JP2006032776A - Thick film circuit board - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、出力電力の温度特性のばらつきを低減できる抵抗体材料を有する厚膜回路基板であって、特に、高電圧を抵抗体によって分圧して出力電圧とし、その出力電圧に基づいてアクチュエータを駆動するような電子制御装置における厚膜回路基板に関するものである。 The present invention is a thick film circuit board having a resistor material that can reduce variation in temperature characteristics of output power, and in particular, a high voltage is divided by a resistor to obtain an output voltage, and an actuator is formed based on the output voltage. The present invention relates to a thick film circuit board in an electronic control device to be driven.
ディスチャージヘッドランプ用の電子制御装置や直噴インジェクターを制御する電子制御装置では、１００Ｖ−５００Ｖの高電圧を発生させ、アクチュエータを駆動している。このような高電圧を制御するために、アクチュエータに印加される高電圧を抵抗体で分圧し、その分圧された電圧をフィードバック制御することで、アクチュエータに印加される電圧が一定電圧となるように制御している。 In an electronic control device for a discharge headlamp and an electronic control device that controls a direct injection injector, a high voltage of 100 V to 500 V is generated to drive an actuator. In order to control such a high voltage, the high voltage applied to the actuator is divided by a resistor, and the divided voltage is feedback-controlled so that the voltage applied to the actuator becomes a constant voltage. Is controlling.
例えば、図７は、ディスチャージヘッドランプの電子制御装置の一部を示したものである。この図に示されるように、ランプ１０１に交流電圧を印加するための４つのスイッチ素子１０２で構成されたＨブリッジ回路１０３に対して高電圧が印加されることになる。この高電圧を抵抗Ｒ１、Ｒ２によって分圧することでランプに印加される電圧（ランプ電圧）を制御ＩＣ１０４に入力すると共に、抵抗Ｒ３に印加される電圧を電子ＩＣ１０４に入力することでランプ１０１に流れる電流（ランプ電流）を検出し、ランプ１０１に供給される電力（ランプ電力）を一定とするフィードバック制御がなされる。
For example, FIG. 7 shows a part of an electronic control device for a discharge headlamp. As shown in this figure, a high voltage is applied to the
この図７で示されるディスチャージヘッドランプの電子制御装置では、抵抗体Ｒ１には２９７ｋ、抵抗体Ｒ２には３ｋが用いられ、５００Ｖのランプ電圧を１／１００（＝Ｒ２／（Ｒ１＋Ｒ２））の５Ｖとして、制御ＩＣにフィードバックし制御する。 In the discharge headlamp electronic control device shown in FIG. 7, 297k is used for the resistor R1 and 3k is used for the resistor R2, and the lamp voltage of 500V is reduced to 1/100 (= R2 / (R1 + R2)) of 5V. As feedback to the control IC.
このとき用いられる抵抗体Ｒ１、Ｒ２は、例えばアルミナ基板上に抵抗体材料を印刷・焼成して形成されるが、所望の抵抗値に応じて、抵抗体形状が小さくなるように、抵抗体材料を個々に選定し形成する（例えば、特許文献１参照）。 The resistors R1 and R2 used at this time are formed by, for example, printing and baking a resistor material on an alumina substrate, and the resistor material is formed so that the resistor shape becomes small according to a desired resistance value. Are individually selected and formed (see, for example, Patent Document 1).
例えば、抵抗体Ｒ１には２００ｋΩ／□、Ｒ２には２ｋΩ／□が用いられる。これら抵抗体Ｒ１、Ｒ２の抵抗体材料は、抵抗材料メーカが市販で準備する１ＭΩ／□、１００ｋΩ／□、１０ｋΩ／□、１ｋΩ／□、１００Ω／□、１０Ω／□の中から、使用する材料の前後の市販材料をブレンドして作成される。 For example, 200 kΩ / □ is used for the resistor R1, and 2 kΩ / □ is used for R2. The resistor materials of these resistors R1 and R2 are materials to be used from 1 MΩ / □, 100 kΩ / □, 10 kΩ / □, 1 kΩ / □, 100Ω / □, and 10Ω / □ prepared by a resistor material manufacturer. It is made by blending commercial materials before and after.
