JP2008034060A - 垂直磁気記録媒体および磁気記憶装置 - Google Patents

Abstract

【課題】記録層の磁化容易軸の配向分散を低減し、かつ良好な記録再生特性を有する垂直磁気記録媒体およびこれを備える磁気記憶装置を提供する。
【解決手段】基板１１と、基板１１上に、軟磁性裏打層１２、非晶質層１３、配向制御下地層１４、配向制御中間層１５、第１記録層１６、第２記録層１７、保護膜１８、および潤滑層１９を順次積層してなり、第１および第２記録層１６、１７が、六方細密充填結晶構造を有する強磁性材料を含み、配向制御下地層１４が、面心立方結晶構造を有するＮｉＣｒまたはＮｉＣｕを主成分とする非磁性材料からなる。さらに、配向制御中間層１５が六方細密充填結晶構造を有する非磁性材料からなる。
【選択図】図１

Description

本発明は、垂直磁気記録媒体およびこれを備える磁気記憶装置に係り、特に、記録層の下地が複数の層からなる垂直磁気記録媒体およびこれを備えた磁気記憶装置に関する。

近年，磁気記憶装置は，その高いデータ転送能力とストレージキャパシティから、情報化社会の発展に伴い、従来の用途であるパーソナルコンピューター、サーバー以外にも、 カーナビゲーションシステム、ポータブルミュージックプレーヤー、ＨＤＤレコーダー、携帯電話機等に用いられ始めている。このため、磁気記憶装置は更なる高容量化、高記録密度化が要求されている。

磁気記憶装置は、従来、その磁気記録媒体として面内記録方式の磁気記録媒体が用いられてきた。この方式は磁気記録媒体の残留磁化膜厚積（ｔＢｒ)の縮小と、高保磁力（Ｈｃ）化により、媒体ノイズの低減が図れることが知られている。ｔＢｒの縮小を進めると記録層の結晶粒子が微細化し、記録層の残留磁化が熱エネルギーの影響で次第に減少する、いわゆる熱揺らぎの問題が発生する。また、高Ｈｃ化も記録ヘッド磁界の大きさには制限があることから、これ以上の高Ｈｃ化は難しいとされている。この様な背景により、面内記録方式の磁気記録媒体のこれ以上の高記録密度化は難しいとされてきた。

近年、磁気記録媒体のさらなる高記録密度化を達成する為に、垂直磁気記録方式の磁気記録媒体（垂直磁気記録媒体）の開発が活発になってきている。垂直磁気記録方式では、垂直磁気記録媒体に記録された記録ビットは、隣接する記録ビットの反磁界の影響により、高記録密度である程、残留磁化の大きさが安定する利点がある。その結果、熱揺らぎ耐性も強化される。

また、垂直記録媒体には、基板と記録層との間に軟磁性材料からなる軟磁性裏打層が付与される。軟磁性裏打層を付与しなくとも記録・再生は可能であるが、単磁極ヘッドと裏打層との組み合わせにより、記録時における記録素子からの発生磁界を従来の面内記録用ヘッドと比較して約１．３倍以上に大幅に増幅出来る。これにより、面内記録媒体よりも高いＨｃを垂直媒体に付与することが可能となる。また、軟磁性裏打層は記録素子から発生される磁界を急峻に引き込む為、磁界勾配が小さくなり、信号の書き広がりの影響も低減される。この様に垂直磁気記録媒体は、面内磁気記録媒体と比較して、様々な優位性がある。

垂直磁気記録媒体においても高記録密度化を図る為には、媒体ノイズの低減が必須である。媒体ノイズを低減する為には、記録層の磁化容易軸の配向分散を小さくすることが有効である。磁化容易軸の配向分散とは、磁化容易軸が基板面に垂直な方向に対してどの程度ずれて分布しているかを示す。

垂直磁気記録媒体では、さらなる高記録密度化を進めるため、軟磁性裏打層と記録層との間に中間層を設け、中間層による記録層の垂直配向性を制御する手法が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。特許文献１では、軟磁性裏打層と記録層との間に、Ｃｕからなる第１中間層とＣｏＣｒを主体とした第２中間層の積層体を設けることが開示されている。
特開２００２−２１６３３８号公報

ところで、上記特許文献１では、第１および第２中間層により記録層の磁化容易軸の良好な配向分散が期待される。しかし、第２中間層として残留磁化を有する材料（強磁性材料）を使用しているので、媒体ノイズが増加する原因となる。このため、高記録密度では媒体ノイズの増加により記録再生特性が悪化するおそれがあるという問題がある。

そこで、本発明は上記問題点に鑑みてなされたもので、本発明の目的は、記録層の磁化容易軸の配向分散を低減し、かつ良好な記録再生特性を有する垂直磁気記録媒体およびこれを備える磁気記憶装置を提供することである。

本発明の一観点によれば、基板と、前記基板上に形成された軟磁性裏打層と、前記軟磁性裏打層上に形成された配向制御下地層と、前記配向制御下地層上に形成された基板面に略垂直な磁化容易軸を有する記録層と、を備え、前記記録層は六方細密充填結晶構造を有する強磁性材料を含み、前記配向制御下地層は、面心立方結晶構造を有するＮｉＣｒまたはＮｉＣｕを主成分とする非磁性材料からなる垂直磁気記録媒体が提供される。

本発明によれば、配向制御下地層が面心立方（ｆｃｃ）結晶構造を有するＮｉＣｒまたはＮｉＣｕを主成分とするので、その上に形成される六方細密充填（ｈｃｐ）結晶構造の記録層の結晶性が良好となり、さらに、記録層のｃ軸が基板面に垂直方向となり、そのｃ軸の配向性も良好となる。また、記録層のｃ軸は磁化容易軸である。これらのことより、記録層のｃ軸の配向分散が低減される。また、配向制御下地層は非磁性材料からなるので、媒体ノイズの発生源となることはなくＳＮ比も向上する。したがって、記録層の磁化容易軸の配向分散を低減し、かつ良好な記録再生特性を有する垂直磁気記録媒体が提供される。

前記配向制御下地層と記録層との間に、六方細密充填結晶構造を有する非磁性材料からなる配向制御中間層をさらに備えてもよい。これにより、配向制御下地層がその上に形成されるｈｃｐ結晶構造の配向制御中間層の結晶性が良好となり、さらに、結晶配向性も良好となる。その結果、配向制御中間層の上に形成される記録層の結晶性および結晶配向性がいっそう良好となる。そのため、記録層のｃ軸の配向分散がいっそう低減される。これと同時に、保磁力が大幅に増加し磁気特性も良好となるので記録再生特性が良好になる。なお、本願明細書および特許請求の範囲では、保磁力は特に断らない限り、基板面に垂直な方向の保磁力、いわゆる垂直保磁力である。

