JP2008076172A

JP2008076172A - Semiconductor testing device

Info

Publication number: JP2008076172A
Application number: JP2006254492A
Authority: JP
Inventors: Kazumi Kita; 一三北; Atsushi Shindo; 藤篤進; Mitsuhiro Sugawara; 原光広菅; Akimasa Yuzurihara; 原章政譲
Original assignee: Japan Engineering Corp
Current assignee: Japan Engineering Corp
Priority date: 2006-09-20
Filing date: 2006-09-20
Publication date: 2008-04-03
Anticipated expiration: 2026-09-20
Also published as: JP4431559B2

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To set a reference value to be high, when shutting down a semiconductor testing device by a current flowing instantly in a power supply line, while avoiding damage of a connector. <P>SOLUTION: The semiconductor testing device has a constitution equipped with: a detection circuit for detecting the magnitude of a current flowing in the power supply line for supplying a power to a semiconductor device which is a device to be tested; the first shutdown signal output circuit for outputting the first shutdown signal, when the magnitude of the current detected by the detection circuit is larger than the first shutdown reference value; the second shutdown signal output circuit for calculating the mean value of each magnitude of the current detected by the detection circuit, and outputting the second shutdown signal, when the mean value is larger than the second shutdown signal reference value; and a shutdown processing execution part for executing shutdown processing, when the first shutdown signal or the second shutdown signal is outputted. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、半導体テスト装置に関し、特に、過電流を検出した場合に自動的にシャットダウンをする機能を備えた半導体テスト装置に関する。 The present invention relates to a semiconductor test apparatus, and more particularly to a semiconductor test apparatus having a function of automatically shutting down when an overcurrent is detected.

電子部品等の半導体装置の初期不良を顕在化し、初期故障品の除去を行うためのスクリーニング試験の一種であるバーンイン（Burn-In）試験を行う装置として、バーンイン装置が知られている。このバーンイン装置は半導体テスト装置の一種であり、被試験デバイス（Device Under Test）である半導体装置を複数装着したバーンインボードをバーンイン装置内に収容し、被試験デバイスに、電圧を印加して電気的ストレスを与えるとともに、恒温槽内部の空気を加熱して所定の温度の熱ストレスを与えることにより、初期不良を顕在化させる。また、このバーンイン試験においては、被試験デイバスに動作用の電源を供給して、被試験デバイスの動作テストを行い、被試験デイバスが正常に動作しているかどうかを試す試験を行う。 2. Description of the Related Art A burn-in apparatus is known as an apparatus for performing a burn-in test, which is a kind of screening test for revealing an initial failure of a semiconductor device such as an electronic component and removing an initial failure product. This burn-in equipment is a type of semiconductor test equipment. A burn-in board with a plurality of semiconductor devices, which are devices under test, is housed in the burn-in equipment, and a voltage is applied to the device under test to electrically In addition to applying stress, the air in the thermostatic chamber is heated to apply a thermal stress at a predetermined temperature, thereby revealing the initial failure. In this burn-in test, an operating power supply is supplied to the device under test, an operation test of the device under test is performed, and a test is performed to check whether the device under test is operating normally.

このようなバーンイン装置では、数時間から数十時間に亘る長時間のバーンイン試験が行われることから、試験効率を向上させるために、複数の被試験デバイスを１枚のバーンインボードに挿入するとともに、このバーンインボードを複数毎、バーンイン装置に収納して、バーンイン試験を行うのが一般的である（例えば、特許文献１：特開平１１−９４９００号公報参照）。 In such a burn-in apparatus, since a long-time burn-in test over several hours to several tens of hours is performed, in order to improve test efficiency, a plurality of devices under test are inserted into one burn-in board, In general, a plurality of burn-in boards are housed in a burn-in apparatus and a burn-in test is performed (for example, see Patent Document 1: Japanese Patent Laid-Open No. 11-94900).

近年は、被試験デバイスである半導体装置が小型化していることから、１枚のバーンインボード上に装着する半導体装置の数が増加する傾向にある。これは、１枚のバーンインボード上に可能な限り多くの半導体装置を装着すれば、１度に多くの半導体装置のバーンイン試験を行うことができ、バーンイン試験に要する全体的な時間やコストを低減することができるためである。 In recent years, since the semiconductor device as the device under test has been downsized, the number of semiconductor devices mounted on one burn-in board tends to increase. This is because if as many semiconductor devices as possible are mounted on one burn-in board, the burn-in test of many semiconductor devices can be performed at one time, and the overall time and cost required for the burn-in test are reduced. This is because it can be done.

しかし、１枚のバーンインボード上に多数の半導体装置を装着すると、半導体装置の動作テストの際に、バーンイン装置からバーンインボードに供給する電源は増加することとなる。ところが、既存のバーンイン装置との互換性を確保するためには、バーンイン装置とバーンインボードとを接続するコネクタを変更することはできないことから、バーンイン装置からバーンインボードへの供給電源ラインの本数も増やすことは困難である。 However, when a large number of semiconductor devices are mounted on a single burn-in board, the power supplied from the burn-in device to the burn-in board increases during an operation test of the semiconductor device. However, in order to ensure compatibility with existing burn-in equipment, the connector that connects the burn-in equipment and the burn-in board cannot be changed, so the number of power supply lines from the burn-in equipment to the burn-in board is also increased. It is difficult.

また、被試験デバイスである半導体装置がＤＲＡＭである場合には、メモリセルに記憶されているデータを維持するために、リフレッシュ動作をする必要があるが、このリフレッシュ動作の際には、通常の読み込み動作や書き込み動作の１．５倍から１．７倍の電源が、ＤＲＡＭ内で消費される。 In addition, when the semiconductor device as the device under test is a DRAM, it is necessary to perform a refresh operation in order to maintain the data stored in the memory cell. The power of 1.5 to 1.7 times that of the read operation or write operation is consumed in the DRAM.

しかし、被試験デバイスである半導体装置の不良や、バーンイン装置１０内の配線不良等により、電源供給ラインに過電流が流れる可能性もある。過電流が流れると、バーンインボードが挿入されたコネクタが発熱し、コネクタが変形したり、破損したりする恐れもある。このため、コネクタの発熱を抑えるため、電源供給ラインに過電流が流れた場合に、バーンイン装置を強制的にシャットダウンさせる過電流保護回路が設けられている。 However, an overcurrent may flow through the power supply line due to a defect in the semiconductor device as a device under test or a wiring defect in the burn-in apparatus 10. When an overcurrent flows, the connector into which the burn-in board is inserted generates heat, and the connector may be deformed or damaged. For this reason, in order to suppress the heat generation of the connector, an overcurrent protection circuit is provided that forcibly shuts down the burn-in device when an overcurrent flows in the power supply line.

