JP2008145572A

JP2008145572A - 液晶表示装置

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Publication number: JP2008145572A
Application number: JP2006330448A
Authority: JP
Inventors: Yasuhiro Takeuchi; 康博竹内
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2006-12-07
Filing date: 2006-12-07
Publication date: 2008-06-26

Abstract

【課題】外光による視認性の低下を抑制した液晶表示装置を提供すること。
【解決手段】素子基板２１が、画素電極１１及びＴＦＴ素子１２よりも液晶層２３から離間する側に設けられて照明光を一の偏光方向を有する偏光光に偏光する構造複屈折層４１を有し、構造複屈折層４１が、液晶層２３側から順に積層された低反射層４５ｂ及び高反射層４５ａを有してストライプ状に配置された複数の複屈折構造体４５を備える。
【選択図】図３

Description

本発明は、液晶表示装置に関する。

例えば携帯電話機などに搭載される直視型の液晶表示装置は、液晶層を挟持する一対の基板を主体として構成されており、一対の基板の外面にそれぞれ所定の偏光方向を有する偏光光のみを透過させる偏光板が設けられている。この偏光板は、一対の基板の外面にそれぞれ接着剤などを用いて貼り合わされている。しかし、偏光板を別部材として貼り合わせているため、光学的な位置合わせなどの信頼性を向上させることが望まれていた。
そこで、基板にワイヤグリッド構造を有する偏光素子を設けることで、光学的な位置合わせの精度を向上させた液晶表示装置が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
特開２００３−５１７０号公報

しかしながら、上記従来の液晶表示装置においても、以下の課題が残されている。すなわち、従来の液晶表示装置では偏光素子を例えばＡｌ（アルミニウム）などの光反射性の材料で構成しているため、照明光を透過させて表示を行う透過型の液晶表示装置に適用すると外光の反射光によって画像の視認性が低下するという問題がある。

本発明は、上記従来の問題に鑑みてなされたもので、外光による視認性の低下を抑制した液晶表示装置を提供することを目的とする。

本発明は、前記課題を解決するために以下の構成を採用した。すなわち、本発明にかかる液晶表示装置は、液晶層を駆動する電極と、該電極をスイッチング制御する駆動素子とが設けられた基板を有し、該基板の外面から照明光を入射させる液晶表示装置であって、前記基板が、前記電極及び前記駆動素子よりも前記液晶層から離間する側に設けられて前記照明光を一の偏光方向を有する偏光光に偏光する構造複屈折層を有し、該構造複屈折層が、前記液晶層側から順に積層された低反射層及び高反射層を有してストライプ状に配置された複数の複屈折構造体を備えることを特徴とする。

この発明では、構造複屈折層が液晶層側に配置された低反射層を有しており、低反射層がこの構造複屈折層に入射する外光を吸収するので、外光による視認性の低下を抑制できる。
すなわち、基板の液晶層側から入射した外光は、構造複屈折層に到達する。ここで、構造複屈折層に入射した外光は、一の偏光方向を有する偏光成分が構造複屈折層を透過すると共に、これとほぼ直交する偏光方向を有する偏光成分が低反射層により吸収される。このため、基板に入射した外光が高い反射率で反射することを防止できるので、外光の反射による視認性の低下が抑制される。また、駆動素子に反射光が入射することによってリーク電流が発生するなど、駆動素子の動作が不安定になることを防止できる。
また、基板の液晶層と離間する側から入射する照明光は、一の偏光方向を有する偏光成分が構造複屈折層を透過すると共に、これとほぼ直交する偏光方向を有する偏光光が高反射層により反射される。このため、構造複屈折層が照明光を吸収して基板を加熱することが抑制される。

