JP2007180530A - 多層配線板および金属接合接着剤 - Google Patents

Abstract

【課題】高温の熱履歴に対しても信頼性の高い層間接合部またはそれを有する多層配線板を提供する。
【解決手段】導体回路と、絶縁層と、前記絶縁層を貫通し前記導体回路上に形成された複数の導体ポストと、前記導体ポスト上面に前記絶縁層を突出して形成された半田層とを有する接続層と、前記半田層と相対する位置に層間接続用ランドを有する被接続層とを、金属接合接着剤層を介して、前記半田層が前記金属接合接着剤層と接触するように貼り合わせた後、加熱加圧して圧着し、前記導体ポストと前記層間接続用ランドとを金属接合して製造する多層配線板において、上記金属接合接着剤層として、シリカフィラーを２０重量％以上８０重量％以下含み、前記シリカフィラーの平均粒径が１０ｎｍ以上３μｍ以下であり、かつ、前記導体ポストと前記層間接続用ランドの金属接合時の温度において、１ｍＰａ・ｓ以上１０Ｐａ・ｓ以下の粘度を有する金属接合接着剤を用いる。
【選択図】 図１

Description

本発明は、半導体チップを搭載する多層配線板および金属接合接着剤に関するものである。

近年の電子機器の高機能化および軽薄短小化の要求に伴い、電子部品の高密度集積化、さらには高密度実装化が進んできており、これらの電子機器に使用される半導体パッケージは、従来にも増して益々小型化かつ多ピン化が進んできている。

従来の回路基板はプリント配線板と呼ばれ、ガラス繊維の織布にエポキシ樹脂を含浸させた積層板からなるガラスエポキシ板に貼り付けられた銅箔をパターニング後、複数枚重ねて積層接着し、ドリルで貫通穴を開けて、この穴の壁面に銅メッキを行ってビアを形成し層間の電気接続を行った配線基板の使用が主流であった。しかし、搭載部品の小型化、高密度化が進み、上記の配線基板では配線密度が不足して、部品の搭載に問題が生じるようになってきている。このような中、更なる小型、軽量化、多ピン化および高速信号伝送を実現させるために、配線の高密度化、ビアの小径化とともに、層間絶縁層の薄膜化が求められており、従来のビルドアップ法のような逐次積層法に代わる、新たな層間接続方式を用いた多層配線板が提案されている。

このような中で、層間接続用のランドを有する配線パターンと、配線パターンとの層間接続用のランドを有する被接続体の、いずれかのランド上に導体ポストが形成され、少なくとも、導体ポストの先端表面または相対するランドの表面に金属層が形成され、導体ポストと相対するランドとを、接着剤層を介して、密着・加圧・加熱の工程を経て、金属接合させた層間接合部を有する多層配線板（例えば、特許文献１参照。）が提案されている。
ＷＯ２００２／０７６１６１号公報（第７−１２頁、第１図）

しかしながら、従来の技術においては、金属接合によって得られる層間接合部に形成される金属接合接着剤層と被接続層の界面は、金属接合接着剤層を硬化させる工程や実装工程におけるリフローなどによる高温の熱履歴が与えられると、導体ポスト周辺を起点としたボイドを発生し、このようなボイドが成長することにより、金属接合接着剤層と被接続層の界面の剥離を生じ、層間接続信頼性の低い多層配線板が得られる問題があった。

本発明は、多層配線板における、層間接続のこのような現状の問題点に鑑み、高温の熱履歴に対しても層間接続信頼性の高い多層配線板を提供することを目的とする。

本発明者らは、ボイドの発生とその成長が、高温の熱履歴が与えられることによる、金属接合接着剤層の硬化にともなう硬化収縮と冷却にともなう熱収縮に起因するものであることをつきとめ、導体ポスト周辺を起点としたボイドの発生と成長を抑制し、金属接合接着剤層と被接続層の界面の剥離を防止するためには、金属接合接着剤にシリカフィラーを添加することが有効であることを見出した。しかしながら、従来の金属接合接着剤層にシリカフィラーを添加するだけでは、導体ポストと層間接続用ランドを金属接合する時の温度において、金属接合接着剤の粘度が高いため、金属接合が十分に行われない。そこで、金属接合接着剤中の樹脂組成物の粘度を低下させることにより、金属接合接着剤の粘度を
低下させ、ボイドの発生、成長の抑制と金属接合を両立し、本発明を完成するに至った。

前記の目的は、下記［１］から[１３]に記載の本発明により達成される。
［１］ 導体回路と、絶縁層と、前記絶縁層を貫通して前記導体回路上に形成された複数の導体ポストと、前記導体ポスト上面に前記絶縁層を突出して形成された半田層とを有する接続層と、前記半田層と相対する位置に層間接続用ランドを有する被接続層とを、表面清浄化機能を有する金属接合接着剤層を介して、前記半田層が前記金属接合接着剤層と接触するように貼り合わせた後、加熱および加圧して圧着し、前記導体ポストと前記層間接続用ランドとを金属接合して、製造する多層配線板において、前記金属接合接着剤層として、シリカフィラーを２０重量％以上、８０重量％以下含み、前記シリカフィラーの平均粒径が１０ｎｍ以上、３μｍ以下であり、かつ、前記導体ポストと前記層間接続用ランドを金属接合する時の温度において、１ｍＰａ・ｓ以上、１０Ｐａ・ｓ以下の粘度を有する金属接合接着剤を用いることを特徴とする多層配線板。
［２］ 前記金属接合接着剤が、フェノール性ヒドロキシル基を有する固形の樹脂（Ａ）、該樹脂の硬化剤であり少なくとも一種が液状の樹脂（Ｂ）、および熱可塑性樹脂（Ｃ）を含有することを特徴とする［１］記載の多層配線板。
［３］ 前記フェノール性ヒドロキシル基を有する固形の樹脂（Ａ）が、フェノールノボラック樹脂、アルキルフェノールノボラック樹脂、多価フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、レゾール樹脂またはポリビニルフェノール樹脂であることを特徴とする［１］または［２］に記載の多層配線板。
［４］ 前記多価フェノールノボラック樹脂が、カテコール、レゾルシン、ハイドロキノン、ヒドロキシハイドロキノンまたはピロガロールよりなることを特徴とする［１］から［３］のいずれかに記載の多層配線板。
［５］ 前記少なくとも一種が液状の樹脂（Ｂ）が、エポキシ化合物またはイソシアネート化合物であることを特徴とする［１］から［４］のいずれかに記載の多層配線板。
［６］ 前記熱可塑性樹脂（Ｃ）が、４０℃〜１５０℃のガラス転移温度を有することを特徴とする［１］から［５］のいずれかに記載の多層配線板。
［７］ 前記熱可塑性樹脂（Ｃ）が、フェノキシ樹脂または、ポリビニルブチラール樹脂であることを特徴とする［１］から［６］のいずれかに記載の多層配線板。
［８］ 前記熱可塑性樹脂（Ｃ）が、金属接合接着剤全体に対して５重量％以上５０重量％以下含まれることを特徴とする［１］から［７］のいずれかに記載の多層配線板。
［９］ 前記金属接合接着剤が、硬化性酸化防止剤（Ｄ）を含有することを特徴とする［１］から［８］のいずれかに記載の多層配線板。
［１０］ 前記硬化性酸化防止剤（Ｄ）が、ベンジリデン構造を有する化合物であることを特徴とする［９］記載の多層配線板。
［１１］ ベンジリデン構造を有する化合物が、一般式（１）で表される化合物であることを特徴とする［１０］記載の多層配線板。

