JP2008003008A

JP2008003008A - 光パルス試験器

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Publication number: JP2008003008A
Application number: JP2006174420A
Authority: JP
Inventors: Nobuaki Ema; 伸明江間
Original assignee: Yokogawa Electric Corp
Current assignee: Yokogawa Electric Corp
Priority date: 2006-06-23
Filing date: 2006-06-23
Publication date: 2008-01-10
Anticipated expiration: 2026-06-23
Also published as: JP4876735B2

Abstract

【課題】光通信用の光とパルス光とを重畳して受光しても被測定光ファイバの測定を行なうことができる光パルス試験器を実現することにある。
【解決手段】光通信用の光が伝送される被測定光ファイバにパルス光を出射し、出射したパルス光の戻り光に基づいて信号処理部が被測定光ファイバの測定を行なう光パルス試験器に改良を加えたものである。本装置は、光通信用の光および戻り光を受光する受光部と、この受光部が受光した光通信用の光の影響分をキャンセルするオフセット調整部とを設けたことを特徴とするものである。
【選択図】図１

Description

本発明は、光通信用の光が伝送される被測定光ファイバにパルス光を出射し、出射したパルス光の戻り光に基づいて、信号処理部が被測定光ファイバの測定を行なう光パルス試験器に関し、詳しくは、光通信用の光とパルス光とを重畳して受光しても被測定光ファイバの測定を行なうことができる光パルス試験器に関するものである。

光信号によってデータ通信等を行なう光通信システムでは、光信号を伝送する光ファイバを監視することが重要になっている。そして、光ファイバの敷設、保守等において光パルス試験器（以下、ＯＴＤＲ（Optical Time Domain Reflectometer）と略す）が用いられる。ＯＴＤＲは、測定コネクタから被測定光ファイバに対して繰り返しパルス光を入力し、被測定光ファイバからの反射光および後方散乱光のレベルおよび受光時間を測定することで、被測定光ファイバの断線、損失等の状態を測定する。

図３は、従来のＯＴＤＲの構成を示した図である（例えば、特許文献１参照）。図３において、被測定光ファイバＦ１は、被測定対象の光ファイバである。ＯＴＤＲ１００は、被測定光ファイバＦ１に接続される入出射端の測定コネクタＣＮを有し、この測定コネクタＣＮからパルス光を被測定光ファイバＦ１に出射し、このパルス光の戻り光（反射光または後方散乱光）が測定コネクタＣＮを介して入射される。

また、ＯＴＤＲ１００は、発光部１０、光カプラ２０、バンドパスフィルタ（以下、ＢＰＦ（Band Pass Filter）と略す）３０、受光部４０、信号処理部５０、表示部６０を有する。発光部１０は、パルス光を出力する。光カプラ２０は、発光部１０からのパルス光をバンドパスフィルタ３０に出力し、被測定光ファイバＦ１からの戻り光を受光部４０に出力する。ＢＰＦ３０は、光カプラ２０と測定コネクタＣＮの間に設けられ、所定の波長帯（発光部１０が出力するパルス光の波長を含む）の光のみを透過する。受光部４０は、光カプラ２０からの光を受光する。信号処理部５０は、発光部１０のパルス光の出力のタイミングを制御し、受光部４０から電気信号が入力される。表示部６０は、信号処理部５０の処理結果を表示する。

このような装置の動作を説明する。
発光部１０が、信号処理部５０からの指示に従って所定のタイミングでパルス光を出力する。そして、発光部１０から出力されたパルス光が、光カプラ２０、ＢＰＦ３０、測定コネクタＣＮを経て、被測定光ファイバＦ１に入射する。被測定光ファイバＦ１内部では、レイリー散乱が発生し、その一部はパルス光の進行方向とは逆方向に進み後方散乱光としてＯＴＤＲ１００に戻ってくる。また、被測定光ファイバＦ１の接続点で発生するフレネル反射光もＯＴＤＲ１００に戻ってくる。

そして、被測定光ファイバＦ１からの戻り光が、測定コネクタＣＮ、ＢＰＦ３０、光カプラ２０を経て受光部４０に入射する。さらに、受光部４０が、入射光を、この入射光の光パワーに応じた電気信号に変換し、信号処理部５０に出力する。

