JP2006032270A - 電気コネクタ - Google Patents

Abstract

【課題】 線間のクロストークの低減と内蔵される基板に形成されるパターンのインピーダンス整合の実現を容易に図ることのできる基板内蔵型の電気コネクタを提供する。
【解決手段】 一対の信号伝送用コアと中央部にドレイン線を有する複数本のケーブルの端末を、内蔵される基板に接続して構成される電気コネクタにおいて、上記基板を、複数枚の積層した絶縁層基板１１、１２、１６で形成し、その表裏面の絶縁層基板１１、１２に上記ケーブルの信号伝送用コアを半田付けする半田ランド１１ｓ、１２ｓと信号線１１ｐ、１２ｎを形成し、中間の絶縁層基板１６に半田ランド１１ｓ、１２ｓに位置してインピーダンスの整合のための孔１４ｈ、１５ｈを形成した電気コネクタである。
【選択図】 図１

Description

本発明は、隣線とのクロストークを低減させインピーダンス整合を容易にすることで、ケーブルとコネクタの接続作業時間の短縮と信頼性の向上を図ることのできる電気コネクタに関するものである。

従来の方式による基板内蔵型コネクタの構造を図５、６に示す。

図示したように、基板内蔵型コネクタにＴｗｉｎａｘ多対ケーブルが接続されている。

基板内蔵型コネクタは、図示しないハウジング内に一対の信号伝送用コア（ケーブルコア）６５に設けられた差動信号線である＋信号線６６及び−信号線６７と電気的に接続するための差動信号線（＋信号）６８ｐ、差動信号線（−信号）６８ｎの配線を有する基板６１を内蔵している。

この基板６１の一端には、ケーブルを接続するための半田ランド６１ｓを設け、基板６１の中間絶縁層基板に基板アース６９を設けてある。

各々の一対のケーブルコア６５は、隣接する他の一対のケーブルコア６５と、シールド６２により電磁的に遮蔽されており、一対のケーブルコア６５に沿って設けられたドレイン線６４はアース面６３に接続され、アース面６３は基板アース６９に接続されている。

Ｔｗｉｎａｘ多対ケーブルは、図７に示すように線状の導体７１の外周に絶縁体７２を被覆して一対のケーブルコア６５を形成し、この一対のケーブルコア６５にドレイン線６４を沿わせて、これらケーブルコア６５及びドレイン線６４をシールド６２により覆って、このシールド６２で覆われた一対のケーブルコア６５を平行に並べて整線する。

このようにして形成されたＴｗｉｎａｘ多対ケーブルは、基板６１の表裏面に設けた半田ランド６１ｓの部分に信号線導体７１（すなわち、＋信号線６６及び−信号線６７）をそれぞれ半田付けすることにより、基板内蔵型コネクタとＴｗｉｎａｘ多対ケーブルとは電気的に接続される。

このような基板内蔵型コネクタに用いられる基板の構造を図８、９に示す。

図８に示す基板は、プリプレグなどで形成され表面（図中上面）に差動信号線（＋信号）６８ｐ及び半田ランド６１ｓが設けられた表面絶縁層基板１０１と、プリプレグなどで形成され裏面（図中下面）に差動信号線（−信号）６８ｎ及び半田ランド６１ｓが設けられた裏面絶縁層基板１０２と、両面に中間ＧＮＤ層を形成するＧＮＤ面１０３ｇが設けられ表面絶縁層基板１０１及び裏面絶縁層基板１０２に挟まれて配置される中間絶縁層基板１０３とから構成される。

また、図９に示す基板は、図８の基板とは異なり中間絶縁層基板１０３の代わりに設けられた中間絶縁層基板１０４の両面にはＧＮＤ面が設けられておらず、そのため電気的には差動信号線（＋信号）６８ｐ、差動信号線（−信号）６８ｎの差動バランスによって生じる仮想ＧＮＤ面１０４ｉが中間絶縁層基板１０４の中程にある構造となっている。

