JP2007039781A - スパッタリングターゲット、その製造方法、反射膜、及び有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents

Abstract

【課題】低コストで、かつ反射率、密着性に優れるＣｕ合金反射膜を提供する。
【解決手段】Ｃｕが６０〜９８ｗｔ％、及びＺｎが２〜４０ｗｔ％及び／又はＮｉが２〜４０ｗｔ％であるＣｕ合金からなるＣｕ合金反射膜。このＣｕ合金反射膜と導電性金属酸化物薄膜が積層されたＣｕ合金反射膜積層体。これらＣｕ合金反射膜又はＣｕ合金反射膜積層体を含む有機エレクトロルミネッセンス素子３０。
【選択図】図１

Description

本発明は、スパッタリングターゲット、その製造法、反射膜、反射膜積層体、及び有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。

有機エレクトロルミネセンス（ＥＬ）素子は、自己発光素子であり、直流低電圧での駆動が可能であるため、次世代ディスプレイとして注目されている。

有機ＥＬ素子を用いた有機ＥＬディスプレイの構造としては、大きく分けてパッシブマトリクスパネルとアクティブマトリクスパネルとがある。パッシブマトリクスパネルは、構造が単純である反面、線順次駆動のため１００ｍＡ／ｃｍ^２以上のパルス状の大電流を流す必要があり、（１）有機ＥＬ材料への負担が大きく輝度劣化が速い、（２）配線部での消費電力が大きく大面積化しにくい、といった欠点があった。
一方、アクティブマトリクス駆動は、支持基板上に配置したＴＦＴ素子により画素毎に選択して駆動する。そのため、２０ｍＡ／ｃｍ^２以下の低く直流的な電流で駆動でき、有機ＥＬ材料への負担が小さく寿命が長く、配線抵抗の観点でも大面積化が容易であるという特徴がある。

しかしながら、アクティブマトリクスパネルでは支持基板上にＴＦＴ素子を設ける必要がある。支持基板側から有機ＥＬの発光を取り出すボトムエミッション構造では、ＴＦＴ素子に遮られて開口率が小さくなり高輝度化を図りにくい。そこで近年、ＴＦＴ駆動による表示では、開口率向上のために、基板の反対側より光を取り出すトップエミッション型有機ＥＬディスプレイに注目が集まり、対応する有機ＥＬ素子の試作が試みられている。
トップエミッション型有機ＥＬディスプレイを形成する単位画素は、ＴＦＴ素子部と連結されたトップエミッション型有機ＥＬ素子から構成される。支持基板上に光反射層、電荷注入性電極、有機発光層、上部透明電極を積層した構造になっている。

従来のトップエミッション型有機ＥＬ装置の反射膜には、Ａｇ，Ａｕ，Ａｌ等の金属が使用されていた。しかし、Ａｇは反射率が高く加工しやすい反面、支持基板として用いるガラスに対する密着性がなく腐食されやすい問題があった。Ａｕは腐食等には強いが、高価であり一部の可視光領域で反射率が低いという問題があり、Ａｌは安価であり加工性にも富むが、成膜後のパターニング等の後工程にて表面が酸化され白濁化して反射率が低下する等の問題があった。
また、これら金属に共通する欠点として、反射膜の表面粗さが数十ｎｍと大きくなることがあり、同じく数十〜１００ｎｍ程度の有機発光層をつきやぶって、対向電極と接触し、素子製造の歩留まりを低下させるという問題があった。
さらに、合金化により透明導電膜との接触抵抗の問題を克服する試みがなされている（例えば、特許文献１及び２）。しかし、合金化により薄膜を製造し、エッチング加工をする際に、レジスト現像液により電池反応を起し、Ａｌ合金薄膜が溶解してしまう等の問題があった。
特開２００３−３３２２６２号公報 特開２００４−２１４６０６号公報

本発明の第一の目的は、低コストで、かつ反射率、密着性に優れるＣｕ合金反射膜を提供することである。
本発明の第二の目的は、発光効率が高い有機ＥＬ素子を提供することである。