図１は、従来のバーンイン装置における過電流保護回路９００の回路構成を示す図であり、図２は、従来のバーン装置における電源供給ラインを流れる電流波形の一例を示す図である。 FIG. 1 is a diagram showing a circuit configuration of an overcurrent protection circuit 900 in a conventional burn-in device, and FIG. 2 is a diagram showing an example of a current waveform flowing in a power supply line in the conventional burn device.

図１に示すように、過電流保護回路９００は、電流検出抵抗Ｒ９１０と、検出アンプＡＰ９２０と、比較アンプＡＰ９３０とを、備えて構成されている。電流検出抵抗Ｒ９１０は、電源供給ライン上に設けられている抵抗である。検出アンプＡＰ９２０は、電流検出抵抗Ｒ９１０の前後の電圧の差分を増幅して、検出電圧を出力する。比較アンプＡＰ９３０は、検出アンプＡＰ９２０から出力された検出電圧と、瞬間的過電流基準電圧とを比較して、検出電圧の方が大きい場合には、ハイレベルのシャットダウン信号を出力する。ハイレベルのシャットダウン信号が出力されると、このバーンイン装置は、シャットダウン処理を実行し、バーンイン装置を安全に停止する。 As shown in FIG. 1, the overcurrent protection circuit 900 includes a current detection resistor R910, a detection amplifier AP920, and a comparison amplifier AP930. The current detection resistor R910 is a resistor provided on the power supply line. The detection amplifier AP920 amplifies the difference between the voltages before and after the current detection resistor R910 and outputs a detection voltage. The comparison amplifier AP930 compares the detection voltage output from the detection amplifier AP920 with the instantaneous overcurrent reference voltage, and outputs a high-level shutdown signal when the detection voltage is larger. When a high level shutdown signal is output, the burn-in device executes a shutdown process and safely stops the burn-in device.

図２に示すように、被試験デバイスである半導体装置がＤＲＡＭの場合、動作テストの際に、リフレッシュ動作で流れる電流の方が、読み込み／書き込み動作で流れる電流よりも、著しく大きくなる。これまでのバーンイン装置では、電源供給ラインの許容電流の６０％程度で、過電流保護回路９００が動作するように、過電流保護回路９００の瞬間的過電流基準電圧を設定している。例えば、電源供給ラインの許容電流が３０Ａである場合、電源供給ラインの電流が２０Ａを超えたときに、シャットダウン信号がハイレベルとなるように、瞬間的過電流基準電圧を設定している。 As shown in FIG. 2, when the semiconductor device as the device under test is a DRAM, the current flowing in the refresh operation is significantly larger than the current flowing in the read / write operation during the operation test. In the conventional burn-in apparatus, the instantaneous overcurrent reference voltage of the overcurrent protection circuit 900 is set so that the overcurrent protection circuit 900 operates at about 60% of the allowable current of the power supply line. For example, when the allowable current of the power supply line is 30 A, the instantaneous overcurrent reference voltage is set so that the shutdown signal becomes a high level when the current of the power supply line exceeds 20 A.

しかし、許容電流の６０％程度で過電流保護回路９００が動作するように設定すると、バーンインボード上に搭載する半導体装置の数が多くなった場合、過電流保護回路９００が頻繁に作動してしまい、バーンイン試験を円滑に行うことができなくなってしまう。 However, if the overcurrent protection circuit 900 is set to operate at about 60% of the allowable current, the overcurrent protection circuit 900 frequently operates when the number of semiconductor devices mounted on the burn-in board increases. The burn-in test cannot be performed smoothly.

一方、単純に、過電流保護回路９００が作動する電流値を、許容電流の８０％程度まで上げてしまうと、定常的な過電流により、コネクタ部分が加熱してしまい、コネクタにダメージを与えてしまう恐れもある。 On the other hand, if the current value at which the overcurrent protection circuit 900 is activated is increased to about 80% of the allowable current, the connector portion will be heated by the steady overcurrent, causing damage to the connector. There is also a risk of it.

また、同様の問題は、バーンイン試験を行うバーンイン装置に限らず、様々な種類の半導体テスト装置でも、生じている。
特開平１１−９４９００号公報 Similar problems occur not only in burn-in apparatuses that perform burn-in tests, but also in various types of semiconductor test apparatuses.
JP-A-11-94900

そこで本発明は、前記課題に鑑みてなされたものであり、コネクタの損傷を回避しつつ、電源供給ラインを瞬間的に流れる電流で半導体テスト装置をシャットダウンさせる場合の基準値を高く設定できるようにすることを目的とする。 Therefore, the present invention has been made in view of the above-described problems, and can set a high reference value when shutting down a semiconductor test apparatus with a current that instantaneously flows in a power supply line while avoiding damage to a connector. The purpose is to do.

上記課題を解決するため、本発明に係る半導体テスト装置は、
被試験デバイスである半導体装置に電源を供給する電源供給ラインを流れる電流の大きさを検出する、検出回路と、
前記検出回路で検出された前記電流の大きさが、第１シャットダウン基準値より大きい場合に、第１シャットダウン信号を出力する、第１シャットダウン信号出力回路と、
前記検出回路で検出された前記電流の大きさの平均値を算出し、前記平均値が第２シャットダウン基準値より大きい場合に、第２シャットダウン信号を出力する、第２シャットダウン信号出力回路と、
前記第１シャットダウン信号又は前記第２シャットダウン信号が出力された場合に、シャットダウン処理を行う、シャットダウン処理実行部と、
を備えることを特徴とする。 In order to solve the above problems, a semiconductor test apparatus according to the present invention provides:
A detection circuit that detects the magnitude of a current flowing through a power supply line that supplies power to a semiconductor device that is a device under test;
A first shutdown signal output circuit for outputting a first shutdown signal when the magnitude of the current detected by the detection circuit is greater than a first shutdown reference value;
A second shutdown signal output circuit that calculates an average value of the magnitude of the current detected by the detection circuit and outputs a second shutdown signal when the average value is larger than a second shutdown reference value;
A shutdown process execution unit that performs a shutdown process when the first shutdown signal or the second shutdown signal is output;
It is characterized by providing.

この場合、前記第１シャットダウン基準値は前記第２シャットダウン基準値よりも大きいようにしてもよい。 In this case, the first shutdown reference value may be larger than the second shutdown reference value.