例えば、２００ｋΩ／□の抵抗体Ｒ１を用意する場合、１ＭΩ／□と１００ｋΩ／□の市販材料をブレンドして２００ｋΩ／□とする。２ｋΩ／□の抵抗体Ｒ２を用意する場合、１０ｋΩ／□と１ｋΩ／□の市販材料をブレンドして２ｋΩ／□とする。
しかしながら、このような構成においては、抵抗体の温度特性は、個々のシート抵抗材料によって異なり、また、ＬＯＴによって変化するため、出力電圧の温度特性が非常に悪くなる。 However, in such a configuration, the temperature characteristic of the resistor varies depending on the individual sheet resistance material, and changes depending on the LOT, so that the temperature characteristic of the output voltage becomes very poor.
本発明は上記点に鑑みて、出力電力の温度特性のばらつきを低減できる抵抗体材料を有する厚膜抵抗基板を提供することを目的とする。 In view of the above points, an object of the present invention is to provide a thick film resistor substrate having a resistor material that can reduce variations in temperature characteristics of output power.
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、基板（２）の上に複数の抵抗体材料（３、４）を形成することによって複数の抵抗（Ｒ１、Ｒ２）を構成し、該複数の抵抗（Ｒ１、Ｒ２）によって所定部位の電位を分圧して検出する厚膜回路基板において、複数の抵抗体材料（３、４）は、複数の材料を混合することによって形成されており、複数の抵抗体材料（３、４）を形成するために用いられている複数の材料すべてが共通したものとされ、複数の材料の混合比率が変えられることで複数の抵抗体材料（３、４）が形成されていることを特徴としている。
In order to achieve the above object, in the invention described in
このように、複数の抵抗体材料（３、４）を形成するために用いる材料を共通のものにすることにより、ＬＯＴ変動を小さくすることができ、複数の抵抗体材料（３、４）の温度特性のバラツキを小さく安定させることが可能となる。 Thus, by using the same material for forming the plurality of resistor materials (3, 4), the LOT fluctuation can be reduced, and the plurality of resistor materials (3, 4) can be reduced. Variations in temperature characteristics can be made small and stable.
例えば、請求項２に示されるように、複数の抵抗（Ｒ１、Ｒ２）において、その抵抗比が１０を超えるものに対して、請求項１に示す発明を適用すると特に有効である。
For example, as shown in
請求項３に記載の発明では、複数の抵抗体材料（３、４）それぞれの両端には、複数の抵抗体材料（３、４）それぞれに電気的に接続された導体層（５ａ〜５ｃ）が形成されており、複数の抵抗体材料（３、４）それぞれの両端に形成された導体層（５ａ〜５ｃ）間の距離を複数の抵抗体材料（３、４）それぞれのＬ寸法と定義すると、複数の抵抗体材料（３、４）のＬ寸法は１．５ｍｍ以上となっていることを特徴としている。
In the invention according to
このように、複数の抵抗体材料（３、４）のＬ寸法を１．５ｍｍ以上という長い値としている。このため、複数の抵抗体材料（３、４）の温度特性を決定する要因、具体的には複数の抵抗体材料（３、４）のうち導体層（５ａ〜５ｃ）と接続されるターミナル部分の特性の影響を小さくすることが可能となる。 これにより、各複数の抵抗体材料（３、４）のバラツキを小さくすることが可能となる。 Thus, the L dimension of the plurality of resistor materials (3, 4) is set to a long value of 1.5 mm or more. For this reason, the factor which determines the temperature characteristic of several resistor material (3, 4), specifically, the terminal part connected with conductor layers (5a-5c) among several resistor materials (3, 4) It is possible to reduce the influence of the characteristics. Thereby, it becomes possible to reduce the variation of each of the plurality of resistor materials (3, 4).