本発明者らは、鋭意研究した結果、Ｃｕを主体とする電極で、Ｎｉが２〜４０ｗｔ％及び／又はＺｎが２〜４０ｗｔ％であるＣｕ合金が反射膜として優れていることを見出した。そして、このＣｕ合金膜を反射膜とした有機ＥＬ素子が、比較的高い発光効率を示し、かつ高歩留まりでの製造が可能であることを見出し、本発明を完成させた。
本発明によれば、以下のスパッタリングターゲット等が提供される。
１．Ｃｕが６０〜９８ｗｔ％、及びＮｉが２〜４０ｗｔ％及び／又はＺｎが２〜４０ｗｔ％であるＣｕ合金からなることを特徴とするＣｕ合金スパッタリングターゲット。
２．Ｃｕが６０〜９８ｗｔ％、及びＮｉが２〜４０ｗｔ％及び／又はＺｎが２〜４０ｗｔ％であるＣｕ合金を鋳造後、圧延加工もしくは鍛造して製造することを特徴とするＣｕ合金スパッタリングターゲットの製造方法。
３．Ｃｕが６０〜９８ｗｔ％、及びＮｉが２〜４０ｗｔ％及び／又はＺｎが２〜４０ｗｔ％であるＣｕ合金からなることを特徴とするＣｕ合金反射膜。
４．ガラスとの密着強度をスクラッチ試験法により測定した値が５ニュートン以上であることを特徴とする３項記載のＣｕ合金反射膜。
５．１記載のターゲットを用いて、スパッタリングにより成膜することを特徴とする３又は４記載のＣｕ合金反射膜の製造方法。
６．スパッタリングに用いるスパッタガスが水素を含有していることを特徴とする５記載のＣｕ合金反射膜の製造方法。
７．３又は４記載のＣｕ合金反射膜と導電性金属酸化物薄膜が積層されたことを特徴とするＣｕ合金反射膜積層体。
８．前記導電性金属酸化物薄膜が、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズから選択される１種以上の導電金属酸化物よりなることを特徴とする７記載のＣｕ合金反射膜積層体。
９．前記導電性金属酸化物薄膜が、ランタノイド系元素を含有することを特徴とする７又は８記載のＣｕ合金反射膜積層体。
１０．３又は４記載のＣｕ合金反射膜を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
１１．支持基板と、３又は４記載のＣｕ合金反射膜と、第一の電荷注入性電極と、発光媒体と、第二の電荷注入性電極とをこの順に含み、前記発光媒体の発する光が第二の電荷注入性電極の側から取り出されることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
１２．前記第一の電荷注入性電極が導電性金属酸化物薄膜であることを特徴とする１１記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
１３．前記導電性金属酸化物薄膜が、酸化インジウム、酸化亜鉛及び酸化スズから選択される１種以上の導電性金属酸化物よりなることを特徴とする１２記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
１４．前記導電性金属酸化物薄膜が、ランタノイド系元素を含有することを特徴とする１２又は１３記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

本発明によれば、低コストで、かつ反射率が高く、密着性に優れるＣｕ合金反射膜を提供できる。また、本発明によれば、発光効率が高い有機ＥＬ素子を提供できる。

本発明のＣｕ合金スパッタリングターゲットはＣｕが６０〜９８ｗｔ％、及びＮｉが２〜４０ｗｔ％及び／又はＺｎが２〜４０ｗｔ％であるＣｕ合金からなることを特徴とする。
Ｃｕ合金中のＮｉの含有量が２ｗｔ％未満では、可視光のうちの青色領域の光に対する反射膜の反射率が小さくなり、結果として着色する場合がある。４０ｗｔ％を超えると反射膜の機械的強度が低下する場合がある。
Ｃｕ合金中のＮｉの含有量は好ましくは５〜３０ｗｔ％、より好ましくは１０〜２５ｗｔ％である。
Ｃｕ合金中のＺｎの含有量が２ｗｔ％未満ではＮｉの場合と同様な理由で着色する場合がある。４０ｗｔ％を超えると薄膜の強度、密着性が低下する場合がある。
Ｚｎの含有量は好ましくは２〜２０ｗｔ％、より好ましくは２〜１０ｗｔ％である。

本発明のスパッタリングターゲットにおいて、Ｎｉの形態は、Ｃｕ中に分散していればよいが、好ましくはＣｕ−Ｎｉ合金を形成する。Ｃｕ−Ｎｉ合金は、完全な固溶体を形成していることが望ましい。

本発明のスパッタリングターゲットにおいて、Ｚｎの形態は、Ｃｕ中に分散していればよい。Ｎｉ−Ｚｎ合金を形成する場合もあるが、Ｃｕ−Ｎｉ合金中に完全に固溶していることが望ましい。

