JP2008034686A - 光電変換素子およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】凹凸形状（テクスチャ構造）を高密度かつ緻密かつ均質にすることにより、光の散乱（光電変換素子内における光の閉じ込め効果）に優れた光電変換効率が高い、可撓性を有するフィルムを基材として用いた光電変換素子を提供すること。
【解決手段】少なくとも、透明電極８、光電変換層３、および、裏面電極７を有する光電変換素子において、入射側透明電極２と光電変換層３の間に、表面にテクスチャ構造を持つシリコーン樹脂からなるテクスチャ層を有する構造とする。さらに、透明電極８の入射面側にはアンチグレアー性の微細凹凸パターンを有する構造を設ける。
【選択図】図１

Description

本発明は、光センサおよび太陽電池などの光電変換素子に関する。

単結晶シリコンや多結晶シリコン膜を用いた太陽電池や光センサ等の光電変換層を有する光電変換素子が実用化されている。
多結晶シリコン膜を用いた光電変換層を持つ光電変換素子は、ＣＶＤで形成された多結晶シリコン膜などを用い、少なくとも一つのＰＩＮ接合が形成されている。

光電変換素子の構造としては、基板の表面に、少なくとも、入射光を反射する裏面電極と、光電変換層と、透明電極を有する構造が汎用されている。

さらに、裏面電極、光電変換層、透明電極のいずれかの層若しくは複数の層の表面を凹凸形状（テクスチャ構造）にする手法が汎用されている。
凹凸形状（テクスチャ構造）は、入射した光若しくは反射した光を光電変換層で吸収し易くし、光−電気変換効率を高める機能を有する。

凹凸形状（テクスチャ構造）は、例えば、単結晶シリコン太陽電池の場合、単結晶シリコン基板をエッチングすることにより形成される。

具体的には、加温した水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）水溶液または水酸化カリウム（ＫＯＨ）水溶液にイソプロピルアルコールを添加することにより混合液を生成し、該混合液にＳｉ（１００）ウエハを浸漬することにより、Ｓｉ（１００）ウエハ表面に四角錐状の突起状の凹凸形状（テクスチャ構造）を形成することができる。

また、炭酸ナトリウム（Ｎａ_２ＣＯ_３）水溶液をエッチング液とし、単結晶シリコン基板を該エッチング液に浸漬して、単結晶シリコン基板の表面に凹凸形状（テクスチャ構造）を形成する方法が開示されている。（特許文献１参照）

また、光電変換層が多結晶シリコン膜などにより構成される太陽電池の場合、可撓性を有する有機フィルムを基板に用い、シリコンを０．１〜６．０重量％含有するアルミニウムをターゲットとし、基板温度を５０℃〜２００℃としてスパッタすることにより凹凸形状（テクスチャ構造）を有する裏面電極（下部電極）を形成する方法が開示されている。（特許文献２参照）

また、金属基板上に酸化チタン、アルミナ、シリカなどの顔料を配合した電気絶縁性を有する耐熱性樹脂をコートすることにより、表面粗さ（Ｒｍａｘ）が０．３〜１．５μｍの凹凸形状（テクスチャ構造）を有する基板を形成する方法が開示されている。（特許文献３参照）

また、ガラス基板上に導電膜として酸化スズなどを形成する際に、成膜条件を調整しながら酸化スズ等の粒子径をコントロールして、透明電極層に凹凸形状（テクスチャ構造）を付与する方法が開示されている。（特許文献４参照）

特開２０００−１８３３７８号公報 特開平９−６９６４２号公報 特開平１１−１７７１１１号公報 特開２０００−３０１４１９号公報

従来の透明電極及び裏面電極表面上の凹凸形状（テクスチャ構造）は、規則性がなく、形状がランダムに形成されていた。
そのため、電極表面上のテクスチャ構造の密度にばらつきを生じており、光の散乱（光電変換素子内における光の閉じ込め効果）が十分ではなく、光電変換効率が不十分だった。

