JP2008141200A - 半導体モジュール及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】半導体モジュール及びその製造方法が開示される。
【解決手段】半導体モジュールは、外部接続端子を有する半導体パッケージ、及び外部接続端子と電気的に接続されたターミナルランドを有する印刷回路基板を含む。印刷回路基板は、前記ターミナルランドが露出されるように前記外部接続端子を収容して前記半導体パッケージよりも狭い幅を有する凹部を有する。従って、凹部に収容された半導体パッケージのエッジが印刷回路基板と接触されるので、半導体パッケージのエッジの破損が防止される。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体モジュール及びその製造方法に関し、より具体的には、半導体パッケージと印刷回路基板を含む半導体モジュール、及びこのような半導体モジュールを製造する方法に関する。

一般的に、半導体基板に多様な半導体工程を行って複数個の半導体チップを形成する。その後、各半導体チップを印刷回路基板に実装するために、半導体基板に対してパッケージング工程を行って半導体パッケージを形成する。半導体パッケージを印刷回路基板に実装して、半導体モジュールを形成する。

従来の半導体モジュールに対する例が、特許文献１、特許文献２、及び特許文献３等に開示されている。前記された従来の半導体モジュールでは、半導体パッケージの外部接続端子である半田ボールが印刷回路基板の表面に実装される。
特開２００５−１９７３５４号公報 特開２００５−１９７３４２号公報 韓国特許出願公開第２００６−２６１３０号明細書

ところが、半田ボールは主に半導体パッケージの中央部に配列されている。従って、半田ボールが配列されない半導体パッケージのエッジと印刷回路基板との間にはギャップが形成される。即ち、半導体パッケージのエッジは、印刷回路基板によって支持されていない。これによって、半導体パッケージのエッジに応力が印加される場合に、半導体パッケージのエッジが破損されやすいという問題があった。

本発明は、半導体パッケージのエッジの破損を防止することができる半導体モジュールを提供する。

又、本発明は、前記した半導体モジュールを製造する方法を提供する。

本発明による半導体モジュールは、外部接続端子を有する半導体パッケージ、及び外部接続端子と電気的に接続されたターミナルランドを有する印刷回路基板を含む。印刷回路基板は、前記ターミナルランドが露出されるように前記外部接続端子を収容して前記半導体パッケージよりも狭い幅を有する凹部（リセス）を有する。

本発明の一実施例によると、前記印刷回路基板は、基板本体、及び前記基板本体上に形成され前記凹部を有する絶縁膜パターンを含むことができる。又、前記凹部は、前記ターミナルランドを露出させる第１開口部、及び前記第１開口部と連通され前記第１開口部よりも広い幅を有する第２開口部を含むことができる。又、前記第１開口部は、前記外部接続端子と密着される内側面を有することができる。又、前記絶縁膜パターンは、前記半導体パッケージと接触されることができる。

本発明の他の実施例によると、前記印刷回路基板は、基板本体、前記基板本体上に形成され前記ターミナルランドを露出させる第１開口部を有する絶縁膜パターン、及び前記絶縁膜パターン上に形成され前記第１開口部よりも広い幅を有して前記第１開口部と共に前記凹部を形成する第２開口部を有するスペーサを含むことができる。前記スペーサは、前記半導体パッケージと接触されることができる。

本発明の更に他の実施例によると、前記印刷回路基板上に形成された支持部材が前記半導体パッケージの側面を取り囲むこともできる。前記支持部材は、前記半導体パッケージの側面と接触されることができる。

本発明の更に他の実施例によると、接合部材が前記外部接続端子と前記ターミナルランドとの間に介在されることができる。

本発明の他の原理による半導体モジュールは、第１ターミナルランドが形成された第１面、及び前記第１面と反対され第２ターミナルランドが形成された第２面を有する印刷回路基板、前記第１ターミナルランドが電気的に接続される第１外部接続端子を有する第１半導体パッケージ、及び前記第２ターミナルランドと電気的に接続される第２外部接続端子を有する第２半導体パッケージを含む。前記印刷回路基板は、前記第１ターミナルランドが露出されるように前記第１面に形成され前記第１外部接続端子を収容して前記第１半導体パッケージよりも狭い幅を有する第１凹部、及び前記第２ターミナルランドが露出されるように前記第２面に形成され前記第２外部接続端子を収容して前記第２半導体パッケージよりも狭い幅を有する第２凹部を有する。

