JP2006038670A - Semiconductor device - Google Patents
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Abstract
Description
この発明は、複数の半導体集積回路が1つのパッケージに実装された半導体装置に関し、特に加速試験としてのバーンイン等の自己テスト機能が内蔵された半導体装置に関するものである。 The present invention relates to a semiconductor device in which a plurality of semiconductor integrated circuits are mounted in one package, and more particularly to a semiconductor device having a built-in self test function such as burn-in as an acceleration test.
半導体装置の分野においては、近年、複数の半導体集積回路(ダイチップ)が1つのパッケージ内に実装されて封止されたSIP(System In Package)が利用されている。このようなSIPにおいては、加速試験(試験時間を短縮する目的で、基準条件より厳しい条件で行う試験)として、例えば、特許文献1のように、バーンイン(Burn-in:電気的バイアスを与えた状態で、例えば100〜150℃程度の高温下で動作させる試験)が実行されることがある。そして、SIPにおいては、バーンインを実行するためのBIST(Built in Self-test:組込自己テスト)回路が内蔵されたものがある。
In the field of semiconductor devices, in recent years, SIP (System In Package) in which a plurality of semiconductor integrated circuits (die chips) are mounted and sealed in one package is used. In such SIP, as an accelerated test (a test performed under conditions stricter than the standard conditions for the purpose of shortening the test time), for example, as in
このような半導体装置において、バーンインを実行する際、不揮発性メモリに予め格納された所定のバーンインプログラムを読み出し、このバーンインプログラムを中央演算装置(以下CPU)が実行することにより、半導体装置の自己テストを実行する。 In such a semiconductor device, when performing a burn-in, a predetermined burn-in program stored in advance in a nonvolatile memory is read out, and this burn-in program is executed by a central processing unit (hereinafter referred to as “CPU”), whereby a self-test of the semiconductor device is performed. Execute.
ところで、種類の異なるいくつかの半導体装置が存在し、それぞれの半導体装置に、互いに異なる複数種類のCPUや、メモリサイズ及びデータ読み書きの方式等が互いに異なる不揮発性メモリがそれぞれ組み合わされて内蔵されることがある。 By the way, there are several different types of semiconductor devices, and each type of semiconductor device includes a plurality of different types of CPUs and a combination of non-volatile memories with different memory sizes and data read / write methods. Sometimes.
ここで、従来のバーンインプログラムは、半導体装置に内蔵されているCPUの命令セットや不揮発性メモリのメモリサイズ及びデータ読み書きの方式等に依存して設計せざるを得ないことから、各半導体装置の種類に応じてそれぞれ異なって設計されていた。そして、個々の半導体装置に対して非対応のバーンインプログラムを適用することが不可能であることから、CPUと不揮発性メモリとが選択的に組み合わされた個々の半導体装置について、バーンインプログラムが個々に一対一に対応するように用意する必要があった。 Here, the conventional burn-in program must be designed depending on the instruction set of the CPU built in the semiconductor device, the memory size of the nonvolatile memory, the data read / write method, and the like. It was designed differently depending on the type. Since it is impossible to apply a non-corresponding burn-in program to each semiconductor device, the burn-in program is individually applied to each semiconductor device in which the CPU and the nonvolatile memory are selectively combined. It was necessary to prepare for one-to-one correspondence.
したがって、CPUと不揮発性メモリを別チップとして製造するSIPにおいては、(1)CPU側にプログラムを搭載する場合、このCPUに組み合わされる不揮発性メモリのメモリサイズ及びデータ読み書きの方式等が不明である、(2)不揮発性メモリ側にプログラムを搭載する場合は、命令セットの違いによりCPUが制限される、といった2つの問題があって、半導体装置内の半導体集積回路(CPU及び不揮発性メモリ)の組み合わせの自由度に制限があり、自由な設計を阻害する要因となっていた。 Therefore, in the SIP in which the CPU and the non-volatile memory are manufactured as separate chips, (1) when a program is mounted on the CPU side, the memory size of the non-volatile memory combined with the CPU, the data read / write method, etc. are unknown. (2) When the program is installed on the nonvolatile memory side, there are two problems such as the CPU being limited by the difference in the instruction set, and there is a problem with the semiconductor integrated circuit (CPU and nonvolatile memory) in the semiconductor device. There was a limit to the degree of freedom of combination, and this was a factor that hindered free design.