なお、この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、次のものがある。

特開２００３−２５８５１０号公報 特開２００３−２５７５５８号公報 特開平１０−１４４３６９号公報

しかしながら、従来の基板内蔵型コネクタには、以下のような問題がある。

Ｔｗｉｎａｘケーブルを整線して基板内蔵型コネクタに内蔵される基板６１に半田接続する場合、半田付けするための半田ランド６１ｓ部分は密集配線となり、半田ランド６１ｓ部分の特性インピーダンスが低下し、インピーダンス不整合の発生により、各ケーブルコア６５間でのクロストークも増大する傾向にある。

また、一般的には基板６１に設けられた差動信号線（＋信号）６８ｐ及び差動信号線（−信号）６８ｎの線幅を狭くすることにより特性インピーダンスを大きくすることができるが、半田ランド６１ｓ部分の線幅はＴｗｉｎａｘ多対ケーブルの導体７１の径よりも広くする必要があるため、インピーダンスの低下を招きこの半田ランド６１ｓの細幅化に対する対策が困難な場合が多い。

また、基板６１の差動信号線（＋信号）６８ｐ及び差動信号線（−信号）６８ｎと基板６１に設けたＧＮＤ面１０３ｇ（または、仮想ＧＮＤ面１０４ｉ）との距離を大きく取ることによって特性インピーダンスを増加させることも可能である。しかし、差動信号線（＋信号）６８ｐ及び差動信号線（−信号）６８ｎとＧＮＤ面１０３ｇ（または、仮想ＧＮＤ面１０４ｉ）との距離を大きくしてインピーダンス整合を実現しようとした場合、基板内蔵型コネクタのコネクタ厚が増加する。

また、表面絶縁層基板１０１と裏面絶縁層基板１０２とに表裏対称に差動信号線（＋信号）６８ｐ及び差動信号線（−信号）６８ｎをパターニングしている場合には、基板６１が厚くなると差動による電磁界の打ち消し効果が小さくなり、電磁気の漏れによるクロストークの発生量が増加してしまう。

そこで、本発明の目的は、線間のクロストークの低減と内蔵される基板に形成されるパターンのインピーダンス整合の実現を容易に図ることのできる基板内蔵型の電気コネクタを提供することにある。

本発明は上記目的を達成するために創案されたものであり、第１の発明は、一対の信号伝送用コアと中央部にドレイン線を有する複数本のケーブルの端末を、内蔵される基板に接続して構成される電気コネクタにおいて、上記基板を、複数枚の積層した絶縁層基板で形成し、その表裏面の絶縁層基板に上記ケーブルの信号伝送用コアを半田付けする半田ランドと信号線を形成し、中間の絶縁層基板に上記半田ランドに位置してインピーダンスの整合のための孔を形成した電気コネクタである。

第２の発明は、上記中間の絶縁層基板は、３枚の絶縁薄層基板で形成され、中間の絶縁薄層基板を挟み、中間の絶縁薄層基板側に接して上下の絶縁薄層基板にグランド面が形成され、かつ上記表裏面に形成される上記半田ランドに位置して上下の上記絶縁薄層基板に上記孔が形成されるものである。

第３の発明は、上記孔は、上記半田ランド或いは上記信号線に沿って長円状に形成されるものである。

本発明によれば、線間のクロストークの低減と内蔵される基板に形成されるパターンのインピーダンス整合の実現を容易に図ることのできる基板内蔵型の電気コネクタを得られる。

以下、本発明の好適実施の形態を添付図面にしたがって説明する。

本実施の形態の電気コネクタは、一対の信号伝送用コアとその一対の信号伝送用コアの中央部にドレイン線とを有するケーブルを複数本並べて形成されるＴｗｉｎａｘ多対ケーブルを接続するための高速信号伝送用のコネクタであり、基板の構造が以下に説明するように形成されている他は、図５、６で説明した基板内蔵型コネクタと同様の構造及び接続状態である。