（ただし、式中、Ｒ_１、Ｒ_３及びＲ_５は、それぞれ独立して、水素、ヒドロキシル基またはカルボキシル基であり、Ｒ_２及びＲ_４は、それぞれ独立して、水素またはアルキル基であり、Ｒ_６及びＲ_７は、それぞれ独立して、水素、メチル基、ヒドロキシフェニル基またはカルボキシフェニル基である。）

［１２］ 前記金属接合接着剤が、半田の融点温度において、ゲル化時間が１〜６０分で
あることを特徴とする［１］から［１１］のいずれかに記載の多層配線板。
［１３］ ［１］から［１２］のいずれかに記載の多層配線板に用いることを特徴とする金属接合接着剤。

本発明により、高温の熱履歴に対しても信頼性の高い層間接合部またはそれを有する多層配線板を提供することができる。

以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明するが、本発明はこれによって何ら限定されるものではない。図１は、本発明の実施形態である多層配線板の製造方法の例を説明するための図で、図１（ｈ）は得られる多層配線板の構造を示す断面図である。

本発明における多層配線板について、添付図面に従って説明する。本発明の多層配線板としては、まず、金属層１０１と絶縁層１０２からなる２層構造体を用意し、前記１０２にビア１０３を形成する（第１図（ａ））。２層構造体は、金属層１０１上に、樹脂ワニスを、印刷、カーテンコート、バーコートなどの方法で、直接塗布することにより得ることができる。さらには、市販の樹脂付銅箔（例えば、ポリイミド付銅箔）のような２層構造体を用意しても良い。また、２層構造体は、ガラスエポキシ両面銅張積層板の一方の銅箔を全面エッチングして得ることもできる。

ビア１０３の形成方法としては、この製造方法に適する方法であればどのような方法でも良く、レーザー、プラズマによるドライエッチング、ケミカルエッチングなどが挙げられる。前記レーザーとしては、炭酸ガスレーザー、紫外線レーザー、エキシマレーザーなどを使用することができる。絶縁層１０２が、ガラスエポキシのように補強繊維を含む場合には、樹脂とガラスクロスを貫通して、ビア１０３を形成することができる炭酸ガスレーザーを使用することが好ましい。絶縁層１０２が、ポリイミドなどの補強繊維を含まない場合には、より微細なビア１０３を形成できる紫外線レーザーを使用することが好ましい。また、絶縁層１０２を、感光性樹脂とした場合には、絶縁層１０２を選択的に感光し、現像することで、ビア１０３を形成することもできる。

次に、金属層１０１を電解めっき用リード（給電用電極）として、電解めっきにより、導体ポスト１０４をビア１０３に形成し、続いて、導体ポスト１０４の先端表面に、絶縁層１０２を突出して半田層１０５を形成する（第１図（ｂ））。
導体ポストの形成方法としては、電解めっきにより導体ポスト１０４を形成すれば、導体ポスト１０４の先端の形状を自由に制御することができ、導体ポストの高さは、絶縁層１０２の表層面と同じか、もしくは、表層面より突出していることが望ましい。表層面より導体ポストを突出させることで、導体ポスト先端に形成された半田が溶融し、補強構造を形成した半田接合が得られる。導体ポスト１０４の材質としては、例えば、銅、ニッケル、金、錫、銀、パラジウムなどが挙げられる。さらには、銅を用いることで、低抵抗で安定した導体ポスト１０４が得られる。

半田層１０５の形成方法としては、無電解めっきにより形成する方法、金属層１０１を電解めっき用リード（給電用電極）として電解めっきにより形成する方法、半田を含有するペーストを印刷する方法などが挙げられる。印刷による方法では、印刷用マスクを導体ポスト１０４に対して精度良く位置合せする必要があるが、無電解めっきや電解めっきによる方法では、導体ポスト１０４の先端表面以外に、半田層１０５が形成されることがないため、導体ポスト１０４の微細化・高密度化にも対応しやすい。特に、電解めっきによる方法では、無電解めっきによる方法よりも、めっき可能な金属が多様多種であり、また、薬液の管理も容易であるため、非常に好適である。

また、形成される半田層の厚みとしては、加熱して半田を溶融する際に、凸形状、より好ましくはドーム形状、雫状の形状を形成するのに必要な量となる厚みで形成されていれば良い。
半田層１０５の材質としては、ＳｎやＩｎ、もしくはＳｎ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｂｉ、Ｐｄ、Ｓｂ、Ｐｂ、Ｉｎ、Ａｕの少なくとも二種からなる半田を使用することが好ましい。より好ましくは、環境に優しいＰｂフリー半田である。

次に、金属層１０１を選択的にエッチングすることにより、導体回路１０６を形成して、接続層１１０を得る（第１図（ｃ））。
次に、接続層１１０の絶縁層１０２の表面に、金属接合接着剤層１０８を形成する（第１図（ｄ））。
金属接合接着剤層１０８の形成方法としては、使用する接着剤に応じて適した方法で良く、接着剤ワニスを、印刷、カーテンコート、バーコートなどの方法で直接塗布したり、ドライフィルムタイプの接着剤を、真空ラミネート、真空プレスなどの方法で積層したりする方法などが挙げられる。この時、ドライフィルムの形成方法としては、例えば、接着剤ワニスを、ポリエチレンテレフタレートフィルムなどの基材上に塗布し乾燥させる方法が挙げられるが、ドライフィルムを提供できるのであれば、その方法は何ら制限するところではない。

金属接合接着剤層１０８は、金属の表面清浄化機能と接着機能の２機能を有することが、より好ましい。前者は半田接合を実現するために重要な機能であり、後者は接続層１１０と被接続層１２０とを接着するために重要な機能である。なお、第１図に示す例では、絶縁層１０２の表面に金属接合接着剤層１０８を形成する例を示したが、少なくとも半田層が、接着剤層と接触していれば良い。半田が接着剤層と接触していることで、半田溶融時に接着剤層中で溶融して、凸形状を形成することができる。また、金属接合接着剤層１０８形成時における接着剤層の厚みが、少なくとも半田溶融時の凸形状頂点部と、相対する層間接続用ランドとが、非接触を保てる厚みより厚く形成されると良い。