そして、信号処理部５０が、パルス光を出射させてから受光部４０に入射するまでの時間から被測定光ファイバＦ１の距離測定、戻り光の光信号レベル測定を行ない、測定結果を横軸を距離、縦軸を戻り光の光信号レベルとして表示部６０に表示する。

また、戻り光の信号レベルは非常に微弱なため、パルス光を繰り返し被測定光ファイバＦ１に出力し、複数回の測定値を平均化することでノイズ低減を図っている。

次に、図４は、受光部４０の構成を示した図である。図４において、受光部４０は、アバランシェフォトダイオード（以下ＡＰＤ（Avalanche Photo Diode）と略す）４１、バイアス回路４２、ＤＡ変換回路４３、抵抗４４、ＩＶ変換回路４５、増幅回路４６、ＡＤ変換回路４７を有する。

ＡＰＤ４１は、光カプラ２０からの光を受光する。バイアス回路４２は、ＡＰＤ４１にバイアス電圧を印加する。ＤＡ変換回路４３および抵抗４４は、オフセット回路であり、ＡＰＤ４１の出力に所定のオフセット電圧を印加する。ＩＶ変換回路４５は、ＡＰＤ４１の光電流とオフセット回路の電圧とが入力される。増幅回路４６は、複数のアンプで構成され、ＩＶ変換回路４５からの電圧を増幅する。ＡＤ変換回路４７は、増幅回路４６からのアナログ信号（電圧の電気信号）をデジタル信号に変換して信号処理部５０に出力する。なお、バイアス回路４２の出力する印加電圧の大きさは可変であり、ＡＰＤ４１の増倍度Ｍも印加電圧によって変化する。増倍度Ｍは、例えば、Ｍ＝１〜２０（Ｍ＝１が最小の増倍度）の範囲で、所定のステップ幅でレンジ変更が可能である。ＩＶ変換回路４５、増幅回路４６のそれぞれも利得が可変であり、複数のレンジ設定ができる。

続いて、受光部４０が戻り光を変換したデジタルデータを信号処理部５０に出力する動作を説明する。
信号処理部５０が、測定を行なう縦軸（光信号レベル）方向のレンジ、横軸方向の距離レンジ等に基づいてパルス光を、所定のパルス強度、パルス幅にしてパルス光を出力させる。また、信号処理部５０が、レンジごとにあらかじめ定められた利得となるようにＩＶ変換回路４５、増幅回路４６を設定し、バイアス回路４２に対してもレンジごとにあらかじめ定められたバイアス電圧を出力させる。つまり、レンジによって回路４５、４６の利得は固定であり、バイアス回路４２のバイアス電圧も固定である。

そして、ＡＰＤ４１が、受光した戻り光を光電流に変換するが、バイアス回路４２からのバイアス電圧で決まる増倍度Ｍで光電流に変換し、ＩＶ変換回路４５に出力する。そして、ＩＶ変換回路４５が、ＡＰＤ４１の光電流を電圧に変換すると共に、変換した電圧にオフセット回路からの電圧を加算し、増幅回路４６に出力する。さらに、増幅回路４６が、所定の利得で電圧を増幅してＡＤ変換回路４７に出力する。そして、ＡＤ変換回路４７が、アナログ信号をデジタル信号に変換して信号処理部５０に出力する。

図４に示す受光部４１内で生ずるオフセット分をキャンセルする動作を説明する。ここで、図５は、オフセット分を除去する動作を示したフローチャートである。なお、オフセット分とは、ＡＰＤ４１の暗電流によるものである。また、オフセット分による測定誤差は、ＩＶ変換回路４５、増幅回路４６のノイズによるものもあるが、通常は、ＡＰＤ４１の暗電流による影響が主である。

