JP2008147364A - 半導体ウエハを洗浄する装置と方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 周方向に伸びる段差部が形成されている半導体ウエハの表面を、段差部よりも半径方向外側で洗浄液を供給することなく洗浄可能な技術を提供する。
【解決手段】 周方向に伸びる段差部が形成されている半導体ウエハの表面を洗浄する装置であって、前記半導体ウエハを周方向に回転させる回転手段と、前記回転手段によって回転している前記半導体ウエハの表面の前記段差部よりも半径方向内側の位置に洗浄液を供給するノズルと、前記回転手段によって回転させられている前記半導体ウエハの表面に前記段差部を跨いで対向する対向面を有するガイド部材を備えている。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体ウエハの表面を洗浄する技術に関する。

回転している半導体ウエハの表面に洗浄液を供給し、半導体ウエハの表面を洗浄する技術が知られている。
例えば特許文献１には、上記の技術を利用した半導体ウエハの洗浄装置が開示されている。特許文献１に記載の洗浄装置は、半導体ウエハを保持して回転させる保持装置と、保持装置によって回転させられている半導体ウエハの表面に洗浄液を供給するノズルを備えている。この洗浄装置では、半導体ウエハの表面に供給された洗浄液が、遠心力によって半径方向外側へ移動し、半導体ウエハの周縁部から吹き飛ばされるようになっている。

特開平８−３２３３０３号公報

半導体ウエハの表面に周方向に伸びる段差部が形成されていると、洗浄液が半導体ウエハの表面を半径方向外側へ移動したときに、段差部において洗浄液が飛散してしまう。その結果、段差部よりも半径方向外側の領域に洗浄液が行き渡らず、段差部よりも半径方向外側の領域に洗浄ムラが生じてしまう。
本発明は、上記の問題を解決する。本発明は、周方向に伸びる段差部が形成されている半導体ウエハの表面を良好に洗浄可能な技術を提供する。

本発明は、周方向に伸びる段差部が形成されている半導体ウエハの表面を洗浄する装置を提供する。この洗浄装置は、前記半導体ウエハを周方向に回転させる回転手段と、前記回転手段によって回転している前記半導体ウエハの表面の前記段差部よりも半径方向内側の位置に洗浄液を供給するノズルと、前記回転手段によって回転している前記半導体ウエハの表面に前記段差部を跨いで対向する対向面を有するガイド部材を備えている。

この洗浄装置では、半導体ウエハの表面の段差部よりも半径方向内側の位置に洗浄液を供給する。半導体ウエハの表面に供給された洗浄液は、半導体ウエハの表面に沿って半径方向外側に向けて移動する。このとき、段差部では、洗浄液が対向面によって案内される。それにより、段差部において洗浄液が飛散することが防止され、段差部よりも半径方向外側にも洗浄液が行き渡る。段差部よりも半径方向外側の領域が、洗浄液によって十分に洗浄される。
この洗浄装置によると、周方向に伸びる段差部が形成されている半導体ウエハの表面を良好に洗浄することができる。

上記の洗浄装置において、前記対向面には、前記半導体ウエハの段差部を跨いで少なくとも径方向に伸びる溝部が形成されていることが好ましい。
それにより、段差部よりも半径方向外側領域に、より多くの洗浄液を行き渡らせることができる。

上記の洗浄装置において、前記ノズルは、前記ガイド部材に形成されていることが好ましい。この場合、前記ガイド部材の対向面は、少なくとも前記ノズルの形成位置から前記半導体ウエハの外周端まで伸びていることが好ましい。
この洗浄装置では、半導体ウエハの表面を移動する洗浄液が、洗浄ノズルに対向する位置から半導体ウエハの外周端に至るまで案内される。それにより、半導体ウエハの表面をより確実に洗浄することができる。

上記した洗浄装置は、第１段差部と、第１段差部よりも半径方向外側に位置する第２段差部が形成されている半導体ウエハの表面を洗浄することもできる。この場合、洗浄装置は、半導体ウエハの表面の第１段差部よりも半径方向内側の位置に洗浄液を供給する第１ノズルと、前記半導体ウエハの表面の前記第１段差部よりも半径方向外側であるとともに前記第２段差部よりも半径方向内側の位置に洗浄液を供給する第２ノズルを備えることが好ましい。
それにより、第１段差部と第２段差部が形成されている半導体ウエハの表面を、より確実に洗浄することができる。