ここで、被接続層１２０は、層間接続用ランドを有するものであれば、どのような構造でも構わないが、図１では、接続される接続層１１０の導体ポスト１０４と接続するための層間接続用ランド１０７と、層間接続用ランド１０７を支える基材１０９から構成された例を示している。層間接続用ランド１０７は、図１に示すように、基材１０９と一方の面を接して基材１２０表面から突出していても良いし、一方の面を露出するように基材１０９に埋め込まれていても良い（図示無し）。層間接続用ランド１０７の材質としては、半田層１０５と金属接合可能な金属であればどのようなものでもよいが、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｓｎ、Ａｇ、Ｐｄなどが挙げられ、特に銅を用いることで、低抵抗で安定した層間接続用ランド１０７が得られる。

次に、接続層１１０の半田層１０５と被接続層１２０の層間接続用ランド１０７が相対するように位置合わせする（第１図（ｅ））。
接続層と被接続層との位置合わせ方法としては、接続層１１０および被接続層１２０に、予め形成されている位置決めマークを、画像認識装置により読み取り、位置合わせする方法、位置合わせ用のピンなどで位置合わせする方法などを用いることができる。

次に、金属接合接着剤層１０８を介して、接続層１１０と被接続層１２０とを、それぞれが有する半田層１０５および層間接続用ランド１０７が、金属接合接着剤層１０８と接触するように貼り合わせる（第１図（ｆ））。
接続層の半田層および被接続層の層間接続用ランドと接着剤層とを接触させる方法としては、例えば、真空プレスまたは加圧式真空ラミネーターを用いて、加熱・加圧すること
により、金属接合接着剤層１０８を軟化させる方法が挙げられる。上記工程においては、少なくとも半田層と層間接続用ランドが空気に接触せずまたは接着剤層と接触していると良く、また、半田層１０５と層間接続用ランド１０７とは非接触を保たれていると良い。

次いで、接続層１１０と被接続層１２０とを、半田層１０５を形成する半田の融点以上の温度に加熱し半田を溶融させた後、加圧して圧着し、半田層１０５が導体ポスト１０４および層間接続用ランド１０７を形成する金属により、合金層となるまで圧力を保持する（第１図（ｇ、ｈ））。
接続層と被接続層との加熱、加圧工程においては、例えば、真空プレスを用いて、半田層１０５が、その半田の融点温度以上にまで加熱されたとき、金属接合接着剤層１０８（好ましくは表面清浄化機能を有する接着剤）により、半田層１０５の表面の酸化膜が還元されて溶融し、溶融半田の表面張力により、金属接合接着剤層１０８内で、半田層１０５が、凸形状を形成する。金属接合接着剤層１０８は、半田の融点以上の温度での加熱に伴って粘度が低下していくが、軟化した接着剤層中で半田層を溶融することで、より凸形状を形成させると共に半田接合を容易にする。更に加熱して金属接合接着剤層１０８を硬化させて、接続層１１０と被接続層１２０とを接着して、多層配線板１３０を得ることができる。

本発明に用いる表面清浄化機能を有する、金属接合接着剤は、シリカフィラーを２０重量％以上、８０重量％以下含むことが好ましい。２０重量％未満であると、高温の熱履歴が与えられた際、金属接合接着剤層の硬化にともなう硬化収縮と冷却にともなう熱収縮により、導体ポスト周辺を起点としたボイドを発生し、成長する恐れがある。８０重量％より多いと、導体ポストと層間接続用ランドを金属接合する時の温度において、金属接合接着剤の流動性が低下し、半田層が被接続層表面に接触することができないため、金属接合が十分に行われない恐れがある。また、金属接合をより確実に行うためには、シリカフィラーは、好ましくは、６０重量％以下である。

本発明に用いる表面清浄化機能を有する、金属接合接着剤に含まれるシリカフィラーの平均粒径は１０ｎｍ以上、３μｍ以下であることが好ましい。シリカフィラーの平均粒径が１０ｎｍ未満であると、導体ポストと層間接続用ランドを金属接合する時の温度において、金属接合接着剤の流動性が低下し、半田層が被接続層表面に接触することができないため、金属接合が十分に行われない恐れがある。３μｍより大きいと、半田層と被接続層との間にシリカフィラーが噛んで、半田層が被接続層表面に濡れ拡がるのを妨げるため、十分な金属接合の強度が得られない恐れがある。また、金属接合をより確実に行うためには、シリカフィラーの平均粒径は、好ましくは、１００ｎｍ以上である。

本発明に用いる表面清浄化機能を有する、金属接合接着剤は、導体ポストと層間接続用ランドを金属接合する時の温度において、１０Ｐａ・ｓ以下の粘度を有することを特徴としている。表面清浄化機能としては、半田層表面や被接続層表面に存在する酸化膜を還元し、除去する機能である。この金属接合接着剤の表面清浄化機能により、半田層と被接続層表面との濡れ性が十分に高まり、半田層が、被接合層表面に対して濡れ拡がろうとする力が働き、金属接合部において金属接合接着剤が排除される。金属接合接着剤が十分に排除されるためには、金属接合する時の温度において、金属接合接着剤が、１０Ｐａ・ｓ以下の粘度になることが非常に重要となる。金属接合接着剤の粘度が、１０Ｐａ・ｓより大きい場合には、金属接合接着剤の流動性が低下し、半田層が被接続層表面に接触することができないため、金属接合が十分に行われない恐れがある。また、半田層が被接続層表面に接触したとしても、金属接合接着剤を排除することができないため、十分な金属接合の強度が得られない恐れがある。１ｍＰａ・ｓ未満であると、プレスなどによる成形時に該金属接合接着剤が周辺部に流れ出したり、ボイドなどの成形不良が発生しやすくなったりして、層間の接着剤としての機能を果たさなくなってしまう恐れがある。また、金属接合
をより確実に行うためには、金属接合する時の温度において、金属接合接着剤の粘度は、好ましくは、１Ｐａ・ｓ以下である。

本発明に用いる金属接合接着剤は、フェノール性ヒドロキシル基を有する固形の樹脂（Ａ）、該樹脂の硬化剤であり少なくとも一種は液状である樹脂（Ｂ）および熱可塑性樹脂（Ｃ）を含有して構成することができる。

本発明に用いるフェノール性ヒドロキシル基を有する固形の樹脂（Ａ）に、特に制限はないが、例えば、フェノールノボラック樹脂、アルキルフェノールノボラック樹脂、多価フェノールノボラック樹脂、レゾール樹脂、ポリビニルフェノール樹脂などが好適に用いることができる。これらのうち、多価フェノールノボラック樹脂は、１個のベンゼン環に２個以上のフェノール性ヒドロキシル基を有するので、単官能のフェノールノボラック樹脂に比べて、半田接合のフラックスとして、より飛躍的に向上した性能を有する。