また、前記第２シャットダウン信号出力回路は、予め設定された期間における前記電流の大きさの平均値を算出するようにしてもよい。 In addition, the second shutdown signal output circuit may calculate an average value of the magnitude of the current in a preset period.

この場合、前記第２シャットダウン信号出力回路は、
前記検出回路が検出した前記電流の大きさを、所定のサンプリング周期で取得し、前記予め設定された期間に相当する数のサンプリングされた前記電流の大きさを累積的に保持する、保持回路と、
前記保持回路に保持されている前記電流の大きさを取得して、前記保持回路に保持されている前記電流の大きさの平均値を算出する平均算出回路と、
を備えるようにしてもよい。 In this case, the second shutdown signal output circuit includes:
A holding circuit that acquires the magnitude of the current detected by the detection circuit at a predetermined sampling period, and cumulatively holds the magnitude of the sampled current corresponding to the preset period; ,
An average calculation circuit that obtains the magnitude of the current held in the holding circuit and calculates an average value of the current magnitude held in the holding circuit;
You may make it provide.

また、前記被試験デバイスである半導体装置が装着されたボードが挿入される、コネクタを、さらに備えており、前記コネクタを介して、前記電源供給ラインから前記半導体装置に電源が供給されるようにしてもよい。 The board further includes a connector into which a board on which the semiconductor device as the device under test is mounted is inserted, and power is supplied from the power supply line to the semiconductor device via the connector. May be.

この場合、前記ボードはバーンインボードであり、半導体テスト装置は前記被試験デバイスである半導体装置のバーンイン試験が行われるものでもよい。 In this case, the board may be a burn-in board, and the semiconductor test apparatus may perform a burn-in test on the semiconductor device that is the device under test.

この場合、前記被試験デバイスである半導体装置は、ＤＲＡＭであってもよい。 In this case, the semiconductor device which is the device under test may be a DRAM.

本発明に係る半導体テスト装置の制御方法は、
被試験デバイスである半導体装置に電源を供給する電源供給ラインを流れる電流の大きさを検出するステップと、
検出された前記電流の大きさが、第１シャットダウン基準値より大きい場合に、第１シャットダウン信号を出力するステップと、
検出された前記電流の大きさの平均値を算出し、前記平均値が第２シャットダウン基準値より大きい場合に、第２シャットダウン信号を出力するステップと、
前記第１シャットダウン信号又は前記第２シャットダウン信号が出力された場合に、シャットダウン処理を行うステップと、
を備えることを特徴とする。 A method for controlling a semiconductor test apparatus according to the present invention includes:
Detecting a magnitude of a current flowing through a power supply line that supplies power to a semiconductor device that is a device under test;
Outputting a first shutdown signal when the detected magnitude of the current is greater than a first shutdown reference value;
Calculating an average value of the detected current magnitudes, and outputting a second shutdown signal when the average value is greater than a second shutdown reference value;
Performing a shutdown process when the first shutdown signal or the second shutdown signal is output; and
It is characterized by providing.

以下、図面を参照して、本発明の実施形態を説明する。なお、以下に説明する実施形態は、本発明の技術的範囲を限定するものではない。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. Note that the embodiments described below do not limit the technical scope of the present invention.

図３は、本発明の一実施形態に係るバーンイン装置１０の全体的な正面図であり、ドア２０を閉じた状態を示している。図４は、バーンイン装置１０の内部構成の要部を説明するための正面レイアウト図であり、バーンイン装置１０にバーンインボードＢＩＢを挿入した状態を示している。これら図３及び図４に示したバーンイン装置１０は、半導体テスト装置の一例である。 FIG. 3 is an overall front view of the burn-in device 10 according to one embodiment of the present invention, and shows a state in which the door 20 is closed. FIG. 4 is a front layout diagram for explaining a main part of the internal configuration of the burn-in apparatus 10 and shows a state in which the burn-in board BIB is inserted into the burn-in apparatus 10. The burn-in apparatus 10 shown in FIGS. 3 and 4 is an example of a semiconductor test apparatus.

図３及び図４に示すように、本実施形態に係るバーンイン装置１０の内部には、断熱壁３０で区画された空間により、チャンバ４０が形成されている。このチャンバ４０の内部には、１又は複数のバーンインボードＢＩＢが収納される。本実施形態の例では、バーンインボードＢＩＢを支持するためのスロット５０が、１２段×４組で配置されており、合計４８枚のバーンインボードＢＩＢを、これらのスロット５０に挿入することにより、チャンバ４０内に収納することが可能である。但し、このチャンバ４０内に収納することの可能なバーンインボードＢＩＢの枚数や、チャンバ４０内におけるバーンインボードＢＩＢの配置は、任意に変更可能である。 As shown in FIGS. 3 and 4, a chamber 40 is formed in the burn-in apparatus 10 according to the present embodiment by a space partitioned by a heat insulating wall 30. One or more burn-in boards BIB are accommodated in the chamber 40. In the example of the present embodiment, the slots 50 for supporting the burn-in board BIB are arranged in 12 stages × 4 sets, and a total of 48 burn-in board BIBs are inserted into these slots 50, whereby the chamber It is possible to store in 40. However, the number of burn-in boards BIB that can be stored in the chamber 40 and the arrangement of the burn-in boards BIB in the chamber 40 can be arbitrarily changed.

また、このバーンイン装置１０には、２枚のドア２０が設けられており、ドア２０を開状態にすることにより、バーンインボードＢＩＢをチャンバ４０から出し入れできるようになる。また、このドア２０にも断熱材が組み込まれており、ドア２０を閉状態にすることにより、周囲から熱的に遮断された空間であるチャンバ４０が構成される。 The burn-in apparatus 10 is provided with two doors 20, and the burn-in board BIB can be taken in and out of the chamber 40 by opening the door 20. In addition, a heat insulating material is also incorporated in the door 20, and by closing the door 20, a chamber 40 that is a space thermally blocked from the surroundings is configured.

図４に示すように、本実施形態においては、キャリアラックＣＲごと、チャンバ４０に収納される。すなわち、１２枚のバーンインボードＢＩＢを格納したキャリアラックＣＲを、チャンバ４０に収納することにより、１２枚のバーンインボードＢＩＢが各スロット５０に挿入される。したがって、本実施形態に係るバーンイン装置１０には、４台のキャリアラックＣＲを収納することができることになる。 As shown in FIG. 4, in the present embodiment, the carrier rack CR is housed in the chamber 40. That is, by storing the carrier rack CR storing 12 burn-in boards BIB in the chamber 40, 12 burn-in boards BIB are inserted into the slots 50. Therefore, four carrier racks CR can be stored in the burn-in device 10 according to the present embodiment.

