JP2008152178A - Data line driving circuit, scanning line driving circuit, display device, electronic apparatus, data line driving method, scanning line driving method, and computer program - Google Patents
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Abstract
【課題】走査線の左右にドライバを配置する従来手法の場合、立ち上がり立ち下がり特性を改善できる一方でコストや消費電力が増加する。
【解決手段】アクティブマトリクス駆動型表示デバイスのデータ線駆動回路に、各水平走査期間の開始点と終了点のデータ線印加電位を、信号電圧の黒レベル電位よりスイッチ素子のオン電位側に位置する任意の基準電圧値にリセットする機能を搭載する。この際、走査線駆動回路には、スイッチ素子のオン期間を、データ線の電位が信号電位に維持されている期間内に制御する機能を搭載する。
【選択図】図5In a conventional method in which drivers are arranged on the left and right sides of a scanning line, rising and falling characteristics can be improved, while cost and power consumption increase.
In a data line driving circuit of an active matrix driving type display device, a data line applied potential at the start point and end point of each horizontal scanning period is positioned on the on potential side of a switch element from a black level potential of a signal voltage. Equipped with a function to reset to an arbitrary reference voltage value. At this time, the scanning line driver circuit is equipped with a function of controlling the ON period of the switch element within a period in which the potential of the data line is maintained at the signal potential.
[Selection] Figure 5
Description
この明細書で説明する発明は、アクティブマトリクス駆動型表示デバイスの駆動技術に関する。なお、ここでの発明は、データ線駆動回路、走査線駆動回路、表示装置、電子機器、データ線駆動方法、走査線駆動方法及びコンピュータプログラムとしての側面を有する。 The invention described in this specification relates to a driving technique of an active matrix driving type display device. Note that the invention herein has aspects as a data line driving circuit, a scanning line driving circuit, a display device, an electronic device, a data line driving method, a scanning line driving method, and a computer program.
フラットパネル型の表示デバイスの大画面化と高精細化はますます進む方向にある。これに伴い、パネル表示素子の駆動周波数に対する信号遅延や駆動信号の立ち上がり立ち下り特性(周波数特性)の劣化が問題となっている。 The trend toward larger screens and higher definition of flat panel display devices is increasing. Along with this, signal delay with respect to the driving frequency of the panel display element and deterioration of the rising / falling characteristics (frequency characteristics) of the driving signal have become problems.
図1に、アクティブマトリクス駆動型表示デバイスで使用される書き込み信号WSの立ち上がり立ち下がり特性を示す。
なお、図1(A)は、データ線に印加される信号電位の波形を示す。図1(B)は、第i番目の走査線に接続される画素のうち走査線ドライバの近くに位置する画素に印加される書き込み信号WSの信号波形例を示す。
FIG. 1 shows rising and falling characteristics of the write signal WS used in the active matrix drive type display device.
Note that FIG. 1A shows a waveform of a signal potential applied to the data line. FIG. 1B shows an example of a signal waveform of the write signal WS applied to a pixel located near the scanning line driver among the pixels connected to the i-th scanning line.
図1(C)は、第i番目の走査線に接続される画素回路のうち走査線ドライバから遠く離れた位置の画素に印加される書き込み信号WSの信号波形例を示す。図1(D)は、第i+1番目の走査線に接続される画素のうち走査線ドライバの近くに位置する画素に印加される書き込み信号WSの信号波形例を示す。 FIG. 1C shows an example of a signal waveform of the write signal WS applied to a pixel far from the scan line driver in the pixel circuit connected to the i-th scan line. FIG. 1D shows an example of a signal waveform of the write signal WS applied to a pixel located near the scanning line driver among the pixels connected to the (i + 1) th scanning line.
図1(E)は、第i+1番目の走査線に接続される画素のうち走査線ドライバから遠く離れた位置の画素に印加される書き込み信号WSの信号波形例を示す。図1(F)は、水平同期信号HSの信号波形例を示す。 FIG. 1E shows an example of a signal waveform of the write signal WS applied to a pixel far from the scanning line driver among the pixels connected to the (i + 1) th scanning line. FIG. 1F shows an example of a signal waveform of the horizontal synchronization signal HS.
信号電圧値の各画素に対する書き込みは、書き込み信号WSがHレベルに立ち上がった後に実行される。しかし、図1に破線で囲んで示すように、走査線ドライバに対する距離が長くなると書き込み信号WSの波形が鈍りが大きくなる。すなわち、同じ走査線上に位置する画素間でも書き込み信号WSがHレベルの立ち上がりに位相差が発生する。 The writing of the signal voltage value to each pixel is executed after the writing signal WS rises to the H level. However, as indicated by a broken line in FIG. 1, the waveform of the write signal WS becomes dull as the distance to the scanning line driver increases. That is, a phase difference occurs at the rising edge of the write signal WS at the H level even between pixels located on the same scanning line.
この位相差の発生は、配線長の違いに伴う配線容量の違いと、駆動周波数の高まりに伴うスイッチ素子のゲートドレン間容量Cgdの増大に起因すると考えられる。
そこで、駆動周波数に対する立ち上がり立ち下がり特性の改善を目的として、駆動ラインを両側から駆動する方法が提案されている。
Therefore, a method of driving the drive line from both sides has been proposed for the purpose of improving the rise / fall characteristics with respect to the drive frequency.
