JP2007048590A - 色素増感型太陽電池、その光電極基板およびその光電極基板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 色素増感型太陽電池の光電極基板の透明電極膜から半導体層への逆電子移動を防止し、色素増感型太陽電池の発電特性の低下を防止することができる、色素増感型太陽電池、その光電極基板およびその光電極基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 光電極基板2と対向電極基板3の対向電極との間に電解質4が封入された色素増感型太陽電池1の光電極基板2において、基板部材5の表面に形成された透明電極膜6上にチタンなどからなる金属膜7が形成され、この金属膜7上に多孔性半導体電極膜8が形成され、この多孔性半導体電極膜8に増感色素が吸着・担持されている。
【選択図】 図1
【解決手段】 光電極基板2と対向電極基板3の対向電極との間に電解質4が封入された色素増感型太陽電池1の光電極基板2において、基板部材5の表面に形成された透明電極膜6上にチタンなどからなる金属膜7が形成され、この金属膜7上に多孔性半導体電極膜8が形成され、この多孔性半導体電極膜8に増感色素が吸着・担持されている。
【選択図】 図1
Description
本発明は、色素増感型太陽電池、その光電極基板およびその光電極基板の製造方法に関し、特に、光電極基板と対向電極基板の対向電極との間に電解質が封入された色素増感型太陽電池、その光電極基板およびその光電極基板の製造方法に関する。
近年、環境問題の観点から、光エネルギーを電気エネルギーに変換する太陽電池が注目を集めており、特に、製造コストを低くすることができることから、色素増感型太陽電池が注目を集めている。従来の色素増感型太陽電池は、光電変換効率が低いために実用性に乏しかったが、最近、半導体電極を多孔質化して表面積を大きくすることにより、多量の色素を吸着させて、飛躍的に光電変換効率を向上させる技術が開発されている(例えば、特許文献1参照)。
このような技術を用いた色素増感型太陽電池として、図6に模式的に示すように、光電極基板102と、対向電極基板103と、これらの間に封入された電解液104とから構成された色素増感型太陽電池101が知られている。この色素増感型太陽電池101の光電極基板102は、基板部材105と、この基板部材105の表面105aに形成された透明電極膜106と、この透明電極膜106上に形成された酸化チタンなどからなる多孔性半導体電極膜108とから構成され、この多孔性半導体電極膜108に色素が吸着している。なお、多孔性半導体電極膜108は、透明電極膜106上に半導体粒子を含有する懸濁液を塗布し、乾燥した後に焼成することによって形成されている。一方、色素増感型太陽電池101の対向電極基板103は、対向基板部材110と、この対向基板部材110上に白金などの触媒をコーティングすることによって形成された対向電極111とから構成されている。この対向電極111と多孔性半導体電極膜108が所定の間隔で離間して対向するように基板部材105と対向基板部材110が配置され、対向電極111と多孔性半導体電極膜108の間に電解液104が封入されて、色素増感型太陽電池101が構成されている。この色素増感型太陽電池101では、多孔性半導体電極膜108の表面に吸着されている色素分子が光を吸収して、半導体に電子を注入し、多孔性半導体電極膜108側が負極になって発電するようになっている。
しかし、上述した従来の色素増感型太陽電池101では、多孔性半導体電極膜108から透明電極膜106までの電子の移動が拡散によって行われるため、透明電極膜106から半導体層への逆電子移動も同時に生じてしまい、多孔性半導体電極膜108内の電子の滞在時間が長くなり、その電子と色素との再結合の確率が増大するため、結果的に色素増感太腸電池101の発電特性が低下するという問題がある。
したがって、本発明は、このような従来の問題点に鑑み、色素増感型太陽電池の光電極基板の透明電極膜から半導体層への逆電子移動を防止し、色素増感型太陽電池の発電特性の低下を防止することができる、色素増感型太陽電池、その光電極基板およびその光電極基板の製造方法を提供することを目的とする。
本発明者は、上記課題を解決するために鋭意研究した結果、光電極基板の透明電極膜と対向電極基板の対向電極との間に電解質が封入され、増感色素を吸着または担持する多孔性半導体電極膜が透明電極膜上に形成された色素増感型太陽電池において、金属膜を介して多孔性半導体電極膜を透明電極膜上に形成することにより、色素増感型太陽電池の光電極基板の透明電極膜から半導体層への逆電子移動を防止し、色素増感型太陽電池の発電特性の低下を防止することができることを見出し、本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明による色素増感型太陽電池の光電極基板は、基板部材と、この基板部材上に形成された透明電極膜と、この透明電極膜上に形成された金属膜と、この金属膜上に形成された多孔性半導体電極膜と、この多孔性半導体電極膜に吸着または担持された増感色素とを備えたことを特徴とする。この色素増感型太陽電池の光電極基板において、金属膜がチタンまたはタンタルからなる膜であるのが好ましく、金属膜の厚さが1〜100nmであるのが好ましく、金属膜が可視光線に対して10%以上の透過率を有するのが好ましい。
また、本発明による色素増感型太陽電池は、上記の光電極基板と、この光電極基板の多孔性半導体電極膜に対向して配置された対向電極を備えた対向電極基板と、この対向電極基板と光電極基板の間に封入された電解質とからなることを特徴とする。
さらに、本発明による色素増感型太陽電池の光電極基板の製造方法は、基板部材上に透明電極膜を形成する工程と、この透明電極膜上に金属膜を形成する工程と、この金属膜上に多孔性半導体電極膜を形成する工程と、この多孔性半導体電極膜に増感色素を吸着または担持させる工程とを備えたことを特徴とする。この色素増感型太陽電池の光電極基板の製造方法において、金属膜がチタンまたはタンタルからなる膜であるのが好ましく、金属膜の厚さが1〜100nmであるのが好ましく、金属膜が可視光線に対して10%以上の透過率を有するのが好ましい。
本発明によれば、透明電極膜上に形成したチタンなどからなる金属膜と酸化チタンなどからなる多孔性半導体電極膜との接触(金属と半導体との接触)がショットキー接触になって整流特性が現れるようにすることができる。すなわち、多孔性半導体膜から透明電極側に電子が移動し易いのに対して、その逆方向には電子が移動し難くなり、これによって、透明電極膜から半導体層への逆電子移動を防止して電子と色素との再結合の確率を減少させることができ、その結果、太陽電池の発電効率を向上させることができる。
本発明によれば、色素増感型太陽電池の光電極基板の透明電極膜から半導体層への逆電子移動を防止し、色素増感型太陽電池の発電特性の低下を防止することができる、色素増感型太陽電池およびその光電極基板を提供することができる。
以下、添付図面を参照して、本発明による色素増感型太陽電池、その光電極基板およびその光電極基板の製造方法の実施の形態について詳細に説明する。
図1は、本発明による色素増感型太陽電池の実施の形態を模式的に示している。図1に示すように、本実施の形態の色素増感型太陽電池1は、光電極基板2と、対向電極基板3と、これらの間に封入された電解質4とから構成されている。光電極基板2は、透明のプラスチック製の基板部材5と、この基板部材5の表面5aに形成された透明電極膜6と、この透明電極膜6上に形成されたチタンからなる金属膜7と、この金属膜7上に形成され、増感色素を吸着・担持する多孔性半導体電極膜8とから構成されている。一方、対向電極基板3は、プラスチック製の対向基板部材10と、この対向基板部材10の表面10aに形成された対向電極11とから構成されている。なお、基板部材5および対向基板部材10は、アクリル、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリオレフィン、ポリカーボネート(PC)などのプラスチックにより形成されている。
上述した構造の色素増感型太陽電池1は、以下のように製造することができる。
まず、アルゴンガスと微量の酸素ガスを導入した(図示しない)真空装置内において、酸化インジウム錫(以下、「ITO」という)をターゲット材とし、高周波放電により生成したプラズマを使用してスパッタリング処理を施すことにより、図2Aに示すように、光電極基板2の透明のプラスチック製の基板部材5の表面5a上にITOからなる透明電極膜6を成膜する。
次に、透明電極膜6が形成された基板部材5を、ターゲット材としてのチタンとともに真空装置内に入れ、この真空装置内にアルゴンガスを導入し、高周波放電により生成したプラズマを使用してスパッタリング処理を施し、図2Bに示すように、透明電極膜6上にチタンからなる金属膜7を形成する。この真空装置内でチタンの成膜作業を連続して行うことにより、透明電極膜6と金属膜7との界面に不純物などのバリア層を生じることがなく、金属膜7を透明電極膜6上に積層して形成することができる。なお、金属膜7は、スパッタリング法の代わりに蒸着法やイオンプレーティング法などにより形成してもよい。
次に、図2Cに示すように、金属膜7上に、二酸化チタン(TiO2)からなる多孔性半導体電極膜8を焼成法により形成した後、この多孔性半導体電極膜8に、光電変換機能を有する増感色素(例えば、ルテニウム錯体)を吸着・担持させる。このように、光電極基板2は、基板部材5の表面5a上に、透明電極膜6と、金属膜7と、増感色素を吸着・担持する多孔性半導体電極膜8とを順次積層することにより形成される。なお、多孔性半導体電極膜8は、焼成法の代わりに電析法や水熱処理法などにより形成してもよい。
一方、対向基板部材10の表面10aに、白金からなる対向電極11をコーティングすることにより、図1に示すように、対向基板部材10の表面10aに白金の対向電極11を備えた対向電極基板3を形成する。なお、対向電極11として、白金の代わりに黒鉛を使用してもよい。
このようにして形成された光電極基板2の多孔性半導体電極膜8と対向電極基板3の対向電極11が対向するように配置し、多孔性半導体電極膜8と対向電極11との間に電解質4を封入して、本実施の形態の色素増感型太陽電池1が完成する(図1参照)。なお、電解質4としては、通常、ヨウ素−ヨウ素化合物、臭素−臭素化合物などの酸化還元対を含有するレドックス電解液を使用することができる。
このようにして形成された色素増感型太陽電池1では、外部から太陽光が光電極基板2に入射すると、多孔性半導体膜8に吸着・担持された増感色素が励起され、電子が基底状態から励起状態へ遷移する。励起された増感色素の電子は、多孔性半導体電極膜8を構成するTiO2の伝導帯に注入され、チタンからなる金属膜7を経由して透明電極膜6に移動し、この透明電極膜6から(図示しない)外部回路を経由して対向電極11に移動する。この対向電極11に移動した電子は、(電解質4としてヨウ素−ヨウ素化合物を含有するレドックス電解液を使用した場合に)電解質4中の三ヨウ化物イオンを還元してヨウ化物イオンにする。この還元されたヨウ化物イオンは、再び増感色素によって酸化され、増感色素に電子を戻す。このような作用を繰り返して電気エネルギーが取り出される。
以上のような本実施の形態の色素増感型太陽電池1では、透明電極膜6上に形成されたチタンからなる金属膜7と多孔性半導体電極膜8との接触がショットキー接触になって整流特性を示す。すなわち、多孔性半導体電極膜8から透明電極膜6側に電子が移動し易いのに対して、その逆方向には電子が移動し難くなり、これによって、透明電極膜6から半導体層への逆電子移動を防止して電子と色素との再結合の確率を減少させることができる。
本実施の形態の色素増感型太陽電池1では、チタンからなる金属膜7を薄膜領域の厚さにおいて厚くした方が上述した整流特性を向上させることができる。しかし、金属膜7を厚くすると、金属膜7が入射光を反射および吸収する割合が多くなって金属膜7を透過する光量が減少するので、光電変換用の光量が減少する。したがって、金属膜7を適度に薄くして光電変換用の光量の減少の効果よりも上述した逆電子移動防止の効果を大きくし、結果的に変換効率を増大させるように、金属膜7の厚さを調整するのが好ましい。このように光電変換用の光量の減少の効果よりも逆電子移動防止の効果を大きくするためには、金属膜7の厚さを1〜100nmにするのが好ましく、2〜20nmにするのがさらに好ましく、3〜10nmにするのが最も好ましい。また、金属膜7が可視光線に対して10%以上の透過率を有するのが好ましい。なお、光電変換用の光量の減少の効果が逆電子移動防止の効果より大きい場合でも、外観上金属色を有する太陽電池を実現し、太陽電池を鏡として使用することもできる。
なお、本実施の形態の色素増感型太陽電池1では、基板部材5および対向基板部材10をプラスチック材料により形成しているが、ガラスにより形成してもよい。
また、本実施の形態の色素増感型太陽電池1では、基板部材5側から太陽光を入射させるため、基板部材5を光透過性に優れた透明のプラスチック材料により形成しているので、対向基板部材10を必ずしも光透過性に優れたプラスチック材料により形成する必要はない。しかし、対向基板部材10側から太陽光を入射させる場合には、対向基板部材10を光透過性に優れたプラスチック材料により形成するとともに、対向電極11を透明にする必要がある。このように対向基板部材10側から太陽光を入射させる場合には、基板部材5および透明電極膜6に光透過性の悪い材料を使用してもよい。
また、本実施の形態の色素増感型太陽電池1では、チタンからなる金属膜7を使用しているが、タンタルからなる金属膜を使用しても同様の効果を得ることができる。これらの二つの金属は、多孔性半導体電極膜との接触がショットキー接触になるだけでなく、耐食性が高く、電解質中のヨウ素イオンなどによって腐食することもない。
以下、本発明による色素増感型太陽電池、その光電極基板およびその光電極基板の製造方法の実施例について詳細に説明する。
[実施例1]
まず、ポリエチレンナフタレート(PEN)からなる基板部材5の表面にITOからなる透明電極膜(ITO膜)6が形成されたITO付き基板部材(一辺の長さが5cmの矩形の平面形状を有し、厚さが125μm、電気抵抗値が10Ω/□の板状部材)を用意した(図2A参照)。このITO付き基板部材を、ターゲット材としてのチタンとともに真空装置内に入れ、この真空装置内にアルゴンガスを50sccmで導入し、高周波放電(13.56MHz、400W)によりターゲット材の表面に生成したプラズマを使用してスパッタリング処理を60秒間施し、ITO膜6上に膜厚10nmのチタンからなる金属膜(チタン膜)7を形成した(図2B参照)。
まず、ポリエチレンナフタレート(PEN)からなる基板部材5の表面にITOからなる透明電極膜(ITO膜)6が形成されたITO付き基板部材(一辺の長さが5cmの矩形の平面形状を有し、厚さが125μm、電気抵抗値が10Ω/□の板状部材)を用意した(図2A参照)。このITO付き基板部材を、ターゲット材としてのチタンとともに真空装置内に入れ、この真空装置内にアルゴンガスを50sccmで導入し、高周波放電(13.56MHz、400W)によりターゲット材の表面に生成したプラズマを使用してスパッタリング処理を60秒間施し、ITO膜6上に膜厚10nmのチタンからなる金属膜(チタン膜)7を形成した(図2B参照)。
次に、このチタン膜7上に、低温成膜用チタニア塗布ペーストを厚さ50μmになるように塗布した後、150℃で5分間加熱してチタン膜7上に膜厚5μmの多孔性半導体電極膜8を形成し(図2C参照)、その後、多孔性半導体電極膜8にルテニウム錯体色素を吸着させた。このようにして、ITO膜6上にチタン膜7が形成され、このチタン膜7上に増感色素が吸着・担持された多孔性半導体電極膜8が積層して形成された光電極基板2を作製した。
このようにして作製した光電極基板2を使用した色素増感型太陽電池1に、ソーラーシミュレータを用いて光照射エネルギー10mW/cm2の疑似太陽光を照射し、電池特性試験を行った。また、比較例として、光電極基板102の構成が光電極基板2の構成と異なる以外は同一の構成を有するように図6に示す従来の色素増感型太陽電池101を作製し、同様の電池特性試験を行った。その結果を図3、図4および表1に示す。なお、図3は、本実施例の色素増感型太陽電池1と比較例の色素増感型太陽電池101の電流−電圧特性についての実験結果を比較して示し、図4は、本実施例の色素増感型太陽電池1と比較例の色素増感型太陽電池101に光を照射しない状態で、光電極基板2、102と対向電極基板3、103間に電圧を印加した際に流れる電流を示している。また、表1において、Iscは色素増感型太陽電池の出力端子を短絡させたときに両端子間に流れる電流(短絡電流)、Vocは色素増感型太陽電池の出力端子を開放したときの両端子間の電圧(開放電圧)、f.f.は最大出力Pmax(=Imax・Vmax)を開放電圧Vocと電流密度Jsc(1cm2当たりの短絡電流Isc)の積で除した値(曲線因子(Fill Factor)f.f.=Pmax/Voc・Jsc)、ηは最大出力Pmaxを(1cm2当たりの)照射光量(W)で除した値に100を乗じてパーセントで表示した値(変換効率)を示している。
図3および表1に示すように、本実施例の色素増感型太陽電池1では、比較例の色素増感型太陽電池101と比べて、チタン膜7による入射光の反射および吸収の影響から短絡電流が10%程度減少しているものの、曲線因子が約1.4倍と著しく向上しているため、結果として変換効率が1.3倍以上になっている。このような本実施例の色素増感型太陽電池1と比較例の色素増感型太陽電池101との性能の差は、本実施例の光電極基板2のチタン膜7に起因する整流特性によるものと考えられる。また、図4から、本実施例の色素増感型太陽電池1では、逆方向の電圧に対して電流が流れていないのに対して、比較例の色素増感型太陽電池101では、逆方向の電圧に対して電流が流れていることがわかる。これは、多孔性半導体電極膜8である酸化チタン膜と透明電極膜6であるITO膜との間にチタン膜7が存在することにより、酸化チタン膜とチタン膜との接触がショットキー接触になって整流特性を示すためであると考えられる。これに対して、比較例の光電極基板102では、透明電極膜106から半導体層への逆電子移動を防止することができないので、逆方向にも電流が流れるためであると考えられる。
[実施例2]
チタン膜7の膜厚を5nmとした以外は実施例1と同様に色素増感型太陽電池を作製し、実施例1と同様の電池特性試験を行った。その結果を図3および表1に示す。図3および表1に示すように、本実施例の色素増感型太陽電池1では、実施例1よりもチタン膜7が薄くなっているので、実施例1と比べてチタン膜7による入射光の反射および吸収の影響が小さくなって短絡電流が増大し、また、曲線因子も比較例の約1.3倍と向上しているため、変換効率が比較例の約1.7倍になっている。
チタン膜7の膜厚を5nmとした以外は実施例1と同様に色素増感型太陽電池を作製し、実施例1と同様の電池特性試験を行った。その結果を図3および表1に示す。図3および表1に示すように、本実施例の色素増感型太陽電池1では、実施例1よりもチタン膜7が薄くなっているので、実施例1と比べてチタン膜7による入射光の反射および吸収の影響が小さくなって短絡電流が増大し、また、曲線因子も比較例の約1.3倍と向上しているため、変換効率が比較例の約1.7倍になっている。
[実施例3]
金属膜7として膜厚5nmのタンタル膜を形成した以外は実施例1と同様に色素増感型太陽電池1を作製し、実施例1と同様の電池特性試験を行った。その結果を図5および表1に示す。なお、図5は、本実施例の色素増感型太陽電池1と比較例の色素増感型太陽電池101の電流−電圧特性についての実験結果を比較して示している。
金属膜7として膜厚5nmのタンタル膜を形成した以外は実施例1と同様に色素増感型太陽電池1を作製し、実施例1と同様の電池特性試験を行った。その結果を図5および表1に示す。なお、図5は、本実施例の色素増感型太陽電池1と比較例の色素増感型太陽電池101の電流−電圧特性についての実験結果を比較して示している。
