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JP2007082374A - Protection circuit on reverse connection of power supply - Google Patents

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JP2007082374A
JP2007082374A JP2005270238A JP2005270238A JP2007082374A JP 2007082374 A JP2007082374 A JP 2007082374A JP 2005270238 A JP2005270238 A JP 2005270238A JP 2005270238 A JP2005270238 A JP 2005270238A JP 2007082374 A JP2007082374 A JP 2007082374A
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a protection circuit that is the most suitable for protection of electronic control unit (ECU) during reverse connection of a power supply. <P>SOLUTION: In ECU45 operating on a power supply of a battery 3, n-channel FET21 is provided on a power supply wiring 15 that establishes a connection between a power supply terminal 5 connected to a plus terminal of the battery 3 and a control circuit 13 for power supply, in such a manner that an anode of its parasitic diode D1 is situated at the side of a power terminal 5. Further, n-channel FET22 is provided at a downstream side of the FET21, in such a manner that a cathode of its parasitic diode D2 is situated at FET21 side. When an ignition key switch 9 is turned on during normal connection of the battery 3, FET's21, 22 are turned on by charge pump circuits 43, 47 to which operating electricity is supplied from a drain side of FET21, and electricity of a battery 3 is supplied to the control circuit 13. Further, FET's21, 22 are turned off during reverse connection of the battery 3, and thus reverse current is inhibited by the parasitic diode D1. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、電子制御装置に外部の電源が正常とは逆に接続された電源逆接続時において、その電子制御装置を保護するための電源逆接続保護回路に関するものである。   The present invention relates to a power supply reverse connection protection circuit for protecting an electronic control device when the external power supply is connected to the electronic control device in reverse to the normal state.

例えば自動車に搭載される電子制御装置は、車載バッテリを電源として動作するようになっており、そのバッテリのプラス端子に接続される電源端子と、バッテリのマイナス端子に接続されるグランド端子とを備えている。そして、この種の電子制御装置では、バッテリからの電力が、上記電源端子及びグランド端子を介して、内部の制御回路や外部の電気負荷といった電源供給対象に供給される。   For example, an electronic control device mounted on an automobile operates with an in-vehicle battery as a power source, and includes a power supply terminal connected to the positive terminal of the battery and a ground terminal connected to the negative terminal of the battery. ing. In this type of electronic control device, power from the battery is supplied to a power supply target such as an internal control circuit or an external electrical load via the power supply terminal and the ground terminal.

ところで、この種の電子制御装置においては、バッテリが逆に接続される（即ち、電源端子にバッテリのマイナス端子が接続され、グランド端子にバッテリのプラス端子が接続される）可能性があり、そのようなバッテリの逆接続に対して何ら対策をしていないと、制御回路などの電源供給対象に通常とは逆方向の電流が流れて、その電源供給対象にダメージを与えてしまう虞がある。   By the way, in this type of electronic control device, there is a possibility that the battery is connected in reverse (that is, the negative terminal of the battery is connected to the power supply terminal and the positive terminal of the battery is connected to the ground terminal). If no countermeasures are taken against such reverse connection of the battery, a current in the reverse direction flows to the power supply target such as a control circuit, and the power supply target may be damaged.

そこで、従来より、バッテリの逆接続時に電子制御装置を保護するために、下記（１）又は（２）の対策が採られていた。
（１）電源端子とグランド端子との各々から伸びて、バッテリからの電力を電源供給対象に供給する給電用経路のうち、電源端子と電源供給対象とを結ぶ方の高電位側給電用経路（即ち、電源配線）上に、ダイオードを、それのアノードが電源端子側となるように挿入する。つまり、バッテリの逆接続時に流れる電流の方向とは逆方向となるように、ダイオード（以下、このダイオードを逆流防止ダイオードという）を挿入する。 Therefore, conventionally, the following countermeasure (1) or (2) has been taken in order to protect the electronic control device when the battery is reversely connected.
(1) Of the power supply paths that extend from each of the power supply terminal and the ground terminal and supply the power from the battery to the power supply target, the high potential side power supply path that connects the power supply terminal and the power supply target ( That is, the diode is inserted on the power supply wiring) so that the anode thereof is on the power supply terminal side. That is, a diode (hereinafter, this diode is referred to as a backflow prevention diode) is inserted so that the direction of the current flowing when the battery is reversely connected is opposite.

（２）グランド端子と電源端子との間に、ダイオードを、それのアノードがグランド端子側となるように接続して、バッテリの逆接続時には、そのダイオードに電流が直接流れるようにし、更に、そのダイオードが破壊する前に、車両上のヒューズが溶断するようにしておく。   (2) A diode is connected between the ground terminal and the power supply terminal so that the anode thereof is on the ground terminal side. When the battery is reversely connected, a current flows directly through the diode. Make sure the fuse on the vehicle blows before the diode breaks down.

一方、特許文献１には、バッテリのプラス端子が接続される電源端子と、バッテリのマイナス端子が接続されるグランド端子との間に、電気負荷とスイッチとを直列に接続した通電回路において、そのスイッチとグランド端子との間に、ドレインをグランド端子側にしてＮチャンネル型のＦＥＴ（電界効果トランジスタ）を挿入し、更に、一端が電源端子に接続された抵抗と、その抵抗の他端と上記ＦＥＴのゲートとにカソードが接続されたツェナーダイオードと、そのツェナーダイオードのアノードにアノードが接続され、カソードがグランド端子に接続されたダイオードとを設けた構成が記載されている。   On the other hand, Patent Document 1 discloses an energization circuit in which an electric load and a switch are connected in series between a power supply terminal to which a positive terminal of a battery is connected and a ground terminal to which a negative terminal of the battery is connected. Between the switch and the ground terminal, an N-channel FET (field effect transistor) is inserted with the drain on the ground terminal side, a resistor having one end connected to the power supply terminal, the other end of the resistor, and the above-mentioned A configuration is described in which a Zener diode having a cathode connected to the gate of the FET and a diode having an anode connected to the anode of the Zener diode and a cathode connected to the ground terminal are described.

そして、この構成では、バッテリの正常接続時には、ツェナーダイオードのカソードに生じる電圧により上記ＦＥＴがオンして電気負荷への通電が許可されるが、バッテリの逆接続時には、上記ＦＥＴがオンせずに、電気負荷に正常時とは逆方向の電流が流れてしまうことが防止される。
米国特許第６５５２５９９号明細書（ＦＩＧ１） In this configuration, when the battery is normally connected, the FET is turned on by the voltage generated at the cathode of the Zener diode and energization to the electric load is permitted, but when the battery is reversely connected, the FET is not turned on. The electric load is prevented from flowing a current in the opposite direction to the normal time.
US Pat. No. 6,552,599 (FIG. 1)

しかしながら、上記（１）の対策では、電子制御装置の通常動作時において、逆流防止ダイオードに常時電流が流れることになるため、その逆流防止ダイオードでの損失及び発熱が問題となる。   However, in the countermeasure (1), since a current always flows through the backflow prevention diode during normal operation of the electronic control device, loss and heat generation in the backflow prevention diode become a problem.

例えば、ダイオードの順方向電圧Ｖｆを０．６Ｖとすると、２Ａ程度の電流が流れる場合、「２Ａ×０．６Ｖ＝１．２Ｗ」の電力が逆流防止ダイオードで消費されることとなり、更に１０Ａ程度の電流が流れるとすると、「１０Ａ×０．６Ｖ＝６Ｗ」もの電力が逆流防止ダイオードで消費されてしまう。そして、逆接続保護のためだけに常にこれだけの電力損失が発生すると、電子制御装置の熱設計が困難になってしまう。   For example, assuming that the forward voltage Vf of the diode is 0.6 V, when a current of about 2 A flows, the power of “2 A × 0.6 V = 1.2 W” is consumed by the backflow prevention diode, and further about 10 A. As a result, a power of “10 A × 0.6 V = 6 W” is consumed by the backflow prevention diode. If such a power loss is always generated only for the reverse connection protection, the thermal design of the electronic control device becomes difficult.

また、上記（２）の対策では、車両内配線（ワイヤハーネス）を設計する上での自由度を低下させてしまうという問題がある。
例えば、ＪＡＳＯ規格において、ブレード型ヒューズは、通常流れる電流の７０％で使用する必要があるため、１０Ａが流れる場合、「１０Ａ×（１／０．７）＝１４Ａ」となり、ヒューズとしては１５Ａ定格のものが用いられる。 Further, the measure (2) has a problem that the degree of freedom in designing the in-vehicle wiring (wire harness) is reduced.
For example, in the JASO standard, a blade-type fuse needs to be used at 70% of the current that normally flows. Therefore, when 10 A flows, “10 A × (1 / 0.7) = 14 A”, and the fuse is rated at 15 A. Is used.

そして、ヒューズの溶断条件としては、定格電流（この例の場合１５Ａ）の２００％の電流（この例の場合３０Ａ）が５秒間継続して成立する。
このように、通常時の電流が増えてくるとヒューズ溶断のための電流が増加することとなり、このような電流にグランド端子と電源端子との間に設けたダイオードが耐える必要があることと、それだけの電流を流すことが可能なワイヤハーネスを設計することが必要となるのである。 As a fuse blowing condition, 200% of the rated current (15A in this example) (30A in this example) is continuously established for 5 seconds.
In this way, when the current at normal time increases, the current for blowing the fuse increases, and it is necessary for the diode provided between the ground terminal and the power supply terminal to withstand such a current, Therefore, it is necessary to design a wire harness capable of flowing such a large amount of current.

特に、バッテリの電圧が低いほど、この電流を流すワイヤハーネスの設計が困難になってくる。例えば、ヒューズに関しては、他の溶断条件として、定格電流の６００％の電流が０．２秒間流れる、といったものがあるが、定格電流が１５Ａである場合、その６００％である９０Ａの電流がワイヤハーネスに流れるようにする必要があり、仮に１２Ｖ系バッテリの１０Ｖ時であれば、約０．１Ωでのワイヤハーネス設計が必要となる。そして、ワイヤハーネスを構成する電線同士の接続部等における電気抵抗も考えると、ワイヤハーネスの設計自由度が著しく低下してしまうのである。   In particular, the lower the battery voltage, the more difficult it is to design a wire harness that allows this current to flow. For example, with regard to the fuse, another fusing condition is that a current of 600% of the rated current flows for 0.2 seconds. When the rated current is 15A, a current of 90A, which is 600%, is a wire. It is necessary to flow through the harness. If the 12V battery is 10V, a wire harness design of about 0.1Ω is required. And if the electrical resistance in the connection part etc. of the electric wires which comprise a wire harness is also considered, the design freedom of a wire harness will fall remarkably.

一方、上記特許文献１の構成では、スイッチとグランド端子との間に設けたＦＥＴがバッテリの正常接続時には完全にオンするため、そのＦＥＴでの電力損失を低減することができる。   On the other hand, in the configuration of Patent Document 1, since the FET provided between the switch and the ground terminal is completely turned on when the battery is normally connected, the power loss in the FET can be reduced.

しかし、上記特許文献１の構成は、一般の電子制御装置には向かない。つまり、通常、電子制御装置においては、耐ノイズ性能を高めたり、他の装置との入出力電位を合わせるために、グランド端子に接続されるグランド配線のインピーダンスは出来るだけ小さくして、そのグランド配線の電位を出来る限りバッテリのマイナス端子の電位と一致させることが好ましい。このため、グランド配線に相当する部位に逆接続保護用の素子を設ける上記特許文献１の構成は実質的に適用できない。   However, the configuration of Patent Document 1 is not suitable for general electronic control devices. In other words, usually in an electronic control device, the impedance of the ground wiring connected to the ground terminal is made as small as possible in order to improve noise resistance performance and match the input / output potential with other devices. It is preferable to match the potential of the battery as much as possible with the potential of the negative terminal of the battery. For this reason, the structure of the said patent document 1 which provides the element for reverse connection protection in the site | part corresponded to a ground wiring cannot be applied substantially.

そこで、本発明は、電源逆接続時に電子制御装置を保護するのに好適な電源逆接続保護回路の提供を目的としている。   SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, an object of the present invention is to provide a power supply reverse connection protection circuit suitable for protecting an electronic control device during power supply reverse connection.

本発明の電源逆接続保護回路が用いられる電子制御装置は、電源のプラス端子に接続される電源端子と、電源のマイナス端子に接続されるグランド端子と、その電源端子とグランド端子との各々から伸びて、電源からの電力を電源供給対象に供給する給電用経路とを備えている。そして、本発明の電源逆接続保護回路は、電子制御装置において、電源端子に電源のマイナス端子が接続され、グランド端子に電源のプラス端子が接続された状態の電源逆接続時に、電源供給対象に正常時とは逆方向の電流が流れるのを防止するものである。   An electronic control device using the power supply reverse connection protection circuit of the present invention includes a power supply terminal connected to the positive terminal of the power supply, a ground terminal connected to the negative terminal of the power supply, and each of the power supply terminal and the ground terminal. And a power supply path for supplying power from the power source to the power supply target. The power supply reverse connection protection circuit according to the present invention is a power supply target in the electronic control device when the power supply terminal is connected to the power supply terminal and the power supply terminal is connected to the ground terminal. This is to prevent a current flowing in the reverse direction from that in the normal state.

そのため、請求項１の電源逆接続保護回路は、２つの出力端子の間に寄生ダイオードを有した逆接続保護用ＦＥＴと、その逆接続保護用ＦＥＴをオンさせる駆動回路とを備えている。   Therefore, the power supply reverse connection protection circuit according to claim 1 includes a reverse connection protection FET having a parasitic diode between two output terminals, and a drive circuit for turning on the reverse connection protection FET.

そして、逆接続保護用ＦＥＴの２つの出力端子は、電子制御装置における給電用経路のうち、電源端子と電源供給対象とを結ぶ方の高電位側給電用経路上に、当該ＦＥＴの寄生ダイオードのアノードが電源端子側となるように、直列に接続されている。   Then, the two output terminals of the reverse connection protection FET are connected to the parasitic diode of the FET on the high potential side power supply path that connects the power supply terminal and the power supply target among the power supply paths in the electronic control unit. They are connected in series so that the anode is on the power supply terminal side.

また、駆動回路は、電源端子に電源のプラス端子が接続され、グランド端子に電源のマイナス端子が接続された状態の電源正常接続時には、逆接続保護用ＦＥＴをオンさせ、電源逆接続時には、逆接続保護用ＦＥＴをオフさせる。そして更に、その駆動回路は、逆接続保護用ＦＥＴの２つの出力端子のうち、寄生ダイオードのカソード側の出力端子（即ち、電源正常接続時に電流の下流側となる方の出力端子であり、以下、下流側出力端子という）に接続され、その下流側出力端子から出力される電圧を電源として、逆接続保護用ＦＥＴをオンさせるように構成されている。   Also, the drive circuit turns on the reverse connection protection FET when the power supply is normally connected with the power supply terminal connected to the power supply positive terminal and the ground terminal connected to the power supply negative terminal. Turn off the connection protection FET. Furthermore, the drive circuit is the output terminal on the cathode side of the parasitic diode among the two output terminals of the reverse connection protection FET (that is, the output terminal that is on the downstream side of the current when the power supply is normally connected, The reverse connection protection FET is turned on using a voltage output from the downstream output terminal as a power source.