さらに、本実施形態に係るバーンイン装置１０においては、このチャンバ４０の左側、上側、右側と延びる空気循環ダクトＤＴが設けられている。空気循環ダクトＤＴの上側には、ファン７０が設けられている。また、空気循環ダクトＤＴの左側には、空気が通過できる通風板７２が設けられており、上側には空気が通過できない仕切板７４が設けられており、右側には空気が通過できる通風板７６が設けられている。また、ファン７０の下側にも、通気が通過できる通風板７８が設けられている。 Furthermore, in the burn-in device 10 according to the present embodiment, an air circulation duct DT extending from the left side, the upper side, and the right side of the chamber 40 is provided. A fan 70 is provided above the air circulation duct DT. A ventilation plate 72 through which air can pass is provided on the left side of the air circulation duct DT, a partition plate 74 through which air cannot pass is provided on the upper side, and a ventilation plate 76 through which air can pass is provided on the right side. Is provided. A ventilation plate 78 through which ventilation can pass is also provided below the fan 70.

このため、ファン７０が駆動すると、空気循環ダクトＤＴの左側から、バーンインボードＢＩＢのある領域の空気が吸引され、空気循環ダクトＤＴの上側及び右側を通って、再び、バーンインボードＢＩＢのある領域に送出される。つまり、ファン７０により、チャンバ４０内の空気の循環が形成され、チャンバ４０の内部の空気が攪拌されて、チャンバ４０の内部温度が場所によらずに均一になる。これにより、バーンインボードＢＩＢに装着された半導体装置の周囲の温度を、所定の温度にすることができるようになる。 For this reason, when the fan 70 is driven, the air in the area where the burn-in board BIB is located is sucked from the left side of the air circulation duct DT, passes through the upper side and the right side of the air circulation duct DT, and again enters the area where the burn-in board BIB is located. Sent out. That is, the fan 70 circulates the air in the chamber 40, stirs the air in the chamber 40, and makes the internal temperature of the chamber 40 uniform regardless of location. As a result, the temperature around the semiconductor device mounted on the burn-in board BIB can be set to a predetermined temperature.

また、バーンイン装置１０の左側には、冷却ユニット１００が設けられている。この冷却ユニット１００は、２台の冷却コンプレッサ１０２と、２台の熱交換器１０４とにより、構成されている。本実施形態においては、この冷却ユニット１００は、水冷式の冷却方式を採用している。このため、冷却コンプレッサ１０２は、冷却水を循環するためのコンプレッサであり、熱交換器１０４は、冷却水の冷熱を、チャンバ４０の内部の空気と交換するための交換器である。２台の熱交換器１０４は、空気循環ダクトＤＴ内に設けられている。このため、ファン７０により空気が循環すると、循環された空気が熱交換器１０４で冷却され、チャンバ４０の内部の温度を下げることができる。 A cooling unit 100 is provided on the left side of the burn-in device 10. The cooling unit 100 includes two cooling compressors 102 and two heat exchangers 104. In the present embodiment, the cooling unit 100 employs a water-cooled cooling system. Therefore, the cooling compressor 102 is a compressor for circulating the cooling water, and the heat exchanger 104 is an exchanger for exchanging the cooling heat of the cooling water with the air inside the chamber 40. The two heat exchangers 104 are provided in the air circulation duct DT. For this reason, when air is circulated by the fan 70, the circulated air is cooled by the heat exchanger 104, and the temperature inside the chamber 40 can be lowered.

また、空気循環ダクトＤＴの上側には、ヒーター１２０が設けられている。このヒーター１２０は、例えば電熱ヒーターにより構成されており、ヒーター１２０に電源が供給されると発熱するように構成されている。ヒーター１２０が発熱している状態で、空気循環ダクトＤＴ内の空気を循環させることにより、チャンバ４０内の空気の温度を上げることができる。 A heater 120 is provided above the air circulation duct DT. The heater 120 is configured by, for example, an electric heater, and is configured to generate heat when power is supplied to the heater 120. By circulating the air in the air circulation duct DT while the heater 120 is generating heat, the temperature of the air in the chamber 40 can be raised.

一方、バーンイン装置１０の右側には、制御部ＣＬが設けられている。この制御部ＣＬは、予め定められた設定に基づいて、このバーンイン装置１０の制御を行う。本実施形態においては、特に、冷却ユニット１００やヒーター１２０を制御して、バーンインボードＢＩＢの周囲の温度が、ユーザなどにより設定された目標温度になるようにする。 On the other hand, a control unit CL is provided on the right side of the burn-in device 10. This control part CL controls this burn-in apparatus 10 based on a predetermined setting. In the present embodiment, in particular, the cooling unit 100 and the heater 120 are controlled so that the temperature around the burn-in board BIB becomes the target temperature set by the user or the like.

図５は、制御回路２００とバーンインボードＢＩＢとの間の接続関係と、電源供給ユニット３００とバーンインボードＢＩＢとの間の接続関係を、説明するための図である。この図５に示すように、制御回路２００と電源供給ユニット３００とは、各スロット５０に設けられているドライバボードＤＲＢを介して、バーンインボードＢＩＢに電気的に接続される。具体的には、図６にも示すように、ドライバボードＤＲＢに設けられているコネクタ２１０に、バーンインボードＢＩＢの挿入方向先端部を挿入することにより、バーンインボードＢＩＢはドライバボードＤＲＢに電気的に接続される。詳しくは、後述するが、ドライバボードＤＲＢには、過電流を検出して、コネクタ２１０が加熱により損傷するのを回避するための過電流保護回路３１０が設けられている。 FIG. 5 is a diagram for explaining the connection relationship between the control circuit 200 and the burn-in board BIB and the connection relationship between the power supply unit 300 and the burn-in board BIB. As shown in FIG. 5, the control circuit 200 and the power supply unit 300 are electrically connected to the burn-in board BIB via the driver board DRB provided in each slot 50. Specifically, as shown in FIG. 6, the burn-in board BIB is electrically connected to the driver board DRB by inserting the leading end of the burn-in board BIB in the connector 210 provided on the driver board DRB. Connected. As will be described in detail later, the driver board DRB is provided with an overcurrent protection circuit 310 for detecting an overcurrent and avoiding damage to the connector 210 due to heating.