信号処理部５０が、発光部１０のパルス光の発光を停止する（Ｓ１０）。そして、信号処理部５０が、受光部４０のＡＤ変換回路４７からのデジタルデータの値を確認し、規定の範囲内に入っていた場合、ＡＰＤ４１の暗電流によるオフセット分は、測定への影響が少ないとして発光部１０にパルス光を出力させ、被測定光ファイバＦ１の測定を開始する（Ｓ１１、Ｓ１２）

一方、受光部４０のデジタルデータの値が規定の範囲内に入っていない場合、信号処理部５０が、ＤＡ変換回路４３の出力電圧を変更してオフセット調整を行なう（Ｓ１１、Ｓ１３）。そして、ＤＡ変換回路４３への設定値がフルスケールに達していれば、表示部６０にオフセットエラーを表示する（Ｓ１４、Ｓ１５）。フルスケールに達していなければ、再度、信号処理部５０が、ＡＤ変換回路４７のデジタルデータの判定を行なう（Ｓ１４，Ｓ１１〜Ｓ１３）。

特開２００１−０９９７５０号公報

図３に示すＯＴＤＲ１００による測定では、光通信システムで用いられる光通信用の光を止め、被測定光ファイバＦ１内には、ＯＴＤＲ１００からの発光部１０のパルス光以外の外光（例えば、光通信システムで使用される光通信用の光等）が存在しない状態で測定を行なっていた。なお、被測定光ファイバＦ１内における発光部１０からのパルス光以外の外光は、通信光と呼ぶ。

一方、近年、作業効率の改善にあたり、通信光が存在する状態での測定が必要になっている。そこで、通信光が存在する状態での測定方法として、発光部１０のパルス光の波長を、光通信用の光の波長とずらし、さらに、光通信用の光がＯＴＤＲ１００の内部に入射しないようにＢＰＦ３０を設けている。なお、光通信用の光の波長は、代表的なものとして１．３１［μｍ］帯、１．５５［μｍ］帯であり、ＯＴＤＲ１００の測定用のパルス光の波長としては、例えば、１．６５［μｍ］である。

しかしながら、光通信用の光とＯＴＤＲ１００のパルス光との波長をずらした場合、光通信システムに光通信用の光の波長のみを通過させる波長フィルタ等が設けられていた場合、パルス光が波長フィルタによって除去され、被測定光ファイバＦ１の測定ができないという問題があった。また、ＢＰＦ３０がＯＴＤＲ１００を含む測定系のコストを上げる要因にもなるという問題があった。

また、光通信システムの光通信用の光と同じ波長のパルス光を用いて測定を行なった場合、ＯＴＤＲ１００で測定した測定波形が、光通信用の光によって乱れてしまうという問題があった。つまり、光通信用の光は変調が行なわれて光パワーも変動しているが、受光部４０のＡＰＤ４１の応答速度に比較して、変調速度が著しく速い。従って、光通信用の光は、受光部４０ではＣＷ光として受光され、戻り光にオフセット分が加算された状態となる。さらに、ＡＰＤ４１の暗電流によるオフセット分よりも、光通信用の光によるオフセット分の方が、１桁以上も大きく、オフセット調整が難しいという問題あった。そして、ＯＴＤＲ１００のユーザには、工事作業者等も多く、光通信用の光の影響による測定波形の乱れを判断するスキルがあるとは限らず、被測定光ファイバＦ１の測定・監視等を正確に行なうことが難しいという問題があった。

そこで本発明の目的は、光通信用の光とパルス光とを重畳して受光しても被測定光ファイバの測定を行なうことができ、特に、光通信用の光と同じ波長のパルス光にて被測定光ファイバの測定を行なう場合であっても、被測定光ファイバの測定を行なうことができる光パルス試験器を実現することにある。

