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JP2008091712A - Wiring substrate, semiconductor device using the same, and manufacturing method thereof - Google Patents

Wiring substrate, semiconductor device using the same, and manufacturing method thereof Download PDF

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JP2008091712A
JP2008091712A JP2006272124A JP2006272124A JP2008091712A JP 2008091712 A JP2008091712 A JP 2008091712A JP 2006272124 A JP2006272124 A JP 2006272124A JP 2006272124 A JP2006272124 A JP 2006272124A JP 2008091712 A JP2008091712 A JP 2008091712A
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Japan
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protruding electrode
wiring board
terminal
wiring
electrode
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Application number
JP2006272124A
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Japanese (ja)
Inventor
Nozomi Shimoishizaka
望 下石坂
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a wiring board capable of surely bringing the conductive pad of a connector and the terminal of the wiring board into contact and fixing them in the case of mounting the connector on the wiring board. <P>SOLUTION: The wiring board comprises: an insulating substrate 2; conductor wiring 3 formed on the surface of the insulating substrate 2; a first projected electrode 4 formed over an area on the insulating substrate 2 on both sides of the conductor wiring 3 crossing the longitudinal direction of the conductor wiring 3; a terminal 5 formed on the surface of the insulating substrate 2 and connected with the conductor wiring 3; and a second projected electrode 6a formed on the surface of the terminal 5. The second projected electrode 6a is provided with an opening 7a formed so as to expose the surface of the terminal 5. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、突起電極を形成した配線基板及びそれを用いた半導体装置、ならびにそのその製造方法に関するものである。   The present invention relates to a wiring board on which protruding electrodes are formed, a semiconductor device using the wiring board, and a method for manufacturing the same.

半導体装置において、TAB(Tape Automated Bonding)工法により、配線基板上に半導体素子をフェイスダウン実装する方法が多用されている。この方法により、配線基板の突起電極と半導体素子上の電極パッドとが接合される(例えば、特許文献1参照)。   In semiconductor devices, a method of face-down mounting a semiconductor element on a wiring board by a TAB (Tape Automated Bonding) method is frequently used. By this method, the protruding electrode of the wiring board and the electrode pad on the semiconductor element are bonded (for example, see Patent Document 1).

以下、上記従来例の突起電極が形成された配線基板を有する半導体装置について、図面を参照しながら説明する。図12は、従来の配線基板を示す平面図である。図13は、図12に示す配線基板の一部を拡大した斜視図である。図14は、図12及び図13に示す配線基板21のC−C’断面図である。   Hereinafter, a semiconductor device having a wiring substrate on which the bump electrodes of the conventional example are formed will be described with reference to the drawings. FIG. 12 is a plan view showing a conventional wiring board. FIG. 13 is an enlarged perspective view of a part of the wiring board shown in FIG. FIG. 14 is a cross-sectional view taken along the line C-C ′ of the wiring board 21 shown in FIGS. 12 and 13.

配線基板21は、絶縁性基材22の表面上に導体配線23が形成されている。絶縁性基材22は、厚み40μmから80μm程度のポリイミド等からなるフレキシブルテープである。第1の突起電極24は、導体配線23の先端部に形成され、導体配線23の長手方向を横切って、導体配線23の両側の絶縁性基材22上の領域に亘り形成されている。端子25は、導体配線23に接続され、導体配線23より幅が広く形成されている。   In the wiring board 21, conductor wiring 23 is formed on the surface of the insulating base material 22. The insulating base material 22 is a flexible tape made of polyimide or the like having a thickness of about 40 μm to 80 μm. The first protruding electrode 24 is formed at the tip of the conductor wiring 23, and is formed across the region on the insulating base 22 on both sides of the conductor wiring 23 across the longitudinal direction of the conductor wiring 23. The terminal 25 is connected to the conductor wiring 23 and formed wider than the conductor wiring 23.

絶縁性基材22上の導体配線23及び端子25は、厚み9μm〜25μm程度のCu箔を、ウエットエッチングによりパターンニング形成される。第2の突起電極26は、端子25の表面に形成され、端子25の両側の絶縁性基材22上の領域に亘り形成されている。第1の突起電極24及び第2の突起電極26は、電解Cuめっきにより、厚み5〜15μm程度に形成されている。導体配線23、第1の突起電極24及び第2の突起電極26の表面は、電解Auめっき、電解Ni/Auめっき(Niめっきした後に、さらにAuめっき)、あるいは無電解Snめっき等で被覆されている。   The conductor wiring 23 and the terminal 25 on the insulating base material 22 are formed by patterning a Cu foil having a thickness of about 9 μm to 25 μm by wet etching. The second protruding electrode 26 is formed on the surface of the terminal 25 and is formed over a region on the insulating base 22 on both sides of the terminal 25. The first protruding electrode 24 and the second protruding electrode 26 are formed to have a thickness of about 5 to 15 μm by electrolytic Cu plating. The surfaces of the conductor wiring 23, the first protruding electrode 24, and the second protruding electrode 26 are coated with electrolytic Au plating, electrolytic Ni / Au plating (after Ni plating, further Au plating), or electroless Sn plating. ing.

