JP2008080428A - 両面研磨装置および両面研磨方法 - Google Patents

Abstract

【課題】半導体ウェーハの両面研磨の途中で半導体ウェーハの上面及び下面を反転させることなく、ウェーハエッジ部の上面と下面を均等に研磨し、品質が高く、かつ、製造コストの低い半導体ウェーハの製造を可能にする両面研磨装置および両面研磨方法を提供する。
【解決手段】対向面にウェーハ表裏面研磨用の研磨布２２ａ、２４ａを設けてなる下定盤および上定盤の回転により、半導体ウェーハ１０の表裏両面を研磨する両面研磨装置であって、下定盤および上定盤の間に配置されるキャリア１４に半導体ウェーハ保持孔３０が設けられ、半導体ウェーハ保持孔３０の内周部に環状の半導体ウェーハエッジ研磨用の研磨材１２が設けられ、研磨材１２が上下対称な垂直断面形状を有し、研磨材１２の上部および下部が、半導体ウェーハ保持孔３０の中心方向に延出していることを特徴とする両面研磨装置およびこれを用いた研磨方法。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体ウェーハの表裏両面を同時に研磨し、かつ、半導体ウェーハのエッジ部も研磨できる両面研磨装置および両面研磨方法に関する。

インゴットからスライスされたシリコンウェーハ（以下、単にウェーハともいう）は、ラッピング、エッチング、研磨（ポリッシング）工程を経て、ウェーハ表裏面もしくはその片面が鏡面仕上げされた鏡面ウェーハに加工される。これら各工程で流動されるウェーハは円盤状の形状を保ったまま加工される。そして、各工程間には洗浄、乾燥、搬送等の手順が入る。
この際、シリコンウェーハのウェーハエッジ部表面は、特段の処理を行わない場合には、形状の凹凸が大きい粗な面である。このようなエッジ部表面の状態であると、エッジ部が各工程の搬送中に装置等と接触することで微小破壊による微細粒子が発生したり、その粗な状態の面内に汚染粒子を巻き込んだりして、その後の工程で粒子を散逸して精密加工を行ったウェーハ面を汚染し、製品の品質や歩留まりに大きな影響を及ぼす。これらの現象を防止するために、ウェーハ加工の初期段階で、ウェーハエッジ部分の面取りを行い、更に両面研磨（ポリッシング）の前または後の工程で、ウェーハエッジ部分を研磨による鏡面加工することが一般的に行われる。
しかしながら、ウェーハエッジ部の研磨による鏡面加工は難しく、そのためにウェーハの製造コストが増大する。また、ウェーハエッジ部の鏡面加工の際にウェーハ表面を吸着しながら加工を行うため、ウェーハ表面に吸着跡等が発生するという問題もある。また当然、ウェーハエッジ部の研磨工程を追加することにより、製造コストが増大する。
以上の問題を回避するため、特許文献１においては、ウェーハの両面研磨と同時にウェーハエッジ部も研磨する両面研磨装置および方法が開示されている。
特開平９−１５０３６６号公報

もっとも、上記特許文献１に開示された従来技術の両面研磨装置においては、ウェーハを保持する保持孔の内周部に設けられたウェーハエッジ研磨用の研磨材の形状が、その断面において上下非対称となっている。このため、ウェーハエッジ部の上面と下面を均等に研磨することが困難であり、均等に研磨するためには、研磨の途中で半導体ウェーハの上面及び下面を反転させなければならず、両面研磨工程が複雑化し製造コストが増大するという問題があった。また、製造工程が複雑化することによる品質低下のおそれも生じていた。

本発明は、上記事情を考慮してなされたもので、その目的とするところは、半導体ウェーハの両面研磨の途中で半導体ウェーハの上面及び下面を反転させることなく、ウェーハエッジ部の上面と下面を均等に研磨し、品質が高く、かつ、製造コストの低い半導体ウェーハの製造を可能にする両面研磨装置および両面研磨方法を提供することにある。

本発明の一態様の両面研磨装置は、
半導体ウェーハ裏面研磨用の研磨布が設けられた下定盤の回転と、前記下定盤に対向し半導体ウェーハ表面研磨用の研磨布が設けられた上定盤の回転とにより、半導体ウェーハの表裏両面を研磨する両面研磨装置であって、
前記下定盤および前記上定盤の間に配置されるキャリアに半導体ウェーハ保持孔が設けられ、
前記半導体ウェーハ保持孔の内周部に環状の半導体ウェーハエッジ研磨用の研磨材が設けられ、
前記研磨材が上下対称な垂直断面形状を有し、
前記研磨材の上部および下部が、前記半導体ウェーハ保持孔の中心方向に延出していることを特徴とする。

