガイド板４’の表面と、半導体デバイス１０の表面層１２との接触を防止することが可能となる。 Thus, by providing the stopper 15 at an appropriate position on the lower guide plate 4 ′, it is possible to prevent the surface of the lower guide plate 4 ′ from contacting the surface layer 12 of the semiconductor device 10. .
１ プローブカード
２ ガイド板
２’ ガイド穴
３ 上側ガイド板
４ ガイド板
４’ 下側ガイド板
５ ガイド穴
６ プローブ
７ 先端
８ ガイド穴
９ ガイド穴
１０ 半導体デバイス
１１ 電極
１２ 表面層
１３ 支持ケース
１４ 先端部
１５ ストッパー
１６ スクライブライン
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Probe card 2 Guide plate 2 'Guide hole 3 Upper guide plate 4 Guide plate 4' Lower guide plate 5 Guide hole 6 Probe 7 Tip 8 Guide hole 9 Guide hole 10 Semiconductor device 11 Electrode 12 Surface layer 13 Support case 14 Tip 15 Stopper 16 Scribe line
Claims (3)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006348800A JP2008157831A (en) | 2006-12-26 | 2006-12-26 | Probe card |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006348800A JP2008157831A (en) | 2006-12-26 | 2006-12-26 | Probe card |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2008157831A true JP2008157831A (en) | 2008-07-10 |
| JP2008157831A5 JP2008157831A5 (en) | 2010-12-16 |
Family
ID=39658889
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006348800A Pending JP2008157831A (en) | 2006-12-26 | 2006-12-26 | Probe card |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2008157831A (en) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI405971B (en) * | 2009-09-16 | 2013-08-21 | ||
| KR101311735B1 (en) * | 2011-12-20 | 2013-09-26 | 주식회사 기가레인 | Socket for testing semiconductor chip |
| JP2015184283A (en) * | 2014-03-25 | 2015-10-22 | 旺▲夕▼科技股▲分▼有限公司 | Vertical probe module and its columnar support |
| CN115343513A (en) * | 2021-05-14 | 2022-11-15 | 台湾中华精测科技股份有限公司 | Probe card device and its disposable adjustment piece |
| WO2024111615A1 (en) * | 2022-11-25 | 2024-05-30 | 株式会社ヨコオ | Inspection tool |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09138257A (en) * | 1995-11-14 | 1997-05-27 | Nec Corp | Apparatus and method for inspection of printed-circuit board |
| JPH1117399A (en) * | 1997-06-19 | 1999-01-22 | Taiyo Kogyo Kk | Printed circuit board/inspecting device |
| JPH1164426A (en) * | 1997-08-25 | 1999-03-05 | I C T:Kk | Inspection device of printed circuit board and assembly kit of inspection device of printed circuit board |
-
2006
- 2006-12-26 JP JP2006348800A patent/JP2008157831A/en active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09138257A (en) * | 1995-11-14 | 1997-05-27 | Nec Corp | Apparatus and method for inspection of printed-circuit board |
| JPH1117399A (en) * | 1997-06-19 | 1999-01-22 | Taiyo Kogyo Kk | Printed circuit board/inspecting device |
| JPH1164426A (en) * | 1997-08-25 | 1999-03-05 | I C T:Kk | Inspection device of printed circuit board and assembly kit of inspection device of printed circuit board |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI405971B (en) * | 2009-09-16 | 2013-08-21 | ||
| KR101311735B1 (en) * | 2011-12-20 | 2013-09-26 | 주식회사 기가레인 | Socket for testing semiconductor chip |
| JP2015184283A (en) * | 2014-03-25 | 2015-10-22 | 旺▲夕▼科技股▲分▼有限公司 | Vertical probe module and its columnar support |
| CN115343513A (en) * | 2021-05-14 | 2022-11-15 | 台湾中华精测科技股份有限公司 | Probe card device and its disposable adjustment piece |
| WO2024111615A1 (en) * | 2022-11-25 | 2024-05-30 | 株式会社ヨコオ | Inspection tool |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10578646B2 (en) | Testing head comprising vertical probes with internal openings | |
| US11029336B2 (en) | Probe card for high-frequency applications | |
| TWI837255B (en) | Vertical probe head having an improved contact with a device under test | |
| US6127831A (en) | Method of testing a semiconductor device by automatically measuring probe tip parameters | |
| US7772862B2 (en) | Alignment method, tip position detecting device and probe apparatus | |
| TWI661201B (en) | Probe and electrical connection device | |
| US20020024347A1 (en) | Microstructure testing head | |
| KR20170125070A (en) | A test head with a vertical probe that makes improved slide movement within each guide hole under different operating conditions and accurately maintains the probe within the test head | |
| TWI865694B (en) | Probe head for reduced-pitch applications | |
| JP2008243860A (en) | Probe tip position detection method, alignment method, needle tip position detection device, and probe device | |
| US7868635B2 (en) | Probe | |
| KR20210123339A (en) | electrical connection device | |
| JP2008157831A (en) | Probe card | |
| TWI427297B (en) | Fixture for circuit board inspection | |
| JP2008157831A5 (en) | ||
| JP2013179329A (en) | Needle tip position detector and probe device | |
| JP4313827B2 (en) | Inspection method of semiconductor device having spherical external electrode | |
| JP4986592B2 (en) | Electrical inspection apparatus and inspection method for inspection of electrical components under test | |
| EP2088443B1 (en) | Contact probe for a testing head having vertical probes with improved scrub movement | |
| JP4237191B2 (en) | Probe card | |
| JP2013072847A (en) | Testing holder | |
| JP2008151684A (en) | Electrical connection device and method of using the same | |
| JP2005140678A (en) | Arched probe and probe card using the same | |
| JP2006331666A (en) | Ic socket | |
| JP4056983B2 (en) | Probe card |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20091210 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101026 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101026 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110614 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110802 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20111108 |