JP2008154372A - Power device short-circuit detecting circuit - Google Patents
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 33
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 13
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 5
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
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Abstract
Description
この発明は、IGBTやFETなどの自励式電圧駆動パワーデバイスの短絡故障を検出するパワーデバイス短絡検出回路に関するものである。 The present invention relates to a power device short-circuit detection circuit that detects a short-circuit fault in a self-excited voltage-driven power device such as an IGBT or FET.
従来のパワーデバイスを用いた電力変換装置においては、パワーデバイスの短絡故障の対処方法として、デバイス内に電流センスIGBTチップやRTC回路を内蔵したパワーモジュールを用いて短絡電流をデバイス自体が絞る方法や、各パワーデバイスのゲート・エミッタ間へシャント抵抗を外付けして、その間の電圧異常を検出し、故障と判別して変換装置自体が停止する方法などがあった(例えば、特許文献1、2参照)。
In a power conversion device using a conventional power device, as a method of dealing with a short circuit failure of the power device, a method in which the device itself narrows down the short circuit current using a power module incorporating a current sense IGBT chip or RTC circuit in the device, There is a method in which a shunt resistor is externally connected between the gate and emitter of each power device, a voltage abnormality between them is detected, and the converter itself is stopped when it is determined as a failure (for example,
しかし、従来のパワーデバイスの短絡故障の対処方法では、各パワーモジュール内に過電流検出チップや検出回路を設けるため、パワーモジュールの小型化・低コスト化の弊害となり、また、各パワーモジュールへ外付けでゲート電圧異常検出回路を設けるため、回路の部品点数が多く、複雑化することになり、誤検出などドライブ回路の信頼性の低下となる恐れがあった。 However, in the conventional method for dealing with short-circuit faults in power devices, since an overcurrent detection chip and a detection circuit are provided in each power module, there is an adverse effect on downsizing and cost reduction of the power module. In addition, since the gate voltage abnormality detection circuit is provided, the number of parts of the circuit is increased and the circuit becomes complicated, and there is a possibility that the reliability of the drive circuit is deteriorated such as erroneous detection.
この発明は上記のような課題を解決するためになされたもので、パワーデバイスを駆動するドライブ基板内に設け、ドライブ基板につながるパワーデバイスのゲート・エミッタ間電圧の変化を利用して短絡故障を検出することができるパワーデバイス短絡検出回路を提供することを目的とする。 The present invention has been made to solve the above-described problems, and is provided in a drive substrate that drives a power device, and a short-circuit failure is caused by utilizing a change in the gate-emitter voltage of the power device connected to the drive substrate. An object of the present invention is to provide a power device short circuit detection circuit capable of detecting.
この発明に係わるパワーデバイス短絡検出回路は、パワーデバイスを駆動するドライブ基板に設けられたゲート抵抗と、パワーデバイスのゲート・エミッタ間に設けられ、必要なゲート電圧の変動を利用してパワーデバイスが短絡故障を起こしたことを検出する短絡検出回路とを備えたものである。 A power device short-circuit detection circuit according to the present invention is provided between a gate resistor provided on a drive substrate for driving a power device and a gate and an emitter of the power device, and the power device is utilized by utilizing necessary gate voltage fluctuations. A short-circuit detection circuit for detecting that a short-circuit failure has occurred.
この発明によれば、抵抗・フォトカプラ・ダイオードといった部品で構成した短絡検出回路をドライブ基板へ設けることにより、単体のパワーデバイスでも、複数並列されたパワーデバイスでも、短絡故障を検出して、制御基板へドライブ回路とは絶縁した故障信号を伝達することにより、パワーデバイスの駆動を停止させることにより、健全なパワーデバイスや、他の装置構成部品の破損等被害拡大を阻止することができる。 According to the present invention, a short-circuit detection circuit composed of components such as a resistor, a photocoupler, and a diode is provided on the drive board, so that a short-circuit fault can be detected and controlled by either a single power device or a plurality of power devices arranged in parallel. By transmitting a failure signal insulated from the drive circuit to the substrate and stopping the driving of the power device, it is possible to prevent damage such as damage to a healthy power device and other apparatus components.
実施の形態1.