しかし、両側駆動は立ち上がり立ち下がり特性を改善できるプラス面がある一方で、製造コストや消費電力が増加するマイナス面がある。また、駆動周波数が上がるほど消費電力が上昇し易いマイナス面もある。従って、各種特性の改善とコスト面その他とのバランスに優れた技術の提案が求められる。 However, the double-sided drive has a positive aspect that can improve the rising and falling characteristics, but has a negative aspect that increases manufacturing cost and power consumption. In addition, there is a downside that the power consumption tends to increase as the drive frequency increases. Accordingly, there is a need for a proposal of a technology that is excellent in balance between improvement of various characteristics and cost.
そこで、発明者は、アクティブマトリクス駆動型表示デバイスに使用するデータ線駆動回路として、各水平走査期間の開始点と終了点のデータ線印加電位を、信号電圧の黒レベル電位よりスイッチ素子のオン電位側に位置する任意の基準電圧値にリセットする機能を有するものを提案する。 Therefore, the inventor, as a data line driving circuit used in an active matrix drive type display device, determines the data line applied potential at the start and end points of each horizontal scanning period from the black level potential of the signal voltage to the ON potential of the switch element. A device having a function of resetting to an arbitrary reference voltage value located on the side is proposed.
また、発明者は、アクティブマトリクス駆動型表示デバイスを駆動する走査線駆動回路として、各水平走査期間の開始点と終了点のデータ線印加電位が、信号電圧の黒レベル電位よりスイッチ素子のオン電位側に位置する任意の基準電圧値にリセットされる場合に、スイッチ素子のオン期間を、データ線の電位が信号電位に維持されている期間より短く制御する機能を有するものを提案する。 Further, the inventor, as a scanning line driving circuit for driving an active matrix driving type display device, the data line applied potential at the start point and end point of each horizontal scanning period is higher than the black level potential of the signal voltage. In the case of resetting to an arbitrary reference voltage value located on the side, a switch element having a function of controlling the ON period of the switch element to be shorter than the period in which the potential of the data line is maintained at the signal potential is proposed.
発明者の提案する発明の場合、スイッチ素子にオン電位が印加される前に、信号電圧の電位が基準電圧値(信号電圧の黒レベルよりスイッチ素子のオン電位側の電位)に制御される。この制御により、走査線から見たスイッチ素子の寄生容量を小さくできる。かくして、消費電力の増加を伴うことなく、スイッチ素子の立ち上がり立ち下がり特性や位相遅延を改善することができる。 In the case of the invention proposed by the inventor, the potential of the signal voltage is controlled to the reference voltage value (the potential on the on potential side of the switch element from the black level of the signal voltage) before the on potential is applied to the switch element. This control can reduce the parasitic capacitance of the switch element as viewed from the scanning line. Thus, it is possible to improve the rising / falling characteristics and phase delay of the switch element without increasing the power consumption.
以下、アクティブマトリクス駆動型の有機ELディスプレイ装置に好適なデータ線及び走査線の駆動制御例を説明する。
なお、本明細書で特に図示又は記載されない部分には、当該技術分野の周知又は公知技術を適用する。
また以下に説明する形態例は、発明の一つの形態例であって、これらに限定されるものではない。
An example of driving control of data lines and scanning lines suitable for an active matrix driving type organic EL display device will be described below.
In addition, the well-known or well-known technique of the said technical field is applied to the part which is not illustrated or described in particular in this specification.
Moreover, the form example demonstrated below is one form example of invention, Comprising: It is not limited to these.
(A)有機ELディスプレイ装置の全体構成
図2に、有機ELディスプレイ装置1の主要構成部分を示す。有機ELディスプレイ装置1は、有機ELパネル3、データ線ドライバ5及び走査線ドライバ7を主要な構成要素とする。なお、有機ELディスプレイ装置1は、タイミング信号の発生に必要なタイミングジェネレータ等も搭載する。
(A) Overall Configuration of Organic EL Display Device FIG. 2 shows the main components of the organic
有機ELパネル3は、画素11が基体上にマトリクス状に配置された自発光型の表示デバイスである。この形態例の場合、有機ELパネル3はカラー表示用であり、画素11は発光色別に配置される。ただし、画素11が複数色の発光層を積層した構造の有機EL素子の場合、1つの画素11が複数の発光色に対応する。
The
図3に、データ線DLと走査線WLとの交点位置に形成される画素11と駆動回路との接続関係を示す。
画素11は、スイッチ素子T1、キャパシタC、電流ドライブ素子T2及び有機EL素子Dで構成される。
FIG. 3 shows a connection relationship between the
The
スイッチ素子T1は、データ線DLに印加された信号電圧のキャパシタCへの書き込みを制御するトランジスタである。書き込み信号WSは、走査線ドライバ7から走査線WLを通じて各スイッチ素子T1に供給される。
The switch element T1 is a transistor that controls writing of the signal voltage applied to the data line DL to the capacitor C. The write signal WS is supplied from the
キャパシタCは、書き込まれた信号電圧を1フレームの間保持する記憶素子である。キャパシタCを用いることで、信号電圧の書き込みが線順次に実行される場合でも、面順次走査方式で書き込まれる場合と同様の発光態様が実現される。 The capacitor C is a storage element that holds the written signal voltage for one frame. By using the capacitor C, even when the signal voltage is written line-sequentially, a light emission mode similar to that in the case of writing by the frame sequential scanning method is realized.
電流ドライブ素子T2は、キャパシタCに保持されている信号電圧に応じた駆動電流を有機EL素子Dに供給するトランジスタである。ここでの駆動電流値は、電流ドライブ素子T2のゲートソース間に印加される電圧Vgsにより定まる。 The current drive element T2 is a transistor that supplies a drive current corresponding to the signal voltage held in the capacitor C to the organic EL element D. The drive current value here is determined by the voltage Vgs applied between the gate and source of the current drive element T2.