請求項１記載の発明は、
光通信用の光が伝送される被測定光ファイバにパルス光を出射し、出射したパルス光の戻り光に基づいて信号処理部が前記被測定光ファイバの測定を行なう光パルス試験器において、
前記光通信用の光および戻り光を受光する受光部と、
この受光部が受光した前記光通信用の光の影響分をキャンセルするオフセット調整部と
を設けたことを特徴とするものである。
請求項２記載の発明は、請求項１記載の発明において、
前記光通信用の光と前記パルス光の波長が同じであることを特徴とするものである。
請求項３記載の発明は、請求項１または２記載の発明において、
前記被測定光ファイバからの光のうち、前記被測定光ファイバ内を伝送される光通信用の光および前記戻り光を前記受光部に出力するバンドパスフィルタを設けたことを特徴とするものである。
請求項４記載の発明は、請求項１〜３のいずれかに記載の発明において、
受光部は、
前記戻り光を受光するアバランシェフォトダイオードと、
このアバランシェフォトダイオードにバイアス電圧を印加して増倍度を調整するバイアス回路と、
出力する電圧が可変なＤＡ変換回路と、
利得が可変であり、前記アバランシェフォトダイオードの出力をＩＶ変換するとともに、前記ＤＡ変換回路の電圧を前記アバランシェフォトダイオードの出力に加算するＩＶ変換回路と、
利得が可変であり、前記ＩＶ変換回路からの電圧を増幅する増幅回路と、
この増幅回路の出力をＡＤ変換し、前記信号処理部と前記オフセット調整部とに出力するＡＤ変換回路と
を有することを特徴とするものである。
請求項５記載の発明は、請求項４記載の発明において、
オフセット調整部は、
前記バイアス回路のバイアス電圧を制御するバイアス制御手段と、
前記ＤＡ変換回路の出力電圧を制御するＤＡ制御手段と、
前記ＩＶ変換回路の利得を制御するＩＶ制御手段と、
前記ＡＤ変換回路からのデジタルデータを参照し、前記バイアス制御手段、前記ＤＡ制御手段、前記ＩＶ制御手段に影響分をキャンセルさせる判定手段と
を設けたことを特徴とするものである。
請求項６記載の発明は、請求項５記載の発明において、
判定手段は、前記バイアス制御手段による増倍度、前記ＤＡ制御手段による出力電圧、前記ＩＶ制御手段による利得によって、光通信用の光の有無を判断することを特徴とするものである。

本発明によれば、オフセット調整部が、被測定光ファイバ内の光通信用の光の影響分をキャンセルさせるので、光通信用の光とパルス光とを重畳して受光しても被測定光ファイバの測定を行なうことを行なうことができる。これにより、作業効率を改善することがる。

以下図面を用いて本発明の実施の形態を説明する。
図１は、本発明の一実施例を示した構成図である。ここで、図３、図４と同一のものには同一符号を付し、説明を省略する。図１において、ＯＴＤＲ１００に、オフセット調整部７０が設けられる。オフセット調整部７０は、バイアス制御手段７１、ＤＡ制御手段７２、ＩＶ制御手段７３、増幅回路制御手段７４、判定手段７５が設けられ、信号処理部５０と相互に接続され、受光部４０のＡＤ変換回路４７からデジタル信号の電気信号が入力される。

また、発光部１０は、被測定光ファイバＦ１内を伝送される光通信用の光と同じ波長の光をパルス光として出力する。なお、現実的には、光通信用の光の波長は、わずかながら変動する。従って、光通信用の光の波長と発光部１０のパルス光の波長とが完全に一致することはまれである。また、光通信用の光の波長も、現実的には、通信規格で定めれた波長範囲内に存在していればよいので、光通信用の光と同じ波長とは、その範囲内という意味である。

そして、ＢＰＦ３０の代わりにＢＰＦ３１が設けられる。ＢＰＦ３１は、所定の波長帯の光のみを選択して受光部４０に出力する。具体的には、光通信用の光、パルス光（戻り光）を透過する。

バイアス制御手段７１は、バイアス回路４２の出力するバイアス電圧の大きさを制御し、ＡＰＤ４１の増倍度Ｍを制御する。ＤＡ制御手段７２は、ＤＡ変換回路４３の出力する電圧レベルを制御する。ＩＶ制御手段７３は、ＩＶ変換回路４５の利得を制御する。増幅回路制御手段７４は、増幅回路４６の利得を制御する。判定手段７５は、ＡＤ変換回路４７からのデジタルデータが入力される。また、判定手段７５は、オフセット調整部７０内の各制御手段７１〜７４を全体的に制御する。

