JP2007269590A - Glass composition and display panel using the same - Google Patents
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Abstract
【課題】有害な鉛を含まず、誘電率が低く、軟化点が低く、ガラス転移点が高く、基板との熱膨張係数のマッチングが良く、耐水性の高い、信頼性の高いディスプレイパネルを作製可能とするガラス組成物を提供する。
【解決手段】酸化物ガラスであって、含まれる元素の内、酸素(O)を除く元素の比率が原子%表示で、硼素(B)が72%を越え88%以下、リチウム(Li)、ナトリウム(Na)、カリウム(K)の合計量が6%以上16%以下、マグネシウム(Mg)、カルシウム(Ca)、ストロンチウム(Sr)、バリウム(Ba)の合計が1%以上8%以下、珪素(Si)が0%以上12%以下、亜鉛(Zn)が2%を越え18%以下である、ガラス組成物とする。
【選択図】図1[PROBLEMS] To produce a display panel that does not contain harmful lead, has a low dielectric constant, has a low softening point, has a high glass transition point, has a good thermal expansion coefficient matching with the substrate, has high water resistance, and is highly reliable. A possible glass composition is provided.
In the oxide glass, the ratio of elements excluding oxygen (O) among the contained elements is expressed in atomic%, boron (B) is more than 72% and 88% or less, lithium (Li), The total amount of sodium (Na) and potassium (K) is 6% to 16%, the total of magnesium (Mg), calcium (Ca), strontium (Sr), and barium (Ba) is 1% to 8%, silicon A glass composition in which (Si) is 0% or more and 12% or less and zinc (Zn) is more than 2% and 18% or less.
[Selection] Figure 1
Description
本発明は、電極の被覆に適したガラス組成物およびこれを用いたディスプレイパネルに関する。 The present invention relates to a glass composition suitable for electrode coating and a display panel using the same.
プラズマディスプレイパネル(以下、PDPと略す)、フィールドエミッションディスプレイ、液晶表示装置、蛍光表示装置、セラミック積層デバイス、混成集積回路の如き表示装置や集積回路においては、その表面にAg、Cu等よりなる電極や配線を有する基板が用いられている。こうした電極や配線は、これらを保護するために、絶縁性ガラス材料により被覆される場合がある。ここでは、代表的な表示装置であるPDPを例に挙げて以下に説明する。 In display devices and integrated circuits such as plasma display panels (hereinafter abbreviated as PDP), field emission displays, liquid crystal display devices, fluorescent display devices, ceramic laminated devices, and hybrid integrated circuits, electrodes made of Ag, Cu, etc. are provided on the surface thereof. And a substrate having wiring is used. In order to protect these electrodes and wirings, there are cases where they are covered with an insulating glass material. Here, a PDP which is a representative display device will be described as an example.
一般にPDPは、2枚の対向するガラス基板にそれぞれ規則的に配列した一対の電極を設け、その間にNe、Xe等の不活性ガスを主体とするガスを封入した構造になっており、電極間に電圧を印加し、電極周辺の微小なセル内で放電を発生させることにより、各セルを発光させて表示を行なっている。そして、これらの電極は、誘電体層と呼ばれる絶縁性材料で被覆されて、保護されている。 Generally, a PDP has a structure in which a pair of electrodes regularly arranged on two opposing glass substrates are provided, and a gas mainly composed of an inert gas such as Ne or Xe is enclosed between the electrodes. A voltage is applied to the electrodes to generate a discharge in minute cells around the electrodes, thereby causing each cell to emit light and display. These electrodes are covered and protected with an insulating material called a dielectric layer.
例えば、AC型PDPの前面板となるガラス基板においては、透明電極が形成され、さらにその上に、より抵抗率が低いAg、Cu、Al等の金属電極が形成されている。この複合電極を覆って誘電体層が形成され、さらにその上に保護層(MgO層)が形成されている。 For example, a transparent electrode is formed on a glass substrate that serves as a front plate of an AC type PDP, and a metal electrode such as Ag, Cu, or Al having a lower resistivity is further formed thereon. A dielectric layer is formed to cover the composite electrode, and a protective layer (MgO layer) is further formed thereon.
電極を覆って形成される誘電体層は、CVD等の方法によりSiO2等の薄膜を形成することも出来るが、通常は設備やコストの面から、低軟化点のガラスが用いられる。上記低軟化点のガラスを用いた誘電体層は、ガラス粉末を含むペーストを、スクリーン印刷法やダイコート法等で電極を覆うように塗布した後、焼成することにより形成されている。 As the dielectric layer formed to cover the electrodes, a thin film such as SiO 2 can be formed by a method such as CVD, but usually a glass with a low softening point is used from the viewpoint of equipment and cost. The dielectric layer using the glass having a low softening point is formed by applying a paste containing glass powder so as to cover the electrodes by a screen printing method, a die coating method, or the like, and then baking the paste.
誘電体層を形成するガラス組成物に要求される特性としては、(1)電極上に形成されるため、絶縁性であること、(2)大面積のパネルでは、ガラス基板の反り、誘電体層の剥がれやクラックを防止するために、ガラス組成物の熱膨脹係数を、基板材料とあまり変わらない値にしておくこと、(3)前面板用であれば、蛍光体から発生した光を効率よく表示光として利用するために、可視光透過率が高い非晶質ガラスであること、(4)基板ガラスの耐熱性に適合するように、軟化点(軟化温度)が低いこと、等が挙げられる。 The characteristics required for the glass composition forming the dielectric layer are: (1) it is formed on the electrode and is therefore insulative; (2) in a large area panel, the warp of the glass substrate, the dielectric In order to prevent peeling and cracking of the layer, the thermal expansion coefficient of the glass composition should be set to a value not much different from that of the substrate material. (3) For the front plate, light generated from the phosphor can be efficiently used. For use as display light, it is an amorphous glass having a high visible light transmittance, and (4) a softening point (softening temperature) is low so as to conform to the heat resistance of the substrate glass. .
PDPに使用されるガラス基板としては、フロート法で作製され、一般に入手が容易な窓板ガラスであるソーダライムガラスや、PDP用に開発された高歪点ガラスがあり、これらは通常、600℃までの耐熱性、75×10−7〜85×10−7/℃の熱膨脹係数を有する。 As glass substrates used for PDP, there are soda lime glass, which is a window glass made by the float process and is generally easily available, and high strain point glass developed for PDP. These are usually up to 600 ° C. Heat resistance of 75 × 10 −7 to 85 × 10 −7 / ° C.
このため、前述した(2)については、熱膨脹係数が60×10−7〜90×10−7/℃程度のガラス組成物が望ましい。また、前述した(4)については、ガラスペーストの焼成をガラス基板の歪点である600℃以下で行う必要があるので、600℃以下の温度で焼成しても充分軟化するように、軟化点が少なくとも595℃以下、より望ましくは590℃程度以下のガラス組成物である必要がある。 Therefore, for the above-mentioned (2), the thermal expansion coefficient of 60 × 10 -7 ~90 × 10 -7 / ℃ about the glass composition is desirable. In the case of (4) described above, the glass paste must be fired at 600 ° C. or lower, which is the strain point of the glass substrate, so that the softening point is sufficiently softened even when fired at a temperature of 600 ° C. or lower. Is at least 595 ° C. or less, more desirably about 590 ° C. or less.
以上のような要望を満足するガラス材料として、現在はPbOを主原料とするPbO−SiO2系ガラスが主に使用されている。 Currently, PbO—SiO 2 glass mainly composed of PbO is mainly used as a glass material that satisfies the above demands.
しかし、近年の環境問題への配慮から、Pbを含まない誘電体層が求められており、また、ガラス材料の誘電率については、PDPの低消費電力化のために、より下げることが求められている。Pbを含まないガラスとしては、ホウ酸亜鉛を主成分とし、Pbの代わりにBiを含むことによって低軟化点としたBi2O3−B2O3−ZnO−SiO2系ガラス材料(例えば、特許文献1)等が開発されているが、これらのBi系材料もPb系材料と同じく、比誘電率が9〜13程度で高いという問題点を有する。そこで、低誘電率と低軟化点を両立させるため、Pbの代わりにアルカリ金属を含むホウ酸亜鉛系ガラス(アルカリ金属酸化物−B2O3−ZnO−SiO2系)によって、比誘電率7前後を達成した材料も提案されている(例えば、特許文献2〜4)。
しかしながら、望まれる比誘電率としては低ければ低いほど良いが、比誘電率が6.5以下で、軟化点が低いガラスは見出されていなかった。また、従来検討されているアルカリホウ酸亜鉛系ガラスでは、低い軟化点、適度な熱膨張係数は満足できても、これに加え、高いガラス転移点(ガラス転移温度)を有するガラスを実現することは困難であった。 However, the lower the desired dielectric constant, the better. However, no glass having a relative dielectric constant of 6.5 or less and a low softening point has been found. In addition, with the alkali zinc borate glasses that have been studied in the past, a glass having a high glass transition point (glass transition temperature) should be realized in addition to satisfying a low softening point and an appropriate thermal expansion coefficient. Was difficult.