図15は、図12に示す配線基板21に半導体素子27をフリップチップ実装し、コネクタ31を装着した半導体装置の平面図である。図16は、図15に示す半導体装置のD−D’断面図である。   FIG. 15 is a plan view of a semiconductor device in which the semiconductor element 27 is flip-chip mounted on the wiring board 21 shown in FIG. 16 is a cross-sectional view taken along the line D-D ′ of the semiconductor device shown in FIG. 15.

半導体素子27は、素子電極28を有している。電極パッド29は、素子電極28上に形成され、配線基板21の第1の突起電極24と素子電極28とを接合している。素子電極28は、Al、電極パッド29は電解Auめっきや無電解Ni/Auめっき等により形成されている。封止樹脂30は、半導体素子27と配線基板21との接続領域を封止し、固定する。   The semiconductor element 27 has an element electrode 28. The electrode pad 29 is formed on the element electrode 28 and joins the first protruding electrode 24 and the element electrode 28 of the wiring substrate 21. The element electrode 28 is formed by Al, and the electrode pad 29 is formed by electrolytic Au plating, electroless Ni / Au plating, or the like. The sealing resin 30 seals and fixes the connection region between the semiconductor element 27 and the wiring substrate 21.

コネクタ31は、導電パッド32とハウジング33を有し、端子25と電気的に接続される。導電パッド32は、配線基板21の端子25に接触する位置に配置されている。導電パッド32の突起部34は、第2の突起電極26の表面に接触している。
特開2005−252227号公報
The connector 31 has a conductive pad 32 and a housing 33 and is electrically connected to the terminal 25. The conductive pad 32 is disposed at a position in contact with the terminal 25 of the wiring board 21. The protrusion 34 of the conductive pad 32 is in contact with the surface of the second protrusion electrode 26.
JP 2005-252227 A

上記従来の配線基板あるいは、配線基板を用いた半導体装置では、第2の突起電極26の表面が平坦である。このため、コネクタ31を配線基板21に装着した場合に、導電パッド32の突起部34と第2の突起電極26との摩擦が少なく、コネクタ31と配線基板21が外れやすく、接触が不確実となるという問題がある。   In the conventional wiring board or the semiconductor device using the wiring board, the surface of the second protruding electrode 26 is flat. For this reason, when the connector 31 is mounted on the wiring board 21, there is little friction between the protrusion 34 of the conductive pad 32 and the second protruding electrode 26, the connector 31 and the wiring board 21 are easily detached, and the contact is uncertain. There is a problem of becoming.

本発明は、上記従来の問題を解決するものであり、配線基板にコネクタを装着した場合に、コネクタの導電パッドと配線基板の端子とを確実に接触させ、固定できる配線基板を提供することを目的とする。   The present invention solves the above-described conventional problems, and provides a wiring board capable of securely contacting and fixing the conductive pads of the connector and the terminals of the wiring board when the connector is mounted on the wiring board. Objective.

本発明の配線基板は、絶縁性基材と、前記絶縁性基材の表面に形成された導体配線と、前記導体配線の長手方向を横切って前記導体配線の両側の前記絶縁性基材上の領域に亘り形成された第1の突起電極と、前記絶縁性基材の表面に形成され、前記導体配線と接続された端子と、前記端子の表面に形成された第2の突起電極とを備える。上記課題を解決するために、前記第2の突起電極に、前記端子の表面が露出されるように形成された開口部を備えたことを特徴とする。   The wiring board of the present invention includes an insulating base material, conductor wiring formed on the surface of the insulating base material, and the insulating base material on both sides of the conductor wiring across the longitudinal direction of the conductor wiring. A first protruding electrode formed over a region, a terminal formed on the surface of the insulating base material and connected to the conductor wiring, and a second protruding electrode formed on the surface of the terminal. . In order to solve the above-mentioned problem, the second protruding electrode is provided with an opening formed so that the surface of the terminal is exposed.