これらフェノールノボラック樹脂、アルキルフェノールノボラック樹脂および多価フェノールノボラック樹脂は、フェノール、アルキルフェノールおよび多価フェノールを、酸性触媒を用いてホルムアルデヒドと縮合反応することにより得ることができる。

前記アルキルフェノールノボラック樹脂に用いられるアルキルフェノールには、例えば、クレゾール、キシレノールなどのアルキル置換フェノールの他に、４，４’−イソプロピリデンジフェノール（ビスフェノールＡ）や、４，４’−シクロヘキシリデンジフェノールなどの、アルキリデン基やシクロアルキリデン基にヒドロキシフェニル基が結合した化合物も含まれる。
前記多価フェノールノボラック樹脂に用いられる多価フェノールとしては、例えば、カテコール、レゾルシン、ハイドロキノン、ヒドロキシハイドロキノン、ピロガロールなどを挙げることができる。これらの中で、カテコールおよびレゾルシンを特に好適に用いることができる。
本発明に用いるフェノールアラルキル樹脂は、例えば、α，α’−ジメトキシ−ｐ−キシレンとフェノールを、酸性触媒を用いて脱メタノール反応することにより得ることができる。
本発明に用いるレゾール樹脂は、フェノールとホルムアルデヒドを、アルカリ性触媒を用いて反応させることにより得ることができる。

本発明に用いるフェノール性ヒドロキシル基を有する固形の樹脂（Ａ）は、軟化点が３０〜１５０℃であることが好ましく、４０〜１１０℃であることがより好ましい。軟化点が前記下限未満である樹脂は、分子量が低く、半田接合前または半田接合中に揮発してフラックス作用を失ったり、ボイド発生による接合不良を引き起こしたりして、半田接合を阻害する恐れがある。また、低分子量の樹脂は、半田接合部を補強する樹脂硬化物として必要な十分な物性が得られない恐れがある。樹脂の軟化点が前記上限を超えると、加熱加圧下の半田接合時における金属接合接着剤の流動性が低下し、半田と対する電極の金属との接触を阻害したり、半田接合時における半田の金属表面へ濡れ広がりを阻害したりして、半田接合性が不良となる恐れがある。軟化点が前記範囲内にある樹脂は、半田接合時の半田接合温度で金属接合接着剤としての十分な流動性が得られ、安定した半田接合性を確保することができる。

本発明において、フェノール性ヒドロキシル基を有する固形の樹脂（Ａ）は、重量平均分子量が２０，０００以下であることが好ましく、１０，０００以下であることがより好ましく、５,０００であることがさらに好ましい。重量平均分子量が前記上限を超えると
、半田接合時における金属接合接着剤の流動性が低下し、半田接合を阻害する恐れがある。重量平均分子量の下限としては、前記軟化点を有し、金属接合接着剤としての特性を損
なわない範囲であれば良い。

本発明の金属接合接着剤において、フェノール性ヒドロキシル基を有する固形の樹脂（Ａ）の含有量としては、金属接合接着剤全体の５〜４０重量％であることが好ましく、５〜３０重量％であることがより好ましい。樹脂（Ａ）の含有量が前記下限未満であると、半田および金属表面の酸化物などの汚れを除去する作用が低下し、半田接合性が不良となる恐れがある。樹脂（Ａ）の含有量が前記上限を超えると、十分な物性を有する硬化物が得られず、接合強度と信頼性が低下する恐れがある。更に、金属接合接着剤の特性を損なわない範囲で、液状のフェノール性ヒドロキシル基を有する樹脂を添加しても良い。

本発明に用いるフェノール性ヒドロキシル基を有する固形の樹脂（Ａ）のフェノール性ヒドロキシル基は、その還元作用により、半田および金属表面の酸化物などの汚れを除去するので、半田接合のフラックスとして効果的に作用する。フェノール性ヒドロキシル基を有する室温で固形の樹脂（Ａ）は、半田接合のフラックスとしての作用を高めるために、その構造上に電子供与基を有することが好ましい。

本発明において、フェノール性ヒドロキシル基を有する固形の樹脂（Ａ）の硬化剤であり少なくとも一種が液状である樹脂（Ｂ）は、少なくとも一種が液状であることにより、金属接合接着剤の熱時の流動性を増加させると共に、未硬化状態でのシートに柔軟性を付与する作用を有する。少なくとも一種が液状である樹脂（Ｂ）において、液状の樹脂の割合Ｋとしては、０．１〜１であることが好ましく、０．３〜１であることがさらに好ましい。（ここで、Ｋ＝（液状である樹脂（Ｂ）の重量）／（樹脂（Ｂ）全体の重量）である。）液状の樹脂の割合Ｋが前記下限未満であると、未硬化状態でのシート性が低下し、ハンドリング時に、金属接合接着剤シートの割れやはがれが生じる恐れがある。

少なくとも一種が液状である樹脂（Ｂ）としては、例えば、エポキシ化合物、イソシアネート化合物などが好適に用いることができる。エポキシ化合物およびイソシアネート化合物としては、例えば、ビスフェノール系、フェノールノボラック系、アルキルフェノールノボラック系、ビフェノール系、ナフトール系、レゾルシノール系などのフェノールベースのエポキシ化合物、イソシアネート化合物や、飽和脂肪族、環状脂肪族、不飽和脂肪族などの骨格をベースとして変性されたエポキシ化合物、イソシアネート化合物などを挙げることができる。特に、熱時の流動特性に優れたジアリルビスフェノール系のエポキシ化合物、またはビスフェノール系のエポキシ化合物であることが好ましい。

本発明において、硬化剤であり少なくとも一種は液状である樹脂（Ｂ）の配合割合としては、樹脂（Ｂ）のエポキシ基、イソシアネート基などの反応性の官能基が、樹脂（Ａ）のフェノール性ヒドロキシル基の０.５〜１．５当量であることが好ましく、０．８〜１
．２当量であることがより好ましい。配合割合が前記下限未満であると、十分な物性を有する硬化物が得られず、半田接合部分の補強効果が小さくなって、接合強度と信頼性が低下する恐れがある。また、前記上限を超えると、半田および金属表面の酸化物などの汚れを除去する作用が低下し、半田接合性が不良となる恐れがある。

本発明に用いる金属接合接着剤は、フェノール性ヒドロキシル基を有する固形の樹脂（Ａ）と該樹脂の硬化剤であり少なくとも一種が液状の樹脂（Ｂ）との反応により、良好な物性を有する硬化物が形成されるために、半田接合後に洗浄により、フラックスを除去するが必要なく、硬化物により半田接合部が保護されて、高温、多湿雰囲気でも電気絶縁性を保持し、接合強度と信頼性の高い半田接合が可能となる。