単純に電極を被覆するためのガラスでよければ、低軟化点、適度な熱膨張係数、低誘電率を実現すれば足りる。しかし、PDPにおいては、電極被覆を行った後に、MgO層のアニールや前面板と背面板を接合する封着工程等で、再度ガラス層に500℃近い熱が加わる。誘電体層用ガラスの軟化点は600℃弱なので、500℃程度の温度が加わっても軟化する訳ではないが、この加熱温度がガラス転移点を大幅に超えると、ガラスの物性が急激に変化するために、特に大面積のディスプレイでは、誘電体層が基板から剥がれたり、クラックが入って絶縁性、信頼性が低下してしまう。発明者の検討によると、500℃程度で再熱処理するためには、ガラスに求められるガラス転移点は465℃以上が望ましく、より望ましくは480℃以上である。また、PDP以外の表示装置や回路基板等においても、被覆後に再度高温での熱処理を行うと、同様の問題が生じる危険があった。 If the glass for simply covering the electrode is sufficient, it is sufficient to realize a low softening point, an appropriate thermal expansion coefficient, and a low dielectric constant. However, in the PDP, after the electrode coating is performed, heat of about 500 ° C. is again applied to the glass layer in an annealing process of the MgO layer or a sealing process for joining the front plate and the back plate. Since the dielectric layer glass has a softening point of slightly less than 600 ° C, it does not soften even when a temperature of about 500 ° C is applied. However, when this heating temperature significantly exceeds the glass transition point, the physical properties of the glass change rapidly. For this reason, particularly in a large-area display, the dielectric layer is peeled off from the substrate or cracks are generated, resulting in a decrease in insulation and reliability. According to the inventor's study, in order to reheat at about 500 ° C., the glass transition point required for glass is preferably 465 ° C. or higher, and more preferably 480 ° C. or higher. Also, in display devices other than PDPs, circuit boards, and the like, if heat treatment is performed again at a high temperature after coating, there is a risk that similar problems will occur.
発明者の検討によると、アルカリホウ酸亜鉛系ガラスにおいて、誘電率を低くするためにはB2O3量を多くする必要があるが、B2O3量を多くするとガラス転移点が低下する傾向があった。従来の電極被覆用ガラスでは、ガラス転移点については全く注意が払われていないため、低軟化点、低誘電率、適度な熱膨張係数の材料は得られていても、これに併せて高いガラス転移点を有する材料は得られていなかった。 According to the inventor's study, it is necessary to increase the amount of B 2 O 3 in order to lower the dielectric constant in the alkali borate glass, but the glass transition point decreases when the amount of B 2 O 3 is increased. There was a trend. In conventional glass for electrode coating, no attention is paid to the glass transition point. Therefore, even if a material having a low softening point, a low dielectric constant, and an appropriate coefficient of thermal expansion is obtained, a high glass is also provided. A material having a transition point has not been obtained.
さらに、B2O3量の含有量が多いアルカリ系ガラスでは、B2O3が容易に水に溶解するために、耐水性が低い/吸湿性が高いという問題点があった。耐水性の低さは、基板切断時に誘電体層ガラスに水がかかることにより、絶縁不良の原因となる場合があり、また吸湿性の高さは、系中の水分量を増加させ、誘電体層上に形成したMgO保護膜の特性を劣化させたりする場合があった。 Furthermore, B in 2 O 3 amount of content is large alkali glass, for B 2 O 3 is readily soluble in water, there is a problem in that a high low water resistance / moisture resistance. Low water resistance may cause insulation failure due to water splashing on the dielectric layer glass when the substrate is cut, and high hygroscopicity increases the amount of moisture in the system and In some cases, the properties of the MgO protective film formed on the layer deteriorate.
本発明は、軟化点が低く、誘電率が低く、基板との熱膨張係数のマッチングが良い上に、ガラス転移点が高く、耐水性が高い、高信頼性のディスプレイパネルを作製することが可能なガラス組成物を提供することを目的とする。 The present invention can produce a highly reliable display panel with a low softening point, low dielectric constant, good thermal expansion coefficient matching with the substrate, high glass transition point, high water resistance. An object of the present invention is to provide a simple glass composition.
本発明のガラス組成物は、酸化物ガラスであって、含まれる元素の内、酸素(O)を除く元素の比率が、
72原子%<硼素(B)≦88原子%
6原子%≦R≦16原子%
1原子%≦M≦8原子%
0原子%≦珪素(Si)<12原子%
2原子%<亜鉛(Zn)≦18原子%
(ここで、Rはリチウム(Li)、ナトリウム(Na)、カリウム(K)より選ばれた1種類以上であり、Mはマグネシウム(Mg)、カルシウム(Ca)、ストロンチウム(Sr)、バリウム(Ba)より選ばれた1種類以上)であることを特徴とする。
The glass composition of the present invention is an oxide glass, and the ratio of elements other than oxygen (O) among the contained elements is
72 atomic% <boron (B) ≤ 88 atomic%
6 atomic% ≤ R ≤ 16 atomic%
1 atomic% ≦ M ≦ 8 atomic%
0 atomic% ≦ silicon (Si) <12 atomic%
2 atom% <zinc (Zn) ≤ 18 atom%
(Here, R is at least one selected from lithium (Li), sodium (Na), and potassium (K), and M is magnesium (Mg), calcium (Ca), strontium (Sr), barium (Ba 1) or more selected from the above)).
また、本発明の第1のディスプレイパネルは、ガラス組成物を含む誘電体層によって電極が被覆されているディスプレイパネルであって、このガラス組成物が、本発明による上記ガラス組成物である。本発明の第2のディスプレイパネルは、誘電体層によって電極が被覆されているディスプレイパネルであって、上記誘電体層が電極を直接被覆する第1誘電体層と、第1誘電体層上に形成された第2誘電体層とを含み、第1誘電体層がアルカリ金属元素を実質的に含まず、第2誘電体層に含まれるガラス組成物が、本発明による上記ガラス組成物である。 Moreover, the 1st display panel of this invention is a display panel by which the electrode is coat | covered with the dielectric material layer containing a glass composition, Comprising: This glass composition is the said glass composition by this invention. A second display panel of the present invention is a display panel in which electrodes are covered with a dielectric layer, the dielectric layer directly covering the electrodes, and a first dielectric layer on the first dielectric layer. A glass composition contained in the second dielectric layer, wherein the first dielectric layer is substantially free of alkali metal elements and the second dielectric layer is formed. .
本発明によれば、軟化点が低く、誘電率が低く、基板との熱膨張係数のマッチングが良い上に、ガラス転移点が高く、耐水性が高い、信頼性の高いディスプレイパネルを作製することが可能なガラス組成物を提供できる。 According to the present invention, a highly reliable display panel having a low softening point, a low dielectric constant, a good thermal expansion coefficient matching with a substrate, a high glass transition point, a high water resistance, and the like. Can be provided.
発明者は詳細な検討の結果、下記のような組成範囲内において、誘電率が極めて低いにもかかわらず、軟化点が低く、熱膨張係数の基板とのマッチングが良く、さらにガラス転移点が充分に高く、耐水性も高い、従来のアルカリ金属を含むホウ酸亜鉛系ガラスの欠点を払拭したガラス組成物が得られることを見出した。 As a result of detailed studies, the inventor has found that the softening point is low, the thermal expansion coefficient is well matched with the substrate, and the glass transition point is sufficient in the composition range as described below, despite the extremely low dielectric constant. In addition, the present inventors have found that a glass composition can be obtained, which is high in water resistance and high in water resistance, and which eliminates the disadvantages of conventional zinc borate glasses containing alkali metals.
本発明によれば、軟化点が595℃以下であり、ガラス転移点が465℃以上であり、熱膨張係数が60×10−7/℃〜90×10−7/℃であり、比誘電率が6.5以下であるガラス組成物を得ることが可能である。 According to the present invention, the softening point is 595 ° C. or lower, the glass transition point is 465 ° C. or higher, the thermal expansion coefficient is 60 × 10 −7 / ° C. to 90 × 10 −7 / ° C., and the relative dielectric constant It is possible to obtain a glass composition having a value of 6.5 or less.
(実施の形態1)
以下、本発明のガラス組成物における各成分の限定理由を説明する。
(Embodiment 1)
Hereinafter, the reason for limitation of each component in the glass composition of this invention is demonstrated.
Bは本願発明のガラス組成物の主成分である。Bが多いほど低誘電率となり、軟化点も下がるが、ガラス転移点も低下する。特に問題となるのは、軟化点の温度低下よりも、ガラス転移点の温度低下が大きい点である。前述したように、軟化点は595℃以下であることが必要であり、ガラス転移点は465℃以上は必要なので、軟化点とガラス転移点の差は130℃以下、より望ましくは110℃以下とする必要があるが、Bが多くなるほどその差が広がってしまう。その量を、72原子%を越え、88原子%以下に限定する理由は、72原子%よりBが少ないと誘電率が高くなるか、あるいは軟化点が高くなるためであり、88原子%よりBが多いとガラス転移点が低くなりすぎるためである。 B is a main component of the glass composition of the present invention. The more B, the lower the dielectric constant and the lower the softening point but the lower the glass transition point. What is particularly problematic is that the temperature drop at the glass transition point is larger than the temperature drop at the softening point. As described above, the softening point needs to be 595 ° C. or less, and the glass transition point needs to be 465 ° C. or more. Therefore, the difference between the softening point and the glass transition point is 130 ° C. or less, more desirably 110 ° C. or less. However, the difference increases as B increases. The reason why the amount is limited to more than 72 atomic% and not more than 88 atomic% is that when B is less than 72 atomic%, the dielectric constant increases or the softening point increases, and B exceeds 88 atomic%. This is because if the amount is too large, the glass transition point becomes too low.