本発明の配線基板の製造方法は、表面に導体配線及び端子が形成された絶縁性基材を準備する工程と、前記絶縁性基材の導体配線が形成された面に感光性レジストを形成する工程と、前記感光性レジストを露光し、現像して、第1の突起電極及び第2の突起電極を形成する部分の導体配線及び端子を露出させるレジスト開口部をパターン形成する工程と、電解めっきにより、前記レジスト開口部により露出された導体配線に、前記導体配線の長手方向を横切って、前記導体配線の両側の絶縁性基材上の領域に亘り、前記第1の突起電極及び前記第2の突起電極を形成する工程とを有する。上記課題を解決するために、前記レジスト開口部をパターン形成する工程では、前記第2の突起電極を形成する部分の一部にレジストを残して、前記レジスト開口部をパターン形成し、前記第2の突起電極を形成する工程により、前記第2の突起電極の前記レジストが残された部分に、前記端子部の表面を露出させる開口部が設けられることを特徴とする。   The method for manufacturing a wiring board according to the present invention includes a step of preparing an insulating base material having conductor wiring and terminals formed on the surface, and a photosensitive resist is formed on the surface of the insulating base material on which the conductor wiring is formed. A step of exposing and developing the photosensitive resist, patterning a resist opening that exposes a portion of the conductor wiring and terminals that form the first protruding electrode and the second protruding electrode, and electroplating The conductor wire exposed by the resist opening extends across the longitudinal direction of the conductor wire over the region on the insulating base on both sides of the conductor wire, and the first protruding electrode and the second conductor wire. Forming a protruding electrode. In order to solve the above-described problem, in the step of patterning the resist opening, the resist opening is patterned by leaving the resist in a part of the portion where the second protruding electrode is formed, and the second In the step of forming the protruding electrode, an opening for exposing the surface of the terminal portion is provided in a portion of the second protruding electrode where the resist is left.

本発明によれば、端子に開口部を設けることにより、配線基板にコネクタを装着した場合に、コネクタの導電パッドと配線基板の端子とを確実に接触させ、固定できる配線基板を提供することができる。   According to the present invention, by providing an opening in a terminal, it is possible to provide a wiring board capable of securely contacting and fixing the conductive pads of the connector and the terminals of the wiring board when the connector is mounted on the wiring board. it can.

本発明の配線基板において、前記第2の突起電極は、前記端子の両側の前記絶縁性基材上の領域に亘り形成された構成にすることもできる。   In the wiring board of the present invention, the second protruding electrode may be formed over a region on the insulating base on both sides of the terminal.

また、前記第2の突起電極の幅は、前記端子の幅より狭く、前記第2の突起電極は、前記端子からはみ出さないように形成された構成にすることもできる。この構成により、端子間の距離を長くとることができ、絶縁性を向上させることができる。   The width of the second protruding electrode may be narrower than the width of the terminal, and the second protruding electrode may be formed so as not to protrude from the terminal. With this configuration, the distance between the terminals can be increased, and the insulation can be improved.

また、前記第2の突起電極と前記端子とは、同一の材料で形成された構成にすることもできる。   Further, the second protruding electrode and the terminal may be formed of the same material.

前記端子及び前記第2の突起電極は、前記端子及び前記第2の突起電極と異なる一つ以上の材質から構成された第1の導電層で被覆された構成にすることもできる。   The terminal and the second protruding electrode may be covered with a first conductive layer made of one or more materials different from the terminal and the second protruding electrode.

また、本発明の半導体装置は、上記に記載の配線基板と、前記配線基板上に搭載された半導体素子とを備え、前記半導体素子の素子電極と前記配線基板に形成された第1の突起電極とが電気的に接続された構成にすることができる。   According to another aspect of the present invention, there is provided a semiconductor device including the wiring board described above and a semiconductor element mounted on the wiring board, and an element electrode of the semiconductor element and a first protruding electrode formed on the wiring board. And can be electrically connected.

また、前記素子電極の表面に、前記素子電極と異なる一つ以上の材質から構成された第2の導電層を備えた構成にすることもできる。   Moreover, it can also be set as the structure provided with the 2nd conductive layer comprised from the one or more material different from the said element electrode on the surface of the said element electrode.

また、前記端子に対応して配列された導電パッドと、前記導電パッドを保持するハウジングとを有するコネクタを備え、前記導電パッドは、前記端子の位置に対応して形成された突起部を有し、前記端子の第2の突起電極に形成された前記開口部と、前記導電パッドに形成された前記突起部とが嵌合する構成にすることもできる。   The connector further includes a connector having a conductive pad arranged corresponding to the terminal and a housing for holding the conductive pad, the conductive pad having a protrusion formed corresponding to the position of the terminal. The opening formed in the second protruding electrode of the terminal may be fitted into the protruding portion formed in the conductive pad.

以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

(実施の形態1)
図1は、本発明の実施の形態1における配線基板を示す平面図である。図2は、図1に示す配線基板の一部を拡大した斜視図である。図3は、図1、図2に示す配線基板のA−A’の断面構成を示す断面図である。
(Embodiment 1)
FIG. 1 is a plan view showing a wiring board according to Embodiment 1 of the present invention. FIG. 2 is an enlarged perspective view of a part of the wiring board shown in FIG. FIG. 3 is a cross-sectional view showing a cross-sectional configuration along AA ′ of the wiring board shown in FIGS. 1 and 2.