例えば、このような複数の抵抗体材料（３、４）と導体層（５ａ〜５ｃ）としては、請求項４に示されるように、それぞれ、ＲｕＯ2系の材料とＣｕを主成分とする材料を用いることができる。
For example, such a plurality of resistor materials (3, 4) and conductor layers (5a to 5c) are, as shown in
この場合、請求項５に示されるように、複数の抵抗体材料（３、４）と該複数の抵抗体材料（３、４）それぞれの両端に形成された導体層（５ａ〜５ｃ）との接触部位において、複数の抵抗体材料（３、４）への導体層（５ａ〜５ｃ）内のＣｕの拡散量が抵抗体のＲｕに対して１．３以下となるようにするのが好ましい。
In this case, as shown in
このように、複数の抵抗体材料（３、４）へのＣｕの拡散量が少なくなるようにすれば、より複数の抵抗体材料（３、４）の温度特性が良好にすることができる。 Thus, if the amount of diffusion of Cu into the plurality of resistor materials (3, 4) is reduced, the temperature characteristics of the plurality of resistor materials (3, 4) can be further improved.
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。 In addition, the code | symbol in the bracket | parenthesis of each said means shows the correspondence with the specific means as described in embodiment mentioned later.
（第１実施形態）
本発明の一実施形態を適用した厚膜回路基板の断面図を図１（ａ）に示すと共に、厚膜回路基板に形成される抵抗体材料のレイアウトを図１（ｂ）に示す。
(First embodiment)
A cross-sectional view of a thick film circuit board to which an embodiment of the present invention is applied is shown in FIG. 1A, and a layout of a resistor material formed on the thick film circuit board is shown in FIG.
厚膜回路基板１は、上記したディスチャージヘッドランプの電子制御装置に備えられるもので、図７に示される抵抗Ｒ１、Ｒ２が形成されるものである。
The thick
図１（ａ）に示されるように、厚膜回路基板１は、アルミナ基板２の上に形成された抵抗Ｒ１を構成する抵抗体材料３と抵抗Ｒ２を構成する抵抗体材料４と、これら抵抗体材料３、４の両端に電気的に接続された導体層５ａ〜５ｃと、これら抵抗体材料３、４および導体層５ａ〜５ｃの表面に形成された保護ガラス６とを有した構成となっている。
As shown in FIG. 1A, a thick
抵抗体材料３および抵抗体材料４は、導体層５ａ〜５ｃを介して直列接続されており、これら抵抗体材料３、４の間の電位がフィードバックされるようになっている。
The
抵抗体材料３および抵抗体材料４は、それぞれ、例えば、２０ｋΩ／□と２００ｋΩ／□のシート抵抗材料として構成されたもので、１ｋΩ／□の材料（Dupont製２１３０）と１ＭΩ／□の材料（Dupont製２１６０）という２種類の材料を混ぜ合わされて形成されている。
The
そして、抵抗体材料３は、例えば、酸化ルテニウム（ＲｕＯ2）系の材料で構成され、図１（ｂ）に示されるように、その長さ、つまり、それぞれの両端の各導体層５ａ〜５ｃ間の距離をＬ寸法、その幅をＷ寸法とすると、Ｌ寸法が１．５ｍｍ以上、Ｗ寸法が１．４ｍｍとされている。また、抵抗体材料４に関しても、抵抗体材料３と同様に、Ｌ寸法が１．５ｍｍ以上、Ｗ寸法が１．４ｍｍとされている。
The
続いて、本実施形態で示す厚膜回路基板の製造方法について、図２に示す厚膜回路基板の製造工程図を参照して説明する。 Next, a manufacturing method of the thick film circuit board shown in the present embodiment will be described with reference to a manufacturing process diagram of the thick film circuit board shown in FIG.