そこで、本発明の課題は、半導体装置に搭載される半導体集積回路の組み合わせに自由度をもたせ、且つ、バーンイン時に不揮発性メモリの全メモリ領域にアクセス可能な自己テスト機能内蔵の半導体装置を提供することにある。 SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, an object of the present invention is to provide a semiconductor device with a built-in self-test function that allows a combination of semiconductor integrated circuits mounted on a semiconductor device to have a degree of freedom and can access all memory areas of a nonvolatile memory at the time of burn-in. There is.
上記課題を解決すべく、この発明は、複数の半導体集積回路が1つのパッケージ内に実装されて自己テストの機能を有する半導体装置であって、前記自己テストを実行する処理手段を有する一の半導体集積回路と、前記自己テストの対象となる回路を有する他の半導体集積回路と、識別子をもつ識別手段と、前記識別手段から前記識別子を読み出し、当該識別子に応じて前記処理手段での自己テストに必要な少なくとも前記処理手段または前記自己テストの対象となる前記回路に関する情報を前記処理手段に伝達する必要情報入力手段とを備えるものである。 In order to solve the above-described problems, the present invention provides a semiconductor device having a self-test function in which a plurality of semiconductor integrated circuits are mounted in one package, and includes a processing means for executing the self-test. An integrated circuit, another semiconductor integrated circuit having a circuit to be subjected to the self-test, an identification unit having an identifier, and the identifier is read from the identification unit, and the processing unit performs a self-test according to the identifier And at least necessary processing means or necessary information input means for transmitting information on the circuit to be subjected to the self-test to the processing means.
この半導体装置によると、識別手段から得られた識別子に基づいて、必要情報入力手段が、当該半導体装置に搭載されている処理手段の種類や自己テストの対象となる回路の情報(例えば、記憶回路の記憶サイズ)を認識し、これらの情報を処理手段に提供するので、処理手段と自己テストの対象となる回路の様々な組合せについて、自己テスト時に例えば記憶回路の全記憶領域にアクセスするなどの適正な処理を行いながら、支障無く自己テストを実行でき便利である。 According to this semiconductor device, on the basis of the identifier obtained from the identification means, the necessary information input means can select the type of processing means mounted on the semiconductor device and information on a circuit to be subjected to self-test (for example, a memory circuit). The memory size) and provide this information to the processing means, such as accessing the entire storage area of the memory circuit during the self-test for various combinations of the processing means and the circuit to be tested. It is convenient to perform self-tests without any problems while performing appropriate processing.
しかも、識別手段と必要情報入力手段を各半導体装置内に組み込むだけで、処理手段と自己テストの対象となる回路に関して様々な組合せの自己テストを行うことができ、この半導体装置として自由な設計を行うことができる。 In addition, by simply incorporating the identification means and necessary information input means in each semiconductor device, various combinations of self-tests can be performed on the processing means and the circuit to be self-tested. It can be carried out.
さらに、処理手段において使用するプログラムを1本化できる利点がある。 Furthermore, there is an advantage that the program used in the processing means can be unified.