図5および表1に示すように、本実施例の色素増感型太陽電池1では、比較例の色素増感型太陽電池101と比べて、タンタル膜の入射光の反射および吸収の影響から短絡電流が30%程度減少しているものの、曲線因子が1.4倍以上と著しく向上しているため、結果として変換効率が向上している。
本発明による光電極基板を備えた色素増感型太陽電池を複数直列に接続し、あるいは、このように複数直列に接続した太陽電池列を並列に接続して、色素増感型太陽電池組立体を構成すれば、所望の電気エネルギーを得ることができる。また、ミラータイプの色素増感型太陽電池を作製することもできる。
1…色素増感型太陽電池、2…光電極基板、3…対向電極基板、4…電解質、5…基板部材、6…透明電極膜(ITO膜)、7…金属膜、8…多孔性半導体電極膜、10…対向基板部材、11…対向電極
Claims (11)
- 基板部材と、この基板部材上に形成された透明電極膜と、この透明電極膜上に形成された金属膜と、この金属膜上に形成された多孔性半導体電極膜と、この多孔性半導体電極膜に吸着または担持された増感色素とを備えたことを特徴とする、色素増感型太陽電池の光電極基板。
- 前記金属膜がチタンからなる膜であることを特徴とする、請求項1に記載の色素増感型太陽電池の光電極基板。
- 前記金属膜がタンタルからなる膜であることを特徴とする、請求項1に記載の色素増感型太陽電池の光電極基板。
- 前記金属膜の厚さが1〜100nmであることを特徴とする、請求項1乃至3のいずれかに記載の色素増感型太陽電池の光電極基板。
- 前記金属膜が可視光線に対して10%以上の透過率を有することを特徴とする、請求項1乃至4のいずれかに記載の色素増感型太陽電池の光電極基板。
- 請求項1乃至5のいずれかに記載の光電極基板と、この光電極基板の多孔性半導体電極膜に対向して配置された対向電極を備えた対向電極基板と、この対向電極基板と前記光電極基板の間に封入された電解質とからなることを特徴とする、色素増感型太陽電池。
- 基板部材上に透明電極膜を形成する工程と、この透明電極膜上に金属膜を形成する工程と、この金属膜上に多孔性半導体電極膜を形成する工程と、この多孔性半導体電極膜に増感色素を吸着または担持させる工程とを備えたことを特徴とする、色素増感型太陽電池の光電極基板の製造方法。
- 前記金属膜がチタンからなる膜であることを特徴とする、請求項7に記載の色素増感型太陽電池の光電極基板の製造方法。
- 前記金属膜がタンタルからなる膜であることを特徴とする、請求項7に記載の色素増感型太陽電池の光電極基板の製造方法。
- 前記金属膜の厚さが1〜100nmであることを特徴とする、請求項7乃至9のいずれかに記載の色素増感型太陽電池の光電極基板の製造方法。
- 前記金属膜が可視光線に対して10%以上の透過率を有することを特徴とする、請求項7乃至10のいずれかに記載の色素増感型太陽電池の光電極基板の製造方法。
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| JP2005231763A JP2007048590A (ja) | 2005-08-10 | 2005-08-10 | 色素増感型太陽電池、その光電極基板およびその光電極基板の製造方法 |
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| JP2005340710A (ja) * | 2004-05-31 | 2005-12-08 | Toppan Printing Co Ltd | 色素増感太陽電池およびその製造方法 |
-
2005
- 2005-08-10 JP JP2005231763A patent/JP2007048590A/ja active Pending
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