ここで、前記研磨材が上下に分割可能であることが望ましい。

また、前記研磨材の材質が、合成樹脂発泡体、不織布、不織布の樹脂加工品、合成皮革またはこれらいずれかの複合物であることが望ましい。

本発明の一態様の両面研磨方法は、上記研磨装置を用いる両面研磨方法であって、
前記研磨材が設けられたウェーハ保持孔に、前記半導体ウェーハを、前記半導体ウェーハのウェーハエッジの上面および下面が、前記研磨材で挟み込まれるように挿入するステップと、
前記ウェーハエッジの上面および下面と、前記半導体ウェーハの表裏両面とを同時に研磨するステップを有することを特徴とする。

ここで、前記研磨するステップにおいて、前記研磨材の上下対称の対称面と、前記半導体ウェーハの水平方向の中心面が一致していることが望ましい。

本発明によれば、半導体ウェーハの両面研磨の途中で半導体ウェーハの上面及び下面を反転させることなく、ウェーハエッジ部の上面と下面を均等に研磨し、品質が高く、かつ、製造コストの低い半導体ウェーハの製造を可能にする両面研磨装置および両面研磨方法を提供することが可能になる。

以下、本発明に係る両面研磨装置および両面研磨方法についての実施の形態につき、添付図面に基づき説明する。なお、ここでは半導体ウェーハとして、シリコンウェーハを製造する場合を例として記載する。また、図面中、同一または類似部材は同一符号で示す。

（第１の実施の形態）
図２は本実施の形態で用いられうる両面研磨装置２０の一例を示す説明図である。図２（ａ）が上面図、図２（ｂ）が図２（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。ただし、図２（ａ）では、後述する上定盤は図から省略されている。図２（ｂ）に示すように両面研磨装置２０は、相対向して設けられた下定盤２２および上定盤２４を有している。下定盤２２の上面にはウェーハ裏面研磨用の下研磨布２２ａが貼られ、上定盤２４の下面にはウェーハ表面研磨用の上研磨布２４ａが貼られている。これらの上下定盤は、不図示の駆動手段によって、互いに逆方向に回転可能である。

そして、図２（ａ）に示されるように、両面研磨装置２０の中心部にはサンギア２６が設けられ、両面研磨装置２０の最外周部には環状のインターナルギア２８が設けられている。そして、サンギア２６とインターナルギア２８に挟み込まれるように複数の円盤状のキャリア１４が配置されている。

図２（ｂ）に示すように、サンギア２６は下定盤２２の中心部の上面に設けられている。そして、円盤状のキャリア１４は、下定盤２２および上定盤２４の間に配置されている。より具体的には、下定盤２２の下研磨布２２ａの上面と、上定盤２４の上研磨布２４ａの下面の間にキャリア１４が挟持されている。そして、このキャリア１４は、サンギア２６とインターナルギア２８の作用により、後にその動作を詳述するように、自転および公転しつつ下研磨布２２ａと上研磨布２４ａの間を摺動可能となっている。

図３は、本実施の形態のキャリアの構造の説明図である。図３（ａ）がキャリアの平面図、図３（ｂ）が図３（ａ）のキャリアの要部を示すＡ−Ａ断面図である。
キャリア１４には、図３（ａ）に示すようにウェーハ保持孔３０が設けられ、研磨すべきウェーハ１０は、このウェーハ保持孔３０内に配置される。
なお、ここでは、１つのキャリア１４に１つのウェーハ保持孔３０が設けられている場合を示しているが、図４に示すように、１つのキャリア１４に複数のウェーハ保持孔３０を設ける構成をとることも可能である。

本実施の形態においては、図３に示すように、ウェーハ保持孔３０の内周面には、環状のウェーハエッジ研磨用の研磨材１２が設けられている。本実施の形態においては、この研磨材１２が、図３（ｂ）に示すように、上下対称な垂直断面形状を有し、研磨材１２の上部および下部が、半導体ウェーハ保持孔３０の中心方向に延出していることを特徴とする。すなわち、研磨材１２の上部および下部が、対称的に内方に向かって徐々に薄くなっている。
この研磨材１２の材質としては、例えば、合成樹脂発泡体、不織布、不織布の樹脂加工品、合成皮革またはこれらいずれかの複合物を用いることが可能である。