以下、この発明の実施の形態1におけるパワーデバイス短絡検出回路を図1により説明する。
図において、1は自励式電圧駆動パワーデバイス(IGBT)、2はこのパワーデバイス1を駆動させるドライブ基板、3は制御基板、4はドライブ基板2の上に設けられたゲート抵抗で、パワーデバイス1のゲート電流を調節するものである。5はドライブ基板2の上に設けられた短絡検出回路で、ゲート抵抗4とパワーデバイス1のゲート・エミッタ間に設けられ、必要なゲート電圧の変動を利用して前記パワーデバイスが短絡故障を起こしたことを検出する。
A power device short circuit detection circuit according to
In the figure, 1 is a self-excited voltage drive power device (IGBT), 2 is a drive substrate for driving the
次に、実施の形態1の動作について説明する。
正常時には、パワーデバイス1のゲート電流は、パワーデバイス1がターンON、ターンOFFする時にだけ流れる。しかし、パワーデバイス1が短絡故障を発生すると、パワーデバイス1のゲートが短絡状態となり、ゲート電流が常時流れるようになる。よって、このゲート電流の変化を用いて、短絡検出回路5はパワーデバイス1の短絡故障を検出する。そして、短絡検出回路5で短絡故障を検出した時、制御基板3へ故障信号として伝達してゲート駆動を停止する。
これにより、標準のパワーデバイスを使用でき、またパワーデバイス毎に設けていた煩雑な短絡検出回路をシンプルにまとめることができる。
Next, the operation of the first embodiment will be described.
Under normal conditions, the gate current of the
Thereby, a standard power device can be used, and the complicated short circuit detection circuit provided for every power device can be put together simply.
実施の形態2.
次に、この発明の実施の形態2におけるパワーデバイス短絡検出回路を図2により説明する。
この実施の形態2においては、短絡検出回路5をフォトカプラ5aと抵抗5bにより構成し、ドライブ基板につながった単体のパワーデバイスが短絡故障を発生したとき、ゲート電圧変動が起こることにより、フォトカプラ5aに流れる電流の変化を利用してパワーデバイスが短絡故障を起こしたことを検出する。これ以外の構成は実施の形態1と同様である。
Next, a power device short circuit detection circuit according to
In the second embodiment, the short-
次に、実施の形態2の動作について、図3により説明する。
正常時には、パワーデバイス1のゲート電流は、パワーデバイス1がターンON、ターンOFFする時にだけ流れる。そのため、ターンON、ターンOFFする時以外、フォトカプラ5aへ流れる一次側順電流Ifは、ゲート抵抗4と抵抗5bにより調節された電流値が流れている。
図3の左側が正常時のパワーデバイス1のゲート電圧波形と、フォトカプラ5aの順電流Ifを示している。(ターンON時、ターンOFF時のIfの変化の図示は省略している。)
しかし、パワーデバイス1が短絡故障を発生すると、パワーデバイス1のゲートが短絡状態となり、ゲート電流が常時流れるようになり、フォトカプラ5aの一次側順電流If値が下がる。
図3の右側が短絡発生時のパワーデバイス1のゲート電圧波形と、フォトカプラ5aの順電流Ifを示している。
このIf値の変化を用いて、短絡検出回路5はパワーデバイス1の短絡故障として、ドライブ回路とは絶縁して検出することができる。
これにより、短絡検出回路を、抵抗とフォトカプラを用いたシンプルな回路構成とすることができる。また、短絡発生時、パワーデバイスのゲートが短絡状態となりゲート電圧が低下、フォトカプラに流れる電流が変化するので、パワーデバイスが短絡したことをドライブ回路とは絶縁して検出することができる。
Next, the operation of the second embodiment will be described with reference to FIG.
Under normal conditions, the gate current of the
The left side of FIG. 3 shows the gate voltage waveform of the
However, when the
The right side of FIG. 3 shows the gate voltage waveform of the
Using this change in If value, the short
Thereby, a short circuit detection circuit can be made into a simple circuit structure using a resistor and a photocoupler. In addition, when a short circuit occurs, the gate of the power device is in a short circuit state, the gate voltage is lowered, and the current flowing through the photocoupler changes, so that the short circuit of the power device can be detected from the drive circuit.
実施の形態3.
次に、この発明の実施の形態3におけるパワーデバイス短絡検出回路を図4により説明する。
この実施の形態3においては、短絡検出回路5を更に2個以上の並列パワーデバイス短絡故障検出できるようにしたものである。すなわち、自励式電圧駆動パワーデバイス(IGBT)1を例えば図4のような3個並列とし、3個の並列パワーデバイス1を駆動させるドライブ基板2としている。そして、ドライブ基板2の上には、3個のゲート抵抗4と、短絡検出回路5が設けられており、この短絡検出回路5は、フォトカプラ5aと、抵抗5bと、パワーデバイス1の並列間でゲート電流の干渉を防止する3個の干渉防止用ダイオード5cと、同じくパワーデバイス1のOFF時のみ一次側順電流Ifを流して、パワーデバイス1の並列間でゲート電流の干渉を防止する3個の干渉防止用ダイオード5dと、短絡故障が発生した時に正常なゲートから上記ダイオード5c、5dを通り、短絡故障したゲートへ短絡電流が流れ込まないように抑制する抑制抵抗5e、5fとから構成したものである。
Embodiment 3 FIG.