本発明の課題は、凹凸形状（テクスチャ構造）を高密度かつ緻密かつ均質にすることにより、光の散乱（光電変換素子内における光の閉じ込め効果）に優れた光電変換効率が高い、
可撓性を有するフィルムを基材として用いた光電変換素子を提供することを目的とする。

請求項１に記載の発明は、少なくとも、透明電極、光電変換層、および、裏面電極を有する光電変換素子であって、
前記透明電極が、微細凹凸パターンを施したシリコーン樹脂成形物からなる絶縁層、および、該微細凹凸パターン上に形成された透明導電膜を有する構成であることを特徴とする光電変換素子である。

このような構成にすることで、透明電極表面に高密度かつ緻密かつ均質な凹凸形状（テクスチャ構造）を形成することができ、光を多方向へ散乱させることが可能となり、光電変換効率を向上することができる。

請求項２に記載の発明は、前記シリコーン樹脂成形物が、ラジカル共重合が可能な不飽和化合物を１０重量％以上含有する、篭型構造のポリオルガノシルセスキオキサンを有することを特徴とする請求項１に記載の光電変換素子である。

このようにすることで、耐熱性が高く、着色が少なく、熱膨張係数が低く、透明性に優れた透明電極ができる。

請求項３に記載の発明は、前記シリコーン樹脂成形物が、シリコーン樹脂をガラスクロスに含浸させ硬化させた成形物であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の光電変換素子である。

このようにすることで、シリコーン樹脂の強度を上げ、熱膨張係数を抑えることができる。

請求項４に記載の発明は、前記シリコーン樹脂成形物が、透明導電膜が形成された面とは反対側の面にアンチグレア性の微細凹凸パターンを有すること特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の光電変換素子である。

このようにすることで、入射面の表面反射を抑えることができる。

請求項５に記載の発明は、前記シリコーン樹脂が、電離放射線硬化型シリコーン樹脂であることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の光電変換素子である。

このようにすることで、低温下において原版からシリコーン樹脂へのパターン転写が可能となり、高精度、かつ、（熱硬化に比べ）高速にシリコーン樹脂を硬化させることができる。

請求項６に記載の発明は、前記裏面電極が、透明電極膜に再帰反射性シートを貼り合せた光反射性電極であることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の光電変換素子である。

このようにすることで、全反射条件での反射光を使用することができ、金属反射板の光吸収を抑えることができる。
また、入射側透明電極に凹凸形状（テクスチャ構造）を付けているため、反射電極に光散乱構造を付与する必要がなくなる。
（過剰に散乱させると逆効果の場合がある）

請求項７に記載の発明は、前記微細凹凸パターンが、高さが３０ｎｍ〜１１００ｎｍ、ピッチが３０ｎｍ〜１１００ｎｍの微細凹凸パターンであることを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載の光電変換素子である。

透明電極において、入射光の後方散乱はロスとなる。
また、光電変換素子に入射光を吸収し易くするには、前方散乱性を高める必要があり、ミー散乱が起こるような範囲の凹凸形状（テクスチャ構造）とすることが望ましい。
太陽電池にとって、必要とされる光の波長帯は３００ｎｍ〜１１００ｎｍであり、ミー散乱が起こる条件は、凹凸の高さ及び凹凸の幅が波長の１０分の１〜波長の大きさ程度である。

請求項８に記載の発明は、前記光電変換素子が太陽電池であることを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれか一項に記載の光電変換素子である。

このようにすることで太陽電池の高効率化が望める。

請求項９に記載の発明は、前記光電変換素子が光センサであることを特徴とする請求項１乃至請求項８のいずれか一項に記載の光電変換素子である。

このようにすることで光センサの高感度化が望める。

請求項１０に記載の発明は、請求項１乃至請求項９のいずれか一項に記載の光電変換素子の製造方法であって、
前記シリコーン樹脂に所定の表面形状を有する原版を圧着し、該シリコーン樹脂に前記微細凹凸パターンを転写することを特徴とする光電変換素子の製造方法である。