データ線ドライバ5は、有機ELパネル3のデータ線DLを駆動する回路デバイスである。図4に、データ線ドライバ5の内部構成例を示す。データ線ドライバ5は、各画素に対応する映像信号値(ディジタル値)Dinを信号電圧値Vinに変換するディジタル/アナログ変換器21と、リセット用の基準信号値(ディジタル値)Dref を基準電圧値Vref に変換するディジタル/アナログ変換器23と、スイッチ回路25で構成される。
The
この形態例の場合、基準電圧値Vref は、信号電圧値Vinの可変電圧範囲のうち最も電位が高い白レベル電圧値Vw である。
スイッチ回路25は、不図示のタイミングジェネレータから与えられる切り替え制御信号に基づいて信号電圧値Vin又は基準電圧値Vref をデータ線DLに出力する回路デバイスである。
In the case of this embodiment, the reference voltage value Vref is the white level voltage value Vw having the highest potential in the variable voltage range of the signal voltage value Vin.
The
スイッチ回路25は、少なくとも水平走査期間の開始点と終了点において、データ線DLの電位が基準電圧値Vref にリセットされるように切り替え動作を実行する。具体的には、電位の遷移時間を考慮して設定された時点に基準電圧値Vref への切り替え動作を実行する。
The
図5(A)に、データ線DLに印加される電位VDの変化を示す。図5(A)に示すように、水平走査期間の開始点と終了点の電位VDは、映像信号値の白レベル電位(=Vref )に必ずリセットされる。なお、その他の信号期間における電位は、画素11の応答特性に伴って遷移する。因みに、図5(F)は、水平走査期間を規定する水平同期信号HSである。
FIG. 5A shows a change in the potential VD applied to the data line DL. As shown in FIG. 5A, the potential VD at the start and end points of the horizontal scanning period is always reset to the white level potential (= Vref) of the video signal value. Note that the potential in other signal periods changes according to the response characteristics of the
走査線ドライバ7は、信号電圧値Vinの書き込みタイミングを与える回路デバイスである。走査線ドライバ7は、水平同期信号HSが入力されるたび1つ走査線を選択的に書き込み可能状態に制御する。この形態例の場合、走査線ドライバ7は、水平走査期間T0より短い期間T1だけスイッチ素子T1にオン電位を印加する。
The
なお、オン電位の印加タイミングは、不図示のタイミングジェネレータにより供給される。
図5(B)〜図5(E)に、書き込み信号WSの信号波形例を示す。図5(B)は、第i番目の走査線WLに接続される画素11のうち走査線ドライバ7の近くに位置する画素11(図2の場合、右側に位置する画素)に印加される書き込み信号WSの信号波形例を示す。
Note that the application timing of the ON potential is supplied by a timing generator (not shown).
FIG. 5B to FIG. 5E show signal waveform examples of the write signal WS. FIG. 5B shows writing applied to a pixel 11 (a pixel located on the right side in FIG. 2) located near the
図5(C)は、第i番目の走査線WLに接続される画素11のうち走査線ドライバ7から遠く離れた位置の画素11(図2の場合、左側に位置する画素)に印加される書き込み信号WSの信号波形例を示す。図5(D)は、第i+1番目の走査線WLに接続される画素11のうち走査線ドライバ7の近くに位置する画素11に印加される書き込み信号WSの信号波形例を示す。
FIG. 5C is applied to the
図5(E)は、第i+1番目の走査線WLに接続される画素11のうち走査線ドライバ7から遠く離れた位置の画素11に印加される書き込み信号WSの信号波形例を示す。
図5(B)及び(D)に示すように、書き込み信号WSがオン電位にある期間T1は、水平走査期間T0よりも短くなっていることが分かる。
FIG. 5E shows a signal waveform example of the write signal WS applied to the
As shown in FIGS. 5B and 5D, it can be seen that the period T1 in which the write signal WS is at the ON potential is shorter than the horizontal scanning period T0.
勿論、走査線ドライバ7の近くに位置する各画素の書き込み時間は、従来例(図1)に比して短くなる。しかし、図5(C)及び(E)に示すように、走査線ドライバ7から遠く離れた位置の各画素の書き込み時間は、従来例(図1)と同じかそれ以上に確保できている。
Of course, the writing time of each pixel located near the
これは、駆動周波数に対する立ち上がり立ち下がり特性が改善するためである。すなわち、この形態例で提案する駆動方法により、スイッチ素子T1の応答性が改善されるためである。この応答特性の改善原理は以下の現象に基づいている。 This is because the rise / fall characteristics with respect to the drive frequency are improved. That is, the response of the switching element T1 is improved by the driving method proposed in this embodiment. The principle of improving the response characteristic is based on the following phenomenon.
走査線WLに書き込み信号WS(Hレベル)を印加する前に、既にデータ線DLに白レベルの信号電圧値Vw(=Vref )が印加されている場合、スイッチ素子T1のデータ線DL側が常にドレインとなる。従って、走査線WLからは、図6に示すようにスイッチ素子T1のキャパシタC側に寄生する容量Cgsだけが見える状態になる。 If a white level signal voltage value Vw (= Vref) is already applied to the data line DL before the write signal WS (H level) is applied to the scanning line WL, the data line DL side of the switch element T1 is always drained. It becomes. Therefore, from the scanning line WL, as shown in FIG. 6, only the parasitic capacitance Cgs on the capacitor C side of the switch element T1 is visible.
