JP2008153580A - 多層配線基板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】配線層と絶縁層とを交互に積層した多層配線基板の製造方法であって、
第1絶縁層上の第1配線層上にビルドアップ多層配線の絶縁層形成用の絶縁樹脂から成る樹脂主層を形成する工程、
上記樹脂主層上に、脂環式オレフィン重合体から成る樹脂表皮層を形成し、該樹脂表皮層に金属配位能を有する化合物に接触させた後、樹脂主層および樹脂表皮層を硬化して両者の積層体としての第2絶縁層を形成させる工程、
上記第2絶縁層を貫通して上記第1配線層の上面に達するビア穴を形成する工程、
酸化剤により上記ビア穴のデスミア処理を行う工程、および
上記第2絶縁層上にめっき法により第2配線層用の導体層を形成する工程
を含む。
【選択図】図1
Description
第1絶縁層上の第1配線層上にビルドアップ多層配線の絶縁層形成用の絶縁樹脂から成る樹脂主層を形成する工程、
上記樹脂主層上に、脂環式オレフィン重合体から成る樹脂表皮層を形成し、該樹脂表皮層に金属配位能を有する化合物を接触させた後、樹脂主層および樹脂表皮層を硬化して両者の積層体としての第2絶縁層を形成させる工程、
上記第2絶縁層を貫通して上記第1配線層の上面に達するビア穴を形成する工程、
酸化剤により上記ビア穴のデスミア処理を行う工程、および
上記第2絶縁層上にめっき法により第2配線層用の導体層を形成する工程
を含むことを特徴とする多層配線基板の製造方法が提供される。
第1絶縁層上の第1配線層上にビルドアップ多層配線の絶縁層形成用の絶縁樹脂から成る樹脂主層を形成する工程、
上記樹脂主層を硬化する工程、
上記硬化後の樹脂主層上に、脂環式オレフィン重合体から成る樹脂表皮層を形成し、該樹脂表皮層に金属配位能を有する化合物に接触させる工程、
上記樹脂表皮層を硬化して上記硬化済の樹脂主層と一体の積層体としての第2絶縁層を形成させる工程、
上記第2絶縁層を貫通して上記第1配線層の上面に達するビア穴を形成する工程、
酸化剤により上記ビア穴のデスミア処理を行う工程、および
上記第2絶縁層上にめっき法により第2配線層用の導体層を形成する工程
を含むことを特徴とする多層配線基板の製造方法が提供される。
第1絶縁層上の第1配線層上に、高耐熱性接着剤の層を形成する工程、
上記高耐熱性接着剤層上に、脂環式オレフィン重合体から成る樹脂層を形成し、該樹脂層に金属配位能を有する化合物を接触させた後、高耐熱性接着剤層および樹脂層を硬化して両者の積層体としての第2絶縁層を形成させる工程、
上記第2絶縁層を貫通して上記第1配線層の上面に達するビア穴を形成する工程、
酸化剤により上記ビア穴のデスミア処理を行う工程、および
上記第2絶縁層上にめっき法により第2配線層用の導体層を形成する工程
を含むことを特徴とする多層配線基板の製造方法が提供される。
図1に、第1発明による製造方法において用いる2層構造の絶縁層を示す。
<第1態様>
(1)樹脂主層2(未硬化)を形成→(2)樹脂表皮層3(未硬化)を形成→(3)金属配位能を有する化合物と接触→(4)樹脂主層2および樹脂表皮層3を同時に硬化
<第2態様>
(1)樹脂主層2(未硬化)を形成→(2)樹脂主層2を硬化→(3)樹脂表皮層3(未硬化)を形成→(4)金属配位能を有する化合物と接触→(5)樹脂表皮層3を硬化
第2態様は、処理工程が増える点で不利であるが、樹脂主層2が硬化の際にガスを発生し易い性質の材料である場合、これを先に硬化させておくことによりボイドの発生を防止できるという利点がある。
図2に、第2発明による製造方法において用いる2層構造の絶縁層を示す。
本発明に用いる脂環式オレフィン重合体は、前出の特許文献3に記載されているように、脂環構造を有する不飽和炭化水素の重合体である。脂環式オレフィン重合体の具体例としては、ノルボルネン系単量体の開環重合体及びその水素添加物、ノルボルネン系単量体の付加重合体、ノルボルネン系単量体とビニル化合物との付加重合体、単環シクロアルケン重合体、脂環式共役ジエン重合体、ビニル系脂環式炭化水素重合体及びその水素添加物、芳香族オレフィン重合体の芳香環水素添加物などが挙げられる。これらの中でも、ノルボルネン系単量体の開環重合体及びその水素添加物、ノルボルネン系単量体の付加重合体、ノルボルネン系単量体とビニル化合物との付加重合体、芳香族オレフィン重合体の芳香環水素添加物が好ましく、特にノルボルネン系単量体の開環重合体の水素添加物が好ましい。 脂環式オレフィン重合体は、極性基を有するものが好ましい。極性基としては、ヒドロキシル基、カルボキシル基、アルコキシル基、エポキシ基、グリシジル基、オキシカルボニル基、カルボニル基、アミノ基、エステル基、カルボン酸無水物基などが挙げられ、特に、カルボキシル基又はカルボン酸無水物(カルボニルオキシカルボニル)基が好適である。
本発明に用いる金属配位能を有する化合物(以下、配位構造含有化合物ということがある)は、上記特許文献3に記載されているように、金属に配位することができる官能基を有するものであり、好ましい具体例としては、アミノ基、チオール基、カルボキシル基、シアノ基など金属に配位可能な官能基を有する化合物や金属との配位能を有する複素環化合物などの非共有電子対を有する化合物が挙げられる。中でも窒素原子、酸素原子、又は硫黄原子を環内に含有する複素環化合物が特に好ましく、とりわけ窒素原子を含有する複素環化合物が好ましい。もちろんこうした複素環化合物は、更に金属に配位可能な他の官能基をも有するものであってもよい。更に金属に配位可能な官能基をも有する複素環化合物は、より高いパターン密着性を与える点で好ましい。