このような装置の動作を説明する。
図示しない設定部から、信号処理部５０に縦軸および横軸のレンジが設定される。この設定部（図示せず）からのレンジ設定に従って信号処理部５０が、オフセット調整部７０のバイアス制御手段７１に増倍度Ｍ、ＤＡ制御手段７２にＤＡ値、ＩＶ制御手段７３、増幅回路制御手段７４に利得率を出力する。そして、バイアス制御手段７１が、指示された増倍度Ｍとなる印加電圧をバイアス回路４２に出力させ、ＤＡ制御手段７２が、指示されたＤＡ値となる電圧をＤＡ変換回路４３に出力させ、ＩＶ制御手段７３が、指示された利得となるようにＩＶ変換回路４３を調整し、増幅回路制御手段７４が、指示された利得となるように増幅回路４６の各アンプを調整する。

そして、信号処理部５０が、オフセット調整部７０に、ＡＤ変換回路４７の出力に重畳しているオフセット分（受光部４０内で生ずるものや通信光によるもの）のキャンセルを行なわせる。

ここで、図２は、ＡＤ変換回路４７の出力に含まれるオフセット分をキャンセルする動作を説明したフローチャートである。

信号処理部５０が、発光部１０のパルス光の出力を停止させる。これにより、受光部４０のＡＤ変換回路４７に入力される電気信号は、ＡＰＤ４１の暗電流および通信光によるオフセット分になる。また、オフセット分には、ＡＰＤ４１の暗電流に比較して小さいが、ＩＶ変換回路４５や増幅回路４６のアンプによるもの含まれる（Ｓ２０）。

そして、信号処理部５０が、オフセット分をキャンセルさせるようにオフセット調整部７０の判定手段７５に指示をする。この指示によって、判定手段７５が、増幅回路制御手段７４を介して増幅回路４６の利得を最小に設定する（Ｓ２１）。

そして、判定手段７５が、ＡＤ変換回路４７からのデジタルデータを参照し、規定範囲内、すなわちパルス光が存在しない状態にて、オフセット分が所定の範囲内かを判定する。そして、規定範囲内の場合、判定手段７５が、増幅回路制御手段７４を介して増幅回路４６の利得を元の値に戻し、オフセット調整が終了した旨を信号処理部５０に通知する（Ｓ２２、Ｓ２３）。そして、信号処理部５０が、図３に示す装置と同様に、被測定光ファイバＦ１の測定を開始する（Ｓ２４）。

一方、デジタルデータが規定範囲内でない場合、判定手段７５が、ＤＡ制御手段７２を介してＤＡ変換回路４３のＤＡ値を可変し、オフセット調整を行なう（Ｓ２２、Ｓ２５）。

そして、ＤＡ変換回路４３へのＤＡ値の設定値がフルスケールでない場合、再度、判定手段７５が、ＡＤ変換回路４７からのデジタルデータの値を判定する（Ｓ２６、Ｓ２２）。

フルスケールの場合、ＤＡ変換回路４３の出力電圧によるオフセット調整をこれ以上行なえないので、判定手段７５が、バイアス制御手段７１によるＡＰＤ４１の増倍度Ｍを確認する。そして、増倍度Ｍが、最小増倍度Ｍ＝１でない場合、判定手段７５が、バイアス制御手段７１にＡＰＤ４１の増倍度Ｍを１レンジ下げさせる。この指示に従ってバイアス制御手段７１が、バイアス回路４２の出力する印加電圧を低下させ、ＡＰＤ４１の増倍度Ｍを１レンジ下げる。さらに、判定手段７５が、再度、ＡＤ変換回路４７からのデジタルデータの値を判定する（Ｓ２７、Ｓ２８、Ｓ２２）。

また、増倍度Ｍ＝１の場合、ＡＰＤ４１の暗電流を減少させることによるオフセット調整をこれ以上行なえないので、判定手段７５が、ＩＶ制御手段７３によるＩＶ変換回路４５の利得を確認する。そして、ＩＶ変換回路４５の利得が最小でない場合、判定手段７５が、ＩＶ制御手段７３にＩＶ変換回路４５の利得を１レンジ下げさせる。この指示に従ってＩＶ制御手段７３が、ＩＶ変換回路４５の利得を低下させる。さらに、判定手段７５が、再度、ＡＤ変換回路４７からのデジタルデータの値を判定する（Ｓ２９、Ｓ３０、Ｓ２２）。