アルカリ金属(Li、Na、K)は、本願発明のガラス組成物のもう一つの主成分である。アルカリ金属量の増加は、軟化点とガラス転移点の差を縮める効果があるが、誘電率は高くなり、また黄変を生じやすくする。その合計量を6原子%以上16原子%以下とする理由は、6原子%未満だと、軟化点が高くなりすぎるためであり、16原子%を超えると誘電率と熱膨張係数が大きくなりすぎるためである。 Alkali metals (Li, Na, K) are another main component of the glass composition of the present invention. Increasing the amount of alkali metal has the effect of reducing the difference between the softening point and the glass transition point, but increases the dielectric constant and tends to cause yellowing. The reason why the total amount is 6 atomic% or more and 16 atomic% or less is that if it is less than 6 atomic%, the softening point becomes too high, and if it exceeds 16 atomic%, the dielectric constant and the thermal expansion coefficient become too large. Because.
アルカリ土類金属(Mg、Ca、Sr、Ba)は、本願発明の必須成分である。本願発明はBを多く含むために、ガラス転移点が低下し、軟化点とガラス転移点の差も広がりやすい。Mg、Ca、Sr、Baを少量加えると、軟化点自体が上昇し、さらにそれ以上にガラス転移点も高くなるので、ガラス転移点を高くすると同時に軟化点との温度差を縮める効果がある。同様の効果は、後述するようにZnにも認められるが、ガラス転移点を高くする効果は、アルカリ土類金属の方が大きい。また、Zn添加では、添加量増加により結晶化温度が低下するという問題が生じるが、アルカリ土類金属の添加では結晶化の問題が生じず、さらにZnとアルカリ土類金属を同時に添加することによって、Zn添加によって生じた結晶化の問題を回避することが出来る。また、アルカリ土類金属の添加は、Znほどではないが、ガラスの耐水性を高める効果もある。従って、本願におけるような低誘電率/高B量組成域のガラスを実用的な材料にするためには、アルカリ土類金属の添加は必須である。その量を8原子%以下とする理由は、多すぎると軟化点が高くなるとともに、誘電率が高くなりすぎるためである。 Alkaline earth metals (Mg, Ca, Sr, Ba) are essential components of the present invention. Since this invention contains many B, a glass transition point falls and the difference of a softening point and a glass transition point also tends to spread. When a small amount of Mg, Ca, Sr, or Ba is added, the softening point itself is increased, and the glass transition point is further increased. Therefore, there is an effect of increasing the glass transition point and simultaneously reducing the temperature difference from the softening point. A similar effect is also observed in Zn as described later, but the effect of increasing the glass transition point is greater for alkaline earth metals. In addition, when Zn is added, there is a problem that the crystallization temperature decreases due to an increase in the amount of addition, but when adding alkaline earth metal, there is no problem of crystallization, and furthermore, by adding Zn and alkaline earth metal simultaneously. The problem of crystallization caused by the addition of Zn can be avoided. Moreover, although the addition of alkaline earth metal is not as high as Zn, it also has the effect of increasing the water resistance of the glass. Therefore, in order to make a glass having a low dielectric constant / high B amount composition region as in the present application into a practical material, it is essential to add an alkaline earth metal. The reason why the amount is 8 atomic% or less is that when the amount is too large, the softening point becomes high and the dielectric constant becomes too high.
アルカリ土類金属の種類を同一量で比較すると、ガラス転移点を高くする効果、軟化点とガラス転移点の差を縮める効果は共にCaが最も大きく、誘電率はBaが最も高くなり、Sr、Ca、Mgの順で小さくなるので、これらの中ではCaが最も好ましい。 When the types of alkaline earth metals are compared in the same amount, both the effect of increasing the glass transition point and the effect of reducing the difference between the softening point and the glass transition point are the largest for Ca, the highest dielectric constant is Ba, and Sr, Among these, Ca is the most preferable because it decreases in the order of Ca and Mg.
Siは本願発明の必須元素ではない。Siの含有は、ガラスの化学的安定性を高めたり、ガラス転移点を高くする効果がある。しかしながら、ガラス転移点より以上に軟化点を高くするので、軟化点とガラス転移点の差が大きくなってしまう。従って、Siは、全く含まなくてもかまわないが、化学的安定性の向上や熱膨張係数の調整等の理由で、多少含ませることも可能である。その上限を12原子%以下に限定する理由は、12原子%を超えると軟化点が高くなりすぎるとともに、軟化点とガラス転移点の差が広がりすぎるためである。 Si is not an essential element of the present invention. The inclusion of Si has the effect of increasing the chemical stability of the glass or increasing the glass transition point. However, since the softening point is set higher than the glass transition point, the difference between the softening point and the glass transition point is increased. Accordingly, Si may not be contained at all, but may be contained somewhat for reasons such as improving chemical stability and adjusting the thermal expansion coefficient. The reason why the upper limit is limited to 12 atomic% or less is that when it exceeds 12 atomic%, the softening point becomes too high and the difference between the softening point and the glass transition point is too wide.
Znは本願発明の必須成分である。Znの添加は、誘電率、軟化点、ガラス転移点とも若干上昇させるが、その効果は同じ添加量で比較すると、アルカリ土類金属より少ない。しかしながら、ガラス転移点の上昇に比べて軟化点の上昇が小さく、また誘電率や軟化点を上昇させる効果が少ないために、比較的多く用いることができ、その結果、軟化点とガラス転移点の差を縮める効果は、アルカリ土類金属よりも大きい。また、Znの添加は、少量でも耐水性を向上させる効果がある。2原子%を越える量に限定する理由は、2原子%以下では耐水性を付与するに不足するためであり、18原子%以下とする理由は、18原子%を超えると軟化点が高くなりすぎるためである。 Zn is an essential component of the present invention. The addition of Zn slightly increases the dielectric constant, softening point, and glass transition point, but the effect is less than that of alkaline earth metals when compared with the same addition amount. However, since the increase in the softening point is small compared to the increase in the glass transition point and the effect of increasing the dielectric constant and the softening point is small, it can be used in a relatively large amount. The effect of reducing the difference is greater than that of alkaline earth metals. Further, the addition of Zn has an effect of improving water resistance even with a small amount. The reason for limiting the amount to more than 2 atomic% is that it is insufficient for imparting water resistance if it is 2 atomic% or less, and the reason for setting it to 18 atomic% or less is that the softening point becomes too high if it exceeds 18 atomic%. Because.
上記の組成範囲とすることによって、良好な特性のガラス材料を得ることが出来る。さらに、より特性を改善するためには、BやSiのような、ガラスの網目形成酸化物となる元素(これをAグループ元素とする)と、アルカリ金属、アルカリ土類金属、Znのような、ガラスの網目修飾酸化物となる元素(これをBグループ元素とする)の原子比率を、下記のような特定の範囲内とすることが重要である。 By setting it as the above composition range, a glass material having good characteristics can be obtained. Furthermore, in order to further improve the characteristics, elements such as B and Si, which are glass network-forming oxides (this is A group element), alkali metals, alkaline earth metals, Zn, etc. It is important that the atomic ratio of an element (this is a group B element) that becomes a network-modifying oxide of glass is within a specific range as described below.
Aグループに属するBとSiは、いずれも低誘電率化をもたらすが、Bは軟化点とガラス転移点を下げながら、両者の差を広げる効果を持ち、Siは軟化点とガラス転移点を上げながら、両者の差を広げる効果を持つ。従って、低軟化点と低誘電率を両立させるには、Bを多めにすれば良いが、軟化点とガラス転移点の差は広がってしまう。一方、Bグループに属する元素は、程度の差はあれ、軟化点とガラス転移点の差を縮める効果を持つ。 B and Si belonging to the A group both lower the dielectric constant, but B has the effect of widening the difference between the two while lowering the softening point and the glass transition point, and Si increases the softening point and the glass transition point. However, it has the effect of widening the difference between the two. Therefore, in order to achieve both a low softening point and a low dielectric constant, it is sufficient to increase B, but the difference between the softening point and the glass transition point widens. On the other hand, elements belonging to Group B have the effect of reducing the difference between the softening point and the glass transition point, to some extent.
このため、低誘電率、低軟化点、高ガラス転移点を同時に実現するためには、Aグループ元素とBグループ元素の原子比率が重要となる。Aグループ、Bグループのそれぞれの元素の%の合計をX、Yとした場合、上記の組成範囲では、X/Yは2.6〜10程度となるが、より望ましくは3.0以上5.0以下である。なぜなら、上記の各成分の原子%の範囲内で、かつX/Yを3.0以上5.0以下とすれば、比誘電率6.0以下で軟化点とガラス転移点の差を110℃以下とすることが出来るからである。 For this reason, in order to simultaneously realize a low dielectric constant, a low softening point, and a high glass transition point, the atomic ratio of the A group element and the B group element is important. When the total of the% of each element of A group and B group is set to X and Y, X / Y will be about 2.6-10 in said composition range, More desirably, it is 3.0 or more and 5. 0 or less. This is because, within the range of atomic% of each of the above components and when X / Y is 3.0 or more and 5.0 or less, the relative dielectric constant is 6.0 or less and the difference between the softening point and the glass transition point is 110 ° C. This is because it can be as follows.