すなわち、スイッチ素子T1のデータ線DL側に寄生する容量Cgdは、実質的にゼロかキャパシタC側の容量Cgsに比して無視できる状態になる。このため、走査線WLから見た時定数τを小さくことができる。 That is, the capacitance Cgd parasitic on the data line DL side of the switch element T1 becomes substantially zero or negligible compared to the capacitance Cgs on the capacitor C side. For this reason, the time constant τ viewed from the scanning line WL can be reduced.
結果として、書き込み信号WSを立ち上げる際又は立ち下げる際のスイッチ素子T1の応答性が改善する。すなわち、有機ELパネル3の解像度や駆動周波数が上がっても、特別な配線パターンや駆動回路を増やすことなく、十分な書き込み時間を確保することができる。この結果、画像品質が向上する。
As a result, the responsiveness of the switch element T1 when the write signal WS is raised or lowered is improved. That is, even if the resolution and driving frequency of the
また、走査線WL上の画素位置に関わらず、画素間における書き込み位相差を小さくできる。従って、キャパシタC以外に大きな容量素子を有しない有機ELディスプレイ装置1の場合、信号電圧値Vinの書き込み時間を積極的に短縮し、信号電圧値Vinの書き込み時に消費される電力を小さくすることもできる。
In addition, the writing phase difference between pixels can be reduced regardless of the pixel position on the scanning line WL. Therefore, in the case of the organic
(B)他の実装例
(B−1)他の基準電圧例
前述の形態例においては、基準電圧値Vref を、信号電圧値Vinの白レベル電圧値Vw に設定する場合について説明した。
しかし、基準電圧値Vref は、有機ELディスプレイ装置1の駆動条件に応じた電圧値に設定できる。
(B) Other Implementation Examples (B-1) Other Reference Voltage Examples In the foregoing embodiment, the case where the reference voltage value Vref is set to the white level voltage value Vw of the signal voltage value Vin has been described.
However, the reference voltage value Vref can be set to a voltage value according to the driving conditions of the organic
図7に、信号電圧値Vinの可変範囲と書き込み信号WSの可変範囲との間に想定される電圧関係の一例を示す。これらの電圧関係は、適用するシステムに応じて選択的に使用される。
図7(A)は、書き込み信号WSのオン電圧(Hレベル)が信号電圧値VinのHレベル(白レベル)より小さく、書き込み信号WSのオフ電圧(Lレベル)が信号電圧値VinのLレベル(黒レベル)より小さい関係を示す。
FIG. 7 shows an example of a voltage relationship assumed between the variable range of the signal voltage value Vin and the variable range of the write signal WS. These voltage relationships are selectively used depending on the applied system.
FIG. 7A shows that the on voltage (H level) of the write signal WS is smaller than the H level (white level) of the signal voltage value Vin, and the off voltage (L level) of the write signal WS is L level of the signal voltage value Vin. A relationship smaller than (black level) is shown.
図7(B)は、書き込み信号WSのオン電圧(Hレベル)が信号電圧値VinのHレベル(白レベル)より大きく、書き込み信号WSのオフ電圧(Lレベル)が信号電圧値VinのLレベル(黒レベル)より小さい関係を示す。 FIG. 7B shows that the on voltage (H level) of the write signal WS is larger than the H level (white level) of the signal voltage value Vin, and the off voltage (L level) of the write signal WS is L level of the signal voltage value Vin. A relationship smaller than (black level) is shown.
図7(C)は、書き込み信号WSのオン電圧(Hレベル)が信号電圧値VinのHレベル(白レベル)より大きく、書き込み信号WSのオフ電圧(Lレベル)が信号電圧値VinのLレベル(黒レベル)より大きい関係を示す。
ただし、いずれの場合も基準電圧値Vref は、信号電圧値Vinの黒レベル電位より大きい値(スイッチ素子T1のオン電位よりの値)に設定する。
FIG. 7C shows that the on voltage (H level) of the write signal WS is larger than the H level (white level) of the signal voltage value Vin, and the off voltage (L level) of the write signal WS is L level of the signal voltage value Vin. A relationship greater than (black level) is shown.
However, in any case, the reference voltage value Vref is set to a value larger than the black level potential of the signal voltage value Vin (a value from the ON potential of the switch element T1).
なお、スイッチ素子T1がNチャネルFETである場合、基準電圧値Vrefの設定条件は、図8に示すように信号電圧値VinをLレベルからHレベルに立ち上げる際の時定数τの4分の1時点に対応する電圧以上であることが望ましい。 When the switch element T1 is an N-channel FET, the setting condition of the reference voltage value Vref is four minutes of the time constant τ when the signal voltage value Vin is raised from the L level to the H level as shown in FIG. It is desirable that the voltage be equal to or higher than the voltage corresponding to one time point.
図9(A)に、基準電圧値Vref を信号電圧値Vinのほぼ中間電位に設定する場合を示す。なお、図9(B)〜図9(F)は、図5(B)〜図5(F)に対応する。この場合、常に中間電位を基点に信号電圧値Vinの波形が変化する。瞬間的にキャパシタCに印加される電圧を小さくできるため、立ち上がり立ち下がり特性の改善に効果的である。
また、基準電圧値Vref は、スイッチ素子T1のオン電位以上に設定しても良い。
FIG. 9A shows a case where the reference voltage value Vref is set to a substantially intermediate potential of the signal voltage value Vin. 9B to 9F correspond to FIGS. 5B to 5F. In this case, the waveform of the signal voltage value Vin always changes with the intermediate potential as a base point. Since the voltage applied to the capacitor C can be instantaneously reduced, it is effective in improving the rise / fall characteristics.