また、本発明にかかる液晶表示装置は、前記基板の外側に設けられて前記照明光を散乱反射させて前記基板に再入射させる散乱反射層を有することが好ましい。
この発明では、構造複屈折層の高反射層により基板の外側に向けて反射された照明光を基板に向けて再度入射させることができるので、照明光の再利用が図れる。ここで、基板の外側に向けて反射された照明光は、これとほぼ直交する偏光方向の偏光成分を有する偏光光であるが、散乱反射層で散乱反射することで構造複屈折層を透過可能な一の偏光方向の偏光成分が発生する。したがって、照明光の再利用が図れる。

また、本発明にかかる液晶表示装置は、前記構造複屈折層が、前記駆動素子と重なる領域の全面を被覆する被覆部を有し、該被覆部が前記低反射層及び前記高反射層の少なくとも一方で構成されていることが好ましい。
この発明では、駆動素子と重なる領域の全面を被覆部により被覆することで、駆動素子に向かう照明光を遮断することができる。これにより、駆動素子の駆動の安定性が向上する。

また、本発明にかかる液晶表示装置は、前記被覆部が、少なくとも前記高反射層を有することが好ましい。
この発明では、駆動素子に向かう照明光を基板の外側に向けて反射するので、照明光の再利用効率が向上すると共に、基板が加熱されることを防止できる。

［第１の実施形態］
以下、本発明における液晶表示装置の第１の実施形態を、図面に基づいて説明する。なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするために縮尺を適宜変更している。ここで、図１は液晶表示装置を示す等価回路図、図２はサブ画素領域を示す平面構成図、図３は図２のＡ−Ａ矢視断面図である。

〔液晶表示装置〕
本実施形態における液晶表示装置（電気光学装置）１は、透過型のカラー液晶表示装置であって、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の各色光を出力する３個のサブ画素領域で１個の画素を構成する液晶表示装置である。ここで、表示を構成する最小単位となる表示領域を「サブ画素領域」と称する。

まず、液晶表示装置１の概略構成について説明する。液晶表示装置１は、図１に示すように、画像表示領域を構成する複数のサブ画素領域がマトリックス状に配置されている。この複数のサブ画素領域には、それぞれ画素電極（電極）１１と、画素電極１１をスイッチング制御するためのＴＦＴ（Thin Film Transistor：薄膜トランジスタ）素子（駆動素子）１２とが形成されている。このＴＦＴ素子１２は、ソースが液晶表示装置１に設けられたデータ線駆動回路１３から延在するデータ線１４に接続され、ゲートが液晶表示装置１に設けられた走査線駆動回路１５から延在する走査線１６に接続され、ドレインが画素電極１１に接続されている。

データ線駆動回路１３は、データ線１４を介して画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを各サブ画素領域に供給する構成となっている。ここで、データ線駆動回路１３は、画像信号Ｓ１〜Ｓｎをこの順で線順次で供給してもよく、互いに隣接する複数のデータ線１４同士に対してグループごとに供給してもよい。
走査線駆動回路１５は、走査線１６を介して走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを各サブ画素領域に供給する構成となっている。ここで、走査線駆動回路１５は、走査信号Ｇ１〜Ｇｍを所定のタイミングでパルス的に線順次で供給する。

また、液晶表示装置１は、スイッチング素子であるＴＦＴ素子１２が走査信号Ｇ１〜Ｇｍの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線１４から供給される画像信号Ｓ１〜Ｓｎが所定のタイミングで画素電極１１に書き込まれる構成となっている。そして、画素電極１１を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１〜Ｓｎは、画素電極１１と後述する共通電極５４との間で一定期間保持される。ここで、保持された画像信号Ｓ１〜Ｓｎがリークすることを防止するため、画素電極１１と共通電極５４との間に形成される液晶容量と並列接続されるように蓄積容量１７が付与されている。この蓄積容量１７は、ＴＦＴ素子１２のドレインと容量線１８との間に設けられている。