配線基板1aは、絶縁性基材2の表面上に、複数の導体配線3が形成されている。絶縁性基材2は、厚み40μmから80μm程度のポリイミド等からなるフレキシブルテープである。絶縁性基材2には、凸部2aが形成されている。第1の突起電極4は、導体配線3の先端部に形成され、導体配線3の長手方向を横切って、導体配線3の両側の絶縁性基材2上の領域に亘り形成されている。端子5は、絶縁性基材2の凸部2aに形成されている。また、端子5は、導体配線3に接続され、導体配線3より幅が広く形成されている。絶縁性基材2上の導体配線3及び端子5は、厚み9μm〜25μm程度のCu箔をウエットエッチングすることにより、パターン形成されている。   In the wiring board 1 a, a plurality of conductor wirings 3 are formed on the surface of the insulating base 2. The insulating substrate 2 is a flexible tape made of polyimide having a thickness of about 40 μm to 80 μm. The insulating base material 2 is formed with a convex portion 2a. The first protruding electrode 4 is formed at the tip of the conductor wiring 3, and is formed across the region on the insulating base 2 on both sides of the conductor wiring 3 across the longitudinal direction of the conductor wiring 3. The terminal 5 is formed on the convex portion 2 a of the insulating substrate 2. The terminal 5 is connected to the conductor wiring 3 and is formed wider than the conductor wiring 3. The conductor wiring 3 and the terminal 5 on the insulating substrate 2 are patterned by wet etching a Cu foil having a thickness of about 9 μm to 25 μm.

第2の突起電極6aは、端子5の表面に形成され、端子5の両側の絶縁性基材2上の領域に亘り形成されている。第1の突起電極4及び第2の突起電極6aは、電解Cuめっきにより、厚み5〜15μm程度に形成されている。導体配線3、第1の突起電極4及び第2の突起電極6aの表面は、電解Auめっき、電解Ni/Auめっき、あるいは無電解Snめっき等により形成される導電層(第1の導電層)で被覆されている。第2の突起電極6aには、開口部7aが、端子5の表面を露出させるように形成されている。   The second protruding electrode 6 a is formed on the surface of the terminal 5 and is formed over a region on the insulating base 2 on both sides of the terminal 5. The first protruding electrode 4 and the second protruding electrode 6a are formed to have a thickness of about 5 to 15 μm by electrolytic Cu plating. Conductive layers (first conductive layers) formed on the surfaces of the conductor wiring 3, the first protruding electrode 4, and the second protruding electrode 6a by electrolytic Au plating, electrolytic Ni / Au plating, electroless Sn plating, or the like. It is covered with. An opening 7 a is formed in the second protruding electrode 6 a so as to expose the surface of the terminal 5.

図4は、本実施の形態における配線基板1aに半導体素子8をフリップチップ実装した半導体装置の断面構成を示す断面図である。図5は、図4に示す半導体装置の平面図であり、配線基板1aにコネクタ12を装着する前の状態を示している。半導体素子8は、素子電極9を有している。電極パッド10は、素子電極9上に形成され、配線基板1aの第1の突起電極4と素子電極9とを接続している。素子電極9は、Alを用いて形成され、電極パッド10は電解Auめっきや無電解Ni/Auめっき等により形成される導電層(第2の導電層)で被覆されている。封止樹脂11は、半導体素子8と配線基板1aとを固定する。   FIG. 4 is a cross-sectional view showing a cross-sectional configuration of a semiconductor device in which the semiconductor element 8 is flip-chip mounted on the wiring board 1a in this embodiment. FIG. 5 is a plan view of the semiconductor device shown in FIG. 4 and shows a state before the connector 12 is attached to the wiring board 1a. The semiconductor element 8 has an element electrode 9. The electrode pad 10 is formed on the element electrode 9 and connects the first protruding electrode 4 and the element electrode 9 of the wiring board 1a. The element electrode 9 is formed using Al, and the electrode pad 10 is covered with a conductive layer (second conductive layer) formed by electrolytic Au plating, electroless Ni / Au plating, or the like. The sealing resin 11 fixes the semiconductor element 8 and the wiring board 1a.

図6は、図5に示す半導体装置のコネクタ13を装着した構成を示す平面図である。図7は、図6に示す半導体装置のB−B’断面の構成を示す断面図である。コネクタ12は、導電パッド13とハウジング14とを有し、絶縁性基材2の凸部2aが挿入されている。ハウジング14は、樹脂により形成されている。導電パッド13は、ハウジング14にはめ込まれ、配線基板1aの端子5に接触する位置に配置されている。導電パッド13の突起部15は、第2の突起電極6aの開口部7aと嵌合している。   FIG. 6 is a plan view showing a configuration in which the connector 13 of the semiconductor device shown in FIG. 5 is mounted. FIG. 7 is a cross-sectional view showing a configuration of the B-B ′ cross section of the semiconductor device shown in FIG. 6. The connector 12 includes a conductive pad 13 and a housing 14, and the convex portion 2 a of the insulating base material 2 is inserted. The housing 14 is made of resin. The conductive pad 13 is fitted in the housing 14 and is disposed at a position in contact with the terminal 5 of the wiring board 1a. The protrusion 15 of the conductive pad 13 is fitted with the opening 7a of the second protrusion electrode 6a.