このような電源逆接続保護回路によれば、下記（ａ）〜（ｄ）の効果が得られる。
（ａ）電源逆接続時には、逆接続保護用ＦＥＴがオフし、グランド端子から電源供給対象を経由して電源端子へと逆電流（正常時とは逆方向の電流）が流れようとしても、その逆電流を逆接続保護用ＦＥＴの寄生ダイオードによって阻止することができ、その結果、電源供給対象にダメージを与えてしまうことを回避することができる。そして、電源正常接続時であって、電子制御装置が正常に動作する際には、逆接続保護用ＦＥＴがオンするため、その逆接続保護用ＦＥＴでの電力損失及び発熱を上記（１）の対策よりも大幅に低減することができる。 According to such a power supply reverse connection protection circuit, the following effects (a) to (d) can be obtained.
(A) At the time of reverse power connection, the reverse connection protection FET is turned off, and even if a reverse current (current in the reverse direction from normal) flows from the ground terminal to the power supply terminal via the power supply target, The reverse current can be blocked by the parasitic diode of the reverse connection protection FET, and as a result, it is possible to avoid damaging the power supply target. When the power supply is normally connected and the electronic control device operates normally, the reverse connection protection FET is turned on. Therefore, the power loss and heat generation in the reverse connection protection FET can be reduced. This can be greatly reduced compared to the countermeasures.

（ｂ）上記（２）の対策のようにヒューズを溶断させる必要がないため、電源と電子制御装置とを接続する装置外配線の設計自由度を低下させない。
（ｃ）電子制御装置における給電用経路のうち、グランド端子と電源供給対象とを結ぶ方の低電位側給電用経路（即ち、グランド配線）上には、逆接続保護用の素子を設ける必要がないため、その低電位側給電用経路のインピーダンスを出来るだけ小さくして、その経路の電位を出来る限り電源のマイナス端子の電位と一致させることができ、延いては、電子制御装置の耐ノイズ性能を高めたり、他の装置との入出力電位を容易に合わせることができる。 (B) Since it is not necessary to blow the fuse as in the measure (2) above, the degree of freedom in designing the external wiring for connecting the power supply and the electronic control device is not reduced.
(C) Of the power supply paths in the electronic control unit, it is necessary to provide a reverse connection protection element on the low potential side power supply path (that is, the ground wiring) that connects the ground terminal and the power supply target. Therefore, the impedance of the low potential side power supply path can be made as small as possible so that the potential of the path matches the potential of the negative terminal of the power supply as much as possible. And input / output potentials with other devices can be easily adjusted.

（ｄ）駆動回路は、逆接続保護用ＦＥＴの下流側出力端子（寄生ダイオードのカソード側の出力端子）から出力される電圧を電源として、逆接続保護用ＦＥＴをオンさせるように構成されているため、電源逆接続時には、その駆動回路に逆電流が流れてしまうことも、逆接続保護用ＦＥＴの寄生ダイオードによって防止することができる。よって、駆動回路の電源逆接続に対する保護について追加の素子を設ける必要がなく、回路の小型化及び低コスト化を達成し易い。   (D) The drive circuit is configured to turn on the reverse connection protection FET using the voltage output from the downstream output terminal of the reverse connection protection FET (the output terminal on the cathode side of the parasitic diode) as a power source. Therefore, when the power supply is reversely connected, it is possible to prevent a reverse current from flowing in the drive circuit by the parasitic diode of the reverse connection protection FET. Therefore, there is no need to provide an additional element for protection against reverse power connection of the drive circuit, and it is easy to achieve miniaturization and cost reduction of the circuit.

次に、請求項２の電源逆接続保護回路では、請求項１の電源逆接続保護回路において、前記高電位側給電用経路のうち、逆接続保護用ＦＥＴの下流側出力端子と電源供給対象との間の経路に、その経路を連通又は遮断させるための電源オン／オフ切換用ＦＥＴの２つの出力端子が、その２つの出力端子間にある寄生ダイオードのカソードが逆接続保護用ＦＥＴ側となるように、直列に接続されている。   Next, in the power supply reverse connection protection circuit according to claim 2, in the power supply reverse connection protection circuit according to claim 1, the downstream output terminal of the reverse connection protection FET and the power supply target in the high potential side power supply path. The two output terminals of the power on / off switching FET for communicating or blocking the path between the two are connected to each other, and the cathode of the parasitic diode between the two output terminals is on the reverse connection protection FET side. So that they are connected in series.

そして、駆動回路は、電源スイッチがオンされた際に発生する起動信号を受けると、逆接続保護用ＦＥＴの下流側出力端子から出力される電圧を電源として、電源オン／オフ切換用ＦＥＴをオンさせるように構成されている。   When the drive circuit receives a start signal generated when the power switch is turned on, the drive circuit turns on the power on / off switching FET using the voltage output from the downstream output terminal of the reverse connection protection FET as a power source. It is configured to let you.

このような請求項２の電源逆接続保護回路によれば、電源スイッチがオンされて起動信号が発生した場合にだけ、電源オン／オフ切換用ＦＥＴがオンされて、電源供給対象に電源からの電力を供給することができる。   According to such a power supply reverse connection protection circuit of claim 2, the power on / off switching FET is turned on only when the power switch is turned on and the start signal is generated, and the power supply target is supplied from the power supply. Electric power can be supplied.

よって、電源供給対象が動作しなくても良い場合に無駄な電流が電子制御装置に流れ込むことを防止することができる。尚、電源オン／オフ切換用ＦＥＴがオフしている場合には、その電源オン／オフ切換用ＦＥＴの寄生ダイオードにより、電源端子から電源供給対象へと電流が流れ込むことが防止される。   Therefore, it is possible to prevent a wasteful current from flowing into the electronic control device when the power supply target need not operate. When the power on / off switching FET is off, the parasitic diode of the power on / off switching FET prevents current from flowing from the power terminal to the power supply target.

次に、請求項３の電源逆接続保護回路では、請求項２の電源逆接続保護回路において、駆動回路は、電源正常接続時に、前記電源スイッチがオンされた際に発生する起動信号を受けると、逆接続保護用ＦＥＴをオンさせるように構成されている。   Next, in the power reverse connection protection circuit according to claim 3, in the power reverse connection protection circuit according to claim 2, when the drive circuit receives a start signal generated when the power switch is turned on at the time of normal power connection. The reverse connection protection FET is turned on.

このような請求項３の電源逆接続保護回路によれば、電源オン／オフ切換用ＦＥＴがオンされて電源供給対象に電源からの電力を供給する場合（即ち、電子制御装置の動作時）にだけ、逆接続保護用ＦＥＴをオンさせることができる。このため、電子制御装置の非動作時においては、逆接続保護用ＦＥＴをオンさせるための駆動回路での消費電流を削減することができ、その点において有利である。   According to such a power supply reverse connection protection circuit of claim 3, when the power supply ON / OFF switching FET is turned on to supply power from the power supply to the power supply target (that is, during operation of the electronic control unit). Only the reverse connection protection FET can be turned on. For this reason, when the electronic control unit is not operating, the current consumption in the drive circuit for turning on the reverse connection protection FET can be reduced, which is advantageous in that respect.

一方、請求項４の電源逆接続保護回路では、請求項２の電源逆接続保護回路において、駆動回路は、電源正常接続時に、逆接続保護用ＦＥＴを常時オンさせるように構成されている。   On the other hand, in the power supply reverse connection protection circuit according to claim 4, in the power supply reverse connection protection circuit according to claim 2, the drive circuit is configured to always turn on the reverse connection protection FET when the power supply is normally connected.

このような請求項４の電源逆接続保護回路によれば、電源正常接続時において、電源オン／オフ切換用ＦＥＴがオンされる時点では、逆接続保護用ＦＥＴが既にオンしていることとなるため、その逆接続保護用ＦＥＴの寄生ダイオードを介して電源供給対象に電流が流れる機会を無くすことができる。   According to such a power supply reverse connection protection circuit of claim 4, when the power supply on / off switching FET is turned on when the power supply is normally connected, the reverse connection protection FET is already turned on. Therefore, it is possible to eliminate the opportunity for current to flow to the power supply target via the parasitic diode of the reverse connection protection FET.

つまり、請求項３のように構成した場合、仮に電源オン／オフ切換用ＦＥＴが逆接続保護用ＦＥＴよりも先にオンしたとすると、その時点から逆接続保護用ＦＥＴがオンするまでの間は、逆接続保護用ＦＥＴの寄生ダイオードを介して電源供給対象に電流が流れることとなり、その寄生ダイオードで電力損失が発生するが、請求項４の構成によれば、そのような寄生ダイオードでの電力損失を確実に無くすことができる。   In other words, if the power supply on / off switching FET is turned on before the reverse connection protection FET, the configuration until the reverse connection protection FET is turned on from that point in time can be considered. The current flows to the power supply target via the parasitic diode of the reverse connection protection FET, and power loss occurs in the parasitic diode. According to the configuration of claim 4, the power in the parasitic diode Loss can be reliably eliminated.

次に、請求項５の電源逆接続保護回路は、請求項２〜４の電源逆接続保護回路において、前記電源スイッチを介して電源のプラス端子の電圧が入力される信号入力端子と、逆接続保護用ＦＥＴの下流側出力端子から出力される電圧により動作し、前記信号入力端子の電圧と閾値電圧とを比較して、前記信号入力端子の電圧が閾値電圧よりも高い場合に、アクティブレベルの信号を出力する比較器とを備えている。そして、その比較器から出力されるアクティブレベルの信号が、前記起動信号になっている。   Next, a power reverse connection protection circuit according to a fifth aspect of the present invention is the power reverse connection protection circuit according to any one of the second to fourth aspects, wherein a reverse connection is established between the signal input terminal to which the voltage of the positive terminal of the power source is input via the power switch. It operates by the voltage output from the downstream output terminal of the protection FET, and the voltage of the signal input terminal is compared with the threshold voltage. When the voltage of the signal input terminal is higher than the threshold voltage, the active level And a comparator for outputting a signal. An active level signal output from the comparator is the activation signal.

このような電源逆接続保護回路によれば、信号入力端子の電圧を起動信号として用いる構成と比較すると、電源オン／オフ切換用ＦＥＴ、或いは、電源オン／オフ切換用ＦＥＴと逆接続保護用ＦＥＴが、ノイズ等により誤ってオンされてしまう可能性を低くすることができる。   According to such a power supply reverse connection protection circuit, the power on / off switching FET or the power on / off switching FET and the reverse connection protection FET are compared with the configuration using the voltage of the signal input terminal as the start signal. However, the possibility of being turned on by mistake due to noise or the like can be reduced.

また、比較器は、逆接続保護用ＦＥＴの下流側出力端子から出力される電圧によって動作するため、電源逆接続時には、その比較器に逆電流が流れてしまうことも、逆接続保護用ＦＥＴの寄生ダイオードによって防止することができる。よって、比較器の電源逆接続に対する保護について追加の素子を設ける必要がない。   In addition, since the comparator operates with the voltage output from the downstream output terminal of the reverse connection protection FET, a reverse current may flow through the comparator when the power supply is reverse connected. It can be prevented by a parasitic diode. Therefore, there is no need to provide an additional element for protection against reverse power connection of the comparator.

ところで、請求項２〜５の電源逆接続保護回路において、電源供給対象が、電子制御装置の外部に設けられた電気負荷である場合、電源オン／オフ切換用ＦＥＴとしては、請求項６に記載のように、そのＦＥＴに流れる電流が異常値になったことを検知すると強制的にオフする保護機能を有したＦＥＴ（いわゆるインテリジェントパワーデバイス）を用いることが好ましい。電気負荷の上流側端子（即ち、電源オン／オフ切換用ＦＥＴを介して電圧が印加される端子）が電源のマイナス端子の電位に短絡したり、電気負荷自身が短絡故障して、電源オン／オフ切換用ＦＥＴに過大な電流が流れても、その電源オン／オフ切換用ＦＥＴが故障してしまうのを確実に防止することができるからである。   By the way, in the power supply reverse connection protection circuit according to claims 2 to 5, when the power supply target is an electric load provided outside the electronic control device, the power on / off switching FET is described in claim 6. As described above, it is preferable to use an FET (so-called intelligent power device) having a protection function that forcibly turns off when it is detected that the current flowing through the FET becomes an abnormal value. The upstream terminal of the electrical load (that is, the terminal to which voltage is applied via the power on / off switching FET) is short-circuited to the potential of the negative terminal of the power source, or the electrical load itself is short-circuited and This is because even if an excessive current flows through the off-switching FET, it is possible to reliably prevent the power-on / off switching FET from failing.

一方、逆接続保護用ＦＥＴとしては、Ｐチャネル型のＦＥＴと、Ｎチャネル型のＦＥＴとの何れを用いても良いが、逆接続保護用ＦＥＴとしてＰチャネル型のＦＥＴを用いれば、そのＦＥＴを駆動する駆動回路を簡素なものにすることができる。   On the other hand, as the reverse connection protection FET, either a P-channel FET or an N-channel FET may be used. However, if a P-channel FET is used as the reverse connection protection FET, the FET is The driving circuit to be driven can be simplified.

また、一般に、Ｐチャネル型のＦＥＴよりもＮチャネル型のＦＥＴの方が、オン抵抗が小さいため、逆接続保護用ＦＥＴとしてＮチャネル型のＦＥＴを用いれば、そのＦＥＴのオン時の電力損失及び発熱を一層低減することができ、その点において有利である。   In general, an N-channel FET has a smaller on-resistance than a P-channel FET. Therefore, if an N-channel FET is used as a reverse connection protection FET, the power loss when the FET is on and Heat generation can be further reduced, which is advantageous in that respect.

また、このため、逆接続保護用ＦＥＴと電源オン／オフ切換用ＦＥＴとの両方が、Ｎチャネル型のＦＥＴであれば、その２つのＦＥＴが設けられる高電位側給電用経路での電力損失及び発熱を一層小さく抑えることができる。   For this reason, if both the reverse connection protection FET and the power on / off switching FET are N-channel FETs, the power loss in the high-potential-side power supply path in which the two FETs are provided and Heat generation can be further reduced.

以下に、本発明が適用された実施形態の電子制御装置について説明する。尚、本実施形態の電子制御装置は、自動車に搭載されるものであり、その自動車のバッテリを電源として動作する。
［第１実施形態］
まず図１は、第１実施形態の電子制御装置（以下、ＥＣＵという）１の構成を表す構成図である。 Hereinafter, an electronic control device according to an embodiment to which the present invention is applied will be described. The electronic control device according to the present embodiment is mounted on an automobile and operates using the battery of the automobile as a power source.
[First Embodiment]
First, FIG. 1 is a configuration diagram showing a configuration of an electronic control device (hereinafter referred to as an ECU) 1 of the first embodiment.

図１に示すように、第１実施形態のＥＣＵ１は、バッテリ３のプラス端子に接続される電源端子５と、バッテリ３のマイナス端子に接続されるグランド端子７と、電源スイッチとしてのイグニッションキースイッチ９を介してバッテリ３のプラス端子の電圧（以下、バッテリ電圧という）ＶＢが入力される信号入力端子１１とを備えている。   As shown in FIG. 1, the ECU 1 of the first embodiment includes a power supply terminal 5 connected to a positive terminal of a battery 3, a ground terminal 7 connected to a negative terminal of the battery 3, and an ignition key switch as a power switch. 9 and a signal input terminal 11 to which a voltage VB (hereinafter referred to as battery voltage) VB of the positive terminal of the battery 3 is input.

そして、このＥＣＵ１では、バッテリ３からの電力が、電源端子５及びグランド端子７を介して、内部の制御回路１３に供給される。
即ち、電源端子５と制御回路１３との間には、高電位側給電用経路としての電源配線１５が配設され、グランド端子７と制御回路１３との間には、低電位側給電用経路としてのグランド配線１７が配設されており、その電源配線１５とグランド配線１７とにより、バッテリ３からの電力が制御回路１３に供給される。 In the ECU 1, the electric power from the battery 3 is supplied to the internal control circuit 13 via the power supply terminal 5 and the ground terminal 7.
That is, a power supply wiring 15 as a high potential side power supply path is disposed between the power supply terminal 5 and the control circuit 13, and a low potential side power supply path is provided between the ground terminal 7 and the control circuit 13. The power supply wiring 15 and the ground wiring 17 supply power from the battery 3 to the control circuit 13.