このようにすることで、透明電極表面に高密度かつ緻密かつ均質な凹凸形状（テクスチャ構造）を形成することができる。

請求項１１に記載の発明は、請求項１乃至請求項９のいずれか一項に記載の光電変換素子の製造方法であって、
少なくとも、所定の表面形状を有する原版の凹凸形成面上に、未硬化のシリコーン樹脂および基材フィルムをこの順で積層し、熱又は電離放射線により該未硬化のシリコーン樹脂を硬化し、その後、前記原版を除去してシリコーン樹脂に凹凸パターンを形成する工程と、
該凹凸パターン上に前記透明導電膜を形成する工程と、
該透明導電膜上に前記光電変換層を形成する工程と、
該光電変換層上に、前記裏面電極を積層する工程を有することを特徴とする光電変換素子の製造方法である。

このようにすることで、高い光電変換効率を有する光電変換素子を容易な製造プロセスで製造することができる。

請求項１２に記載の発明は、前記基材フィルムの耐熱温度が１００℃以上であり、該基材フィルムの前記シリコーン樹脂と接する面がアンチグレア形状を有することを特徴とする請求項１１に記載の光電変換素子の製造方法である。

シリコーン樹脂の硬化温度条件を高くすることで、硬化時間を短縮することができるので、基材フィルムを耐熱性基材（例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネイト、ポリエチレンナフタレート等）とすれば工程時間を短くでき、さらにシリコーン面をアンチグレアとすることで光反射を低減でき、高い光電変換効率を有する光電変換素子が容易な製造プロセスによって得られる。

本発明によれば、光の散乱（光電変換素子内における光の閉じ込め効果）に優れた光電変換効率が高い、可撓性を有するフィルムを基材として用いた光電変換素子を得ることができる。

本発明の光電変換素子の構成部分断面図を図１に示す。
光電変換素子は、光反射層６上に、接着層５、透明導電膜４、光電変換層３、透明導電膜２、透明基板１をこの順で有する。
裏面電極７は光反射層５、接着層４、透明導電膜３からなり、光入射側透明電極８は、透明基板１及び透明導電膜２から構成される。
また、図示していないが、光電変換素子の機械的ダメージ、酸化、腐食等を抑えるために、図示する光電変換素子の少なくとも透明基板１と透明導電膜２の間にバリアー層を設けることが好ましい。

図１には太陽電池セルを示しており、太陽電池は、通常、複数のセルが直列に接続された構成とされる。
その場合、各セルの透明電極上には、収集電極及び配線電極が設けられる。
収集電極は、各セルにおいて発電された電力を比抵抗の比較的高い透明電極表面から収集するための電極である。
配線電極は、各セルの収集電極と、隣接するセルの反射電極とを接続するための電極である。
また、セルの直列接続の両末端には、プラス側及びマイナス側の引き出し電極がそれぞれ設けられている。

本発明の光電変換素子においては、外部から入射した光は、透明電極を透過し、テクスチャ構造で前方散乱し、光電変換層表面に到達する。
光電変換層表面に到達した光は、光電変換層に入射あるいは光電変換層の表面で反射される。
そして、光電変換層の表面で反射された光は、光電変換層表面のテクスチャ構造の他面に入射して、吸収される。
一方、光電変換層に入射した光のうち、光電変換層で吸収されずに裏面電極表面に達した光は、裏面電極表面で反射され、光電変換層に再度入射される。
さらに、裏面電極で反射され、光電変換層に再度入射した光のうち、光電変換層に吸収されずに光電変換層の表面に達した光は、光電変換層の凹凸表面で再び反射され、光電変換層に入射される。
このように光電変換層内に入射した光が反射を繰り返すことで、光電変換層内を進む光路が長くなり、光電変換層に光が効率良く吸収され、太陽電池の光電変換効率は高まる。