本発明の他の観点によれば、上記いずれかの垂直磁気記録媒体と、記録素子と磁気抵抗効果型再生素子を有する記録再生手段と、を備える磁気記憶装置が提供される。

本発明によれば、垂直磁気記録媒体が記録層の磁化容易軸の配向分散を低減し、かつ良好な記録再生特性を有するので高密度記録が可能な磁気記憶装置が提供できる。

本発明によれば、記録層の磁化容易軸の配向分散を低減することで高記録密度化が可能な垂直磁気記録媒体およびこれを備える磁気記憶装置を提供できる。

以下、図面を参照しつつ、本発明に係る実施の形態を詳細に説明する。

（第１の実施の形態）
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る第１例の垂直磁気記録媒体の断面図である。

図１を参照するに、第１の実施の形態に係る第１例の垂直磁気記録媒体１０は、基板１１と、基板１１上に、軟磁性裏打層１２、非晶質層１３、配向制御下地層１４、配向制御中間層１５、第１記録層１６、第２記録層１７、保護膜１８、および潤滑層１９を順次積層してなる。垂直磁気記録媒体１０は、後ほど詳しく説明するように、配向制御下地層１４により、第１および第２記録層１６，１７の磁化容易軸の配向分散を低減し、かつＳＮ比等の記録再生特性を向上して高記録密度化が可能になる。

基板１１は、例えば、プラスチック基板、結晶化ガラス基板、強化ガラス基板、Ｓｉ基板、アルミニウム合金基板などから構成される。垂直磁気記録媒体１０がテープ状である場合はポリエステル（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、耐熱性に優れたポリイミド（ＰＩ）などのフィルムを用いることができる。本発明では基板加熱を必要としないので、これらの樹脂製基板を用いることができる。

軟磁性裏打層１２は、膜厚が、例えば、２０ｎｍ〜２μｍであり、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｃ、およびＢから選択された少なくとも１種の元素を含む非晶質もしくは微結晶の軟磁性材料からなる。軟磁性裏打層１２は、例えば、ＣｏＮｂＺｒ，ＣｏＴａＺｒ，ＦｅＣｏＢ，ＦｅＴａＣ，ＦｅＡｌＳｉ，およびＮｉＦｅのいずれかからなる。このような軟磁性材料を選択することで、記録磁界の飽和を抑制し、サイドイレーズを抑制できる。さらに、軟磁性裏打層１２は、１層に限定されず、複数層を積層してもよい。

また、軟磁性裏打層１２は、図示を省略するが、上記の軟磁性材料からなる軟磁性層２層でＲｕ膜を挟んだ積層フェリ構造の軟磁性裏打積層体としてもよい。軟磁性裏打積層体は、軟磁性層同士がＲｕ膜を介して反強磁性的に交換結合する。これにより、それぞれの軟磁性層からの漏洩磁界が打ち消されるので、再生時のノイズを低減できる。

非晶質層１３は、膜厚が、例えば２．０ｎｍ〜１０ｎｍであり、Ｔａ、Ｗ、およびＭｏからなる群のうち、いずれか１種を主成分とする非晶質の非磁性材料から選択される。非晶質層１３は、この上に形成される配向制御下地層１４の結晶粒子の結晶配向性を向上させる。さらに、かかる結晶粒子の粒径を均一化する。

また、非晶質層１３は、配向制御下地層１４の結晶配向性をいっそう向上させる点で、Ｔａからなることが好ましい。さらに、非晶質層１３は、軟磁性裏打層１２と記録層１５とを近接させる点で、上記の材料の単層膜であることが好ましく、膜厚が１．０ｎｍから５．０ｎｍであることが好ましい。非晶質層１３は上記の材料の膜を複数積層させた積層体としてもよい。なお、非晶質層１３を設けた方が上述したように好ましいが、省略してもよい。

配向制御下地層１４は、ｆｃｃ結晶構造を有するＮｉＣｒまたはＮｉＣｕを主成分とする非磁性材料からなる。配向制御下地層１４は、ｆｃｃ結晶構造を有し、（１１１）結晶面が優先的に成長する。この（１１１）結晶面の上に、ｈｃｐ結晶構造を有する配向制御中間層１５の（０００２）面がエピタキシャル成長する。配向制御下地層１４上の配向制御中間層１５の成長は、配向制御下地層１４の（１１１）結晶面と配向制御中間層１５の（０００２）面との格子整合性が良好であるので、配向制御中間層１５の結晶性および結晶配向性が極めて良好である。これにより、配向制御中間層１５上にエピタキシャル成長する第１および第２記録層１６，１７のｃ軸の配向分散を低減できる。なお、第１および第２記録層１６，１７のｃ軸は磁化容易軸である。また、配向制御下地層１４は、配向制御中間層１５を設けない場合は、第１記録層１６に直接接するが、この場合も、第１および第２記録層１６，１７のｃ軸の配向分散を低減できる。

また、配向制御下地層１４はＮｉＣｒまたはＮｉＣｕを主成分とすることで非磁性となり，Ｎｉ，Ｆｅ，ＮｉＦｅ等の強磁性材料を用いた場合と比較して、配向制御下地層１４自体からのノイズ成分が消失するため、ノイズ低減効果が極めて高い。

配向制御下地層１４がＮｉＣｒからなる場合、Ｃｒ含有量が１０原子％〜２２原子％であることが好ましい。配向制御下地層１４のＣｒ含有量が１０原子％を切ると強磁性化し始め、これによるノイズが増加する傾向となる。配向制御下地層１４のＣｒ含有量が２２原子％を超えるとｆｃｃ結晶構造の結晶に体心立方（ｂｃｃ）結晶構造の結晶が混じる双晶状態化が始まり、配向制御中間層１５の結晶配向性に悪影響を及ぼし始める。

また、配向制御下地層１４がＮｉＣｕからなる場合、Ｃｕ含有量が４０原子％〜９９原子％（さらに好ましくは４０原子％〜５０原子％）であることが好ましい。Ｃｕ含有量が４０原子％以上としたのは、４０原子％を切ると強磁性化し始めノイズが増加し始めるためである。