Next, a power device short-circuit detection circuit according to Embodiment 3 of the present invention will be described with reference to FIG.
In the third embodiment, the short-
次に、実施の形態3の動作について、図5により説明する。
正常時に、3個の並列パワーデバイス1のすべてがONしていると、ゲート抵抗4→干渉防止用ダイオード5c→抑制抵抗5e→抵抗5b→フォトカプラ5aを順電流Ifが流れる。OFF時は、フォトカプラ5a→抵抗5b→抑制抵抗5f→干渉防止用ダイオード5d→ゲート抵抗4を順電流Ifが流れる。
図5の左側が正常時の並列パワーデバイス1のゲート電圧波形と、フォトカプラ5aの順電流Ifを示している。(ターンON時、ターンOFF時のIfの変化の図示は省略している。)
しかし、並列パワーデバイス1の内、一つでも短絡故障が発生すると、そのパワーデバイス1のゲート電圧が下がり、他の正常なゲート電圧がある並列パワーデバイスから干渉防止用ダイオード5c、5d、抑制抵抗5e、5fを通る横流が発生する。そして、この横流分によってフォトカプラ5aのIf値が下がることになる。
図5の右側が短絡発生時の並列パワーデバイス1のゲート電圧波形と、フォトカプラ5aの順電流Ifを示している。
このIf値の変化を用いて、短絡検出回路5は1個のパワーデバイス1の短絡故障をドライブ回路とは絶縁して検出することができる。
これにより、並列パワーデバイス分のフォトカプラを必要としない。また、並列に接続されたパワーデバイスの内、1個でも短絡故障が発生した場合、正常なパワーデバイスのゲート電圧と、短絡故障したパワーデバイスのゲート電圧との間にアンバランスが生じ、フォトカプラに流れる電流が変化するので、パワーデバイスが短絡したことをドライブ回路とは絶縁して検出することができる。
なお、2個以上のパワーデバイスの短絡故障も同様に検出できる。
Next, the operation of the third embodiment will be described with reference to FIG.
When all of the three
The left side of FIG. 5 shows the gate voltage waveform of the
However, if any one of the
The right side of FIG. 5 shows the gate voltage waveform of the
Using this change in If value, the short
This eliminates the need for photocouplers for parallel power devices. In addition, when even one of the power devices connected in parallel causes a short-circuit failure, an imbalance occurs between the gate voltage of the normal power device and the gate voltage of the power device in which the short-circuit failure occurs. Since the current flowing through the power supply changes, it is possible to detect that the power device is short-circuited while being insulated from the drive circuit.
In addition, the short circuit failure of two or more power devices can be detected similarly.
1 パワーデバイス
2 ドライブ基板
3 制御基板
4 ゲート抵抗
5 短絡検出回路
5a フォトカプラ
5b 抵抗
5c、5d 干渉防止用ダイオード
5e、5f 抑制抵抗
1
5a Photocoupler
Claims (3)
前記パワーデバイスのゲート・エミッタ間に設けられ、必要なゲート電圧の変動を利用して前記パワーデバイスが短絡故障を起こしたことを検出することを特徴とするパワーデバイス短絡検出回路。 A gate resistor provided on the drive substrate for driving the power device;
A power device short-circuit detection circuit, which is provided between a gate and an emitter of the power device, and detects that the power device has caused a short-circuit failure by utilizing a fluctuation of a necessary gate voltage.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006339926A JP2008154372A (en) | 2006-12-18 | 2006-12-18 | Power device short-circuit detecting circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006339926A JP2008154372A (en) | 2006-12-18 | 2006-12-18 | Power device short-circuit detecting circuit |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2008154372A true JP2008154372A (en) | 2008-07-03 |
Family
ID=39655983
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006339926A Pending JP2008154372A (en) | 2006-12-18 | 2006-12-18 | Power device short-circuit detecting circuit |
Country Status (1)
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011010687A1 (en) * | 2009-07-23 | 2011-01-27 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | Semiconductor element controller and in-vehicle electric system |
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2006
- 2006-12-18 JP JP2006339926A patent/JP2008154372A/en active Pending
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