図１は、本発明の第１の実施の形態を示す電気コネクタに内蔵された基板の構造図である。

図１に示す基板は、複数枚の積層した絶縁層基板からなり、これらの絶縁層基板は、プリプレグなどで形成され表面（図中上面）に信号線１１ｐ及び半田ランド１１ｓが設けられた表面絶縁層基板１１と、プリプレグなどで形成され表面（図中下面）に信号線１２ｎ及び半田ランド１２ｓが設けられた裏面絶縁層基板１２と、第１の絶縁薄層基板（中間の絶縁薄層基板）１３、第２の絶縁薄層基板１４、第３の絶縁薄層基板１５の３枚の絶縁薄層基板からなり表面絶縁層基板１１及び裏面絶縁層基板１２に挟まれて形成される中間の絶縁層基板（以下、中間絶縁層基板という）１６とから構成される。

表面絶縁層基板１１と裏面絶縁層基板１２は、互いに基板の表面と、この表面と対向する裏面となる層であり、ガラスエポキシなどの熱硬化性樹脂を材料に用いて炭素繊維などに含浸させたプリプレグなどにより、一定の厚さの板状に形成する。

表面絶縁層基板１１の表面（図中では、上面に当たる）には、銅などの導電性材料を用いて、差動信号を通すための信号線（以下、差動信号線（＋信号）という）１１ｐを或る一定の幅をもったマイクロストリップ線路若しくはコプレーナ線路などにより形成する。また更に表面絶縁層基板１１の表面に、Ｔｗｉｎａｘ多対ケーブルの信号伝送用コアを半田付けするための半田ランド１１ｓを銅などの導電性材料を用いて形成する。この半田ランド１１ｓは、差動信号線（＋信号）１１ｐと同様の材料で差動信号線（＋信号）１１ｐよりも幅広く設けられ、半田ランド１１ｓと差動信号線（＋信号）１１ｐとが一体に形成されるとよい。

裏面絶縁層基板１２の裏面（図中では、下面に当たる）には、銅などの導電性材料を用いて、差動信号を通すための信号線（以下、差動信号線（−信号）という）１２ｎを或る一定の幅をもったマイクロストリップ線路若しくはコプレーナ線路などにより形成する。また更に裏面絶縁層基板１２の裏面に、Ｔｗｉｎａｘ多対ケーブルの信号伝送用コアを半田付けするための半田ランド１２ｓを銅などの導電性材料を用いて形成する。この半田ランド１２ｓは、差動信号線（−信号）１２ｎと同様の材料で差動信号線（−信号）１２ｎよりも幅広く設けられ、半田ランド１２ｓと差動信号線（−信号）１２ｎとが一体に形成されるとよい。

望ましくは、表面絶縁層基板１１と裏面絶縁層基板１２とは、互いに同じ厚さで中間絶縁層基板１６を挟んで互いに表裏対称に形成するとよく、差動信号線（＋信号）１１ｐ、差動信号線（−信号）１２ｎは、中間絶縁層基板１６を挟んで表面絶縁層基板１１と裏面絶縁層基板１２とで互いに表裏対称に設けるとよく、半田ランド１１ｓ、１１ｎは中間絶縁層基板１６を挟んで表面絶縁層基板１１と裏面絶縁層基板１２とで互いに表裏対称に設けるとよい。

中間絶縁層基板１６は、図中上から第２の絶縁薄層基板１４、中間に第１の絶縁薄層基板１３、下に第３の絶縁薄層基板１５の順に上下に配置される。

この中間絶縁層基板１６は、表面絶縁層基板１１及び裏面絶縁層基板１２と同様の材料で形成し、第２の絶縁薄層基板１４の表面（図中上面）は表面絶縁層基板１１の裏面（図中下面、すなわち差動信号線（＋信号）１１ｐの設けられていない方の面）に接し、第３の絶縁薄層基板１５の裏面（図中下面）は裏面絶縁層基板１２の表面（図中上面、すなわち差動信号線（−信号）１２ｎの設けられていない方の面）に接している。