また、配向制御下地層１４は、Ｆｅ、Ａｌ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｐｔ、およびＡｕからなる群のうち少なくとも１種の元素（添加元素）がさらに添加されてもよい。これらの元素を添加しても、配向制御下地層１４の結晶性を劣化させずに格子間隔を制御できるので，その上に形成される配向制御中間層１５の格子間隔に適合させることができる。それにより、良好なエピタキシャル成長が可能となり、配向制御中間層１５さらには第１および第２記録層１６，１７の結晶性および結晶配向性が良好となる。なお、添加元素の含有量は、０．５原子％〜２０原子の範囲に設定されることが好ましい。なお、配向制御中間層１５を設けない場合は、配向制御下地層１４は、上記の添加元素により、第１記録層１６の格子間隔に適合させることができる。

また、配向制御下地層１４は、その膜厚が１ｎｍ〜２０ｎｍの範囲に設定されることが好ましい。配向制御下地層１４の膜厚が１ｎｍを切ると、配向制御下地層１４の結晶性が劣化する傾向にあり、２０ｎｍを超えると軟磁性裏打層１２と記録素子との距離が過度の大きくなるため被ライト性能が劣化する場合があり、好ましくないからである。配向制御下地層１４はこのような薄膜に設定することで、配向制御中間層１５の結晶性および結晶配向性を向上でき、また、第１および第２記録層１６，１７の保磁力を大幅に増加できる。

配向制御中間層１５は、ｈｃｐ結晶構造を有する非磁性材料からなる。配向制御中間層１５は、例えば、Ｒｕ、ｈｃｐ結晶構造を有する非磁性のＲｕ−Ｘ合金（ＸはＣｏ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｔａ、ＢおよびＭｎからなる群のうち少なくとも１種からなる。）、およびＴｉが挙げられる。このように、配向制御中間層１５がｈｃｐ結晶構造からなるので、ｆｃｃ結晶構造を有する配向制御下地層１４上にエピタキシャル成長し、結晶性および結晶配向性が良好となり、配向制御中間層１５自体の結晶性が良好となる。これと共に、ｃ軸の配向が基板面に対して垂直となると共に、その結晶配向性が良好になる。その結果、配向制御中間層１５は、第１記録層１６、さらには第２記録層１７の結晶配向性を向上させる。そのため、第１および第２記録層１６，１７の磁化容易軸（ｃ軸）の配向分散が低減され、記録再生特性が向上する。

また、配向制御中間層１５は、Ｒｕ、ＲｕＣｏ、ＲｕＣｏＣｒ、ＲｕＣｏＢ、ＲｕＣｏＣｒＴａからなる群のうちいずれか一種からなることが好ましい。これらの材料は、その格子間隔が第１記録層１６の格子間隔と略同等のため、互いに格子整合が良好となり、第１および第２記録層１７の磁化容易軸（ｃ軸）の配向分散が低減され、記録再生特性が向上する。なお、この場合、配向制御中間層１５と配向制御下地層１４との格子整合も良好となる。

また、配向制御中間層１５は、その膜厚に応じて第１および第２記録層１６，１７の保磁力を増加させる。したがって、所望の第１および第２記録層１６，１７の保磁力を得るためには、記録層強磁性材料の選択、および配向制御中間層１５の膜厚を適宜選択する。また、後ほど実施例において説明するが、配向制御中間層１５の下地に配向制御下地層１４を設けたことで、第１および第２記録層１６，１７の保磁力を大幅に増加できる。

なお、上述したように、配向制御中間層１５を設ける方が良好な磁気特性および記録特性が得られる点で好ましいが、垂直磁気記録媒体１０に要求される特性に応じて必ずしも設ける必要はない。

垂直磁気記録媒体１０の記録層は第１および第２記録層１６，１７からなるが、この２層により記録された情報を保持する。

第１および第２記録層１６，１７は、ｈｃｐ結晶構造を有する強磁性材料を含む。このような強磁性材料としては、ＣｏＣｒ、ＣｏＰｔ、ＣｏＣｒＴａ、ＣｏＣｒＰｔ、およびＣｏＣｒＰｔ−Ｍ（Ｍは、Ｂ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、およびＣｕからなる群のうち少なくとも１種から選択される。）が挙げられる（以下、記録層強磁性材料と称する。）。第１および第２記録層１６，１７は、記録層強磁性材料のみからなる強磁性層、いわゆる連続膜でもよい。

また、第１および第２記録層１６，１７のいずれかは、記録層強磁性材料をスパッタ法により成膜する際に酸素ガスを含む雰囲気で成膜し、膜中に酸素がとりこまれた強磁性材料でもよい。これにより、磁性粒子同士の界面である粒界部に酸素が取り込まれるので、粒界部の厚さが増大し磁性粒子同士がいっそう離隔される。これにより、媒体ノイズが低減されＳＮ比が向上する。このような第１および第２記録層１６，１７は、記録層強磁性材料にＯ（酸素）が含まれる組成を有するが、例えば、ＣｏＣｒ−Ｏ、ＣｏＣｒＰｔ−Ｏ、ＣｏＣｒＰｔ−Ｏ、ＣｏＣｒＰｔ−Ｍ−Ｏである。

また、第１および第２記録層１６，１７のいずれかは、記録層強磁性材料からなる磁性粒子と、それを取り囲む非磁性材料からなる非固溶層からなる、いわゆるグラニュラー膜でもよい。磁性粒子は、配向制御中間層１５の表面から基板面に対して略垂直方向に成長する柱状構造を有し、基板面内方向には互いに非固溶相により離隔されている。非固溶相は、磁性粒子を形成する強磁性材料と固溶しない、あるいは化合物を形成しない非磁性材料から構成される。非固溶相は、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｙ、Ｔｉ、及びＭｇから選択されるいずれか１種の元素と、Ｏ、Ｎ、及びＣから選択される少なくともいずれか１種の元素との化合物からなり、例えば、ＳｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、Ｔａ₂Ｏ₅、ＺｒＯ₂、Ｙ₂Ｏ₃、ＴｉＯ₂、ＭｇＯなどの酸化物や、Ｓｉ₃Ｎ₄、ＡｌＮ、ＴａＮ、ＺｒＮ、ＴｉＮ、Ｍｇ₃Ｎ₂などの窒化物や、ＳｉＣ、ＴａＣ、ＺｒＣ、ＴｉＣなどの炭化物が挙げられる。磁性粒子はこのような非磁性材料よりなる非固溶相によって、隣り合う磁性粒子と物理的に離隔されるので磁気的相互作用が低減され、その結果、媒体ノイズが低減されてＳＮ比が向上する。