本発明の更に他の原理による半導体モジュールの製造方法によると、外部接続端子を有する半導体パッケージを準備する。ターミナルランドを有する印刷回路基板に前記外部接続端子を収容して前記半導体パッケージよりも狭い幅を有する凹部を形成して、前記ターミナルランドを露出させる。前記外部接続端子を前記ターミナルランドに接合する。

本発明の一実施例によると、前記凹部を形成する段階は、前記印刷回路基板上に絶縁膜を形成する段階、及び前記絶縁膜をパターニングして前記凹部を有する絶縁膜パターンを形成する段階を含むことができる。又、前記絶縁膜パターンを形成する段階は、前記絶縁膜に前記ターミナルランドを露出させる第１開口部を形成する段階、及び前記第１開口部を有する前記絶縁膜に前記第１開口部と連通され前記第１開口部よりも広い幅を有する第２開口部を形成する段階を含むことができる。

本発明の他の実施例によると、前記凹部を形成する段階は、前記印刷回路基板上に絶縁膜を形成する段階、前記絶縁膜をパターニングして前記ターミナルランドを露出させる第１開口部を有する絶縁膜パターンを形成する段階、及び前記絶縁膜パターン上に前記第１開口部と連通され前記第１開口部よりも広い幅を有する第２開口部を有するスペーサを形成する段階を含むことができる。

本発明の更に他の実施例によると、前記外部接続端子を前記ターミナルランドに接合する段階は、前記外部接続端子に導電性フラックスを形成する段階、前記ターミナルランド上に半田ペーストを形成する段階、及び前記導電性フラックスと前記半田ペーストを接合する段階を含むことができる。

前記した本発明によると、外部接続端子は、印刷回路基板の凹部に収容され、外部接続端子が配列されない半導体パッケージのエッジは、印刷回路基板と接触されることになる。従って、半導体パッケージのエッジが印刷回路基板によって堅固に支持されるので、半導体パッケージのエッジの破損が防止される。

以下、添付図面を参照して、本発明の好ましい実施例を詳細に説明する。
[実施例１]

図１は、本発明の第１実施例による半導体モジュールを示す断面図で、図２は、図１の半導体モジュールを示す平面図で、図３は、図１のＩＩＩ部位を拡大して示す断面図で、図４は、図３の外部接続端子と異なる材質の接合部材が使用された場合の半導体モジュールを示す断面図である。

図１乃至図３を参照すると、本実施例による半導体モジュール１００は、半導体パッケージ１１０及び印刷回路基板１２０を含む。

半導体パッケージ１１０は、外部接続端子１１２を有する。具体的に、ターミナルランド１１４が印刷回路基板１２０を向かう半導体パッケージ１１０の底面中央部に形成される。外部接続端子１１２がターミナルランド１１４のそれぞれに実装される。本実施例において、外部接続端子１１２は半田ボールを含む。

印刷回路基板１２０は、半導体パッケージ１１０の下部に配置される。印刷回路基板１２０は、基板本体１２２、基板本体１２２の表面に形成されたターミナルランド１２４、及び基板本体１２２上に形成された絶縁膜パターン１２６を含む。

ここで、基板本体１２２と絶縁膜パターン１２６は同じ材質を含むことができる。例えば、基板本体１２２と絶縁膜パターン１２６は感光性樹脂を含むことができる。又は、基板本体１２２と絶縁膜パターン１２６は、互いに異なる材質を含むことができる。例えば、基板本体１２２は感光性樹脂を含み、絶縁膜パターン１２６は、ゴム、エポキシ系列の樹脂、ポリイミド系列の樹脂重合体、フッ素系列の樹脂重合体等のように基板本体１２２よりも強い弾性を有する材質を含むことができる。

絶縁膜パターン１２６は、ターミナルランド１２４を露出させる凹部１３０を有する。具体的に、凹部（リセス）１３０は、ターミナルランド１２４を露出させる第１開口部１３２、及び第１開口部１３２と連通され第１開口部１３２よりも広い幅を有する第２開口部１３４を含む。即ち、凹部１３０は２段の段差構造を有して、外部接続端子１１２を収容する。

第１開口部１３２は、外部接続端子１１２と密着される内側面を有する。即ち、外部接続端子１１２のうち、最外郭に配置された外部接続端子１１２は第１開口部１３２の内側面に密着される。