制御回路１３は、制御対象（例えばエンジンやトランスミッション等の車載機器）を制御するための処理やアクチュエータ駆動を実施するものである。そして、制御回路１３は、電源配線１５を介して入力されるバッテリ電圧ＶＢから一定の電源電圧（例えば５Ｖ）を生成する電源回路（図示省略）や、その電源回路で生成される電源電圧を受けて動作するマイコンを始めとした各種のＩＣ１９や、そのＩＣ１９からの信号に基づいてアクチュエータを駆動する出力回路（図示省略）などから構成されている。   The control circuit 13 performs processing for controlling a control target (for example, an in-vehicle device such as an engine and a transmission) and actuator driving. The control circuit 13 receives a power supply circuit (not shown) that generates a constant power supply voltage (for example, 5 V) from the battery voltage VB that is input via the power supply wiring 15, and a power supply voltage generated by the power supply circuit. And the like, and various output circuits 19 (not shown) for driving the actuators based on signals from the ICs 19.

また、ＥＣＵ１は、イグニッションキースイッチ９がオンされると、制御動作を行うようになっており、そのため、制御回路１３には、イグニッションキースイッチ９がオンされることで、バッテリ電圧ＶＢが供給されるようになっている。   Further, the ECU 1 performs a control operation when the ignition key switch 9 is turned on. Therefore, the battery voltage VB is supplied to the control circuit 13 when the ignition key switch 9 is turned on. It has become so.

ここで、このＥＣＵ１には、バッテリ３の逆接続時、即ち、電源端子５にバッテリ３のマイナス端子が接続され、グランド端子７にバッテリ３のプラス端子が接続された時に、電源供給対象としての制御回路１３に正常時とは逆方向の電流が流れるのを防止するため、以下の各素子からなる回路が設けられている。   Here, when the battery 3 is reversely connected, that is, when the negative terminal of the battery 3 is connected to the power supply terminal 5 and the positive terminal of the battery 3 is connected to the ground terminal 7, the ECU 1 In order to prevent a current in the reverse direction from flowing in the control circuit 13 from being normal, a circuit comprising the following elements is provided.

まず、電源端子５と制御回路１３とを結ぶ電源配線１５上に、２つのＦＥＴ２１，２２が直列に接続されている。
より詳しく説明すると、２つのＦＥＴ２１，２２は、両方共にＰチャネル型のＭＯＳＦＥＴであり、電源端子５にＦＥＴ２１のドレイン（Ｄ）が接続され、そのＦＥＴ２１のソース（Ｓ）にＦＥＴ２２のソースが接続され、そのＦＥＴ２２のドレインが、電源配線１５のうち、制御回路１３へと伸びた部分に接続されている。 First, two FETs 21 and 22 are connected in series on a power supply wiring 15 connecting the power supply terminal 5 and the control circuit 13.
More specifically, the two FETs 21 and 22 are both P-channel MOSFETs, the drain (D) of the FET 21 is connected to the power supply terminal 5, and the source of the FET 22 is connected to the source (S) of the FET 21. The drain of the FET 22 is connected to a portion of the power supply wiring 15 extending to the control circuit 13.

つまり、ＦＥＴ２１は、電源配線１５上において、そのＦＥＴ２１のドレイン・ソース間に形成された寄生ダイオードＤ１のアノードが電源端子５側となるように設けられ、ＦＥＴ２２は、電源配線１５上のＦＥＴ２１よりも下流側（制御回路１３側）において、そのＦＥＴ２２のドレイン・ソース間に形成された寄生ダイオードＤ２のカソードがＦＥＴ２１側となるように設けられている。   That is, the FET 21 is provided on the power supply wiring 15 so that the anode of the parasitic diode D1 formed between the drain and source of the FET 21 is on the power supply terminal 5 side, and the FET 22 is more than the FET 21 on the power supply wiring 15. On the downstream side (control circuit 13 side), the cathode of the parasitic diode D2 formed between the drain and source of the FET 22 is provided on the FET 21 side.

そして、ＦＥＴ２１，２２のゲートには抵抗Ｒ１の一端が共通に接続され、その抵抗Ｒ１の他端は、ＮＰＮトランジスタ２３のコレクタに接続されている。更に、そのＮＰＮトランジスタ２３のエミッタはグランド配線１７に接続されている。   One end of the resistor R1 is connected in common to the gates of the FETs 21 and 22, and the other end of the resistor R1 is connected to the collector of the NPN transistor 23. Further, the emitter of the NPN transistor 23 is connected to the ground wiring 17.

また、ＦＥＴ２１のソース（寄生ダイオードＤ１のカソード側の出力端子であり、下流側出力端子に相当）には、ツェナーダイオード２５のカソードと、抵抗Ｒ２の一端とが接続されている。そして、抵抗Ｒ２の他端は、ＮＰＮトランジスタ２３のコレクタに接続され、ツェナーダイオード２５のアノードは、ＦＥＴ２１，２２のゲートに接続されている。   Further, the cathode of the Zener diode 25 and one end of the resistor R2 are connected to the source of the FET 21 (which is an output terminal on the cathode side of the parasitic diode D1 and corresponds to the downstream output terminal). The other end of the resistor R2 is connected to the collector of the NPN transistor 23, and the anode of the Zener diode 25 is connected to the gates of the FETs 21 and 22.

更に、信号入力端子１１にダイオード２７のアノードが接続されており、そのダイオード２７のカソードが、ＮＰＮトランジスタ２３のベースに接続されている。
また、ダイオード２７のカソードには、ダイオード２９のカソードが接続されており、そのダイオード２９のアノードには、ＮＰＮトランジスタ２３をオンさせるための制御回路１３からの駆動信号Ｓｄが供給されるようになっている。 Further, the anode of a diode 27 is connected to the signal input terminal 11, and the cathode of the diode 27 is connected to the base of the NPN transistor 23.
Further, the cathode of the diode 27 is connected to the cathode of the diode 29, and the drive signal Sd from the control circuit 13 for turning on the NPN transistor 23 is supplied to the anode of the diode 29. ing.

尚、制御回路１３からの駆動信号Ｓｄは、ハイアクティブの信号である。また、ＮＰＮトランジスタ２３は、ベース抵抗（ベース電流制限用抵抗）と、ベース・エミッタ間抵抗とが内蔵されたトランジスタ（いわゆる抵抗内蔵型トランジスタ）である。   The drive signal Sd from the control circuit 13 is a high active signal. The NPN transistor 23 is a transistor (so-called resistance built-in transistor) in which a base resistance (base current limiting resistance) and a base-emitter resistance are built-in.

以上のような構成のＥＣＵ１において、バッテリ３が図１の如く正常に接続されている場合には、バッテリ３からの電力が制御回路１３へ以下のように供給される。
まず、イグニッションキースイッチ９がオフされ、且つ、制御回路１３から駆動信号Ｓｄが出力されていなければ、ＮＰＮトランジスタ２３がオフ状態となり、両ＦＥＴ２１，２２のゲートとソースが抵抗Ｒ１，Ｒ２によって同電位になる。よって、両ＦＥＴ２１，２２がオフ状態となり、制御回路１３へはバッテリ電圧ＶＢ（バッテリ３の電力）が供給されない。 In the ECU 1 configured as described above, when the battery 3 is normally connected as shown in FIG. 1, power from the battery 3 is supplied to the control circuit 13 as follows.
First, if the ignition key switch 9 is turned off and the drive signal Sd is not output from the control circuit 13, the NPN transistor 23 is turned off, and the gates and sources of both FETs 21, 22 are set to the same potential by the resistors R1, R2. become. Therefore, both FETs 21 and 22 are turned off, and the battery voltage VB (power of the battery 3) is not supplied to the control circuit 13.

尚、この状態において、ＦＥＴ２１のソース側には、寄生ダイオードＤ１を介してバッテリ電圧ＶＢが伝達されている。しかし、制御回路１３へ電流が流れ込むことは、ＦＥＴ２２の寄生ダイオードＤ２によって阻止される。   In this state, the battery voltage VB is transmitted to the source side of the FET 21 via the parasitic diode D1. However, current flowing into the control circuit 13 is blocked by the parasitic diode D2 of the FET 22.

そして、このような状態において、イグニッションキースイッチ９がオンされると、信号入力端子１１からダイオード２７を介してＮＰＮトランジスタ２３にベース電流が流れ、そのＮＰＮトランジスタ２３がオンする。   In this state, when the ignition key switch 9 is turned on, a base current flows from the signal input terminal 11 to the NPN transistor 23 via the diode 27, and the NPN transistor 23 is turned on.

すると、ＦＥＴ２１の寄生ダイオードＤ１を通って、そのＦＥＴ２１のソースから、ツェナーダイオード２５及び抵抗Ｒ１に電流が流れる。そして、ＦＥＴ２１，２２のゲート・ソース間に、ツェナーダイオード２５のツェナー電圧Ｖｚ分だけ電位差が生じて、両ＦＥＴ２１，２２がオンする。ツェナーダイオード２５のツェナー電圧Ｖｚは、ＦＥＴ２１，２２がオンするゲート・ソース間電圧よりも大きく、且つ、バッテリ電圧ＶＢよりは小さい値に設定されている。   Then, a current flows from the source of the FET 21 to the Zener diode 25 and the resistor R1 through the parasitic diode D1 of the FET 21. Then, a potential difference is generated between the gates and sources of the FETs 21 and 22 by the Zener voltage Vz of the Zener diode 25, and both FETs 21 and 22 are turned on. The Zener voltage Vz of the Zener diode 25 is set to a value larger than the gate-source voltage at which the FETs 21 and 22 are turned on and smaller than the battery voltage VB.

また、ＦＥＴ２１がオンすると、それまで寄生ダイオードＤ１を通って流れていた電流が、ＦＥＴ２１のドレイン・ソース間に流れることとなり、これで制御回路１３へバッテリ３からの電力を少ない損失で供給する状態となる。   When the FET 21 is turned on, the current that has been flowing through the parasitic diode D1 so far flows between the drain and the source of the FET 21, so that the power from the battery 3 is supplied to the control circuit 13 with little loss. It becomes.

尚、制御回路１３は、ＦＥＴ２２がオンしてバッテリ３からの電力を受けると、動作を開始する。そして、制御回路１３は、動作を開始すると、駆動信号Ｓｄを出力して、イグニッションキースイッチ９がオフされてもＮＰＮトランジスタ２３及びＦＥＴ２１，２２がオンしたままになるようにする。   The control circuit 13 starts operating when the FET 22 is turned on and receives power from the battery 3. Then, when the operation starts, the control circuit 13 outputs the drive signal Sd so that the NPN transistor 23 and the FETs 21 and 22 remain on even when the ignition key switch 9 is turned off.

また、図示は省略しているが、制御回路１３は、イグニッションキースイッチ９のオン／オフ状態を検出するために信号入力端子１１の電圧をモニタするようになっている。
そして、制御回路１３は、信号入力端子１１の電圧に基づいてイグニッションキースイッチ９がオフされたことを検知し、更にその後、データ退避等の動作停止前処理が終了して、動作を停止しても良い条件が成立すると、上記駆動信号Ｓｄの出力を停止するようになっている。 Although not shown, the control circuit 13 monitors the voltage of the signal input terminal 11 in order to detect the on / off state of the ignition key switch 9.
Then, the control circuit 13 detects that the ignition key switch 9 has been turned off based on the voltage of the signal input terminal 11, and after that, pre-operation stop processing such as data saving is completed, and the operation is stopped. If a good condition is satisfied, the output of the drive signal Sd is stopped.

すると、ＮＰＮトランジスタ２３がオフし、それに伴い、ＦＥＴ２１，２２もオフする。そして、ＦＥＴ２２がオフすることにより、電源端子５から制御回路１３へ電流が流れ込むことが、ＦＥＴ２２の寄生ダイオードＤ２によって阻止され、その結果、制御回路１３への給電が遮断した状態に戻ることとなる。   Then, the NPN transistor 23 is turned off, and accordingly, the FETs 21 and 22 are also turned off. When the FET 22 is turned off, the parasitic diode D2 of the FET 22 prevents the current from flowing from the power supply terminal 5 to the control circuit 13, and as a result, the power supply to the control circuit 13 is cut off. .

一方、ＥＣＵ１において、バッテリ３の逆接続時には、ＮＰＮトランジスタ２３がオンせず、両ＦＥＴ２１，２２のゲートとソースは抵抗Ｒ１，Ｒ２によって同電位に保持されるため、両ＦＥＴ２１，２２がオフ状態となる。   On the other hand, in the ECU 1, when the battery 3 is reversely connected, the NPN transistor 23 is not turned on, and the gates and sources of both FETs 21 and 22 are held at the same potential by the resistors R 1 and R 2. Become.

よって、バッテリ３の逆接続時に、グランド端子７から制御回路１３におけるＩＣ１９内部の寄生ダイオード２０等を経由して電源端子５へと、正常時とは逆方向の電流（逆電流）が流れようとしても、そのような逆電流はＦＥＴ２１の寄生ダイオードＤ１によって阻止される。このため、制御回路１３が逆電流によってダメージを受けてしまうことが防止される。   Therefore, when the battery 3 is reversely connected, a current (reverse current) in a direction opposite to that in the normal state tends to flow from the ground terminal 7 to the power supply terminal 5 via the parasitic diode 20 inside the IC 19 in the control circuit 13. However, such reverse current is blocked by the parasitic diode D1 of the FET 21. This prevents the control circuit 13 from being damaged by the reverse current.

尚、本第１実施形態では、ＦＥＴ２１が逆接続保護用ＦＥＴに相当し、ＦＥＴ２２が電源オン／オフ切換用ＦＥＴに相当している。そして、ＮＰＮトランジスタ２３、ツェナーダイオード２５、抵抗Ｒ１，Ｒ２、及びダイオード２７，２９からなる回路が、駆動回路に相当している。また、イグニッションキースイッチ９のオンによって信号入力端子１１から入力されるバッテリ電圧ＶＢと、制御回路１３から出力される駆動信号Ｓｄとの、ダイオード２７，２９によるワイヤードオア信号（即ち、ダイオード２７，２９のカソード電圧）が、電源スイッチがオンされた際に発生する起動信号に相当している。   In the first embodiment, the FET 21 corresponds to a reverse connection protection FET, and the FET 22 corresponds to a power on / off switching FET. A circuit including the NPN transistor 23, the Zener diode 25, the resistors R1 and R2, and the diodes 27 and 29 corresponds to a drive circuit. In addition, a wired OR signal (that is, diodes 27 and 29) by the diodes 27 and 29 between the battery voltage VB input from the signal input terminal 11 and the drive signal Sd output from the control circuit 13 when the ignition key switch 9 is turned on. Cathode voltage) corresponds to an activation signal generated when the power switch is turned on.

以上のようなＥＣＵ１によれば、まず、前述した（ａ）〜（ｄ）の効果であって、下記の第１〜第４の効果が得られる。
第１に、バッテリ３の逆接続時には、ＦＥＴ２１がオフし、グランド端子７から制御回路１３を経由して電源端子５へと逆電流が流れようとしても、その逆電流をＦＥＴ２１の寄生ダイオードＤ１によって阻止することができ、その結果、制御回路１３にダメージを与えてしまうことを回避することができる。そして、バッテリ３の正常接続時であって、ＥＣＵ１が正常に動作する際には、ＦＥＴ２１がオンするため、そのＦＥＴ２１での電力損失及び発熱を前述した（１）の対策よりも大幅に低減することができる。 According to the ECU 1 as described above, first, the following effects (a) to (d), which are the following first to fourth effects, are obtained.
First, when the battery 3 is reversely connected, even if the FET 21 is turned off and a reverse current flows from the ground terminal 7 to the power supply terminal 5 via the control circuit 13, the reverse current is caused by the parasitic diode D1 of the FET 21. As a result, it is possible to prevent the control circuit 13 from being damaged. When the battery 3 is normally connected and the ECU 1 operates normally, the FET 21 is turned on, so that power loss and heat generation in the FET 21 are significantly reduced as compared with the measure (1) described above. be able to.