以下、本発明の光電変換素子各部の構成と、製造方法について、太陽電池を例として説明する。
本発明の光電変換素子である太陽電池は、透明基板１と透明導電膜２と光電変換層３と裏面電極７を有する構成である。

透明基板としては、紫外領域から赤外領域まで幅広く透明性があり、可撓性を有し、透明導電膜及び光電変換層の形成時の熱に対する耐熱性（およそ２５０℃）を有し、屋外で使用するための耐候性を有するプラスチックを用いることができる。
プラスチックを用いることにより、ｒｏｌｌ ｔｏ ｒｏｌｌの製造工程の採用を可能とすることができ、生産速度を大幅に速めることができる。

基板表面の微細凹凸パターンは、微細凹凸パターンを有する原版に液状の未硬化シリコーン樹脂を塗布し、フィルム基材を貼り合わせ、加熱押圧又は紫外線にて未硬化シリコーン樹脂を硬化し、原版を剥離し、シリコーン樹脂に凹凸パターンを転写することにより形成することができる。
この方法では、まず、微細凹凸パターンを転写する原版を作製する。
原版表面上の微細凹凸パターンの形成方法としては、金属板を直接切削する方法や、レジストをレーザ若しくは電子線描画を用いてパターニングし、その後、ニッケル電鋳法にてニッケル原版とする方法を用いることができる。
また、前記ニッケル原版からＵＶ樹脂などをフィルム上に転写したものをフィルム原版として用いても良い。

図２に透明基材１の部分断面図を示す。
透明基材の入射側表面にはアンチグレアパターン３５が形成されており、一方の透明電極側には光閉じ込め機能（散乱）を有する構造３６が形成されている。
構造３６の凹凸高さＨやピッチＰは、すべて波長以下の大きさであるが、光の波長帯が広いので波長帯を数種に分け、光学設計し、その配列を２〜５種類程度に収め、図３に示すようにランダム配列とする。
例えば、３００〜５００ｎｍの光に対応するセル５００〜７００ｎｍの光に対応するセル７００〜９００ｎｍの光に対応するセル９００〜１１００ｎｍの光に対応するセル１２とし、１つのセルを５０μｍ〜１００μｍ角とすることで、各セルの存在比率を変化させ、世界の各地域による太陽の分光分布の違いに対応できる製品を容易に得ることができる。

耐熱性を有する透明基板（フィルム）としては、透明ポリイミドフィルム、フッ素樹脂フィルム、高耐熱性ポリカーボネイトフィルムなどが、開発段階或いは一部市販されているが、これらのフィルムに微細凹凸パターンを熱エンボス転写するには、耐熱温度からさらに１００〜１５０℃以上の温度でプレスする必要があり現実的ではない。
そこで、熱硬化性を有し、耐熱性、透明性にも優れ、可とう性があるシリコーン樹脂を使用すれば、凹凸細部形状に追従でき（未硬化シリコーン樹脂は液状であるため）、比較的低温で凹凸形状の転写が可能となる。
しかし、一般的にシリコーン樹脂は、その硬化物の硬度は低くゴム状であり、さらに熱膨張係数が大きいものが多い。
そこで、シリコーン組成としては請求項２に記載したような物が好ましく、更に、硬度を高め、熱膨張係数を低く、剛性を出す方法として、シリコーン樹脂成形物としてシリコーン樹脂をガラスクロスで含浸した物を用いるのが良い。

図４及び図５には熱硬化性シリコーン樹脂を使用した場合、図６は紫外線硬化性シリコーンを使用した場合における、微細凹凸パターンを付与した透明基板の製造装置の全体側面図を示す。
図４は、ノングレアフィルム１８上にシリコーン樹脂をダイコータ１４で塗布し、それを微細凹凸パターンを有する原版１３に貼付ながら一定時間加熱プレスし、最後に両面にパターン転写されたシリコーン樹脂フィルム１６を巻き取る様子を模式的に示している。