{第1実施形態}
<構成>
図1は本発明の第1実施形態に係る半導体装置を示すブロック図である。この半導体装置は、図1の如く、複数の半導体集積回路(ダイチップ)が1つのパッケージ内に実装されて封止されたSIP(System In Package)であって、加速試験としてのバーンイン機能が内蔵されたものである。そして、この半導体装置は、従来備えられていたCPUチップ(処理手段)1と、不揮発性メモリであるメモリチップ(記憶回路)3と、識別子(ID情報)をもつ識別可能な識別手段としてのIDチップ5と、その識別子を読み出してバーンイン等の動作を定めるのに必要な情報をCPUチップ1に伝達する必要情報入力手段(以下「BISTチップ」と称す)7とを備える。
{First embodiment}
<Configuration>
FIG. 1 is a block diagram showing a semiconductor device according to the first embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1, this semiconductor device is a SIP (System In Package) in which a plurality of semiconductor integrated circuits (die chips) are mounted and sealed in one package, and has a built-in burn-in function as an acceleration test. It is a thing. This semiconductor device includes a conventional CPU chip (processing means) 1, a memory chip (storage circuit) 3 that is a nonvolatile memory, and an ID as an identifiable identification means having an identifier (ID information). A
CPUチップ1は、その種類によって特定の命令セットを保有して構成され、当該命令セットに応じたプログラムによって動作する機能要素であって、特に、半導体装置の出荷前の段階等において、後述のBISTチップ7からメモリチップ3のメモリサイズ及びデータ読み書きの方式等が与えられたときに、これらの情報に応じて、予め保有しているバーンインプログラムで定義されたバーンイン処理手順で、メモリチップ3についてBISTチップ7から入手したメモリサイズ及びデータ読み書きの方式等に応じて当該半導体装置のバーンインによる自己テストを実行する機能を有している。即ち、CPUチップ1には、バーンインプログラムとしては、CPUチップ1やメモリチップ3の組み合わせとして予め予想される全ての組合せに対応できるように設定されており、複数の種類のCPUチップ1の命令セットに対応可能であり且つ様々なメモリサイズ及びデータ読み書きの方式のメモリチップ3にも対応可能に構成されている。
The
メモリチップ3は、例えばフラッシュROM等の書き換え可能な不揮発性メモリであって、その種類に応じて定められたメモリサイズの記憶容量を有して、その種類に応じたデータ読み書きの方式に設定されて構成されている。
The
尚、従来においては、バーンインの対象となる不揮発性メモリ自身の内部にバーンインプログラムが予め格納されており、そのバーンインプログラムをCPUが読み出してバーンインによる自己テストを実行していたのに対して、この実施形態においては、バーンインプログラムがCPUチップ1内に予め格納されていることから、メモリチップ3内にはバーンインプログラムが格納されている必要がなくなる。
Conventionally, a burn-in program is stored in advance in the nonvolatile memory itself to be burned in, and the CPU reads the burn-in program and executes a self-test by burn-in. In the embodiment, since the burn-in program is stored in the
IDチップ5は、当該半導体装置内に組み込まれるCPUチップ1の種類やメモリチップ3のメモリサイズ及びデータ読み書きの方式等の組合せを識別可能に特定するための識別子(ID情報)が予め格納されている。このIDチップ5としては、例えばメモリチップ3とは別に設けられた不揮発性メモリ等が使用される。
The
BISTチップ7は、内部にロジック回路(図示省略)が内蔵された論理機能要素であって、様々なIDチップ5が保有する複数の識別子を読み出して、この識別子に基づいてメモリチップ3のメモリサイズ及びデータ読み書きの方式等を認識し、この認識されたメモリサイズ及びデータ読み書きの方式等の情報をCPUチップ1に出力する。
The
<動作>
上記構成の半導体装置の動作を図2に沿って説明する。半導体装置の出荷前の段階等においては、まず、図2中のステップS01において、この半導体装置のBISTチップ7が起動し、内部のロジック回路が動作すると、ステップS02で、BISTチップ7はIDチップ5内のデータの読み出しを行う。
<Operation>
The operation of the semiconductor device having the above configuration will be described with reference to FIG. In the stage before the shipment of the semiconductor device or the like, first, in step S01 in FIG. 2, when the
このとき、IDチップ5は、内部に予め格納された識別子(ID情報)をBISTチップ7に出力する(ステップS03)。
At this time, the
BISTチップ7は、ステップS04において、IDチップ5から読み出した識別子(ID情報)に基づいて、メモリチップ3のメモリサイズ(例えば、512KBや768KB等)及びデータ読み書きの方式等を認識する。そして、このメモリサイズ及びデータ読み書きの方式等の情報をCPUチップ1に出力する。
