JP2008078072A - 画像表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】平面型画像表示装置で、蛍光面の高圧印加部分の端面の電界集中を緩和し放電発生を防止する。
【解決手段】ガラス基板上に複数の信号配線８，９及び電子源１０を備えた背面基板１と、ガラス基板上に蛍光体層１５、ＢＭ膜１６及びメタルバック１７からなる蛍光膜１８を備えた前面基板２と、これら背面基板１と前面基板２間に介挿された枠体３とを備えた平面型画像表示装置であって、前記蛍光膜１８の終端から前記枠体３の内面方向に延在した導電膜１４を配置した。
【選択図】図２

Description

本発明は、自発光型フラットパネル型画像表示装置に係り、特に薄膜型電子源をマトリクス状に配列した画像表示装置に関するものである。

マトリクス状に配置した電子源を有する自発光型フラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）の一つとして、微少で集積可能な冷陰極を利用する電界放出型画像表示装置（ＦＥＤ：Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ）や電子放出型画像表示装置が知られている。これらの冷陰極には、スピント型電子源、表面伝導型電子源、カーボンナノチューブ型電子源、金属―絶縁体―金属を積層したＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−Ｍｅｔａｌ ）型、金属―絶縁体―半導体を積層したＭＩＳ（Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）型、あるいは金属―絶縁体―半導体−金属型等の電子源などがある。

一般的な自発光型ＦＰＤは、上記のような電子源をガラス板からなる背面基板上に備えた背面パネルと、蛍光体層及びこの蛍光体層に前記電子源から放出される電子を射突させるための電界を形成する陽極をガラス板からなる前面基板上に備えた前面パネルと、両パネルの対向する内部空間を所定の間隔に保持する枠体とを備え、前記両パネルと枠体で形成される表示空間を真空状態に保持する構成とし、この表示パネルに駆動回路を組み合わせて構成される。

又、前記背面パネルの前記背面基板上には、一方向に延在し該一方向と直交する他方向に並設されて前記他方向に走査信号が順次印加される複数の走査信号配線を有し、更にこの背面基板上には、前記他方向に延在し前記走査信号配線に交差する如く前記一方向に並設された複数の画像信号配線を備えている。加えて前記走査信号配線と画像信号配線の各交差部付近に上記の電子源がそれぞれ設けられ、走査信号配線と電子源とは給電電極で接続され、走査信号配線から電子源に電流が供給される構成が一般的である。

更に、前記個々の電子源は対応する蛍光体層と対になって単位画素を構成する。通常は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色の単位画素で一つの画素（カラー画素、ピクセル）が構成される。なお、カラー画素の場合、単位画素は副画素（サブピクセル）とも呼ばれる。

上述の構成に加え、前述したような画像表示装置では、背面パネルと前面パネル間の前記枠体で囲繞された表示領域内に複数の間隔保持部材（スペーサ）が配置固定され、前記両パネル間の間隔を前記枠体と協働して所定間隔に保持している。このスペーサは、一般にはガラスやセラミックスなどの絶縁材あるいは幾分かの導電性を有する部材で形成した板状体からなり、通常、複数の画素ごとに画素の動作を妨げない位置に設置される。

又、封止枠となる枠体は背面基板と前面基板との内周縁にフリットガラスなどの封着部材で固着され、この固着部が気密封着され封止領域となっている。両基板と枠体とで形成される表示領域内部の真空度は、例えば１０^-5〜１０^-7Ｔｏｒｒ程度である。

枠体と両基板との封止領域には、背面基板に形成された走査信号配線につながる走査信号配線引出端子や画像信号配線につながる画像信号配線引出端子がそれぞれ貫通する。
特開２００２−７５２５４号公報 特開２００２−１００３１３号公報 特開２００３−２２６８５８号公報 特開２００４−３６３０７５号公報

上述のような自発光型の画像表示装置に関し、特許文献１では前記枠体の両基板との当接面に電極を設けると共に前記当接面に接する側壁側面に高抵抗膜を配置した構成が開示されている。又、特許文献２では放電防止のために表示領域外に抵抗値の異なる２種類の抵抗膜を順次配置する構成が開示されている。更に、特許文献３ではシリコン系シール材料が開示されている。

この種の画像表示装置では、前記放電対策は必須である。しかしながら、従来この対策のために前記表示領域を含め両基板の内表面の汚れや損傷を発生させる恐れがあり、このことは表示品位の劣化を招くと共に長寿命化に支障を来たす問題の発生を内包している。

本発明の目的は、前述の問題を解決して表示品位の優れた長寿命の画像表示装置を提供することにある。

上記目的を達成するため、本発明は、前面基板に設けられた蛍光膜の終端を覆って前記枠体方向に延在し、前記枠体と所定の間隔を有して配置された導電膜を備えたことを特徴とする。又、本発明は蛍光膜の終端に連なり枠体方向に延びる高抵抗膜を有し、この高抵抗膜上に前記導電膜を備えたことを特徴とする。更に、枠体の内側面に第２の高抵抗膜を配置したことを特徴とする。

蛍光膜終端から枠体方向へ延在する導電膜を配置したことにより、蛍光面の高圧印加部分端面の電界集中が緩和され、放電発生を抑制でき、表示品位の優れた長寿命の画像表示装置を可能にした。又、導電膜の損傷に伴う散逸を軽減でき、管内異物発生を抑制して放電発生因子を排除し、表示品位の優れた長寿命の画像表示装置を可能にした。

更に、蛍光膜の終端を覆って高抵抗膜を配置し、その上に前記導電膜を配置したことにより、両膜が高圧電位緩和層となって蛍光面の高圧印加部分端面の電界集中が緩和され、放電発生を抑制でき、表示品位の優れた長寿命の画像表示装置を可能にした。更に、枠体の内側面に第２の高抵抗膜を配置したことにより、放電発生を更に抑制でき、表示品位の優れた長寿命の画像表示装置を可能にした。

以下、本発明を実施するための最良の形態につき、実施例の図面を参照して詳細に説明する。

図１乃至図５は、本発明による画像表示装置の第1の実施例を説明する模式図で、図１（ａ）は前面基板側から見た平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）の側面図、図２は図１（ｂ）のＡ−Ａ線に沿った平面図、図３は図１のＢ−Ｂ線に沿った断面図、図４は図２のＣ−Ｃ線に沿った断面図、図５は図２のＤ−Ｄ線に沿った断面図である。

これら図１乃至図５において、参照符号１は背面基板、２は前面基板、３は枠体、４は排気管、５は封着部材、６は表示領域、７は貫通孔、８は映像信号配線、９は走査信号配線、１０は電子源、１１は接続配線、１２はスペーサ、１３は接着部材、１４は導電膜、１５は蛍光体層、１６は遮光用のＢＭ（ブラックマトリクス）膜、１７は金属薄膜からなるメタルバック（加速電極）、１８は蛍光膜である。

これら両基板１、２は厚さ数ｍｍ、例えば１〜１０ｍｍ程度のガラス板から構成され、両基板共に略矩形状を呈し、所定の間隔を隔てて積層されている。参照符号３は枠状を呈する枠体を示し、この枠体３は例えばフリットガラスの燒結体或いはガラス板等から構成され、単体で若しくは複数部材の組み合わせで略矩形状とされ、前記両基板１、２間に介挿されている。

この枠体３は、前記両基板１、２間の周縁部に介挿され、両端面を両基板１、２と気密接合されている。この枠体３の厚さは数ｍｍ〜数十ｍｍ、その高さは両基板１、２間の前記間隔に略等しい寸法に設定されている。参照符号４は排気管で、この排気管４は前記背面基板１に固着されている。５は封着部材で、この封着部材５は例えばフリットガラスから構成され、前記枠体３と両基板１、２間を接合して気密封着している。

前記枠体３と両基板１、２及び封着部材５で囲まれた空間の表示領域６は前記排気管４を介して排気され例えば１０^-5〜１０^-7Ｔｏｒｒの真空度を保持している。又、前記排気管４は前述のように前記背面基板１の外表面に取り付けられ、この背面基板１を貫通して穿設された貫通孔７に連通しており、排気完了後前記排気管４は封止される。

参照符号８は映像信号配線で、この映像信号配線８は後述するような金属材料を用い、前記背面基板１の内面に一方向（Ｙ方向）に延在し他方向（Ｘ方向）に並設されている。この映像信号配線８は表示領域６から枠体３と背面基板１との封止領域を気密に貫通し、背面基板１の端面まで延長している。この映像信号配線８は前記封止領域より外側先端部分を映像信号配線引出端子８１としている。

参照符号９は走査信号配線で、この走査信号配線９は後述するような金属材料を用い、前記映像信号配線８上でこれと交差する前記他方向（Ｘ方向）に延在し前記一方向（Ｙ方向）に並設されている。この走査信号配線９は前記表示領域６から枠体３と背面基板１との封止領域を気密に貫通し、背面基板１の端面近傍まで延長している。この走査信号配線９はその前記封止領域より外側先端部分を走査信号配線引出端子９１としている。

参照符号１０は例えば特許文献４に開示された電子源の一種のＭＩＭ型の電子源で、この電子源１０は前記走査信号配線９と映像信号配線８の各交差部近傍に設けられている。又、この電子源１０は前記走査信号配線９と接続線１１で接続されている。又、前記映像信号配線８と、電子源１０及び前記走査信号配線９間には層間絶縁膜ＩＮＳが配置されている。

ここで、前記映像信号配線８は例えばＡｌ（アルミニウム）膜、走査信号配線９は例えばＣｒ／Ａｌ／Ｃｒ膜、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ膜等が用いられる。又、前記配線引出端子８１、９１はそれぞれ信号配線の両端に設けられているが、何れか一端のみに設けても良い。

次に、参照符号１２はスペーサであり、このスペーサ１２はガラスやセラミックスなどの絶縁材あるいは幾分かの導電性を有する部材で形成した板状体からなり、通常、複数の画素ごとに画素の動作を妨げない位置に設置される。このスペーサ１２は１０⁸〜１０⁹Ω・ｃｍ程度の比抵抗で、全体として抵抗値の偏在の少ない構成となっている。そして、スペーサ１２は前記枠体３と略平行で走査信号配線９上に１本おきに直立配置され、例えば導電性フリットガラスのような接着部材１３で両基板１、２と接着固定している。又、スペーサ１２の基板との接着固定は一端側のみでも良く、更にその配置は通常、複数の画素毎に画素の動作を妨げない位置に設置される。更に又、走査信号配線９上に数本おきに配置することも可能である。

このスペーサ１２の寸法は基板寸法、枠体３の高さ、基板素材、スペーサの配置間隔、スペーサ素材等により設定されるが、一般的には高さは前述した枠体３と略同一寸法、厚さは数十μｍ〜数ｍｍ以下である。スペーサの長さは２０ｍｍ乃至１０００ｍｍ程度、更にはそれ以上の長尺も可能であるが、好ましくは８０ｍｍ乃至３００ｍｍ程度が実用的な値となる。

このスペーサ１２の一端側が固定された前面基板２の内面には、後述するような位置関係で導電膜１４が配置されている。この導電膜１４としては、Ａｇ微粒子、Ｎｉ微粒子等の金属微粒子を少量含む導電性フリットガラス、又は前述の特許文献３に開示されたようなＳｉ系シール材料に、例えばカーボンナノチューブを０．１％〜数％添加した導電性シール材料等が用いられ、特にスペーサ１２と接続する構成では、スペーサ１２と良好に接着可能な材料が好ましい。

この導電膜１４で囲まれたその内側に赤色、緑色、青色用の蛍光体層１５が遮光用のＢＭ（ブラックマトリクス）膜１６で区画された窓部に配置され、これら蛍光体層１５、ＢＭ膜１６を覆うように金属薄膜からなるメタルバック（加速電極）１７が例えば蒸着方法で設けられ、これらで蛍光膜１８を形成して蛍光面を構成している。

動作時、この蛍光面には３ｋｖ〜２０ｋｖ程度の陽極電圧が印加される。メタルバック１７は前面基板２と反対側、つまり背面基板１側への発光を前面基板２側へ向け反射させ、発光の取り出し効率を上げる為の光反射膜であると共に蛍光体粒子の表面の帯電を防ぐ機能も合わせ持っている。

前記蛍光体としては、例えば赤色用としてＹ₂Ｏ₃：Ｅｕ、Ｙ₂Ｏ₂Ｓ：Ｅｕを、又、緑色用としてＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ、Ｙ₂ＳｉＯ₅：Ｔｂ、更に、青色用としてＺｎＳ：Ａｇ，Ｃｌ、ＺｎＳ：Ａｇ，Ａｌ等を用いることができる。この蛍光体層１５は蛍光体粒子の平均粒径は例えば４μｍ〜９μｍ、膜厚は例えば１０μｍ〜２０μｍ程度となっている。

次に、前述した参照符号１４で示す導電膜は、表示領域６を略同心に取り巻く複数の環状導電膜１４１、１４２、１４３の集合体から構成されている。前記複数の環状導電膜の内、最も内側に配置された環状導電膜１４１は、蛍光膜１８のＢＭ膜１６の終端１６１とメタルバック１７の終端１７１をそれぞれ覆う位置に配置されると共に、スペーサ１２の端部と接続する構成となっている。

一方、前記環状導電膜１４１と略同心で、かつ最外端に配置された環状導電膜１４３は、前記枠体３と一定の間隔Ｓ１を隔てて配置されている。更に、これら両環状導電膜１４１、１４３の間に別の環状導電膜１４２を所定の間隔を隔てて配置した３重環構造となっており、これらの構成で高圧電位緩和層として作用している。

これら環状導電膜１４１〜１４３の配置幅Ｗ１は相互間の空白部分を含めて３ｍｍ〜１０ｍｍ程度が必要で、この幅Ｗ１が３ｍｍ未満では高圧電位緩和効果が期待できず、又１０ｍｍを超えると表示領域が狭くなり、周辺領域が広くなる。好ましくは４ｍｍ〜８ｍｍ程度である。又、膜厚は３μｍ〜２０μｍが必要で、特に５μｍ〜１０μｍが好ましい。これが３μｍ未満では膜の消滅の可能性があり、２０μｍを超えると高圧電位緩和効果が期待できない。

図６は本発明の画像表示装置の他の実施例を示す模式平面図で、前記図２に対応しており、かつ前述した図と同一部分には同一記号を付してある。図６において、参照符号１４４は小点状導電膜で、この小点状導電膜１４４を蛍光膜１８の終端から枠体３の内側面に近接する範囲内に所定のピッチで配置し、高圧電位緩和層としたものである。配置幅は実施例１と同一とした。

この小点（ドット）状導電膜１４４の形成は、例えばインクジェットによる方法で可能であり、又各ドットの面積はリークさせる電荷に応じてその面積分布を決定すればよい。更に、配列ピッチも等ピッチに限らず、例えば蛍光膜１８に近い部分と枠体３に近い部分とで異なるピッチとすることも可能である。

ここで、図６では小点状導電膜１４４を円形で図示したが、角形、楕円形、星形など所望により種々の形状が可能である。

図７乃至図９は本発明の画像表示装置の更に他の実施例を示す模式図で、図７は前記図２に対応した平面図、図８は図７のＥ―Ｅ線に沿った断面図、図９は図７のＦ―Ｆ線に沿った断面図で、かつこれら図７乃至図９は前述した図と同一部分には同一記号を付してある。

図７乃至図９において、参照符号１９は高抵抗膜で、この高抵抗膜１９は、前記実施例１と同一仕様の導電膜１４の下側に配置されている。この高抵抗膜１９の始端１９１は前記メタルバック１７の終端１７１の全周を覆い前記枠体３方向へ延在し、その終端１９２が前記枠体３と一定の間隔Ｓ１を隔てて非接触として配置され、前記導電膜１４に加えて第２の高圧電位緩和層として作用している。

高低抗膜１８は、前記メタルバック１７の終端１７１を覆って前記枠体３方向へ延在しているが、前記メタルバック１７の終端１７１から前記高抵抗膜１９の終端１９２までの長さＬ１は３ｍｍ〜１０ｍｍ程度が必要で、この長さが３ｍｍ未満では高圧電位緩和効果が期待できず、又１０ｍｍを超えると表示領域が狭くなり、周辺領域が広くなる。好ましくは４ｍｍ〜８ｍｍ程度である。又、膜厚は３μｍ〜２０μｍが必要で、特に５μｍ〜１０μｍが好ましい。これが３μｍ未満では膜の消滅の可能性があり、２０μｍを超えると高圧電位緩和効果が期待できない。

この高低抗膜１８は、酸化鉄、酸化クロム、酸化チタン等の絶縁性の高抵抗酸化物と水ガラス等の無機バインダで構成されている。酸化鉄としては陰極線管等で使用実績のある例えばＦｅ₂Ｏ₃が、又酸化クロムとしては例えばＣｒ₂Ｏ₃が、又酸化チタンとしてはＴｉＯ₂（ルチル型）が推奨される。この構成では前記酸化鉄、酸化クロム、酸化チタン等は粒径が０．１μｍ〜１０μｍのものを用いる。特に、１０μｍを超えると粒子の脱落が発生し易くその結果電位緩和効果が小さい問題があり、好ましくは０．５μｍ〜３μｍ程度である。

この高低抗膜１８の無機バインダとして同じく陰極線管等で使用実績のある水ガラスを用いるケースでは、水ガラスは１重量％〜２０重量％で、好ましくは３重量％〜１０重量％程度である。又、水ガラスとＦｅ₂Ｏ₃の組み合わせ、又は水ガラスとＣｒ₂Ｏ₃の組み合わせ、更には水ガラスとＴｉＯ₂の組み合わせでは、混合比は水ガラス：Ｆｅ₂Ｏ₃は１：４〜１：１０、水ガラス：Ｃｒ₂Ｏ₃は同じく１：４〜１：１０、更には水ガラス：ＴｉＯ₂も同じく１：４〜１：１０が好ましい。

高低抗膜１９の形成は、前記材料の混合溶液をスポンジ、刷毛、筆等公知の治具を用いて当該部位に塗布し、乾燥して完成させる。完成後の抵抗値は１０⁹Ω／□〜１０¹³Ω／□で、前記メタルバック１７の形成された蛍光面の抵抗の１０²Ω／□程度以下の値に比べ格段に異なる高抵抗膜となっている。

図１０及び図１１は本発明の画像表示装置の更に他の実施例を示す模式断面図で、図１０は前記図４に、図１１は前記図５にそれぞれ対応し、かつ前述した図と同一部分には同一記号を付してある。

図１０及び図１１において、参照符号２９は高抵抗膜で、この高抵抗膜２９は枠体３の全周に亘ってその内側面３１に両基板１、２と非接触の状態で配置されている。この高抵抗膜２９は蛍光面側に配置された前記高抵抗膜１９と同一組成のもので形成されている。膜厚も実施例１と同様な寸法内に設定される。その他の仕様は実施例３と同一である。

実施例４では、前記蛍光面側に配置された導電膜１４、高低抗膜１８に加え枠体３の全周に亘ってその内側面３１に第２の高抵抗膜２９を配置したことにより高圧電位緩和がなされ、前記メタルバック１７の終端１７１付近の等電位線の傾斜が更に滑らかとなり、その結果、放電発生回数が激減し、表示品位の優れた長寿命の画像表示装置を得ることができた。

以上の各実施例では、電子源にＭＩＭを用いた構造を例としたが、本発明はこれに限定されるものではなく、前記した各種の電子源を用いた自発光型ＦＰＤに対しても同様に適用できるものである。

本発明による画像表示装置の第1の実施例を説明する模式図で、図１（ａ）は前面基板側から見た平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）の側面図である。 図１（ｂ）のＡ−Ａ線に沿った模式平面図である。 図１（ａ）のＢ−Ｂ線に沿った模式断面図である。 図２のＣ−Ｃ線に沿った模式断面図である。 図２のＤ−Ｄ線に沿った模式断面図である。 本発明による画像表示装置の他の実施例を説明する模式平面図である。 本発明による画像表示装置の更に他の実施例を説明する模式平面図である。 図７のＥ−Ｅ線に沿った模式断面図である。 図７のＦ−Ｆ線に沿った模式断面図である。 本発明による画像表示装置の更に他の実施例を説明する模式断面図である。 本発明による画像表示装置の更に他の実施例を説明する模式断面図である。

符号の説明

１・・・背面基板、２・・・前面基板、３・・・枠体、４・・・排気管、５・・・封着部材、６・・・表示領域、７・・・貫通孔、８・・・画像信号配線、９・・・走査信号配線、１０・・・電子源、１１・・・接続配線、１２・・・スペーサ、１３・・・接着部材、１４・・・導電膜、１４１〜１４３・・・環状導電膜、１４４・・・小点状導電膜、１５・・・蛍光体層、１６・・・ＢＭ膜、１７・・・メタルバック（加速電極）、１７１・・・メタルバック終端、１８・・・蛍光膜、１９、２９・・・高抵抗膜、ＩＮＳ・・・絶縁膜（層間絶縁膜）。

Claims (23)

1. 一方向に延在し該一方向と直交する他方向に並設された複数の走査信号配線と、前記他方向に延在し前記走査信号配線に交差する如く前記一方向に並設された複数の画像信号配線と、この画像信号配線と前記走査信号配線間に配置された層間絶縁膜と、前記走査信号配線と前記画像信号配線の各交差部近傍に設けられた電子源とを備えた背面基板と、
   前記電子源に対応して設けられた蛍光体層、この蛍光体層に隣接するＢＭ膜及び前記電子源から放出される電子を前記蛍光体層に指向する如く加速するための加速電極を有する蛍光膜を備え前記背面基板と所定の間隔をもって対向する前面基板と、
   前記背面基板と前記前面基板との間で表示領域を周回して介挿され、前記所定の間隔を保持する枠体と、
   前記枠体と前記前面基板及び背面基板とをそれぞれ封止領域で気密封着する封着部材とを備えた画像表示装置であって、
   前記蛍光膜の終端を覆って前記枠体方向に延在し、前記枠体と所定の間隔を隔てて配置された導電膜を備えたことを特徴とする画像表示装置。
2. 前記導電膜は前記表示領域を略同心に取り巻く複数の環状導電膜の集合体からなることを特徴とする前記請求項１に記載の画像表示装置。
3. 前記導電膜は小点状導電膜の集合体からなることを特徴とする前記請求項１に記載の画像表示装置。
4. 前記導電膜の配置幅は３ｍｍ〜１０ｍｍであることを特徴とする前記請求項１乃至３の何れかに記載の画像表示装置。
5. 前記表示領域内で前記背面基板と前記前面基板間に前記枠体と略平行に配置され、前記両基板の何れかと接着部材を介して固定された複数のスペーサを有し、このスペーサと前記導電膜とを接続してなることを特徴とする請求項１乃至４の何れかに記載の画像表示装置。
6. 前記接着部材は前記導電膜と略同一組成であることを特徴とする請求項５に記載の画像表示装置。
7. 前記導電膜は金属微粒子を含むことを特徴とする請求項１乃至６の何れかに記載の画像表示装置。
8. 前記導電膜は１０²Ω・ｃｍ〜１０¹⁰Ω・ｃｍの比抵抗を有することを特徴とする請求項１乃至７の何れかに記載の画像表示装置。
9. 一方向に延在し該一方向と直交する他方向に並設された複数の走査信号配線と、前記他方向に延在し前記走査信号配線に交差する如く前記一方向に並設された複数の画像信号配線と、この画像信号配線と前記走査信号配線間に配置された層間絶縁膜と、前記走査信号配線と前記画像信号配線の各交差部近傍に設けられた電子源とを備えた背面基板と、
   前記電子源に対応して設けられた蛍光体層、この蛍光体層に隣接するＢＭ膜及び前記電子源から放出される電子を前記蛍光体層に指向する如く加速するための加速電極を有する蛍光膜を備え前記背面基板と所定の間隔をもって対向する前面基板と、
   前記背面基板と前記前面基板との間で表示領域を周回して介挿され、前記所定の間隔を保持する枠体と、
   前記枠体と前記前面基板及び背面基板とをそれぞれ封止領域で気密封着する封着部材とを備えた画像表示装置であって、
   前記蛍光膜の終端の略全面を覆って前記枠体方向に延在し、前記枠体と所定の間隔を隔てて配置された高抵抗膜と、この高抵抗膜上で前記蛍光膜の終端を覆って前記枠体方向に延在し、前記枠体と所定の間隔を隔てて配置された導電膜とを備えたことを特徴とする画像表示装置。
10. 前記導電膜は、前記表示領域を略同心に取り巻く複数の環状導電膜の集合体からなることを特徴とする請求項９に記載の画像表示装置。
11. 前記導電膜は小点状導電膜の集合体からなることを特徴とする前記請求項９に記載の画像表示装置。
12. 前記導電膜の配置幅は３ｍｍ〜１０ｍｍであることを特徴とする前記請求項９乃至１１の何れかに記載の画像表示装置。
13. 前記表示領域内で前記背面基板と前記前面基板間に前記枠体と略平行に配置され、前記両基板の何れかと接着部材を介して固定された複数のスペーサを有し、このスペーサと前記導電膜とを接続してなることを特徴とする請求項９乃至１２の何れかに記載の画像表示装置。
14. 前記接着部材は前記導電膜と略同一組成であることを特徴とする請求項１３に記載の画像表示装置。
15. 前記導電膜は金属微粒子を含むことを特徴とする請求項９乃至１４の何れかに記載の画像表示装置。
16. 前記導電膜は１０²Ω・ｃｍ〜１０¹⁰Ω・ｃｍの比抵抗を有することを特徴とする請求項９乃至１５の何れかに記載の画像表示装置。
17. 前記高抵抗膜を前記枠体の内側面で前記背面基板及び前面基板からそれぞれ離隔した部位に更に配置したことを特徴とする前記請求項９乃至１６の何れかに記載の画像表示装置。
18. 前記高抵抗膜は１０⁹Ω／□〜１０¹³Ω／□の抵抗値を有することを特徴とする請求項９乃至１７の何れかに記載の画像表示装置。
19. 前記高抵抗膜の前記延在長さは前記加速電極の終端から３〜１０ｍｍであることを特徴とする請求項９乃至１８の何れかに記載の画像表示装置。
20. 前記高抵抗膜は絶縁性の高抵抗酸化物を含むことを特徴とする請求項９乃至１９
    の何れかに記載の画像表示装置。
21. 前記絶縁性の高抵抗酸化物はＦｅ₂Ｏ₃、Ｃｒ₂Ｏ₃、ＴｉＯ₂の何れかを主成分として含むことを特徴とする請求項９乃至２０の何れかに記載の画像表示装置。
22. 前記高抵抗膜は１〜２０重量％の水ガラスを含むことを特徴とする請求項９乃至２１の何れかに記載の画像表示装置。
23. 前記高抵抗膜は水ガラスとＦｅ₂Ｏ₃、水ガラスとＣｒ₂Ｏ₃又は水ガラスとＴｉＯ₂の比が１：４〜１：１０の範囲で混合してなることを特徴とする請求項９乃至２２の何れかに記載の画像表示装置。

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