本発明に用いる熱可塑性樹脂（Ｃ）は、硬化性フラックスの未硬化状態でのシート性に寄与し、さらに硬化後の密着性、可撓性に寄与する。熱可塑性樹脂（Ｃ）としては、例え
ば、フェノキシ樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリエステル樹脂類、ポリウレタン樹脂類、ポリイミドシロキサン樹脂、ポリプロピレン、スチレン−ブタジエン−スチレン共重合体、ポリアセタール樹脂、ポリアミド樹脂、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−メタクリル酸共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体、ポリ酢酸ビニル樹脂、ナイロン、スチレン−イソプレン共重合体、スチレン−ブチレン−スチレンブロック共重合体、スチレン−エチレン−ブチレン−スチレンブロック共重合体、ポリメチルメタクリレート樹脂などが挙げることができ、特に、フィルム性に優れ、熱時の流動特性に優れたフェノキシ樹脂またはポリビニルブチラール樹脂であることが好ましい。また、熱可塑性樹脂（Ｃ）は、これらを一種または複数種を用いることもできる。

本発明に用いる熱可塑性樹脂（Ｃ）の配合割合としては、金属接合接着剤全体の５重量％以上５０重量％以下であることが好ましい。配合割合が５重量％未満であると、未硬化状態のシート性、硬化後の密着力、可撓性が低下する恐れがあり、５０重量％を越えると、半田接合性を阻害する恐れがある。
本発明に用いる熱可塑性樹脂（Ｃ）のガラス転移温度は、４０℃〜１５０℃であることが好ましく、より好ましくは、ガラス転移温度が５０℃〜１２０℃である。前記下限未満であると未硬化状態のシートが、室温で粘着性を有する恐れがある。また、前記上限越えると、加熱加圧下の半田接合時の温度で、金属接合接着剤としての十分な流動性が得られず、半田接合を阻害する恐れがある。
本発明に用いる熱可塑性樹脂（Ｃ）は、フェノール性ヒドロキシル基を有する固形の樹脂（Ａ）と該樹脂の硬化剤であり、少なくとも一種は液状の樹脂（Ｂ）と相溶することが好ましい。
本発明に用いる熱可塑性樹脂（Ｃ）の重量平均分子量は、１０，０００〜１００，０００であることが好ましく、１２，０００〜７０，０００であることより好ましい。重量平均分子量が前記下限未満であると未硬化状態でのシート性が低下する恐れがあり、前記上限を越えると半田接合性を阻害する恐れがある。

本発明の金属接合接着剤は、硬化性酸化防止剤（Ｄ）を含有することができる。硬化性酸化防止剤は、酸化防止剤として作用し、かつ、硬化剤である樹脂（Ｂ）と反応して硬化することができる化合物である。本発明に用いる硬化性酸化防止剤に、特に制限はないが、ベンジリデン構造を有する化合物や３−ヒドロキシ−２−ナフトイック酸、パモイック酸、２，４−ジヒドロキシ安息香酸、２，５−ジヒドロキシ安息香酸が好ましく、ベンジリデン構造を有する化合物としては、一般式（１）で表される化合物であることが、より好ましい。

ただし、一般式（１）において、Ｒ_１、Ｒ_３およびＲ_５は、それぞれ独立して、水素、ヒドロキシル基またはカルボキシル基であり、Ｒ_２およびＲ_４は、それぞれ独立して、水素またはアルキル基であり、Ｒ_６およびＲ_７は、それぞれ独立して、水素、メチル基、ヒドロキシフェニル基またはカルボキシフェニル基である。

一般式（１）で表される化合物としては、例えば、エチリデンジフェノール、２，２’−エチリデンビス（４，６−ジ−ｔ−ブチルフェノール）、フェノールフタリンなどや、これら化合物から誘導される重合体などを挙げることができる。これらの化合物は、１種
を単独で用いることができ、または、２種以上を組み合わせて用いることもできる。これらの中で、エチリデンジフェノールおよびフェノールフタリンを、特に好適に用いることができる。

本発明の金属接合接着剤において、硬化性酸化防止剤（Ｄ）の含有量は、硬化性フラックス全体の０．５〜３０重量％であることが好ましく、１〜２０重量％であることがより好ましい。硬化性酸化防止剤の含有量が前記下限未満であると、常温での酸化防止剤としての作用や、半田および金属表面の酸化物などの汚れを除去する作用が低下し、半田接合性が十分に向上しない恐れがある。硬化性酸化防止剤の含有量が、前記上限を超えると、絶縁性や接合強度などの信頼性が低下する恐れがある。

ベンジリデン構造は、酸化により発生したラジカルを捕捉し、酸化反応の連鎖停止に寄与し、酸化防止剤として効果的に作用する。また、半田接合時の温度領域では、水素ラジカルを放出し、還元剤としてはたらき、半田および金属表面の酸化物などの汚れを除去する。

本発明の金属接合接着剤は、その硬化を促進するために、硬化触媒を配合することができる。用いる硬化触媒としては、例えば、２−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、ビス（２−エチル−４−メチル−イミダゾール）、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−ウンデシルイミダゾール、１−シアノエチル−２−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−アミノエチル−２−メチルイミダゾール、１−（シアノエチルアミノエチル）−２−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニル−４，５−ビス（シアノエトキシメチルイミダゾール）、トリアジン付加型イミダゾールなどを挙げることができる。さらに、これらのイミダゾール化合物を、エポキシアダクト化した触媒や、マイクロカプセル化した触媒も使用することができる。これらの触媒は、１種を単独で用いることができ、または、２種以上を組み合わせて用いることもできる。

本発明の金属接合接着剤は、さらに、密着性や耐湿性を向上させるためのシランカップリング剤、ボイドを防止するための消泡剤、あるいは液状または粉末の難燃剤などの添加剤を用いることもできる。

本発明の硬化性金属接合接着剤は、前記各成分を所望の割合で配合し混合して得られる。得られた金属接合接着剤は、溶媒に混合して金属接合接着剤ワニスとして用いることができる。

本発明の金属接合接着剤に用いる溶媒としては、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、トルエン、メシチレン、キシレン、ヘキサン、イソブタノール、ｎ−ブタノール、１−メトキシ，２−プロパノールアセテート、ブチルセルソルブ、エチルセルソルブ、メチルセルソルブ、セルソルブアセテート、乳酸エチル、酢酸エチル、フタル酸ジメチル、フタル酸ジエチル、フタル酸ジブチル、ジエチレングリコール、安息香酸−ｎ−ブチル、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、テトラヒドロフラン、γ−ブチルラクトン、アニソールなどが挙げられる。好ましくは、沸点が２００℃以下の溶媒である。

本発明の金属接合接着剤は、溶融温度が１００℃以下であることが好ましい。含有される樹脂の分子量が大きく、溶融温度が１００℃を超えると、加熱加圧下の半田接合時における金属接合接着剤の流動性が低下し、半田接合を阻害する恐れがある。