本発明のガラス組成物は上記成分を含み、典型的には実質上、上記成分のみからなる(換言すれば、上記成分以外は実質的に含まなくても良い)が、本発明の効果が得られる限り、他の成分を含有してもよい。他の成分の含有量の合計は、好ましくは5原子%以下、より好ましくは3原子%以下、さらに好ましくは1原子%以下である。 The glass composition of the present invention contains the above components, and typically consists essentially of the above components (in other words, the components other than the above components may not be substantially contained), but the effects of the present invention are obtained. Other components may be contained as long as possible. The total content of other components is preferably 5 atomic percent or less, more preferably 3 atomic percent or less, and even more preferably 1 atomic percent or less.
他の成分の具体例としては、イットリウム(Y)やランタン(La)等の希土類金属、ビスマス(Bi)、バナジウム(V)、アンチモン(Sb)、リン(P)、モリブデン(Mo)、タングステン(W)、チタン(Ti)、コバルト(Co)、銅(Cu)が挙げられる。イットリウム(Y)やランタン(La)等の希土類金属は、ガラス転移点を10〜20℃程度上昇させるが、軟化点も同程度上昇させるため、基本組成のガラス転移点、軟化点とも低い場合に、これを高くすることができる。ビスマス(Bi)、バナジウム(V)、アンチモン(Sb)、リン(P)は、ガラス転移点を10〜20℃程度低下させるが、軟化点も同程度低下させるため、基本組成のガラス転移点、軟化点とも高い場合に、これを低下させることができる。モリブデン(Mo)、タングステン(W)は、黄変の発生を抑制する効果がある。チタン(Ti)、コバルト(Co)、銅(Cu)は、ガラスを青く着色するので、黄変が生じた場合に、補色である青色により、カラーバランスが崩れるのを防ぐことができる。これらの添加物の望ましい上限は、上述したように5原子%以下、より好ましくは3原子%以下、さらに好ましくは1原子%以下であるが、その理由は、5原子%を超えると着色がひどくなったり、誘電率が高くなったり、原料コストが高くなったりするためである。 Specific examples of other components include rare earth metals such as yttrium (Y) and lanthanum (La), bismuth (Bi), vanadium (V), antimony (Sb), phosphorus (P), molybdenum (Mo), tungsten ( W), titanium (Ti), cobalt (Co), and copper (Cu). Rare earth metals such as yttrium (Y) and lanthanum (La) increase the glass transition point by about 10 to 20 ° C., but also increase the softening point to the same extent. Therefore, when the glass transition point and softening point of the basic composition are low. , This can be high. Bismuth (Bi), vanadium (V), antimony (Sb), phosphorus (P) lowers the glass transition point by about 10 to 20 ° C., but also lowers the softening point to the same extent. This can be reduced if the softening point is high. Molybdenum (Mo) and tungsten (W) have an effect of suppressing the occurrence of yellowing. Titanium (Ti), cobalt (Co), and copper (Cu) color the glass blue. Therefore, when yellowing occurs, the color balance can be prevented from being lost by the complementary blue color. The desirable upper limit of these additives is 5 atomic percent or less, more preferably 3 atomic percent or less, and even more preferably 1 atomic percent or less, as described above. This is because the dielectric constant increases, the raw material cost increases.
また、これら以外にも、熱膨張係数の調整、ガラスの安定化および化学的耐久性の向上等のために、Al、Zr、Mn、Nb、Ta、Te、Ag等を添加することも、少量であれば可能である。これらについても、好ましくは5原子%以下、より好ましくは3原子%以下、さらに好ましくは1原子%以下である。 Besides these, a small amount of Al, Zr, Mn, Nb, Ta, Te, Ag, etc. may be added to adjust the thermal expansion coefficient, stabilize the glass, and improve chemical durability. If possible. Also about these, Preferably it is 5 atomic% or less, More preferably, it is 3 atomic% or less, More preferably, it is 1 atomic% or less.
本発明のガラス組成物は、鉛(Pb)を実質的に含まないことが好ましい。Pbの添加は、環境への影響や、誘電率の上昇、ガラスの着色、原料コストが高くなる等の問題を引き起こすことがあるためである。 It is preferable that the glass composition of the present invention does not substantially contain lead (Pb). This is because the addition of Pb may cause problems such as effects on the environment, increase in dielectric constant, coloring of glass, and increase in raw material cost.
本発明のガラス組成物は、成分にアルカリ金属を含むために、AgやCuを保護する誘電体材料として用いた場合、焼成条件等によってはAgやCuが酸化されてイオン化し、これらイオンがガラス中を拡散するという問題が発生することがある。AgやCuのイオンは、再度還元されてコロイド状金属として析出し、誘電体層やガラス基板が黄色く着色して見える、いわゆる黄変を生じさせる。黄変が生じると、特にPDPの前面板用誘電体層として用いた場合には表示性能が劣化する。この場合には、アルカリ金属を実質的に含まない層を電極に直接接する第1誘電体層に用い、その上に積層する第2誘電体層として本発明のガラス組成物を用いれば、全体として誘電率を低く維持しながら黄変を防止できる。 Since the glass composition of the present invention contains an alkali metal as a component, when used as a dielectric material for protecting Ag and Cu, depending on the firing conditions, Ag and Cu are oxidized and ionized. The problem of spreading inside can occur. Ag and Cu ions are reduced again and deposited as colloidal metal, causing a so-called yellowing in which the dielectric layer and the glass substrate appear to be colored yellow. When yellowing occurs, the display performance deteriorates particularly when used as a dielectric layer for a front panel of a PDP. In this case, if the glass composition of the present invention is used as a second dielectric layer laminated on the first dielectric layer that is in direct contact with the electrode, the layer substantially free of alkali metal is used as a whole. Yellowing can be prevented while keeping the dielectric constant low.
本明細書において、「実質的に含まない」とは上記と同様、酸素(O)を除く元素の比率において、除去することが工業的に難しく、かつ特性に影響を及ぼさないごく微量の成分を許容する趣旨であり、具体的には、含有率が1原子%以下、より好ましくは0.1原子%以下であることをいう。 In the present specification, “substantially free” means, as described above, a very small amount of a component that is industrially difficult to remove and does not affect properties in the ratio of elements excluding oxygen (O). Specifically, it means that the content is 1 atomic% or less, more preferably 0.1 atomic% or less.
なお、本明細書においては、元素の比率を陽イオンのみの比率で表記しているが、酸化物ガラスであるので、ガラス中には陰イオンとして酸素が存在する。上記の陽イオンを通常行われるように単位酸化物で表現すると、B2O3、SiO2、ZnO、K2O、Na2O、Li2O、MgO、CaO、SrO、BaOのようになる。ただし、こうした表記は各陽イオンのガラス中における価数を限定しているわけではない。 Note that in this specification, the ratio of elements is expressed as a ratio of only cations, but since it is an oxide glass, oxygen exists as anions in the glass. When the above cations are expressed by unit oxides as usual, B 2 O 3 , SiO 2 , ZnO, K 2 O, Na 2 O, Li 2 O, MgO, CaO, SrO, BaO are obtained. . However, such notation does not limit the valence of each cation in the glass.
また、ガラス組成比を上記のような酸化物の重量%比率で表現し、例えば、LiとNaとKがアルカリ金属として類似した寄与をガラスの特性に与えるため、これらの一種をa重量%と表記される場合がある。しかしながら、同じ重量%でもLiとKでは含まれる原子数は全く異なってくるので、各成分比率を重量%で記載することは本質的に適当ではない。また、酸化物のmol%で表記されることもあるが、例えば、K2O=20mol%、ZnO=20mol%、B2O3=60mol%と、K2O=10mol%、ZnO=30mol%、B2O3=60mol%では、B2O3は同じ60mol%であるが、ガラスに含まれるB原子の数は同じではないので、このmol%表記も望ましいとは言いがたい。本願が原子%で記載するのはこの理由によるものである。 In addition, the glass composition ratio is expressed by the weight percentage of the oxide as described above. For example, Li, Na, and K give similar contributions to the characteristics of the glass as an alkali metal. It may be written. However, since the number of atoms contained in Li and K is completely different even at the same weight%, it is essentially not appropriate to describe each component ratio in weight%. Although it may be expressed in terms of mol% of the oxide, for example, K 2 O = 20 mol%, ZnO = 20 mol%, B 2 O 3 = 60 mol%, K 2 O = 10 mol%, ZnO = 30 mol% When B 2 O 3 = 60 mol%, B 2 O 3 is the same 60 mol%, but the number of B atoms contained in the glass is not the same, so it is difficult to say that this mol% notation is desirable. It is for this reason that this application describes in atomic%.