まず、図２（ａ）に示される工程では、１ｋΩ／□の材料（Dupont製２１３０）と１ＭΩ／□の材料（Dupont製２１６０）という２種類の材料を混ぜ合わせることによって、シート抵抗材料となる２０ｋΩ／□の材料を作製する。そして、所望のパターンのスクリーンマスクを用いてその２０ｋΩ／□の材料を印刷する工程とそれを乾燥させる工程（例えば１２０℃で５分間乾燥）とを繰り返す。 First, in the process shown in FIG. 2A, a sheet resistance material is obtained by mixing two types of materials, a 1 kΩ / □ material (Dupont 2130) and a 1 MΩ / □ material (Dupont 2160). A material of 20 kΩ / □ is prepared. Then, a step of printing the 20 kΩ / □ material using a screen mask having a desired pattern and a step of drying the material (for example, drying at 120 ° C. for 5 minutes) are repeated.
続いて、図２（ｂ）に示される工程では、抵抗体材料３と同様に、１ｋΩ／□の材料（Dupont製２１３０）と１ＭΩ／□の材料（Dupont製２１６０）という２種類の材料を混ぜ合わせることによって、シート抵抗材料となる２００ｋΩ／□の材料を作製する。このとき、抵抗体材料３の場合に対して、１ｋΩ／□の材料（Dupont製２１３０）と１ＭΩ／□の材料（Dupont製２１６０）の混合比率を変えている。
Subsequently, in the process shown in FIG. 2B, similarly to the
そして、所望のパターンのスクリーンマスクを用いてその２００ｋΩ／□の材料を印刷する工程とそれを乾燥させる工程（例えば１２０℃で５分間乾燥）とを繰り返す。その後、８５０℃のＡｉｒ雰囲気において焼成することで、アルミナ基板２の表面上に抵抗Ｒ１を構成する抵抗体材料３と抵抗Ｒ２を構成する抵抗体材料４とが形成される。
Then, a step of printing the 200 kΩ / □ material using a screen mask having a desired pattern and a step of drying the material (for example, drying at 120 ° C. for 5 minutes) are repeated. Thereafter, by firing in an Air atmosphere at 850 ° C., the
続いて、図２（ｃ）に示される工程では、所望のパターンのスクリーンマスクを用いて銅を主成分とする材料を印刷する工程とそれを乾燥させる工程とを繰り返したのち、６５０℃の窒素雰囲気において焼成することで、アルミナ基板２の表面上に抵抗Ｒ１を構成する抵抗体材料３を形成する。
Subsequently, in the step shown in FIG. 2 (c), after repeating the step of printing a material mainly composed of copper using a screen mask having a desired pattern and the step of drying it, the nitrogen at 650 ° C. By firing in the atmosphere, the
次に、図２（ｄ）に示される工程では、ガラス材料を所望のパターンのスクリーンマスクを用いて印刷する工程およびそれを乾燥させる工程とを繰り返した後、６１０℃の窒素雰囲気において焼成することで保護ガラス６を形成する。
Next, in the step shown in FIG. 2D, after repeating the step of printing the glass material using a screen mask having a desired pattern and the step of drying the glass material, the glass material is fired in a nitrogen atmosphere at 610 ° C. Then, the
その後、図２（ｅ）に示される工程では、保護ガラス６の表面から各抵抗体材料３、４をレーザトリミングすることによって抵抗値調整を行う。これにより、抵抗Ｒ１の抵抗値と抵抗Ｒ２の抵抗値が所定値に設定される。
Thereafter, in the step shown in FIG. 2 (e), the resistance value is adjusted by laser trimming the
このように、本実施形態によれば、２種類の材料を用い、２種類の材料の混合比率を変えることによって、各抵抗体材料３、４を形成するようにしている。このように、２種類の材料のみによって抵抗体材料３、４を形成した場合と、従来のように、抵抗体材料３、４をそれぞれ別々の２種類ずつ、具体的には、抵抗体材料３を１００ｋΩ／□の材料（Dupont製２１５０）と１ＭΩ／□の材料（Dupont製２１６０）とによって形成し、抵抗体材料４を１ｋΩ／□の材料（Dupont製２１３０）と１０ｋΩ／□の材料（Dupont製２１４０）とによって形成した場合の温度特性のＬＯＴ変動について調べた。この結果を図３の図表に示す。
Thus, according to the present embodiment, each of the
この図に示されるように、従来品に関しては、温度特性が各ＬＯＴごとに大きくばらついており、その標準偏差は５０となっている。これに対し、本実施形態に関しては、温度特性が各ＬＯＴごとに大きくばらついておらず、その標準偏差は３となっている。 As shown in this figure, with respect to the conventional product, the temperature characteristics vary widely for each LOT, and the standard deviation is 50. On the other hand, in the present embodiment, the temperature characteristics do not vary greatly for each LOT, and the standard deviation is 3.