第２に、前述した（２）の対策のようにヒューズを溶断させる必要がないため、バッテリ３とＥＣＵ１とを接続するワイヤハーネスの設計自由度を低下させない。
第３に、グランド配線１７上には、逆接続保護用の素子を設ける必要がないため、そのグランド配線１７のインピーダンスを出来るだけ小さくして、そのグランド配線１７の電位を出来る限りバッテリ３のマイナス端子の電位と一致させることができ、延いては、ＥＣＵ１の耐ノイズ性能を高めたり、他の装置との入出力電位を容易に合わせることができる。 Second, since it is not necessary to blow the fuse as in the measure (2) described above, the design freedom of the wire harness connecting the battery 3 and the ECU 1 is not lowered.
Third, since it is not necessary to provide an element for protecting the reverse connection on the ground wiring 17, the impedance of the ground wiring 17 is made as small as possible, and the potential of the ground wiring 17 is reduced as much as possible. It is possible to match the potential of the terminal, and as a result, the noise resistance performance of the ECU 1 can be enhanced, and the input / output potential with other devices can be easily matched.

第４に、ＦＥＴ２１，２２をオン／オフさせる駆動回路（ＮＰＮトランジスタ２３、ツェナーダイオード２５、抵抗Ｒ１，Ｒ２、及びダイオード２７，２９からなる回路）は、ＦＥＴ２１のソースから出力される電圧を電源として、ＦＥＴ２１，２２をオンさせるように構成されているため、バッテリ３の逆接続時には、その駆動回路に逆電流が流れてしまうことも、ＦＥＴ２１の寄生ダイオードＤ１によって防止することができる。   Fourth, the drive circuit for turning on / off the FETs 21 and 22 (a circuit comprising the NPN transistor 23, the Zener diode 25, the resistors R1 and R2, and the diodes 27 and 29) uses the voltage output from the source of the FET 21 as a power source. Since the FETs 21 and 22 are configured to be turned on, it is possible to prevent the reverse current from flowing to the drive circuit when the battery 3 is reversely connected by the parasitic diode D1 of the FET 21.

例えば、バッテリ３の逆接続時には、グランド端子７から、ＮＰＮトランジスタ２３に内蔵されたベース・エミッタ間抵抗→ＮＰＮトランジスタ２３のベース・コレクタ間→抵抗Ｒ２、又は、抵抗Ｒ１及びツェナーダイオード２５を経由して、電源端子５へと逆電流が流れようとするが、そのような逆電流も、ＦＥＴ２１の寄生ダイオードＤ１で阻止することができる。よって、その駆動回路について、逆接続保護用の素子を別に設ける必要がなく、回路の小型化及び低コスト化を達成し易い。   For example, when the battery 3 is reversely connected, the resistance between the base and emitter built in the NPN transistor 23 → the base and collector of the NPN transistor 23 → the resistance R 2 or the resistance R 1 and the Zener diode 25 is connected from the ground terminal 7. Thus, although a reverse current tends to flow to the power supply terminal 5, such a reverse current can also be blocked by the parasitic diode D1 of the FET 21. Therefore, it is not necessary to separately provide an element for protection against reverse connection in the drive circuit, and it is easy to achieve miniaturization and cost reduction of the circuit.

また、第５の効果として、本第１実施形態のＥＣＵ１によれば、イグニッションキースイッチ９がオンされて、ダイオード２７，２９のカソード電圧がＮＰＮトランジスタ２３をオンさせることが可能な所定電圧（例えば３Ｖ）以上になった場合にだけ、ＦＥＴ２２がオンされて制御回路１３へバッテリ３からの電力が供給されるため、制御回路１３が動作しなくても良い場合に無駄な電流がＥＣＵ１に流れ込むことを防止することができる。   As a fifth effect, according to the ECU 1 of the first embodiment, the ignition key switch 9 is turned on, and the cathode voltages of the diodes 27 and 29 can turn on the NPN transistor 23 (for example, a predetermined voltage). 3V) only, the FET 22 is turned on and the power from the battery 3 is supplied to the control circuit 13, so that a wasteful current flows into the ECU 1 when the control circuit 13 does not have to operate. Can be prevented.

更に、第６の効果として、本第１実施形態のＥＣＵ１では、ＦＥＴ２２がオンされて制御回路１３に電力を供給する場合（即ち、ＥＣＵ１が動作する場合）にだけ、ＦＥＴ２１をオンさせるようになっているため、ＥＣＵ１の非動作時においては、ＦＥＴ２１をオンさせるための電流を削減することができ、有利である。   Further, as a sixth effect, in the ECU 1 of the first embodiment, the FET 21 is turned on only when the FET 22 is turned on to supply power to the control circuit 13 (that is, when the ECU 1 operates). Therefore, when the ECU 1 is not operating, the current for turning on the FET 21 can be reduced, which is advantageous.

尚、上記第１実施形態において、抵抗Ｒ２は、ツェナーダイオード２５と並列に設けても良い。
［第２実施形態］
次に図２は、第２実施形態のＥＣＵ３１の構成を表す構成図である。 In the first embodiment, the resistor R2 may be provided in parallel with the Zener diode 25.
[Second Embodiment]
Next, FIG. 2 is a block diagram showing the configuration of the ECU 31 of the second embodiment.

第２実施形態のＥＣＵ３１では、第１実施形態のＥＣＵ１と比較すると、ＦＥＴ２１のゲートが、ＦＥＴ２２のゲート（換言すれば、ツェナーダイオード２５のアノードと抵抗Ｒ１との接続点）に接続されておらず、抵抗Ｒ３を介してグランド配線１７に接続されている。更に、ＦＥＴ２１のソースには、ツェナーダイオード３３のカソードが接続されており、そのツェナーダイオード３３のアノードは、ＦＥＴ２１のゲートに接続されている。また、ツェナーダイオード３３のアノードには、ダイオード３５のカソードが接続されており、そのダイオード３５のアノードはグランド配線１７に接続されている。尚、ツェナーダイオード３３は、ツェナーダイオード２５と同じ特性のものである。   In the ECU 31 of the second embodiment, compared to the ECU 1 of the first embodiment, the gate of the FET 21 is not connected to the gate of the FET 22 (in other words, the connection point between the anode of the Zener diode 25 and the resistor R1). Are connected to the ground wiring 17 through a resistor R3. Furthermore, the cathode of the Zener diode 33 is connected to the source of the FET 21, and the anode of the Zener diode 33 is connected to the gate of the FET 21. The anode of the Zener diode 33 is connected to the cathode of the diode 35, and the anode of the diode 35 is connected to the ground wiring 17. The zener diode 33 has the same characteristics as the zener diode 25.

以上のような構成のＥＣＵ３１において、バッテリ３が図２の如く正常に接続されている場合には、ＦＥＴ２１が常時オンする。
つまり、ＥＣＵ１にバッテリ３を接続すると、まず、ＦＥＴ２１の寄生ダイオードＤ１→ツェナーダイオード３３→抵抗Ｒ３の経路で電流が流れ、ＦＥＴ２１のゲート・ソース間に、ツェナーダイオード３３のツェナー電圧Ｖｚ分だけ電位差が生じて、ＦＥＴ２１がオンする。そして、以後は、寄生ダイオードＤ１を通っていた電流が、ＦＥＴ２１のドレイン・ソース間に流れて、ＦＥＴ２１がオンし続けることとなる。 In the ECU 31 configured as described above, when the battery 3 is normally connected as shown in FIG. 2, the FET 21 is always turned on.
That is, when the battery 3 is connected to the ECU 1, first, a current flows through the path of the parasitic diode D1 of the FET 21 → the Zener diode 33 → the resistor R3, and a potential difference between the gate and the source of the FET 21 is equal to the Zener voltage Vz of the Zener diode 33. As a result, the FET 21 is turned on. Thereafter, the current passing through the parasitic diode D1 flows between the drain and source of the FET 21, and the FET 21 continues to be turned on.

また、バッテリ３の逆接続時には、ＦＥＴ２１のゲート・ソース間電圧が、最大でもツェナーダイオード３３の順方向電圧（約０．６Ｖ）にしかならないため、ＦＥＴ２１はオフすることとなる。尚、この逆接続時においては、グランド端子７から、抵抗Ｒ３又はダイオード３５→ツェナーダイオード３３を経由して、電源端子５へと逆電流が流れようとするが、そのような逆電流も、ＦＥＴ２１の寄生ダイオードＤ１で阻止される。   Further, when the battery 3 is reversely connected, the gate-source voltage of the FET 21 is only the forward voltage (about 0.6 V) of the Zener diode 33, so that the FET 21 is turned off. At the time of this reverse connection, a reverse current tends to flow from the ground terminal 7 to the power supply terminal 5 via the resistor R3 or the diode 35 → the Zener diode 33. Is blocked by the parasitic diode D1.

そして、他の動作については、第１実施形態のＥＣＵ１と同じである。
以上のような第２実施形態のＥＣＵ３１では、ＮＰＮトランジスタ２３、ツェナーダイオード２５，３３、抵抗Ｒ１〜Ｒ３、及びダイオード２７，２９，３５からなる回路が、駆動回路に相当している。 And about other operation | movement, it is the same as ECU1 of 1st Embodiment.
In the ECU 31 of the second embodiment as described above, a circuit including the NPN transistor 23, the Zener diodes 25 and 33, the resistors R1 to R3, and the diodes 27, 29, and 35 corresponds to a drive circuit.

そして、このＥＣＵ３１によれば、第１実施形態のＥＣＵ１と比較すると、バッテリ３の正常接続時において、イグニッションキースイッチ９のオンに伴いＦＥＴ２２がオンされる時点では、ＦＥＴ２１が既にオンしていることとなるため、前述した第６の効果の代わりに、ＦＥＴ２１の寄生ダイオードＤ１を介して制御回路１３に電流が流れる機会を無くすことができる。   According to this ECU 31, compared to the ECU 1 of the first embodiment, when the battery 3 is normally connected, the FET 21 is already turned on when the FET 22 is turned on when the ignition key switch 9 is turned on. Therefore, instead of the above-described sixth effect, the opportunity for current to flow to the control circuit 13 via the parasitic diode D1 of the FET 21 can be eliminated.

つまり、第１実施形態の場合、仮にＦＥＴ２２がＦＥＴ２１よりも先にオンしたとすると、その時点からＦＥＴ２１がオンするまでの間は、微小な時間ではあるが、ＦＥＴ２１の寄生ダイオードＤ１を介して制御回路１３に電流が流れることとなり、その寄生ダイオードＤ１で電力損失が発生するが、第２実施形態の構成によれば、そのような寄生ダイオードＤ１での電力損失を確実に無くすことができる。   That is, in the case of the first embodiment, if the FET 22 is turned on before the FET 21, the time until the FET 21 is turned on from that time is a minute time, but the control is performed via the parasitic diode D 1 of the FET 21. A current flows through the circuit 13 and power loss occurs in the parasitic diode D1, but according to the configuration of the second embodiment, such power loss in the parasitic diode D1 can be reliably eliminated.

尚、ダイオード３５は、バッテリ３の逆接続時において、仮に、ＦＥＴ２１の寄生ダイオードＤ１にリークが生じても、制御回路１３を構成するＩＣ１９に逆電流が流れてしまうことを防ぐために設けられている。   The diode 35 is provided to prevent reverse current from flowing to the IC 19 constituting the control circuit 13 even if a leakage occurs in the parasitic diode D1 of the FET 21 when the battery 3 is reversely connected. .

つまり、一般に、ＩＣ１９の入出力部には、図２に示す如く寄生ダイオード２０が２個直列に形成されるため、グランド配線１７からＩＣ１９を経由してＦＥＴ２１のソースへ至る経路上には、ＩＣ１９内の２個直列の寄生ダイオード２０と、ＦＥＴ２２の寄生ダイオードＤ２との、合計３個のダイオードが直列に存在していることとなる。   That is, generally, since two parasitic diodes 20 are formed in series in the input / output portion of the IC 19 as shown in FIG. 2, the IC 19 is placed on the path from the ground wiring 17 to the source of the FET 21 via the IC 19. A total of three diodes, that is, the two in-series parasitic diodes 20 and the parasitic diode D2 of the FET 22 exist in series.

このため、ダイオードの順方向電圧をＶｆとすると、バッテリ３の逆接続時において、グランド配線１７とＦＥＴ２１のソースとの電位差が「３×Ｖｆ」以上になると、ＩＣ１９内の２個直列の寄生ダイオード２０に電流（逆電流）が流れてしまうこととなる。   Therefore, when the forward voltage of the diode is Vf, when the potential difference between the ground wiring 17 and the source of the FET 21 becomes “3 × Vf” or more when the battery 3 is reversely connected, two series parasitic diodes in the IC 19 Thus, a current (reverse current) flows through 20.

そこで、ダイオード３５を設けることにより、バッテリ３の逆接続時において、仮にＦＥＴ２１の寄生ダイオードＤ１に電流リークが生じても、ダイオード３５とツェナーダイオード３３との直列経路により、グランド配線１７とＦＥＴ２１のソースとの間に「２×Ｖｆ」の電位差しか生じないようにして、ＩＣ１９内の寄生ダイオード２０に電流が流れないようにしているのである。こうしたことから、ダイオード３５は削除することも可能である。
［第３実施形態］
次に図３は、第３実施形態のＥＣＵ４１の構成を表す構成図である。 Therefore, by providing the diode 35, even if a current leak occurs in the parasitic diode D1 of the FET 21 when the battery 3 is reversely connected, the source of the ground wiring 17 and the FET 21 is connected by the series path of the diode 35 and the Zener diode 33. Thus, a potential difference of “2 × Vf” is not generated between the current and the parasitic diode 20 in the IC 19 so that no current flows. For this reason, the diode 35 can be eliminated.
[Third Embodiment]
Next, FIG. 3 is a block diagram showing the configuration of the ECU 41 of the third embodiment.

第３実施形態のＥＣＵ４１では、第１実施形態のＥＣＵ１と比較すると、下記の２点が異なっている。
まず、第１の相違点として、ＦＥＴ２１がＮチャネル型のＭＯＳＦＥＴである。そして、そのＦＥＴ２１のソースが電源端子５に接続され、そのＦＥＴ２１のドレインにＦＥＴ２２のソースが接続されている。 The ECU 41 of the third embodiment is different from the ECU 1 of the first embodiment in the following two points.
First, as a first difference, the FET 21 is an N-channel MOSFET. The source of the FET 21 is connected to the power supply terminal 5, and the source of the FET 22 is connected to the drain of the FET 21.

つまり、Ｎチャネル型のＦＥＴ２１は、第１実施形態と同様に、電源配線１５上において、そのＦＥＴ２１の寄生ダイオードＤ１のアノードが電源端子５側となるように設けられている。このため、本第３実施形態では、ＦＥＴ２１のドレインが、寄生ダイオードＤ１のカソード側の出力端子である下流側出力端子に相当している。   That is, the N-channel FET 21 is provided on the power supply wiring 15 so that the anode of the parasitic diode D1 of the FET 21 is on the power supply terminal 5 side, as in the first embodiment. For this reason, in the third embodiment, the drain of the FET 21 corresponds to a downstream output terminal which is an output terminal on the cathode side of the parasitic diode D1.

次に、第２の相違点として、ＦＥＴ２１のゲートが、ＦＥＴ２２のゲートに接続されておらず、その代わりに、ＥＣＵ４１には、バッテリ電圧ＶＢよりも高い電圧を生成して、その生成した昇圧電圧をＦＥＴ２１のゲートに駆動電圧として印加することにより該ＦＥＴ２１をオンさせるチャージポンプ回路４３が備えられている。   Next, as a second difference, the gate of the FET 21 is not connected to the gate of the FET 22. Instead, the ECU 41 generates a voltage higher than the battery voltage VB and generates the boosted voltage. Is provided as a drive voltage to the gate of the FET 21 to turn on the FET 21.