以上のように、本発明の実施の形態に係る配線基板1aは、第2の突起電極6aに形成された開口部7aと、コネクタ12の導電パッド13に形成された突起部15とが嵌合する。このため、配線基板1aにコネクタ12を装着した場合に、コネクタ12の導電パッド13と配線基板1aの端子5とを確実に接触させ、固定することができる。   As described above, in the wiring board 1a according to the embodiment of the present invention, the opening 7a formed in the second protruding electrode 6a and the protruding portion 15 formed in the conductive pad 13 of the connector 12 are fitted. To do. For this reason, when the connector 12 is attached to the wiring board 1a, the conductive pads 13 of the connector 12 and the terminals 5 of the wiring board 1a can be reliably brought into contact and fixed.

次に、本実施の形態に係る配線基板1aを有する半導体装置の製造方法について、図面を参照しながら説明する。図1、図6、図8A〜図8Fは、半導体装置の製造工程を示す工程図である。   Next, a method for manufacturing a semiconductor device having the wiring board 1a according to the present embodiment will be described with reference to the drawings. 1, 6, and 8 </ b> A to 8 </ b> F are process diagrams illustrating a manufacturing process of a semiconductor device.

まず、絶縁性基材2上にCu箔を形成し、Cu箔をウエットエッチングして、図8Aに示すように、導体配線3、端子5及び給電線16を形成する。つぎに、図8Bに示すように、導体配線3、端子5及び給電線16を形成した絶縁性基材2上の面全体に、ネガレジストフィルム17を貼り付ける。次に、図8Cに示すように、ネガレジストフィルム17上に、遮光するマスクパターン18aを配置し、露光現像する。ネガレジストフィルム17は、図1に示す開口部7aに対応する位置が露光されるように、形成されている。次に、図8Dに示すように、マスクパターン18aにより、露光されていないネガフィルム17を取り除き、レジスト開口部19を形成する。   First, a Cu foil is formed on the insulating base material 2, and the Cu foil is wet-etched to form the conductor wiring 3, the terminal 5, and the feeder line 16 as shown in FIG. 8A. Next, as shown in FIG. 8B, a negative resist film 17 is affixed to the entire surface on the insulating base material 2 on which the conductor wiring 3, the terminal 5, and the feeder line 16 are formed. Next, as shown in FIG. 8C, a mask pattern 18a for shielding light is disposed on the negative resist film 17, and exposure development is performed. The negative resist film 17 is formed so that the position corresponding to the opening 7a shown in FIG. 1 is exposed. Next, as shown in FIG. 8D, the unexposed negative film 17 is removed by the mask pattern 18a, and a resist opening 19 is formed.

つぎに、図8Eに示すように、レジスト開口部19が形成された配線基板をCuイオンが含まれた溶液に入れ、給電線16に電圧を印加する。給電線16に電圧を印加すると、導体配線3、端子5に電流が流れ、ネガレジストフィルム17のレジスト開口部19から露出した導体配線3、端子5が電解Cuめっきされ、第1の突起電極4及び第2の突起電極6aが形成される。開口部7aの形状は、マスクパターン18aにより任意の形状に形成することができる。   Next, as shown in FIG. 8E, the wiring substrate on which the resist opening 19 is formed is placed in a solution containing Cu ions, and a voltage is applied to the power supply line 16. When a voltage is applied to the power supply line 16, a current flows through the conductor wiring 3 and the terminal 5, and the conductor wiring 3 and the terminal 5 exposed from the resist opening 19 of the negative resist film 17 are electrolytically plated with Cu. And the 2nd protruding electrode 6a is formed. The shape of the opening 7a can be formed in an arbitrary shape by the mask pattern 18a.

つぎに、図8Fに示すように、ネガレジストフィルム17を剥離し、配線基板1aをNiまたはAuイオンが含まれた溶液に入れる。次に、給電線16に電圧を印加して、導体配線3、第1の突起電極4、端子5、及び第2の突起電極6aの表面をNiまたはAuで被覆する。つぎに、図1に示すように、第2の突起電極6aが形成された位置が、凸部2aとなるように、給電線16など、絶縁性基材2の不要部分を切断し除去する。以上の工程により、配線基板1aを製造することができる。   Next, as shown in FIG. 8F, the negative resist film 17 is peeled off, and the wiring board 1a is placed in a solution containing Ni or Au ions. Next, a voltage is applied to the feeder line 16 to cover the surfaces of the conductor wiring 3, the first protruding electrode 4, the terminal 5, and the second protruding electrode 6 a with Ni or Au. Next, as shown in FIG. 1, unnecessary portions of the insulating base material 2 such as the power supply line 16 are cut and removed so that the position where the second protruding electrode 6a is formed becomes the convex portion 2a. The wiring board 1a can be manufactured through the above steps.