このような違いは、各抵抗体材料３、４を共通する材料のみによって形成するか、それとも共通しない材料によって形成するかに依るものと考えられる。すなわち、抵抗体材料３、４を構成するための各種材料は、その材料そのものにもバラツキがあり、これら抵抗体材料３、４を形成するために用いる材料数を増やせば増やすほどそのバラツキが大きくなる。そして、抵抗体材料３を形成するために用いる材料と抵抗体材料４を形成するために用いる材料とをそれぞれ別々の材料としていることから、抵抗体材料３を形成するために用いる材料のバラツキと抵抗体材料４を形成するために用いる材料のバラツキとが、異なったものとなる。
Such a difference is considered to depend on whether the
このため、本実施形態では、抵抗体材料３、４を形成するために用いる材料数を共通する２種類とすることで、材料ごとのバラツキの影響が２種類の材料のバラツキのみに依存するものとしている。すなわち、抵抗体材料３を形成するために用いる材料のバラツキと抵抗体材料４を形成するために用いる材料のバラツキとが同じものとなるようにしている。
For this reason, in this embodiment, the influence of the variation for each material depends only on the variation of the two types of materials by using two types of common materials for forming the
このように、各抵抗体材料３、４を形成するために用いる材料数を２種類のみに限定すると共に、各抵抗体材料３、４を形成するために用いる材料を共通のものにすることにより、ＬＯＴ変動を小さくすることができ、各抵抗体材料３、４の温度特性のバラツキを小さく安定させることが可能となる。
In this way, by limiting the number of materials used to form each
また、抵抗体材料３、４の抵抗値は、抵抗体材料３、４と導体層５ａ〜５ｃが重なる部分において導体層５ａ〜５ｃに含まれる成分が抵抗体材料３、４中に拡散するためにばらつく。抵抗体材料３、４の温度特性は、抵抗体材料３、４自体の特性と導体層５ａ〜５ｃからの影響を受けるターミナル部分の特性とによって決まる。
The resistance values of the
図４は、１ｋΩ／□の材料（Dupont製２１３０）と１ＭΩ／□の材料（Dupont製２１６０）という２種類の材料を混ぜ合わせることによって、シート抵抗材料となる２０ｋΩ／□の材料を作製し、抵抗体材料３、４におけるＬ寸法と温度特性との関係を調べた結果を示した図である。
FIG. 4 shows that a material of 20 kΩ / □, which becomes a sheet resistance material, is prepared by mixing two kinds of materials of 1 kΩ / □ material (Dupont 2130) and 1 MΩ / □ material (Dupont 2160). It is the figure which showed the result of having investigated the relationship between the L dimension and the temperature characteristic in the
この図に示されるように、抵抗体材料３、４の温度特性のバラツキは、抵抗体材料３、４のＬ寸法が大きいほど小さくなり、Ｌ寸法が１．５ｍｍ以上になると温度特性が安定することが確認された。このため、抵抗体材料３、４のＬ寸法を１．５ｍｍ以上に設定するのが望ましい。
As shown in this figure, the variation in the temperature characteristics of the
さらに、実験により、導体層５ａ〜５ｃを構成する銅の抵抗体材料３、４への拡散が大きいほど、抵抗体材料３、４の温度特性が悪くなることが確認された。例えば、抵抗体材料３、４を構成するＲｕＯ2またはＰｂaＲｕbＯcによって構成されたものである場合、これらと導体層５ａ〜５ｃを構成するＣｕまたはその化合物とが反応し、導体層５ａ〜５ｃとのコンタクト部が変化して抵抗体材料３、４の温度特性が劣化するのである。
Furthermore, it has been confirmed through experiments that the temperature characteristics of the
（化１）
ＰｂaＲｕbＯc ＋ ＣｕdＭe → ＣｕxＲｕyＯz ＋ ＰｂfＭg
図５は、抵抗体材料３、４の構造を示す模式図である。この図に示されるように、抵抗体材料３、４は、基本的には、ガラス成分中にＲｕＯ2からなる層とＲｕＯ2とガラスとの反応層とが連結された構造となる。しかしながら、導体層５ａ〜５ｃを構成する銅が抵抗体材料３、４へ拡散すると、銅（Ｃｕ）とルテニウム（Ｒｕ）の化合物が形成されるためにこの構造が変化し、抵抗体材料３、４の温度特性を劣化させるのである。
(Chemical formula 1)