上記のグラニュラー膜の組成のうち、磁性粒子がＣｏＣｒＰｔおよびＣｏＣｒＰｔ−Ｍのうちのいずれかからなり、非固溶層が酸化物からなることが好ましく、さらに、非固溶層がＳｉＯ₂またはＴｉＯ₂からなることが好ましい。この組み合わせにより、磁性粒子が非固溶層により略均一に離隔され、良好な磁気特性および記録再生特性が得られる。

特に、第１記録層１６は、上記グラニュラー膜であることが好ましい。配向制御中間層１５はその表面が良好な結晶性および結晶配向性を有し、第１記録層１６は配向制御中間層１５の結晶粒子上にエピタキシャル成長するので、第１記録層１６の磁性粒子同士は互いに離隔されて形成され、かつ磁性粒子は結晶性および結晶配向性が良好となる。そのため、第１記録層１６自体から生じる媒体ノイズが低減される。さらに、第１記録層１６は、第２記録層１７の磁性粒子配置、結晶性および結晶配向性に好影響を与えるので、記録層全体の磁性粒子配置、結晶性および結晶配向性が良好となる。その結果、記録層全体からの媒体ノイズが低減され、磁化容易軸の配向分散も低減され、記録再生特性が向上する。

なお、第１記録層１６が上記グラニュラー膜の場合、第２記録層１７は連続膜か、グラニュラー膜が特に好ましい。第２記録層１７が記録層強磁性材料からなる連続膜の場合は、磁性粒子間が粒界部によって分離されているが、磁性粒子間の磁気的な相互作用がグラニュラー膜よりも強いため、第２記録層１７の適度な相互作用が第１記録層１６の磁性粒子に働き、第１記録層１６の磁性粒子の磁化反転を促すため、ヒステリシスループが矩形となり、つまり良好な磁気特性を有する。その結果、垂直磁気記録媒体１０の記録再生特性が向上する。

また、第１記録層１６および第２記録層１７がグラニュラー膜の場合は、媒体ノイズがいっそう低減されるので、ＳＮ比がいっそう向上する。なおこの場合、第２記録層１７の非固溶層の含有量を第１記録層１６の非固溶層の含有量よりも小さく設定することが好ましい。これにより、記録層全体の残留磁化膜厚積を増加して再生出力を十分な確保できる。これと共に、第２記録層１７の磁性粒子間に、第１記録層１６の磁性粒子間よりも大きな相互作用を働かせ、ヒステリシスループをより矩形として良好な磁気特性とすることができる。その結果、垂直磁気記録媒体１０の記録再生特性が向上する。

上記グラニュラー膜の磁性粒子がＣｏＣｒＰｔ−Ｍからなる場合は、Ｃｏ含有量が５０原子％〜８０原子％、Ｐｔ含有量が１５原子％〜３０原子％、Ｍ濃度が０原子％よりも多くかつ２０原子％以下、残りがＣｒ含有量となるように設定することが好ましい。このようにＰｔ含有量を従来の垂直磁気記録媒体と比較して多く含有させることにより、異方性磁界を増加して基板面に対して垂直方向の保磁力を高めることができる。

また、第１および第２記録層１６，１７のいずれかは、強磁性元素と非磁性元素のそれぞれの薄膜を交互に積層した強磁性人工格子膜でもよい。このような強磁性人工格子膜としては、Ｃｏ層とＰｄ層を交互に多数積層したＣｏ／Ｐｄ人工格子膜や、Ｃｏ層とＰｔ層を交互に多数積層したＣｏ／Ｐｔ人工格子膜が挙げられる。強磁性人工格子膜は膜面に垂直方向に磁化容易軸を有する。強磁性人工格子膜では、一軸異方性定数が上記の記録層強磁性材料よりも大きい材料が得られるので保磁力を容易に増加できる。そのため、配向制御中間層１５を薄膜化しても所望の保磁力の垂直磁気記録媒体１０が得られるので、軟磁性裏打層１２と記録素子との距離を低減でき、その結果、記録磁界を集中させて記録特性を向上できる。なお、Ｃｏ層、Ｐｄ層、およびＰｔ層のそれぞれの繰り返し単位は単層でもよく２層でもよい。

なお、第１および第２記録層１６，１７は互いに異なる組成の記録層強磁性材料を含む強磁性層からなる。すなわち、第１および第２記録層１６，１７は互いに異なる元素の組み合わせの記録層強磁性材料、あるいは同じ元素の組み合わせで且つ元素含有量が異なる記録層強磁性材料からなる。

第１および第２記録層１６，１７の膜厚の総和、すなわち、記録層全体の膜厚は、高記録密度化に適する点で３ｎｍ〜２０ｎｍの範囲に設定されることが好ましく、５ｎｍ〜１５ｎｍの範囲に設定されることがさらに好ましい。

第１記録層１６の異方性磁界Ｈk1と第２記録層１７の異方性磁界Ｈk2との関係は、Ｈk1>Ｈk2であることが好ましい。記録素子側にある第２記録層１７の異方性磁界Ｈk2を第１記録層１６の異方性磁界Ｈk1よりも低くすることにより記録し易くなる。このような第１記録層１６と第２記録層１７との組み合わせの例としては、記録層磁性材料がＣｏＣｒＰｔあるいはＣｏＣｒＰｔ−Ｍの場合は、第１記録層１６の磁性粒子のＰｔ含有量よりも第２記録層１７の磁性粒子のＰｔ含有量を少なくする。Ｐｔ含有量に応じて異方性磁界が変化するので、これにより、Ｈk1>Ｈk2の関係を満足する。なお、第２記録層１７はＰｔを全く含まなくてもよい。このような例としては、第１および第２記録層１６，１７がグラニュラー膜からなり、第１記録層１６がＣｏＣｒＰｔ（磁性粒子）−ＳｉＯ₂（非固溶層）、第２記録層１７がＣｏＣｒ（磁性粒子）−ＳｉＯ₂（非固溶層）である例が挙げられる。

保護膜１８は、特に限定されないが、例えば膜厚が０．５ｎｍ〜１５ｎｍのアモルファスカーボン、水素化カーボン、窒化カーボン、および酸化アルミニウム等のいずれからなる。

潤滑層１９は、特に限定されないが、例えば膜厚が０．５ｎｍ〜５ｎｍのパーフルオロポリエーテルが主鎖の潤滑剤を用いることができる。潤滑層１９は、保護膜１８の材料に応じて設けてもよく、設けなくともよい。