便宜のために、本願の請求項1を重量%で換算して記載すると、
52重量%<硼素(B)≦90重量%
2重量%≦R≦19重量%
1重量%≦M≦29重量%
0重量%≦珪素(Si)≦20重量%
3.5重量%<亜鉛(Zn)≦35重量%
となる。特にRやMにおいて、元の原子%表示に比べて上限と下限の幅が広がってしまうのは、RやMの元素に原子量の幅があるためである。
For convenience,
52 wt% <boron (B) ≤ 90 wt%
2 wt% ≤ R ≤ 19 wt%
1 wt% ≤ M ≤ 29 wt%
0 wt% ≤ silicon (Si) ≤ 20 wt%
3.5% by weight <zinc (Zn) ≦ 35% by weight
It becomes. In particular, in R and M, the upper and lower limits are wider than the original atomic% display because the R and M elements have a range of atomic weights.
しかしながら、Rとして最も望ましいのは、最も黄変を生じにくいKであり、Mとして最も望ましいのは、上述した理由でCaであるので、この点を考慮して、より望ましい範囲を重量%で記載すると、
60重量%<硼素(B)≦85重量%
6重量%≦R≦19重量%
1重量%≦M≦12重量%
0重量%≦珪素(Si)≦19重量%
3.5重量%<亜鉛(Zn)≦34重量%
となる。
However, the most desirable as R is K which hardly causes yellowing, and the most desirable as M is Ca for the reason described above. Therefore, considering this point, a more desirable range is described in wt%. Then
60% by weight <boron (B) ≦ 85% by weight
6 wt% ≤ R ≤ 19 wt%
1 wt% ≤ M ≤ 12 wt%
0 wt% ≤ silicon (Si) ≤ 19 wt%
3.5% by weight <zinc (Zn) ≦ 34% by weight
It becomes.
なお、請求項2については同様に、亜鉛(Zn)が15重量%を越え、34重量%以下の範囲が望ましい。
Similarly, in
(PDPの構成)
本発明のディスプレイパネルの具体例として、PDPについて説明する。図1は、本実施形態にかかるPDPの主要構成を示す部分切り取り斜視図である。図2は、このPDPの断面図である。このPDPはAC面放電型であって、誘電体層が上述したガラス組成物で形成されている以外は、従来例にかかるPDPと同様の構成を有する。
(PDP configuration)
A PDP will be described as a specific example of the display panel of the present invention. FIG. 1 is a partially cutaway perspective view showing the main configuration of the PDP according to the present embodiment. FIG. 2 is a cross-sectional view of this PDP. This PDP is an AC surface discharge type, and has the same configuration as that of the conventional PDP except that the dielectric layer is formed of the glass composition described above.
このPDPは、前面板1と背面板8とを貼り合わせて構成される。前面板1は、前面ガラス基板2と、その内側面(放電空間14に臨む面)に形成された透明電極3およびバス電極4からなる表示電極5と、表示電極5を覆うように形成された誘電体層6と、誘電体層6上に形成された酸化マグネシウムからなる誘電体保護層7とを備える。上記表示電極5は、ITOまたは酸化スズからなる透明電極3に良好な導電性を確保するため、Ag等からなるバス電極4を積層して形成される。
This PDP is configured by bonding a
背面板8は、背面ガラス基板9と、その内側面に形成したアドレス電極10と、アドレス電極10を覆うように形成された誘電体層11と、誘電体層11の上面に設けられた隔壁12と、隔壁12の間に形成された蛍光体層13とを備える。上記蛍光体層13は、赤色蛍光体層13(R)、緑色蛍光体層13(G)および青色蛍光体層13(B)がこの順に配列するように形成される。
The
誘電体層6および/または誘電体層11、好ましくは誘電体層6には、上述した本発明によるガラス組成物が使用される。
For the
上記蛍光体層13を構成する蛍光体としては、例えば、青色蛍光体としてBaMgAl10O17:Eu、緑色蛍光体としてZn2SiO4:Mn、赤色蛍光体としてY2O3:Euを用いることができる。
As the phosphor constituting the
前面板1および背面板8は、表示電極5とアドレス電極10の各々の長手方向が互いに直交し、かつ互いに対向するように配置し、封着部材(図示せず)を用いて接合される。
The
放電空間14には、He、Xe、Ne等の希ガス成分からなる放電ガス(封入ガス)が66.5〜79.8kPa(500〜600Torr)程度の圧力で封入されている。
In the
表示電極5とアドレス電極10は、それぞれ外部の駆動回路(図示せず)と接続され、駆動回路から印加される電圧によって放電空間14で放電が発生し、放電に伴って発生する短波長(波長147nm)の紫外線で蛍光体層13が励起されて可視光を発光する。
The
誘電体層6は、通常、ガラスの粉末に印刷性を付与するためのバインダや溶剤等を添加することによってガラスペーストとし、このガラスペーストをガラス基板上に形成された電極上に塗布、焼成することによって形成される。
The
ガラスペーストは、ガラスの粉末と溶剤と樹脂(バインダ)とを含むが、これら以外の成分、例えば、界面活性剤、現像促進剤、接着助剤、ハレーション防止剤、保存安定剤、消泡剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤、顔料、染料等、種々の目的に応じた添加剤を含んでもよい。 Glass paste contains glass powder, solvent and resin (binder), but other components such as surfactant, development accelerator, adhesion aid, antihalation agent, storage stabilizer, antifoaming agent, You may include the additive according to various objectives, such as antioxidant, a ultraviolet absorber, a pigment, dye.
ガラスペーストに含まれる樹脂(バインダ)の種類は、原料粉末との反応性が低いものであれば、特に限定されない。化学的安定性、コストおよび安全性などの観点から、例えば、ニトロセルロース、メチルセルロース、エチルセルロースおよびカルボキシメチルセルロース等のセルロース誘導体、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール、ポリエチレンfグリコール、カーボネート系樹脂、ウレタン系樹脂、アクリル系樹脂およびメラミン系樹脂から選ばれる少なくとも1種を用いることができる。 The kind of resin (binder) contained in the glass paste is not particularly limited as long as the reactivity with the raw material powder is low. From the viewpoints of chemical stability, cost and safety, for example, cellulose derivatives such as nitrocellulose, methylcellulose, ethylcellulose and carboxymethylcellulose, polyvinyl alcohol, polyvinyl butyral, polyethylene fglycol, carbonate resins, urethane resins, acrylic resins At least one selected from resins and melamine resins can be used.
ガラスペーストに含まれる溶剤の種類は、原料粉末との反応性が低いものであれば、特に限定されない。化学的安定性、コストおよび安全性などの観点、ならびに、バインダとの相溶性の観点から、例えば、エチレングリコールモノアルキルエーテル類、エチレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、ジエチレングリコールジアルキルエーテル類、プロピレングリコールモノアルキルエーテル類、プロピレングリコールジアルキルエーテル類、プロピレングリコールアルキルエーテルアセテート類、脂肪族カルボン酸のエステル類、ターピネオールやベンジルアルコール等のアルコール類等の有機溶剤を使用することができる。 The kind of the solvent contained in the glass paste is not particularly limited as long as the reactivity with the raw material powder is low. From the viewpoints of chemical stability, cost and safety, and compatibility with the binder, for example, ethylene glycol monoalkyl ethers, ethylene glycol monoalkyl ether acetates, diethylene glycol dialkyl ethers, propylene glycol monoalkyl Organic solvents such as ethers, propylene glycol dialkyl ethers, propylene glycol alkyl ether acetates, esters of aliphatic carboxylic acids, and alcohols such as terpineol and benzyl alcohol can be used.
ガラスペーストは、スクリーン法、バーコーター、ロールコーター、ダイコーター、ドクターブレード等によって塗布し、焼成する方法が代表的である。ただし、それに限定されることなく、例えば、上記ガラス組成物を含むシートを貼り付けて焼成する方法でも形成できる。 Typically, the glass paste is applied by a screen method, a bar coater, a roll coater, a die coater, a doctor blade or the like, and baked. However, without being limited thereto, for example, it can be formed by a method of attaching and baking a sheet containing the glass composition.