次に、液晶表示装置１の詳細な構成について、図２及び図３を参照しながら説明する。なお、図２では、対向基板の図示を省略している。また、図２において、平面視でほぼ矩形状のサブ画素領域の長軸方向をＸ軸方向、短軸方向をＹ軸方向とする。
液晶表示装置１は、図２及び図３に示すように、素子基板（基板）２１と、素子基板２１と対向配置された対向基板２２と、素子基板２１及び対向基板２２の間に挟持された液晶層２３と、対向基板２２の外面側（液晶層２３と反対側）に設けられた偏光板２４とを備えている。また、液晶表示装置１は、素子基板２１の外面に設けられて素子基板２１の外面側から照明光を照射する照明手段２５を備えている。
また、液晶表示装置１には、素子基板２１と対向基板２２とが対向する領域の縁端に沿ってシール材（図示略）が設けられており、このシール材、素子基板２１及び対向基板２２によって液晶層２３が封止されている。

素子基板２１は、図３に示すように、例えばガラスや石英、プラスチックなどの透光性材料からなる基板本体３１と、基板本体３１の内側（液晶層２３側）の表面に順次積層された第１層間絶縁膜３２、ゲート絶縁膜３３、第２層間絶縁膜３４、第３層間絶縁膜３５及び配向膜３６とを備えている。
また、素子基板２１は、基板本体３１の内側の表面に配置された構造複屈折層４１と、第１層間絶縁膜３２の内側の表面に配置された半導体層４２及び容量電極４３と、ゲート絶縁膜３３の内側の表面に配置された走査線１６及び容量線１８と、第２層間絶縁膜３４の内側の表面に配置されたデータ線１４及び接続電極４４と、第３層間絶縁膜３５の内側の表面に配置された画素電極１１とを備えている。

第１層間絶縁膜３２は、例えばＳｉＯ_２（酸化シリコン）などの透光性のシリコン酸化物で構成されており、基板本体３１の内側の表面に形成された構造複屈折層４１を被覆している。
ゲート絶縁膜３３は、例えばＳｉＯ_２などの透光性材料で構成されており、第１層間絶縁膜３２上に形成された半導体層４２及び容量電極４３を覆うように設けられている。

第２層間絶縁膜３４は、例えばＳｉＯ_２などの透光性材料で構成されており、ゲート絶縁膜３３及びゲート絶縁膜３３上に形成された走査線１６及び容量線１８を覆うように設けられている。
第３層間絶縁膜３５は、例えばＳｉＯ_２などの透光性材料で構成されており、第２層間絶縁膜３４上に形成されたデータ線１４及び接続電極４４を覆うように設けられている。
配向膜３６は、例えばポリイミドなどの樹脂材料で構成されており、第３層間絶縁膜３５上に形成された画素電極１１を覆うように設けられている。また、配向膜３６の表面には、図２に示すサブ画素領域の短軸方向（Ｙ軸方向）を配向方向とする配向処理が施されている。

構造複屈折層４１は、図３に示すように、平面視でサブ画素領域の全体に形成されており、所定の間隔をあけてストライプ状に配置された複数の複屈折構造体４５を有している。すなわち、構造複屈折層４１は、ワイヤグリッド構造を有している。
複数の複屈折構造体４５は、その延在方向がサブ画素領域の短軸方向（Ｙ軸方向）と平行で、それぞれ基板本体３１側から順に高反射層４５ａ及び低反射層４５ｂを積層した構成となっている。高反射層４５ａは、例えばＡｌやＡｌ合金、Ａｇ（銀）、Ａｇ合金などのように高い反射率を有する材料で構成されている。また、低反射層４５ｂは、例えばＣｒ（クロム）や酸化クロム、Ｔｉ（チタン）、黒色アルマイトなどのように光吸収特性を有する材料で構成されている。また、複数の複屈折構造体４５は、照明光の波長よりも小さいピッチで配置されており、その幅が例えば５０〜９０ｎｍ、ピッチが例えば１００〜１５０ｎｍとなっている。
そして、構造複屈折層４１は、複屈折構造体４５の延在方向に対してほぼ平行な方向に振動する偏光光を反射させ、延在方向に対してほぼ直交する方向に振動する偏光光を透過させる。
ここで、構造複屈折層４１は、基板本体３１上にスパッタ法などを用いて高反射層４５ａを構成する金属膜と低反射層４５ｂを構成する金属膜とを積層し、これをパターニングすることによって形成される。