次に、上記の両面研磨装置を用いた両面研磨方法およびその作用・効果について、図１、図３、図５、図６、図７および図１２を参照しつつ説明する。
まず、図１は本実施の形態のキャリアの要部断面図である。図１（ａ）が、キャリアにウェーハを挿入する前の状態、図１（ｂ）がウェーハをキャリアに挿入した状態、図１（ｃ）がウェーハを両面研磨している状態を示す。図１（ａ）に示すウェーハエッジ研磨用の研磨材１２を有するキャリア１４に、図１（ｂ）に示すように、ウェーハ１０をウェーハエッジの上面および下面が、ウェーハエッジ研磨用の研磨材１２で挟み込まれるようにキャリア１４のウェーハ保持孔３０に挿入する。ここで、ウェーハエッジ研磨用の研磨材１２の最小内径は、ウェーハ１０の外径よりも小さく、挿入は例えば、研磨材１２自身の復元性を利用して行う。この観点からは、ウェーハエッジ研磨用の研磨材として性質上復元容易な材質を用いることがより望ましい。

次に、図１（ｃ）に示すように、このウェーハ１０が挿入されたキャリア１４を下定盤の下研磨布２２ａの上面と、上定盤の上研磨布２４ａの下面の間に挟持して研磨を行う。この際、ウェーハエッジの上面および下面が、ウェーハ表裏面と同時に研磨されるように、上下両面がウェーハエッジ研磨用の研磨材に接触する状態で両面研磨が行われる。

そして、本実施の形態においては、図１（ｃ）に示すように、ウェーハ１０の研磨中に、ウェーハエッジ研磨用の研磨材１２の上下対称の対称面Ｅ−Ｅと、ウェーハ１０の水平方向の中心面Ｗ−Ｗが一致していることを特徴とする。このように、ウェーハエッジ研磨用の研磨材１２の上下対称の対称面Ｅ−Ｅと、ウェーハ１０の水平方向の中心面Ｗ−Ｗを一致させるためには、ウェーハ１０厚さと、キャリア１４厚さ、下研磨布２２ａおよび上研磨布２４ａの弾性、ウェーハ１０にかけられる荷重等の両面研磨条件を総合的に最適化する必要がある。
なお、ここで一致とは、必ずしもまったく誤差なく一致している場合に限られない。すなわち、完全一致と実用上同様の作用・効果が得られるズレ、具体的には、ウェーハ１０の厚さに対して±５％程度のズレをも含む概念である。

図１２は、従来技術のキャリアの構造の説明図である。図１２（ａ）がキャリアの平面図、図１２（ｂ）が図１２（ａ）のキャリアの要部を示すＣ−Ｃ断面図である。先にも述べたように、従来技術のキャリアにおいては、ウェーハエッジ研磨用の研磨材１２が、図１２（ｂ）に示すように上下非対称な構造となっていた。このため、ウェーハ１０のウェーハエッジは、主にその下半分のみが両面研磨中に研磨される。したがって、ウェーハエッジの上下をともに研磨するためには、両面研磨途中でウェーハ１０の上下面を逆にして両面研磨をおこなう必要が生じ、両面研磨工程が複雑になるという問題があった。

本実施の形態においては、図３に示すように、ウェーハエッジ研磨用の研磨材１２が上下対称となっている。したがって、従来技術と異なり、ウェーハエッジの上下を同時に研磨することが可能となり、上下面を逆にして両面研磨をおこなうことは不要となり、両面研磨工程の単純化を図ることが可能となる。

また、本実施の形態においては、ウェーハエッジ研磨用の研磨材の上下対称の対称面と、ウェーハの水平方向の中心面を一致させることにより、ウェーハエッジの上下面をより均等に研磨することを可能としている。図５は、ウェーハエッジ研磨用の研磨材の上下対称の対称面と、ウェーハの水平方向の中心面が両面研磨中に一致していない状態の説明図である。図５に示すように、キャリア１４が重力により下研磨布２２ａ上に張り付くため、ウェーハ１０の水平方向の中心面Ｗ−Ｗが、ウェーハエッジ研磨用の研磨材１２の上下対称の対称面Ｅ−Ｅよりも相対的に上方にずれている。このため、研磨材１２がウェーハエッジの上下面に対して不均等に接触し、ウェーハエッジの上下面を完全に均等に研磨することが困難となる。本実施の形態においては、ウェーハエッジ研磨用の研磨材の上下対称の対称面と、ウェーハの水平方向の中心面を一致させることにより、研磨材１２がウェーハエッジの上下面に対して均等に接触し、ウェーハエッジの上下面を完全に均等に研磨することが可能となる。
そして、本実施の形態のように、ウェーハエッジ研磨用の研磨材の上下対称の対称面と、ウェーハの水平方向の中心面を一致させるためには、ウェーハ厚さと、キャリア厚さ、下研磨布および上研磨布の弾性、ウェーハにかけられる荷重等の両面研磨条件を、ウェーハの表裏面を鏡面研磨するためにのみ最適化するのではなく、ウェーハエッジの研磨を考慮した最適化をおこなうことが必要となる。