In step S04, the BIST
そうすると、CPUチップ1は、ステップS05において、予め保有していたバーンインプログラムで定義されているバーンイン処理手順で、メモリチップ3のメモリサイズ及びデータ読み書きの方式等に応じて、当該メモリチップ3にアクセスし、当該半導体装置のバーンインによる自己テストを実行する。
Then, in step S05, the
ところで、例えば図3の如く、種類の異なるいくつかの半導体装置101a〜101cが存在している場合に、それぞれの半導体装置101a〜101cは、互いに異なる複数種類のCPUチップ103a,103bや、メモリサイズ及びデータ読み書きの方式等の互いに異なるメモリチップ105a,105bがそれぞれ組み合わされたSIPとして構成される。図3の例においては、第1の半導体装置101aに第1のCPUチップ(CPU−A)103aと第1のメモリチップ(MEMORY−A)105aが搭載され、第2の半導体装置101bに第1のCPUチップ(CPU−A)103aと第2のメモリチップ(MEMORY−B)105bが搭載され、第3の半導体装置101cに第2のCPUチップ(CPU−B)103bと第2のメモリチップ(MEMORY−B)105bが搭載されている。
Incidentally, for example, as shown in FIG. 3, when there are several different types of
そして、従来のバーンインプログラム107a〜107cは、CPUチップ103a,103bの命令セット及びメモリチップ105a,105bのメモリサイズ及びデータ読み書きの方式等に依存して定義されていたため、CPUチップ103a,103bとメモリチップ105a,105bを別チップとして製造するSIPにおいては、半導体装置101a〜101cに内蔵されているCPUチップの種類やメモリチップ105a,105bのメモリサイズ及びデータ読み書きの方式等によりそれぞれ異なって設計されており、CPUチップ103a,103bとメモリチップ105a,105bとが選択的に組み合わされた個々の半導体装置101a〜101cの種類毎に、図3のように、異なるバーンインプログラム107a〜107cが一対一に対応して製作されていた。即ち、従来においては、第1のプログラム107aは第1の半導体装置101aに、第2のプログラム107bは第2の半導体装置101bに、第3のプログラム107cは第3の半導体装置101cにのみ、それぞれ対応しており、例えば第2の半導体装置101bに第1のプログラム107aを適用してバーンインを実行することが不可能であった。
Since the conventional burn-in
したがって、従来においては、CPUチップ103a,103b側にバーンインプログラムを搭載すると、これにメモリチップ105a,105bがアセンブリされる場合に、そのメモリチップ105a,105bのメモリサイズ及びデータ読み書きの方式等が不明であり、また、メモリチップ105a,105b側にバーンインプログラムを搭載すると、このメモリチップ105a,105bにCPUチップ103a,103bがアセンブリされる際に、どのような種類のCPUチップ103a,103bがアセンブリされるか不明であるため、そのCPUチップ103a,103bの命令セットが不明であることから、CPUチップ103a,103bの種類が制限されるという問題があった。
Therefore, conventionally, when a burn-in program is mounted on the
これに対して、この実施形態によると、IDチップ5から得られた識別子(ID情報)に基づいて、BISTチップ7が、当該半導体装置に搭載されているCPUチップ1の種類とメモリチップ3のメモリサイズ及びその読み書きの方式等を認識し、これらの情報をCPUチップ1に提供するので、CPUチップ1とメモリチップ3の様々な組合せについて、バーンイン時にメモリチップ3の全メモリ領域にアクセスしながら、支障無く自己テストを実行でき便利である。
On the other hand, according to this embodiment, based on the identifier (ID information) obtained from the
しかも、BISTチップ7を各半導体装置内に組み込むだけで、CPUチップ103a,103bの種類とメモリチップ105a,105bのメモリサイズ等に関して様々な組合せの自己テスト機能内蔵の半導体装置を実現することができ、この半導体装置として自由な設計を行うことができる。
In addition, by incorporating the
また、各SIPでテストプログラムを1本化できる利点がある。 Further, there is an advantage that a single test program can be provided for each SIP.
さらに、BISTチップ7をロジック専用プロセスで設計できるため便利である。
Furthermore, it is convenient because the
尚、この実施形態では、バーンイン時の動作について説明したが、同様の手法によって、バーンイン以外のどのような自己テストによるメモリテストも可能となることは勿論である。 In this embodiment, the operation at the time of burn-in has been described. Of course, a memory test by any self-test other than the burn-in can be performed by the same method.
{第2実施形態}
図4は本発明の第2実施形態に係る半導体装置を示すブロック図である。なお、図4では第1実施形態と同様の機能を有する要素については同一符号を付している。
{Second Embodiment}
FIG. 4 is a block diagram showing a semiconductor device according to the second embodiment of the present invention. In FIG. 4, elements having the same functions as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals.