半導体層４２は、図２及び図３に示すように、平面視でゲート絶縁膜３３を介してデータ線１４と重なる領域に部分的に形成され、ポリシリコンなどの半導体で構成されている。そして、半導体層４２は、平面視でゲート絶縁膜３３を介して走査線１６と重なる領域にチャネル領域４２ａが設けられている。
また、半導体層４２には、ＴＦＴ素子１２がＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を採用していることから、ソース領域及びドレイン領域に不純物濃度が相対的に高い高濃度領域と相対的に低い低濃度（ＬＤＤ）領域とがそれぞれ形成されている。すなわち、半導体層４２には、図３に示すように、ソース領域に低濃度ソース領域４２ｂ及び高濃度ソース領域４２ｃが形成され、ドレイン領域に低濃度ドレイン領域４２ｄ及び高濃度ドレイン領域４２ｅが形成されている。そして、半導体層４２を主体としてＴＦＴ素子１２が構成される。ここで、ＴＦＴ素子１２の外側は、サブ画素領域の全体に形成された構造複屈折層４１により第１層間絶縁膜３２を介して覆われている。
これら低濃度ソース領域４２ｂ、高濃度ソース領域４２ｃ、低濃度ドレイン領域４２ｄ及び高濃度ドレイン領域４２ｅは、ポリシリコンに不純物イオンを打ち込むことによって形成されている。なお、チャネル領域４２ａは、ポリシリコンに不純物イオンを打ち込まないことによって形成される。

容量電極４３は、図２及び図３に示すように、平面視でゲート絶縁膜３３を介して容量線１８と重なる領域に部分的に形成され、半導体層４２と同様にポリシリコンなどの半導体で構成されている。そして、容量電極４３は、半導体層４２の高濃度ドレイン領域４２ｅと連続して形成されている。なお、容量電極４３は、ポリシリコンに不純物イオンを打ち込むことによって形成されている。

走査線１６は、平面視で矩形状のサブ画素領域の短軸方向（Ｙ軸方向）に沿って配置されており、平面視でゲート絶縁膜３３を介してチャネル領域４２ａと重なる部分がゲート電極として機能する。
容量線１８は、平面視でＹ軸方向に沿って配置されており、平面視でゲート絶縁膜３３を介して容量電極４３と重なる領域に他の領域よりも幅の広い幅広部１８ａが形成されている。この幅広部１８ａとゲート絶縁膜３３を介して対向配置された容量電極４３とにより、蓄積容量１７が構成される。
データ線１４は、平面視でサブ画素領域の長軸方向（Ｘ軸方向）に沿って配置されており、ゲート絶縁膜３３及び第２層間絶縁膜３４を貫通するコンタクトホールＨ１を介して半導体層４２の高濃度ソース領域４２ｃに接続されている。
以上より、走査線１６、容量線１８及びデータ線１４は、平面視でほぼ格子状に配線されている。
接続電極４４は、平面視でＸ軸方向に沿って配置されており、第２層間絶縁膜３４を貫通するコンタクトホールＨ２を介して半導体層４２の高濃度ドレイン領域４２ｅに接続されている。

画素電極１１は、平面視でほぼ矩形状であって、例えばＩＴＯ（酸化インジウムスズ）などの透光性導電材料で構成されている。また、画素電極１１は、第３層間絶縁膜３５を貫通するコンタクトホールＨ３を介して接続電極４４に接続されている。これにより、画素電極１１は、ＴＦＴ素子１２のドレインと接続されることとなる。

一方、対向基板２２は、図３に示すように、例えばガラスや石英、プラスチックなどの透光性材料で構成された基板本体５１と、基板本体５１の内側（液晶層２３側）の表面に順次積層された遮光膜５２、カラーフィルタ層５３、共通電極５４及び配向膜５５とを備えている。
遮光膜５２は、基板本体５１の表面のうち平面視でサブ画素領域の縁部と重なる領域に形成されており、サブ画素領域を縁取っている。
カラーフィルタ層５３は、各サブ画素領域に対応して配置されており、例えばアクリルなどで構成されて各サブ画素領域で表示する色に対応する色材を含有している。

共通電極５４は、画素電極１１と同様に、例えばＩＴＯなどの透光性導電材料で構成されている。そして、共通電極５４は、遮光膜５２及び基板本体５１を覆うように設けられている。
配向膜５５は、配向膜３６と同様に、例えばポリイミドなどの樹脂材料で構成されており、共通電極５４を覆うように設けられている。また、配向膜５５の表面には、配向膜３６の配向方向と反平行となるように、図２に示すサブ画素領域の短軸方向（Ｙ軸方向）を配向方向とする配向処理が施されている。

液晶層２３は、正の誘電率異方性を有する液晶を用いたＴＮ（Twisted Nematic）モードで動作する構成となっている。
偏光板２４は、その透過軸が構造複屈折層４１の透過軸とほぼ直交するように設けられている。ここで、素子基板２１の外面側及び偏光板２４の内側の一方または双方には、光学補償フィルム（図示略）を配置してもよい。光学補償フィルムを配置することで、液晶表示装置１を斜視した場合の液晶層２３の位相差を補償することができ、光漏れを減少させてコントラストを増加させることができる。光学補償フィルムとしては、負の一軸性媒体と正の一軸性媒体とを組み合わせたものや、各方向の屈折率がｎｘ＞ｎｚ＞ｎｙである二軸性媒体が用いられる。

照明手段２５は、例えばＬＥＤ（Light Emitting Diode）素子で構成された光源６１と、素子基板２１と対向配置されて光源６１から照射された光を導光させる導光板６２とを備えている。そして、光源６１から入射した光が導光板６２内で導光し、導光板６２のうち素子基板２１との対向面から照明光として素子基板２１に向けて出射する。ここで、導光板６２のうち素子基板２１から離間する側の面には、入射した光を導光板６２の素子基板２１との対向面に向けて反射する散乱反射膜（散乱反射層）６２ａが設けられている。

以上のような構成の液晶表示装置１では、対向基板２２の外側から対向基板２２に向けて入射した外光が、液晶層２３を経て構造複屈折層４１に入射する。そして、入射した外光のうち、複屈折構造体４５の延在方向に対してほぼ直交する方向の偏光方向を有する偏光成分は、構造複屈折層４１を透過する。
一方、複屈折構造体４５の延在方向に対してほぼ平行な方向の偏光方向を有する偏光成分は、低反射層４５ｂによりほとんどが吸収される。したがって、複屈折構造体４５に入射した外光のほとんどは、反射光として対向基板２２から再び出射しない。これにより、外交による視認性の低下が抑制される。また、ＴＦＴ素子１２への反射光の入射が抑制される。

また、照明手段２５から照射された照明光は、素子基板２１の基板本体３１内を導光して構造複屈折層４１に入射する。そして、構造複屈折層４１に入射した照明光のうち、複屈折構造体４５の延在方向に対してほぼ直交する方向の偏光方向を有する偏光成分が構造複屈折層４１を透過する。この構造複屈折層４１を透過した照明光により、画像表示が行われる。
一方、複屈折構造体４５の延在方向に対してほぼ平行な方向の偏光方向を有する偏光成分は、高反射層４５ａにより素子基板２１の外方に向けて反射される。素子基板２１から出射した反射光は、導光板６２に設けられた散乱反射膜６２ａにより散乱しながら素子基板２１に向けて再び反射される。このとき、反射光が散乱反射膜６２ａによって散乱反射されるので、再び素子基板２１に向かう照明光は、さまざまな偏光成分を有する偏光光となっている。そして、複屈折構造体４５の延在方向に対してほぼ直交する方向の偏光方向を有する偏光成分が構造複屈折層４１を透過し、他の偏光成分がまた素子基板２１の外方に向けて反射される。
ここで、複屈折構造体４５の延在方向に対してほぼ平行な方向の偏光方向を有する偏光成分を有する偏光光が高反射層４５ａによって反射されるため、照明光が効率よく再利用される。

〔電子機器〕
以上のような構成の液晶表示装置１は、例えば図４に示すような携帯電話機１００の表示部１０１として用いられる。この携帯電話機１００は、表示部１０１、複数の操作ボタン１０２、受話口１０３、送話口１０４及び上記表示部１０１を有する本体部を備えている。

以上のように、本実施形態における液晶表示装置１によれば、構造複屈折層４１が液晶層２３側に配置された低反射層４５ｂにより外光を吸収するので、外光による視認性の低下を抑制できる。また、照明光のうち構造複屈折層４１を透過しない成分が高反射層４５ａにより反射されるので、照明光を吸収することで素子基板２１が加熱することを抑制できる。
ここで、高反射層４５ａにより照明光のうち構造複屈折層４１を透過しない成分のほとんどを反射できるので、照明光の再利用が図れる。

［第２の実施形態］
次に、本発明における液晶表示装置の第２の実施形態を、図面に基づいて説明する。ここで、図５は、サブ画素領域を示す断面図である。なお、本実施形態では、第１の実施形態とサブ画素領域の構成が異なるため、この点を中心に説明すると共に、上記実施形態で説明した構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。

本実施形態における液晶表示装置１１０では、図５に示すように、素子基板１１１に設けられた構造複屈折層１１２が、平面視で第１層間絶縁膜３２を介してＴＦＴ素子１２と重なる領域に設けられた被覆部１１３を備えている。
すなわち、構造複屈折層１１２は、平面視で第１層間絶縁膜３２を介してＴＦＴ素子１２と重ならない領域に間隔をあけて複数配置された複屈折構造体４５と、平面視でＴＦＴ素子１２と重なる領域に配置された被覆部１１３とを備えている。
被覆部１１３は、複屈折構造体４５と同様に、基板本体３１側から順に高反射層４５ａ及び低反射層４５ｂを積層した構成となっており、各金属膜をパターニングすることによって形成されている。

以上のように、本実施形態における液晶表示装置１１０によっても、上述した第１の実施形態と同様の作用、効果を奏するが、ＴＦＴ素子１２の下面の全面を被覆部１１３で被覆しているため、ＴＦＴ素子１２に向かう照明光を確実に遮断できる。これにより、ＴＦＴ素子１２の動作の安定性が向上する。
ここで、被覆部１１３が高反射層４５ａを有しているため、ＴＦＴ素子１２に向かう照明光のほとんどを導光板６２に向けて反射するので、素子基板１１１が照明光の吸収により加熱することを抑制できる。

なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、構造複屈折層は、液晶層側から低反射層と高反射層とを積層した構成としているが、液晶層側の一端に低反射層が配置され、照明光が入射する素子基板の外面側の一端に高反射層が配置されていれば、低反射層と高反射層との間に他の層が配置されてもよい。
また、第１の実施形態において、ＴＦＴ素子の下面の全面を被覆してＴＦＴ素子への照明光の入射を遮断する遮光膜を設けてもよい。
そして、第２の実施形態において、被覆部が高反射層と低反射層とを積層した構成となっているが、少なくとも一方の反射層を備えていればよい。ここで、被覆部を高反射層のみで構成した場合には、上述と同様に素子基板が照明光の吸収により加熱することを抑制できる。

また、駆動素子としてＴＦＴ素子を用いているが、画素電極をスイッチング制御する素子であれば、ＴＦＤ（Thin Film Diode：薄膜ダイオード）など他の駆動素子であってもよい。
そして、液晶表示装置は、素子基板に画素電極を設けると共に対向基板に共通電極を設けた電極構造を有しているが、素子基板に画素電極及び共通電極を形成して液晶層に対して基板面方向の電界を発生させるＩＰＳ（In-Plane Switching）方式やＦＦＳ（Fringe-Field Switching）方式などの、いわゆる横電界方式を用いた電極構造を採用してもよい。
さらに、液晶層として、ＴＮモードで動作する液晶を用いているが、ＴＮモードに限らず、負の誘電率異方性を有するＶＡＮ（Vertical Aligned Nematic）モードやＥＣＢ（Electrically Controlled Birefringence）モード、ＯＣＢ（Optical Compensated Bend）モードなど、他の液晶を用いてもよい。

また、液晶表示装置は、透過型の構成に限らず、半透過反射型の液晶表示装置であってもよい。
そして、液晶表示装置は、Ｒ、Ｇ、Ｂの３色の色表示を行うカラー液晶表示装置としているが、Ｒ、Ｇ、Ｂのいずれかまたは他の１色の色表示を行う単色の表示装置や、２色や４色以上の色表示を行う表示装置であってもよい。ここで、対向基板にカラーフィルタ層を設けずに、素子基板にカラーフィルタ層を設けてもよい。

また、液晶表示装置を備える電子機器としては、携帯電話機に限らず、ＰＤＡ（Personal Digital Assistant：携帯情報端末機）やパーソナルコンピュータ、ノート型パーソナルコンピュータ、ワークステーション、デジタルスチルカメラ、車載用モニタ、カーナビゲーション装置、ヘッドアップディスプレイ、デジタルビデオカメラ、テレビジョン受像機、ビューファインダ型あるいはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ページャ、電子手帳、電卓、電子ブックやプロジェクタ、ワードプロセッサ、テレビ電話機、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備える機器、照明装置などのような他の電子機器であってもよい。

第１の実施形態における液晶表示装置を示す等価回路図である。サブ画素領域を示す平面構成図である。図２のＡ−Ａ矢視断面図である。液晶表示装置を備える携帯電話機を示す概略斜視図である。第２の実施形態における液晶表示装置のサブ画素領域を示す断面図である。

符号の説明

１，１１０液晶表示装置、１１画素電極（電極）、１２ＴＦＴ素子（駆動素子）、２１，１１１素子基板（基板）、２３液晶層、４１，１１２構造複屈折層、４５複屈折構造体、４５ａ高反射層、４５ｂ低反射層、６２ａ散乱反射膜（散乱反射層）、１１３被覆部

Claims

液晶層を駆動する電極と、該電極をスイッチング制御する駆動素子とが設けられた基板を有し、該基板の外面から照明光を入射させる液晶表示装置であって、
前記基板が、前記電極及び前記駆動素子よりも前記液晶層から離間する側に設けられて前記照明光を一の偏光方向を有する偏光光に偏光する構造複屈折層を有し、
該構造複屈折層が、前記液晶層側から順に積層された低反射層及び高反射層を有してストライプ状に配置された複数の複屈折構造体を備えることを特徴とする液晶表示装置。
前記基板の外側に設けられ、前記照明光を散乱反射させて前記基板に再入射させる散乱反射層を有することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
前記構造複屈折層が、前記駆動素子と重なる領域の全面を被覆する被覆部を有し、
該被覆部が前記低反射層及び前記高反射層の少なくとも一方で構成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の液晶表示装置。
前記被覆部が、少なくとも前記高反射層を有することを特徴とする請求項３に記載の液晶表示装置。