第１例の垂直磁気記録媒体１０は、配向制御下地層１４がｆｃｃ結晶構造を有するＮｉＣｒまたはＮｉＣｕを主成分とする非磁性材料からなるので、その上に形成されるｈｃｐ結晶構造の配向制御中間層１５の結晶性が良好となり、さらに、結晶配向性も良好となる。その結果、配向制御中間層１５の上に形成される第１および第２記録層１６，１７の結晶性および結晶配向性が良好となる。そのため、第１および第２記録層１６，１７の磁化容易軸であるｃ軸の配向分散が低減される。これと同時に磁気特性も良好となるので記録再生特性が良好になる。さらに、配向制御下地層１４と配向制御中間層１５は非磁性材料からなるので、媒体ノイズの発生源となることはなくＳＮ比も向上する。よって、記録層の磁化容易軸の配向分散を低減し、かつ良好な記録再生特性を有する垂直磁気記録媒体１０を実現できる。

また、配向制御下地層１４を設けることで、第１および第２記録層１６，１７の保磁力を大幅に増加できるので、配向制御中間層１５の膜厚を薄膜化できる。これにより、軟磁性裏打層１２と記録素子との距離を低減できるので、記録磁界の横方向の広がりが抑制され、第１および第２記録層１６，１７の所望の領域に記録磁界が集中する。その結果、垂直磁気記録媒体１０の記録特性が向上する。

なお、配向制御中間層１５を設けない場合は、配向制御下地層１４上に第１記録層１６が形成される。この場合は、配向制御下地層１４がｆｃｃ結晶構造を有するので、ｈｃｐ結晶構造を有する第１および第２記録層１６，１７の結晶配向性を向上させる。

次に、図１を参照しつつ、第１の実施の形態に係る垂直磁気記録媒体の製造方法を説明する。

最初に、基板１１の表面を洗浄・乾燥後、基板１１上に上述した軟磁性裏打層１２を、無電解めっき法、電気めっき法、スパッタ法、真空蒸着法等により形成する。

次いで、軟磁性裏打層１２上にスパッタ装置を用いて、上述した材料からなるスパッタターゲットを用いて非晶質層１３を形成する。スパッタ装置は予め１０^-7Ｐａまで排気可能な超高真空スパッタ装置を用いることが好ましい。具体的には、非晶質層１３は、例えばＤＣマグネトロン法により不活性ガス雰囲気、例えばＡｒガス雰囲気で、圧力を例えば０．４Ｐａ、投入電力を例えば０．５ｋＷに設定して形成する。この際、基板１１の加熱は行わない方が好ましい。これにより軟磁性裏打層１２の結晶化あるいは微結晶の肥大化を抑制することができる。もちろん、軟磁性裏打層１２の結晶化あるいは微結晶の肥大化を伴わない程度の温度である１５０℃以下の温度に加熱してもよい。なお、基板１１の温度条件は、配向制御下地層１４、配向制御中間層１５、第１記録層１６、および第２記録層１７を形成する工程においても非晶質層１３の形成工程と同様である。

次いで、非晶質層１３上に、配向制御下地層１４、配向制御中間層１５、第１記録層１６、および第２記録層１７を順次上述した材料のスパッタターゲットを用いて形成する。これらの各層１４〜１７の形成条件は非晶質層１３の形成条件と同様である。

なお、第１記録層１６または第２記録層１７の形成工程において、不活性ガス雰囲気の代わりに、不活性ガスに酸素ガスあるいは窒素ガスを添加した雰囲気あるいは酸素ガスあるいは窒素ガス雰囲気で形成してもよい。これにより、第１記録層１６または第２記録層１７の磁性粒子同士の分離状態が良好となり、媒体ノイズが低減され、ＳＮ比が良好となる。

また、第１記録層１６または第２記録層１７がグラニュラー膜の場合は、上述した強磁性材料のスパッタターゲットと、非固溶相の非磁性材料のスパッタターゲットを用いて、不活性ガス雰囲気で同時にスパッタして形成する。この際、非磁性材料が酸化物、窒化物、あるいは炭化物の場合は、それぞれ、雰囲気ガスとして、酸素ガス、窒素ガス、炭酸ガスを用いてもよく、不活性ガスに添加してもよい。これにより、非固溶相の酸素、窒素、炭素の各含有量が化学量論的な組成よりも減少するのを抑制でき、良質な記録層が形成できる。その結果、垂直磁気記録媒体１０は耐久性や耐蝕性が良好となる。なお、スパッタターゲットは上記の２つのスパッタターゲットの代わりに、強磁性材料と非磁性材料とを複合した材料からなる一つのスパッタターゲットを用いてもよい。これにより記録層１６，１７の膜の磁性粒子と非固溶相とのモル比の制御が容易になる。

次いで、第２記録層１７上に、スパッタ法、ＣＶＤ法、ＦＣＡ（Ｆｉｌｔｅｒｅｄ Ｃａｔｈｏｄｉｃ Ａｒｃ）法等を用いて保護膜１８を形成する。さらに、保護膜１８の表面に、引き上げ法、スピンコート法、液面低下法等により潤滑層１９を塗布する。以上により、第１の実施の形態に係る第１例の垂直磁気記録媒体１０が形成される。

なお、上述した非晶質層１３を形成する工程から第２記録層１７の形成工程ではＤＣマグネトロン法を例に説明したが、他のスパッタ法（例えばＲＦスパッタ法）や真空蒸着法を用いることができる。

また、上述した非晶質層１３を形成する工程から保護膜１８を形成する工程までは、真空中あるいは成膜雰囲気に保持することが、基板１１あるいは既に形成された各層の表面の清浄性の点で好ましい。

次に第１の実施の形態に係る第２例の垂直磁気記録媒体を説明する。第２例の垂直磁気記録媒体は、第１例の垂直磁気記録媒体の変形例である。

図２は、第１の実施の形態に係る第２例の垂直磁気記録媒体の断面図である。図中、先に説明した部分に対応する部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。

図２を参照するに、第２例の垂直磁気記録媒体２０は、配向制御中間層１５上に第１記録層２１₁、第２記録層２１₂、…、第ｎ記録層２１_nまでを順次積層した記録層２１を有し、それ以外は第１例の垂直磁気記録媒体と同様の構成を有する。なおｎは３以上の整数である。このように多層化することで、各々の層の膜厚を低減できるので、磁性粒子の粒径の増大が回避されるので、媒体ノイズをいっそう低減できる。