Further, the reference voltage value Vref may be set to be equal to or higher than the ON potential of the switch element T1.
この他、基準電圧値Vrefは、図10(A)に示すように、信号電圧値Vinの白レベル以上の値に設定しても良い。なお、図10(B)〜図10(F)は、図5(B)〜図5(F)に対応する。 In addition, the reference voltage value Vref may be set to a value equal to or higher than the white level of the signal voltage value Vin as shown in FIG. 10B to 10F correspond to FIGS. 5B to 5F.
この場合、スイッチ素子T1のデータ線DL側は常にドレインとして動作するだけでなく、スイッチ素子T1のドレインソース間電圧Vdsを大きくできる。
すなわち、スイッチ素子T1を飽和領域で駆動させことができる。従って、スイッチ素子T1の応答性を一層高い状態に制御することができる。
In this case, the data line DL side of the switch element T1 always operates as a drain, and the drain-source voltage Vds of the switch element T1 can be increased.
That is, the switch element T1 can be driven in the saturation region. Therefore, the responsiveness of the switch element T1 can be controlled to be higher.
(B−2)他の画素構造
前述の形態例においては、スイッチ素子T1及び電流ドライブ素子T2の両方がNチャネルFETで構成する場合について説明した。
しかし、製造プロセス等に応じて必ずしもこの組み合わせである必要はない。
(B-2) Other Pixel Structure In the above-described embodiment, the case where both the switch element T1 and the current drive element T2 are configured by N-channel FETs has been described.
However, this combination is not necessarily required depending on the manufacturing process.
例えばスイッチ素子T1スイッチ素子T1をNチャネルFETで構成し、電流ドライブ素子T2をPチャネルFETで構成されても良い。また例えばスイッチ素子T1をPチャネルFETで構成し、電流ドライブ素子T2をNチャネルFETで構成されても良い。 For example, the switch element T1 and the switch element T1 may be configured by an N-channel FET, and the current drive element T2 may be configured by a P-channel FET. Further, for example, the switch element T1 may be configured by a P-channel FET, and the current drive element T2 may be configured by an N-channel FET.
また例えば図11に示すように、スイッチ素子T1及び電流ドライブ素子T2の両方をPチャネルFETで構成しても良い。なお、図11には図3との対応部分に同一符号を付して表している。 Further, for example, as shown in FIG. 11, both the switch element T1 and the current drive element T2 may be configured by P-channel FETs. In FIG. 11, the same reference numerals are given to the portions corresponding to those in FIG. 3.
この回路構成の場合、信号電圧値Vinの可変範囲と書き込み信号WSの可変範囲の間には、例えば図12に示す関係が想定される。図12(A)は、書き込み信号WSのオン電圧(Lレベル)が信号電圧値VinのLレベル(白レベル)より小さく、書き込み信号WSのオフ電圧(Hレベル)が信号電圧値VinのHレベル(黒レベル)より小さい関係を示す。 In the case of this circuit configuration, for example, the relationship shown in FIG. 12 is assumed between the variable range of the signal voltage value Vin and the variable range of the write signal WS. FIG. 12A shows that the on voltage (L level) of the write signal WS is smaller than the L level (white level) of the signal voltage value Vin, and the off voltage (H level) of the write signal WS is H level of the signal voltage value Vin. A relationship smaller than (black level) is shown.
図12(B)は、書き込み信号WSのオン電圧(Lレベル)が信号電圧値VinのLレベル(白レベル)より小さく、書き込み信号WSのオフ電圧(Hレベル)が信号電圧値VinのHレベル(黒レベル)より大きい関係を示す。 In FIG. 12B, the on voltage (L level) of the write signal WS is smaller than the L level (white level) of the signal voltage value Vin, and the off voltage (H level) of the write signal WS is H level of the signal voltage value Vin. A relationship greater than (black level) is shown.
図12(C)は、書き込み信号WSのオン電圧(Lレベル)が信号電圧値VinのLレベル(白レベル)より大きく、書き込み信号WSのオフ電圧(Hレベル)が信号電圧値VinのHレベル(黒レベル)より大きい関係を示す。 FIG. 12C shows that the on voltage (L level) of the write signal WS is larger than the L level (white level) of the signal voltage value Vin, and the off voltage (H level) of the write signal WS is H level of the signal voltage value Vin. A relationship greater than (black level) is shown.
ただし、いずれの場合も基準電圧値Vref は、信号電圧値Vinの黒レベル電位より低い値(スイッチ素子T1のオン電位側の値)に設定するのが好ましい。
因みに、スイッチ素子T1がPチャネルFETで実現する場合、基準電圧値Vrefの設定条件は、信号電圧値VinをHレベルからLレベルに立ち下げる際の時定数τの4分の1時点に対応する電圧以下であることが望ましい。
However, in any case, the reference voltage value Vref is preferably set to a value lower than the black level potential of the signal voltage value Vin (a value on the on potential side of the switch element T1).
Incidentally, when the switching element T1 is realized by a P-channel FET, the setting condition of the reference voltage value Vref corresponds to a time point of a quarter of the time constant τ when the signal voltage value Vin falls from the H level to the L level. It is desirable that the voltage is lower than the voltage.