Ｚｎ及び／又はＮｉの粒子は、Ｃｕ中に均一に分散していることが好ましい。大きな結晶粒子として存在すると、異常放電の原因になる場合がある。Ｃｕ、Ｎｉ及びＺｎの粒子の大きさは、通常１０μｍ未満、好ましくは５μｍ未満である。
また、Ｃｕ、及びＺｎ及び／又はＮｉの合金結晶粒子も、Ｃｕ中に均一に分散していることが好ましい。合金結晶粒子の大きさは、通常３０μｍ未満、好ましくは２０μｍ未満である。

本発明のスパッタリングターゲットは、Ｃｕ合金を鋳造後、圧延加工もしくは鍛造して製造することができる。また、鋳造に代えて金属焼結を行った後に、圧延加工もしくは鍛造しても製造することができる。
Ｃｕ合金は鋳造又は金属焼結後、圧延加工もしくは鍛造することが好ましい。
これらの加工を行わないと、結晶が著しく成長し異常放電の原因になる場合がある。
圧延加工もしくは鍛造することにより成長しすぎた結晶粒子が壊れ、異常放電の発生を抑えることができる。
原料となるＣｕ合金の組成は、上述したスパッタリングターゲットのＣｕ合金の組成と同じである。製造過程において、組成はほとんど変わらない。

本発明のスパッタリングターゲットを用いて、Ｃｕが６０〜９８ｗｔ％、Ｎｉが２〜４０ｗｔ％及び／又はＺｎが２〜４０ｗｔ％であるＣｕ合金からなる薄膜状のＣｕ合金反射膜を得ることができる。

Ｃｕ合金反射膜の成膜方法は、蒸着、電子線蒸着、イオンプレーティング、パルスレーザーデポジション法等を用いることができるが、成膜した膜の表面平滑性、密着性が良好である理由でスパッタリングが好適に用いられる。また、スパッタリングにより成膜すると、膜密度も高くなる。

Ｃｕ合金反射膜をスパッタリングで成膜する場合、装置内に充填させるスパッタガスが水素ガスを含有していることが好ましい。
水素ガスを共存させることにより、薄膜内部に取り込まれる酸素の量を低減でき、反射率、膜の表面平滑性、密着性が良好な薄膜が得られる。
水素ガスの含有量は、特に限定されないが、通常スパッタガス全体量に対して、０．１〜１０体積％であり、好ましくは１〜５体積％である。

このＣｕ合金反射膜は、基板となるガラスとの密着強度をスクラッチ試験法により測定した値が、５ニュートン以上であるのが好ましく、１０ニュートン以上がより好ましい。

本発明のＣｕ合金反射膜は、基板ガラスとの密着性が良好で、反射率が高く、スパッタリング中に異常放電を起こすことが少なく、そのため、表面平滑性がよい。従って、このＣｕ合金反射膜は、有機ＥＬ装置の電極として好適に使用できる。また、Ｃｕ合金反射膜と導電性金属酸化物薄膜の積層体も、有機ＥＬ装置の電極として使用できる。

導電性金属酸化物としては、例えば酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズから選択される１種以上の導電金属酸化物がある。具体的には、スズドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）、亜鉛ドープ酸化インジウム（ＩＺＯ）、酸化スズ−酸化亜鉛混合酸化物等がある。

有機ＥＬ装置に使用するとき、Ｃｕ合金反射膜の膜厚は、通常０．０１〜１．０μｍ、好ましくは０．１〜０．５μｍである。０．０１μｍを下回ると光透過性が強くなり反射膜としての機能を失う恐れがある。１．０μｍを超えると、反射膜をパターニングする必要が生じたとき加工性が悪くなる等の不具合が生じる恐れがある。
導電性金属酸化物薄膜の膜厚は、通常０．０１〜０．５μｍ、好ましくは０．０５〜０．２μｍである。

続いて、本発明のＣｕ合金反射膜を使用した有機ＥＬ素子について、図面を用いて説明する。
図１は本発明の有機ＥＬ素子を含む有機ＥＬ装置の一実施形態である。図１の有機ＥＬ装置１０は、基板２０、有機ＥＬ素子３０及び封止基板４０からなり、基板２０の反対側から光を取り出すトップエミッション型である。
有機ＥＬ素子３０は、陽極３１、発光媒体３２及び陰極（第二の電荷注入性電極）３３から構成されている。さらに陽極３１は、Ｃｕ合金反射膜３４と導電性金属酸化物薄膜である第一の電荷注入性電極３５で構成されている。即ち、陽極には上述した本発明の積層体が使用されている。発光媒体３２からは全方向に光が発せられる。矢印に示すように、陽極３１（基板２０）方向に発せられた光は、Ｃｕ合金反射膜３４で反射され基板２０の反対側から取り出される。