チャージポンプ回路４３は、電源入力端子と、電圧出力端子と、動作／非動作を切り換えるためのイネーブル端子と備えており、電源入力端子がＦＥＴ２１のドレインに接続され、電圧出力端子がＦＥＴ２１のゲートに接続され、イネーブル端子がダイオード２７，２９のカソードに接続されている。   The charge pump circuit 43 includes a power input terminal, a voltage output terminal, and an enable terminal for switching between operation / non-operation. The power input terminal is connected to the drain of the FET 21 and the voltage output terminal is connected to the gate of the FET 21. The enable terminals are connected to the cathodes of the diodes 27 and 29.

そして、チャージポンプ回路４３は、バッテリ３の正常接続時において、イグニッションキースイッチ９がオンされ、ダイオード２７，２９のカソード電圧が規定電圧（０Ｖより高く、制御回路１３から出力される駆動信号Ｓｄの電圧よりは低い電圧であり、例えば３Ｖ）以上になると、ＦＥＴ２１のドレインから上記電源入力端子を介して入力される電圧を電源として動作し、ＦＥＴ２１をオンさせる。   In the charge pump circuit 43, when the battery 3 is normally connected, the ignition key switch 9 is turned on, the cathode voltages of the diodes 27 and 29 are higher than the specified voltage (0 V, and the drive signal Sd output from the control circuit 13 When the voltage is lower than the voltage, for example, 3V) or more, the voltage input from the drain of the FET 21 via the power input terminal is operated as a power source, and the FET 21 is turned on.

詳しく説明すると、チャージポンプ回路４３は、発振回路と、その発振回路の発振によって順次充放電される多段のコンデンサ群とを内部に備え、コンデンサ群の最終段のコンデンサに蓄えられた電圧（＞ＶＢ）が、当該チャージポンプ回路４３の電圧出力端子から出力される周知のものである。   More specifically, the charge pump circuit 43 includes an oscillation circuit and a multi-stage capacitor group that is sequentially charged and discharged by the oscillation of the oscillation circuit, and the voltage (> VB) stored in the last capacitor of the capacitor group. ) Is a well-known output from the voltage output terminal of the charge pump circuit 43.

そして、チャージポンプ回路４３では、バッテリ３の正常接続時において、イグニッションキースイッチ９がオンされ、ダイオード２７，２９のカソード電圧が上記規定電圧以上になると、上記発振回路が発振動作すると共に、上記最終段のコンデンサに蓄えられた電圧が電圧出力端子から出力される。そして、その電圧出力端子から出力される電圧によりＦＥＴ２１がオンする。逆に、ダイオード２７，２９のカソード電圧が上記規定電圧以上でない場合（即ち、イグニッションキースイッチ９がオフで、且つ、制御回路１３が駆動信号Ｓｄを出力していない場合）には、発振回路の発振動作が停止すると共に、電圧出力端子の電圧がＦＥＴ２１のドレイン電圧と同じか０Ｖとなって、ＦＥＴ２１がオフする。   In the charge pump circuit 43, when the ignition key switch 9 is turned on when the battery 3 is normally connected and the cathode voltages of the diodes 27 and 29 become equal to or higher than the specified voltage, the oscillation circuit oscillates and the final The voltage stored in the stage capacitor is output from the voltage output terminal. The FET 21 is turned on by the voltage output from the voltage output terminal. Conversely, when the cathode voltages of the diodes 27 and 29 are not equal to or higher than the specified voltage (that is, when the ignition key switch 9 is OFF and the control circuit 13 does not output the drive signal Sd), the oscillation circuit As the oscillation operation stops, the voltage at the voltage output terminal is the same as the drain voltage of the FET 21 or 0 V, and the FET 21 is turned off.

また、バッテリ３の逆接続時には、チャージポンプ回路４３に正常に電源が供給されず、チャージポンプ回路４３は昇圧動作しないため、ＦＥＴ２１はオフする。
尚、このようなバッテリ３の逆接続時において、グランド端子７からチャージポンプ回路４３内を経由して電源端子５へと逆電流が流れようとするが、そのような逆電流も、ＦＥＴ２１の寄生ダイオードＤ１で阻止される。また、第３実施形態では、チャージポンプ回路４３、ＮＰＮトランジスタ２３、ツェナーダイオード２５、抵抗Ｒ１，Ｒ２、及びダイオード２７，２９からなる回路が、駆動回路に相当している。 Further, when the battery 3 is reversely connected, power is not normally supplied to the charge pump circuit 43, and the charge pump circuit 43 does not perform a boost operation, so the FET 21 is turned off.
When the battery 3 is reversely connected, a reverse current tends to flow from the ground terminal 7 through the charge pump circuit 43 to the power supply terminal 5. Blocked by diode D1. In the third embodiment, a circuit including the charge pump circuit 43, the NPN transistor 23, the Zener diode 25, the resistors R1 and R2, and the diodes 27 and 29 corresponds to a drive circuit.

以上のような構成のＥＣＵ４１では、第１実施形態のＥＣＵ１と比較すると、ＦＥＴ２１がチャージポンプ回路４３によってオンされる点だけが異なる。
そして、このＥＣＵ４１によれば、第１実施形態のＥＣＵ１と同じ効果が得られる上に、ＦＥＴ２１のオン時の電力損失及び発熱を一層低減することができるという点において有利である。つまり、一般に、ＦＥＴのオン抵抗は、Ｐチャネル型よりもＮチャネル型の方が小さいからである。
［第４実施形態］
次に図４は、第４実施形態のＥＣＵ４５の構成を表す構成図である。 The ECU 41 configured as described above differs from the ECU 1 of the first embodiment only in that the FET 21 is turned on by the charge pump circuit 43.
The ECU 41 is advantageous in that the same effect as the ECU 1 of the first embodiment can be obtained and the power loss and heat generation when the FET 21 is on can be further reduced. That is, the on-resistance of the FET is generally smaller in the N channel type than in the P channel type.
[Fourth Embodiment]
Next, FIG. 4 is a block diagram showing the configuration of the ECU 45 of the fourth embodiment.

第４実施形態のＥＣＵ４５では、第３実施形態のＥＣＵ４１と比較すると、下記の２点が異なっている。
まず、第１の相違点として、ＦＥＴ２２もＮチャネル型のＭＯＳＦＥＴである。そして、そのＦＥＴ２２のドレインがＦＥＴ２１のドレインに接続され、そのＦＥＴ２２のソースが、電源配線１５のうち、制御回路１３へと伸びた部分に接続されている。 The ECU 45 of the fourth embodiment is different from the ECU 41 of the third embodiment in the following two points.
First, as a first difference, the FET 22 is also an N-channel type MOSFET. The drain of the FET 22 is connected to the drain of the FET 21, and the source of the FET 22 is connected to a portion of the power supply wiring 15 that extends to the control circuit 13.

つまり、Ｎチャネル型のＦＥＴ２２は、前述した他の実施形態と同様に、電源配線１５上のＦＥＴ２１よりも下流側（制御回路１３側）において、そのＦＥＴ２２の寄生ダイオードＤ２のカソードがＦＥＴ２１側となるように設けられている。   That is, in the N channel type FET 22, the cathode of the parasitic diode D 2 of the FET 22 is on the FET 21 side on the downstream side (control circuit 13 side) of the FET 21 on the power supply wiring 15, as in the other embodiments described above. It is provided as follows.

次に、第２の相違点として、ＮＰＮトランジスタ２３、ツェナーダイオード２５、及び抵抗Ｒ１，Ｒ２からなる回路が設けられておらず、その代わりに、ＥＣＵ４５には、バッテリ電圧ＶＢよりも高い電圧を生成して、その生成した昇圧電圧をＦＥＴ２２のゲートに駆動電圧として印加することにより該ＦＥＴ２２をオンさせるチャージポンプ回路４７が備えられている。   Next, as a second difference, a circuit including the NPN transistor 23, the Zener diode 25, and the resistors R1 and R2 is not provided. Instead, the ECU 45 generates a voltage higher than the battery voltage VB. A charge pump circuit 47 that turns on the FET 22 by applying the generated boosted voltage as a drive voltage to the gate of the FET 22 is provided.

チャージポンプ回路４７は、チャージポンプ回路４３と同じ構成のものである。そして、チャージポンプ回路４３と同様に、電源入力端子がＦＥＴ２１のドレインに接続され、イネーブル端子がダイオード２７，２９のカソードに接続されている。また、チャージポンプ回路４７の電圧出力端子はＦＥＴ２２のゲートに接続されている。   The charge pump circuit 47 has the same configuration as the charge pump circuit 43. Similarly to the charge pump circuit 43, the power input terminal is connected to the drain of the FET 21, and the enable terminal is connected to the cathodes of the diodes 27 and 29. The voltage output terminal of the charge pump circuit 47 is connected to the gate of the FET 22.

そして、チャージポンプ回路４７も、チャージポンプ回路４３と同様に、バッテリ３の正常接続時において、イグニッションキースイッチ９がオンされ、ダイオード２７，２９のカソード電圧が規定電圧以上になると、ＦＥＴ２１のドレインから電源入力端子を介して入力される電圧を電源として動作し、ＦＥＴ２２をオンさせる。   Similarly to the charge pump circuit 43, when the ignition key switch 9 is turned on and the cathode voltages of the diodes 27 and 29 become equal to or higher than the specified voltage, the charge pump circuit 47 also starts from the drain of the FET 21. The voltage input via the power input terminal operates as a power source to turn on the FET 22.

また、バッテリ３の逆接続時には、チャージポンプ回路４７に正常に電源が供給されず、チャージポンプ回路４７は昇圧動作しないため、ＦＥＴ２２はオフする。
尚、このようなバッテリ３の逆接続時において、グランド端子７からチャージポンプ回路４７内を経由して電源端子５へと逆電流が流れようとするが、そのような逆電流も、ＦＥＴ２１の寄生ダイオードＤ１で阻止される。また、本第４実施形態では、２つのチャージポンプ回路４３，４７及びダイオード２７，２９からなる回路が、駆動回路に相当している。 Further, when the battery 3 is reversely connected, power is not normally supplied to the charge pump circuit 47 and the charge pump circuit 47 does not perform a boosting operation, so the FET 22 is turned off.
When the battery 3 is reversely connected, a reverse current tends to flow from the ground terminal 7 through the charge pump circuit 47 to the power supply terminal 5. Blocked by diode D1. In the fourth embodiment, a circuit including the two charge pump circuits 43 and 47 and the diodes 27 and 29 corresponds to a drive circuit.

以上のような構成のＥＣＵ４５では、第３実施形態のＥＣＵ４１と比較すると、ＦＥＴ２２がチャージポンプ回路４７によってオンされる点だけが異なる。
そして、このＥＣＵ４５によれば、第３実施形態のＥＣＵ４１と同じ効果が得られる上に、ＦＥＴ２２のオン時の電力損失及び発熱を低減することができるという点において有利である。 The ECU 45 configured as described above differs from the ECU 41 of the third embodiment only in that the FET 22 is turned on by the charge pump circuit 47.
The ECU 45 is advantageous in that the same effect as the ECU 41 of the third embodiment can be obtained and the power loss and heat generation when the FET 22 is turned on can be reduced.

尚、例えば、チャージポンプ回路４７を設けずに、チャージポンプ回路４３の電圧出力端子から２つのＦＥＴ２１，２２のゲートへ駆動電圧を供給するように構成しても良い。そして、このことは、次に説明する第５実施形態についても同様である。
［第５実施形態］
次に図５は、第５実施形態のＥＣＵ５１の構成を表す構成図である。 For example, the drive voltage may be supplied from the voltage output terminal of the charge pump circuit 43 to the gates of the two FETs 21 and 22 without providing the charge pump circuit 47. This also applies to a fifth embodiment described below.
[Fifth Embodiment]
Next, FIG. 5 is a block diagram showing the configuration of the ECU 51 of the fifth embodiment.

第５実施形態のＥＣＵ５１は、第４実施形態のＥＣＵ４５に対して、比較器５３、抵抗Ｒ４，Ｒ５，Ｒ６、及びダイオード５５を追加して備えている。
そして、比較器５３の電源入力端子は、ＦＥＴ２１のドレインに接続されている。つまり、比較器５３は、ＦＥＴ２１のドレインから出力される電圧によって動作する。 The ECU 51 of the fifth embodiment includes a comparator 53, resistors R4, R5, R6, and a diode 55 in addition to the ECU 45 of the fourth embodiment.
The power supply input terminal of the comparator 53 is connected to the drain of the FET 21. That is, the comparator 53 operates by the voltage output from the drain of the FET 21.

また、ＦＥＴ２１のドレインとグランド配線１７との間に、抵抗Ｒ４と抵抗Ｒ５が直列に接続されている。このため、抵抗Ｒ４，Ｒ５同士の接続点には、ＦＥＴ２１のドレイン電圧を抵抗Ｒ４，Ｒ５の抵抗比で分圧した電圧が発生する。尚、本第５実施形態において、抵抗Ｒ４，Ｒ５の抵抗値は、同じ値に設定されており、抵抗Ｒ４，Ｒ５同士の接続点には、ＦＥＴ２１のドレイン電圧を二分の一に分圧した電圧（＝ほぼＶＢ／２）が発生する。   A resistor R4 and a resistor R5 are connected in series between the drain of the FET 21 and the ground wiring 17. For this reason, a voltage obtained by dividing the drain voltage of the FET 21 by the resistance ratio of the resistors R4 and R5 is generated at the connection point between the resistors R4 and R5. In the fifth embodiment, the resistance values of the resistors R4 and R5 are set to the same value, and a voltage obtained by dividing the drain voltage of the FET 21 by half at the connection point between the resistors R4 and R5. (= Approximately VB / 2) occurs.

そして、抵抗Ｒ４，Ｒ５同士の接続点の電圧が、比較器５３の反転入力端子（−端子）に閾値電圧として入力され、また、信号入力端子１１の電圧が、ダイオード５５を介して比較器５３の非反転入力端子（＋端子）に入力されるようになっている。   The voltage at the connection point between the resistors R4 and R5 is input as a threshold voltage to the inverting input terminal (− terminal) of the comparator 53, and the voltage at the signal input terminal 11 is supplied via the diode 55 to the comparator 53. Are input to the non-inverting input terminal (+ terminal).

そして更に、本第５実施形態のＥＣＵ５１において、ダイオード２７のアノードには、信号入力端子１１ではなく、比較器５３の出力端子が接続されている。また、比較器５３の出力端子とＦＥＴ２１のドレインとの間に、抵抗Ｒ６が接続されている。   Further, in the ECU 51 of the fifth embodiment, not the signal input terminal 11 but the output terminal of the comparator 53 is connected to the anode of the diode 27. A resistor R6 is connected between the output terminal of the comparator 53 and the drain of the FET 21.

このようなＥＣＵ５１において、比較器５３は、バッテリ３が正常に接続されている場合に動作する。そして、比較器５３は、ダイオード５５を介して非反転入力端子に入力される信号入力端子１１の電圧と、反転入力端子に入力される閾値電圧とを比較して、信号入力端子１１の電圧（厳密には、その電圧−Ｖｆ）が閾値電圧よりも高い場合に、当該比較器５３の電源入力端子の電圧（即ち、ＦＥＴ２１のドレイン電圧）と同じ電圧の信号を、アクティブレベルの信号として出力する。また、比較器５３は、信号入力端子１１の電圧が閾値電圧よりも高くなければ、ほぼ０Ｖの電圧を、非アクティブレベルの信号として出力する。   In such an ECU 51, the comparator 53 operates when the battery 3 is normally connected. The comparator 53 compares the voltage of the signal input terminal 11 input to the non-inverting input terminal via the diode 55 with the threshold voltage input to the inverting input terminal, and compares the voltage of the signal input terminal 11 ( Strictly speaking, when the voltage −Vf) is higher than the threshold voltage, a signal having the same voltage as the voltage of the power supply input terminal of the comparator 53 (that is, the drain voltage of the FET 21) is output as an active level signal. . Further, the comparator 53 outputs a voltage of approximately 0 V as an inactive level signal unless the voltage at the signal input terminal 11 is higher than the threshold voltage.