本発明の硬化性金属接合接着剤のゲル化時間は、半田の融点温度において、１分以上であることが好ましく、２分以上であることが、より好ましく、５分以上であることが、さらに好ましい。半田の融点温度におけるゲル化時間が、前記下限未満であると、半田接合中に硬化反応が進行し、半田と被接合金属が接合する前に、金属接合接着剤が硬化し、半田接合が妨げられる恐れがある。半田の融点温度におけるゲル化時間が５分以上であると、加熱加圧下の半田接合温度における金属接合接着剤の流動性を十分に確保して、安定した半田接合を達成することができる。また、半田の融点温度におけるゲル化時間は、６０分以下であることが、好ましく、３０分以下であることが、より好ましく、２０分以下であることが、さらに好ましい。半田の融点温度におけるゲル化時間が前記上限を超えると、安定した半田接合は可能であるが、その後の熱硬化が十分に進行せず、半田接合部の満足な補強効果が得られない恐れがある。硬化反応を十分に進行させるために、高温で硬化させると、金属接合接着剤が酸化することにより、硬化物の破壊靭性が低下し、実装後の耐熱衝撃性が低下する恐れがある。

以下、実施例により更に具体的に説明するが、本発明はこれによって何ら限定されるものではない。
＜実施例１＞
フェノールノボラック樹脂（住友ベークライト（株）製、ＰＲ−５３６４７ 軟化点９２℃〜９８℃）１００ｇと、ジアリルビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（日本化薬(株)製、ＲＥ−８１０ＭＮ）３２０ｇと、フェノキシ樹脂（ダウ・ケミカル日本(株)製、ＤＥＲ−６６４Ｕ ガラス転移温度１００℃〜１１０℃）２８５ｇを、メチルイソブチルケトン５２５ｇに溶解した。フェノールフタリン（東京化成工業（株）製）１５０ｇを添加し、更に、シリカフィラー（アドマテックス（株）製、ＳＥ２０５０、平均粒径０．５μｍ）３７０ｇ（３０重量％）を添加し、金属接合接着剤ワニスを作製した。

＜実施例２＞
フェノールノボラック樹脂（住友ベークライト（株）製、ＰＲ−５３６４７ 軟化点９２℃〜９８℃）１００ｇと、ジアリルビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（日本化薬(株)製、ＲＥ−８１０ＭＮ）３２０ｇと、フェノキシ樹脂（ダウ・ケミカル日本(株)製、ＤＥＲ−６６４Ｕ ガラス転移温度１００℃〜１１０℃）２８５ｇを、メチルイソブチルケトン６１０ｇに溶解した。フェノールフタリン（東京化成工業(株）製）１５０ｇを添加し、
更に、シリカフィラー（アドマテックス（株）製、ＳＥ２０５０、平均粒径０．５μｍ）５７０ｇ（４０重量％）を添加し、金属接合接着剤ワニスを作製した。

＜実施例３＞
フェノールノボラック樹脂（住友ベークライト（株）製、ＰＲ−５３６４７ 軟化点９２℃〜９８℃）１００ｇと、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（大日本インキ化学(株)製、８３０−ＬＶＰ）３０５ｇと、フェノキシ樹脂（ダウ・ケミカル日本(株)製、ＤＥＲ−６６４Ｕ ガラス転移温度１００℃〜１１０℃）２８０ｇを、メチルイソブチルケトン６００ｇに溶解した。フェノールフタリン（東京化成工業(株）製）１５０ｇを添加し、更
に、シリカフィラー（アドマテックス（株）製、ＳＥ２０５０、平均粒径０．５μｍ）５６０ｇ（４０重量％）を添加し、金属接合接着剤ワニスを作製した。

＜実施例４＞
フェノールノボラック樹脂（住友ベークライト（株）製、ＰＲ−５３６４７ 軟化点９２℃〜９８℃）１００ｇと、ジアリルビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（日本化薬(株)製、ＲＥ−８１０ＭＮ）３２０ｇと、フェノキシ樹脂（ダウ・ケミカル日本(株)製、ＤＥＲ−６６４Ｕ ガラス転移温度１００℃〜１１０℃）２８５ｇを、メチルイソブチルケトン
６１０ｇに溶解した。フェノールフタリン（東京化成工業（株）製）１５０ｇを添加し、更に、シリカフィラー（アドマテックス（株）製、ＳＥ３０５０：平均粒径１μｍ）５７０ｇ（４０重量％）を添加し、金属接合接着剤ワニスを作製した。

＜実施例５＞
フェノールノボラック樹脂（住友ベークライト（株）製、ＰＲ−５３６４７ 軟化点９２℃〜９８℃）１００ｇと、ジアリルビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（日本化薬(株)製、ＲＥ−８１０ＭＮ）３２０ｇと、フェノキシ樹脂（ダウ・ケミカル日本(株)製、ＤＥＲ−６６４Ｕ ガラス転移温度１００℃〜１１０℃）２８５ｇを、メチルイソブチルケトン６１０ｇに溶解した。フェノールフタリン（東京化成工業（株）製）１５０ｇ添加し、更に、シリカフィラー（アドマテックス（株）製、ＳＥ５０５０：平均粒径１．７μｍ）５７０ｇ（４０重量％）を添加し、金属接合接着剤ワニスを作製した。

＜実施例６＞
フェノールノボラック樹脂（住友ベークライト（株）製、ＰＲ−５３６４７ 軟化点９２℃〜９８℃）１００ｇと、ジアリルビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（日本化薬(株)製、ＲＥ−８１０ＭＮ）３２０ｇと、フェノキシ樹脂（ダウ・ケミカル日本(株)製、ＤＥＲ−６６２ ガラス転移温度８４℃〜９４℃）２８５ｇを、メチルイソブチルケトン５２５ｇに溶解した。フェノールフタリン（東京化成工業（株）製）１５０ｇを添加し、更に、シリカフィラー（アドマテックス（株）製、ＳＥ２０５０、平均粒径０．５μｍ）３７０ｇ（３０重量％）を添加し、金属接合接着剤ワニスを作製した。

＜比較例１＞
フェノールノボラック樹脂（住友ベークライト（株）製、ＰＲ−５３６４７ 軟化点９２℃〜９８℃）５０ｇと、ジアリルビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（日本化薬(株)製、ＲＥ−８１０ＭＮ）４２５ｇと、フェノキシ樹脂（東都化成(株)製、ＹＰ−７０ ガラス転移温度１００℃）３１０ｇを、メチルイソブチルケトン４４５ｇに溶解した。フェノールフタリン（東京化成工業（株）製）１５０ｇを添加し、更に、シリカフィラー（アドマテックス（株）製、ＳＥ２０５０、平均粒径０．５μｍ）１０５ｇ（１０重量％）を添加し、金属接合接着剤ワニスを作製した。