基板としては、従来から使用されているガラス基板や樹脂基板が使用できる。
発光媒体は、少なくとも有機発光層を含み、その他、正孔注入／輸送層、電子注入／輸送層等を有する積層体であってもよい。有機発光層、正孔注入／輸送層及び電子注入／輸送層は、それぞれ単層であってもよく２層以上形成してもよい。
発光媒体は、本技術分野で公知である材料を使用して形成でき、特定のものに限定されない。

第一の電荷注入性電極は、少なくとも発光媒体に接するように、Ｃｕ合金反射膜と発光媒体の界面に設けられ、発光媒体へ電荷を注入する機能を有する。
尚、図１の有機ＥＬ装置には、電極としてＣｕ合金反射膜と第一の電荷注入性電極の積層体を使用したが、Ｃｕ合金反射膜は電気伝導性に優れるため、Ｃｕ合金反射膜だけを電極として使用することもできる。この場合には、Ｃｕ合金反射膜にも接するように第一の電荷注入性電極を設けることが好ましい。

Ｃｕ合金反射膜の表面は、空気に曝されると酸化が進行し表面の反射率が変化する場合がある。従って、表面酸化を防ぐ薄膜をＣｕ合金反射膜の表面に覆うことが好ましい。
絶縁性の金属酸化物の薄膜でＣｕ合金反射膜の表面を覆う方法もあるが、導電性が失われ、電極としては使用できなくなる恐れがある。従って、第一の電荷注入性電極をＣｕ合金反射膜の表面に覆うことが好ましい。Ｃｕ合金反射膜上に第一の電荷注入性電極を積層することにより反射膜として安定化する。
第一の電荷注入電極は、上述した導電性金属酸化物薄膜からなることが好ましい。

導電性金属酸化物薄膜は、ランタノイド系元素を含有することが好ましい。ランタノイド系元素を含むと、有機ＥＬ素子が安定して作動する。具体的には、駆動電圧が低下し素子の寿命が伸びる。さらに、ランタノイド元素を添加することにより、導電性金属酸化物の仕事関数を例えば５．６ｅＶ以上と大きくすることができ、有機ＥＬ用陽極として作用しやすくなる。
ランタノイド元素としては、Ｃｅ，Ｓｍ，Ｎｄ，Ｇｄ等が好適に使用される。

第二の電荷注入電極としては、上述した第一の電荷注入電極と同じ導電性金属酸化物が好ましく使用できる。
尚、光を取り出すため、可視光領域において光透過性を有するものを使用する。また、第二の電荷注入電極を陰極として使用する場合、導電性金属酸化物と仕事関数の小さい金属（Ｍｇ−Ａｇ合金等）の積層体を電荷注入電極として形成してもよい。

本発明のＣｕ合金反射膜及びＣｕ合金反射膜積層体を有機ＥＬ装置の電極として使用すると、反射率が長時間安定するので、有機ＥＬ装置の動作が安定する。
尚、図１に示す装置は、基板２０、有機ＥＬ素子３０及び封止基板４０からなるが、この他、色変換部材、カラーフィルター等、必要に応じ種々な部材を含むことができる。

実施例１
表１に示す組成で、Ｃｕに、Ｚｎ及びＮｉを加えて真空溶融炉により溶解し、冷却固化させた。その後、圧延加工を行い板状に加工し、さらに、切削、研削加工を行い４インチφのターゲットとした。これを、バッキングプレートに張り合わせた。
得られたターゲットの結晶合金の粒径を走査型電子顕微鏡の二次電子像により測定した。結果を表１に示す。

実施例２〜３、比較例１〜４
表１に示す組成で実施例１と同様にターゲットを作製し、粒径を測定した。結果を表１に示す。

実施例４〜７、比較例５〜８
実施例１〜３、比較例１〜４で得られたターゲットを用いて、表２に示す条件で、スパッタリングにより、スライドガラス上に成膜した。
得られた薄膜の性能を、以下の方法により評価した。結果を表２に示す。