このため、バッテリ３の正常接続時において、イグニッションキースイッチ９がオンされると、比較器５３からアクティブレベルの信号が出力され、その信号により、ダイオード２７，２９のカソード電圧が規定電圧以上となって、チャージポンプ回路４３，４７が昇圧動作し、その結果、ＦＥＴ２１，２２がオンすることとなる。つまり、このＥＣＵ５１では、比較器５３から出力されるアクティブレベルの信号を、ＦＥＴ２１，２２をオンさせるための起動信号として用いている。   For this reason, when the ignition key switch 9 is turned on when the battery 3 is normally connected, an active level signal is output from the comparator 53, and the cathode voltage of the diodes 27 and 29 becomes equal to or higher than the specified voltage by the signal. Thus, the charge pump circuits 43 and 47 are boosted, and as a result, the FETs 21 and 22 are turned on. In other words, the ECU 51 uses the active level signal output from the comparator 53 as an activation signal for turning on the FETs 21 and 22.

以上のような第５実施形態のＥＣＵ５１によれば、イグニッションキースイッチ９がオフであるにも拘わらず、信号入力端子１１にノイズが乗って、その信号入力端子１１にバッテリ電圧ＶＢの半分近い電圧が発生したとしても、ダイオード２７，２９のカソード電圧は規定電圧以上にならない。よって、信号入力端子１１の電圧をダイオード２７のアノードに入力する第４実施形態の構成と比較すると、信号入力端子１１にノイズが乗った際にＦＥＴ２１，２２が誤ってオンしてしまう可能性を低くすることができる。   According to the ECU 51 of the fifth embodiment as described above, although the ignition key switch 9 is off, noise is applied to the signal input terminal 11 and the voltage at the signal input terminal 11 is close to half of the battery voltage VB. Even if this occurs, the cathode voltage of the diodes 27 and 29 does not exceed the specified voltage. Therefore, when compared with the configuration of the fourth embodiment in which the voltage of the signal input terminal 11 is input to the anode of the diode 27, there is a possibility that the FETs 21 and 22 are erroneously turned on when noise is applied to the signal input terminal 11. Can be lowered.

また、比較器５３の電源電圧は、ＦＥＴ２１のドレインから供給されるようにしているため、バッテリ３の逆接続時において、その比較器５３に逆電流が流れてしまうことも、ＦＥＴ２１の寄生ダイオードＤ１によって防止することができる。   Further, since the power supply voltage of the comparator 53 is supplied from the drain of the FET 21, a reverse current may flow through the comparator 53 when the battery 3 is reversely connected, or the parasitic diode D 1 of the FET 21. Can be prevented.

尚、ダイオード５５は、バッテリ３の逆接続時において、イグニッションキースイッチ９がオンされても、グランド配線１７→比較器５３の非反転入力端子→信号入力端子１１の経路で逆電流が流れないようにするために設けられている。   The diode 55 prevents reverse current from flowing in the path of the ground wiring 17 → the non-inverting input terminal of the comparator 53 → the signal input terminal 11 even when the ignition key switch 9 is turned on when the battery 3 is reversely connected. It is provided to make it.

また、第５実施形態のように比較器５３、抵抗Ｒ４，Ｒ５，Ｒ６、及びダイオード５５を設ける構成は、第４実施形態以外の他の実施形態のＥＣＵに対しても適用することができる。
［第６実施形態］
次に図６は、第６実施形態のＥＣＵ６１の構成を表す構成図である。 Moreover, the structure which provides the comparator 53, resistance R4, R5, R6, and the diode 55 like 5th Embodiment is applicable also to ECU of other embodiment other than 4th Embodiment.
[Sixth Embodiment]
Next, FIG. 6 is a block diagram showing the configuration of the ECU 61 of the sixth embodiment.

第６実施形態のＥＣＵ６１は、第３実施形態のＥＣＵ４１（図３）と比較すると、当該ＥＣＵ６１の外部に設けられた電気負荷６２のプラス側端子に接続される端子６３と、その電気負荷６２のマイナス側端子に接続される端子６４と、電気負荷６２のプラス側端子に端子６３を介してバッテリ電圧ＶＢを供給するための負荷用電源端子５’とを追加して備えている。そして、負荷用電源端子５’は、電源端子５と同様に、バッテリ３のプラス端子に接続される。尚、電気負荷６２は、例えば電磁弁のコイルやランプなどである。   Compared to the ECU 41 (FIG. 3) of the third embodiment, the ECU 61 of the sixth embodiment includes a terminal 63 connected to a plus-side terminal of the electric load 62 provided outside the ECU 61, and the electric load 62. A terminal 64 connected to the minus side terminal and a load power supply terminal 5 ′ for supplying the battery voltage VB to the plus side terminal of the electric load 62 via the terminal 63 are additionally provided. The load power supply terminal 5 ′ is connected to the plus terminal of the battery 3 in the same manner as the power supply terminal 5. The electrical load 62 is, for example, a solenoid valve coil or a lamp.

ここで、第６実施形態のＥＣＵ６１において、制御回路１３へは、図示は省略しているが、第３実施形態のＥＣＵ４１と同じ構成により、バッテリ３からの電力が供給される。
そして更に、図６の如く、電気負荷６２に対しても、第３実施形態のＥＣＵ４１と同じ構成により、バッテリ３からの電力が供給されるようになっている。 Here, in the ECU 61 of the sixth embodiment, the control circuit 13 is not shown, but the electric power from the battery 3 is supplied by the same configuration as the ECU 41 of the third embodiment.
Furthermore, as shown in FIG. 6, the electric load 62 is also supplied with electric power from the battery 3 by the same configuration as the ECU 41 of the third embodiment.

つまり、図６において、「’」が付された符号の構成要素は、図３に示した構成要素のうち、その「’」を除いた数字の符号の構成要素と同じ役割のものである。
具体的に説明すると、ＥＣＵ６１では、電気負荷６２を駆動する際に、バッテリ３のプラス端子→負荷用電源端子５’→負荷用電源配線１５’→端子６３→電気負荷６２→端子６４→負荷駆動用ＦＥＴ６７→電流検出抵抗６９→グランド配線１７→グランド端子７→バッテリ３のマイナス端子という経路で電流が流れるが、負荷用電源配線１５’上には、図３のＦＥＴ２１，２２と同様の、ＦＥＴ２１’，２２’が直列に設けられている。 That is, in FIG. 6, the constituent elements denoted by “′” have the same role as the constituent elements denoted by numerals other than “′” among the constituent elements illustrated in FIG. 3.
Specifically, when the electric load 62 is driven in the ECU 61, the plus terminal of the battery 3 → the load power supply terminal 5 ′ → the load power supply wiring 15 ′ → the terminal 63 → the electric load 62 → the terminal 64 → the load drive. FET 67 → current detection resistor 69 → ground wiring 17 → ground terminal 7 → negative terminal of battery 3, but current flows on load power supply wiring 15 ′, similar to FETs 21 and 22 in FIG. ', 22' is provided in series.

そして、その２つのＦＥＴ２１’，ＦＥＴ２２’は、バッテリ３の正常接続時において、イグニッションキースイッチ９がオンされると、チャージポンプ回路４３’、ＮＰＮトランジスタ２３’、ツェナーダイオード２５’、抵抗Ｒ１’，Ｒ２’、及びダイオード２７’からなる駆動回路によってオンされるようになっている。   Then, when the ignition key switch 9 is turned on when the battery 3 is normally connected, the two FETs 21 ′ and FET 22 ′ have the charge pump circuit 43 ′, the NPN transistor 23 ′, the Zener diode 25 ′, the resistor R1 ′, It is turned on by a drive circuit comprising R2 ′ and a diode 27 ′.

尚、ＦＥＴ２１’をオンさせるチャージポンプ回路４３’のイネーブル端子には、ダイオード２７’のみのカソード電圧が入力され、また、ＮＰＮトランジスタ２３’は、制御回路１３からの駆動信号Ｓａのみによってオンされるようになっている。   Note that the cathode voltage of only the diode 27 ′ is input to the enable terminal of the charge pump circuit 43 ′ that turns on the FET 21 ′, and the NPN transistor 23 ′ is turned on only by the drive signal Sa from the control circuit 13. It is like that.

これは、電気負荷６２の駆動に関しては、制御回路１３へ電力を供給するのと若干考え方が異なるためである。
つまり、本第６実施形態において、制御回路１３は、イグニッションキースイッチ９がオンされて動作を開始すると、ＮＰＮトランジスタ２３’のベースに駆動信号Ｓａを出力して、そのＮＰＮトランジスタ２３’をオンさせる。すると、ＦＥＴ２２’がオンすることとなる。また、ＦＥＴ２１’は、イグニッションキースイッチ９がオンされると、チャージポンプ回路４３’によりオンされる。 This is because the way of thinking of driving the electric load 62 is slightly different from supplying power to the control circuit 13.
That is, in the sixth embodiment, when the ignition key switch 9 is turned on and the operation is started, the control circuit 13 outputs the drive signal Sa to the base of the NPN transistor 23 ′ and turns on the NPN transistor 23 ′. . Then, the FET 22 ′ is turned on. The FET 21 ′ is turned on by the charge pump circuit 43 ′ when the ignition key switch 9 is turned on.

そして、制御回路１３は、電気負荷６２を駆動する際には、負荷駆動用ＦＥＴ６７のゲートに駆動信号Ｓｂを出力して、その負荷駆動用ＦＥＴ６７をオンさせる。すると、電気負荷６２に電流が流れることとなる。尚、この例において、負荷駆動用ＦＥＴ６７は、Ｎチャネル型のＭＯＳＦＥＴである。   Then, when driving the electric load 62, the control circuit 13 outputs a drive signal Sb to the gate of the load driving FET 67 to turn on the load driving FET 67. Then, a current flows through the electric load 62. In this example, the load driving FET 67 is an N-channel MOSFET.

また、制御回路１３は、負荷駆動用ＦＥＴ６７をオンさせている間、電流検出抵抗６９に生じる電圧を、電気負荷６２に流れる電流として検出し、その検出電流が異常判定値以上になったと判断すると、上記駆動信号Ｓａ，Ｓｂの出力を止めて、ＮＰＮトランジスタ２３’と負荷駆動用ＦＥＴ６７とをオフさせる。   Further, when the control circuit 13 detects that the voltage generated in the current detection resistor 69 is a current flowing through the electric load 62 while the load driving FET 67 is turned on, the control circuit 13 determines that the detected current is equal to or higher than the abnormality determination value. Then, the output of the drive signals Sa and Sb is stopped, and the NPN transistor 23 ′ and the load driving FET 67 are turned off.

つまり、電気負荷６２のプラス側端子がバッテリ３のマイナス端子の電位（グランド電位）に短絡したり電気負荷６２自身が短絡故障して、ＦＥＴ２２’に過大な電流が流れても、ＮＰＮトランジスタ２３’をオフさせて、ＦＥＴ２２’をオフさせることにより、そのＦＥＴ２２’やＦＥＴ２１’が過電流により故障してしまうのを防止しているのである。   That is, even if the plus side terminal of the electric load 62 is short-circuited to the potential (ground potential) of the minus terminal of the battery 3 or the electric load 62 itself is short-circuited and an excessive current flows through the FET 22 ', the NPN transistor 23' By turning off the FET 22 ′ and turning off the FET 22 ′, the FET 22 ′ and the FET 21 ′ are prevented from failing due to overcurrent.

そして、以上のような第６実施形態のＥＣＵ６１によれば、バッテリ３の逆接続時に、グランド端子７側から電流検出抵抗６９、負荷駆動用ＦＥＴ６７の寄生ダイオードＤ３、及び電気負荷６２を経由して負荷用電源端子５’側へと逆電流が流れようとしても、その逆電流はＦＥＴ２１’の寄生ダイオードＤ１’によって阻止されることとなる。   According to the ECU 61 of the sixth embodiment as described above, when the battery 3 is reversely connected, from the ground terminal 7 side via the current detection resistor 69, the parasitic diode D3 of the load driving FET 67, and the electric load 62. Even if a reverse current flows to the load power supply terminal 5 ′ side, the reverse current is blocked by the parasitic diode D1 ′ of the FET 21 ′.

よって、電気負荷６２の抵抗値が小さくて、ＦＥＴ６７の寄生ダイオードＤ３等が上記の逆電流によってダメージを受けてしまう、という問題を回避することができる。
尚、本第６実施形態では、ＦＥＴ２１’に関しては、信号入力端子１１の電圧（換言すれば、信号入力端子１１から入力されるキースイッチ信号）が起動信号となっており、ＦＥＴ２２’に関しては、制御回路１３から出力される駆動信号Ｓａが起動信号になっているが、その何れの信号も、イグニッションキースイッチ９のオンによって発生するものである。 Therefore, it is possible to avoid the problem that the resistance value of the electric load 62 is small and the parasitic diode D3 of the FET 67 is damaged by the reverse current.
In the sixth embodiment, regarding the FET 21 ′, the voltage of the signal input terminal 11 (in other words, the key switch signal input from the signal input terminal 11) is an activation signal, and regarding the FET 22 ′, The drive signal Sa output from the control circuit 13 is a start signal, and any of these signals is generated when the ignition key switch 9 is turned on.

また、上記第６実施形態において、ＦＥＴ２２’としては、そのＦＥＴに流れる電流が異常値になったことを検知すると強制的にオフする保護機能を有したＦＥＴ（いわゆるインテリジェントパワーデバイス：ＩＰＤ）を用いるようにしても良い。そして、ＦＥＴ２２’として、そのようなＩＰＤを用いれば、ＮＰＮトランジスタ２３’を制御回路１３によって制御する必要が無くなる。つまり、ＦＥＴ２２’としてのＩＰＤ自身に過電流保護機能があるため、ＮＰＮトランジスタ２３’を信号入力端子１１からの信号でオンさせるように構成することができる。   In the sixth embodiment, as the FET 22 ′, an FET (so-called intelligent power device: IPD) having a protection function that forcibly turns off when detecting that the current flowing through the FET becomes an abnormal value is used. You may do it. If such an IPD is used as the FET 22 ′, the NPN transistor 23 ′ need not be controlled by the control circuit 13. That is, since the IPD itself as the FET 22 ′ has an overcurrent protection function, the NPN transistor 23 ′ can be configured to be turned on by a signal from the signal input terminal 11.

また、ＦＥＴ２２’としては、Ｎチャネル型のＦＥＴを用いたり、Ｎチャネル型のＦＥＴからなるＩＰＤを用いても良い。また更に、ＦＥＴ２１’として、Ｐチャネル型のＦＥＴを用いても良い。   Further, as the FET 22 ', an N-channel FET or an IPD composed of an N-channel FET may be used. Furthermore, a P-channel FET may be used as the FET 21 '.

以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明は上記の実施形態に何等限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、種々なる態様で実施し得ることは勿論である。   As mentioned above, although one Embodiment of this invention was described, this invention is not limited to said Embodiment at all, Of course, in the range which does not deviate from the summary of this invention, it can implement in a various aspect. is there.

例えば、電子制御装置の電源としては、バッテリに限らず、燃料電池などの発電機能を有した電源でも良い。   For example, the power source of the electronic control device is not limited to a battery, and may be a power source having a power generation function such as a fuel cell.