また、ＩＶ変換回路４５の利得が最小の場合、ＩＶ変換４５の利得によるオフセット調整をこれ以上行なえないので、判定手段７５が、オフセット調整が失敗した旨を信号処理部５０に通知する。そして、信号処理部５０が、表示部６０にオフセットエラーを表示する（Ｓ２９、Ｓ３１）。

なお、オフセット分を調整後（Ｓ２２，Ｓ２３）に被測定光ファイバＦ１を測定する動作（信号処理部５０が、発光部１０にパルス光を被測定光ファイバＦ１に出力させる。そして、被測定光ファイバＦ１からの戻り光や通信光を受光部４０が受光してデジタルデータを信号処理部５０に出力する。さらに、信号処理部５０が、パルス光を出射させてから受光部４０に入射するまでの時間から被測定光ファイバＦ１の距離測定、戻り光の光信号レベル測定を行ない、測定結果を横軸を距離、縦軸を戻り光の光信号レベルとして表示部６０に表示）は、図３に示す装置と同様なので説明を省略する。

このように、オフセット調整部７０が、通信光によるオフセット分をキャンセルするので、光通信用の光とパルス光とが重畳して受光しても、すなわち、通信光に含まれる光通信用の光と同じ波長のパルス光にて被測定光ファイバの測定を行なう場合であっても、被測定光ファイバの測定を行なうことができる。これにより、作業効率を改善することがる。

すなわち、図３に示す装置では、バイアス回路４２の印加電圧、ＩＶ変換回路４５の利得、増幅回路４６の利得は、パルス光のパルス幅や光強度に基づいて固定値であった。そして、ＡＰＤ４１の暗電流によるオフセット分をキャンセルするＤＡ変換回路４３のみが可変であった。そのため、光通信用の光と同じ波長のパルス光を用いると、通信光のオフセット分をキャンセルすることが困難であり、被測定光ファイバＦ１の測定を行なうことが難しかった。しかし、判定手段７５が、ＡＤ変換回路４７からのデジタルデータを参照し、バイアス制御手段７１、ＤＡ制御手段７２、ＩＶ制御手段７３に影響分をキャンセルさせるので、通信光によるオフセット分をキャンセルすることができる。これにより、光通信用の光と同じ波長のパルス光にて被測定光ファイバの測定を行なう場合であっても、被測定光ファイバの測定を行なうことができる。したがって、ＯＴＤＲ１００のユーザは、通信光の有無を意識することなく測定を行なうことができ、ユーザのスキルにも影響さない。

また、発光部１０のＬＤの波長を、光通信用の光と同じ波長（１．５５［μｍ］帯または１．３１［μｍ］帯）にするので、光通信用の一般的なＬＤで済み、発光部１０のコストを抑えることができる。そして、ＢＰＦ３１も、光通信用の一般的なものとすることができ、コストを抑えることができる。

なお、本発明はこれに限定されるものではなく、以下に示すようなものでもよい。
図１に示す装置において、ステップＳ２１において、増幅回路４６の利得を最小に変更してから、ＤＡ変換回路４３のＤＡ値、ＡＰＤ４１の増倍度Ｍ、ＩＶ変換回路４５の利得を調整する構成を示したが、増幅回路４６の利得のレンジ変更はせずに、オフセット分の調整を行なってもよい。すなわち、ステップＳ２１、Ｓ２３は、省略してもよい。

また、ＤＡ変換回路４３のＤＡ値のみでオフセット分がキャンセルできず、ＡＰＤ４１の増倍度Ｍ、ＩＶ変換回路４５の利得を調整した場合、オフセット分に通信光が含まれると判定手段７５が判断し、信号処理部５０に通信光が存在することを通知してもよい。そして、信号処理部５０が、表示部６０に、測定結果を表示させると共に、戻り光には通信光が重畳しているメッセージを表示させてもよい。