＜比較例２＞
フェノールノボラック樹脂（住友ベークライト（株）製、ＰＲ−５３６４７ 軟化点９２℃〜９８℃）５０ｇと、ジアリルビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（日本化薬(株)製、ＲＥ−８１０ＭＮ）４２５ｇと、フェノキシ樹脂（東都化成(株)製、ＹＰ−７０ ガラス転移温度１００℃）３１０ｇを、メチルイソブチルケトン４７０ｇに溶解した。フェノールフタリン（東京化成工業（株）製）１５０ｇを添加し、更に、シリカフィラー（アドマテックス（株）製、ＳＥ２０５０：平均粒径０．５μｍ）１６５ｇ（１５重量％）を添加し、金属接合接着剤ワニスを作製した。

＜比較例３＞
フェノールノボラック樹脂（住友ベークライト（株）製、ＰＲ−５３６４７ 軟化点９２℃〜９８℃）５０ｇと、ジアリルビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（日本化薬(株)製、ＲＥ−８１０ＭＮ）４２５ｇと、フェノキシ樹脂（東都化成(株)製、ＹＰ−７０ ガラス転移温度１００℃）３１０ｇを、メチルイソブチルケトン５７０ｇに溶解した。フェノールフタリン（東京化成工業（株）製）１５０ｇを添加し、更に、シリカフィラー（アドマテックス（株）製、ＳＥ２０５０：平均粒径０．５μｍ）４００ｇ（３０重量％）を添加し、金属接合接着剤ワニスを作製した。

＜比較例４＞
フェノールノボラック樹脂（住友ベークライト（株）製、ＰＲ−５３６４７ 軟化点９２℃〜９８℃）５０ｇと、ジアリルビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（日本化薬(株)製、ＲＥ−８１０ＭＮ）４２５ｇと、フェノキシ樹脂（東都化成(株)製、ＹＰ−７０ ガラス転移温度１００℃）３１０ｇを、メチルイソブチルケトン６７０ｇに溶解した。フェノールフタリン（東京化成工業（株）製）１５０ｇを添加し、更に、シリカフィラー（アドマテックス（株）製、ＳＥ２０５０：平均粒径０．５μｍ）６２５ｇ（４０重量％）を添加し、金属接合接着剤ワニスを作製した。

＜比較例５＞
フェノールノボラック樹脂（住友ベークライト（株）製、ＰＲ−５３６４７ 軟化点９２℃〜９８℃）１００ｇと、ジアリルビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（日本化薬(株)製、ＲＥ−８１０ＭＮ）３２０ｇと、フェノキシ樹脂（ダウ・ケミカル日本(株)製、ＤＥＲ−６６４Ｕ ガラス転移温度１００℃〜１１０℃）２８５ｇを、メチルイソブチルケトン６１０ｇに溶解した。フェノールフタリン（東京化成工業（株）製）１５０ｇを添加し、更に、シリカフィラー（宇部日東化成（株）製、ハイプレシカ：平均粒径４μｍ）５７０ｇ（４０重量％）を添加し、金属接合接着剤ワニスを作製した。

＜多層配線板製造用配線基板の製造＞
表面を粗化処理した厚み７０μｍの圧延銅板（金属板・三井金属工業（株）製、３ＥＣ−ＶＬＰ）に、ドライフィルムレジスト（東京応化（株）製、ＦＤＲ２５００）をロールラミネートし、所定のネガフィルムを用いて、露光・現像し、導体回路の形成に必要なめっきレジストを形成した。次に、圧延銅板を電解めっき用リードとして、金層とニッケル層を電解めっきにより形成し、さらに、電解銅めっきすることにより、銅回路を形成して、導体回路を得た。導体回路は、線幅／線間／厚み＝２０μｍ／２０μｍ ／１０μｍと
した。次に、樹脂付銅箔（住友ベークライト（株）製）を、真空ラミネートにより、配線パターンの凹凸を埋め込みながら成形し、銅箔を全面エッチングして、２５μｍ厚の絶縁層を形成した。

次に、ＵＶ−ＹＡＧレーザーを用いて、絶縁層にトップ径が４５μｍ、ボトム径が２５μｍのビアを形成した。ビア内部およびビア周辺部を、過マンガン酸樹脂エッチング液にて清浄化した後、裏面の圧延銅板を、電解めっき用リード（給電用電極）として、電解銅めっきを行って、ビアを銅で充填し、銅ポストを形成した。ここで、銅ポストの直径が４５μｍとなるよう、電解銅めっきの時間を調整した。次に、銅ポストの表面に、ニッケル層２０５を、電解めっきによって、１μｍの厚みで形成し、続いて、Ｓｎ−Ａｇ（２．５％）共晶半田被膜を、電解めっきによって、５μｍの厚みで形成して、導体ポストを得た。
なお、Ｓｎ−Ａｇ（２．５％）共晶半田被膜の先端表面の絶縁層表面から突出している高さは、１１μｍであった。最後に、圧延銅板をエッチングして除去した。これにより、導体ポストが、銅ポスト、ニッケル層、半田被膜から構成され、導体回路が、銅回路、ニッケル層、金皮膜から構成される多層配線板製造用配線基板を得た。

＜多層配線板の製造＞
上述の方法によって得られた多層配線板製造用配線基板に対して、バーコートにより、上述の金属接合接着剤ワニスを、絶縁層の表面、すなわちＳｎ−Ａｇ共晶半田層が形成された面に、塗布した後、８０℃で２０分乾燥し、２０μｍ厚の金属接合接着剤層を形成した。
一方、厚み１２μｍ銅箔が両面に形成されたＦＲ−５相当のガラスエポキシ両面銅張積層板（住友ベークライト（株）製、ＥＬＣ−４７８１）を用い、銅箔を、選択的にエッチングして、配線パターンと層間接続用ランドを形成し、被接続層を得ることができた。
次に、上述の工程により得られた多層配線板製造用配線基板と、被接続層に、予め、形
成されている位置決めマークを、画像認識装置により、読み取り、両者を位置合わせし、２５０℃、０．５ＭＰａ、１分間の条件で熱圧着した。これにより、多層配線板を得た。さらに、接着剤層を硬化させるために、窒素雰囲気下で、１８０℃／１２０分間の熱処理を行い、多層配線板を得た。