誘電体層6の膜厚は、絶縁性と光透過性を両立させるために、10μm〜50μm程度とすることが好ましい。
The thickness of the
次に、誘電体層が2層構造になっているPDPについて、図3を用いて説明する。図3は、前面板における誘電体層が2層構造になっているPDPの断面図であり、誘電体層6に代えて、第1誘電体層15、第2誘電体層16の2層構造の誘電体層が用いられている以外は、図2のPDPと同様である(同じ部材(膜)については同じ符号を付し、説明を省略する)。
Next, a PDP having a two-layer dielectric layer will be described with reference to FIG. FIG. 3 is a cross-sectional view of a PDP in which the dielectric layer on the front plate has a two-layer structure. Instead of the
図3に示すように、第1誘電体層15は、表示電極5を被覆し、第2誘電体層16は、第1誘電体層15を被覆するように配設される。このように誘電体層が2層構造の場合、第2誘電体層16に含まれるガラス組成物を本発明のガラス組成物とし、第1誘電体層15は、アルカリ金属元素を実質的に含まない層とすることが好ましい。表示電極5に直接接触している第1誘電体層15は、アルカリ金属元素を実質的に含まないため、少なくとも第1誘電体層15については、AgやCuのコロイド析出による黄変、耐圧低下を防止できる。また、第1誘電体層15でAgやCuのイオンの拡散を抑制しているため、第2誘電体層16についても変色したり、耐電圧が低下したりすることを抑制できる。
As shown in FIG. 3, the first dielectric layer 15 covers the
本発明のガラス組成物によれば、比誘電率が6.5以下であるガラス組成物を提供できる。このガラス組成物を第2誘電体層16に用いれば、第1誘電体層15に多少誘電率の大きい材料を使用したとしても、全体として低誘電率の誘電体層が形成できる。従来のPb系ガラスやBi系ガラスの比誘電率が9〜13であることを考慮すると、上記のような2層構成としても消費電力は低減できる。
According to the glass composition of the present invention, a glass composition having a relative dielectric constant of 6.5 or less can be provided. If this glass composition is used for the
上記2層構造の誘電体層は、第1誘電体層15を形成した後に、第2誘電体層16用のガラス組成物を塗布し、焼成することによって形成することができるのだが、第1誘電体層15にガラス組成物を用いた場合には、第2誘電体層16に含まれるガラス組成物の軟化点よりも高い軟化点を有することが好ましい。
The dielectric layer having the two-layer structure can be formed by applying the glass composition for the
透明電極3およびバス電極4と第2誘電体層16との絶縁、および界面反応防止を確保するため、第1誘電体層15の膜厚は1μm以上とすることが好ましい。
In order to ensure insulation between the
また、絶縁性と透過率を両立させるためには、第1誘電体層15と第2誘電体層16とを合わせた膜厚を10μm〜50μm程度とすることが好ましい。
In order to achieve both insulation and transmittance, it is preferable that the total film thickness of the first dielectric layer 15 and the
(PDPの作製方法)
上記PDPの作製方法について、一例を挙げて説明する。まず、前面板1を作製する。平坦な前面ガラス基板2の一主面に、ITOまたは酸化スズからなる複数のライン状の透明電極3を形成する。引き続き、透明電極3上に銀ペーストを塗布した後、前面ガラス基板2全体を加熱することによって銀ペーストを焼成し、表示電極5を形成する。
(Production method of PDP)
A method for manufacturing the PDP will be described with an example. First, the
表示電極5を覆うように、前面ガラス基板2の上記主面に誘電体層6として本発明のガラス組成物を含むガラスペーストをブレードコーター法によって塗布する。その後、前面ガラス基板2全体を90℃で30分間保持してガラスペーストを乾燥させ、次いで580℃前後の温度で10分間焼成を行う。
A glass paste containing the glass composition of the present invention as a
誘電体層6上に酸化マグネシウム(MgO)を電子ビーム蒸着法によって成膜し、焼成を行い、誘電体保護層7を形成する。この時の焼成温度は500℃前後である。
A film of magnesium oxide (MgO) is formed on the
図3に示すように、誘電体層が2層構造になっているPDPの製造方法については、上記と同様、表示電極5を覆うように第1誘電体層15を形成し、この第1誘電体層15上に第2誘電体層16用のガラスペーストを塗布、乾燥、焼成して第2誘電体層16を形成する。
As shown in FIG. 3, in the method for manufacturing a PDP having a dielectric layer having a two-layer structure, a first dielectric layer 15 is formed so as to cover the
次に、背面板8を作製する。平坦な背面ガラス基板9の一主面に、銀ペーストをライン状に複数本塗布した後、背面ガラス基板9全体を加熱して銀ペーストを焼成することによってアドレス電極10を形成する。
Next, the
隣り合うアドレス電極10の間の誘電体層11上にガラスペーストを塗布し、背面ガラス基板9全体を加熱してガラスペーストを焼成することによって隔壁12を形成する。
A partition wall 12 is formed by applying a glass paste on the dielectric layer 11 between the
隣り合う隔壁12の間に、R、G、B各色の蛍光体インクを塗布し、背面ガラス基板9全体を約500℃に加熱して上記蛍光体インクを焼成することによって、蛍光体インク内の樹脂成分(バインダ)等を除去して蛍光体層13を形成する。
By applying phosphor inks of R, G, and B colors between adjacent barrier ribs 12 and heating the entire
こうして得た前面板1と背面板8とを封着ガラスを用いて貼り合わせる。この時の温度は500℃前後である。その後、封止された内部を高真空排気した後、希ガスを封入する。以上のようにしてPDPが得られる。
The
上述したPDPおよびその製造方法は一例であり、本発明はこれに限定されないが、上記のように誘電体層は、それ自体の焼成以外に、MgO層の焼成と、前面板と背面板の封着の際に、いずれも短時間ではあるが500℃程度の熱処理を経ることになる。その際、誘電体層のガラス転移点があまりに低いと、ガラス転移点を超えた温度域で熱膨張係数が大きくなるため、誘電体層にクラックが生じたり、剥離が生じたりして使用できない。発明者の検討によると、誘電体層に含まれるガラス組成物のガラス転移点は、465℃以上、さらには480℃以上が望ましい。 The above-mentioned PDP and its manufacturing method are merely examples, and the present invention is not limited to this. However, as described above, the dielectric layer is not only fired itself, but also firing of the MgO layer and sealing of the front plate and the back plate. At the time of wearing, heat treatment at about 500 ° C. is performed for a short time. At this time, if the glass transition point of the dielectric layer is too low, the coefficient of thermal expansion becomes large in the temperature range exceeding the glass transition point, so that the dielectric layer is cracked or peeled off and cannot be used. According to the inventors' investigation, the glass transition point of the glass composition contained in the dielectric layer is preferably 465 ° C. or higher, and more preferably 480 ° C. or higher.
なお、本発明を適用するPDPとしては、上記のような面放電型のものが代表的であるが、これに限定されるものではなく、対向放電型にも適用できる。また、AC型に限定されるものではなく、DC型のPDPであっても誘電体層を備えたものに対して適用することができる。 The PDP to which the present invention is applied is typically a surface discharge type as described above, but is not limited to this and can also be applied to a counter discharge type. Further, the present invention is not limited to the AC type, and can be applied to a DC type PDP having a dielectric layer.
本発明のガラス組成物は、PDPに限定されず、ガラス層形成の熱処理後に、再度500℃程度の高温熱処理を行う必要があるディスプレイパネルに有効に使用され得る。 The glass composition of the present invention is not limited to the PDP, and can be effectively used for a display panel that needs to be subjected to a high-temperature heat treatment at about 500 ° C. again after the heat treatment for forming the glass layer.
本発明のガラス組成物は、誘電体層によって被覆される電極がAgおよびCuから選ばれる少なくとも1種を含むディスプレイパネルに好適である。上記電極は、Agを主成分とするものであってもよい。 The glass composition of the present invention is suitable for a display panel in which the electrode covered with the dielectric layer contains at least one selected from Ag and Cu. The electrode may be mainly composed of Ag.
以下、実施例を用いて本発明をさらに詳細に説明する。 Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples.
(実施例1)
出発原料として、試薬特級以上の各種金属の酸化物または炭酸塩を用いた。これらの原料を、各元素の原子比が(表1)に示すようになるように秤量し、充分混合した後、白金坩堝に入れ、900〜1100℃の電気炉中で2時間溶融した。得られた融液を真鍮板にてプレスすることにより急冷し、ガラスカレットを作製した。このガラスカレットを粉砕し、マクロ型示差熱分析計を用いて、軟化点Tsと、結晶化発熱のピーク温度(=結晶化開始温度)Txを測定した。
Example 1
As starting materials, oxides or carbonates of various kinds of metals of reagent grade or better were used. These raw materials were weighed so that the atomic ratio of each element was as shown in (Table 1), mixed well, put into a platinum crucible, and melted in an electric furnace at 900 to 1100 ° C. for 2 hours. The obtained melt was quenched by pressing with a brass plate to produce a glass cullet. The glass cullet was pulverized, and the softening point Ts and the peak temperature of crystallization exotherm (= crystallization start temperature) Tx were measured using a macro type differential thermal analyzer.
次に、ガラスカレットを再溶融して4mm×4mm×20mmのガラスロッドを形成し、熱機械分析計を用いて、ガラス転移点Tgと熱膨張係数αを測定した。また、ガラスカレットを再溶融して20mm×20mm×1mmの板を形成し、その表面を鏡面研磨した後、電極を蒸着し、LCRメータを用いて、周波数1kHzにて比誘電率εを測定した。また、ガラスカレットを再溶融して、20mm×10mm×5mmのブロックを作製し、このブロックを80℃の熱水に24時間浸漬し、浸漬前後の重量変化より溶解した体積を算出し、この体積を浸漬前の試料の表面積で徐して、溶解した厚さ(=溶解量)△tを測定した。測定結果を(表1)に示す。なお、以下のすべての表において、ガラス転移点Tg、軟化点Ts、ピーク温度(=結晶化開始温度)Txの単位は℃、熱膨張係数αの単位は×10−7/℃、溶解量Δtの単位はμmである。 Next, the glass cullet was remelted to form a 4 mm × 4 mm × 20 mm glass rod, and the glass transition point Tg and the thermal expansion coefficient α were measured using a thermomechanical analyzer. Further, the glass cullet was remelted to form a 20 mm × 20 mm × 1 mm plate, the surface was mirror-polished, electrodes were deposited, and the relative dielectric constant ε was measured at a frequency of 1 kHz using an LCR meter. . Further, the glass cullet is remelted to prepare a block of 20 mm × 10 mm × 5 mm, this block is immersed in hot water at 80 ° C. for 24 hours, and the volume dissolved from the weight change before and after the immersion is calculated. Was dissolved by the surface area of the sample before immersion, and the dissolved thickness (= dissolved amount) Δt was measured. The measurement results are shown in (Table 1). In all the tables below, the unit of glass transition point Tg, softening point Ts, peak temperature (= crystallization start temperature) Tx is ° C., the unit of thermal expansion coefficient α is × 10 −7 / ° C., dissolution amount Δt The unit of is μm.