上記の洗浄装置において、前記対向面の半径方向外側端は、前記対向面の半径方向内側端よりも、前記回転手段による半導体ウエハの回転方向下流側に位置することが好ましい。
半導体ウエハの表面に供給された洗浄液は、半導体ウエハと共に回転しようとする。この洗浄装置では、洗浄液の移動方向に沿って対向面が形成されているので、段差部よりも半径方向外側の領域に、より多くの洗浄液を行き渡らせることができる。

本発明の技術は、周方向に伸びる段差部が形成されている半導体ウエハの表面を洗浄する方法に具現化することもできる。この方法は、前記半導体ウエハを周方向に回転させておく工程と、回転している前記半導体ウエハの表面の前記段差部よりも半径方向内側の位置に洗浄液を供給する工程と、回転している前記半導体ウエハの表面に前記段差部を跨いで対向する対向面を配置する工程を備えている。
この洗浄方法によると、周方向に伸びる段差部が形成されている半導体ウエハの表面を洗浄することができる。

本発明によって、表面が平坦な半導体ウエハのみでなく、周方向に伸びる段差部が形成されている半導体ウエハの表面を洗浄することが可能となる。

最初に、以下に説明する実施例の主要な特徴を列記する。
（特徴１） 洗浄装置は、４つのノズルと、４つの対向面を備えている。
（特徴２） ノズルは、半導体ウエハの表面に対して半径方向外側に傾いた方向へ洗浄液を噴射する。
（特徴３） 洗浄装置は、複数の段差部が形成されている半導体ウエハを洗浄することができる。例えば、第１段差部と、第１段差部よりも半径方向外側に位置する第２段差部が形成されている場合、第１段差部よりも半径方向内側の位置に洗浄液を供給することによって、第１段差部よりも半径方向内側の領域から、第２段差部よりも半径方向外側の領域まで、半導体ウエハの表面を洗浄することができる。あるいは、第１段差部よりも半径方向内側の領域を洗浄する必要がない場合は、ノズルが第１段差部よりも半径方向外側であるとともに前記第２段差部よりも半径方向内側の位置で洗浄液を供給すればよい。複数の段差部が形成されている半導体ウエハを洗浄する場合、洗浄を必要とする範囲に存在する段差部よりも半径方向内側の位置に洗浄液を供給すればよく、すべての段差部よりも半径方向内側の位置に洗浄液を供給する必要は必ずしもない。

（実施例１）
本発明を実施した実施例について図面を参照しながら説明する。図１は、実施例１の半導体ウエハ１００の洗浄装置１０を示している。図２は、図１のII−II線における断面図を示している。図２では、洗浄装置１０の図示を明瞭にするために、半導体ウエハ１００の輪郭のみを破線で示す。図３は、図１のIII−III線における断面図を示している。図１に示すように、洗浄装置１０は、半導体ウエハ１００の表面１１４を洗浄する装置である。洗浄装置１０は、表面が平坦な半導体ウエハのみでなく、表面１１４に段差部１１４ｂが形成されている半導体ウエハ１００を良好に洗浄することができる。ここで、半導体ウエハ１００は、半導体材料（例えばシリコン）の単結晶体である。半導体ウエハ１００は、結晶成長させた半導体材料のインゴッドをスライスして製造される。

最初に、図１、図９を参照して、洗浄装置１０が洗浄する半導体ウエハ１００について説明する。図９は、半導体ウエハ１００の斜視図である。半導体ウエハ１００は、表面１１２（図１参照）と、それに対向する表面１１４（図１、図９参照）を有する円板形状を有している。以下では、説明の便宜を図るために、図１中の上側に位置する表面１１２を表側表面１１２と称し、図１中の下側に位置する表面１１４を裏側表面と称する。半導体ウエハ１００の表側表面１１２は平坦面であり、半導体ウエハ１００の裏側表面１１４は非平坦面である。裏側表面１１４には、中心部１１４ａと、段差部１１４ｂと、突出部１１４ｃが形成されている。中心部１１４ａは、半導体ウエハ１００の中心軸１２０を中心とする円形の平坦面である。突出部１１４ｃは、中心部１１４ａに対して中心軸１２０に沿った方向に突出している。突出部１１４ｃは、裏側表面の周縁１１４ｄに沿ってリング状に伸びている。段差部１１４ｂは、中心部１１４ａと突出部１１４ｃとの間に位置している。段差部１１４ｂは、中心軸１２０に沿った方向に伸びる円筒面である。このように、半導体ウエハ１００の裏側表面１１４には、段差を形成する段差部１１４ｂが、周方向に伸びている。段差部１１４ｂは、半径方向内側領域よりも半径方向外側領域の方が高くなる（ここでは厚みが増す）段差を形成している。
ここで、図１、図９に示す半導体ウエハ１００は、洗浄装置１０が洗浄可能な半導体ウエハの一例であり、洗浄装置１０が洗浄可能な半導体ウエハを限定するものではない。