一方、図５は微細凹凸パターンを転写したフィルム１９を予め用意し、シリコーン樹脂と、ノングレアフィルムを貼り合せ、スクロールオーブン内を通し、両面にパターン転写されたシリコーン樹脂フィルム２２を巻き取る様子を模式的に示している。

図６は、ノングレアフィルム２４上に紫外線硬化性シリコーン樹脂をダイコータ２５で塗布し、シリンダー状原版２７と貼り合せた後、紫外線硬化し、剥離後、両面にパターン転写されたシリコーン樹脂フィルム２８を巻き取る様子を模式的に示している。

裏面電極は、太陽電池に入射し、光電変換層で吸収されずに透過した光を反射し、光電変換層に再び入射させる。
このように光を反射させることで、光を効率良く光電変換層で吸収させる機能を有する。一般に、裏面電極は、アルミニウム（Ａｌ）や銀（Ａｇ）の金属単層膜を用いることができ、また、光学干渉による増反射効果を得ることを目的として、透光性導電膜をこれらの金属単層膜と組み合わせた構造としても良い。
また、光入射側透明電極で入射光を散乱させているので、反射性電極で光を散乱させる必要がなく、金属反射よりも反射性を高くすることが可能である全反射条件を利用した再帰反射性シートを用いることができる。
裏面電極は、光電変換層形成時に水素プラズマに晒されることになる。
それにより、透光性が劣化する惧れがあるため、透光性導電膜は、水素プラズマに対する耐性が優れた材料が好ましい。
具体的には、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ_２）が好ましい。

光電変換層は、ｐｎ接合またはｐｉｎ接合を有する。
本発明の光電変換素子は、テクスチャ構造を設けることにより変換効率を向上させる。
このため、光電変換層の構成は特に限定されずどのような構成の光電変換層を有する場合においても変換効率を向上する効果を得ることができる。
光電変換層の構成材料は、一般的なシリコンのほか、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、Ｃｄ／ＣｄＴｅなどの材料を用いることができる。
また、変換可能な波長領域を拡大するために、異なる化合物からなる光電変換層を複数個積層したいわゆるタンデム構造としても良い。

光電変換層は、プラズマＣＶＤ法などの真空成膜法により形成することができる。
形成方法（形成条件）は特に限定されず、構成材料に応じて適宜設定すれば良い。

透明電極は、透明導電材料により構成される。
用いられる透明導電材料は、特に限定はないが、透明性、導電性に優れた材料、例えば、酸化インジウム（ＩＴＯ）や、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ_２）等が好ましい。また、透明電極の厚さは、１０〜１００ｎｍとすることが好ましい。
透明電極の形成方法は特に限定されないが、スパッタ法などの真空成膜法を用いることができる。
図７には連続巻取り方式のスパッタ法を説明するための概略図を示した。

以下、本発明の実施例について説明する。

基材フィルムとして、厚さ１００μｍのポリカーボネート製ノングレアフィルムを用い、図４に示した製造装置において、基材フィルムの表面に、シリコーン樹脂（ＧＥ東芝シリコーン社製、ＩＶＳ４６３２）を塗布し、その後、日東紡製Ｔガラスクロス（厚さ１００μｍ）を含浸し、その後、所定パターンを有する原版１３とステンレスベルト１５で貼合し、その後、１２０℃下において１０分間硬化させ、その後、原版を基材フィルムから剥離することにより、両面にパターン転写されたシリコーン樹脂フィルム（厚さ２００μｍ・透明基板）を得た。

原版ベルト１３は、幅１５０ｎｍ、高さ１５０ｎｍの円柱が並ぶピラー状パターンをＥＢレジストと電子線描画装置を用いて作製し、ニッケル電鋳法でニッケル版とし、同様にして作製したニッケル版同士を突合せて溶接することにより、原版ベルトを作製した。

