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JP2006032036A - 真空バルブ用接点材料 - Google Patents

真空バルブ用接点材料 Download PDF

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貴史 草野
Atsushi Yamamoto
敦史 山本
Kiyoshi Osabe
清 長部
Keisei Seki
経世 関
Isao Okutomi
功 奥富
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Abstract

【課題】 真空遮断器等に使用される真空バルブの接点材料に要求される耐電圧や遮断の性能の安定性を向上させた真空バルブ用接点材料を提供する。
【解決手段】 導電成分と耐弧成分と第3成分と必要により補助成分とで構成される真空バルブ用接点材料で、導電成分Cu、耐弧成分Cr、および第3成分α(耐弧成分平均粒子径の3倍以下の平均粒子径を有する例えばW)の粉末を混合し、加圧成型した後、液相焼結することにより製造される。これにより、第3成分αの近傍にCrが晶出されたものとなり、遮断特性と耐電圧特性を向上させた真空バルブ用接点材料が得られる。
【選択図】 図1

Description

本発明は、真空遮断器等に使用される真空バルブの接点材料に要求される特性の内、耐電圧性能と遮断性能を向上させた真空バルブ用接点材料に関する。
真空バルブ用接点材料に要求される特性としては、耐電圧特性、遮断特性、耐溶着特性に対する各性能で示される基本三要件と、この他に電気抵抗(バルク抵抗と接触抵抗)と温度上昇が低く安定していることが重要な要件となっている。
しかしながら、これらの要件の中には相反するものがある関係上、単一の金属種によって全ての要件を満足させることは不可能である。このため、実用化されている多くの接点材料においては、不足する特性を相互に補えるような2種以上の物質、例えば導電成分と耐弧成分とを組合せて大電流用または高電圧用等のように特定の用途に合った接点材料の開発が行われ、ある程度優れた特性を有するものが開発されている。開閉器という使用目的から、高確率で電流の開閉が可能であることは言うまでもない。
従来の発明でも、当社から「真空バルブ用接点材料、その製造方法、および真空バルブ」と題して出願され公開されているもの(特許文献1参照)があるが、この出願では、導電成分をCu、第1耐弧成分をCr、第2耐弧成分をW,Mo,Ta,Nbのいずれか一つまたはその組み合わせとしているのに対して、本発明では耐弧成分はCrに限定しておらず、さらに本発明の第3成分は、耐弧成分だけの役割に限定しているわけではなく、液相焼結の際に導電成分に固溶した耐弧成分が晶出する際の核となる等の焼結助剤としての役割も期待している。従って本発明でいう第3成分は、金属に限定されずに、導電成分にほとんど固溶しない成分であることも特徴としている点も異なる。
また、シーメンス(Siemens)社から「真空遮断器用接触子材料としての銅・クロム溶融合金の製造方法」と題して出願され公告されているもの(特許文献2参照)があるが、この出願では、CuとCrの両方を溶解して製造することを特徴としているのに対し、本発明では、Cu等の導電成分のみを溶融させることを特徴としている点が異なる。
特開2003−226904号公報 特公平4−71970号公報
真空バルブの耐電圧性能や遮断性能を充分に発揮させるには、接点材料の組織には微細な粒子が存在し、さらに接点中のガス含有量は小さいことが好ましい。
従来の接点材料では、微細粒子の存在のためには、微細な原料粉末を使用することが多く、その際には、原料粉末の比表面積が極端に増大して接点中のガス含有量も増大してしまい、安定した遮断性能や耐電圧性能が得られないことが多い。