第1実施形態においては、図1のように、BISTチップ7がCPUチップ1やメモリチップ3とは別のダイチップとして搭載されていたのに対して、この実施の形態の半導体装置は、図4の如く、BISTチップ7とCPUチップ1とが、1つの集積回路として構成されている。
In the first embodiment, as shown in FIG. 1, the
その他の構成については第1実施形態と同様である。特に、IDチップ5内に格納された識別子(ID情報)に基づいて、CPUチップ1にワンチップ化されたBISTチップ7が、当該半導体装置に搭載されているCPUチップ1の種類とメモリチップ3のメモリサイズ及びその読み書きの方式等を認識し、これらに応じてバーンインプログラムをCPUチップ1で処理する点で、第1実施形態と同様である。
Other configurations are the same as those in the first embodiment. In particular, based on an identifier (ID information) stored in the
ここで、BISTチップ7とCPUチップ1とを1つの集積回路として構成する場合において、仮にメモリチップ3のメモリサイズやデータ読み書きの方式等がCPUチップ1で判別できなければ、バーンイン時等の自己テストにおいて、メモリチップ3の全メモリ領域にアクセスしながら、支障無く自己テストを実行することが困難である。
Here, in the case where the
しかしながら、この実施形態では、BISTチップ7が、IDチップ5内に格納された識別子(ID情報)に基づいて、CPUチップ1にワンチップ化されたBISTチップ7が、当該半導体装置に搭載されているCPUチップ1の種類とメモリチップ3のメモリサイズ及びその読み書きの方式等を認識し、これらに適したバーンインプログラムをCPUチップ1で処理するので、メモリチップ3のメモリサイズやデータ読み書きの方式等をCPUチップ1によって容易に判別できる。したがって、バーンイン時等の自己テストにおいて、メモリチップ3の全メモリ領域にアクセスしながら、支障無く自己テストを実行することができる。
However, in this embodiment, the
また、BISTチップ7がCPUチップ1と一体化されているため、ダイチップを半導体装置に組み込む際等において、取り扱いに便利である。
Further, since the
{第3実施形態}
図5は本発明の第3実施形態に係る半導体装置を示すブロック図である。なお、図5では第1実施形態と同様の機能を有する要素については同一符号を付している。
{Third embodiment}
FIG. 5 is a block diagram showing a semiconductor device according to the third embodiment of the present invention. In FIG. 5, elements having the same functions as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals.
第1実施形態においては、図1のように、IDチップ5がメモリチップ3とは別のダイチップとして搭載されていたのに対して、この実施の形態の半導体装置は、図5の如く、IDチップ5とメモリチップ3とが、1つの集積回路として構成されている。
In the first embodiment, the
かかる構成によっても、第1実施形態と同様の利点がある。 This configuration also has the same advantages as in the first embodiment.
尚、図5においては、BISTチップ7がCPUチップ1と別のダイチップとして構成されていたが、第2実施形態と同様に、BISTチップ7とCPUチップ1とが1つの集積回路(ダイチップ)として構成されていてもよい。
In FIG. 5, the
{第4実施形態}
図6は本発明の第4実施形態に係る半導体装置を示す図である。
{Fourth embodiment}
FIG. 6 is a view showing a semiconductor device according to the fourth embodiment of the present invention.
この実施の形態の半導体装置は、図6の如く、1個のCPUチップ1と、複数のメモリチップ3a,3bと、CPUチップ1に接続された1個のBISTチップ7と、その他の周辺回路が内蔵された周辺チップ9と、各メモリチップ3a,3b及び周辺チップ9のそれぞれに1対1で対応付けられたIDチップ5a〜5cとを備え、これらが1つのパッケージ内に実装されている。
As shown in FIG. 6, the semiconductor device according to this embodiment includes one
一のIDチップ5aには一方のメモリチップ3aに対応する識別子(ID情報)が格納され、他のIDチップ5bには他方のメモリチップ3bに対応する識別子(ID情報)が格納され、さらに他のIDチップ5cには周辺チップ9に対応する識別子(ID情報)が格納されている。そして、IDチップ5aとメモリチップ3aとは1つの集積回路13aとして構成され、IDチップ5bとメモリチップ3bも1つの集積回路13bとして構成され、IDチップ5cと周辺チップ9も1つの集積回路13cとして構成されている。
One
そして、CPUチップ1及び各集積回路13a〜13cはバス11によって互いに接続されており、このバス11を通じて各部位1,13a〜13cが相互にバス通信可能に構成されている。
The
かかる構成において、BISTチップ7は、まず集積回路13aのIDチップ5aから識別子を受け取り、この識別子がCPUチップ1に与えられて、CPUチップ1によりメモリチップ3aのメモリサイズが認識される。次に、BISTチップ7は、集積回路13bのIDチップ5bから識別子を受け取り、この識別子がCPUチップ1に与えられて、CPUチップ1によりメモリチップ3bのメモリサイズが認識される。さらに、BISTチップ7は、集積回路13cのIDチップ5cから識別子を受け取り、この識別子がCPUチップ1に与えられて、CPUチップ1により周辺チップ9の種類が認識される。
In such a configuration, the
そして、CPUチップ1は、BISTチップ7からの情報に基づいて認識したメモリチップ3a,3bのメモリサイズや周辺チップ9の種類等に応じて、バーンインプログラムを処理してバーンインを実行する。
Then, the
このようにすることで、複数のメモリチップ3a,3bや、その他の周辺チップ9を、同一のバーンインプログラムによりCPUチップ1が動作することでまとめて自己テストすることができ、個々の集積回路13a〜13cを別々に自己テストする場合に比べて効率の良い自己テストを行うことができる。しかも、各集積回路13a〜13c内のメモリチップ3a,3bのメモリサイズ等や周辺チップ9の種類等の様々な組合せに対して、各IDチップ5a〜5cからの情報に基づいて対応することが可能である。しかも、搭載されるメモリチップ3a,3bや周辺チップ9のそれぞれにIDチップ5a〜5cを設けるだけでよいので、同時にテストできるメモリチップ3a,3b及び周辺チップ9の数(同測数)を増やすことが可能である。したがって、様々な組合せの自己テスト機能内蔵の半導体装置を実現することができ、この半導体装置として自由な設計を行うことができる。
In this way, the plurality of
1 CPUチップ、3 メモリチップ、5、5a〜5c IDチップ、7 BISTチップ、9 周辺チップ、11 バス、13a〜13c 集積回路。
1 CPU chip, 3 memory chip, 5, 5a to 5c ID chip, 7 BIST chip, 9 peripheral chip, 11 bus, 13a to 13c integrated circuit.
Claims (6)
前記自己テストを実行する処理手段を有する一の半導体集積回路と、
前記自己テストの対象となる回路を有する他の半導体集積回路と、
識別子をもつ識別手段と、
前記識別手段から前記識別子を読み出し、当該識別子に応じて前記処理手段での自己テストに必要な少なくとも前記処理手段または前記自己テストの対象となる前記回路に関する情報を前記処理手段に伝達する必要情報入力手段と
を備える半導体装置。 A semiconductor device having a self-test function in which a plurality of semiconductor integrated circuits are mounted in one package,
A semiconductor integrated circuit having processing means for performing the self-test;
Another semiconductor integrated circuit having a circuit to be subjected to the self-test;
An identification means having an identifier;
The necessary information input for reading the identifier from the identification means and transmitting at least information relating to the processing means or the circuit to be subjected to the self test to the processing means necessary for the self test in the processing means in accordance with the identifier And a semiconductor device.
前記自己テストの対象となる前記回路が、記憶回路であることを特徴とする半導体装置。 The semiconductor device according to claim 1,
A semiconductor device, wherein the circuit to be subjected to the self-test is a memory circuit.
前記必要情報入力手段から前記処理手段に伝達される情報が、前記処理手段の種類または前記記憶回路の記憶サイズを含むことを特徴とする半導体装置。 The semiconductor device according to claim 2,
The information transmitted from the necessary information input means to the processing means includes the type of the processing means or the storage size of the storage circuit.
前記必要情報入力手段と前記処理手段とが、1つの集積回路として構成されたことを特徴とする半導体装置。 The semiconductor device according to claim 1 or 3, wherein
A semiconductor device characterized in that the necessary information input means and the processing means are configured as one integrated circuit.
前記識別手段と前記自己テストの対象となる前記回路とが、1つの集積回路として構成されたことを特徴とする半導体装置。 The semiconductor device according to claim 1, wherein:
A semiconductor device characterized in that the identification means and the circuit to be subjected to the self-test are configured as one integrated circuit.
前記他の半導体集積回路が複数搭載され、
それぞれの前記他の半導体集積回路に対して、複数の前記識別手段がそれぞれ対応づけられて搭載されたことを特徴とする半導体装置。
A semiconductor device according to any one of claims 1 to 5,
A plurality of the other semiconductor integrated circuits are mounted,
A semiconductor device characterized in that a plurality of the identification means are mounted in association with each of the other semiconductor integrated circuits.
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011232358A (en) * | 2011-08-10 | 2011-11-17 | Taiyo Yuden Co Ltd | System in package |
| JP2012018173A (en) * | 2011-08-10 | 2012-01-26 | Taiyo Yuden Co Ltd | System-in package and socket |
| JP4980232B2 (en) * | 2005-11-02 | 2012-07-18 | 太陽誘電株式会社 | System in package |
| CN101241752B (en) * | 2007-02-06 | 2014-04-23 | 三星电子株式会社 | Memory card and memory system having the same |
-
2004
- 2004-07-28 JP JP2004219858A patent/JP2006038670A/en active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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