図５に示されている制御回路２００は、上述した制御部ＣＬ内に設けられている回路である。この制御回路２００は、バーンイン装置１０の各種の制御を行う回路であり、本実施形態では特に、各種の制御信号をドライバボードＤＲＢ及びバーンインボードＢＩＢに供給したり、バーンイン装置１０のシャットダウン処理を実行したりする。電源供給ユニット３００は、バーンイン装置１０内の各所に電源を供給するための装置であり、本実施形態では特に、ドライバボードＤＲＢ及びバーンインボードＢＩＢに電源を供給する。 A control circuit 200 shown in FIG. 5 is a circuit provided in the control unit CL described above. The control circuit 200 is a circuit that performs various controls of the burn-in device 10, and in the present embodiment, in particular, various control signals are supplied to the driver board DRB and the burn-in board BIB, and shutdown processing of the burn-in device 10 is executed. To do. The power supply unit 300 is a device for supplying power to various places in the burn-in device 10, and in particular in this embodiment, supplies power to the driver board DRB and the burn-in board BIB.

図７は、各ドライバボードＤＲＢに設けられている過電流保護回路３１０の内部構成を説明するための図である。この図７に示すように、本実施形態に係る過電流保護回路３１０は、電流検出抵抗Ｒ３２０と、検出アンプＡＰ３３０と、比較アンプＡＰ３４０と、アナログデジタルコンバータ３５０と、デジタル制御回路３６０とを、備えて構成されている。 FIG. 7 is a diagram for explaining the internal configuration of the overcurrent protection circuit 310 provided in each driver board DRB. As shown in FIG. 7, the overcurrent protection circuit 310 according to this embodiment includes a current detection resistor R320, a detection amplifier AP330, a comparison amplifier AP340, an analog-digital converter 350, and a digital control circuit 360. Configured.

電流検出抵抗Ｒ３２０は、ドライバボードＤＲＢ上に設けられた電源供給ラインに挿入されている抵抗である。この電源供給ラインは、電源供給ユニット３００から供給された電源を、バーンインボードＢＩＢ及びこのバーンインボードＢＩＢに装着された半導体装置に供給するための電源ラインである。 The current detection resistor R320 is a resistor inserted in a power supply line provided on the driver board DRB. This power supply line is a power supply line for supplying the power supplied from the power supply unit 300 to the burn-in board BIB and the semiconductor device mounted on the burn-in board BIB.

検出アンプＡＰ３３０は、この電流検出抵抗Ｒ３２０の前の電圧と後の電圧の差分を検出して、増幅した上で、検出電圧として、比較アンプＡＰ３４０に出力する。すなわち、電流検出抵抗Ｒ３２０の前後の電位差を増幅して、検出電圧として出力する。 The detection amplifier AP330 detects the difference between the voltage before and after the current detection resistor R320, amplifies it, and outputs it to the comparison amplifier AP340 as a detection voltage. That is, the potential difference before and after the current detection resistor R320 is amplified and output as a detection voltage.

比較アンプＡＰ３４０には、この検出電圧に加えて、第１シャットダウン基準値として、瞬間的過電流基準電圧が入力されている。比較アンプＡＰ３４０は、検出電圧と瞬間的過電流基準電圧とを比較して、検出電圧が瞬間的過電流基準電圧よりも高い場合は、ハイレベルの第１シャットダウン信号を出力し、検出電圧が瞬間的過電流基準電圧以下である場合は、ローレベルの第１シャットダウン信号を出力する。 In addition to this detection voltage, an instantaneous overcurrent reference voltage is input to the comparison amplifier AP340 as the first shutdown reference value. The comparison amplifier AP340 compares the detection voltage with the instantaneous overcurrent reference voltage. If the detection voltage is higher than the instantaneous overcurrent reference voltage, the comparison amplifier AP340 outputs a high-level first shutdown signal, and the detection voltage is instantaneous. When the voltage is less than or equal to the target overcurrent reference voltage, a low-level first shutdown signal is output.

このことから分かるように、過電流保護回路３１０は、電流検出抵抗Ｒ３２０における電圧降下が所定の値を超えた場合に、ハイレベルの第１シャットダウン信号を出力するように設定されている。ここでは、瞬間的過電流基準電圧も検出電圧も、ともに電圧値であるが、本実施形態では、例えば、電流値に換算したときに検出抵抗Ｒ３２０を流れる電流が２５Ａの値になったときに、ハイレベルの第１シャットダウン信号が出力されるように、瞬間的過電流基準電圧が設定されている。この換算は、２５Ａ×電流検出抵抗Ｒ３２０の抵抗値が電流検出抵抗Ｒ３２０で降下する電圧となるので、電流検出抵抗Ｒ３２０の抵抗値に応じて、適宜設定すればよい。 As can be seen from this, the overcurrent protection circuit 310 is set to output a high-level first shutdown signal when the voltage drop in the current detection resistor R320 exceeds a predetermined value. Here, both the instantaneous overcurrent reference voltage and the detection voltage are voltage values, but in the present embodiment, for example, when the current flowing through the detection resistor R320 becomes a value of 25 A when converted to a current value. The instantaneous overcurrent reference voltage is set so that the high-level first shutdown signal is output. Since this conversion is a voltage in which the resistance value of 25A × current detection resistor R320 drops at the current detection resistor R320, it may be set appropriately according to the resistance value of the current detection resistor R320.

本実施形態では、電源供給ラインの許容電流が３０Ａであるので、電源供給ラインを流れる電流が瞬間的に２５Ａを超えた場合に、ハイレベルの第１シャットダウン信号を出力するように設定している。この２５Ａという値は、許容電流３０Ａの約８３％に相当する。このため、本実施形態では、電源供給ラインを流れる電流が、２５Ａを超えた場合には、その時点で、ハイレベルの第１シャットダウン信号が出力され、バーンイン装置１０が安全にシャットダウンされる。バーンイン装置１０をシャットダウンさせるための具体的な処理は、制御回路２００が行う。すなわち、第１シャットダウン信号は制御回路２００に入力されて、制御回路２００でシャットダウン処理が行われる。 In this embodiment, since the allowable current of the power supply line is 30 A, when the current flowing through the power supply line instantaneously exceeds 25 A, it is set to output a high-level first shutdown signal. . This value of 25A corresponds to about 83% of the allowable current 30A. For this reason, in the present embodiment, when the current flowing through the power supply line exceeds 25 A, the high-level first shutdown signal is output at that time, and the burn-in device 10 is safely shut down. Specific processing for shutting down the burn-in apparatus 10 is performed by the control circuit 200. That is, the first shutdown signal is input to the control circuit 200, and the control circuit 200 performs a shutdown process.