第２開口部１３４の幅は、半導体パッケージ１１０の幅よりも狭い。従って、外部接続端子１１２が配列されない半導体パッケージ１１０のエッジは、第２開口部１３４内に進入することができないので、半導体パッケージ１１０のエッジは絶縁膜パターン１２６の表面と接触される。結果的に、半導体パッケージ１１０のエッジが絶縁膜パターン１２６によって堅固に支持されるので、半導体パッケージ１１０のエッジの破損が防止される。

付加的に、支持部材１５０が絶縁膜パターン１２６上に形成され、半導体パッケージ１１０の側面を支持する。本実施例において、支持部材１５０は半導体パッケージ１１０の側面と接触される。半導体パッケージ１１０の平面形状が略長方形なので、支持部材１５０は半導体パッケージ１１０の４面の全部と接触されることができる長方形枠形状を有する。

一方、外部接続端子１１２は凹部１３０内に進入して、印刷回路基板１２０のターミナルランド１２４に接合される。ここで、外部接続端子１１２とターミナルランド１２４は、接合部材（図示せず）を介して接合される。接合部材が外部接続端子１１２と同じ半田を含む場合、図３に示すように、接合部材は別途の層を形成することなく、外部接続端子１１２と一体化される。反面、接合部材１４０が外部接続端子１１２の材質とは異なる金、アルミニウム、銅等を含む場合、接合部材１４０は、図４に示すように、外部接続端子１１２の外面上に別途の層形態に形成される。

図５乃至図９は、図１に図示された半導体モジュールを製造する方法を順次に示す断面図である。

図５を参照すると、ターミナルランド１２４を有する基板本体１２２上に絶縁膜１２６ａを形成する。ここで、基板本体１２２と絶縁膜１２６ａは感光性樹脂を含むことができる。又は、基板本体１２２は感光性樹脂を含み、絶縁膜１２６ａはゴム、エポキシ系列の樹脂、ポリイミド系列の樹脂重合体、フッ素系列の樹脂重合体等のように基板本体１２２よりも強い弾性を有する材質を含むことができる。

図６を参照すると、絶縁膜１２６ａを１次エッチングして、ターミナルランド１２４を露出させる第１開口部１３２を絶縁膜１２６ａに形成する。

図７を参照すると、絶縁膜１２６ａを２次エッチングして、第１開口部１３２と連通された第２開口部１３４を形成する。第１開口部１３２及び第２開口部１３４が結合され、段差構造の凹部１３０を有する絶縁膜パターン１２６が完成される。結果的に、基板本体１２２と絶縁膜パターン１２６を含む印刷回路基板１２０が完成される。ここで、第２開口部１３４は、第１開口部１３２よりも広い幅を有する。反面、第２開口部１３４は半導体パッケージ１１０よりも狭い幅を有する。

図８を参照すると、支持部材１５０を絶縁膜パターン１２６上に形成する。支持部材１５０は、絶縁膜（図示せず）を絶縁膜パターン１２６上に形成した後、絶縁膜をパターニングする工程を通じて形成することができる。

図９を参照すると、外部接続端子１１２が実装された半導体パッケージ１１０を印刷回路基板１２０上に配置する。その後、半田のような半田ペースト１４０ａを印刷回路基板１２０のターミナルランド１２４上に塗布する。又、導電性フラックス１１６を外部接続端子１１２に塗布する。

続いて、外部接続端子１１２を凹部１３０内に進入させて、半田ペースト１４０ａと導電性フラックス１１６を接触させる。その後、半田ペースト１４０ａと導電性フラックス１１６に対して赤外線を利用したリフロー工程を行って、外部接続端子１１２を印刷回路基板１２０のターミナルランド１２４に接合させることにより、図１に図示された半導体モジュール１００が完成される。この際、半導体パッケージ１１０の底面は絶縁膜パターン１２６と接触され、又、半導体パッケージ１１０の側面は支持部材１５０に密着される。

ここで、半田ペースト１４０ａが外部接続端子１１２と同じ材質、例えば、半田を含む場合、図３に示すように、半田ペースト１４０ａは外部接続端子１１２と一体化される。反面、半田ペースト１４０ａが外部接続端子１１２と異なる材質、例えば、金、銅、アルミニウム等を含む場合、図４に示すように、別途の接合部材１４０が外部接続端子１１２とターミナルランド１２４との間に形成される。