次に、ＤＣスパッタ法を用いて、厚さ３００ｎｍのＧａ添加ＺｎＯからなる透光性導電膜を積層した。
スパッタ条件を以下に示す。
（ＺｎＯ層）
ターゲット：Ｇａ＋ＺｎＯ焼結体
スパッタガス：アルゴン
ガス圧力：６６．７Ｐａ
投入電力：０．５Ｗ／ｃｍ^２
基板温度：２００℃

次に、光電変換層である、ｎ層、ｉ層およびｐ層（多結晶シリコン層）を下記条件にてプラズマＣＶＤ法により形成した。
（ｎ層）
使用ガス、流量：ＰＨ_３／Ｈ_２／ＳｉＨ_４＝０．０６ｓｃｃｍ／８００ｓｃｃｍ／５ｓｃｃｍ
圧力：１３３．３Ｐａ
投入電力：５０ｍＷ／ｃｍ^２
基板温度：２２０℃
厚さ：５０ｎｍ
（ｉ層）
使用ガス、流量：Ｈ_２／ＳｉＨ_４＝１０００ｓｃｃｍ／２０ｓｃｃｍ
圧力：２６．７Ｐａ
投入電力：６００ｍＷ／ｃｍ^２
基板温度：２２０℃
厚さ：１６００ｎｍ
（ｐ層）
使用ガス、流量：Ｂ_２Ｈ_６／Ｈ_２／ＳｉＨ_４＝０．０２ｓｃｃｍ／９００ｓｃｃｍ／４ｓｃｃｍ
圧力：６６．７Ｐａ
投入電力：１８０ｍＷ／ｃｍ^２
基板温度：１２０℃
厚さ：１５ｎｍ
反射電極は、厚さ１００ｎｍのＩＴＯ膜とし、ＤＣスパッタ法により形成した。
スパッタ条件を以下に示す。
ターゲット：Ｉｎ_２Ｏ_３＋ＳｎＯ_２焼結体
スパッタガス：Ａｒ／Ｏ_２＝０．４Ｐａ／０．０８Ｐａ
投入電力：０．３Ｗ／ｃｍ^２
基板温度：１００℃

次に、住友３Ｍ製スコッチライト反射シート（ハイインテンシティグレート）を、エンキャップ材（ＧＥ東芝シリコーン社製、ＸＥ１４−Ｂ３４４５）を用いて接着した。

最後に、配線電極および取り出し電極を形成して、太陽電池を得た。

次に、ソーラーシュミレーターを用い、太陽電池規格ＡＭ１．５（１００ｍＷ／ｃｍ^２）照射条件下における電流−電圧特性を評価した。

開放電圧は０．５Ｖ、短絡電流は２４ｍＡ／ｃｍ^２、形状因子は０．７５、変換効率は９．０％であった。
＜比較例１＞
微細凹凸パターンを設けなかったこと以外は実施例と同様にして太陽電池を作製し、実施例と同様に電池特性を測定した。

開放電圧は０．５２Ｖ、短絡電流は１８ｍＡ／ｃｍ^２、形状因子は０．７５、変換効率は７．２％であった。

比較例の太陽電池よりも実施例の太陽電池の方が、光電電流が大きく、光電変換効率が高い事が確認された。

本発明の、太陽電池およびその製造方法は、電気自動車、携帯電話、自動販売機、宇宙船用の電源等に用いる太陽電池に利用できる。

本発明の光電変換素子の一例である太陽電池の部分断面図である。 本発明の入射側透明基板の部分断面図である。 本発明のテクスチャ構造の平面配置図である。 本発明の透明基板の製造方法の一例である。 本発明の透明基板の製造方法の一例である。 本発明の透明基板の製造方法の一例である。 本発明の透明導電膜の成膜装置（巻き取り方式）の概略図である。