第１実施形態のＥＣＵ（電子制御装置）の構成を表す構成図である。It is a block diagram showing the structure of ECU (electronic control apparatus) of 1st Embodiment. 第２実施形態のＥＣＵの構成を表す構成図である。It is a block diagram showing the structure of ECU of 2nd Embodiment. 第３実施形態のＥＣＵの構成を表す構成図である。It is a block diagram showing the structure of ECU of 3rd Embodiment. 第４実施形態のＥＣＵの構成を表す構成図である。It is a block diagram showing the structure of ECU of 4th Embodiment. 第５実施形態のＥＣＵの構成を表す構成図である。It is a block diagram showing the structure of ECU of 5th Embodiment. 第６実施形態のＥＣＵの構成を表す構成図である。It is a block diagram showing the structure of ECU of 6th Embodiment.

符号の説明Explanation of symbols

１，３１，４１，４５，５１，６１…ＥＣＵ（電子制御装置）、３…バッテリ、５…電源端子、５’…負荷用電源端子、７…グランド端子、９…イグニッションキースイッチ、１１…信号入力端子、１３…制御回路、１５…電源配線、１５’…負荷用電源配線、１７…グランド配線、２１，２１’…逆接続保護用ＦＥＴ、２２，２２’…電源オン／オフ切換用ＦＥＴ、Ｄ１，Ｄ１’，Ｄ２，Ｄ２’，Ｄ３，２０…寄生ダイオード、２３，２３’…ＮＰＮトランジスタ、２５，２５’，３３…ツェナーダイオード、２７，２７’，２９，３５，５５…ダイオード、Ｒ１〜Ｒ６，Ｒ１’，Ｒ２’，６９…抵抗、４３，４３’，４７…チャージポンプ回路、５３…比較器、６２…電気負荷、６７…負荷駆動用ＦＥＴ   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1, 31, 41, 45, 51, 61 ... ECU (electronic control unit), 3 ... Battery, 5 ... Power terminal, 5 '... Power terminal for load, 7 ... Ground terminal, 9 ... Ignition key switch, 11 ... Signal Input terminal, 13 ... control circuit, 15 ... power supply wiring, 15 '... load power supply wiring, 17 ... ground wiring, 21,21' ... reverse connection protection FET, 22,22 '... power on / off switching FET, D1, D1 ', D2, D2', D3, 20 ... Parasitic diode, 23, 23 '... NPN transistor, 25, 25', 33 ... Zener diode, 27, 27 ', 29, 35, 55 ... Diode, R1- R6, R1 ', R2', 69 ... resistors, 43, 43 ', 47 ... charge pump circuits, 53 ... comparators, 62 ... electric loads, 67 ... load drive FETs

Claims (9)

電源のプラス端子に接続される電源端子と、
前記電源のマイナス端子に接続されるグランド端子と、
前記電源端子と前記グランド端子との各々から伸びて、前記電源からの電力を電源供給対象に供給する給電用経路と、
を備えた電子制御装置に用いられ、
前記電源端子に前記電源のマイナス端子が接続され、前記グランド端子に前記電源のプラス端子が接続された状態の電源逆接続時に、前記電源供給対象に正常時とは逆方向の電流が流れるのを防止する電源逆接続保護回路であって、
２つの出力端子の間に寄生ダイオードを有し、前記給電用経路のうち、前記電源端子と前記電源供給対象とを結ぶ方の高電位側給電用経路上に、前記寄生ダイオードのアノードが前記電源端子側となるように、前記２つの出力端子が直列に接続された逆接続保護用ＦＥＴと、
前記電源端子に前記電源のプラス端子が接続され、前記グランド端子に前記電源のマイナス端子が接続された状態の電源正常接続時には、前記逆接続保護用ＦＥＴをオンさせ、前記電源逆接続時には、前記逆接続保護用ＦＥＴをオフさせる駆動回路とを備え、
更に、前記駆動回路は、前記逆接続保護用ＦＥＴの２つの出力端子のうち、前記寄生ダイオードのカソード側の出力端子（以下、下流側出力端子という）に接続され、その下流側出力端子から出力される電圧を電源として、前記逆接続保護用ＦＥＴをオンさせるように構成されていること、
を特徴とする電源逆接続保護回路。 A power supply terminal connected to the positive terminal of the power supply;
A ground terminal connected to the negative terminal of the power source;
A power supply path extending from each of the power supply terminal and the ground terminal and supplying power from the power supply to a power supply target,
Used in electronic control devices with
When a negative power supply terminal is connected to the power supply terminal, and a positive power supply terminal is connected to the ground terminal, a current in a direction reverse to normal is flowing to the power supply target. A power reverse connection protection circuit to prevent,
A parasitic diode is provided between two output terminals, and the anode of the parasitic diode is connected to the power supply path on the high potential side power supply path that connects the power supply terminal and the power supply target in the power supply path. A reverse connection protection FET in which the two output terminals are connected in series so as to be on the terminal side;
The power supply terminal is connected to the positive terminal of the power supply, and when the power supply is normally connected in a state where the negative terminal of the power supply is connected to the ground terminal, the reverse connection protection FET is turned on. A drive circuit for turning off the reverse connection protection FET,
Further, the drive circuit is connected to an output terminal on the cathode side of the parasitic diode (hereinafter referred to as a downstream output terminal) of the two output terminals of the reverse connection protection FET, and outputs from the downstream output terminal. Configured to turn on the reverse connection protection FET, using the voltage to be the power supply,
Power supply reverse connection protection circuit. 請求項１に記載の電源逆接続保護回路において、
前記高電位側給電用経路のうち、前記逆接続保護用ＦＥＴの下流側出力端子と前記電源供給対象との間の経路には、その経路を連通又は遮断させるための電源オン／オフ切換用ＦＥＴの２つの出力端子が、その２つの出力端子間にある寄生ダイオードのカソードが前記逆接続保護用ＦＥＴ側となるように、直列に接続されており、
前記駆動回路は、電源スイッチがオンされた際に発生する起動信号を受けると、前記逆接続保護用ＦＥＴの下流側出力端子から出力される電圧を電源として、前記電源オン／オフ切換用ＦＥＴをオンさせるように構成されていること、
を特徴とする電源逆接続保護回路。 In the power supply reverse connection protection circuit according to claim 1,
Of the high-potential side power supply path, a power ON / OFF switching FET for connecting or blocking the path between the downstream output terminal of the reverse connection protection FET and the power supply target Are connected in series such that the cathode of the parasitic diode between the two output terminals is on the reverse connection protection FET side,
When the drive circuit receives a start signal generated when the power switch is turned on, the drive circuit uses the voltage output from the downstream output terminal of the reverse connection protection FET as a power source, and the power on / off switching FET Being configured to turn on,
Power supply reverse connection protection circuit. 請求項２に記載の電源逆接続保護回路において、
前記駆動回路は、前記電源正常接続時に、前記電源スイッチがオンされた際に発生する起動信号を受けると、前記逆接続保護用ＦＥＴをオンさせるように構成されていること、
を特徴とする電源逆接続保護回路。 In the power supply reverse connection protection circuit according to claim 2,
The drive circuit is configured to turn on the reverse connection protection FET when receiving a start signal generated when the power switch is turned on when the power supply is normally connected;
Power supply reverse connection protection circuit. 請求項２に記載の電源逆接続保護回路において、
前記駆動回路は、前記電源正常接続時に、前記逆接続保護用ＦＥＴを常時オンさせるように構成されていること、
を特徴とする電源逆接続保護回路。 In the power supply reverse connection protection circuit according to claim 2,
The drive circuit is configured to always turn on the reverse connection protection FET when the power supply is normally connected;
Power supply reverse connection protection circuit. 請求項２ないし請求項４の何れか１項に記載の電源逆接続保護回路において、
電源スイッチを介して前記電源のプラス端子の電圧が入力される信号入力端子と、
前記逆接続保護用ＦＥＴの下流側出力端子から出力される電圧により動作し、前記信号入力端子の電圧と閾値電圧とを比較して、前記信号入力端子の電圧が前記閾値電圧よりも高い場合に、アクティブレベルの信号を出力する比較器とを備え、
前記比較器から出力される前記アクティブレベルの信号が、前記起動信号になっていること、
を特徴とする電源逆接続保護回路。 In the power supply reverse connection protection circuit according to any one of claims 2 to 4,
A signal input terminal to which the voltage of the positive terminal of the power supply is input via a power switch;
When the voltage output from the downstream output terminal of the reverse connection protection FET is operated and the voltage of the signal input terminal is compared with the threshold voltage, the voltage of the signal input terminal is higher than the threshold voltage. And a comparator that outputs an active level signal,
The active level signal output from the comparator is the activation signal;
Power supply reverse connection protection circuit. 請求項２ないし請求項５の何れか１項に記載の電源逆接続保護回路において、
前記電源供給対象は、前記電子制御装置の外部に設けられた電気負荷であり、
前記電源オン／オフ切換用ＦＥＴは、当該ＦＥＴに流れる電流が異常値になったことを検知すると強制的にオフする保護機能を有したＦＥＴであること、
を特徴とする電源逆接続保護回路。 In the power supply reverse connection protection circuit according to any one of claims 2 to 5,
The power supply target is an electrical load provided outside the electronic control device,
The power on / off switching FET is a FET having a protection function that forcibly turns off when it is detected that the current flowing through the FET becomes an abnormal value.
Power supply reverse connection protection circuit. 請求項１ないし請求項６の何れか１項に記載の電源逆接続保護回路において、
前記逆接続保護用ＦＥＴは、Ｐチャネル型のＦＥＴであること、
を特徴とする電源逆接続保護回路。 The power supply reverse connection protection circuit according to any one of claims 1 to 6,
The reverse connection protection FET is a P-channel FET,
Power supply reverse connection protection circuit. 請求項１ないし請求項６の何れか１項に記載の電源逆接続保護回路において、
前記逆接続保護用ＦＥＴは、Ｎチャネル型のＦＥＴであること、
を特徴とする電源逆接続保護回路。 The power supply reverse connection protection circuit according to any one of claims 1 to 6,
The reverse connection protection FET is an N-channel FET,
Power supply reverse connection protection circuit. 請求項２ないし請求項６の何れか１項に記載の電源逆接続保護回路において、
前記逆接続保護用ＦＥＴと前記電源オン／オフ切換用ＦＥＴは、Ｎチャネル型のＦＥＴであること、
を特徴とする電源逆接続保護回路。 The power supply reverse connection protection circuit according to any one of claims 2 to 6,
The reverse connection protection FET and the power on / off switching FET are N-channel FETs,
Power supply reverse connection protection circuit.
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Cited By (57)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010204761A (en) * 2009-02-27 2010-09-16 New Japan Radio Co Ltd Stabilized power supply circuit
CN101860021A (en) * 2010-04-09 2010-10-13 海洋王照明科技股份有限公司 Circuit for preventing reverse connection of power supply and lamp
CN101867214A (en) * 2010-06-24 2010-10-20 深圳市瑞必达电源有限公司 Charging circuit and charger
DE102010060873A1 (en) 2009-12-01 2011-07-21 DENSO CORPORATION, Aichi-pref. Vehicle power generator with improved fault tolerance
WO2011103816A1 (en) * 2010-02-27 2011-09-01 Byd Company Limited Reverse connection protecting device and backup power supply comprising the same
CN102545164A (en) * 2010-12-29 2012-07-04 广东易事特电源股份有限公司 A driving circuit of a solar charge controller anti-reverse connection protection circuit switch unit
CN102664575A (en) * 2012-05-09 2012-09-12 上海日用-友捷汽车电气有限公司 Three-phase half-wave brushless direct-current motor controller with reverse connection protection function
JP2012244829A (en) * 2011-05-23 2012-12-10 Seiko Epson Corp Charge protection circuit for secondary battery
CN102856967A (en) * 2012-08-26 2013-01-02 郭振华 Non-polarity safe charger circuit
JP2013038908A (en) * 2011-08-08 2013-02-21 Denso Corp Power supply reverse connection protective device
CN103595110A (en) * 2012-08-15 2014-02-19 郭振华 Polarity identification converting circuit for charger
KR101407718B1 (en) 2012-12-18 2014-06-13 부산교통공사 Appartus for stabilization the voltage of cathode in the ruber-type light train
WO2014104332A1 (en) * 2012-12-28 2014-07-03 アルプス電気株式会社 Power supply device
DE102013222746A1 (en) 2013-02-28 2014-08-28 Mitsubishi Electric Corporation A power branching control apparatus and method for supplying power to electrical loads
DE102013222862A1 (en) 2013-03-05 2014-09-11 Mitsubishi Electric Corporation Vehicle electronic control unit and power supply control method of the same
WO2014196012A1 (en) * 2013-06-04 2014-12-11 新電元工業株式会社 Battery charging apparatus and method for controlling battery charging apparatus
JP5734472B1 (en) * 2014-01-29 2015-06-17 三菱電機株式会社 In-vehicle electronic control unit
CN104810802A (en) * 2014-01-27 2015-07-29 Ls产电株式会社 Reverse battery protection device and operating method thereof
WO2015145733A1 (en) * 2014-03-28 2015-10-01 三菱電機株式会社 Vehicle-mounted device
JP2015192317A (en) * 2014-03-28 2015-11-02 ミネベア株式会社 Protection circuit and drive circuit
CN105744436A (en) * 2016-05-06 2016-07-06 梁镇杰 Novel sound box
JP2016152765A (en) * 2015-02-19 2016-08-22 日本精機株式会社 Surge protection circuit for vehicle meter
US9646861B2 (en) 2009-10-21 2017-05-09 Lam Research Corporation Heating plate with heating zones for substrate processing and method of use thereof
JP2017093294A (en) * 2014-11-06 2017-05-25 矢崎総業株式会社 Switch box
US9713200B2 (en) 2011-08-17 2017-07-18 Lam Research Corporation System and method for monitoring temperatures of and controlling multiplexed heater array
US9775194B2 (en) 2012-02-28 2017-09-26 Lam Research Corporation Multiplexed heater array using AC drive for semiconductor processing
KR101816357B1 (en) * 2015-12-03 2018-01-08 현대자동차주식회사 Power switch capable of preventing reverse connection of electricpower source
JP2018050230A (en) * 2016-09-23 2018-03-29 日立オートモティブシステムズ株式会社 Switching circuit
WO2018070186A1 (en) * 2016-10-14 2018-04-19 日立オートモティブシステムズ株式会社 Electronic control device and evaporation leak diagnostic device
US10049948B2 (en) 2012-11-30 2018-08-14 Lam Research Corporation Power switching system for ESC with array of thermal control elements
US10056225B2 (en) 2009-12-15 2018-08-21 Lam Research Corporation Adjusting substrate temperature to improve CD uniformity
JP2018153089A (en) * 2013-03-12 2018-09-27 アセンシア・ディアベティス・ケア・ホールディングス・アーゲー Reverse battery protection for device supplied with power by battery
WO2018186483A1 (en) * 2017-04-06 2018-10-11 アイシン・エィ・ダブリュ株式会社 On-board electronic control device
JP2018170874A (en) * 2017-03-30 2018-11-01 オムロンオートモーティブエレクトロニクス株式会社 Bidirectional dc-dc converter
CN109245251A (en) * 2018-12-13 2019-01-18 江苏万帮德和新能源科技股份有限公司 Reverse connecting protection system, direct-current charging post and working method
US10217615B2 (en) 2013-12-16 2019-02-26 Lam Research Corporation Plasma processing apparatus and component thereof including an optical fiber for determining a temperature thereof
JP2019103015A (en) * 2017-12-05 2019-06-24 新日本無線株式会社 Load drive circuit with reverse power supply protection function
US10388493B2 (en) 2011-09-16 2019-08-20 Lam Research Corporation Component of a substrate support assembly producing localized magnetic fields
DE102019103235A1 (en) 2018-02-22 2019-08-22 Autonetworks Technologies, Ltd. control device
JP2019156339A (en) * 2018-03-16 2019-09-19 日立オートモティブシステムズ株式会社 On-vehicle electronic control device
JP2020014356A (en) * 2018-07-20 2020-01-23 ルネサスエレクトロニクス株式会社 Semiconductor device and electronic control device
US10568163B2 (en) 2010-10-22 2020-02-18 Lam Research Corporation Methods of fault detection for multiplexed heater array
CN111106401A (en) * 2020-01-01 2020-05-05 武汉船用电力推进装置研究所（中国船舶重工集团公司第七一二研究所） A guard grating circuit for battery cell
CN112054500A (en) * 2020-09-14 2020-12-08 苏州爱科赛博电源技术有限责任公司 A high reliability DC input circuit
CN112838569A (en) * 2020-12-31 2021-05-25 深圳博用科技有限公司 High-side switch, anti-reverse and programmable pre-charge three-in-one control circuit for vehicle controller
WO2021187116A1 (en) * 2020-03-16 2021-09-23 株式会社オートネットワーク技術研究所 Power feeding control device
CN113725843A (en) * 2021-09-08 2021-11-30 中科芯集成电路有限公司 High-voltage side single-end reverse connection preventing circuit
CN113809730A (en) * 2021-11-08 2021-12-17 深圳市高斯宝电气技术有限公司 High-voltage direct-current input reverse connection protection circuit
JP2022012039A (en) * 2020-06-30 2022-01-17 新日本無線株式会社 Voltage regulator circuit
DE112020002074T5 (en) 2019-04-25 2022-02-17 Hitachi Astemo, Ltd. load driving device
CN114244091A (en) * 2021-12-17 2022-03-25 迈思普电子股份有限公司 Anti-backflow output switch
JP2022054867A (en) * 2020-09-28 2022-04-07 日立建機株式会社 Load drive device
US11695268B2 (en) 2020-07-27 2023-07-04 Minebea Mitsumi Inc. Load drive circuit, motor drive control device, and motor unit
CN116599016A (en) * 2023-04-28 2023-08-15 嬴彻星创智能科技(上海)有限公司 Power supply anti-reverse connection circuit, anti-reverse connection method, vehicle-mounted domain controller and vehicle
US12184118B2 (en) 2020-12-28 2024-12-31 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Backup power supply control system, backup power supply system, and moving vehicle
WO2025067236A1 (en) * 2023-09-28 2025-04-03 法雷奥汽车内部控制（深圳）有限公司 Reverse polarity protection circuit and windshield wiper system comprising reverse polarity protection circuit
US12525785B2 (en) 2021-10-26 2026-01-13 Lg Energy Solution, Ltd. Protection device for preventing reverse connection