＜金属接合接着剤の評価＞
粘度の評価は、前記金属接合接着剤ワニスを用いて、８０℃で２０分乾燥させシート状（厚み１００μｍ）にし、該金属接合接着剤シートを粘弾性測定装置（ＨＡＡＫＥ社製、Ｒｈｅｏ Ｓｔｒｅｓｓ ＲＳ１５０）により動的粘度測定（測定条件：カップとプレートの隙間５０μｍ、角速度１．０Ｈｚ）を行い、３０℃〜３００℃の範囲で１０℃／分で昇温し、該金属接合接着剤の粘度変化を測定した。表１には、粘度の最低値を示した。
ゲル化時間の評価は、前記金属接合接着剤ワニスを用いて８０℃で２０分乾燥させシート状にし、金属接合接着剤シートをアルミカップの中に入れ、半田の融点温度（２５０℃）に加熱した熱板の上に置き、熱板上に置いた時から、該金属接合接着剤シートが溶融後、急激に粘度が上昇するまでの時間を測定した。ゲル化時間が１〜６０分のものを○、１〜３０分のものを◎、６０分以上１分以下のものを×とした。

＜半田接合部の断面評価＞
得られた多層配線板の半田接合部を、詳細に評価するため、半田接合部が露出するまで、断面研磨し、バフ研磨により、最終仕上げを行った。レーザー顕微鏡を用いて、半田接合部の断面を観察した。

＜金属接合接着剤層のボイドの評価＞
得られた多層配線板の金属接着剤層のボイドを、詳細に評価するため、層間接続用ランドが露出するまで、被接続層を研磨し、露出した層間接続用ランドを引き剥がした。レーザー顕微鏡と走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて、金属接着剤層のボイドを観察した。

実施例１、実施例２、実施例３、実施例４、実施例５、実施例６、比較例１、比較例２は、金属接合時の金属接合接着剤の粘度が１０Ｐａ・ｓよりも低くなっている。そのため、実施例１、実施例２、実施例３、実施例４、実施例５、実施例６、比較例１、比較例２
すべて金属接合状態は良好であるが、比較例１、比較例２では、金属接着剤層にボイドが発生する。このように、金属接合時の金属接合接着剤の粘度が１０Ｐａ・ｓ以下であれば、接合は良好であるが、シリカフィラーが２０重量％未満のために、金属接合接着剤層のボイドの発生、成長を抑制するには十分ではない。一方、比較例３と比較例４では、シリカフィラーを２０重量％以上含むが、シリカフィラーを添加することにより、金属接合時の金属接合接着剤の粘度が１０Ｐａ・ｓよりも高くなっており、金属接合することはできない。また、比較例５のように、金属接合時の金属接合接着剤の粘度が、１０Ｐａ・ｓ以下であっても、シリカフィラーの平均粒径が３μｍより大きいと、半田層と被接続層との間にシリカフィラーが噛んで、不良金属接合状態が多くなる。実施例１、実施例２、実施例３、実施例４、実施例５、実施例６、のように、平均粒径が３μｍ以下であるシリカフィラーを２０重量％以上含み、かつ低粘度の樹脂組成物を使用することで、金属接合時の金属接合接着剤の粘度を１０Ｐａ・ｓ以下に低下させることにより、ボイドの発生、成長の抑制と金属接合を両立させることができる。

本発明によれば、高温の熱履歴に対しても信頼性の高い層間接合部またはそれを有する多層配線板を提供することが出来る。

本発明の多層配線板とその製造方法を説明するための断面図である。

符号の説明

１０１ 金属層
１０２ 絶縁層
１０３ ビア
１０４ 導体ポスト
１０５ 半田層
１０６ 導体回路
１０７ ランド
１０８ 金属接合接着剤層
１０９ 基材
１１０ 接続層
１２０ 被接続層
１３０ 多層配線板

Claims (13)

1. 導体回路と、絶縁層と、前記絶縁層を貫通して前記導体回路上に形成された複数の導体ポストと、前記導体ポスト上面に前記絶縁層を突出して形成された半田層とを有する接続層と、前記半田層と相対する位置に層間接続用ランドを有する被接続層とを、表面清浄化機能を有する金属接合接着剤層を介して、前記半田層が前記金属接合接着剤層と接触するように貼り合わせた後、加熱および加圧して圧着し、前記導体ポストと前記層間接続用ランドとを金属接合して、製造する多層配線板において、前記金属接合接着剤層として、シリカフィラーを２０重量％以上、８０重量％以下含み、前記シリカフィラーの平均粒径が１０ｎｍ以上、３μｍ以下であり、かつ、前記導体ポストと前記層間接続用ランドを金属接合する時の温度において、１ｍＰａ・ｓ以上、１０Ｐａ・ｓ以下の粘度を有する金属接合接着剤を用いることを特徴とする多層配線板。
2. 前記金属接合接着剤が、フェノール性ヒドロキシル基を有する固形の樹脂（Ａ）、該樹脂の硬化剤であり少なくとも一種が液状の樹脂（Ｂ）、及び熱可塑性樹脂（Ｃ）を含有することを特徴とする請求項１記載の多層配線板。
3. 前記フェノール性ヒドロキシル基を有する固形の樹脂（Ａ）が、フェノールノボラック樹脂、アルキルフェノールノボラック樹脂、多価フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、レゾール樹脂またはポリビニルフェノール樹脂であることを特徴とする請求項１または２に記載の多層配線板。
4. 前記多価フェノールノボラック樹脂が、カテコール、レゾルシン、ハイドロキノン、ヒドロキシハイドロキノンまたはピロガロールよりなることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の多層配線板。
5. 前記少なくとも一種が液状の樹脂（Ｂ）が、エポキシ化合物またはイソシアネート化合物であることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の多層配線板。
6. 前記熱可塑性樹脂（Ｃ）が、４０℃〜１５０℃のガラス転移温度を有することを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載の多層配線板。
7. 前記熱可塑性樹脂（Ｃ）が、フェノキシ樹脂または、ポリビニルブチラール樹脂であることを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載の多層配線板。
8. 前記熱可塑性樹脂（Ｃ）が、金属接合接着剤全体に対して５重量％以上５０重量％以下含まれることを特徴とする請求項１から７のいずれかに記載の多層配線板。
9. 前記金属接合接着剤が、硬化性酸化防止剤（Ｄ）を含有することを特徴とする請求項１から８のいずれかに記載の多層配線板。
10. 前記硬化性酸化防止剤（Ｄ）が、ベンジリデン構造を有する化合物であることを特徴とする請求項９記載の多層配線板。
11. ベンジリデン構造を有する化合物が、一般式（１）で表される化合物であることを特徴とする請求項１０記載の多層配線板。
    
    （ただし、式中、Ｒ_１、Ｒ_３及びＲ_５は、それぞれ独立して、水素、ヒドロキシル基またはカルボキシル基であり、Ｒ_２及びＲ_４は、それぞれ独立して、水素またはアルキル基であり、Ｒ_６及びＲ_７は、それぞれ独立して、水素、メチル基、ヒドロキシフェニル基またはカルボキシフェニル基である。）
12. 前記金属接合接着剤が、半田の融点温度において、ゲル化時間が１〜６０分であることを特徴とする請求項１から１１のいずれかに記載の多層配線板。
13. 請求項１から１２のいずれかに記載の多層配線板に用いることを特徴とする金属接合接着剤。