Pb a Ru b O c + Cu d M e → Cu x Ru y O z + Pb f M g
FIG. 5 is a schematic diagram showing the structure of the
実験により、導体層５ａ〜５ｃを構成する銅が抵抗体材料３、４へ拡散したときの様子を元素分析によって調べたところ、導体層近傍の抵抗体の構成が、抵抗体材料であるＲｕに対して、Ｃｕが３．５の場合、抵抗体材料３、４の温度特性の劣化が大きかった。また、Ｒｕに対してＣｕが１．３、更に０．６と小さくなるにつれて、抵抗体材料３、４の温度特性が良好になる。このことから、Ｒｕに対してＣｕが１．３以下となるようにするのが好ましいといえる。
When the state in which copper constituting the conductor layers 5a to 5c diffuses to the
図６は、上記のように、抵抗体材料３、４への銅またはその酸化物の拡散に応じた、温度特性のＬＯＴ変動を調べた結果を示したものである。
FIG. 6 shows the result of examining the LOT variation of the temperature characteristic according to the diffusion of copper or its oxide into the
この図に示されるように、抵抗体材料３、４への銅またはその酸化物の拡散がＲｕの比に対して３．５のものの場合、ＬＯＴごとに大きくばらついており、その標準偏差は７８となっている。これに対し、抵抗体材料３、４への銅またはその酸化物の拡散がＲｕ比１．３、０．６のものの場合、ＬＯＴごとに大きくばらついておらず、その標準偏差は７、３となっている。
As shown in this figure, when the diffusion of copper or its oxide into the
このように、抵抗体材料３、４への銅またはその酸化物の拡散が少なくなるほど、抵抗体材料３、４の温度特性を良好なものとすることが可能となる。実験によれば、抵抗体材料３、４への銅またはその酸化物の拡散がＲｕ比１．３以下とすれば、抵抗体材料３、４の温度特性が良好になることが確認されており、Ｒｕ比０．６以下とすれば、より抵抗体材料３、４の温度特性が良好になる。
Thus, the smaller the diffusion of copper or its oxide into the
以上説明したように、本実施形態では、抵抗体材料３、４を形成するために用いる材料数を共通する２種類とすることで、材料ごとのバラツキの影響が２種類の材料のバラツキのみに依存するものとしている。さらに、抵抗体材料３を形成するために用いる材料のバラツキと抵抗体材料４を形成するために用いる材料のバラツキとが同じものとなるようにしている。
As described above, in this embodiment, by using two types of common materials for forming the
このように、各抵抗体材料３、４を形成するために用いる材料数を２種類のみに限定すると共に、各抵抗体材料３、４を形成するために用いる材料を共通のものにすることにより、ＬＯＴ変動を小さくすることができ、各抵抗体材料３、４の温度特性のバラツキを小さく安定させることが可能となる。
In this way, by limiting the number of materials used to form each
そして、本実施形態では、抵抗体材料３、４のＬ寸法を１．５ｍｍ以上という長い値としている。このため、抵抗体材料３、４の温度特性を決定する要因、具体的には抵抗体材料３、４のうち導体層５ａ〜５ｃと接続されるターミナル部分の特性の影響を小さくすることが可能となる。 これにより、各抵抗体材料３、４のバラツキを小さくすることが可能となる。
In the present embodiment, the L dimension of the
さらに、本実施形態では、抵抗体材料３、４への銅またはその酸化物の拡散が少なくなるように、例えば、焼成温度を６５０±１０℃にコントロールし、Ｒｕ比に対してＣｕの拡散量が１．３以下となるようにしている。このため、より抵抗体材料３、４の温度特性が良好にすることができる。
Furthermore, in this embodiment, for example, the firing temperature is controlled to 650 ± 10 ° C. so that the diffusion of copper or its oxide into the
なお、本実施形態では、抵抗体材料３、４を形成するために用いる材料を１ｋΩ／□の材料（Dupont製２１３０）と１ＭΩ／□の材料（Dupont製２１６０）という２種類としている。つまり、一方の材料の抵抗値に対して、他方の材料の抵抗値が１０００倍のものを用いている。この材料の抵抗値の比率は、１００倍を超えることが望ましく、より好ましくは１０００倍以上となるのが好ましい。
In the present embodiment, there are two types of materials used for forming the