本発明は、従来のこのような点に鑑みて為されたもので、真空遮断器等に使用される真空バルブの接点材料に要求される耐電圧や遮断の性能の安定性を向上させた真空バルブ用接点材料を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明に係る真空バルブ用接点材料は、少なくとも導電成分と耐弧成分と第3成分とで構成される真空バルブ用接点材料であって、第3成分の原料粉末として、耐弧成分の原料粉末の平均粒子径の3倍以下の平均粒子径を有するものが使用され、液相焼結により製造されたことを特徴とする。
本発明によれば、遮断特性と耐電圧特性を向上させた真空バルブ用接点材料を提供することが出来る。
以下、図面を参照して本発明の実施形態について詳細に説明する。
前述したように、真空バルブ用接点材料の性能、例えばCu−Cr接点の耐電圧性能や遮断性能を充分に発揮させるには、接点中に微細なCr粒子の存在と低ガス量の兼備が必要である。
すなわち、本実施形態の特徴は、微細組織と低ガス量の兼備にある。それを得る為の具体的手段としては、Cuにほとんど固溶しない第3成分αを添加して液相焼結をしてαの近傍にCrを晶出させて製造することが挙げられる。例えば、図1に示すように、導電成分Cu、耐弧成分Cr、および第3成分αの粉末を混合し、加圧成型した後、液相焼結(Cuの融点以上の温度で焼結)することにより、第3成分αの周りにCrが晶出される。なお、この場合、核となる第3成分αが微細なほど、粒子数が多くなり、その周りに晶出されるCrの数も多くなって微細となる。
なお本発明の主旨はCu−Cr接点に限るものではなく、その他の導電成分とその他の耐弧成分と必要により補助成分からなる接点材料についても適用可能である。
本実施形態により、微細組織と低ガス量を兼備することができ、耐電圧性能、遮断性能等を安定化させ、接点性能を向上させることを可能とした。
以下、本発明の実施例を説明するが、はじめに、本発明の真空バルブ用接点材料が適用される真空バルブの構成例を、図2および図3で説明する。
図2において、1は遮断室を示し、この遮断室1は、絶縁材料によりほぼ円筒状に形成された絶縁容器2と、この両端に封着金具3a,3bを介して設けた金属性の蓋体4a,4bとで真空気密に構成されている。そして、上記遮断室1内には、導電棒5,6の対向する端部に取り付けられた一対の電極7,8が配設され、上部の電極7を固定電極、下部の電極8を可動電極としている。また、この可動電極8の電極棒6には、ベローズ9が取り付けられ遮断室1内を真空気密に保持しながら電極8の軸方向の移動を可能にし、このベローズ9上部には金属性のアークシールド10が設けられ、ベローズ9がアーク蒸気で覆われることを防止している。11は、上記電極7,8を覆うようにして遮断室1内に設けられた金属性のアークシールドで、絶縁容器2がアーク蒸気で覆われることを防止している。さらに、電極8は、図3に拡大して示すように、導電棒6にロウ付け部12によって固定されるか、また、かしめによって圧着接続されている。接点13aは、電極8にロウ付け14で固着されている。なお、図2における13bは固定側接点である。
続いて図4を基にして、本発明の真空バルブ用接点材料の実施例、比較例の製造方法及び遮断特性と耐電圧特性の測定結果について述べる。
(比較例1〜2、実施例1〜3)
比較例1では、第3成分αを添加せずに、微細なCr粉末(その分ガス含有量は大)を使用した液相焼結法でCu−50Cr接点を製造した。Cu粉末(平均粒径30μm)とCr粉末(平均粒径10μm)を重量比1:1となるように混合してφ60mmの金型で10t/cmで成形した圧粉体を、φ70mmの坩堝に、圧粉体の周囲をアルミナ粉で覆って充填した後、10−3Paオーダの真空中で、1200℃×60分の条件で液相焼結し、Cu−50Cr合金を複数枚得た。
このCu−Cr合金を、断面の組織観察と酸素量の測定を実施すると共に所定の接点形状(φ50mm、t5mm)に加工した。断面組織の特徴と酸素量の測定値を図4に示した。また加工した接点材料を真空バルブに組み込んで遮断試験と耐電圧試験を実施した。遮断試験は、5kAから徐々に電流値を上げていく方法で最大遮断電流を測定した。また遮断試験後の接点について、耐電圧試験を実施した。耐電圧試験は、電極間隔を一定(約5mm)にして絶縁破壊電圧を100回測定し、その平均値を算出した。これらの比較例1の測定結果を基準とし、その他の測定結果は相対値で示した。