さらに、図７に示されているように、検出アンプＡＰ３３０から出力された検出電圧は、アナログデジタルコンバータ３５０に入力される。このアナログデジタルコンバータ３５０では、アナログ信号として入力された検出電圧をデジタル信号に変換して、デジタル制御回路３６０に出力する。 Further, as shown in FIG. 7, the detection voltage output from the detection amplifier AP330 is input to the analog-digital converter 350. The analog-digital converter 350 converts the detection voltage input as an analog signal into a digital signal and outputs the digital signal to the digital control circuit 360.

デジタル制御回路３６０は、メモリ３７０と、累積バッファ３８０と、演算回路３９０とを備えて構成されている。メモリ３７０とアナログデジタルコンバータ３５０には、サンプリング基準信号が入力されている。本実施形態では、このサンプリング基準信号は、２ｍ秒周期でハイレベルになるインパルス状の基準信号である。このサンプリング基準信号がハイレベルになると、アナログデジタルコンバータ３５０からデジタル信号の検出電圧が出力され、メモリ３７０に格納される。すなわち、アナログデジタルコンバータ３５０から出力された検出電圧の値がデジタル値として、２ｍ秒間隔で、メモリ３７０に格納される。 The digital control circuit 360 includes a memory 370, an accumulation buffer 380, and an arithmetic circuit 390. A sampling reference signal is input to the memory 370 and the analog-digital converter 350. In the present embodiment, this sampling reference signal is an impulse-like reference signal that becomes a high level at a cycle of 2 milliseconds. When this sampling reference signal becomes high level, a detection voltage of the digital signal is output from the analog-digital converter 350 and stored in the memory 370. That is, the detected voltage value output from the analog-digital converter 350 is stored as a digital value in the memory 370 at intervals of 2 milliseconds.

メモリ３７０に格納された検出電圧の値は、順次、累積バッファ３８０に累積的に格納される。累積バッファに格納される検出電圧の個数は、予め設定される設定周期に基づいて決まる。例えば、設定周期が２００ｍ秒である場合には、１００個の検出電圧の値が、この累積バッファ３８０に格納されることとなる。検出電圧の個数が１００個を超えた場合は、最も古い検出電圧の値を消去して、新しい検出電圧の値を格納する。したがって、この累積バッファ３８０には、現時点から、設定周期である２００ｍ秒前までの間にサンプリングされた検出電圧の値が保持されていることとなる。換言すれば、累積バッファ３８０には、設定周期である２００ｍ秒に相当する個数の検出電圧が保持されていることとなる。 The detected voltage values stored in the memory 370 are sequentially stored in the accumulation buffer 380 in a cumulative manner. The number of detection voltages stored in the accumulation buffer is determined based on a preset setting period. For example, when the set period is 200 milliseconds, 100 detection voltage values are stored in the accumulation buffer 380. When the number of detection voltages exceeds 100, the oldest detection voltage value is erased and a new detection voltage value is stored. Accordingly, the accumulated buffer 380 holds the value of the detected voltage sampled from the present time to 200 ms before the set period. In other words, the accumulated buffer 380 holds the number of detection voltages corresponding to the set period of 200 milliseconds.

累積バッファ３８０に対する設定周期の設定は、制御回路２００から行われる。すなわち、制御回路２００が、各ドライバボードＤＲＢにある過電流保護回路３１０の累積バッファ３８０に、設定周期をデジタル信号として出力することにより、累積バッファ３８０の設定周期が一括して設定される。また、本実施形態では、この設定周期は、４ｍ秒から１０２４ｍ秒の間で、任意に設定されることを想定している。但し、本実施形態では、この設定周期が被試験デバイスであるＤＲＡＭのリフレッシュ周期と同一になるようにして、検出電圧の平均値のばらつきを抑制している。 The setting cycle for the accumulation buffer 380 is set from the control circuit 200. That is, the control circuit 200 outputs the set cycle as a digital signal to the cumulative buffer 380 of the overcurrent protection circuit 310 in each driver board DRB, so that the set cycle of the cumulative buffer 380 is set in a lump. In the present embodiment, it is assumed that this setting period is arbitrarily set between 4 msec and 1024 msec. However, in this embodiment, the set cycle is set to be the same as the refresh cycle of the DRAM being the device under test, thereby suppressing variations in the average value of the detection voltages.

累積バッファに蓄積されている検出電圧は、演算回路３９０に出力される。演算回路３９０では、入力された検出電圧の平均値を演算して算出する。例えば、設定周期が２００ｍ秒である場合には、１００個の検出電圧が入力されるので、この１００個の検出電圧の平均を算出する。 The detection voltage accumulated in the accumulation buffer is output to the arithmetic circuit 390. The arithmetic circuit 390 calculates and calculates the average value of the input detection voltages. For example, when the set cycle is 200 milliseconds, 100 detection voltages are input, and the average of the 100 detection voltages is calculated.

演算回路３９０には、第２シャットダウン基準値として、平均的過電流基準電圧も予め設定されている。このため、演算回路３９０は、予め設定されている平均的過電流基準電圧と算出された平均検出電圧とを比較して、平均検出電圧の方が平均的過電流基準電圧よりも大きければ、ハイレベルの第２シャットダウン信号を出力し、平均検出電圧が平均的過電流基準電圧以下であれば、ローレベルの第２シャットダウン信号を出力する。 In the arithmetic circuit 390, an average overcurrent reference voltage is also set in advance as the second shutdown reference value. Therefore, the arithmetic circuit 390 compares the preset average overcurrent reference voltage with the calculated average detection voltage, and if the average detection voltage is greater than the average overcurrent reference voltage, the arithmetic circuit 390 If the average detection voltage is equal to or lower than the average overcurrent reference voltage, a low level second shutdown signal is output.

演算回路３９０に対する平均的過電流基準電圧の設定は、制御回路２００から行われる。すなわち、制御回路２００が、各ドライバボードＤＲＢにある過電流保護回路３１０の演算回路３９０に、平均的過電流基準電圧をデジタル信号として出力することにより、演算回路３９０の平均的過電流基準電圧が一括して設定される。 Setting of the average overcurrent reference voltage for the arithmetic circuit 390 is performed from the control circuit 200. That is, the control circuit 200 outputs the average overcurrent reference voltage as a digital signal to the arithmetic circuit 390 of the overcurrent protection circuit 310 in each driver board DRB, so that the average overcurrent reference voltage of the arithmetic circuit 390 is changed. Set all at once.