つぎに、図6に示すように、第1の突起電極4と素子電極9とを接続することにより、半導体素子8を、配線基板1aに実装する。そして、半導体素子8と配線基板1aとを封止樹脂で固定する。つぎに、コネクタ12を配線基板1aの凸部2aに差し込み、半導体装置が製造される。   Next, as shown in FIG. 6, the semiconductor element 8 is mounted on the wiring board 1a by connecting the first protruding electrode 4 and the element electrode 9 to each other. Then, the semiconductor element 8 and the wiring board 1a are fixed with a sealing resin. Next, the connector 12 is inserted into the convex portion 2a of the wiring board 1a to manufacture the semiconductor device.

以上のように、本発明の実施の形態に係る配線基板1aは、第2の突起電極6aに形成された開口部7aと、コネクタ12の導電パッド13に形成された突起部15とが嵌合する。このため、配線基板1aにコネクタ12を装着した場合に、コネクタ12の導電パッド13と配線基板1aの端子5とを確実に接触させ、固定することができる。   As described above, in the wiring board 1a according to the embodiment of the present invention, the opening 7a formed in the second protruding electrode 6a and the protruding portion 15 formed in the conductive pad 13 of the connector 12 are fitted. To do. For this reason, when the connector 12 is attached to the wiring board 1a, the conductive pads 13 of the connector 12 and the terminals 5 of the wiring board 1a can be reliably brought into contact and fixed.

また、製造工程において、導体配線3に電解めっきにより第1の突起電極4を形成すると同時に、端子5に開口部7aを有する第2の突起電極6aを形成するため、工程を追加する事無く、配線基板1aを形成することができる。   Further, in the manufacturing process, the first protruding electrode 4 is formed on the conductor wiring 3 by electrolytic plating, and at the same time, the second protruding electrode 6a having the opening 7a is formed on the terminal 5, so that no additional process is required. The wiring board 1a can be formed.

(実施の形態2)
図9は、本発明の実施の形態2に係る配線基板の一構成例を示す斜視図である。実施の形態2に係る配線基板1bは、第2の突起電極6bの形状が異なる以外は、実施の形態1に係る配線基板1aと同様である。実施の形態2に係る配線基板1bにおいて、実施の形態1に係る配線基板1aと同様の構成要素については,同一の符号を付して説明の繰返しを省略する。
(Embodiment 2)
FIG. 9 is a perspective view showing a configuration example of a wiring board according to Embodiment 2 of the present invention. The wiring board 1b according to the second embodiment is the same as the wiring board 1a according to the first embodiment except that the shape of the second protruding electrode 6b is different. In the wiring board 1b according to the second embodiment, the same components as those of the wiring board 1a according to the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof will not be repeated.

第2の突起電極6bは、端子5上に、幅が端子5の幅より狭く形成されている。この配線基板1bの製造方法について簡単に説明する。図10は、の製造途中の配線基板1bの端子5の構成を示す平面図である。第2の突起電極6bの製造方法では、実施の形態1における配線基板1aの製造工程図8Cに示す工程において形成されたマスクパターン18aに代えて、図10に示すマスクパターン18bを、それぞれ端子5上に配置する。マスクパターン18bは、幅が端子5より狭く形成されている。なお、第1の突起電極4が形成される領域におけるマスクパーンは、図8Cに示すマスクパターン18aと同様である。図8Cに示す工程以外の工程は、実施の形態1の製造工程と同様である。   The second protruding electrode 6 b is formed on the terminal 5 so that the width is narrower than the width of the terminal 5. A method for manufacturing the wiring board 1b will be briefly described. FIG. 10 is a plan view showing the configuration of the terminal 5 of the wiring board 1b during the manufacturing process. In the manufacturing method of the second protruding electrode 6b, the mask pattern 18b shown in FIG. 10 is replaced with the terminal 5 in place of the mask pattern 18a formed in the step shown in FIG. 8C. Place on top. The mask pattern 18 b is formed to be narrower than the terminal 5. Note that the mask pattern in the region where the first protruding electrode 4 is formed is the same as the mask pattern 18a shown in FIG. 8C. Steps other than the step shown in FIG. 8C are the same as the manufacturing steps of the first embodiment.

以上のように、本実施の形態によれば、第2の突起電極6bが端子5の側面には形成されないため、隣接する端子5の間隔が広がり、端子5の絶縁性が向上する。   As described above, according to the present embodiment, since the second protruding electrode 6b is not formed on the side surface of the terminal 5, the interval between the adjacent terminals 5 is widened, and the insulation of the terminal 5 is improved.

また、製造工程において、実施の形態1における製造工程のマスクパターンの形状を変更するだけであり、新たな工程を追加する事無く、配線基板1bを形成することができる。   Further, in the manufacturing process, only the shape of the mask pattern in the manufacturing process in the first embodiment is changed, and the wiring board 1b can be formed without adding a new process.