実施例1では、Cu−48Cr−2W合金を、比較例1と同一の液相焼結で作製した。ただし、原料粉末の平均粒径は、Cuは30μm、Crは50μm、Wが130μmで、混合比(重量比)は、Cu:Cr:W=50:48:2とした。作製したCu−48Cr−2W合金の断面組織は、粒径20μm程度の微細なCr粒子がW粒子の近傍あるいは以前Cuマトリックスの粒界だったと思われる箇所に点在しており、合金中の酸素量は800ppmであった。電気特性の評価結果は、遮断特性と耐電圧特性は比較例1のそれぞれ1.1倍と1.1倍であった。
実施例2では、Cu−24Cr−1Mo合金を、比較例1と同一の液相焼結で作製した。ただし、原料粉末の平均粒径は、Cuは30μm、Crは150μm、Moが3μmで、混合比(重量比)は、Cu:Cr:Mo=75:24:1とした。作製したCu−24Cr−1Mo合金の断面組織は、粒径10μm程度の微細なCr粒子が微細なMo粒子の近傍に点在しており、合金中の酸素量は600ppmであった。電気特性の評価結果は、遮断特性と耐電圧特性は比較例1のそれぞれ1.3倍と1.1倍であった。
実施例3では、液相焼結の1種である焼結溶浸法でCu−55Cr−1Ta合金を作製した。Cu−55Cr−1Ta合金は、Cr粉末(平均粒径150μm)とTa粉末(平均粒径15μm)を混合して加圧成形した後、水素雰囲気中で、1200℃×120分の条件で焼結して製造したCr(+Ta)スケルトンと溶浸材Cuを坩堝内で上下に配置し、水素雰囲気中で1200℃に加熱して120分保持することにより、導電成分であるCuを溶浸させることにより作製した。作製したCu−55Cr−1Ta合金の断面組織は、粒径20μm程度の微細なCr粒子がTa粒子の近傍に点在しており、合金中の酸素量は400ppmであった。電気特性の評価結果は、遮断特性と耐電圧特性は比較例1のそれぞれ1.1倍と1.2倍であった。
比較例2では、Cu−48Cr−2W合金を、比較例1と同一の液相焼結で作製した。ただし、原料粉末の平均粒径は、Cuは30μm、Crは50μm、Wが170μmで、混合比(重量比)は、Cu:Cr:W=50:48:2とした。作製したCu−48Cr−2W合金の断面組織は、原料粉末と同等な粒径である50μm程度のCr粒子が存在しており、合金中の酸素量は800ppmであった。電気特性の評価結果は、遮断特性と耐電圧特性は比較例1のそれぞれ1.0倍と1.0倍であり、改善効果はほとんどなかった。
以上の比較例1〜2と実施例1〜3の結果より、導電成分Cuと耐弧成分Crに加え、第3成分を添加した液相焼結により、遮断特性と耐電圧特性という電気特性の向上が可能となる。第3成分の原料粉末の平均粒径は原料耐成分粉末の平均粒径の3倍以下が有効で、好ましくは1/10以下の時に特性向上が顕著となる。
(比較例3〜4、実施例4〜5)
前記比較例1〜2と実施例1〜3では、焼結温度を1200℃、即ち導電成分Cuの融点(1083℃)を基準にして+117℃の温度で焼結している事例について述べたが、本発明の主旨はこれに限るものではない。
比較例3、実施例4〜5、比較例4では、焼結温度をそれぞれ1100℃、1150℃、1250℃、1300℃で、Cu−24Cr−1WC合金を製造した。なお原料粉末の平均粒径は、Cuは30μm、Crは150μm、WCが0.8μmで、混合比(重量比)は、Cu:Cr:WC=75:24:1とした。
この内1300℃で焼結した比較例4では、外見上崩れており、明らかにCuとCrが分離してしまったので、接点の電気評価に値しないと判断した。残りの3種類のCu−24Cr−1WC合金については、材料特性を評価すると共に、所定形状に加工した後、電気特性を評価した。
比較例3では、微細なCr粒子は存在せず、遮断特性と耐電圧特性は、比較例1のそれぞれ1.0倍と1.0倍であり、向上されなかった。これは焼結温度が低い為に、Crの晶出が促進されなかったからである。
実施例4では、粒径10μm程度の微細Crが点在しており、遮断特性と耐電圧特性は、比較例1のそれぞれ1.2倍と1.2倍であった。