(表1)より明らかなように、BとKのみよりなる試料No.1は、比誘電率εが非常に低いが、ガラス転移点Tg、軟化点Tsとも低く、Ts−Tgは137℃である。また、耐水性は全くなく、完全に溶解した。この試料No.1に、Zn、Mg、Ca、Sr、Baをそれぞれ単独で添加していった試料No.2〜16では、添加に伴い、ガラス転移点Tg、軟化点Tsとも上昇し、Ts−Tgも小さくなり、耐水性も向上した。しかし、Zn添加でガラス転移点Tgを充分上げるには多量の添加が必要であり、このような多量の添加を行うと、試料No.4のように、結晶化開始温度Txが低下するという問題点があった(結晶化開始温度Txに関しては、微量の結晶の生成は、発熱ピークよりかなり低温で生じるため、結晶化開始温度Txと軟化点Tsの差が50℃以下では、焼成後のガラス層に少量の結晶が混入し、透過率が低下する危険性があり、実使用上では問題となる)。また、アルカリ土類添加では、比較的少量でガラス転移点Tg、軟化点Tsが上昇し、結晶化開始温度Txも高くなったが、Ts−Tgは120℃以上であり、また溶解量△tは100μmを越え、いずれも実使用において不安が残る結果となった。 As is clear from Table 1, sample No. consisting only of B and K No. 1 has a very low relative dielectric constant ε, but both the glass transition point Tg and the softening point Ts are low, and Ts−Tg is 137 ° C. Moreover, there was no water resistance and it melt | dissolved completely. This sample No. 1, sample No. 1 in which Zn, Mg, Ca, Sr, and Ba were added alone, respectively. In 2-16, with addition, both the glass transition point Tg and the softening point Ts increased, Ts-Tg also decreased, and the water resistance also improved. However, a large amount of addition is necessary to sufficiently increase the glass transition point Tg by addition of Zn. As shown in FIG. 4, there is a problem that the crystallization start temperature Tx is lowered (with respect to the crystallization start temperature Tx, since a very small amount of crystals are generated at a temperature considerably lower than the exothermic peak, If the difference in softening point Ts is 50 ° C. or less, there is a risk that a small amount of crystals are mixed in the glass layer after firing and the transmittance is lowered, which causes a problem in actual use). In addition, when the alkaline earth was added, the glass transition point Tg and softening point Ts increased and the crystallization start temperature Tx increased with a relatively small amount, but Ts−Tg was 120 ° C. or higher, and the dissolution amount Δt. Exceeded 100 μm, and both showed uneasy results in actual use.
これに対して、Znとアルカリ土類を併用した試料No.17〜23では、比誘電率εが6.0以下の範囲で、ガラス転移点Tg、軟化点Tsを適度な値とすることができ、結晶化の問題も無く、溶解量△tも20μm程度と少なかった。No.24ではB量が少なく、軟化点Tsが高くなった。 On the other hand, sample No. 1 using both Zn and alkaline earth. 17 to 23, the glass transition point Tg and the softening point Ts can be set to appropriate values in the range where the relative dielectric constant ε is 6.0 or less, there is no problem of crystallization, and the dissolution amount Δt is also about 20 μm. And there were few. No. In 24, the amount of B was small and the softening point Ts was high.
B量を多く、あるいは少なくした試料No.25〜31では、B量が88mol%を越えると、ガラス転移点Tgが低くなりすぎ、72mol%では、軟化点Tsが高くなりすぎた。No.17〜24の結果と併せて、B量は72mol%を越え、88mol%以下である必要があることがわかった。 Sample No. with more or less B In 25-31, when the amount of B exceeded 88 mol%, the glass transition point Tg was too low, and at 72 mol%, the softening point Ts was too high. No. Together with the results of 17 to 24, it was found that the amount of B needs to be over 72 mol% and 88 mol% or less.
Zn量を固定し、Ca量を増加させた試料No.32〜35では、Caが8mol%を越えると軟化点Tsが高く、比誘電率εも大きくなりすぎた。 Sample No. with fixed Zn content and increased Ca content. In 32 to 35, when Ca exceeded 8 mol%, the softening point Ts was high, and the relative dielectric constant ε was too large.
アルカリ土類の種類を変えた試料No.33と36〜38では、いずれも良好な結果を示したが、Caが最もガラス転移点Tgと軟化点Tsの差が小さく、比誘電率εも低く、良好であった。また、4種類のアルカリ土類を併用したNo.39では、平均的な特性が得られた。 Sample No. with different types of alkaline earth Both 33 and 36 to 38 showed good results, but Ca had the smallest difference between the glass transition point Tg and the softening point Ts, and the dielectric constant ε was also low and good. In addition, No. 4 used in combination with four alkaline earths. In 39, average characteristics were obtained.
(実施例2)
実施例1と同様の方法で、各金属元素の原子比が(表2)となるガラスカレットおよびガラスロッドを作成し、実施例1と同様の方法で、ガラス転移点Tg、軟化点Ts、結晶化開始温度Tx、熱膨張係数α、比誘電率ε、溶解量△tを測定した。全ての試料で結晶化開始温度Txは700℃を越え、溶解量△tは20μm未満であったので、それ以外の測定結果を(表2)に示す。
(Example 2)
A glass cullet and a glass rod in which the atomic ratio of each metal element is (Table 2) are prepared in the same manner as in Example 1, and the glass transition point Tg, softening point Ts, crystal are produced in the same manner as in Example 1. The initiation temperature Tx, thermal expansion coefficient α, relative dielectric constant ε, and dissolution amount Δt were measured. In all samples, the crystallization start temperature Tx exceeded 700 ° C., and the dissolution amount Δt was less than 20 μm. The other measurement results are shown in Table 2.
K量を増やし、B量を減少させていったNo.41〜45では、K量が少ない時に軟化点Tsが高くなりすぎ、K量が多いときに比誘電率εが高くなった。 No. which increased K amount and decreased B amount. In 41 to 45, the softening point Ts was too high when the K amount was small, and the relative dielectric constant ε was high when the K amount was large.
KをNaやLiに置き換え、6原子%または16原子%とした試料No.46〜49では、同一添加量において、軟化点TsはLi<Na<Kとなり、熱膨張係数αはLi<Na<Kとなり、比誘電率εはLi>Na>Kとなったが、大きな差は見られなかった。また、Li、Na、Kを併用した試料No.50では、平均的な特性となった。従って、Li+Na+K量は6原子%以上16原子%以下が望ましい。 Sample No. 8 was replaced by Na or Li to make 6 atomic% or 16 atomic%. In 46 to 49, at the same addition amount, the softening point Ts was Li <Na <K, the thermal expansion coefficient α was Li <Na <K, and the relative dielectric constant ε was Li> Na> K. Was not seen. In addition, sample No. using Li, Na, and K together. In 50, it became an average characteristic. Therefore, the amount of Li + Na + K is desirably 6 atomic% or more and 16 atomic% or less.
他の成分に対してSi量を増加させていった試料No.51〜56では、添加量増加に伴い、軟化点Tsが上昇した。従って、Siは12原子%以下であることが必要であり、より望ましくは10原子%以下、さらに望ましくは5原子%以下であることが必要である。 Sample No. which had increased Si amount with respect to other components. In 51-56, the softening point Ts rose with the addition amount increase. Therefore, Si needs to be 12 atomic% or less, more desirably 10 atomic% or less, and further desirably 5 atomic% or less.