本実施例によると、半導体パッケージの外部接続端子は凹部内に収容され、半導体パッケージのエッジは印刷回路基板と接触される。従って、半導体パッケージのエッジが印刷回路基板によって堅固に支持されるので、半導体パッケージのエッジが破損される現象が防止される。
[実施例２]

図１０は、本発明の第２実施例による半導体モジュールを示す断面図である。

図１０を参照すると、本実施例による半導体モジュール２００は、印刷回路基板２２０、第１半導体パッケージ２１０、及び第２半導体パッケージ２６０を含む。

印刷回路基板２２０は、第１凹部（リセス）２３０が形成された第１面、及び第２凹部（リセス）２７０が形成され第１面と反対側である第２面を有する。第１半導体パッケージ２１０は、印刷回路基板２２０の第１凹部２３０内に収容される。第２半導体パッケージ２６０は、印刷回路基板２２０の第２凹部２７０内に収容される。

ここで、第１半導体パッケージ２１０及び第２半導体パッケージ２６０は、実施例１の半導体パッケージ１１０と実質的に同じなので、重複説明は省略する。又、第１凹部２３０及び第２凹部２７０も実施例１の凹部１３０と実質的に同じなので、重複説明は省略する。

即ち、本実施例による半導体モジュール２００は、１つの印刷回路基板２２０の両面に２つの半導体パッケージ２１０、２６０が実装された構造を有する。一方、前記のような構造を有する半導体モジュール２００を製造する方法は、実施例１で説明した方法を印刷回路基板２２０の両面に対して適用することと実質的に同じなので、製造方法についての説明も省略する。
[実施例３]

図１１は、本発明の第３実施例による半導体モジュールを示す断面図で、図１２は、図１１のＸＩＩ部位を拡大して示す断面図である。

図１１及び図１２を参照すると、本実施例による半導体モジュール３００は、半導体パッケージ３１０及び印刷回路基板３２０を含む。ここで、半導体パッケージ３１０は、実施例１の半導体モジュール１１０と実質的に同じ構成要素を含むので、重複説明は省略する。

印刷回路基板３２０は、半導体パッケージ１１０の下部に配置される。印刷回路基板３２０は、基板本体３２２、基板本体３２２の表面に形成されたターミナルランド３２４、基板本体３２２上に形成された絶縁膜パターン３２６、絶縁膜パターン３２６上に形成されたスペーサ３２８、及びスペーサ３２８上に形成された支持部材３５０を含む。

絶縁膜パターン３２６は、ターミナルランド３２４を露出させる第１開口部３３２を有する。スペーサ３２８は、第１開口部３３２と連通された第２開口部３３４を有する。第２開口部３３４は、第１開口部３３２よりは広く、半導体パッケージ３１０よりは狭い幅を有する。第１開口部３３２及び第２開口部３３４が結合され２段の段差がある凹部（リセス）３３０を形成することになる。

凹部３３０に収容された半導体パッケージ３１０のエッジは、スペーサ３２８に密着される。従って、半導体パッケージ３１０のエッジがスペーサ３２８によって堅固に支持されるので、半導体パッケージ３１０のエッジの破損が防止される。

付加的に、支持部材３５０がスペーサ３２８上に形成され、半導体パッケージ３１０の側面を支持する。本実施例において、支持部材３５０は半導体パッケージ３１０の側面と接触される。

図１３乃至図１７は、図１１に図示された半導体モジュールを製造する方法を順次に示す断面図である。

図１３を参照すると、ターミナルランド３２４を有する基板本体３２２上に絶縁膜３２６ａを形成する。

図１４を参照すると、絶縁膜３２６ａを１次エッチングして、ターミナルランド３２４を露出させる第１開口部３３２を有する絶縁膜パターン３２６を形成する。

図１５を参照すると、第２開口部３２４を有するスペーサ３２８を絶縁膜パターン３２６上に形成する。第１開口部３３２及び第２開口部３３４が結合され、段差構造の凹部３３０が形成される。結果的に、基板本体３２２、絶縁膜パターン３２６、及びスペーサ３２８を含む印刷回路基板３２０が完成される。ここで、第２開口部３３４は、第１開口部３３２よりも広い幅を有する。反面、第２開口部３３４は半導体パッケージ３１０よりも狭い幅を有する。