また、ＢＰＦ３１が、被測定光ファイバＦ１からの光のうち、被測定光ファイバ内を伝送される光通信用の光およびパルス光の戻り光を選択して受光部に出力する構成を示したが、ＢＰＦ３１を設けなくてもよい。これにより、ＯＴＤＲ１００を含む測定系のコストを抑えることができ、ＯＴＤＲ１００の小型化を図ることができる。

また、パルス光の波長を、光通信用の光と同じ波長にする構成を示したが、ＢＰＦ３１の透過波長内（もちろん、光通信用の光を透過する）であればどのような波長でもよい。また、ＢＰＦ３１を設けない場合は、パルス光の波長は、ＡＰＤ４１の受光可能な波長範囲内であればよい。

そして、光カプラ２０の代わりに、方向性結合器等を用いてもよく、要は、発光部１０からのパルス光を被測定光ファイバＦ１にのみ出力し、被測定光ファイバＦ１からの戻り光を受光部４０にのみ出力するものであればよい。

本発明の一実施例を示した構成図である。図１に示す装置でのオフセット分をキャンセルする動作を説明したフローチャートである。被測定光ファイバＦ１を測定する従来のＯＴＤＲの構成を示した図である。受光部４０の構成を示した図である。図５に示す装置でのオフセット分をキャンセルする動作を説明したフローチャートである。

符号の説明

４０受光部
４１アバランシェフォトダイオード
４２バイアス回路
４３ＤＡ変換回路
４５ＩＶ変換回路
４６増幅回路
４７ＡＤ変換回路
５０信号処理部
７０オフセット調整部
７１バイアス制御手段
７２ＤＡ制御手段
７３ＩＶ制御手段
７５判定手段
１００ＯＴＤＲ
Ｆ１被測定光ファイバ

Claims

光通信用の光が伝送される被測定光ファイバにパルス光を出射し、出射したパルス光の戻り光に基づいて信号処理部が前記被測定光ファイバの測定を行なう光パルス試験器において、
前記光通信用の光および戻り光を受光する受光部と、
この受光部が受光した前記光通信用の光の影響分をキャンセルするオフセット調整部と
を設けたことを特徴とする光パルス試験器。
前記光通信用の光と前記パルス光の波長が同じであることを特徴とする請求項１記載の光パルス試験器。
前記被測定光ファイバからの光のうち、前記被測定光ファイバ内を伝送される光通信用の光および前記戻り光を前記受光部に出力するバンドパスフィルタを設けたことを特徴とする請求項１または２記載の光パルス試験器。
受光部は、
光を受光するアバランシェフォトダイオードと、
このアバランシェフォトダイオードにバイアス電圧を印加して増倍度を調整するバイアス回路と、
出力する電圧が可変なＤＡ変換回路と、
利得が可変であり、前記アバランシェフォトダイオードの出力をＩＶ変換するとともに、前記ＤＡ変換回路の電圧を前記アバランシェフォトダイオードの出力に加算するＩＶ変換回路と、
利得が可変であり、前記ＩＶ変換回路からの電圧を増幅する増幅回路と、
この増幅回路の出力をＡＤ変換し、前記信号処理部と前記オフセット調整部とに出力するＡＤ変換回路と
を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の光パルス試験器。
オフセット調整部は、
前記バイアス回路のバイアス電圧を制御するバイアス制御手段と、
前記ＤＡ変換回路の出力電圧を制御するＤＡ制御手段と、
前記ＩＶ変換回路の利得を制御するＩＶ制御手段と、
前記ＡＤ変換回路からのデジタルデータを参照し、前記バイアス制御手段、前記ＤＡ制御手段、前記ＩＶ制御手段に影響分をキャンセルさせる判定手段と
を設けたことを特徴とする請求項４記載の光パルス試験器。
判定手段は、前記バイアス制御手段による増倍度、前記ＤＡ制御手段による出力電圧、前記ＩＶ制御手段による利得によって、光通信用の光の有無を判断することを特徴とする請求項５記載の光パルス試験器。