実施例5では、粒径10μm程度の微細Crが点在しており、遮断特性と耐電圧特性は、比較例1のそれぞれ1.3倍と1.2倍であった。
以上のように、焼結温度が導電成分Cuの融点を基準にして+20℃より低いとCuは溶解するが、微細なCr粒子の晶出が顕著に表れない。一方、焼結温度が導電成分Cuの融点を基準にして+200℃を越えるとCuの形状、換言すると接点の形状が保てなくなる。更にCuとCrが2相分離して組織の均一性が保てない。従って、接点材料の焼結温度は、導電成分Cuの融点(1083℃)を基準にして、+20℃以上、+200℃以下とすることが好ましい。
(実施例6〜10)
実施例6〜10では、Cu−24Cr−5WC合金を真空雰囲気中の液相焼結で作製した後に真空雰囲気中で30分の熱処理を行い、熱処理温度をパラメータとした。
実施例6では、1070℃で熱処理して、電気特性を評価したところ、遮断特性と耐電圧特性は、比較例1のそれぞれ1.2倍と1.1倍であった。
実施例7では、1050℃で熱処理して、電気特性を評価したところ、遮断特性と耐電圧特性は、比較例1のそれぞれ1.2倍と1.1倍であり、熱処理により遮断特性が若干向上されていた。これは熱処理により導電率が改善されたからである。
実施例8では、850℃で熱処理して、電気特性を評価したところ、遮断特性と耐電圧特性は、比較例1のそれぞれ1.3倍と1.1倍であり、熱処理により遮断特性がさらに向上されていた。
実施例9では、700℃で熱処理して、電気特性を評価したところ、遮断特性と耐電圧特性は、比較例1のそれぞれ1.2倍と1.1倍であり、熱処理により遮断特性が若干向上されていた。
実施例10では、650℃で熱処理して、電気特性を評価したところ、遮断特性と耐電圧特性は、比較例1のそれぞれ1.1倍と1.1倍であり、熱処理により遮断特性はほとんど向上されていなかかった。これは熱処理温度が低く、導電率の改善効果が小さかったからである。
以上の実施例6〜10の結果より、液相焼結後に熱処理すると電気特性、特に遮断特性の向上が可能となる。特に熱処理温度は、導電成分Cuの融点(1083℃)を基準にして、−20℃以下、−400℃以上の時に特性向上が顕著となる。熱処理温度が、導電成分Cuの融点を基準にして、−20℃より高いと、特性は悪くはないが、炉の制御が難しくなり、歩留まりが悪くなる。熱処理温度が、導電成分Cuの融点を基準にして、−400℃を下回ると、熱処理の効果が低く、改善効果が小さい。
(実施例11〜16)
前記比較例1〜4と実施例1〜10では、導電成分がCu、耐弧成分がCr、第3成分がW,Mo,Ta,WCである接点材料の事例について述べたが、本発明の主旨はこれに限るものではない。
実施例11では、導電成分をAg、耐弧成分をWC、第3成分をFeとしたAg−20WC−1Fe接点を、液相焼結法で作製し、遮断特性と耐電圧特性を評価した結果、遮断特性と耐電圧特性は、第3成分を添加していない通常の液相焼結法で製造した時のAg−WC接点の、それぞれ1.3倍と1.2倍であった。
実施例12では、導電成分をAg+Cu、耐弧成分をWC、第3成分をCoとしたAg/Cu−60WC−1Co接点を、液相焼結法で作製し、遮断特性と耐電圧特性を評価した結果、遮断特性と耐電圧特性は、第3成分を添加していない通常の液相焼結法で製造した時のAg−WC接点の、それぞれ1.2倍と1.2倍であった。
実施例13〜16では、導電成分をCuとし、耐弧成分をそれぞれ、W,Nb,WC,Cr+Wとし、第3成分をそれぞれ、Sb(1wt%),Al(1wt%),WB(2wt%),TiN(2wt%)として、液相焼結により接点材料を製造して電気特性を評価した結果、遮断特性は、実施例13〜16全て、第3成分を添加していない通常の液相焼結で製造した時の接点の1.2倍であり、耐電圧特性は1.1倍であった。
なお、第3成分が5wt%を越えると、遮断特性、耐電圧特性の少なくとも一方が悪化する。
(実施例17〜19)
前記比較例1〜4と実施例1〜16では、導電成分、耐弧成分、第3成分で構成される接点材料の事例について述べたが、本発明の主旨はこれに限るものではない。