第２の絶縁薄層基板１４には、半田ランド１１ｓの直下に位置するようにドリル等によって複数のインピーダンス整合のための孔１４ｈが第２の絶縁薄層基板１４の表裏面を貫通して複数設けられ、孔１４ｈは半田ランド１１ｓの長手方向に沿って平行に並んでいる。

第２の絶縁薄層基板１４の裏面（図中下面、すなわち第１の絶縁薄層基板１３の上面側に臨んでおり、積層された状態で第１の絶縁薄層基板１３の上面に接する）には、銅などの導電性材料を用いて中間ＧＮＤ層であるグランド面１４ｇを形成している。

第３の絶縁薄層基板１５には、半田ランド１２ｓの直上に位置するようにドリル等によって複数のインピーダンス整合のための孔１５ｈが第３の絶縁薄層基板１５の表裏面を貫通して複数設けられ、孔１５ｈは半田ランド１２ｓの長手方向に沿って平行に並んでいる。

第３の絶縁薄層基板１５の表面（図中上面、すなわち第１の絶縁薄層基板１３の下面側に臨んでおり、積層された状態で第１の絶縁薄層基板１３の下面に接する）には、銅などの導電性材料を用いて中間ＧＮＤ層であるグランド面１５ｇを形成している。

望ましくは、第２の絶縁薄層基板１４及び第３の絶縁薄層基板１５は、互いに同じ厚さで第１の絶縁薄層基板１３を挟んで互いに表裏対称に形成するとよく、孔１４ｈ、１５ｈは、中間絶縁層基板１６を挟んで互いに表裏対称に形成するとよい。

このように形成した表面絶縁層基板１１、第２の絶縁薄層基板１４、第１の絶縁薄層基板１３、第３の絶縁薄層基板１５、裏面絶縁層基板１２は、図示したように図中矢印で示す方向に上下から重ね合わせられて積層されることで、電気コネクタに内蔵される基板となる。

このようにして形成された基板による効果について説明する。

基板は、半田ランド１１ｓの直下に孔１４ｈを設けたことで、孔１４ｈの部分の誘電率が孔１４ｈを開ける前に比べて低くなり、半田ランド１１ｓとグランド面１４ｇとの間の容量成分が減少する。この容量成分の減少により半田ランド１１ｓの幅が広いにも関わらず、半田ランド１１ｓの特性インピーダンスの低下を抑制している。

同様に、基板は半田ランド１２ｓの直上に孔１５ｈを設けたことで、孔１５ｈの部分の誘電率が孔１５ｈを開ける前に比べて低くなり、半田ランド１２ｓとグランド面１５ｇとの間の容量成分が減少し、この容量成分の減少により半田ランド１２ｓの幅が広いにも関わらず、半田ランド１２ｓの特性インピーダンスの低下を抑制している。

この結果従来の基板に比して半田ランド１１ｓ、１２ｓの有する特性インピーダンスが高くなっている。

このため、従来基板（図８、図９参照）では、半田ランド６１ｓのインピーダンスが差動信号線（＋信号）６８ｐ、差動信号線（−信号）６８ｎのインピーダンスに比べて低く、半田ランド６１ｓと差動信号線（＋信号）６８ｐ、差動信号線（−信号）６８ｎとのインピーダンス整合がとれなかったのに対して、第１の実施の形態の基板では、半田ランド１１ｓ、１２ｓのインピーダンスが高くなったことで、半田ランド１１ｓと差動信号線（＋信号）１１ｐとの特性インピーダンスが互いに整合し、半田ランド１２ｓと差動信号線（−信号）１２ｎとの特性インピーダンスが互いに整合するようになっている。これは、従来差動信号線（＋信号）６８ｐと半田ランド６１ｓとのインピーダンス不整合、差動信号線（−信号）６８ｎと半田ランド６１ｓとのインピーダンス不整合を解消しており、従来問題であったクロストークを低減する効果がある。