図13に、スイッチ素子T1と電流ドライブ素子T2の両方がPチャネルFETの場合に好適な駆動例を示す。図13(A)は、基準電圧値Vref を信号電圧値Vinの白レベルに設定する場合に、データ線DLに印加される電位VDの信号波形例である。なお、図13(B)〜図13(E)は書き込み信号WSの波形例を示し、図13(F)は水平同期信号HSを示す。 FIG. 13 shows a driving example suitable for the case where both the switch element T1 and the current drive element T2 are P-channel FETs. FIG. 13A shows an example of a signal waveform of the potential VD applied to the data line DL when the reference voltage value Vref is set to the white level of the signal voltage value Vin. 13B to 13E show examples of the waveform of the write signal WS, and FIG. 13F shows the horizontal synchronization signal HS.
同様に、図14(A)は、基準電圧値Vref を信号電圧値Vinのほぼ中間電位に設定する場合に、データ線DLに印加される電位VDの信号波形例である。なお、図14(B)〜図14(F)は書き込み信号WSの波形例を示し、図14(F)は水平同期信号HSを示す。
因みに、基準電圧値Vref は、スイッチ素子T1のオン電位以下に設定しても良い。
Similarly, FIG. 14A shows an example of the signal waveform of the potential VD applied to the data line DL when the reference voltage value Vref is set to a substantially intermediate potential of the signal voltage value Vin. 14B to 14F show examples of the waveform of the write signal WS, and FIG. 14F shows the horizontal synchronization signal HS.
Incidentally, the reference voltage value Vref may be set to be equal to or lower than the ON potential of the switch element T1.
この他、基準電圧値Vrefは、図15(A)に示すように、信号電圧値Vinの白レベル以下に設定しても良い。なお、図15(B)〜図15(F)は書き込み信号WSの波形例を示し、図15(F)は水平同期信号HSを示す。 In addition, the reference voltage value Vref may be set to be equal to or lower than the white level of the signal voltage value Vin as shown in FIG. 15B to 15F show examples of the waveform of the write signal WS, and FIG. 15F shows the horizontal synchronization signal HS.
(B−3)製品例
(a)ドライブIC
有機ELディスプレイ装置1を構成する有機ELパネル3、データ線ドライバ5及び走査線ドライバ7は、いずれも1つのパネル上に形成することもできるが、ドライバと画素マトリクスとを別々に製造し、流通することもできる。
(B-3) Product example (a) Drive IC
The
例えば、データ線ドライバ5及び走査線ドライバ7はそれぞれ独立したドライブIC(integrated
circuit)として製造し、有機ELパネル3とは独立に流通することもできる。
For example, the
circuit) and can be distributed independently from the
(b)表示モジュール
前述した形態例における有機ELディスプレイ装置1は、中間生成品である表示モジュールの形態で流通することもできる。
(B) Display module The organic
図16に、表示モジュール31の外観例を示す。表示モジュール31は、支持基板35の表面に対向部33を貼り合わせた構造を有している。対向部33は、ガラスその他の透明部材を基材とし、その表面にはカラーフィルタ、保護膜、遮光膜等が配置される。
FIG. 16 shows an appearance example of the
なお、表示モジュール31には、外部から支持基板35に信号等を入出力するためのFPC(フレキシブルプリントサーキット)37等が設けられていても良い。
The
(c)電子機器
前述した形態例における有機ELディスプレイ装置1は、電子機器に実装された商品形態でも流通される。
図17に、電子機器41の概念構成例を示す。電子機器41は、前述した有機ELディスプレイ装置1及びシステム制御部43で構成される。システム制御部43で実行される処理内容は、電子機器41の商品形態により異なる。
(C) Electronic device The organic
FIG. 17 illustrates a conceptual configuration example of the
なお、電子機器41は、機器内で生成される又は外部から入力される画像や映像を表示する機能を搭載していれば、特定の分野の機器には限定されない。
この種の電子機器41には、例えばテレビジョン受像機が想定される。図18に、テレビジョン受像機51の外観例を示す。
Note that the
As this type of
テレビジョン受像機51の筐体正面には、フロントパネル53及びフィルターガラス55等で構成される表示画面57が配置される。表示画面57の部分が、形態例で説明した有機ELディスプレイ装置1に対応する。
A
また、この種の電子機器41には、例えばデジタルカメラが想定される。図19に、デジタルカメラ61の外観例を示す。図19(A)が正面側(被写体側)の外観例であり、図19(B)が背面側(撮影者側)の外観例である。
Further, for example, a digital camera is assumed as this type of
デジタルカメラ61は、撮像レンズ(図19は保護カバー63が閉じた状態であるので、保護カバー63の裏面側に配置される。)、フラッシュ用発光部65、表示画面67、コントロールスイッチ69及びシャッターボタン71で構成される。このうち、表示画面67の部分が、形態例で説明した有機ELディスプレイ装置1に対応する。
The
また、この種の電子機器41には、例えばビデオカメラが想定される。図20に、ビデオカメラ81の外観例を示す。
ビデオカメラ81は、本体83の前方に被写体を撮像する撮像レンズ85、撮影のスタート/ストップスイッチ87及び表示画面89で構成される。このうち、表示画面89の部分が、形態例で説明した有機ELディスプレイ装置1に対応する。
For example, a video camera is assumed as this type of
The
また、この種の電子機器41には、例えば携帯端末装置が想定される。図21に、携帯端末装置としての携帯電話機91の外観例を示す。図21に示す携帯電話機91は折りたたみ式であり、図21(A)が筐体を開いた状態の外観例であり、図21(B)が筐体を折りたたんだ状態の外観例である。
Further, for example, a portable terminal device is assumed as this type of
携帯電話機91は、上側筐体93、下側筐体95、連結部(この例ではヒンジ部)97、表示画面99、補助表示画面101、ピクチャーライト103及び撮像レンズ105で構成される。このうち、表示画面99及び補助表示画面101の部分が、形態例で説明した有機ELディスプレイ装置1に対応する。
The
また、この種の電子機器41には、例えばコンピュータが想定される。図22に、ノート型コンピュータ111の外観例を示す。
ノート型コンピュータ111は、下型筐体113、上側筐体115、キーボード117及び表示画面119で構成される。このうち、表示画面119の部分が、形態例で説明した有機ELディスプレイ装置1に対応する。
Further, for example, a computer is assumed as this type of
The
これらの他、電子機器41には、オーディオ再生装置、ゲーム機、電子ブック、電子辞書等が想定される。
In addition to these, the
(B−4)他の表示デバイス例
形態例の説明においては、表示デバイスが有機ELディスプレイ装置1である場合について説明した。
しかし、データ線ドライバ5及び走査線ドライバ7は、その他の自発光表示装置にも適用することができる。例えば無機ELディスプレイ装置、LEDを配列する表示装置、FEDディスプレイ装置やPDPディスプレイ装置等にも適用できる。
(B-4) Other Display Device Examples In the description of the embodiments, the case where the display device is the organic
However, the
また、データ線ドライバ5及び走査線ドライバ7は、液晶表示装置等の非自発光表示装置にも適用できる。
図23に、データ線DLと走査線WLとの交点位置に形成される画素121と駆動回路との接続関係を示す。
The
FIG. 23 shows a connection relationship between the pixel 121 formed at the intersection of the data line DL and the scanning line WL and the driver circuit.
図23に示すように、画素121の等価回路は、スイッチ素子T1とキャパシタC1として表すことができる。キャパシタC1が画素電極と対向電極に挟まれる液晶に対応する。発明者の提案する駆動方法を液晶表示装置に応用する場合にも、書き込み時間を安定的に長く確保することができる。従って、コストの増加を伴うことなく画質の向上を実現できる。 As shown in FIG. 23, the equivalent circuit of the pixel 121 can be expressed as a switch element T1 and a capacitor C1. The capacitor C1 corresponds to the liquid crystal sandwiched between the pixel electrode and the counter electrode. Even when the driving method proposed by the inventor is applied to a liquid crystal display device, a long writing time can be secured stably. Therefore, the image quality can be improved without increasing the cost.
(B−5)制御デバイス構成
前述の説明では、データ線ドライバ5による基準電圧値Vref への切り替えタイミングの制御や走査線ドライバ7によるオフ電圧への切り替えタイミングをハードウェア的に制御する場合について説明した。
しかし、これらの制御タイミングは、ソフトウェア処理を通じて制御しても良い。
(B-5) Control Device Configuration In the above description, the case of controlling the switching timing to the reference voltage value Vref by the
However, these control timings may be controlled through software processing.
(B−6)その他
前述した形態例には、発明の趣旨の範囲内で様々な変形例が考えられる。また、本明細書の記載に基づいて創作される又は組み合わせられる各種の変形例及び応用例も考えられる。
(B-6) Others Various modifications can be considered for the above-described embodiments within the scope of the invention. Various modifications and applications created or combined based on the description of the present specification are also conceivable.
1 有機ELディスプレイ装置
3 有機ELパネル
5 データ線ドライバ
7 走査線ドライバ
41 電子機器
DESCRIPTION OF
Claims (18)
各水平走査期間の開始点と終了点のデータ線印加電位を、信号電圧の黒レベル電位よりスイッチ素子のオン電位側に位置する任意の基準電圧値にリセットする
ことを特徴とするデータ線駆動回路。 In a data line driving circuit used for an active matrix driving type display device,
A data line driving circuit characterized in that the data line applied potential at the start point and end point of each horizontal scanning period is reset to an arbitrary reference voltage value positioned on the switch element on potential side from the black level potential of the signal voltage .
スイッチ素子がNチャネル型の場合、前記基準電圧値はスイッチ素子のオン電位以上に設定される
ことを特徴とするデータ線駆動回路。 The data line driving circuit according to claim 1,
When the switch element is an N-channel type, the reference voltage value is set to be equal to or higher than the ON potential of the switch element.
スイッチ素子がPチャネル型の場合、前記基準電圧値はスイッチ素子のオン電位以下に設定される
ことを特徴とするデータ線駆動回路。 The data line driving circuit according to claim 1,
When the switch element is a P-channel type, the reference voltage value is set to be equal to or lower than the ON potential of the switch element.
スイッチ素子がNチャネル型の場合、前記基準電圧値は信号電圧の白レベル以上に設定される
ことを特徴とするデータ線駆動回路。 The data line driving circuit according to claim 1,
When the switch element is an N-channel type, the reference voltage value is set to be equal to or higher than the white level of the signal voltage.
スイッチ素子がPチャネル型の場合、前記基準電圧値は信号電圧の白レベル以下に設定される
ことを特徴とするデータ線駆動回路。 The data line driving circuit according to claim 1,
When the switching element is a P-channel type, the reference voltage value is set to be equal to or lower than the white level of the signal voltage.
スイッチ素子がNチャネル型の場合、前記基準電圧値は、信号電圧値をLレベルからHレベルに立ち上げる際の時定数τの4分の1時点に対応する電圧値以上に設定する
ことを特徴とするデータ線駆動回路。 The data line driving circuit according to claim 1,
When the switch element is an N-channel type, the reference voltage value is set to be equal to or higher than a voltage value corresponding to a time point ¼ of the time constant τ when the signal voltage value rises from the L level to the H level. A data line driving circuit.