両面研磨条件の最適化の一例として、キャリア厚さを調整する場合を図３、図６および図７を用いて説明する。図６は図３に対してキャリアが厚い場合のキャリアの要部断面図、図７は図３に対してキャリアが薄い場合のキャリアの要部断面図である。
ここで、キャリアの厚さとウェーハにかける荷重以外を、同一条件とした場合を考える。そうすると、キャリアが最も厚い図６（ｃ）の場合には、ウェーハエッジ研磨用の研磨材の上下対称の対称面と、ウェーハの水平方向の中心面を一致させるために必要とされるウェーハにかける荷重がキャリア厚さ３条件の中でもっとも少なくなる。これは、ウェーハ１０厚さとキャリア１２厚さの差がもっとも小さいことによる。逆に、キャリアが最も薄い図７（ｃ）の場合には、ウェーハエッジ研磨用の研磨材の上下対称の対称面と、ウェーハの水平方向の中心面を一致させるために必要とされるウェーハにかける荷重がキャリア厚さ３条件の中でもっとも大きくなる。これは、ウェーハ１０厚さとキャリア１２厚さの差がもっとも大きいため、この差を補償するためウェーハを下研磨布２２ａに大きく押し込む必要が生じるからである。そして、荷重の大きさは一般にウェーハ表裏面の研磨量に比例するので、ウェーハ表裏面の研磨量を増大させた上で、ウェーハエッジの研磨を上下均等にするためにはキャリアの厚さを薄くすればよいことになる。一方、ウェーハ表裏面の研磨量を減少させた上で、ウェーハエッジの研磨を上下均等にするためにはキャリアの厚さを厚くすればよいことになる。

次に、ウェーハエッジの研磨の一般原理について以下簡単に説明する。
図８に、両面研磨時のキャリア１４の位置関係とキャリア１４の動きを示す。まず、キャリア１４は図示しないギアをその外周に有している。そして、キャリア１４は、下定盤（図示せず）および上定盤（図示せず）の回転と、サンギア２６およびインターナルギア２８の回転から、公転（矢印Ｒ３）および自転（矢印Ｒ２）を行っている。そして、このような公転と自転を行うキャリア１４のウェーハ保持孔３０に保持されるウェーハ１０は、ウェーハそのものが自転（矢印Ｒ１）を行うことになる。そして、このウェーハ１０の自転によって、ウェーハ１０とウェーハエッジ研磨用のウェーハ保持孔３０の内周に設けられた研磨材（図示せず）が相対運動を行い、結果的にウェーハ１０のウェーハエッジが、ウェーハ表裏面の研磨と同時に鏡面研磨される。
このウェーハの自転数ωｗは、下記の（式１）から導かれる。

ωｗ＝（Ｕｐ＋Ｌｐ）／２−（ωｃ＋Ωｃ） ・・・（式１）

ここで、Ｕｐは上定盤の回転数、Ｌｐは下定盤の回転数、ωｃはキャリアの自転数、Ωｃはキャリアの公転数である。
この式から分かるように、キャリアの自公転数が一定であれば、ウェーハの自転数は上下定盤の回転数の増加に伴い増加する。したがって、ウェーハエッジの鏡面度の向上（研磨量の増加）は、上下定盤の回転数の増加によって、実現可能となる。
なお、キャリアの自転数ωｃおよびキャリアの公転数Ωｃはそれぞれ下記の（式２）、（式３）であらわされる。

ωｃ＝Ｇｉ×Ｇｓ（ｉ−ｓ）／{Ｇｃ×（Ｇｉ＋Ｇｓ）} ・・・（式２）

Ωｃ＝（Ｇｉ×ｉ＋Ｇｓ×ｓ）／（Ｇｉ＋Ｇｓ） ・・・（式３）

ここで、Ｇｉはインターナルギアの歯数、Ｇｓはサンギアの歯数、Ｇｃはキャリアの歯数、ｉはインターナルギアの回転数、ｓはサンギアの回転数である。
以上の式から導かれるキャリアの自転数ωｃの大小により、ウェーハエッジの鏡面度（研磨量）が決定されることになる。