発明者は、上記実施例1、2に示した以外にも種々の組成の組み合わせを検討したが、いずれの場合にも、72原子%<B≦88原子%、6原子%≦Li+Na+K≦16原子%、1原子%≦Mg+Ca+Sr+Ba≦8原子%、0原子%≦Si≦12原子%、2原子%<Zn≦18原子%の範囲で組成を調整することによって、6.5以下の比誘電率、465℃以上のガラス転移点、595℃以下の軟化点、60×10−7〜90×10−7/℃の熱膨張係数を併せ持ち、溶解厚さが100μm以下の良好な特性のガラスを得ることが可能であった。また、Zn量を7原子%以上、より望ましくは7.5原子%以上とすることによって、ガラス転移点を480℃以上とすることが可能であった。
The inventor examined combinations of various compositions other than those shown in Examples 1 and 2 above, but in any case, 72 atomic% <B ≦ 88 atomic%, 6 atomic% ≦ Li + Na + K ≦ 16 atoms. %, 1 atomic% ≦ Mg + Ca + Sr + Ba ≦ 8 atomic%, 0 atomic% ≦ Si ≦ 12 atomic%, 2 atomic% <Zn ≦ 18 atomic%, by adjusting the composition, a relative dielectric constant of 6.5 or less, A glass having a glass transition point of 465 ° C. or more, a softening point of 595 ° C. or less, a thermal expansion coefficient of 60 × 10 −7 to 90 × 10 −7 / ° C., and a glass having good characteristics with a melt thickness of 100 μm or less. Was possible. Moreover, it was possible to make a glass transition point 480 degreeC or more by making
(実施例3)
実施例1と同様の方法で、B:K:Ca:Zn=80.5:10:2:7.5の原子比となるように、各種原料粉末を混合して白金坩堝に入れ、電気炉中1150℃で2時間溶融した後、ツインローラー法によってガラスカレットを作製した。このガラスカレットを、乾式ボールミルによって粉砕して粉末を作製した。得られたガラス粉末の平均粒径は5μm程度であった。本ガラスの比誘電率は5.7、ガラス転移点は485℃、軟化点は582℃、熱膨張係数は72×10−7/℃であった。
(Example 3)
In the same manner as in Example 1, various raw material powders were mixed and placed in a platinum crucible so that the atomic ratio of B: K: Ca: Zn = 80.5: 10: 2: 7.5 was obtained. After melting at 1150 ° C. for 2 hours, a glass cullet was produced by a twin roller method. The glass cullet was pulverized by a dry ball mill to produce a powder. The average particle size of the obtained glass powder was about 5 μm. The relative dielectric constant of the present glass was 5.7, the glass transition point was 485 ° C., the softening point was 582 ° C., and the thermal expansion coefficient was 72 × 10 −7 / ° C.
この粉末に、バインダとしてエチルセルロースを、溶剤としてα−ターピネオールを加え、3本ロールにて混合してガラスペーストとした。 To this powder, ethyl cellulose as a binder and α-terpineol as a solvent were added and mixed with three rolls to obtain a glass paste.
次に、厚さ約2.8mmの平坦なソーダライムガラスからなる前面ガラス基板の面上に、ITO(透明電極)の材料を所定のパターンで塗布し、乾燥した。次いで、銀粉末と有機ビヒクルとの混合物である銀ペーストをライン状に複数本塗布した後、上記前面ガラス基板を加熱することにより、上記銀ペーストを焼成して表示電極を形成した。 Next, an ITO (transparent electrode) material was applied in a predetermined pattern on the surface of a front glass substrate made of flat soda-lime glass having a thickness of about 2.8 mm and dried. Next, a plurality of silver pastes, which are a mixture of silver powder and an organic vehicle, were applied in a line shape, and then the front glass substrate was heated, whereby the silver paste was baked to form display electrodes.
表示電極を作製した前面ガラス基板に、上述したガラスペーストをブレードコーター法を用いて塗布した。その後、上記前面ガラス基板を90℃で30分間保持してガラスペーストを乾燥させ、585℃の温度で10分間焼成することによって、厚さ約30μmの誘電体層を形成した。 The glass paste mentioned above was apply | coated to the front glass substrate which produced the display electrode using the blade coater method. Thereafter, the front glass substrate was held at 90 ° C. for 30 minutes to dry the glass paste, and baked at a temperature of 585 ° C. for 10 minutes to form a dielectric layer having a thickness of about 30 μm.
上記誘電体層上に酸化マグネシウム(MgO)を電子ビーム蒸着法によって蒸着した後、500℃で焼成することによって保護層を形成した。 Magnesium oxide (MgO) was deposited on the dielectric layer by an electron beam deposition method, and then baked at 500 ° C. to form a protective layer.
一方、以下の方法で背面板を作製した。まず、ソーダライムガラスからなる背面ガラス基板上にスクリーン印刷によって銀を主体とするアドレス電極をストライプ状に形成し、引き続き、前面板と同様の方法で、厚さ約8μmの誘電体層を形成した。 On the other hand, a back plate was produced by the following method. First, an address electrode mainly composed of silver was formed in a stripe shape on a rear glass substrate made of soda lime glass by screen printing, and then a dielectric layer having a thickness of about 8 μm was formed in the same manner as the front plate. .
次に、誘電体層上に、隣り合うアドレス電極の間に、ガラスペーストを用いて隔壁を形成した。隔壁は、スクリーン印刷および焼成を繰り返すことによって形成した。 Next, partition walls were formed on the dielectric layer using glass paste between adjacent address electrodes. The partition was formed by repeating screen printing and baking.
引き続き、隔壁の壁面と隔壁間で露出している誘電体層の表面に、赤(R)、緑(G)、青(B)の蛍光体ペーストを塗布し、乾燥および焼成して蛍光体層を作製した。蛍光体としては上述した材料を用いた。 Subsequently, the phosphor layer of red (R), green (G), and blue (B) is applied to the surface of the dielectric layer exposed between the wall surfaces of the barrier ribs and the barrier ribs, and then dried and fired to phosphor layer Was made. The materials described above were used as the phosphor.
作製した前面板、背面板をBi−Zn−B−Si−O系の封着ガラスを用いて500℃で貼り合わせた。そして、放電空間の内部を高真空(1×10−4Pa)程度に排気した後、所定の圧力となるようにNe−Xe系放電ガスを封入した。このようにして、PDPを作製した。 The produced front plate and back plate were bonded at 500 ° C. using a Bi—Zn—B—Si—O-based sealing glass. Then, after the inside of the discharge space was evacuated to a high vacuum (1 × 10 −4 Pa), Ne—Xe-based discharge gas was sealed so as to have a predetermined pressure. In this way, a PDP was produced.
作製したパネルは、特に誘電体層に欠陥を生じることもなく、問題なく動作することが確認できた。 It was confirmed that the fabricated panel operated without any problem without causing any defects in the dielectric layer.
(実施例4)
実施例3と同様に、第2誘電体層用に、B−K−Ca−Zn−O系ガラスペーストを準備した。また別途、第1誘電体層用に、Biを含み、アルカリ金属を実質的に含まない、比誘電率が11で軟化点が587℃の、Bi−Zn−B−Ca−Si−O系ガラスペーストを準備した。
Example 4
Similarly to Example 3, a BK—Ca—Zn—O-based glass paste was prepared for the second dielectric layer. Separately, for the first dielectric layer, Bi—Zn—B—Ca—Si—O-based glass containing Bi, substantially free of alkali metal, having a relative dielectric constant of 11 and a softening point of 587 ° C. A paste was prepared.
これらのペーストを用いて、実施例3と同様の方法で、前面板の誘電体層が、電極を直接覆う第1誘電体層と、この第1誘電体層の上に形成される第2誘電体層の、2層構造となるPDPパネルを作成した。なお、第1誘電体層は、590℃で焼成して厚さ約10μm、第2誘電体層は、580℃で焼成して厚さ約20μmとした。 Using these pastes, in the same manner as in Example 3, the dielectric layer of the front plate directly covers the electrodes, and the second dielectric formed on the first dielectric layer. A PDP panel having a two-layer structure of body layers was prepared. The first dielectric layer was fired at 590 ° C. to a thickness of about 10 μm, and the second dielectric layer was fired at 580 ° C. to a thickness of about 20 μm.
作製したパネルは、特に誘電体層に欠陥を生じることもなく、問題なく動作することが確認できた。 It was confirmed that the fabricated panel operated without any problem without causing any defects in the dielectric layer.
本発明は、電極用絶縁被覆ガラス、特にプラズマディスプレイパネルの表示電極やアドレス電極を被覆するための誘電体層の形成に好適に適用できる。 The present invention can be suitably applied to the formation of a dielectric layer for covering insulating coating glass for electrodes, particularly display electrodes and address electrodes of plasma display panels.
1 前面板
2 前面ガラス基板
3 透明電極
4 バス電極
5 表示電極
6 誘電体層
7 誘電体保護層
8 背面板
9 背面ガラス基板
10 アドレス電極
11 誘電体層
12 隔壁
13 蛍光体層
14 放電空間
15 第1誘電体層
16 第2誘電体層
DESCRIPTION OF
Claims (6)
72原子%<硼素(B)≦88原子%
6原子%≦R≦16原子%
1原子%≦M≦8原子%
0原子%≦珪素(Si)≦12原子%
2原子%<亜鉛(Zn)≦18原子%
(ここで、RはLi、Na、Kより選ばれた1種類以上であり、MはMg、Ca、Sr、Baより選ばれた1種類以上)であることを特徴とするガラス組成物。 It is an oxide glass, and the ratio of elements excluding oxygen (O) among the contained elements is
72 atomic% <boron (B) ≤ 88 atomic%
6 atomic% ≤ R ≤ 16 atomic%
1 atomic% ≦ M ≦ 8 atomic%
0 atomic% ≤ silicon (Si) ≤ 12 atomic%
2 atom% <zinc (Zn) ≤ 18 atom%
(Wherein R is one or more selected from Li, Na and K, and M is one or more selected from Mg, Ca, Sr and Ba).
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