本実施形態では、この平均的過電流基準電圧は、例えば、電源供給ラインを流れる電流が２０Ａ相当になるように設定されている。すなわち、電源供給ラインを流れる電流が２０Ａの場合の電流値を、電圧値に換算して、平均的過電流基準電圧を算出している。このため、演算回路３９０は、算出した平均検出電圧が、２０Ａ相当の電圧値である平均的過電流基準電圧を超えた場合に、第２シャットダウンをハイレベルにすれば、電源供給ラインを流れる電流が２０Ａを超えた時点で、ハイレベルの第２シャットダウン信号を出力したことになる。ハイレベルの第２シャットダウンが出力されると、このバーンイン装置１０は、安全にシャットダウンされる。 In this embodiment, the average overcurrent reference voltage is set so that, for example, the current flowing through the power supply line is equivalent to 20A. That is, the average overcurrent reference voltage is calculated by converting the current value when the current flowing through the power supply line is 20 A into a voltage value. For this reason, when the calculated average detection voltage exceeds the average overcurrent reference voltage, which is a voltage value equivalent to 20 A, the arithmetic circuit 390 sets the second shutdown to a high level, so that the current flowing through the power supply line When the value exceeds 20 A, a high-level second shutdown signal is output. When the high-level second shutdown is output, the burn-in device 10 is safely shut down.

バーンイン装置１０をシャットダウンさせるための具体的な処理は、制御回路２００が行う。すなわち、第２シャットダウン信号は制御回路２００に入力されて、制御回路２００でシャットダウン処理が行われる。換言すれば、制御回路２００は、第１シャットダウン信号がハイレベルになった場合、又は、第２シャットダウン信号がハイレベルになった場合に、シャットダウンを実行する。 Specific processing for shutting down the burn-in apparatus 10 is performed by the control circuit 200. That is, the second shutdown signal is input to the control circuit 200, and the control circuit 200 performs a shutdown process. In other words, the control circuit 200 executes the shutdown when the first shutdown signal becomes high level or when the second shutdown signal becomes high level.

図８は、電源供給ラインを流れる電流の波形と平均電流の波形との一例を示す図である。この図８から分かるように、電源供給ラインを流れる電流は、被試験デバイスであるＤＲＡＭが読み出し動作や書き込み動作である間は、比較的低い値で推移しているが、リフレッシュ動作になると非常に大きな値になる。このため、瞬間的に２０Ａを超えてしまうこともある。しかし、本実施形態では、瞬間的過電流基準電圧を２５Ａ相当に設定しているので、バーンイン装置１０がシャットダウンしてしまうことはない。 FIG. 8 is a diagram illustrating an example of the waveform of the current flowing through the power supply line and the waveform of the average current. As can be seen from FIG. 8, the current flowing through the power supply line has a relatively low value while the DRAM as the device under test is in a read operation or a write operation. Great value. For this reason, it may exceed 20A instantaneously. However, in this embodiment, since the instantaneous overcurrent reference voltage is set to 25 A, the burn-in device 10 does not shut down.

また、電源供給ラインを流れる設定周期の間の平均電流は、２０Ａを超えていない。本実施形態では、平均的過電流基準電圧は２０Ａ相当に設定しているので、バーンイン装置１０がシャットダウンしてしまうことはない。このため、電源供給ラインの電流が図８のような波形である場合には、過電流保護回路３１０は、第１シャットダウン信号や第２シャットダウン信号をアサートすることはなく、バーンイン装置１０は正常にバーンイン試験を行うことができる。 Also, the average current during the set period flowing through the power supply line does not exceed 20A. In the present embodiment, the average overcurrent reference voltage is set to 20 A, so that the burn-in device 10 does not shut down. Therefore, when the current of the power supply line has a waveform as shown in FIG. 8, the overcurrent protection circuit 310 does not assert the first shutdown signal or the second shutdown signal, and the burn-in device 10 operates normally. A burn-in test can be performed.

以上のように、本実施形態に係るバーンイン装置１０によれば、第１シャットダウン基準値と第２シャットダウン基準値の双方を設け、電源供給ラインを流れる電流が瞬間的にでも第１シャットダウン基準値を超えた場合に、バーンイン装置１０をシャットダウンさせるとともに、電源供給ラインを流れる設定周期の間の平均的な電流が第２シャットダウン基準値を超えた場合にも、バーンイン装置１０をシャットダウンさせることとした。このため、瞬間的な第１シャットダウン基準値を従来よりも高く設定することができるようになる。すなわち、電源供給ラインを流れる電流が瞬間的に多くなっても、バーンインボードＢＩＢが挿入されるコネクタ２１０の発熱はさほど大きくならない。このため、瞬間的な第１シャットダウン基準値を高くしても、コネクタ２１０にダメージを与えることはない。 As described above, according to the burn-in device 10 according to the present embodiment, both the first shutdown reference value and the second shutdown reference value are provided, and the first shutdown reference value is set even if the current flowing through the power supply line is instantaneous. When exceeded, the burn-in device 10 is shut down, and the burn-in device 10 is also shut down when the average current during the set period flowing through the power supply line exceeds the second shutdown reference value. For this reason, the instantaneous first shutdown reference value can be set higher than before. That is, even if the current flowing through the power supply line increases momentarily, the heat generation of the connector 210 into which the burn-in board BIB is inserted does not increase so much. For this reason, even if the instantaneous first shutdown reference value is increased, the connector 210 is not damaged.

一方、電源供給ラインを流れる電流の平均値が高くなると、コネクタ２１０の発熱は定常的に大きくなり、コネクタ２１０にダメージが生じる可能性がある。このため、本実施形態では、平均的な第２シャットダウン基準値を、瞬間的な第１シャットダウン基準値よりも低く設定し、コネクタ２１０にダメージが生じるのを回避しているのである。 On the other hand, when the average value of the current flowing through the power supply line is increased, the heat generation of the connector 210 is steadily increased, and the connector 210 may be damaged. For this reason, in this embodiment, the average second shutdown reference value is set lower than the instantaneous first shutdown reference value to prevent the connector 210 from being damaged.

なお、本発明は上記実施形態に限定されず種々に変形可能である。例えば、上述した実施形態では、第１シャットダウン信号がハイレベルでアサートされ、第２シャットダウン信号もハイレベルでアサートされることとしたが、ハイレベルでアサートされるのか、ローレベルでアサートされるのかは、任意に設定可能である。 In addition, this invention is not limited to the said embodiment, A various deformation | transformation is possible. For example, in the above-described embodiment, the first shutdown signal is asserted at a high level and the second shutdown signal is also asserted at a high level, but is it asserted at a high level or asserted at a low level? Can be arbitrarily set.