また基板は、半田ランド１１ｓの直下に孔１４ｈを設け、半田ランド１２ｓの直上に孔１５ｈを設けたことで、半田ランド１１ｓ、１２ｓの幅が広いにも関わらず、半田ランド１１ｓ、１２ｓの特性インピーダンスの低下を抑制しており、結果従来の基板に比して半田ランド１１ｓ、１２ｓの特性インピーダンスが高くなっており、このため半田ランド１１ｓ、１２ｓと接続されるＴｗｉｎａｘ多対ケーブルの信号線とが互いに整合し易くなっている。

次に、本発明の第２の実施の形態である電気コネクタの基板について説明する。

図２は、本発明の第２の実施の形態を示す電気コネクタに内蔵された基板の構造図である。

図２に示す基板は、プリプレグなどで形成され表面（図中上面）に差動信号線（＋信号）１１ｐ及び半田ランド１１ｓが設けられた表面絶縁層基板１１と、プリプレグなどで形成され表面（図中下面）に差動信号線（−信号）１２ｎ及び半田ランド１２ｓが設けられた裏面絶縁層基板１２と、ドリルなどで孔２３ｈを設け表面絶縁層基板１１及び裏面絶縁層基板１２に挟まれて形成される中間の絶縁層基板（以下、中間絶縁層基板という）２３とから構成される。

この基板が、既に説明した第１の実施の形態と異なる点は、３層からなる中間絶縁層基板１６の代わりに１層の中間絶縁層基板２３が形成されており、また中間絶縁層基板２３には中間ＧＮＤ層に当たるグランド面１４ｇ、１５ｇは設けられていない。

中間絶縁層基板２３には、半田ランド１１ｓの直下にドリル等によって複数の孔２３ｈを中間絶縁層基板２３の表裏面を貫通して複数設け、孔２３ｈは半田ランド１１ｓの長手方向に沿って平行に並んでいる。

このように形成した表面絶縁層基板１１、中間絶縁層基板２３、裏面絶縁層基板１２は、この順に並べられ、図中矢印で示す方向に上下から重ね合わせられて積層されることで、電気コネクタに内蔵される基板となる。

この基板は、中間絶縁層基板２３にはグランド面は設けられていないが、電気的には差動信号線（＋信号）１１ｐ、差動信号線（−信号）１２ｎの差動バランスによって生じる仮想ＧＮＤ面２３ｉが中間絶縁層基板２３の中程にある構造となっている。

このようにして形成された基板は、半田ランド１１ｓ、１２ｓに挟まれて孔２３ｈを複数設けたことで、孔２３ｈの部分の誘電率が孔２３ｈを開ける前に比べて低くなり、半田ランド１１ｓと仮想ＧＮＤ面２３ｉとの間の容量成分が減少し、半田ランド１２ｓと仮想ＧＮＤ面２３ｉとの間の容量成分が減少する。この孔２３ｈによる誘電率の低下により半田ランド１１ｓ、１２ｓの幅が広いにも関わらず、従来の基板に比して半田ランド１１ｓ、１２ｓの有する特性インピーダンスが高くなっている。

このため、第１の実施の形態の基板と同様、半田ランド１１ｓ、１２ｓのインピーダンスが高くなったことで、半田ランド１１ｓと差動信号線（＋信号）１１ｐとの特性インピーダンスが互いに整合し、半田ランド１２ｓと差動信号線（−信号）１２ｎとの特性インピーダンスが互いに整合するようになっている。

また、従来の基板に比して半田ランド１１ｓ、１２ｓの特性インピーダンスが高くなっており、このため半田ランド１１ｓ、１２ｓと接続されるＴｗｉｎａｘ多対ケーブルの信号線とが互いに整合し易くなっている。