記録層２１は、上述した第１例の第１および第２記録層と同様の材料から選択される。また、記録層２１の最も基板１１に近い層である第１記録層２１はグラニュラー膜であることが好ましい。これは、第１例の垂直磁気記録媒体と同様の理由により、第１記録層２１₁は、配向制御中間層１５の良好な結晶性および結晶配向性の影響により、第１記録層２１₁自体、さらには第２〜第ｎ記録層２１₂〜２１_nの磁性粒子配置、結晶性および結晶配向性が良好となる。これにより、記録層２１全体から生じる媒体ノイズは減少し、磁化容易軸の配向分散も低減され、記録再生特性が向上する。

第２例の垂直磁気記録媒体２０では、このように記録層を多層化した場合でも、第１例の垂直磁気記録媒体と同様に配向制御下地層１４により配向制御中間層１５を介して、記録層の磁化容易軸の配向分散が低下すると共に記録再生特性が向上する。さらに、記録層多層化により媒体ノイズが低減されるので、ＳＮ比がいっそう向上する。

次に、第１の実施の形態に係る実施例を説明する。

［実施例１〜実施例４］
実施例１の磁気ディスクは、先の図１に示す第１例の垂直磁気記録媒体と同様の構成とした。

まず、化学強化ガラス基板を洗浄および乾燥後、ＤＣマグネトロンスパッタ法によりＡｒガス雰囲気、圧力０．３９９Ｐａに設定して、ＣｏＮｂＺｒからなるスパッタターゲットを使用して膜厚５０ｎｍの軟磁性裏打層を形成し、さらに、Ｔａからなるパッタターゲットを使用して、膜厚４ｎｍの非晶質層を形成した。

次いで、ＤＣマグネトロンスパッタ法によりＡｒガス雰囲気、ガス圧力０．３９９Ｐａに設定して、Ｎｉ₉₀Ｃｒ₁₀からなるスパッタターゲットを使用して膜厚３ｎｍの配向制御下地層を形成し、さらに、Ｒｕからなるスパッタターゲットを使用して膜厚２５ｎｍの配向制御中間層を形成した。なお、ＮｉＣｒの組成の表記は原子％で示している。以下、合金の組成を原子％で示す。

次いで、ＤＣマグネトロンスパッタ法によりＡｒガス雰囲気、ガス圧力０．３９９Ｐａに設定して、ＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ₂からなる複合スパッタターゲットを使用して膜厚１０ｎｍの第１記録層を形成し、さらに、ＣｏＣｒＰｔＢからなるスパッタターゲットを使用して膜厚１０ｎｍの第２記録層を形成した。

次いで、ＤＣマグネトロンスパッタ法によりＡｒガス雰囲気、ガス圧力０．３９９Ｐａに設定して、カーボンからなるスパッタターゲットを使用して膜厚４ｎｍの保護膜を形成した。

次いで，大気中に取り出し、浸漬法によりパーフルオロポリエーテルの膜厚１ｎｍの潤滑膜を保護膜の表面に形成した。以上により、実施例１の磁気ディスクを作製した。なお、軟磁性裏打層から保護膜までの成膜の際にガラス基板の加熱を行わず、この間は真空あるいは減圧雰囲気で成膜あるいは成膜室間の搬送を行った。

実施例２、３、および４の磁気ディスクは、配向制御下地層を、それぞれ、Ｎｉ₈₅Ｃｒ₁₅、Ｎｉ₆₀Ｃｕ₄₀、Ｎｉ₅₀Ｃｕ₅₀のスパッタターゲットを使用した以外は実施例１と同様である。

［比較例１〜比較例２］
また、本発明によらない比較例１および２の磁気ディスクを形成した。比較例１は、配向制御下地層を形成しない以外は実施例１と同様にして形成した。また、比較例２は、配向制御下地層をＮｉ₉₀Ｃｒ₁₀の代わりにＮｉＦｅ（膜厚４ｎｍ）を形成した以外は実施例１と同様にして形成した。

図３は、本発明に係る実施例、および比較例の記録層の結晶配向性、磁気特性、および記録再生特性を示す図である。

図３中の結晶配向性は、Ｘ線回折法により記録層のＣｏ（０００２）結晶面に対応する回折強度（回折線の最大強度）と、その回折線のロッキングカーブの半値幅（Δθ50）を求めた。なお、Ｘ線源としてＣｕ−Ｋαを用いた。

また、磁気特性は、極カー効果を用いたカー効果測定装置を使用して基板面に垂直方向に磁界を印加してヒステリシスループを測定した。ヒステリシスループから保磁力（垂直保磁力）、核生成磁界、および角型比を得た。核生成磁界は、ヒステリシスループの第２象限の磁化が減少し始める磁界の大きさであり、核生成磁界が負でその絶対値が大きいほどヒステリシスループが矩形であり、磁気特性として良好であることを示す。また、角型比は、残留磁化÷飽和磁化であり、１．０に近いほどヒステリシスループが矩形に近く、磁気特性として良好であることを示す。

また、記録再生特性としてのＳＮ比は、記録には単磁極型の記録ヘッドを使用し、再生には強磁性トンネル抵抗効果型の再生ヘッドを使用した。線記録密度を４００ｋｂｐｉとした。

図３を参照するに、結晶配向性については、実施例１〜４は、比較例１に対して回折強度が大きく、Δθ50が極めて小さくなっている。これは、実施例１〜４の磁気ディスクの記録層が、配向制御下地層の影響により、Ｃｏ（０００２）結晶面が基板面に対して平行、すなわち、ｃ軸（磁化容易軸）が基板面に垂直に配向し、配向分散が狭小となっていることが分かる。

また、磁気特性については、実施例１〜４は、比較例１に対して、保磁力（垂直保磁力）は、大幅に増加している。また、実施例１〜４は、比較例１に対して、核生成磁界が負側でかつその絶対値が大きくなっており、また、角型比が１．０になっている。この両方から、ヒステリシスループがより矩形に近くなっており、好ましい磁気特性になっていることが分かることが分かる。

また、記録再生特性については、実施例１〜４は、比較例１に対して、ＳＮ比が７ｄＢ以上向上している。

以上により、実施例１〜４は、Ｎｉ₉₀Ｃｒ₁₀、Ｎｉ₈₅Ｃｒ₁₅、Ｎｉ₆₀Ｃｕ₄₀、およびＮｉ₅₀Ｃｕ₅₀のそれぞれからなる配向制御下地層を設けることにより、設けない場合と比較して、記録層の磁化容易軸に配向分散が低減され、磁気特性が向上し、ＳＮ比が大幅に良好となることが分かる。