スイッチ素子がPチャネル型の場合、前記基準電圧値は、信号電圧値をHレベルからLレベルに立ち下げる際の時定数τの4分の1時点に対応する電圧値以下に設定される
ことを特徴とするデータ線駆動回路。 The data line driving circuit according to claim 1,
When the switch element is a P-channel type, the reference voltage value is set to be equal to or less than a voltage value corresponding to a time point ¼ of the time constant τ when the signal voltage value falls from the H level to the L level. A characteristic data line driving circuit.
各水平走査期間の開始点と終了点のデータ線印加電位が、信号電圧の黒レベル電位よりスイッチ素子のオン電位側に位置する任意の基準電圧値にリセットされる場合に、スイッチ素子のオン期間を、データ線の電位が信号電位に維持されている期間内に制御する
ことを特徴とする走査線駆動回路。 In a scanning line driving circuit for driving an active matrix driving type display device,
When the data line applied potential at the start point and end point of each horizontal scanning period is reset to an arbitrary reference voltage value positioned on the switch element on potential side from the black level potential of the signal voltage, the switch element on period The scan line driver circuit is controlled within a period in which the potential of the data line is maintained at the signal potential.
各水平走査期間の開始点と終了点のデータ線印加電位を、信号電圧の黒レベル電位よりスイッチ素子のオン電位側に位置する任意の基準電圧値にリセットするデータ線駆動回路と、
スイッチ素子のオン期間を制御する走査線駆動回路と
を有することを特徴とする表示装置。 A display device having a pixel structure corresponding to an active matrix driving method;
A data line driving circuit for resetting the data line applied potential at the start point and end point of each horizontal scanning period to an arbitrary reference voltage value located on the ON potential side of the switch element from the black level potential of the signal voltage;
And a scanning line driving circuit for controlling an ON period of the switch element.
前記走査線駆動回路は、スイッチ素子のオン期間を、データ線の電位が信号電位に維持される期間より短く制御する
ことを特徴とする表示装置。 The display device according to claim 9, wherein
The scanning line driver circuit controls the ON period of the switch element to be shorter than the period in which the potential of the data line is maintained at the signal potential.
前記表示デバイスは、非自発光表示デバイスである
ことを特徴とする表示装置。 The display device according to claim 9, wherein
The display device is a non-self-luminous display device.
前記表示デバイスは、自発光表示デバイスである
ことを特徴とする表示装置。 The display device according to claim 9, wherein
The display device is a self-luminous display device.
前記表示デバイスは、エレクトロルミネセンス型の表示デバイスである
ことを特徴とする表示装置。 The display device according to claim 9, wherein
The display device is an electroluminescence type display device.
各水平走査期間の開始点と終了点のデータ線印加電位を、信号電圧の黒レベル電位よりスイッチ素子のオン電位側に位置する任意の基準電圧値にリセットするデータ線駆動回路と、
スイッチ素子のオン期間を制御する走査線駆動回路と、
信号処理部と
を有することを特徴とする電子機器。 A display device having a structure corresponding to the active matrix driving method;
A data line driving circuit for resetting the data line applied potential at the start point and end point of each horizontal scanning period to an arbitrary reference voltage value located on the ON potential side of the switch element from the black level potential of the signal voltage;
A scanning line driving circuit for controlling the ON period of the switch element;
An electronic device comprising: a signal processing unit.
各水平走査期間の開始点と終了点のデータ線印加電位を、信号電圧の黒レベル電位よりスイッチ素子のオン電位側に位置する任意の基準電圧値にリセットする
ことを特徴とするデータ線駆動方法。 A data line driving method for an active matrix driving display device,
A data line driving method characterized in that the data line applied potential at the start point and end point of each horizontal scanning period is reset to an arbitrary reference voltage value located on the on potential side of the switch element from the black level potential of the signal voltage .
各水平走査期間の開始点と終了点のデータ線印加電位が、信号電圧の黒レベル電位よりスイッチ素子のオン電位側に位置する任意の基準電圧値にリセットされる場合に、スイッチ素子のオン期間を、データ線の電位が信号電位に維持されている期間より短く制御する
ことを特徴とする走査線駆動方法。 A scanning line driving method of an active matrix driving display device,
When the data line applied potential at the start point and end point of each horizontal scanning period is reset to an arbitrary reference voltage value positioned on the switch element on potential side from the black level potential of the signal voltage, the switch element on period Is controlled to be shorter than a period in which the potential of the data line is maintained at the signal potential.
各水平走査期間の開始点と終了点のデータ線印加電位を、信号電圧の黒レベル電位よりスイッチ素子のオン電位側に位置する任意の基準電圧値にリセットする処理を実行させる
ことを特徴とするコンピュータプログラム。 In a computer that controls the drive timing of data lines in an active matrix drive type display device,
A process of resetting the data line applied potential at the start point and end point of each horizontal scanning period to an arbitrary reference voltage value positioned on the switch element on potential side with respect to the black level potential of the signal voltage. Computer program.
スイッチ素子のオン期間を、データ線の電位が信号電位に維持されている期間より短く制御させる
ことを特徴とするコンピュータプログラム。 Active matrix drive when the data line applied potential at the start point and end point of each horizontal scanning period is reset to an arbitrary reference voltage value positioned on the switch element on potential side from the black level potential of the signal voltage A computer for controlling the drive timing of scanning lines in a display device,
A computer program for controlling an ON period of a switch element to be shorter than a period in which a potential of a data line is maintained at a signal potential.
Priority Applications (1)
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