配線層1上に、樹脂主層2として通常のビルドアップ多層配線形成用のエポキシ系絶縁樹脂材料(以下「樹脂材料A」と呼ぶ)のシート(厚さ30μm)を積層した後、樹脂表皮層として脂環式オレフィン重合体から成る樹脂材料(以下「樹脂材料B」と呼ぶ)のシート(厚さ10μm)を積層し、金属配位能を有する化合物に接触させた後、硬化させた。樹脂材料Aは樹脂材料Bを積層する前に予め硬化させてもよいし、未硬化の樹脂材料Aに樹脂材料Bを積層した後に樹脂材料A、Bを一緒に硬化させてもよい。
次いで、CO2レーザ加工によりビア穴4(φ60μm)を開口させた。ビア穴4の底部にはスミア5が確認された。
膨潤(5分)、過マンガン酸エッチング処理(20分)、中和(5分)によるデスミア処理を行った。処理のビア穴4の底部にスミアの存在は認められず、下層の配線層1が露出していた。
<無電解銅めっき>
≪前処理≫
スルカップACL−009(上村工業株式会社製)より調整したクリーナー・コンディショナー液に5分間、過硫酸ナトリウムより調整したソフトエッチング液に1分間、5%硫酸水溶液に1分間、順次浸漬した。各浸漬後に十分に水洗を行なった。
上記の前処理を行なった基板をスルカップPTX−A(上村工業株式会社製)、スルカップPTX−B(上村工業株式会社製)より調整した溶液に5分間浸漬して、無電解銅めっきを行なった。
無電解銅めっき後の基板を水洗、乾燥、酸性脱脂、硫酸洗浄した後、電解銅めっきを行なって、上層配線層として厚さ35μmの銅めっき膜を形成した。最後に、アニール処理(条件:180℃、30分)を行なった。
図1において、絶縁層を通常のエポキシ樹脂層2のみの1層とし、樹脂材料Bのシート積層と、金属配位能を有する化合物への接触をさせる工程を省いた以外は実施例と同様の処理を行なって、上層の配線層としての銅めっき膜を形成した。実施例と同様にしてピール強度を測定した。予め、めっき前の絶縁層2の表面粗さも測定した。
2 従来のビルドアップ多層配線構造の絶縁層形成用の樹脂層
3 脂環式オレフィン重合体による樹脂層
4 ビア穴
5 スミア
6 高耐熱性接着剤層
7 スミア
Claims (3)
- 配線層と絶縁層とを交互に積層した多層配線基板の製造方法であって、
第1絶縁層上の第1配線層上にビルドアップ多層配線の絶縁層形成用の絶縁樹脂から成る樹脂主層を形成する工程、
上記樹脂主層上に、脂環式オレフィン重合体から成る樹脂表皮層を形成し、該樹脂表皮層に金属配位能を有する化合物を接触させた後、樹脂主層および樹脂表皮層を硬化して両者の積層体としての第2絶縁層を形成させる工程、
上記第2絶縁層を貫通して上記第1配線層の上面に達するビア穴を形成する工程、
酸化剤により上記ビア穴のデスミア処理を行う工程、および
上記第2絶縁層上にめっき法により第2配線層用の導体層を形成する工程
を含むことを特徴とする多層配線基板の製造方法。 - 配線層と絶縁層とを交互に積層した多層配線基板の製造方法であって、
第1絶縁層上の第1配線層上にビルドアップ多層配線の絶縁層形成用の絶縁樹脂から成る樹脂主層を形成する工程、
上記樹脂主層を硬化する工程、
上記硬化後の樹脂主層上に、脂環式オレフィン重合体から成る樹脂表皮層を形成し、該樹脂表皮層に金属配位能を有する化合物に接触させる工程、
上記樹脂表皮層を硬化して上記樹脂主層と一体の積層体としての第2絶縁層を形成させる工程、
上記第2絶縁層を貫通して上記第1配線層の上面に達するビア穴を形成する工程、
酸化剤により上記ビア穴のデスミア処理を行う工程、および
上記第2絶縁層上にめっき法により第2配線層用の導体層を形成する工程
を含むことを特徴とする多層配線基板の製造方法。 - 配線層と絶縁層とを交互に積層した多層配線基板の製造方法であって、
第1絶縁層上の第1配線層上に、高耐熱性接着剤の層を形成する工程、
上記高耐熱性接着剤層上に、脂環式オレフィン重合体から成る樹脂層を形成し、該樹脂層に金属配位能を有する化合物を接触させた後、高耐熱性接着剤層および樹脂層を硬化して両者の積層体としての第2絶縁層を形成させる工程、
上記第2絶縁層を貫通して上記第1配線層の上面に達するビア穴を形成する工程、
酸化剤により上記ビア穴のデスミア処理を行う工程、および
上記第2絶縁層上にめっき法により第2配線層用の導体層を形成する工程
を含むことを特徴とする多層配線基板の製造方法。
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Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010010639A (ja) * | 2008-05-27 | 2010-01-14 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 配線基板及びその製造方法 |
| JP2010087285A (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-15 | Fujitsu Ltd | 多層回路基板の製造方法 |