また、実施例１〜４は、比較例２に対して結晶配向性は略同等であるが、磁気特性はやや良好であり、さらに、ＳＮ比が増加していることが分かる。これは比較例２の配向制御下地層が強磁性材料（ＮｉＦｅ）であるため、ノイズ源となっているからである。したがって、実施例１〜４は、配向制御下地層が強磁性材料である場合よりもＳＮ比が向上し優れていることが分かる。

（第２の実施の形態）
本発明の第２の実施の形態は、第１の実施の形態に係る第１例あるいは第２例の垂直磁気記録媒体を備えた磁気記憶装置に係るものである。

図４は、本発明の実施の第２の実施の形態に係る磁気記憶装置の要部を示す図である。図４を参照するに、磁気記憶装置４０は大略ハウジング４１からなる。ハウジング４１内には、スピンドル（図示されず）により駆動されるハブ４２、ハブ４２に固定され回転される垂直磁気記録媒体４３、アクチュエータユニット４４、アクチュエータユニット４４に取り付けられ垂直磁気記録媒体４３の半径方向に移動するアーム４４およびサスペンション４６、サスペンション４６に支持された磁気ヘッド４８が設けられている。

磁気ヘッド４８は、例えば、単磁極型記録ヘッドとＧＭＲ（Ｇｉａｎｔ Ｍａｇｎｅｔｏ Ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）素子を備えた再生ヘッドから構成される。

単磁極型記録ヘッドは、図示を省略するが、垂直磁気記録媒体４３に記録磁界を印加するための、軟磁性材料からなる主磁極と、主磁極に磁気的に接続されたリターンヨークと、主磁極とリターンヨークに記録磁界を誘導するための記録用コイルなどから構成されている。単磁極型記録ヘッドは、主磁極から記録磁界を垂直磁気記録媒体４３に対して垂直方向に印加して、垂直磁気記録媒体に垂直方向の磁化を形成する。

また、再生ヘッドはＧＭＲ素子を備え、ＧＭＲ素子は、垂直磁気記録媒体４３の磁化が漏洩する磁界の方向を抵抗変化として感知して垂直磁気記録媒体４３の記録層に記録された情報を得ることができる。なお、ＧＭＲ素子の代わりにＴＭＲ（Ｆｅｒｒｏｍａｇｎｅｔｉｃ Ｔｕｎｎｅｌ Ｊｕｎｃｔｉｏｎ Ｍａｇｎｅｔｏ Ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）素子等を用いることができる。

第２の実施の形態によれば、垂直磁気記録媒体４３は、第１の実施の形態に係る第１例あるいは第２例の垂直磁記録媒体である。垂直磁気記録媒体４３は、記録層の磁化容易軸の配向分散を低減し、かつ良好な記録再生特性を有するので高密度記録が可能な磁気記憶装置４０が実現される。

なお、第２の実施の形態に係る磁気記憶装置４０の基本構成は、図４に示すものに限定されるものではなく、磁気ヘッド４８は上述した構成に限定されず、公知の磁気ヘッドを用いることができる。また、垂直磁気記録媒体４３は、１枚に限らず、２枚あるいは３枚以上でもよく、このうち、少なくとも１枚が第１の実施の形態に係る第１例あるいは第２例の垂直磁記録媒体であればよい。垂直磁気記録媒体４３が磁気テープの場合は、磁気記憶装置４０は、図示されないが、公知の磁気テープ装置を用いればよい。

以上、本発明の好ましい実施の形態について詳述したが、本発明は係る特定の実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。