次に、本発明の第３の実施の形態である電気コネクタの基板について説明する。

図３は、本発明の第３の実施の形態を示す電気コネクタに内蔵された基板の構造図である。

図示した基板は、プリプレグなどで形成され表面（図中上面）に差動信号線（＋信号）１１ｐ及び半田ランド１１ｓが設けられた表面絶縁層基板１１と、プリプレグなどで形成され表面（図中下面）に差動信号線（−信号）１２ｎ及び半田ランド１２ｓが設けられた裏面絶縁層基板１２と、ドリルなどで孔３３ｈを設け表面絶縁層基板１１及び裏面絶縁層基板１２に挟まれて形成される中間の絶縁層基板（以下、中間絶縁層基板という）３３とから構成される。

この基板は、従来の基板に比べて基板厚を薄く形成できることが特徴である。この基板厚が薄いことと、基板の表裏対称に差動信号線（＋信号）１１ｐ、差動信号線（−信号）１２ｎをパターニングしていることにより、差動信号線（＋信号）１１ｐと差動信号線（−信号）１２ｎとの差動による電磁界の打ち消し効果が充分に得られ、電磁気の漏れによるクロストークの発生を抑えることができる。

次に、本発明の第４の実施の形態である電気コネクタの基板について説明する。

図４は、本発明の第４の実施の形態を示す電気コネクタに内蔵された基板の構造図である。

図示した基板は、プリプレグなどで形成され表面（図中上面）に差動信号線（＋信号）１１ｐ及び半田ランド１１ｓが設けられた表面絶縁層基板１１と、プリプレグなどで形成され表面（図中下面）に差動信号線（−信号）１２ｎ及び半田ランド１２ｓが設けられた裏面絶縁層基板１２と、ドリルなどで孔４３ｈを設け表面絶縁層基板１１及び裏面絶縁層基板１２に挟まれて形成される中間の絶縁層基板（以下、中間絶縁層基板という）４３とから構成される。

この基板が、既に説明した第２の実施の形態と異なる点は、図示したように中間絶縁層基板４３に設けられる複数の孔４３ｈが、半田ランド１１ｓ、１２の長手方向に沿って連続して設けられていることである。

この孔４３ｈは、半田ランド１１ｓ、１２ｓ、差動信号線（＋信号）１１ｐ、差動信号線（−信号）１２ｎの長手方向に順次孔（図１、２参照）を開ける代わりに、半田ランド１１ｓ、１２ｓ、差動信号線（＋信号）１１ｐ、差動信号線（−信号）１２ｎの長手方向に沿ってドリルを移動させ、半田ランド１１ｓ、１２ｓ或いは差動信号線（＋信号）１１ｐ、差動信号線（−信号）１２ｎに沿って伸びた長円状に開口した空隙を形成している。

このように、孔４３ｈを連続して形成することで、基板製造上の工程を短縮することができる。また、このように形成された基板は、図１〜３で説明した基板と同様の効果を得られる。

以上説明したように、Ｔｗｉｎａｘ多対ケーブル用の電気コネクタに内蔵される基板接続部（半田ランド）のインピーダンス低下対策として、基板として複数の絶縁体層を有するものを用い、差動信号線がパターニングされていない中間絶縁層基板の特に基板の半田ランドの直下（若しくは、半田ランドの直上）の部分にドリル等で孔開けして空隙を設ける構造とした。

このことにより、差動信号線とグランド面又は仮想ＧＮＤ面との容量成分を減少させ、半田ランド部分のインピーダンスが低下することを抑制し、半田ランド部分と差動信号線とのインピーダンス整合が実現できる。

また図３で述べた実施の形態と同様に、信号線直下（若しくは、信号線直上）にも延長して孔を設けることにより、容量成分を減少させ基板厚を薄くできる。更に差動信号線を基板の表裏対称にパターニングすることで、磁界の洩れが少なくなり、クロストークを低減することができる。