以上、記載したとおり、本実施の形態によれば、ウェーハの両面研磨の途中でウェーハの上面及び下面を反転させることなく、ウェーハエッジ部の上面と下面を均等に研磨し、品質が高く、かつ、製造コストの低いウェーハの製造を可能にする両面研磨装置および両面研磨方法を提供することが可能になる。

（第２の実施の形態）
本実施の形態は、キャリアの内面に設けられるウェーハエッジ研磨用の研磨材がウェーハ保持孔の中心方向に向かってキャリアの厚みよりも広がっている以外は第１の実施の形態と同様であるので、記述を省略する。

図９は、本実施の形態のキャリア要部の断面図である。図９（ａ）が、キャリアにウェーハを挿入した状態、図９（ｂ）がウェーハを両面研磨している状態を示す。図９に示すように、本実施の形態においては、キャリアの内面に設けられるウェーハエッジ研磨用の研磨材がウェーハ保持孔の中心方向に向かってキャリアの厚みよりも上下方向に広がっていることを特徴とする。

先に図７を用いて説明したように、両面研磨条件についてウェーハエッジの研磨を考慮した最適化を行うため、ウェーハ１０に対してキャリア１４の厚さを薄くしていく場合が考えられる。この場合に、図７で示す第１の実施の形態のように、キャリア１４の厚さと、ウェーハエッジ研磨用の研磨材１２の上下幅が等しい場合には、研磨材１２のウェーハエッジ面に接触する面積が小さくなり、ウェーハエッジ最上部および最下部で、十分なウェーハエッジ研磨が実現できない場合が生じうる。

これに対して、図９（ｂ）に示すように、本実施の形態においては、ウェーハエッジ研磨用の研磨材１２がウェーハ保持孔の中心方向に向かってキャリアの厚みよりも上下方向に広がっているため、キャリア１４が薄い場合でも、研磨材１２が十分にウェーハエッジの最上部および最下部に接触する。
したがって、第１の実施の形態の効果に加え、キャリア１４がウェーハ１０に対して比較的薄い場合でも十分に均等なウェーハエッジの研磨を実現することが可能となる。

（第３の実施の形態）
本実施の形態は、ウェーハエッジ研磨用の研磨材が上下に分割可能であることを特徴とする以外は第１の実施の形態と同様であるので、記述を省略する。

図１０は、本実施の形態のキャリア要部の断面図である。図１０（ａ）が、キャリアにウェーハを挿入する前の状態、図１０（ｂ）がウェーハをキャリアに挿入した状態、図１０（ｃ）がウェーハを両面研磨している状態を示す。図１０（ａ）に示すように、本実施の形態においては、キャリア１４の内周部の一部に固定されたウェーハエッジ研磨用の研磨材１２の上半分が、キャリア本体から取り外せることによって、研磨材１２が上下に分割可能となっていることを特徴とする。

このように、研磨材１２が上下に分割可能とすることにより、第１の実施の形態の効果に加え、ウェーハ１０のキャリアへの挿入を容易にすることが可能となる。すなわち、図１０（ｂ）に示すように、まず、ウェーハエッジ研磨用の研磨材１２の上半分を取り外した状態で、ウェーハ１０をキャリア１４に載置する。その後、ウェーハエッジ研磨用の研磨材１２の上半分をウェーハ１０のウェーハエッジ上部に研磨材１２がかぶさるように載置し固定する。そして、図１０（ｃ）に示すように下研磨布２２ａおよび上研磨布２４ａにキャリア１４を挟持しウェーハ１０の両面研磨をおこなう。
このように研磨材１２を上下分割可能とすることは、特に研磨材１２の材質としてその性質上復元容易でない材質を適用する場合に特に有効である。

なお、ここでは、ウェーハエッジ研磨用の研磨材の上半分は、キャリアの内周部の一部に固定されているとしたが、ウェーハエッジ研磨用の研磨材の上半分のみが取り外し可能であってもよいし、キャリアの上半分全体がウェーハエッジ研磨用の研磨材の上半分とともに分割可能となる構成としてもかまわない。
（第４の実施の形態）
本実施の形態は、キャリアの一部、すなわち、ウェーハエッジ研磨用の研磨材が固定されている領域近傍よりも、キャリア外周の厚みが薄くなっていることを特徴とする以外は第１の実施の形態と同様であるので、記述を省略する。