また、デジタル制御回路３６０が検出電圧を取得するサンプリング周期や、検出電圧の平均値を算出する設定周期は、被試験デバイスである半導体装置の仕様やバーンイン装置１０の仕様により、任意に変更可能である。 Further, the sampling period for the digital control circuit 360 to acquire the detection voltage and the setting period for calculating the average value of the detection voltage can be arbitrarily changed according to the specifications of the semiconductor device as the device under test and the specifications of the burn-in apparatus 10. is there.

また、上述した実施形態の過電流保護回路３１０では、電源供給ラインから検出した電圧値に基づいて、第１シャットダウン基準値である瞬間的過電流基準電圧を設定し、第２シャットダウン基準値である平均的過電流基準電圧を設定することとしたが、第１シャットダウン基準値や第２シャットダウン基準値は電流値に基づいて設定するように過電流保護回路を構成してもよい。 In the overcurrent protection circuit 310 of the above-described embodiment, the instantaneous overcurrent reference voltage that is the first shutdown reference value is set based on the voltage value detected from the power supply line, and the second shutdown reference value is set. Although the average overcurrent reference voltage is set, the overcurrent protection circuit may be configured to set the first shutdown reference value and the second shutdown reference value based on the current value.

また、上述した実施形態では、被試験デバイスである半導体装置がＤＲＡＭである場合を例に、本発明を説明したが、他の種類の半導体装置が被試験デバイスであっても、本発明を適用することができる。 In the above-described embodiments, the present invention has been described by taking as an example the case where the semiconductor device that is the device under test is a DRAM. However, the present invention is applied even if another type of semiconductor device is the device under test. can do.

また、上述した実施形態では、半導体テスト装置の一例として、バーンイン装置１０を用いて、本発明を説明したが、本発明はバーンイン装置１０に限らず、様々な種類の半導体テスト装置に適用することができる。すなわち、電源供給ラインに過電流を検出した場合に自動的にシャットダウンをする機能を有する半導体テスト装置であれば、本発明を適用することができる。 In the above-described embodiment, the present invention has been described using the burn-in apparatus 10 as an example of the semiconductor test apparatus. However, the present invention is not limited to the burn-in apparatus 10 and can be applied to various types of semiconductor test apparatuses. Can do. That is, the present invention can be applied to any semiconductor test apparatus having a function of automatically shutting down when an overcurrent is detected in the power supply line.

従来のバーンイン装置における過電流保護回路の回路構成を説明するための図。The figure for demonstrating the circuit structure of the overcurrent protection circuit in the conventional burn-in apparatus. 従来のバーンイン装置における電源供給ラインの電流波形の一例を示す図。The figure which shows an example of the current waveform of the power supply line in the conventional burn-in apparatus. 本実施形態に係るバーンイン装置の正面図。The front view of the burn-in apparatus which concerns on this embodiment. 図３のバーンイン装置の内部構成を説明するための正面レイアウト図。The front layout figure for demonstrating the internal structure of the burn-in apparatus of FIG. 図３のバーンイン装置における、制御回路、電源供給ユニット、ドライバボード、及び、バーンインボードの接続関係を説明するための図。The figure for demonstrating the connection relation of a control circuit, a power supply unit, a driver board, and a burn-in board in the burn-in apparatus of FIG. ドライバボードに設けられたコネクタと、このコネクタに挿入されるバーンインボードの断面図。Sectional drawing of the connector provided in the driver board, and the burn-in board inserted in this connector. 本実施形態に係るドライバボードに設けられている過電流保護回路の回路構成を説明するための図。The figure for demonstrating the circuit structure of the overcurrent protection circuit provided in the driver board which concerns on this embodiment. 本実施形態に係るバーンイン装置における電源供給ラインの電流波形の一例を示す図。The figure which shows an example of the current waveform of the power supply line in the burn-in apparatus which concerns on this embodiment.

Explanation of symbols

１０バーンイン装置
２０ドア
３０断熱壁
４０チャンバー
５０スロット
７０ファン
１００冷却ユニット
１２０ヒーター
ＢＩＢバーンインボード
ＣＬ制御部
ＣＲキャリアラック
ＤＴ空気循環ダクト DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Burn-in apparatus 20 Door 30 Heat insulation wall 40 Chamber 50 Slot 70 Fan 100 Cooling unit 120 Heater BIB Burn-in board CL Control part CR Carrier rack DT Air circulation duct

Claims

A detection circuit that detects the magnitude of a current flowing through a power supply line that supplies power to a semiconductor device that is a device under test;
A first shutdown signal output circuit for outputting a first shutdown signal when the magnitude of the current detected by the detection circuit is greater than a first shutdown reference value;
A second shutdown signal output circuit that calculates an average value of the magnitude of the current detected by the detection circuit and outputs a second shutdown signal when the average value is larger than a second shutdown reference value;
A shutdown process execution unit that performs a shutdown process when the first shutdown signal or the second shutdown signal is output;
A semiconductor test apparatus comprising:

The semiconductor test apparatus according to claim 1, wherein the first shutdown reference value is larger than the second shutdown reference value.

3. The semiconductor test apparatus according to claim 1, wherein the second shutdown signal output circuit calculates an average value of the magnitudes of the currents in a preset period.

The second shutdown signal output circuit includes:
A holding circuit that acquires the magnitude of the current detected by the detection circuit at a predetermined sampling period, and cumulatively holds the magnitude of the sampled current corresponding to the preset period; ,
An average calculation circuit that obtains the magnitude of the current held in the holding circuit and calculates an average value of the current magnitude held in the holding circuit;
The semiconductor test apparatus according to claim 3, further comprising:

It further comprises a connector into which a board on which a semiconductor device as the device under test is mounted is inserted, and power is supplied from the power supply line to the semiconductor device via the connector. A semiconductor test apparatus according to any one of claims 1 to 4.

6. The semiconductor test apparatus according to claim 5, wherein the board is a burn-in board, and a burn-in test is performed on the semiconductor device which is the device under test.

The semiconductor test apparatus according to claim 6, wherein the semiconductor device as the device under test is a DRAM.

Detecting a magnitude of a current flowing through a power supply line that supplies power to a semiconductor device that is a device under test;
Outputting a first shutdown signal when the detected magnitude of the current is greater than a first shutdown reference value;
Calculating an average value of the detected current magnitudes, and outputting a second shutdown signal when the average value is greater than a second shutdown reference value;
Performing a shutdown process when the first shutdown signal or the second shutdown signal is output; and
A method for controlling a semiconductor test apparatus, comprising: