JP2007042761A - Semiconductor device substrate, semiconductor device manufacturing method, and sealing mold - Google Patents
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Abstract
【課題】 半導体装置用基板に対する個片基板の取れ率を向上することができて、個片基板のコスト並びに生産効率向上による生産コストの低減化を図ることが可能となり、ひいては半導体装置のコスト低減を図ることができる半導体装置用基板、および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 配線パターン及び半導体素子搭載部を設けた複数の個片基板2をマトリックス状に配置してなる回路基板領域部3を形成した半導体装置用基板1であって、回路基板領域部3が、半導体装置用基板1の外周まで形成され、回路基板領域2を外周から囲むとともに半導体素子搭載部を有しない外周フレーム部が形成されていないことを特徴とする。この構成により、半導体装置用基板1内に対する個片基板2として使用する有効領域が拡大し、個片基板2の取れ率が向上する。
【選択図】 図2PROBLEM TO BE SOLVED: To improve the separation rate of individual substrates with respect to a substrate for a semiconductor device, and to reduce the cost of the individual substrates and the production cost by improving the production efficiency. Provided are a substrate for a semiconductor device and a method for manufacturing the semiconductor device.
A semiconductor device substrate 1 having a circuit board region portion 3 formed by arranging a plurality of individual substrates 2 provided with wiring patterns and semiconductor element mounting portions in a matrix form. However, it is characterized in that it is formed up to the outer periphery of the substrate 1 for a semiconductor device and does not have an outer peripheral frame portion that surrounds the circuit board region 2 from the outer periphery and does not have a semiconductor element mounting portion. With this configuration, the effective area used as the individual substrate 2 with respect to the semiconductor device substrate 1 is expanded, and the yield of the individual substrate 2 is improved.
[Selection] Figure 2
Description
本発明は、半導体装置用基板、及び、この半導体装置用基板を用いた半導体装置の製造方法、並びに、この製造方法で用いる樹脂封止用の封止金型に関するものである。 The present invention relates to a semiconductor device substrate, a method of manufacturing a semiconductor device using the semiconductor device substrate, and a sealing mold for resin sealing used in the manufacturing method.
近年、配線パターンを形成した有機基板などの半導体装置用基板を用い、半導体素子を半導体装置用基板上に搭載し、ワイヤボンディングなどにより、半導体素子の電極パッドと半導体装置用基板上の配線パターンとを電気的に接続した後に封止樹脂により封止し、半導体装置用基板における封止面とは逆の面に、はんだボール等の外部用接続端子を形成したBGA(Ball Grid Array)といった半導体装置が各社より提案され、生産されている。 In recent years, a semiconductor device substrate such as an organic substrate on which a wiring pattern is formed is used. A semiconductor element is mounted on a semiconductor device substrate, and the electrode pattern of the semiconductor element and the wiring pattern on the semiconductor device substrate are bonded by wire bonding or the like. A semiconductor device such as a BGA (Ball Grid Array) in which external connection terminals such as solder balls are formed on a surface opposite to the sealing surface of the semiconductor device substrate after being electrically connected to each other with a sealing resin. Are proposed and produced by each company.
図5、図6は有機基板などから構成される従来の半導体装置用基板の平面図を示す。図5に示すように、半導体装置用基板50上には、配線パターン及び半導体素子搭載部を設けた複数の個片基板51をマトリックス状に配置してなる回路基板領域部52と、この回路基板領域部52を外周から囲むように配置された外周フレーム部53とが形成されている。なお、外周フレーム部53には半導体素子搭載部が設けられていない。
5 and 6 are plan views of a conventional semiconductor device substrate composed of an organic substrate or the like. As shown in FIG. 5, on a
また、図6に示す半導体装置用基板50では、前記したと同様に配線パターン及び半導体素子搭載部を設けた複数の個片基板51をマトリックス状に配置した回路基板領域部52を、これらの回路基板領域部52間に設けた連結部54により複数連結し、さらにこれらの回路基板領域部52および連結部54の外周を外周フレーム部53で一体に支持して全体形状を短冊状に形成している(例えば、特許文献1等)。なお、図6における58は、連結部54に設けられているスリット(貫通長孔)である。
Further, in the
図5、図6および図7に示すように、従来の半導体装置用基板50では、外周フレーム部53が、回路基板領域部52を連結するための支持体であるだけでなく、後述するように、金型61、62から半導体装置用基板50に形成した封止領域57の封止樹脂が抜け易くするために、封止領域57の外周端57aを斜めに形成するための領域や、封止樹脂が半導体装置用基板の周辺に漏れ出ることを防止するための領域、封止樹脂を金型61、62内に導入するためのゲート口用の形成領域等としても利用されている。
As shown in FIGS. 5, 6, and 7, in the conventional
図7は上記した半導体装置用基板50と、樹脂封止用の金型61、62を用いて半導体装置の製造工程の1つである封止工程を行った状態の断面構造を示している(半導体素子56が搭載される個片基板51の数は実際にはもっと多くあるが、図7においては簡略的に示している)。この図7における57は、上金型61の下面部に形成された凹部からなる封止領域で、この封止領域57は半導体装置用基板50上に形成される。また、下金型62には半導体装置用基板50が搭載される凹部が形成され、この凹部に半導体装置用基板50が搭載される。また、56は半導体素子である。
FIG. 7 shows a cross-sectional structure in a state where a sealing process, which is one of the semiconductor device manufacturing processes, is performed using the
図7に示すように、半導体装置用基板50上に形成される封止領域57は、下金型62に載せられる半導体装置用基板50よりも小さく形成されている。また、従来の半導体装置用基板50には封止領域57のない外周フレーム部53が存在する。これにより、半導体装置用基板50の実際の厚みが設計上の厚みよりも薄くて封止領域57外に封止樹脂が漏れ出た場合でも、封止樹脂の漏れを外周フレーム部53上のみとすることができて、金型61、62内への封止樹脂の漏れを防止できるよう構成している。
As shown in FIG. 7, the
また、簡略的に上記したが、図7に示すように、金型61、62から半導体装置用基板50に形成した封止領域57の封止樹脂が抜けやすくするために、封止領域57の外周端57aを斜めに形成する場合が存在する。すなわち、その場合に、外周フレーム部53が存在することで、封止領域57の外周端57aを斜めに形成するための領域を確保することが可能となる。
しかしながら、上記従来の半導体装置用基板を用いた半導体装置の製造方法では、上記したように封止領域57の外周端57aを斜めに形成するための領域を確保するなどの理由により、外周フレーム部53の領域が増加しており、このように外周フレーム部53の領域が増加することで、半導体装置用基板50に対する個片基板51として使用する有効領域が小さくなり、半導体装置用基板50に対する個片基板51の取れ率が減少し、その結果、個片基板51に対するコストが上昇するという課題があった。また、半導体装置用基板50に対する個片基板51の取れ率が減少することで、半導体装置を生産するための効率が低下し、半導体装置の生産コストを上昇する原因となっていた。この傾向は、個片基板51のサイズが小さくなるに従い、特に顕著に発生する傾向にあり、半導体装置のコスト低減化の取り組みへの大きな障害になっている。
However, in the above-described conventional method for manufacturing a semiconductor device using a substrate for a semiconductor device, the outer peripheral frame portion is provided for the purpose of securing a region for forming the outer
本発明は、上記従来の課題を解決するもので、半導体装置用基板に対する個片基板の取れ率を向上することができて、個片基板のコスト並びに生産効率向上による生産コストの低減化を図ることが可能となり、ひいては半導体装置のコスト低減を図ることができる半導体装置用基板、および半導体装置の製造方法、および封止金型を提供することを目的とする。 The present invention solves the above-described conventional problems, can improve the yield of individual substrates relative to the substrate for a semiconductor device, and reduces the production cost by improving the cost and production efficiency of the individual substrates. An object of the present invention is to provide a semiconductor device substrate, a semiconductor device manufacturing method, and a sealing mold that can reduce the cost of the semiconductor device.
上記目的を達成するために、本発明の半導体装置用基板は、配線パターン及び半導体素子搭載部を設けた複数の個片基板をマトリックス状に配置してなる回路基板領域部を形成した半導体装置用基板であって、回路基板領域部が、半導体装置用基板の外周まで形成されており、半導体素子搭載部を有しない外周フレーム部が回路基板領域部の外周に形成されていないことを特徴とする。 In order to achieve the above object, a substrate for a semiconductor device according to the present invention is for a semiconductor device in which a circuit board region is formed by arranging a plurality of individual substrates provided with wiring patterns and semiconductor element mounting portions in a matrix. A circuit board region portion is formed up to an outer periphery of a substrate for a semiconductor device, and an outer peripheral frame portion having no semiconductor element mounting portion is not formed on the outer periphery of the circuit substrate region portion. .
この構成により、回路基板領域部を半導体装置用基板の外周まで形成し、半導体装置用基板に外周フレーム部が形成されていないので、半導体装置用基板内に対する個片基板として使用する有効領域が拡大し、個片基板の取れ率が向上する。 With this configuration, the circuit board region portion is formed up to the outer periphery of the semiconductor device substrate, and the outer peripheral frame portion is not formed on the semiconductor device substrate, so that the effective region used as a single substrate within the semiconductor device substrate is expanded. In addition, the yield of the individual substrate is improved.
また、本発明の半導体装置の製造方法は、配線パターン及び半導体素子搭載部を設けた複数の個片基板をマトリックス状に配置してなる回路基板領域部を形成した半導体装置用基板として、前記回路基板領域部が、半導体装置用基板の外周まで形成されたものを採用し、前記半導体装置用基板上に半導体素子を搭載し、半導体素子上の電極パッドと個片基板上の配線パターンとを電気的に接続した後、封止樹脂にて封止する際に、封止領域が半導体装置用基板の外周四辺よりも大きくなるように形成することを特徴とする。 Also, the method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention provides the circuit as a semiconductor device substrate having a circuit board region formed by arranging a plurality of individual substrates provided with wiring patterns and semiconductor element mounting portions in a matrix. The substrate region portion is formed up to the outer periphery of the semiconductor device substrate, the semiconductor element is mounted on the semiconductor device substrate, and the electrode pads on the semiconductor element and the wiring pattern on the individual substrate are electrically connected. After the connection, the sealing region is formed so as to be larger than the outer peripheral four sides of the semiconductor device substrate when sealing with a sealing resin.
この方法により、前記半導体装置用基板を用いて、半導体装置用基板上に、良好かつ効率よく半導体装置を製造することができる。
なお、前記半導体装置の製造方法としては、半導体装置用基板の少なくとも一辺において、封止領域が回路基板領域部よりも大きくなるように形成したり、半導体装置用基板の回路基板領域部の外周四辺において、封止領域が回路基板領域部よりも大きくなるように形成したり、半導体装置用基板を、複数の回路基板領域部と、回路基板領域同士を連結する連結部とから構成し、半導体装置用基板の回路基板領域部の少なくとも一辺において、封止領域が回路基板領域よりも大きくなるように形成したりする。
By this method, a semiconductor device can be manufactured satisfactorily and efficiently on the semiconductor device substrate using the semiconductor device substrate.
The semiconductor device manufacturing method includes forming the sealing region larger than the circuit substrate region portion on at least one side of the semiconductor device substrate, or forming the four peripheral sides of the circuit substrate region portion of the semiconductor device substrate. In the semiconductor device, the sealing region is formed to be larger than the circuit board region portion, or the semiconductor device substrate is constituted by a plurality of circuit board region portions and a connecting portion for connecting the circuit substrate regions to each other, and the semiconductor device The sealing region is formed to be larger than the circuit substrate region on at least one side of the circuit substrate region portion of the circuit board.
また、封止樹脂にて封止する工程を、上金型と下金型とからなる封止金型を用いて行い、この際に、半導体装置用基板と下金型との間、および上金型と下金型との間に、封止樹脂の漏れを防止するシール材を介装することを特徴とする。 In addition, the step of sealing with the sealing resin is performed using a sealing mold including an upper mold and a lower mold, and at this time, between the substrate for the semiconductor device and the lower mold, and above A sealing material for preventing leakage of the sealing resin is interposed between the mold and the lower mold.
この方法により、封止樹脂工程においてシール材が上金型と下金型との接合面に密着し、封止樹脂が封止領域外に漏れ出ることを防止することができる。
また、半導体装置を製造する封止工程で用いる封止金型としては、封止樹脂を注入させる上金型の封止領域が、半導体装置用基板を搭載する下金型の半導体装置用基板搭載領域よりも大きいものを用いるとよい。また、この場合に、上金型に、封止樹脂を封止金型内の封止領域に導入するゲート口が垂直方向に貫通して形成することで、封止樹脂を封止領域に良好に導入することができる。
By this method, it is possible to prevent the sealing material from coming into close contact with the joint surface between the upper mold and the lower mold in the sealing resin process, and the sealing resin from leaking out of the sealing region.
Moreover, as a sealing mold used in a sealing process for manufacturing a semiconductor device, a sealing region of an upper mold for injecting a sealing resin is mounted on a lower mold for mounting a semiconductor device substrate. A larger one than the region may be used. Further, in this case, the sealing resin is excellent in the sealing region by forming a gate port through which the sealing resin is introduced into the sealing region in the sealing die in the vertical direction. Can be introduced.
本発明の半導体装置用基板によれば、配線パターン及び半導体素子搭載部を設けた複数の個片基板をマトリックス状に配置してなる回路基板領域部を形成した半導体装置用基板において、回路基板領域部を、半導体装置用基板の外周まで形成し、半導体素子搭載部を有しない外周フレーム部が回路基板領域部の外周に形成されていない構成とすることにより、半導体装置用基板内に対する個片基板として使用する有効領域が拡大し、個片基板の取れ率の向上、並びに個片基板のコスト低減が可能となる。 According to the substrate for a semiconductor device of the present invention, in the substrate for a semiconductor device in which a circuit board region portion formed by arranging a plurality of individual substrates provided with wiring patterns and semiconductor element mounting portions in a matrix is formed, The substrate is formed up to the outer periphery of the substrate for a semiconductor device, and the outer peripheral frame portion without the semiconductor element mounting portion is not formed on the outer periphery of the circuit substrate region portion. As a result, the effective area to be used can be expanded, the yield of the individual substrate can be improved, and the cost of the individual substrate can be reduced.
また、この半導体装置用基板を用いて、封止樹脂にて封止する際に、封止領域が半導体装置用基板の外周四辺よりも大きくなるように形成することにより、前記半導体装置用基板から半導体装置を高い取れ率で良好に製造することができ、半導体装置の製造工程での生産効率が向上し、半導体装置の生産コストの低減が可能となる。 In addition, when the semiconductor device substrate is used for sealing with a sealing resin, the sealing region is formed to be larger than the outer peripheral four sides of the semiconductor device substrate. The semiconductor device can be manufactured well with a high yield, the production efficiency in the manufacturing process of the semiconductor device is improved, and the production cost of the semiconductor device can be reduced.
また、封止樹脂にて封止する工程時に、半導体装置用基板と下金型との間、および上金型と下金型との間に、封止樹脂の漏れを防止するシール材を介装することにより、外周フレーム部を有しない半導体装置用基板を用いた場合でも、封止樹脂が封止領域外に漏れ出ることを良好に防止することができる。 In addition, a sealing material that prevents leakage of the sealing resin is interposed between the semiconductor device substrate and the lower mold and between the upper mold and the lower mold during the sealing process with the sealing resin. By mounting, it is possible to satisfactorily prevent the sealing resin from leaking out of the sealing region even when a semiconductor device substrate having no outer peripheral frame portion is used.
また、ゲート口が垂直方向に貫通して形成されている上金型を用いることで、外周フレーム部を有しない半導体装置用基板を用いた場合でも、封止樹脂を封止領域に良好に導入することができる。 In addition, by using an upper die that has a gate opening formed in the vertical direction, even when a semiconductor device substrate that does not have an outer peripheral frame portion is used, the sealing resin is satisfactorily introduced into the sealing region. can do.
以下、本発明の実施の形態に係る半導体装置用基板およびこの半導体装置用基板を用いた半導体装置の製造方法について、図面を参照しながら説明する。
図1、図2は、それぞれ本発明の実施の形態に係る半導体装置用基板の平面図である。
Hereinafter, a substrate for a semiconductor device according to an embodiment of the present invention and a method for manufacturing a semiconductor device using the substrate for a semiconductor device will be described with reference to the drawings.
1 and 2 are plan views of a substrate for a semiconductor device according to an embodiment of the present invention, respectively.
図1における1は半導体装置用基板で、配線パターン及び半導体素子搭載部を設けた複数の個片基板2をマトリックス状に配置した回路基板領域部3が形成されている。同図に示すように、この半導体装置用基板1においては、回路基板領域部3が、半導体装置用基板1の外周まで形成されている。すなわち、従来の半導体装置用基板50のように回路基板領域部52を外周から囲むとともに半導体素子搭載部を有しない外周フレーム部53(図5参照)が、この半導体装置用基板1には形成されていない。
In FIG. 1,
また、図2における1は半導体装置用基板の他の例を示すもので、この半導体装置用基板1においては、配線パターン及び半導体素子搭載部を設けた複数の個片基板2をマトリックス状に配置した複数の回路基板領域部3と、これらの複数の回路基板領域部3を連結する連結部4とが設けられている。この半導体装置用基板1においても、半導体装置用基板の外周四辺の外周フレーム部53(図5参照)を削減し(設けられておらず)、回路基板領域部3を半導体装置用基板1の外周まで形成している。なお、図2における5は、連結部4に設けられているスリット(貫通長孔)である。
Further,
本発明の半導体装置用基板1によれば、図5、図6に示した従来の半導体装置用基板50と比較すると、回路基板領域部3を半導体装置用基板1の外周まで形成しているので、図1、図2に示すように、半導体装置用基板1に対する個片基板2の領域が拡大し、個片基板2の取れ率が向上していることがわかる。
According to the
次に、上記半導体装置用基板1を用いた半導体装置の製造方法について図面を参照しながら説明する。
図3(a)は上記の半導体装置用基板1に半導体素子を搭載する工程を説明する断面図、図3(b)は半導体素子上の電極パッドと個片基板上の配線パターンとを電気的に接続する工程を説明する断面図、図3(c)は上記半導体装置用基板において、搭載した複数の半導体素子及び、半導体素子と個片基板との接続部を、一括して封止樹脂にて封止した工程を説明する断面図、図3(d)は上記半導体装置用基板において、封止樹脂にて封止した領域を個片に分割する工程を説明する断面図、図3(e)は個片基板2を分割して最終的に半導体装置を形成した工程を説明する断面図である。なお、図3(a)〜(e)は図2に示した半導体装置用基板1を用いて半導体装置を製造する方法を、半導体装置用基板1の長手方向(長辺方向)に沿った線で切断した状態を概略的に示している。
Next, a method for manufacturing a semiconductor device using the
FIG. 3A is a cross-sectional view for explaining a process of mounting a semiconductor element on the
図3(a)に示すように、まず、半導体装置用基板1の半導体素子搭載領域3に、導電性或いは非導電性のペーストやフィルム等を塗布或いは貼り付け、この上に半導体素子6を搭載する。なお、図3(a)における7は個片基板2に設けられた配線パターンである。
As shown in FIG. 3A, first, a conductive or non-conductive paste or film is applied or pasted on the semiconductor
次に、図3(b)に示すように、ワイヤボンディング工法等を用い、金やアルミニウム等の接続配線8を使用して、半導体素子6上の電極パッドと半導体装置用基板1の個片基板2上に形成された配線パターン7とを電気的に接続する。
Next, as shown in FIG. 3B, the electrode pads on the
次に、図3(c)に示すように、エポキシ樹脂などの封止樹脂9を用いて、半導体装置用基板1に搭載した半導体素子6及び、半導体素子6と個片基板2上の配線パターン7との接続部を封止する。
Next, as shown in FIG. 3C, the
この樹脂封止工程は、図4に示すような金型11、12(上金型11および下金型12)を用いて行い、これらの金型11、12によって形成される封止領域13の外周部分が半導体装置用基板1よりも大きい形状とされている。すなわち、封止樹脂9(図3(c)参照)を注入させる上金型11の封止領域13が、下金型12における半導体装置用基板1を搭載する領域よりも大きく形成されている。
This resin sealing step is performed using
そして、上金型11の封止領域13の外周端11aとなる箇所を、金型11、12から半導体装置用基板1に形成した封止樹脂9が抜け易くするために斜めに形成しているが、この封止領域13の外周端11aの斜めに形成した箇所が、平面視して、半導体装置用基板1(すなわち、回路基板領域部3)よりも、外側となる位置に形成されている。
And the part used as the
また、図4に示すように、樹脂封止の際には、半導体装置用基板1の下にテープ状のシートなどの弾性を有するシール材14が載置され、樹脂が注入された際に、外部に樹脂が漏れ出ることを防止している。また、封止樹脂を注入するためのゲート口15が、上金型11において垂直方向に貫通するように加工されて形成されている。
Also, as shown in FIG. 4, when resin sealing, a sealing
これらの金型11、12を用いて、シール材14を介して、下金型12上に半導体装置用基板1を搭載させた状態で、上金型11の下面が、シール材14に密着するように、上金型11を下金型12に向けて下降させ、この後、ゲート口15を通して封止樹脂9を封止領域13に注入して封止する。
Using these
これにより、封止領域13に封止樹脂9が形成される。この場合に、半導体装置用基板1には従来設けられていたような外周フレーム部53が形成されていないが、平面視して、半導体装置用基板1、すなわち、回路基板領域部3よりも外側となる位置に封止領域13の外周端11aとなる斜めに形成した箇所が設けられているので、金型11、12から半導体装置用基板1に形成した封止樹脂9は容易に抜けることとなる。また、半導体装置用基板1の下に載置したシール材14により、樹脂封止の際には、シール材14が上金型11と下金型12との接合面に密着するので、従来の半導体装置用基板50に設けられていたような外周フレーム部53を有していないにもかかわらず、封止樹脂9が封止領域13から外側に漏れ出ることを良好に防止することができる。また、従来の樹脂封止用の金型では外周フレーム部53に水平方向につながるようにゲート口が形成されていたが、上記実施の形態では、上金型11から封止領域13に上方から直接繋がるようにゲート口15が形成されているので、従来の半導体装置用基板50に設けられていたような外周フレーム部53を有していないにもかかわらず、封止領域13に封止樹脂9を良好に導入できる。
Thereby, the sealing
その後、封止樹脂9が硬化してから、固定用テープを用いたり、真空吸着方法を用いたりして、固定テーブル上に、樹脂封止した半導体装置用基板1を固定し、ブレード等の切断刃16を用いて、半導体装置用基板1の外周部の封止樹脂部分及び、個片基板2の境界部を個片カットする。これにより、個片に分割された半導体装置20を形成する。
Thereafter, after the sealing
なお、必要に応じて、半導体装置20を個片に分割する前に、半導体装置用基板1の封止面とは逆の面に、はんだボール等の外部接続端子を形成する。
上記の構成によれば、半導体装置用基板1として、その回路基板領域部3を半導体装置用基板1の外周まで形成し、半導体装置用基板1に外周フレーム部を形成していないので、半導体装置用基板1内に対する個片基板2として使用する有効領域が拡大し、個片基板の取れ率が向上する。また、これにより、個片基板2のコスト低減が可能となる。
If necessary, before the
According to the above configuration, the circuit
また、この半導体装置用基板1を用いて半導体装置を製造方法するに際して、半導体装置用基板1において、金型11、12を用いて、封止領域13が回路基板領域部3よりも大きくなるように形成することにより、金型11、12から封止樹脂9を容易に抜くことができて、支障無くかつ効率よく、個片に分割された半導体装置20を製造することができる。
Further, when a semiconductor device is manufactured using the
なお、封止領域13が回路基板領域部3よりも大きくなるように形成する箇所は、半導体装置用基板1の回路基板領域部3の外周四辺において、封止領域13が回路基板領域部3よりも大きくなるように形成することで、最も、封止樹脂9を容易に抜くことができる利点がある。しかし、これに限るものではなく、半導体装置用基板1の回路基板領域部3の少なくとも一辺において、封止領域13が回路基板領域3よりも大きくなるように形成すれば、封止領域13と回路基板領域部3とが平面視して同じものと比較すると、封止樹脂9を容易に抜くことができる効果がある。また、図3(a)〜(e)においては、図2に示すような半導体装置用基板1に連結部4を有する場合を簡略的に図示したが、これに限るものではなく、図1に示すように、連結部4を有しない半導体装置用基板1にも同様の構成を適用できることはもちろんである。また、図3(c)〜(e)においては、連結部4に対応する箇所には封止樹脂9が導入されていない場合を示したが、これに限るものではない。
Note that the sealing
本発明の半導体装置用基板および半導体装置の製造方法は、配線パターン及び半導体素子搭載部を設けた複数の個片基板をマトリックス状に配置してなる回路基板領域部を形成した半導体装置用基板、ならびにこの半導体装置用基板を用いた半導体装置の製造方法として有用である。 A substrate for a semiconductor device and a method for manufacturing the semiconductor device according to the present invention include a substrate for a semiconductor device in which a circuit board region is formed by arranging a plurality of individual substrates provided with wiring patterns and semiconductor element mounting portions in a matrix, In addition, it is useful as a method for manufacturing a semiconductor device using this substrate for a semiconductor device.
1 半導体装置用基板
2 個片基板
3 回路基板領域部
4 連結部
6 半導体素子
7 配線パターン
8 接続配線
9 封止樹脂
11 金型(上金型)
12 金型(下金型)
13 封止領域
14 シール材
15 ゲート口
16 切断刃
DESCRIPTION OF
12 Mold (lower mold)
13
Claims (8)
前記半導体装置用基板上に半導体素子を搭載し、
半導体素子上の電極パッドと個片基板上の配線パターンとを電気的に接続した後、
封止樹脂にて封止する際に、封止領域が半導体装置用基板の外周四辺よりも大きくなるように形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。 As a substrate for a semiconductor device in which a circuit board region portion is formed by arranging a plurality of individual substrates provided with wiring patterns and semiconductor element mounting portions in a matrix, the circuit board region portion extends to the outer periphery of the semiconductor device substrate. Adopt the formed one,
A semiconductor element is mounted on the semiconductor device substrate,
After electrically connecting the electrode pad on the semiconductor element and the wiring pattern on the individual substrate,
A method for manufacturing a semiconductor device, wherein the sealing region is formed so as to be larger than the outer peripheral four sides of the semiconductor device substrate when sealing with a sealing resin.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005223534A JP2007042761A (en) | 2005-08-02 | 2005-08-02 | Semiconductor device substrate, semiconductor device manufacturing method, and sealing mold |
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| Publication Number | Publication Date |
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| JP2007042761A true JP2007042761A (en) | 2007-02-15 |
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ID=37800487
Family Applications (1)
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| JP (1) | JP2007042761A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009283835A (en) * | 2008-05-26 | 2009-12-03 | Elpida Memory Inc | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
-
2005
- 2005-08-02 JP JP2005223534A patent/JP2007042761A/en not_active Withdrawn
Cited By (1)
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