図１１は、本実施の形態のキャリア要部の断面図である。図１１（ａ）が、キャリアにウェーハを挿入する前の状態、図１１（ｂ）がウェーハをキャリアに挿入した状態、図１１（ｃ）がウェーハを両面研磨している状態を示す。図１１（ａ）に示すように、本実施の形態においては、ウェーハエッジ研磨用の研磨材１２が固定されている領域近傍のキャリア厚さより、キャリア１４の外周の厚みが相対的に薄くなっていることを特徴とする。

このような構造をとることにより、図１１（ｃ）に示すように、ウェーハ１０の両面研磨中にキャリア１４上面が上研磨布２４ａに接触する面積を大幅に減少させることが可能となる。したがって、第１の実施の形態の効果に加え、キャリア１４上面と上研磨布２４ａ間の摩擦抵抗が減少し、結果的に同一の上盤２４回転数を保つために必要な消費電力が削減されるという効果がある。さらに、上研磨布２４ａの磨耗量が減少し、上研磨布２４ａの寿命が長くなるという効果も期待できる。

以上、具体例を参照しつつ本発明の実施の形態について説明した。実施の形態の説明においては、両面研磨装置、両面研磨方法等で、本発明の説明に直接必要としない部分等については記載を省略したが、必要とされる両面研磨装置、両面研磨方法等に関わる要素を適宜選択して用いることができる。
その他、本発明の要素を具備し、当業者が適宜設計変更しうる全ての両面研磨装置および両面研磨方法は、本発明の範囲に包含される。

第１の実施の形態のキャリアの要部断面図。 第１の実施の形態で用いられうる両面研磨装置の説明図。 第１の実施の形態のキャリアの構造の説明図。 第１の実施の形態の複数のウェーハ保持孔を有するキャリアの説明図。 ウェーハエッジ研磨用の研磨材の上下対称の対称面と、ウェーハの水平方向の中心面が一致していない状態の説明図 両面研磨条件の最適化についての説明図。 両面研磨条件の最適化についての説明図。 両面研磨時のキャリアの位置関係とキャリアの動きを示す説明図。 第２の実施の形態のキャリアの要部断面図である。 第３の実施の形態のキャリアの要部断面図である。 第４の実施の形態のキャリアの要部断面図である。 従来技術のキャリアの構造の説明図である。

符号の説明

１０ ウェーハ
１２ ウェーハエッジ研磨用の研磨材
１４ キャリア
２０ 両面研磨装置
２２ 下定盤
２２ａ 下研磨布
２４ 上定盤
２４ａ 上研磨布
２６ サンギア
２８ インターナルギア
３０ ウェーハ保持孔

Claims (5)

1. 半導体ウェーハ裏面研磨用の研磨布が設けられた下定盤の回転と、前記下定盤に対向し半導体ウェーハ表面研磨用の研磨布が設けられた上定盤の回転とにより、半導体ウェーハの表裏両面を研磨する両面研磨装置であって、
   前記下定盤および前記上定盤の間に配置されるキャリアに半導体ウェーハ保持孔が設けられ、
   前記半導体ウェーハ保持孔の内周部に環状の半導体ウェーハエッジ研磨用の研磨材が設けられ、
   前記研磨材が上下対称な垂直断面形状を有し、
   前記研磨材の上部および下部が、前記半導体ウェーハ保持孔の中心方向に延出していることを特徴とする両面研磨装置。
2. 前記研磨材が上下に分割可能であることを特徴とする請求項１記載の両面研磨装置。
3. 前記研磨材の材質が、合成樹脂発泡体、不織布、不織布の樹脂加工品、合成皮革またはこれらいずれかの複合物であることを特徴とする請求項１記載の両面研磨装置。
4. 請求項１記載の両面研磨装置を用いる両面研磨方法であって、
   前記研磨材が設けられたウェーハ保持孔に、前記半導体ウェーハを、前記半導体ウェーハのウェーハエッジの上面および下面が、前記研磨材で挟み込まれるように挿入するステップと、
   前記ウェーハエッジの上面および下面と、前記半導体ウェーハの表裏両面とを同時に研磨するステップを有することを特徴とする両面研磨方法。
5. 前記研磨するステップにおいて、前記研磨材の上下対称の対称面と、前記半導体ウェーハの水平方向の中心面が一致していることを特徴とする請求項４記載の両面研磨方法。
   

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