（１）平滑性
原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）により測定した。

（２）剥離荷重
剥離強度はスクラッチ試験により測定した。具体的には、下記条件でのスクラッチ試験後の試料を、光学顕微鏡により観察し、下地のガラス（ウエハ）が露出した点を皮膜の剥離点とし、スクラッチ開始点からの距離を測長することにより、剥離荷重を算出した。
スクラッチ試験機：ＣＳＥＭ社製、Ｍｉｃｒｏ−Ｓｃｒａｔｃｈ−Ｔｅｓｔｅｒ
スクラッチ距離：２０ｍｍ
スクラッチ荷重：０−１０ニュートン
荷重レート：１０ニュートン／分
スクラッチ速度：２０ｍｍ／分
ダイヤモンドコーン形状：先端２００μｍφ

（３）導電率
薄膜の導電率は四端針法により測定した。

（４）反射率
薄膜の反射率は反射率計により測定した。

実施例１〜３のスパッタリングターゲットは、合金結晶粒子の粒径が小さいので、合金薄膜をスパッタリングで作製する際に異常放電を起こさなかった。また、実施例４〜７の合金薄膜は、表面平滑性に優れ、ガラスとの密着性も良好で、反射率も反射性電極と使用するのに十分高かった。

実施例８
実施例３で得られたターゲットを用いて、膜厚２００ｎｍの膜（反射膜）を室温、Ａｒ１００％雰囲気にてスパッタリング法にて成膜した。その後、酸化インジウム：酸化亜鉛：酸化セリウム（８５：１０：５ｗｔ％）のターゲットを用いて、膜厚１００ｎｍの膜（導電性薄膜）を室温、Ａｒ１００％雰囲気にてスパッタリング法にて成膜した。得られた積層体の仕事関数を理研計器製ＡＣ−１にて測定した結果、５．７ｅＶであった。
積層体を、６５℃、湿度９０％の環境下に、１２５時間放置したとき、反射率に変化はなかった。

比較例９
比較例２で使用したＡｌターゲットを用いて、膜厚２００ｎｍの膜（反射膜）を室温、Ａｒ１００％雰囲気にてスパッタリング法にて成膜した。その後、酸化インジウム：酸化亜鉛（９０：１０ｗｔ％）のターゲットを用いて、膜厚１００ｎｍの膜（導電性薄膜）を室温、Ａｒ１００％雰囲気にてスパッタリング法にて成膜した。得られた積層体の仕事関数を理研計器製ＡＣ−１にて測定した結果、５．２ｅＶであった。
積層体を、６５℃、湿度９０％の環境下に、１２５時間放置したとき、４５０ｎｍでの反射率が６５％まで低下した。この積層体は耐久性のないものであった。

実施例９
実施例５と同じ条件で、厚さ０．７ｍｍのガラス基板上に２００ｎｍの厚みで反射膜（Ｃｕ合金反射膜）を成膜した。次に反射膜上にスズドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）をスパッタリング法により１０ｎｍの厚みで成膜した。このＩＴＯ膜は第一の電荷注入電極として機能する。次にＩＴＯ膜上に下記式のＡｌｑ_３を真空蒸着法により６０ｎｍの厚みで成膜した。この膜は有機発光層として機能する。次にＡｌｑ_３膜上に下記式のＮＰＤを真空蒸着法により４０ｎｍの厚みで成膜した。この膜は電子輸送層として機能する。

次に、ＮＰＤ膜上にＭｇＡｇを真空蒸着法により厚さ１０ｎｍの厚みで成膜した。このとき、ＭｇとＡｇの成膜速度比が９：１となるように成膜した。次にＭｇＡｇ膜上に亜鉛ドープ酸化インジウム（ＩＺＯ）を９０ｎｍの厚さになるように成膜した。ＭｇＡｇ膜とＩＺＯ膜の積層体は第二の電荷注入電極として機能する。このように各層を形成し、有機ＥＬ素子を完成させた。
得られた有機ＥＬ素子について、通電試験を行った。電流密度が１０ｍＡ／ｃｍ^２になるように電圧を印加したときの、色度座標（ＣＩＥｘ，ＣＩＥｙ）は（０．３５４，０．５７５）、発光効率（Ｌ／Ｊ）は２．１６ｃｄ／Ａであった。また、−５Ｖの逆バイアス電圧印加時のリーク電流は０．６６ｎＡであった。
尚、色度座標（ＣＩＥｘ，ＣＩＥｙ）は分光放射輝度計ＣＳ−１０００Ａ（コニカミノルタ社製）にて測定した。
発光効率（Ｌ／Ｊ）は分光放射輝度計ＣＳ−１０００Ａで計測された輝度Ｌ（単位：ｃｄ／ｍ^２）を電流密度Ｊ（＝１０ｍＡ／ｃｍ^２）で割ることにより算出した。
リーク電流は、ソースメジャーユニット２３６型（ケースレーインスツルメンツ社製）で測定した。このリーク電流は、電極間ショート発生の指標となり、大きいほどショートが発生していることになる。
評価結果を表３に示す。