| WO2013047726A1 (ja) * | 2011-09-30 | 2013-04-04 | 日本ゼオン株式会社 | 絶縁性接着フィルム、プリプレグ、積層体、硬化物、及び複合体 |
| JP2015138922A (ja) * | 2014-01-24 | 2015-07-30 | 日本ゼオン株式会社 | 電子材料用基板及び電子材料用基板の製造方法 |
| JP2015138921A (ja) * | 2014-01-24 | 2015-07-30 | 日本ゼオン株式会社 | 電子材料用基板 |
| US9137896B2 (en) | 2012-09-20 | 2015-09-15 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Wiring substrate |
| JP2016051756A (ja) * | 2014-08-29 | 2016-04-11 | 日本ゼオン株式会社 | 多層プリント配線板およびその製造方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001102751A (ja) * | 1999-09-29 | 2001-04-13 | Ibiden Co Ltd | 多層プリント配線板およびその製造方法 |
| JP2001284821A (ja) * | 2000-03-30 | 2001-10-12 | Nippon Zeon Co Ltd | 多層回路基板 |
| WO2004086833A1 (ja) * | 2003-03-27 | 2004-10-07 | Zeon Corporation | プリント配線板、その製造方法及び支持体付き硬化性樹脂成形体 |
| JP2006278922A (ja) * | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Nippon Zeon Co Ltd | 多層回路基板の製造方法 |
-
2006
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Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001102751A (ja) * | 1999-09-29 | 2001-04-13 | Ibiden Co Ltd | 多層プリント配線板およびその製造方法 |
| JP2001284821A (ja) * | 2000-03-30 | 2001-10-12 | Nippon Zeon Co Ltd | 多層回路基板 |
| WO2004086833A1 (ja) * | 2003-03-27 | 2004-10-07 | Zeon Corporation | プリント配線板、その製造方法及び支持体付き硬化性樹脂成形体 |
| JP2006278922A (ja) * | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Nippon Zeon Co Ltd | 多層回路基板の製造方法 |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010010639A (ja) * | 2008-05-27 | 2010-01-14 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 配線基板及びその製造方法 |
| JP2010087285A (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-15 | Fujitsu Ltd | 多層回路基板の製造方法 |
| WO2013047726A1 (ja) * | 2011-09-30 | 2013-04-04 | 日本ゼオン株式会社 | 絶縁性接着フィルム、プリプレグ、積層体、硬化物、及び複合体 |
| TWI490120B (zh) * | 2011-09-30 | 2015-07-01 | Zeon Corp | Insulating film, prepreg, laminate, hardened, and composite |
| US9453145B2 (en) | 2011-09-30 | 2016-09-27 | Zeon Corporation | Insulating adhesive film, prepreg, laminate, cured article, and composite article |
| US9137896B2 (en) | 2012-09-20 | 2015-09-15 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Wiring substrate |
| JP2015138922A (ja) * | 2014-01-24 | 2015-07-30 | 日本ゼオン株式会社 | 電子材料用基板及び電子材料用基板の製造方法 |
| JP2015138921A (ja) * | 2014-01-24 | 2015-07-30 | 日本ゼオン株式会社 | 電子材料用基板 |
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