このように、２種類の材料の抵抗値の比率が大きくなるほど、抵抗Ｒ１、Ｒ２によって高電圧を１／２０以下に分圧するような分圧回路における抵抗体材料３、４のシート抵抗を容易に形成することができ、かつ、複数のシート抵抗の温度特性差を小さくすることができる。
Thus, as the ratio of the resistance values of the two types of materials increases, the sheet resistance of the
（他の実施形態）
上記実施形態では、抵抗体材料３、４を形成するために用いる材料を２種類としたが、２種類以上としても構わない。要は、抵抗体材料３、４を形成するために用いる材料として共通の材料を用いれば良い。ただし、抵抗体材料３、４を形成するために用いる材料を２種類以上としてお、そのうちの少なくとも２つの材料の抵抗値の比率が１００倍を超えていることが望ましく、より好ましくは１０００倍以上となるのが好ましい。
(Other embodiments)
In the above embodiment, two types of materials are used for forming the
これにより、抵抗Ｒ１、Ｒ２によって高電圧を１／２０以下に分圧するような分圧回路における抵抗体材料３、４のシート抵抗を容易に形成することができ、かつ、複数のシート抵抗の温度特性差を小さくすることができる。
Thereby, the sheet resistance of the
１…厚膜回路基板、２…アルミナ基板、３、４…抵抗体材料、
５ａ〜５ｃ…導体層、６…保護ガラス。
DESCRIPTION OF
5a-5c ... conductor layer, 6 ... protective glass.
Claims (5)
前記複数の抵抗体材料（３、４）は、複数の材料を混合することによって形成されており、前記複数の抵抗体材料（３、４）を形成するために用いられている前記複数の材料すべてが共通したものとされ、前記複数の材料の混合比率が変えられることで前記複数の抵抗体材料（３、４）が形成されていることを特徴とする厚膜回路基板。 A plurality of resistors (R1, R2) are formed by forming a plurality of resistor materials (3, 4) on the substrate (2), and a potential of a predetermined portion is divided by the plurality of resistors (R1, R2). In thick film circuit board to detect by pressing,
The plurality of resistor materials (3, 4) are formed by mixing a plurality of materials, and the plurality of materials used to form the plurality of resistor materials (3, 4). A thick film circuit board characterized in that the plurality of resistor materials (3, 4) are formed by changing the mixing ratio of the plurality of materials, all of which are common.
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|---|---|---|---|
| JP2004211629A JP2006032776A (en) | 2004-07-20 | 2004-07-20 | Thick film circuit board |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8518597B2 (en) | 2007-01-16 | 2013-08-27 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Catalytic layer-electrolytic membrane assembly, transfer sheet, and production process thereof |
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| JPS6415901A (en) * | 1987-07-10 | 1989-01-19 | Hitachi Ltd | Thick-film resistor composition, manufacture thereof and thick-film hybrid ic using same |
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-
2004
- 2004-07-20 JP JP2004211629A patent/JP2006032776A/en active Pending
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