比較例１０
比較例６と同じ条件で反射膜を成膜した以外は、実施例９と同様にして有機ＥＬ素子を作製し、評価した。評価結果を表３に示す。

比較例１１
比較例５と同じ条件で反射膜を成膜した以外は、実施例９と同様にして有機ＥＬ素子を作製し、評価した。評価結果を表３に示す。

比較例１２
比較例８と同じ条件で反射膜を成膜した以外は、実施例９と同様にして有機ＥＬ素子を作製し、評価した。評価結果を表３に示す。

表３より、比較例１０及び１１のように反射膜の表面粗さが大きいとリーク電流が大きくなる、すなわちショート発生が多くなる。また、比較例１２のように反射率が低い材料を反射膜として使用すると発光効率が低くなる。

本発明のＣｕ合金反射膜及びＣｕ合金反射膜積層体は、トップエミッション型有機ＥＬ装置の電極として使用することができる。

本発明の有機ＥＬ素子の一実施形態を示す断面図である。

符号の説明

１０ 有機ＥＬ装置
２０ 基板
３０ 有機ＥＬ素子
３１ 陽極
３２ 発光媒体
３３ 陰極（第二の電荷注入性電極）
３４ Ｃｕ合金反射膜
３５ 第一の電荷注入性電極
４０ 封止基板

Claims (14)

1. Ｃｕが６０〜９８ｗｔ％、及びＮｉが２〜４０ｗｔ％及び／又はＺｎが２〜４０ｗｔ％であるＣｕ合金からなることを特徴とするＣｕ合金スパッタリングターゲット。
2. Ｃｕが６０〜９８ｗｔ％、及びＮｉが２〜４０ｗｔ％及び／又はＺｎが２〜４０ｗｔ％であるＣｕ合金を鋳造後、圧延加工もしくは鍛造して製造することを特徴とするＣｕ合金スパッタリングターゲットの製造方法。
3. Ｃｕが６０〜９８ｗｔ％、及びＮｉが２〜４０ｗｔ％及び／又はＺｎが２〜４０ｗｔ％であるＣｕ合金からなることを特徴とするＣｕ合金反射膜。
4. ガラスとの密着強度をスクラッチ試験法により測定した値が５ニュートン以上であることを特徴とする請求項３項記載のＣｕ合金反射膜。
5. 請求項１記載のターゲットを用いて、スパッタリングにより成膜することを特徴とする請求項３又は４記載のＣｕ合金反射膜の製造方法。
6. スパッタリングに用いるスパッタガスが水素を含有していることを特徴とする請求項５記載のＣｕ合金反射膜の製造方法。
7. 請求項３又は４記載のＣｕ合金反射膜と導電性金属酸化物薄膜が積層されたことを特徴とするＣｕ合金反射膜積層体。
8. 前記導電性金属酸化物薄膜が、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズから選択される１種以上の導電金属酸化物よりなることを特徴とする請求項７記載のＣｕ合金反射膜積層体。
9. 前記導電性金属酸化物薄膜が、ランタノイド系元素を含有することを特徴とする請求項７又は８記載のＣｕ合金反射膜積層体。
10. 請求項３又は４記載のＣｕ合金反射膜を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
11. 支持基板と、請求項３又は４記載のＣｕ合金反射膜と、第一の電荷注入性電極と、発光媒体と、第二の電荷注入性電極とをこの順に含み、前記発光媒体の発する光が第二の電荷注入性電極の側から取り出されることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
12. 前記第一の電荷注入性電極が導電性金属酸化物薄膜であることを特徴とする請求項１１記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
13. 前記導電性金属酸化物薄膜が、酸化インジウム、酸化亜鉛及び酸化スズから選択される１種以上の導電性金属酸化物よりなることを特徴とする請求項１２記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
14. 前記導電性金属酸化物薄膜が、ランタノイド系元素を含有することを特徴とする請求項１２又は１３記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。