図１、図２に示すように、洗浄装置１０は、半導体ウエハ１００を保持して回転させる保持装置５０と、保持装置５０によって保持された半導体ウエハ１００の裏側表面１１４に向かい合う４つのガイド部材４０を備えている。保持装置５０は、半導体ウエハ１００の裏側表面１１４を吸着するチャック部５２と、チャック部５２が固定されている回転シャフト５４と、回転シャフト５４を回転させる駆動部５６を備えている。４つのガイド部材４０は、半導体ウエハ１００の回転方向Ｄ１に沿って等間隔に配置されている。また、洗浄装置１０は、保持装置５０によって保持された半導体ウエハ１００を収容するカバー２０と、ガイド部材４０に洗浄液２を加圧供給する洗浄液供給装置６０を備えている。洗浄液供給装置６０は、洗浄液を貯留するタンク６２と、タンク６２から洗浄液２を送り出すポンプ６４と、ポンプ６４が送り出した洗浄液２をガイド部材４０に導く管路６６を備えている。

図１、図２に示すように、ガイド部材４０には、ノズル３０と、半導体ウエハ１００の裏側表面１１４に対向する対向面４２が形成されている。ノズル３０は、洗浄液供給装置６０から供給された洗浄液２を、半導体ウエハ１００の裏側表面１１４に向けて噴射する。ノズル３０は、半導体ウエハ１００の半径方向外側Ｄ２に傾けられている。それにより、ノズル３０が噴射した洗浄液２は、裏側表面１１４に沿って半径方向外側Ｄ２に移動する。ノズル３０は、半導体ウエハ１００の裏側表面１１４の段差部１１４ｂよりも、半導体ウエハ１００の半径方向内側に位置している。ノズル３０は、対向面４２上に形成されている。
対向面４２は、ノズル３０から半径方向外側Ｄ２に向けて伸びている。対向面４２は、半導体ウエハ１００の段差部１１４ｂを越える位置まで伸びており、半導体ウエハ１００の裏側表面１１４の段差部１１４ｂを跨いで対向している。対向面４２は、半導体ウエハ１００の裏側表面１１４の外周１１４ｄ（図４参照）まで伸びている。半導体ウエハ１００の裏側表面１１４と対向面４２との距離は、裏側表面１１４と対向面４２との間が洗浄液２で満たされる距離に設定されている。この距離は、洗浄液２と半導体ウエハ１００との親和性、洗浄液２とガイド部材４０との親和性、ノズル３０から噴射する洗浄液２の量や噴射速度等によって相違する。図１、図２、図３に示すように、対向面４２には、半導体ウエハ１００の半径方向に沿って伸びる溝部４４が形成されている。溝部４４は、半導体ウエハ１００の中心部１１４ａに対向する位置から、段差部１１４ｂに対向する位置を越えて、ガイド部材４０の端部まで伸びている。即ち、溝部４４は、段差部１１４ｂを跨ぐように形成されている。溝部４４の断面形状は、図３に示す半円形状に限られない。
洗浄装置１０に設けるガイド部材４０の数は４つに限定されない。少なくとも一つのガイド部材４０を設ければよく、５つ以上のガイド部材４０を設けてもよい。

洗浄装置１０によって半導体ウエハ１００を洗浄する手順について説明する。先ず、洗浄する半導体ウエハ１００を、保持装置５０のチャック部５２に固定する。このとき、半導体ウエハ１００の中心軸１２０を、保持装置５０の回転軸に一致させる。また、洗浄する裏側表面１１４をチャック部５２に吸着させ、裏側表面１１４をガイド部材４０に対向させる。次いで、保持装置５０によって半導体ウエハ１００を回転させるとともに、洗浄液供給装置６０によって洗浄液２の供給を開始する。それにより、回転している半導体ウエハ１００の裏側表面１１４に、ノズル３０から洗浄液２が供給される。

図４は、ノズル３０から供給された洗浄液２が流れる様子を示している。図４に示すように、ノズル３０は、半径方向外側Ｄ２に傾いた方向Ｄ３に洗浄液２を噴射する。それにより、ノズル３０から噴射された洗浄液２は、半導体ウエハ１００の裏側表面１１４とガイド部材４０の対向面４２との間を、半径方向外側Ｄ２に向けて流れていく。そして、洗浄液２は、裏側表面１１４の外周端１１４ｄと対向面４２の外周端４２ｂの間から排出される。ここで、対向面４２の外周端４２ｂは、裏側表面１１４の外周端１１４ｄに対向する位置まで伸びている。半導体ウエハ１００の裏側表面１１４とガイド部材４０の対向面４２との間に、洗浄液２の流路が形成される。半導体ウエハ１００は回転しているが、洗浄液２の対向面４２に対する親水性によって、洗浄液２は裏側表面１１４と対向面４２との間に保持される。それにより、半導体ウエハ１００の裏側表面１１４ｂは、対向面４２に沿って流れる洗浄液２によって払拭される状態となる。洗浄液２の流路上には段差部１１４ｂが存在するが、段差部１１４ｂで洗浄液２が飛び散ることはない。洗浄液２は段差部１１４ｂを越えて流れ、突出部１１４ｃの外周端１１４ｄまで確実に洗浄される。また、カバー２０内で洗浄液２がミスト状に浮遊することも防止され、半導体ウエハ１００の裏側表面１１４に汚れが再付着することも防止される。
対向面４２に形成された溝部４４は、半径方向外側Ｄ２に流れる洗浄液２を案内する。また溝部４４は、洗浄液２の流路面積が段差部１１４ｂにおいて変化する割合を低減し、洗浄液２の流れを安定させる。
なお、洗浄液２の一部は、半導体ウエハ１００に付着して、半導体ウエハ１００と共に回転する。この場合、洗浄液２は、回転方向の下流側に位置する他のガイド部材４０の洗浄液２に吸収されるか、遠心力によって振り落とされるので、問題とはならない。

本実施例の洗浄装置１０によると、洗浄液２が段差部１１４ｂを越えるときに、ガイド部材４０の対向面４２によって案内されることから、段差部１１４や段差部１１４ｂよりも半径方向外側に位置する突出部１１４ｃを確実に洗浄することができる。
洗浄装置１０は、一つの段差部１１４ｂが形成された半導体ウエハ１００のみでなく、複数の段差部が形成された半導体ウエハの表面を洗浄することもできる。また、段差部１１４ｂのように半径方向内側領域（中心部１１４ａ）に対して半径方向外側領域（突出部１１４ｃ）が高くなる段差部のみでなく、半径方向内側領域に対して半径方向外側領域が低くなる段差部が形成されている半導体ウエハの表面を洗浄することもできる。

図５は、洗浄装置１０が、周方向に伸びる複数の段差部が形成された半導体ウエハ２００の表面２１４を洗浄する様子を示している。図５に示すように、半導体ウエハ２００の裏側表面２１４には、中心部２１４ａと、第１上昇段差部２１４ｂと、第１突出部２１４ｃと、第１下降段差部２１４ｄと、間隙部２１４ｅと、第２上昇段差部２１４ｆと、第２突出部２１４ｇが形成されている。中心部２１４ａは、円形の平坦面である。第１突出部２１４ｃは、中心部２１４ａの周囲に形成されており、中心部２１４ａに対して突出している。第１上昇段差部２１４ｂは、中心部２１４ａと第１突出部２１４ｃとの間に形成されており、半径方向内側領域に対して半径方向外側領域の方が高くなる段差を形成している。間隙部２１４ｅは、第１突出部２１４ｃの周囲に形成されており、第１突出部２１４ｃに対して沈下している。第１下降段差部２１４ｄは、第１突出部２１４ｃと間隙部２１４ｅとの間に形成されており、半径方向内側領域に対して半径方向外側領域の方が低くなる段差を形成している。第２突出部２１４ｇは、間隙部２１４ｅの周囲に形成されており、間隙部２１４ｅに対して突出している。第２上昇段差部２１４ｆは、間隙部２１４ｅと第２突出部２１４ｇとの間に形成されており、半径方向内側領域に対して半径方向外側領域の方が高くなる段差を形成している。
図５に示すように、ノズル３０は、複数の段差部２１４ｂ、２１４ｄ、２１４ｆよりも半径方向内側に位置している。ガイド部材４０の対向面４２は、複数の段差部２１４ｂ、２１４ｄ、２１４ｆを跨いで裏側表面２１４に対向している。それにより、洗浄液２は、複数の段差部２１４ｂ、２１４ｄ、２１４ｆを越えながら、裏側表面２１４に沿って流れる。裏側表面２１４は洗浄液２によって確実に洗浄される。

図５に示す場合において、ノズル３０は、すべての段差部２１４ｂ、２１４ｄ、２１４ｆよりも半径方向内側に位置する必要はない。ノズル３０は、裏側表面２１４を洗浄する範囲に応じて、適宜調整すればよい。例えば、中心部２１４ａと第１上昇段差部２１４ｂと第１突出部２１４ｃを洗浄する必要がなければ、ノズル３０を第１突出部２１４ｃに対向する位置に設けるとよい。この場合、第１下降段差部２１４ｄと、間隙部２１４ｅと、第２上昇段差部２１４ｆと、第２突出部２１４ｇを洗浄することができる。

図６に示すように、複数の段差部２１４ｂ、２１４ｄ、２１４ｆが形成された半導体ウエハ２００の表面２１４を洗浄する場合、各ガイド部材４０に第２のノズル３２を付加してもよい。この場合、第１のノズル３０は、第１上昇段差部２１４ｂよりも半径方向内側に位置させるとよい。そして、第２のノズル３２は、第１下降段差部２１４ｄよりも半径方向外側であって、第２上昇段差部２１４ｆよりも半径方向内側に位置させるとよい。この場合、ノズル３０、３２は、裏側表面２１４と対向面４２との間隔が広い範囲に配置される。このように、裏側表面２１４と対向面４２との間隔が半径方向外側Ｄ２に沿って縮小と拡大を繰り返す場合、裏側表面２１４と対向面４２との間隔が広い位置にノズル３０、３２を設けることによって、裏側表面２１４と対向面４２との間を洗浄液２で確実に満たすことができる。

図７に示すように、実施例１の洗浄装置１０において、ガイド部材４０の向きを変更することもできる。ノズル３０から噴射された洗浄液２は、半導体ウエハ１０、２００の回転に引き摺られて、半導体ウエハ１０、２００の回転方向Ｄ１に流れようとする。そのことから、洗浄液２と半導体材料との親和性等によっては、対向面４２を回転方向Ｄ１に傾けて配置するとよい。即ち、対向面４２の半径方向外側端４２ｂを、対向面４２の半径方向内側端４２ａよりも、半導体ウエハ１００の回転方向Ｄ１の下流側に位置させるとよい。

（実施例２）
本発明を実施した実施例２について図面を参照して説明する。図８は、実施例２の洗浄装置１４を示している。実施例２の洗浄装置１４では、実施例１の洗浄装置１０と比較して、以下の点が変更されている。第１に、実施例２の洗浄装置１４では、半導体ウエハ１００の洗浄すべき裏側表面１１４が上方に位置するように、保持装置５０のチャック部５２によって半導体ウエハ１００の表側表面１１２を保持する。第２に、ガイド部材４０が、４つから１つに削減されている。第２に、ガイド部材４０が、保持装置５０によって保持された半導体ウエハ１００の上方に配置される。第３に、ガイド部材４０の寸法が変更されており、半導体ウエハ１００の中心軸１２０上にノズル３０が配置されている。

本実施例２の洗浄装置１４においても、ノズル３０から半導体ウエハの裏側表面１１４に洗浄液２が供給される。このとき、洗浄液２は、半導体ウエハ１００の中心軸１２０の位置に供給される。洗浄液２は、半導体ウエハ１００の裏側表面１１４とガイド部材４０の対向面４２との間を、半導体ウエハ１００の半径方向外側Ｄ２に流れる。対向面４２は、半導体ウエハ１００の裏側表面１１４に、中心軸１２０の位置から段差部１１４ｂを跨いで外周縁１１４ｄまで対向している。それにより、洗浄液２は、半導体ウエハ１００の裏側表面１１４を、中心軸１２０の位置から段差部１１４ｂを越えて外周縁１１４ｄまで流れる。洗浄液２が段差部１１４で飛び散ることがない。半導体ウエハ１００の裏側表面１１４は、中心軸１２０の位置から外周端１１４ｄに至るまで、洗浄液２によって洗浄される。
本実施例の洗浄装置１４では、ガイド部材４０が、半導体ウエハ１００に対して保持装置５０と反対側に配置されている。それにより、非洗浄面である表側表面１１２によって半導体ウエハ１００を保持し、洗浄面である裏側表面１１４の全面洗浄することができる。

以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示にすぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。
例えば、ノズル３０は、必ずしもガイド部材４０に設ける必要はなく、ガイド部材４０から独立させて設けてもよい。
ノズル３０は、洗浄液２の噴射方向を調整できる構成としてもよい。また、ガイド部材４０の位置を調整できる構成とし、半導体ウエハ１００の裏側表面１１４と対向面４２との距離を調整できるようにしてもよい。
洗浄液供給装置６０に、複数種類の洗浄液を貯留するための複数のタンクと、複数のタンクの一つを選択的にポンプに接続する切換弁を設けてもよい。それにより、半導体ウエハ１００の裏側表面１１４から除去すべき物質に応じて、適切な種類の洗浄液を供給することが可能となる。
ガイド部材４０を、半導体ウエハ１００の中心軸１２０回りに回転させる構成としてもよい。それにより、ノズル３０から噴射される洗浄液２は、自身に作用する遠心力によって、半導体ウエハ１００の半径方向外側に向けて移動する。この場合、ノズル３０を半導体ウエハ１００の半径方向外側に傾けて設ける必要はない。ただし、半導体ウエハ１００の回転速度と、ガイド部材４０の回転速度には、速度差を設ける必要がある。
本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組み合わせによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時の請求項に記載の組み合わせに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成するものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。

実施例１の洗浄装置を示す模式図。 図１中のII−II線断面図。 図１中のIII−III線断面図。 洗浄液の流れを示す図。 複数の段差が形成された半導体ウエハを洗浄する様子を示す図。 複数のノズルを設けた変形例を示す図。 ガイド部材の向きを変化させた変形例を示す図。 実施例２の洗浄装置を示す模式図。 半導体ウエハの斜視図。

符号の説明

２：洗浄液
１０、１４：洗浄装置
２０：カバー
３０：ノズル
４０：ガイド部材
４２：対向面
４４：溝部
５０：保持装置
５２：チャック部
５４：回転シャフト
５６：駆動部
６０：洗浄液供給装置
６２：洗浄液のタンク
６４：ポンプ
１００：半導体ウエハ
１１２：半導体ウエハの表側表面
１１４：半導体ウエハの裏側表面
１１４ｂ：段差部

Claims (6)

1. 周方向に伸びる段差部が形成されている半導体ウエハの表面を洗浄する装置であって、
   前記半導体ウエハを周方向に回転させる回転手段と、
   前記回転手段によって回転している前記半導体ウエハの表面の前記段差部よりも半径方向内側の位置に洗浄液を供給するノズルと、
   前記回転手段によって回転している前記半導体ウエハの表面に前記段差部を跨いで対向する対向面を有するガイド部材と、
   を備える洗浄装置。
2. 前記対向面に、前記半導体ウエハの段差部を跨いで少なくとも径方向に伸びる溝部が形成されていることを特徴とする請求項１の洗浄装置。
3. 前記ノズルは、前記ガイド部材に形成されており、
   前記ガイド部材の対向面は、少なくとも前記ノズルの形成位置から前記半導体ウエハの外周端まで伸びていることを特徴とする請求項１又は２の洗浄装置。
4. 前記半導体ウエハの表面に、第１段差部と、第１段差部よりも半径方向外側に位置する第２段差部が形成されており、
   前記ノズルは、前記半導体ウエハの表面の前記第１段差部よりも半径方向内側の位置に洗浄液を供給する第１ノズルと、前記半導体ウエハの表面の前記第１段差部よりも半径方向外側であるとともに前記第２段差部よりも半径方向内側の位置に洗浄液を供給する第２ノズルを備えることを特徴とする請求項１から３のいずれかの洗浄装置。
5. 前記対向面の半径方向外側端は、前記対向面の半径方向内側端よりも、前記回転手段による半導体ウエハの回転方向下流側に位置することを特徴とする請求項１から４のいずれかの洗浄装置。
6. 周方向に伸びる段差部が形成されている半導体ウエハの表面を洗浄する方法であって、
   前記半導体ウエハを周方向に回転させておく工程と、
   回転している前記半導体ウエハの表面の前記段差部よりも半径方向内側の位置に洗浄液を供給する工程と、
   回転している前記半導体ウエハの表面に前記段差部を跨いで対向する対向面を配置する工程と、
   を備える洗浄方法。

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