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107742915B (en) * 2013-12-06 2021-02-19 深圳市大疆创新科技有限公司 Battery and aircraft with same
US9592744B2 (en) 2013-12-06 2017-03-14 SZ DJI Technology Co., Ltd Battery and unmanned aerial vehicle with the battery

Cited By (95)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010204761A (en) * 2009-02-27 2010-09-16 New Japan Radio Co Ltd Stabilized power supply circuit
US10720346B2 (en) 2009-10-21 2020-07-21 Lam Research Corporation Substrate support with thermal zones for semiconductor processing
US9646861B2 (en) 2009-10-21 2017-05-09 Lam Research Corporation Heating plate with heating zones for substrate processing and method of use thereof
US10236193B2 (en) 2009-10-21 2019-03-19 Lam Research Corporation Substrate supports with multi-layer structure including independent operated heater zones
DE102010060873A1 (en) 2009-12-01 2011-07-21 DENSO CORPORATION, Aichi-pref. Vehicle power generator with improved fault tolerance
US10056225B2 (en) 2009-12-15 2018-08-21 Lam Research Corporation Adjusting substrate temperature to improve CD uniformity
US9099875B2 (en) 2010-02-27 2015-08-04 Byd Company Limited Reverse-connection protecting device and backup power supply including the same
WO2011103816A1 (en) * 2010-02-27 2011-09-01 Byd Company Limited Reverse connection protecting device and backup power supply comprising the same
CN101860021A (en) * 2010-04-09 2010-10-13 海洋王照明科技股份有限公司 Circuit for preventing reverse connection of power supply and lamp
CN101867214A (en) * 2010-06-24 2010-10-20 深圳市瑞必达电源有限公司 Charging circuit and charger
US10568163B2 (en) 2010-10-22 2020-02-18 Lam Research Corporation Methods of fault detection for multiplexed heater array
CN102545164A (en) * 2010-12-29 2012-07-04 广东易事特电源股份有限公司 A driving circuit of a solar charge controller anti-reverse connection protection circuit switch unit
JP2012244829A (en) * 2011-05-23 2012-12-10 Seiko Epson Corp Charge protection circuit for secondary battery
JP2013038908A (en) * 2011-08-08 2013-02-21 Denso Corp Power supply reverse connection protective device
US9713200B2 (en) 2011-08-17 2017-07-18 Lam Research Corporation System and method for monitoring temperatures of and controlling multiplexed heater array
US10388493B2 (en) 2011-09-16 2019-08-20 Lam Research Corporation Component of a substrate support assembly producing localized magnetic fields
US10872748B2 (en) 2011-09-16 2020-12-22 Lam Research Corporation Systems and methods for correcting non-uniformities in plasma processing of substrates
US9775194B2 (en) 2012-02-28 2017-09-26 Lam Research Corporation Multiplexed heater array using AC drive for semiconductor processing
CN102664575A (en) * 2012-05-09 2012-09-12 上海日用-友捷汽车电气有限公司 Three-phase half-wave brushless direct-current motor controller with reverse connection protection function
CN103595110A (en) * 2012-08-15 2014-02-19 郭振华 Polarity identification converting circuit for charger
CN102856967A (en) * 2012-08-26 2013-01-02 郭振华 Non-polarity safe charger circuit
US10770363B2 (en) 2012-11-30 2020-09-08 Lam Research Corporation Power switching system for ESC with array of thermal control elements
US10049948B2 (en) 2012-11-30 2018-08-14 Lam Research Corporation Power switching system for ESC with array of thermal control elements
KR101407718B1 (en) 2012-12-18 2014-06-13 부산교통공사 Appartus for stabilization the voltage of cathode in the ruber-type light train
WO2014104332A1 (en) * 2012-12-28 2014-07-03 アルプス電気株式会社 Power supply device
CN104022540A (en) * 2013-02-28 2014-09-03 三菱电机株式会社 Power supply branching control apparatus of electric load and method for supplying power to electric load
US9385529B2 (en) 2013-02-28 2016-07-05 Mitsubishi Electric Coporation Power supply branching control apparatus and method for supplying power to electric loads
DE102013222746A1 (en) 2013-02-28 2014-08-28 Mitsubishi Electric Corporation A power branching control apparatus and method for supplying power to electrical loads
US9162639B2 (en) 2013-03-05 2015-10-20 Mitsubishi Electric Corporation In-vehicle electronic control unit and power feeding control method of the same
DE102013222862B4 (en) 2013-03-05 2019-01-17 Mitsubishi Electric Corporation Vehicle electronic control unit and power supply control method of the same
DE102013222862A1 (en) 2013-03-05 2014-09-11 Mitsubishi Electric Corporation Vehicle electronic control unit and power supply control method of the same
JP2018153089A (en) * 2013-03-12 2018-09-27 アセンシア・ディアベティス・ケア・ホールディングス・アーゲー Reverse battery protection for device supplied with power by battery
CN105229892A (en) * 2013-06-04 2016-01-06 新电元工业株式会社 The control method of battery charging plant and battery charging plant
WO2014196012A1 (en) * 2013-06-04 2014-12-11 新電元工業株式会社 Battery charging apparatus and method for controlling battery charging apparatus
JP5739014B1 (en) * 2013-06-04 2015-06-24 新電元工業株式会社 Battery charging device and battery charging device control method
US9337673B2 (en) 2013-06-04 2016-05-10 Shindengen Electric Manufacturing Co., Ltd. Battery charging apparatus and method of controlling battery charging apparatus
US10217615B2 (en) 2013-12-16 2019-02-26 Lam Research Corporation Plasma processing apparatus and component thereof including an optical fiber for determining a temperature thereof
CN104810802A (en) * 2014-01-27 2015-07-29 Ls产电株式会社 Reverse battery protection device and operating method thereof
US9595822B2 (en) 2014-01-27 2017-03-14 Lsis Co., Ltd. Reverse battery protection device and operating method thereof
JP2015142505A (en) * 2014-01-27 2015-08-03 エルエス産電株式会社Lsis Co., Ltd. Reverse battery protection device and operating method thereof
JP5734472B1 (en) * 2014-01-29 2015-06-17 三菱電機株式会社 In-vehicle electronic control unit
US9573540B2 (en) 2014-01-29 2017-02-21 Mitsubishi Electric Corporation On-vehicle electronic control device
DE102014221215A1 (en) 2014-01-29 2015-07-30 Mitsubishi Electric Corporation Vehicle electronic control device
DE102014221215B4 (en) 2014-01-29 2021-12-30 Mitsubishi Electric Corporation Vehicle electronics control device
US9817412B2 (en) 2014-03-28 2017-11-14 Minebea Co., Ltd. Protection circuit and control circuit
US9609718B1 (en) 2014-03-28 2017-03-28 Mitsubishi Electric Corporation In-vehicle equipment
WO2015145733A1 (en) * 2014-03-28 2015-10-01 三菱電機株式会社 Vehicle-mounted device
JPWO2015145733A1 (en) * 2014-03-28 2017-04-13 三菱電機株式会社 Car equipment
JP2015192317A (en) * 2014-03-28 2015-11-02 ミネベア株式会社 Protection circuit and drive circuit
US10164628B2 (en) 2014-11-06 2018-12-25 Yazaki Corporation Switch box
JP2017093294A (en) * 2014-11-06 2017-05-25 矢崎総業株式会社 Switch box
JP2016152765A (en) * 2015-02-19 2016-08-22 日本精機株式会社 Surge protection circuit for vehicle meter
US10148086B2 (en) 2015-12-03 2018-12-04 Hyundai Motor Company Power switch capable of preventing reverse connection
KR101816357B1 (en) * 2015-12-03 2018-01-08 현대자동차주식회사 Power switch capable of preventing reverse connection of electricpower source
CN105744436A (en) * 2016-05-06 2016-07-06 梁镇杰 Novel sound box
JP2018050230A (en) * 2016-09-23 2018-03-29 日立オートモティブシステムズ株式会社 Switching circuit
JPWO2018070186A1 (en) * 2016-10-14 2019-08-15 日立オートモティブシステムズ株式会社 Electronic control device and evaporative diagnosis device
DE112017004285T5 (en) 2016-10-14 2019-05-16 Hitachi Automotive Systems, Ltd. Electronic control device and evaporative leak diagnostic device
WO2018070186A1 (en) * 2016-10-14 2018-04-19 日立オートモティブシステムズ株式会社 Electronic control device and evaporation leak diagnostic device
DE112017004285B4 (en) 2016-10-14 2024-07-18 Hitachi Astemo, Ltd. Evaporative leak diagnostic device
JP2018170874A (en) * 2017-03-30 2018-11-01 オムロンオートモーティブエレクトロニクス株式会社 Bidirectional dc-dc converter
WO2018186483A1 (en) * 2017-04-06 2018-10-11 アイシン・エィ・ダブリュ株式会社 On-board electronic control device
US11370320B2 (en) 2017-04-06 2022-06-28 Aisin Corporation Electronic control device for in-vehicle use
JPWO2018186483A1 (en) * 2017-04-06 2019-11-21 アイシン・エィ・ダブリュ株式会社 In-vehicle electronic control unit
JP2019103015A (en) * 2017-12-05 2019-06-24 新日本無線株式会社 Load drive circuit with reverse power supply protection function
JP7038531B2 (en) 2017-12-05 2022-03-18 日清紡マイクロデバイス株式会社 Load drive circuit with reverse power supply protection function
CN110190840A (en) * 2018-02-22 2019-08-30 株式会社自动网络技术研究所 control device
DE102019103235A1 (en) 2018-02-22 2019-08-22 Autonetworks Technologies, Ltd. control device
US10903644B2 (en) 2018-02-22 2021-01-26 Autonetworks Technologies, Ltd. Control device
CN110190840B (en) * 2018-02-22 2022-12-02 株式会社自动网络技术研究所 control device
JP2019156339A (en) * 2018-03-16 2019-09-19 日立オートモティブシステムズ株式会社 On-vehicle electronic control device
US10840898B2 (en) 2018-07-20 2020-11-17 Renesas Electronics Corporation Semiconductor device and electronic control device
JP2020014356A (en) * 2018-07-20 2020-01-23 ルネサスエレクトロニクス株式会社 Semiconductor device and electronic control device
JP7026016B2 (en) 2018-07-20 2022-02-25 ルネサスエレクトロニクス株式会社 Semiconductor devices and electronic control devices
CN109245251A (en) * 2018-12-13 2019-01-18 江苏万帮德和新能源科技股份有限公司 Reverse connecting protection system, direct-current charging post and working method
DE112020002074T5 (en) 2019-04-25 2022-02-17 Hitachi Astemo, Ltd. load driving device
CN111106401A (en) * 2020-01-01 2020-05-05 武汉船用电力推进装置研究所（中国船舶重工集团公司第七一二研究所） A guard grating circuit for battery cell
DE112021001673T5 (en) 2020-03-16 2023-01-05 Autonetworks Technologies, Ltd. power supply control device
US12289046B2 (en) 2020-03-16 2025-04-29 Autonetworks Technologies, Ltd. Power feeding control device
JP2021150991A (en) * 2020-03-16 2021-09-27 株式会社オートネットワーク技術研究所 Power supply control unit
WO2021187116A1 (en) * 2020-03-16 2021-09-23 株式会社オートネットワーク技術研究所 Power feeding control device
JP7390989B2 (en) 2020-06-30 2023-12-04 日清紡マイクロデバイス株式会社 voltage regulator circuit
JP2022012039A (en) * 2020-06-30 2022-01-17 新日本無線株式会社 Voltage regulator circuit
US11695268B2 (en) 2020-07-27 2023-07-04 Minebea Mitsumi Inc. Load drive circuit, motor drive control device, and motor unit
CN112054500A (en) * 2020-09-14 2020-12-08 苏州爱科赛博电源技术有限责任公司 A high reliability DC input circuit
JP2022054867A (en) * 2020-09-28 2022-04-07 日立建機株式会社 Load drive device
JP7587950B2 (en) 2020-09-28 2024-11-21 日立建機株式会社 Load Driver
US12184118B2 (en) 2020-12-28 2024-12-31 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Backup power supply control system, backup power supply system, and moving vehicle
CN112838569A (en) * 2020-12-31 2021-05-25 深圳博用科技有限公司 High-side switch, anti-reverse and programmable pre-charge three-in-one control circuit for vehicle controller
CN113725843A (en) * 2021-09-08 2021-11-30 中科芯集成电路有限公司 High-voltage side single-end reverse connection preventing circuit
US12525785B2 (en) 2021-10-26 2026-01-13 Lg Energy Solution, Ltd. Protection device for preventing reverse connection
CN113809730A (en) * 2021-11-08 2021-12-17 深圳市高斯宝电气技术有限公司 High-voltage direct-current input reverse connection protection circuit
CN114244091A (en) * 2021-12-17 2022-03-25 迈思普电子股份有限公司 Anti-backflow output switch
CN116599016A (en) * 2023-04-28 2023-08-15 嬴彻星创智能科技(上海)有限公司 Power supply anti-reverse connection circuit, anti-reverse connection method, vehicle-mounted domain controller and vehicle
WO2025067236A1 (en) * 2023-09-28 2025-04-03 法雷奥汽车内部控制（深圳）有限公司 Reverse polarity protection circuit and windshield wiper system comprising reverse polarity protection circuit

Also Published As

Publication number Publication date
JP4483751B2 (en) 2010-06-16

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