本発明による電気コネクタは、特にＴｗｉｎａｘを採用したコネクタ付きケーブルで、高速伝送が要求されるものに対して適用すると非常に有効である。

本発明の第１の実施の形態である電気コネクタの内蔵される基板の層構成を示す構造図である。 本発明の第２の実施の形態である電気コネクタの内蔵される基板の層構成を示す構造図である。 本発明の第３の実施の形態である電気コネクタの内蔵される基板の層構成を示す構造図である。 本発明の第４の実施の形態である電気コネクタの内蔵される基板の層構成を示す構造図である。 従来の基板内蔵型コネクタの方向の断面を示す断面図である。 従来の基板内蔵型コネクタの内蔵される基板を上面から見た概観図である。 従来の多対Ｔｗｉｎａｘケーブルの端末整線を示す断面図である。 従来の基板内蔵型コネクタに内蔵される基板の中間ＧＮＤ層を含む層構成を示す構造図である。 従来の基板内蔵型コネクタに内蔵される基板の中間ＧＮＤ層を含まない層構成を示す構造図である。

符号の説明

１１ 表面絶縁層基板（絶縁層基板）
１１ｐ 信号線（差動信号線（＋信号））
１１ｓ 半田ランド
１２ 裏面絶縁層基板（絶縁層基板）
１２ｎ 信号線（差動信号線（−信号））
１２ｓ 半田ランド
１３ 第１の絶縁薄層基板（中間の絶縁薄層基板）
１４ 第２の絶縁薄層基板
１４ｇ グランド面
１４ｈ 孔（空隙）
１５ 第３の絶縁薄層基板
１５ｇ グランド面
１５ｈ 孔（空隙）
１６ 中間絶縁層基板（中間の絶縁層基板）
２３ 中間絶縁層基板（中間の絶縁層基板）
２３ｈ 孔（空隙）
２３ｉ 仮想ＧＮＤ面
３３ 中間絶縁層基板（中間の絶縁層基板）
３３ｈ 孔（空隙）
４３ 中間絶縁層基板（中間の絶縁層基板）
４３ｈ 孔（空隙）
６１ 基板
６１ｓ 半田ランド
６２ シールド
６３ アース面
６４ ドレイン線
６５ 信号伝送用コア（ケーブルコア）
６６ ＋信号線
６７ −信号線
６８ｐ 差動信号線（＋信号）
６８ｎ 差動信号線（−信号）
６９ 基板アース
７１ 導体
７２ 絶縁体
１０１ 表面絶縁層基板
１０２ 表面絶縁層基板
１０３ 中間絶縁層基板
１０３ｇ ＧＮＤ面
１０４ 中間絶縁層基板
１０４ｉ 仮想ＧＮＤ面

Claims (3)

1. 一対の信号伝送用コアと中央部にドレイン線を有する複数本のケーブルの端末を、内蔵される基板に接続して構成される電気コネクタにおいて、上記基板を、複数枚の積層した絶縁層基板で形成し、その表裏面の絶縁層基板に上記ケーブルの信号伝送用コアを半田付けする半田ランドと信号線を形成し、中間の絶縁層基板に上記半田ランドに位置してインピーダンスの整合のための孔を形成したことを特徴とする電気コネクタ。
2. 上記中間の絶縁層基板は、３枚の絶縁薄層基板で形成され、中間の絶縁薄層基板を挟み、中間の絶縁薄層基板側に接して上下の絶縁薄層基板にグランド面が形成され、かつ上記表裏面に形成される上記半田ランドに位置して上下の上記絶縁薄層基板に上記孔が形成される請求項１記載の電気コネクタ。
3. 上記孔は、上記半田ランド或いは上記信号線に沿って長円状に形成される請求項１または２記載の電気コネクタ。
   

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