図１６を参照すると、支持部材３５０をスペーサ３２８上に形成する。支持部材３５０は、絶縁膜（図示せず）をスペーサ３２８上に形成した後、絶縁膜をパターニングする工程を通じて形成することができる。

図１７を参照すると、外部接続端子３１２が実装された半導体パッケージ３１０を印刷回路基板３２０の上部に配置する。その後、半田のような半田ペースト３４０ａを印刷回路基板３２０のターミナルランド３２４上に塗布する。又、導電性フラックス３１６を外部接続端子３１２に塗布する。

続いて、外部接続端子３１２を凹部３３０内に進入させて、半田ペースト３４０ａと導電性フラックス３１６を接触させる。その後、半田ペースト３４０ａと導電性フラックス３１６に対して赤外線を利用したリフロー工程を行って、外部接続端子３１２を印刷回路基板３２０のターミナルランド３２４に接合させることにより、図１１に図示された半導体モジュール３００が完成される。この際、半導体パッケージ３１０の底面はスペーサ３２８と接触され、又、半導体パッケージ３１０の側面は支持部材３５０に密着される。

ここで、半田ペースト３４０ａが外部接続端子３１２と同じ材質であるか、互いに異なる材質でも良い。半田ペースト３４０ａが外部接続端子３１２と同じ材質である場合、半田ペースト３４０ａは、外部接続端子３１２と一体化される。反面、半田ペースト３４０ａが外部接続端子３１２と異なる材質である場合、別途の接合部材（図示せず）が外部接続端子３１２とターミナルランド３２４との間に形成される。
[実施例４]

図１８は、本発明の第４実施例による半導体モジュールを示す断面図である。

図１８を参照すると、本実施例による半導体モジュール４００は、印刷回路基板４２０、第１半導体パッケージ４１０、及び第２半導体パッケージ４６０を含む。

第１半導体パッケージ４１０は、印刷回路基板４２０の表面である第１面に形成された第１凹部（リセス）４３０内に収容される。第２半導体パッケージ４６０は、第１面と反対側である印刷回路基板４２０の第２面に形成された第２凹部（リセス）４７０内に収容される。

ここで、第１半導体パッケージ４１０及び第２半導体パッケージ４６０は、実施例１の半導体パッケージ１１０と実質的に同じなので、重複説明は省略する。又、第１凹部４３０及び第２凹部４７０も実施例１の凹部３３０と実質的に同じなので、重複説明は省略する。

即ち、本実施例による半導体モジュール４００は、１つの印刷回路基板４２０の両面に２つの半導体パッケージ４１０、４６０が実装された構造を有する。一方、前記のような構造を有する半導体モジュール４００を製造する方法は、実施例１で説明した方法を印刷回路基板４２０の両面に対して適用することと実質的に同じなので、製造方法についての説明も省略する。

前述した本発明によると、印刷回路基板の凹部に収容された半導体パッケージのエッジは印刷回路基板と接触される。従って、半導体パッケージのエッジが印刷回路基板によって堅固に支持されるので、垂直方向への衝撃による半導体パッケージのエッジの破損が防止される。

又、印刷回路基板の凹部に収容された半導体パッケージの側面は、支持部材によって堅固に支持されるので、水平方向への衝撃による半導体パッケージのエッジの破損が防止される。

以上、本発明の実施例によって詳細に説明したが、本発明はこれに限定されず、本発明が属する技術分野において通常の知識を有するものであれば本発明の思想と趣旨を離れることなく、本発明を修正または変更できる。

本発明の第１実施例による半導体モジュールを示す断面図である。 図１の半導体モジュールを示す平面図である。 図１のＩＩＩ部位を拡大して示す断面図である。 図３の外部接続端子と異なる材質の接合部材が使用された場合の半導体モジュールを示す断面図である。 図１の半導体モジュールを製造する方法を順次に示す断面図である。 図１の半導体モジュールを製造する方法を順次に示す断面図である。 図１の半導体モジュールを製造する方法を順次に示す断面図である。 図１の半導体モジュールを製造する方法を順次に示す断面図である。 図１の半導体モジュールを製造する方法を順次に示す断面図である。 本発明の第２実施例による半導体モジュールを示す断面図である。 本発明の第３実施例による半導体モジュールを示す断面図である。 図１１のＸＩＩ部位を拡大して示す断面図である。 図１１の半導体モジュールを製造する方法を順次に示す断面図である。 図１１の半導体モジュールを製造する方法を順次に示す断面図である。 図１１の半導体モジュールを製造する方法を順次に示す断面図である。 図１１の半導体モジュールを製造する方法を順次に示す断面図である。 図１１の半導体モジュールを製造する方法を順次に示す断面図である。 本発明の第４実施例による半導体モジュールを示す断面図である。