なお、実施の形態1または2において、第2の突起電極6a、6bに設けた開口部7aの形状を、図2、図9に示すように円形に形成した例を示した。しかし、開口部7aの形状は、円形に限定されず、第2の突起電極6a、6bに段差を設けて、コネクタ12の導電パッド13に形成された突起部15と嵌合する形状であれば良く、円形の他に矩形、三角形等でも良い。   In the first or second embodiment, an example is shown in which the shape of the opening 7a provided in the second protruding electrodes 6a and 6b is circular as shown in FIGS. However, the shape of the opening 7a is not limited to a circle, and may be any shape as long as a step is provided on the second protruding electrodes 6a and 6b and can be fitted to the protruding portion 15 formed on the conductive pad 13 of the connector 12. In addition to a circle, a rectangle, a triangle, or the like may be used.

また、図11に示すように、配線基板1cの第2の突起電極6cを分割して形成することにより、開口部7cを形成しても良い。   In addition, as shown in FIG. 11, the opening 7c may be formed by dividing the second protruding electrode 6c of the wiring board 1c.

本発明の配線基板は、コネクタを装着した場合に、コネクタと端子を確実に接続することができ、固定することができるという効果を有し、半導体装置として利用可能である。   The wiring board of the present invention has an effect that the connector and the terminal can be reliably connected and fixed when the connector is mounted, and can be used as a semiconductor device.

本発明の実施の形態1に係る配線基板を示す平面図The top view which shows the wiring board which concerns on Embodiment 1 of this invention 同上配線基板を示す拡大斜視図Enlarged perspective view showing the wiring board 同上配線基板を示す断面図Sectional view showing the wiring board 本発明の実施の形態1に係る半導体装置を示す断面図Sectional drawing which shows the semiconductor device which concerns on Embodiment 1 of this invention. 同上半導体装置を示す平面図The top view which shows a semiconductor device same as the above 同上半導体装置を示す平面図The top view which shows a semiconductor device same as the above 同上半導体装置を示す断面図Sectional view showing the semiconductor device 本発明の実施の形態1に係る配線基板の製造工程を示す平面図The top view which shows the manufacturing process of the wiring board which concerns on Embodiment 1 of this invention 図8Aの次の工程を示す平面図Plan view showing the next step of FIG. 8A 図8Bの次の工程を示す平面図Plan view showing the next step of FIG. 8B 図8Cの次の工程を示す平面図Plan view showing the next step of FIG. 8C 図8Dの次の工程を示す平面図Plan view showing the next step of FIG. 8D 図8Eの次の工程を示す平面図Plan view showing the next step of FIG. 8E 本発明の実施の形態2に係る配線基板を示す斜視図The perspective view which shows the wiring board which concerns on Embodiment 2 of this invention. 同上配線基板の製造工程を示す平面図Plan view showing the manufacturing process of the wiring board 同上配線基板の変形例を示す斜視図The perspective view which shows the modification of a wiring board same as the above 従来の配線基板を示す平面図Plan view showing a conventional wiring board 同上配線基板を示す斜視図The perspective view which shows a wiring board same as the above 同上配線基板を示す断面図Sectional view showing the wiring board 従来の配線基板を用いた半導体装置を示す平面図Plan view showing a semiconductor device using a conventional wiring board 同上半導体装置の断面図Sectional view of the semiconductor device

符号の説明Explanation of symbols

1a、1b、1c 配線基板
2 絶縁性基材
2a 凸部
3 導体配線
4 第1の突起電極
5 端子
6a、6b、6c 第2の突起電極
7a、7b 開口部
8 半導体素子
9 素子電極
10 電極パッド
11 封止樹脂
12 コネクタ
13 導電パッド
14 ハウジング
15 突起部
16 給電線
17 ネガレジストフィルム
18a、18b マスクパターン
19 レジスト開口部
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1a, 1b, 1c Wiring board 2 Insulating base material 2a Convex part 3 Conductor wiring 4 1st protrusion electrode 5 Terminal 6a, 6b, 6c 2nd protrusion electrode 7a, 7b Opening part 8 Semiconductor element 9 Element electrode 10 Electrode pad DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 Sealing resin 12 Connector 13 Conductive pad 14 Housing 15 Protrusion 16 Feed line 17 Negative resist film 18a, 18b Mask pattern 19 Resist opening

Claims (9)