符号の説明

１・・・・透明基板
２・・・・透明導電膜
３・・・・光電変換層
４・・・・透明導電膜
５・・・・接着層
６・・・・反射性基板
７・・・・裏面電極
８・・・・透明電極
９・・・・３００から５００ｎｍの波長の光に対応する設計素子
１０・・・５００から７００ｎｍの波長の光に対応する設計素子
１１・・・７００から９００ｎｍの波長の光に対応する設計素子
１２・・・９００から１１００ｎｍの波長の光に対応する設計素子
１３・・・原版ベルト
１４・・・塗工ヘッド
１５・・・ステンレスベルト
１６・・・転写済みシリコーン樹脂フィルム
１７・・・基材フィルム（ノングレアフィルムなど）
１８・・・基材フィルム（ノングレアフィルムなど）
１９・・・エンボスフィルム
２０・・・スクロールオーブン
２１・・・基材フィルム（ノングレアフィルムなど）
２２・・・転写済みシリコーン樹脂フィルム
２３・・・エンボスフィルム
２４・・・基材フィルム（ノングレアフィルムなど）
２５・・・塗工ヘッド
２６・・・紫外線照射機
２７・・・シリンダー状原版
２８・・・転写済みシリコーン樹脂フィルム
２９・・・基材フィルム（ノングレアフィルムなど）
３０・・・転写済みシリコーン樹脂フィルム
３１・・・温度調整シリンダー
３２・・・スパッタ源
３３・・・真空チャンバー
３４・・・透明電極フィルム

Claims (12)

1. 少なくとも、透明電極、光電変換層、および、裏面電極を有する光電変換素子であって、
   前記透明電極が、微細凹凸パターンを施したシリコーン樹脂成形物からなる絶縁層、および、該微細凹凸パターン上に形成された透明導電膜を有する構成であることを特徴とする光電変換素子。
2. 前記シリコーン樹脂成形物が、ラジカル共重合が可能な不飽和化合物を１０重量％以上含有する、篭型構造のポリオルガノシルセスキオキサンを有することを特徴とする請求項１に記載の光電変換素子。
3. 前記シリコーン樹脂成形物が、シリコーン樹脂をガラスクロスに含浸させ硬化させた成形物であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の光電変換素子。
4. 前記シリコーン樹脂成形物が、透明導電膜が形成された面とは反対側の面にアンチグレア性の微細凹凸パターンを有すること特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の光電変換素子。
5. 前記シリコーン樹脂が、電離放射線硬化型シリコーン樹脂であることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の光電変換素子。
6. 前記裏面電極が、透明電極膜に再帰反射性シートを貼り合せた光反射性電極であることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の光電変換素子。
7. 前記微細凹凸パターンが、高さが３０ｎｍ〜１１００ｎｍ、ピッチが３０ｎｍ〜１１００ｎｍの微細凹凸パターンであることを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載の光電変換素子。
8. 前記光電変換素子が太陽電池であることを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれか一項に記載の光電変換素子。
9. 前記光電変換素子が光センサであることを特徴とする請求項１乃至請求項８のいずれか一項に記載の光電変換素子。
10. 請求項１乃至請求項９のいずれか一項に記載の光電変換素子の製造方法であって、
    前記シリコーン樹脂に所定の表面形状を有する原版を圧着し、該シリコーン樹脂に前記微細凹凸パターンを転写することを特徴とする光電変換素子の製造方法。
11. 請求項１乃至請求項９のいずれか一項に記載の光電変換素子の製造方法であって、
    少なくとも、所定の表面形状を有する原版の凹凸形成面上に、未硬化のシリコーン樹脂および基材フィルムをこの順で積層し、熱又は電離放射線により該未硬化のシリコーン樹脂を硬化し、その後、前記原版を除去してシリコーン樹脂に凹凸パターンを形成する工程と、
    該凹凸パターン上に前記透明導電膜を形成する工程と、
    該透明導電膜上に前記光電変換層を形成する工程と、
    該光電変換層上に、前記裏面電極を積層する工程を有することを特徴とする光電変換素子の製造方法。
12. 前記基材フィルムの耐熱温度が１００℃以上であり、該基材フィルムの前記シリコーン樹脂と接する面がアンチグレア形状を有することを特徴とする請求項１１に記載の光電変換素子の製造方法。

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