符号の説明

１１０ 半導体パッケージ
１１２ 外部接続端子
１２０ 印刷回路基板
１２２ 基板本体
１２４ ターミナルランド
１２６ 絶縁膜パターン
１２８ 支持部材
１３０ 凹部（リセス）

Claims (33)

1. 外部接続端子を有する半導体パッケージと、
   前記外部接続端子を収容して前記半導体パッケージよりも狭い幅を有する凹部、及び前記凹部の底面に形成され前記外部接続端子と電気的に接続されるターミナルランドを有する印刷回路基板と、を含む半導体モジュール。
2. 前記印刷回路基板は、
   基板本体と、
   前記基板本体上に形成され、前記凹部を有する絶縁膜パターンと、を含むことを特徴とする請求項１記載の半導体モジュール。
3. 前記凹部は、
   前記ターミナルランドを露出させる第１開口部と、
   前記第１開口部と連通され、前記第１開口部よりも広い幅を有する第２開口部と、を含むことを特徴とする請求項２記載の半導体モジュール。
4. 前記第１開口部は、前記外部接続端子と密着される内側面を有することを特徴とする請求項３記載の半導体モジュール。
5. 前記絶縁膜パターンは、前記半導体パッケージと接触されることを特徴とする請求項２記載の半導体モジュール。
6. 前記基板本体と前記絶縁膜パターンは、同じ材質を含むことを特徴とする請求項２記載の半導体モジュール。
7. 前記基板本体と前記絶縁膜パターンは、感光性樹脂を含むことを特徴とする請求項６記載の半導体モジュール。
8. 前記基板本体と前記絶縁膜パターンは、互いに異なる材質を含むことを特徴とする請求項２記載の半導体モジュール。
9. 前記絶縁膜パターンは、前記基板本体よりも強い弾性を有する材質を含むことを特徴とする請求項８記載の半導体モジュール。
10. 前記絶縁膜パターンは、ゴム、エポキシ系列の樹脂、ポリイミド系列の樹脂重合体、又はフッ素系列の樹脂重合体を含むことを特徴とする請求項９記載の半導体モジュール。
11. 前記印刷回路基板は、
    基板本体と、
    前記基板本体上に形成され、前記ターミナルランドを露出させる第１開口部を有する絶縁膜パターンと、
    前記絶縁膜パターン上に形成され、前記第１開口部よりも広い幅を有して前記第１開口部と共に前記凹部を形成する第２開口部を有するスペーサと、を含むことを特徴とする請求項１記載の半導体モジュール。
12. 前記第１開口部は、前記外部接続端子と密着される内側面を有することを特徴とする請求項１１記載の半導体モジュール。
13. 前記スペーサは、前記半導体パッケージと接触されることを特徴とする請求項１１記載の半導体モジュール。
14. 前記印刷回路基板上に形成され前記半導体パッケージの側面を取り囲む支持部材を更に含むことを特徴とする請求項１記載の半導体モジュール。
15. 前記支持部材は、前記半導体パッケージの側面と接触されることを特徴とする請求項１４記載の半導体モジュール。
16. 前記外部接続端子と前記ターミナルランドとの間に介在された接合部材を更に含むことを特徴とする請求項１記載の半導体モジュール。
17. 前記接合部材は、前記外部接続端子と同じ物質を含むことを特徴とする請求項１６記載の半導体モジュール。
18. 前記接合部材と前記外部接続端子は、半田を含むことを特徴とする請求項１７記載の半導体モジュール。
19. 前記接合部材と前記外部接続端子は互いに異なる材質を含むことを特徴とする請求項１６記載の半導体モジュール。
20. 前記接合部材は、金、アルミニウム、又は銅を含み、前記外部接続端子は半田を含むことを特徴とする請求項１９記載の半導体モジュール。
21. 外部接続端子を有する半導体パッケージと、
    前記外部接続端子と電気的に接続されるターミナルランドを有する基板本体と、
    前記基板本体上に形成され、前記ターミナルランドを露出させて前記外部接続端子と密着される内側面を有する第１開口部、及び前記第１開口部と連通され前記第１開口部よりも広く前記半導体パッケージよりも狭い幅を有する第２開口部を有する絶縁膜パターンと、
    前記絶縁膜パターン上に形成され前記半導体パッケージの側面を取り囲む支持部材と、を含む半導体モジュール。
22. 前記絶縁膜パターンは、前記半導体パッケージと接触されることを特徴とする請求項２１記載の半導体モジュール。
23. 外部接続端子を有する半導体パッケージと、
    前記外部接続端子と電気的に接続されるターミナルランドを有する基板本体と、
    前記基板本体上に形成され、前記ターミナルランドを露出させて前記外部接続端子と密着される内側面を有する第１開口部を有する絶縁膜パターンと、
    前記絶縁膜パターン上に形成され、前記第１開口部と連通され前記第１開口部よりも広く前記半導体パッケージよりも狭い幅を有する第２開口部を有するスペーサと、
    前記スペーサ上に形成され前記半導体パッケージの側面を取り囲む支持部材と、を含む半導体モジュール。
24. 前記スペーサは、前記半導体パッケージと接触されることを特徴とする請求項２３記載の半導体モジュール。
25. 第１ターミナルランドが形成された第１面、及び前記第１面の反対側であって第２ターミナルランドが形成された第２面を有する印刷回路基板と、
    前記第１ターミナルランドと電気的に接続される第１外部接続端子を有する第１半導体パッケージと、
    前記第２ターミナルランドと電気的に接続される第２外部接続端子を有する第２半導体パッケージと、を含み、
    前記印刷回路基板は、前記第１ターミナルランドが露出されるように前記第１面に形成され前記第１外部接続端子を収容して前記第１半導体パッケージよりも狭い幅を有する第１凹部、及び前記第２ターミナルランドが露出されるように前記第２面に形成され前記第２外部接続端子を収容して前記第２半導体パッケージよりも狭い幅を有する第２凹部を有することを特徴とする半導体モジュール。
26. 外部接続端子を有する半導体パッケージを準備する段階と、
    ターミナルランドを有する印刷回路基板に前記外部接続端子を収容して前記半導体パッケージよりも狭い幅を有する凹部を形成して、前記ターミナルランドを露出させる段階と、
    前記外部接続端子を前記ターミナルランドに接合する段階と、を含む半導体モジュールの製造方法。
27. 前記凹部を形成する段階は、
    前記印刷回路基板上に絶縁膜を形成する段階と、
    前記絶縁膜をパターニングして、前記凹部を有する絶縁膜パターンを形成する段階と、を含むことを特徴とする請求項２６記載の半導体モジュールの製造方法。
28. 前記絶縁膜パターンを形成する段階は、
    前記絶縁膜に前記ターミナルランドを露出させる第１開口部を形成する段階と、
    前記第１開口部を有する前記絶縁膜に前記第１開口部と連通され前記第１開口部よりも広い幅を有する第２開口部を形成する段階と、を含むことを特徴とする請求項２７記載の半導体モジュールの製造方法。
29. 前記絶縁膜パターンを前記半導体パッケージと接触されるように形成することを特徴とする請求項２７記載の半導体モジュールの製造方法。
30. 前記凹部を形成する段階は、
    前記印刷回路基板上に絶縁膜を形成する段階と、
    前記絶縁膜をパターニングして、前記ターミナルランドを露出させる第１開口部を有する絶縁膜パターンを形成する段階と、
    前記絶縁膜パターン上に前記第１開口部と連通され前記第１開口部よりも広い幅を有する第２開口部を有するスペーサを形成する段階と、を含むことを特徴とする請求項２６記載の半導体モジュールの製造方法。
31. 前記スペーサを前記半導体パッケージと接触されるように形成することを特徴とする請求項３０記載の半導体モジュールの製造方法。
32. 前記外部接続端子を前記ターミナルランドに接合する段階は、
    前記外部接続端子に導電性フラックスを形成する段階と、
    前記ターミナルランド上に半田ペーストを形成する段階と、
    前記導電性フラックスと前記半田ペーストを接合する段階と、を含むことを特徴とする請求項２６記載の半導体パッケージモジュールの製造方法。
33. 前記導電性フラックスと前記半田ペーストを接合する段階は、リフロー工程を通じて行うことを特徴とする請求項３２記載の半導体モジュールの製造方法。

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