絶縁性基材と、
前記絶縁性基材の表面に形成された導体配線と、
前記導体配線の長手方向を横切って前記導体配線の両側の前記絶縁性基材上の領域に亘り形成された第1の突起電極と、
前記絶縁性基材の表面に形成され、前記導体配線と接続された端子と、
前記端子の表面に形成された第2の突起電極とを備えた配線基板において、
前記第2の突起電極に、前記端子の表面が露出されるように形成された開口部を備えたことを特徴とする配線基板。
An insulating substrate;
Conductor wiring formed on the surface of the insulating substrate;
A first protruding electrode formed across a region on the insulating substrate on both sides of the conductor wiring across the longitudinal direction of the conductor wiring;
A terminal formed on the surface of the insulating substrate and connected to the conductor wiring;
In a wiring board provided with a second protruding electrode formed on the surface of the terminal,
A wiring board comprising an opening formed in the second protruding electrode so as to expose a surface of the terminal.
前記第2の突起電極は、前記端子の両側の前記絶縁性基材上の領域に亘り形成された請求項1に記載の配線基板。   The wiring board according to claim 1, wherein the second protruding electrode is formed over a region on the insulating base on both sides of the terminal. 前記第2の突起電極の幅は、前記端子の幅より狭く、
前記第2の突起電極は、前記端子からはみ出さないように形成された請求項1に記載の配線基板。
The width of the second protruding electrode is narrower than the width of the terminal,
The wiring board according to claim 1, wherein the second protruding electrode is formed so as not to protrude from the terminal.
前記第2の突起電極と前記端子とは、同一の材料で形成された請求項1〜3のいずれか一項に記載の配線基板。   The wiring board according to claim 1, wherein the second protruding electrode and the terminal are formed of the same material. 前記端子及び前記第2の突起電極は、前記端子及び前記第2の突起電極と異なる一つ以上の材質から構成された第1の導電層で被覆された請求項1〜4のいずれか一項に記載の配線基板。   The said terminal and the said 2nd protruding electrode were coat | covered with the 1st conductive layer comprised from the 1 or more material different from the said terminal and the said 2nd protruding electrode. Wiring board as described in. 請求項1〜5のいずれか一項に記載の配線基板と、
前記配線基板上に搭載された半導体素子とを備え、
前記半導体素子の素子電極と前記配線基板に形成された第1の突起電極とが電気的に接続された半導体装置。
The wiring board according to any one of claims 1 to 5,
A semiconductor element mounted on the wiring board;
A semiconductor device in which an element electrode of the semiconductor element and a first protruding electrode formed on the wiring substrate are electrically connected.
前記素子電極の表面に、前記素子電極と異なる一つ以上の材質から構成された第2の導電層を備えた請求項6に記載の半導体装置。   The semiconductor device according to claim 6, further comprising a second conductive layer made of at least one material different from the element electrode on a surface of the element electrode. 前記端子に対応して配列された導電パッドと、
前記導電パッドを保持するハウジングとを有するコネクタを備え、
前記導電パッドは、前記端子の位置に対応して形成された突起部を有し、
前記端子の第2の突起電極に形成された前記開口部と、前記導電パッドに形成された前記突起部とが嵌合する請求項6または7に記載の半導体装置。
Conductive pads arranged corresponding to the terminals;
A connector having a housing for holding the conductive pad;
The conductive pad has a protrusion formed corresponding to the position of the terminal,
8. The semiconductor device according to claim 6, wherein the opening formed in the second protruding electrode of the terminal is fitted into the protruding portion formed in the conductive pad.
表面に導体配線及び端子が形成された絶縁性基材を準備する工程と、
前記絶縁性基材の導体配線が形成された面に感光性レジストを形成する工程と、
前記感光性レジストを露光し、現像して、第1の突起電極及び第2の突起電極を形成する部分の導体配線及び端子を露出させるレジスト開口部をパターン形成する工程と、
電解めっきにより、前記レジスト開口部により露出された導体配線に、前記導体配線の長手方向を横切って、前記導体配線の両側の絶縁性基材上の領域に亘り、前記第1の突起電極及び前記第2の突起電極を形成する工程とを有する配線基板の製造方法において、
前記レジスト開口部をパターン形成する工程では、前記第2の突起電極を形成する部分の一部にレジストを残して、前記レジスト開口部をパターン形成し、
前記第2の突起電極を形成する工程により、前記第2の突起電極の前記レジストが残された部分に、前記端子部の表面を露出させる開口部が設けられることを特徴とする配線基板の製造方法。
Preparing an insulating base material having conductor wiring and terminals formed on the surface;
Forming a photosensitive resist on the surface on which the conductor wiring of the insulating substrate is formed;
Patterning a resist opening that exposes and develops the photosensitive resist and exposes portions of the conductor wiring and terminals that form the first protruding electrode and the second protruding electrode; and
By electroplating, the conductor wiring exposed by the resist opening crosses the longitudinal direction of the conductor wiring and spans the regions on the insulating base on both sides of the conductor wiring, and the first protruding electrode and the In a method for manufacturing a wiring board having a step of forming a second protruding electrode,
In the step of patterning the resist opening, the resist opening is patterned by leaving a resist in a part of a portion where the second protruding electrode is formed,
Manufacturing of a wiring board, wherein an opening for exposing the surface of the terminal portion is provided in a portion of the second protruding electrode where the resist is left by the step of forming the second protruding electrode. Method.
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