なお、以上の説明に関してさらに以下の付記を開示する。
（付記１） 基板と、
前記基板上に形成された軟磁性裏打層と、
前記軟磁性裏打層上に形成された配向制御下地層と、
前記配向制御下地層上に形成された基板面に略垂直な磁化容易軸を有する記録層と、を備え、
前記記録層は六方細密充填結晶構造を有する強磁性材料を含み、
前記配向制御下地層は、面心立方結晶構造を有するＮｉＣｒまたはＮｉＣｕを主成分とする非磁性材料からなる垂直磁気記録媒体。
（付記２） 前記配向制御下地層は、Ｆｅ、Ａｌ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｐｔ、およびＡｕからなる群のうちすくなくとも１種がさらに添加されてなることを特徴とする付記１記載の垂直磁気記録媒体。
（付記３） 前記配向制御下地層は、基板面に平行に（１１１）結晶面が優先的に成長してなることを特徴とする付記１または２記載の垂直磁気記録媒体。
（付記４） 前記配向制御下地層は、ＮｉＣｒからなり、Ｃｒ含有量が１０原子％〜２２原子％範囲に設定されてなることを特徴とする付記１〜３のうち、いずれか一項記載の垂直磁気記録媒体。
（付記５） 前記配向制御下地層は、ＮｉＣｕからなり、Ｃｕ含有量が４０原子％〜９９原子％の範囲に設定されてなることを特徴とする付記１〜３のうち、いずれか一項記載の垂直磁気記録媒体。
（付記６） 前記配向制御下地層は、その膜厚が１ｎｍ〜２０ｎｍの範囲に設定されてなることを特徴とする付記１〜５のうち、いずれか一項記載の垂直磁気記録媒体。
（付記７） 前記配向制御下地層と記録層との間に、六方細密充填結晶構造を有する非磁性材料からなる配向制御中間層をさらに備えることを特徴とする付記１〜６のうち、いずれか一項記載の垂直磁気記録媒体。
（付記８） 前記配向制御中間層は、Ｒｕ、ＲｕＣｏ、ＲｕＣｏＣｒ、ＲｕＣｏＢ、ＲｕＣｏＣｒＴａ、およびＴｉからなる群のうちいずれか一種からなることを特徴とする付記７記載の垂直磁気記録媒体。
（付記９） 前記軟磁性裏打層と前記配向制御下地層との間に、Ｔａ、Ｗ、およびＭｏからなる群のうち、いずれか１種を主成分とする非磁性材料からなる非晶質層をさらに備えることを特徴とする付記１〜８のうち、いずれか一項記載の垂直磁気記録媒体。
（付記１０） 前記記録層の強磁性材料は、ＣｏＣｒ、ＣｏＰｔ、ＣｏＣｒＴａ、ＣｏＣｒＰｔ、およびＣｏＣｒＰｔ−Ｍ（Ｍは、Ｂ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、およびＣｕからなる群のうち少なくとも１種から選択される。）からなる群のうち１種であることを特徴とする付記１〜９のうち、いずれか一項記載の垂直磁気記録媒体。
（付記１１） 前記強磁性材料は酸素をさらに含むことを特徴とする付記１０記載の垂直磁気記録媒体。
（付記１２） 前記記録層は、複数の強磁性層からなり、
前記複数の強磁性層のうち１層が、前記強磁性材料からなる磁性粒子と、それを取り囲む非磁性材料からなる非固溶層からなることを特徴とする付記１〜１１のうち、いずれか一項記載の垂直磁気記録媒体。
（付記１３） 前記記録層は、複数の強磁性層からなり、
前記複数の強磁性層のうち、基板に最も近い強磁性層が、前記強磁性材料からなる磁性粒子と、それを取り囲む非磁性材料からなる非固溶層からなることを特徴とする付記１〜１１のうち、いずれか一項記載の垂直磁気記録媒体。
（付記１４） 前記非固溶層は、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｙ、Ｔｉ、及びＭｇから選択されるいずれか１種の元素と、Ｏ、Ｎ、及びＣから選択される少なくともいずれか１種の元素との化合物からなることを特徴とする付記１２または１３記載の垂直磁気記録媒体。
（付記１５） 前記記録層は、強磁性元素と非磁性元素のそれぞれの薄膜を交互に積層した強磁性人工格子膜からなることを特徴とする付記１〜９のうち、いずれか一項記載の垂直磁気記録媒体。
（付記１６） 前記記録層は、基板側から第１の記録層および第２の記録層が順次積層されてなり、
前記第１の記録層は、前記強磁性材料からなる磁性粒子と、それを取り囲む非磁性材料からなる非固溶層からなり、
前記第２の記録層は、前記強磁性材料からなる連続膜であることを特徴とする付記１〜１０のうち、いずれか一項記載の垂直磁気記録媒体。
（付記１７） 前記記録層は、基板側から第１の記録層および第２の記録層が順次積層されてなり、
前記第１の記録層の異方性磁界Ｈk1と第２の記録層の異方性磁界Ｈk2との関係がＨk1>Ｈk2であることを特徴とする付記１〜１０のうち、いずれか一項記載の垂直磁気記録媒体。
（付記１８） 前記第１および第２の記録層は、前記強磁性材料からなる磁性粒子と、それを取り囲む非磁性材料からなる非固溶層からなることを特徴とする付記１７記載の垂直磁気記録媒体。
（付記１９） 付記１〜１８のうち、いずれか一項記載の垂直磁気記録媒体と、
記録素子と磁気抵抗効果型再生素子を有する記録再生手段と、を備える磁気記憶装置。

本発明の第１の実施の形態に係る第１例の垂直磁気記録媒体の断面図である。 第１の実施の形態に係る第２例の垂直磁気記録媒体の断面図である。 本発明に係る実施例、および比較例の記録層の結晶配向性、磁気特性、および記録再生特性を示す図である。 本発明の第２の実施の形態に係る磁気記憶装置の要部を示す平面図である。

符号の説明

１０，２０，４３ 垂直磁気記録媒体
１１ 基板
１２ 軟磁性裏打層
１３ 非晶質層
１４ 配向制御下地層
１５ 配向制御中間層
１６ 第１記録層
１７ 第２記録層
１８ 保護膜
１９ 潤滑層
２１₁〜２１_n 第１〜第ｎ記録層
４０ 磁気記憶装置
４８ 磁気ヘッド

Claims (9)

1. 基板と、
   前記基板上に形成された軟磁性裏打層と、
   前記軟磁性裏打層上に形成された配向制御下地層と、
   前記配向制御下地層上に形成された基板面に略垂直な磁化容易軸を有する記録層と、を備え、
   前記記録層は六方細密充填結晶構造を有する強磁性材料を含み、
   前記配向制御下地層は、面心立方結晶構造を有するＮｉＣｒまたはＮｉＣｕを主成分とする非磁性材料からなる垂直磁気記録媒体。
2. 前記配向制御下地層は、Ｆｅ、Ａｌ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｐｔ、およびＡｕからなる群のうち少なくとも１種がさらに添加されてなることを特徴とする請求項１記載の垂直磁気記録媒体。
3. 前記配向制御下地層は、基板面に平行に（１１１）結晶面が優先的に成長してなることを特徴とする請求項１または２記載の垂直磁気記録媒体。
4. 前記配向制御下地層と記録層との間に、六方細密充填結晶構造を有する非磁性材料からなる配向制御中間層をさらに備えることを特徴とする請求項１〜３のうち、いずれか一項記載の垂直磁気記録媒体。
5. 前記軟磁性裏打層と前記配向制御下地層との間に、Ｔａ、Ｗ、およびＭｏからなる群のうち、いずれか１種を主成分とする非磁性材料からなる非晶質層をさらに備えることを特徴とする請求項１〜４のうち、いずれか一項記載の垂直磁気記録媒体。
6. 前記記録層の強磁性材料は、ＣｏＣｒ、ＣｏＰｔ、ＣｏＣｒＴａ、ＣｏＣｒＰｔ、およびＣｏＣｒＰｔ−Ｍ（Ｍは、Ｂ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、およびＣｕからなる群のうち少なくとも１種から選択される。）からなる群のうち１種であることを特徴とする請求項１〜５のうち、いずれか一項記載の垂直磁気記録媒体。
7. 前記記録層は、複数の強磁性層からなり、
   前記複数の強磁性層のうち１層が、前記強磁性材料からなる磁性粒子と、それを取り囲む非磁性材料からなる非固溶層からなることを特徴とする請求項１〜６のうち、いずれか一項記載の垂直磁気記録媒体。
8. 前記記録層は、基板側から第１の記録層および第２の記録層が順次積層されてなり、
   前記第１の記録層は、前記強磁性材料からなる磁性粒子と、それを取り囲む非磁性材料からなる非固溶層からなり、
   前記第２の記録層は、前記強磁性材料からなる連続膜であることを特徴とする請求項１〜６のうち、いずれか一項記載の垂直磁気記録媒体。
9. 請求項１〜８のうち、いずれか一項記載の垂直磁気記録媒体と、
   記録素子と磁気抵抗効果型再生素子を有する記録再生手段と、を備える磁気記憶装置。

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