実施例17〜19では、補助成分をそれぞれBi(0.1wt%),Te(5wt%),Te+Se(4wt%)とし、実施例3と同様に液相焼結法の1種である焼結溶浸法で、接点材料を製造して電気特性を評価した結果、遮断特性は、実施例17〜19全て、第3成分を添加していない通常の焼結溶浸法で製造した時の接点の1.2倍であり、耐電圧特性は1.1倍であった。
なお、補助成分が5wt%を越えると、遮断特性、耐電圧特性の少なくとも一方が悪化する。
以上の結果が示すように、本発明によって真空バルブ用接点材料の遮断特性と耐電圧特性を向上させることが可能となる。
(他の実施例)
なお、導電成分については、上記の実施例では、Cu,Ag,Ag+Cuでの記載しかないが、CuまたはAgを主成分とするならば、例えば微量のCr,Sn等を含有しても同様の効果が得られる。
また耐弧成分については、上記の実施例では、Cr,W,Nb,WC,Cr+Wでの記載しかないが、Cr,W,Nb,Ta,Ti,Mo及びこれらの炭化物の内の少なくとも1つを耐弧成分として使用しても、同様の効果が得られる。
さらに第3成分については、上記の実施例では、W,Mo,Ta,Co,Fe,Sb,WC,WB,Al,TiNでの記載しかないが、W,Mo,Cr,Co,Fe,Nb,Ta,Ti,Al,Sb及びこれらの炭化物、硼化物、酸化物、窒化物の内の少なくとも1種類を第3成分として使用しても、同様の効果が得られる。
補助成分についても、上記の実施例では、Bi,Te,Te+Seとした場合のみ記載しているが、Bi,Te,Seの内の少なくとも1つを補助成分としても、同様の効果が得られる。
本発明の一実施形態に係る真空バルブ用接点材料の代表的な製造プロセスを示した図。 本発明の真空バルブ用接点材料が適用される真空バルブの一例を示す断面図。 図2の要部拡大断面図。 本発明の各実施例および比較例の製造条件および評価結果を示す表図。
符号の説明
1…遮断室
2…絶縁容器
3a,3b…封着金具
4a,4b…蓋体
5,6…導電棒
7…固定電極
8…可動電極
9…ベローズ
10,11…アークシールド
12,14…ロウ付け部
13a…可動側接点
13b…固定側接点

Claims (10)

  1. 少なくとも導電成分と耐弧成分と第3成分とで構成される真空バルブ用接点材料であって、前記第3成分の原料粉末として、前記耐弧成分の原料粉末の平均粒子径の3倍以下の平均粒子径を有するものが使用され、液相焼結により製造されたことを特徴とする真空バルブ用接点材料。
  2. 前記第3成分の原料粉末は、導電成分にほとんど固溶せず、その平均粒子径は、耐弧成分の原料粉末の平均粒子径の1/10以下であり、さらに微細な第3成分の近傍に耐弧成分が存在することを特徴とする請求項1に記載の真空バルブ用接点材料。
  3. 前記真空バルブ用接点材料は非酸化性雰囲気中の焼結法で製造されたものであり、その焼結温度は、前記導電成分の溶融温度を基準にして、+20℃以上、+200℃以下であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の真空バルブ用接点材料。
  4. 前記真空バルブ用接点材料は液相焼結後に非酸化性雰囲気中での熱処理が実施されたものであり、その熱処理温度は、前記導電成分の溶融温度を基準にして、−20℃以下、−400℃以上であることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の真空バルブ用接点材料。
  5. 前記導電成分は、少なくともCuまたはAgのどちらか一方を主成分とすることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の真空バルブ用接点材料。
  6. 前記耐弧成分は、Cr,W,Nb,Ta,Ti,Mo及びこれらの炭化物の内の少なくとも1種類を含有したことを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれかに記載の真空バルブ用接点材料。
  7. 前記第3成分は、W,Mo,Cr,Co,Fe,Nb,Ta,Ti,Al,Sb及びこれらの炭化物、硼化物、酸化物、窒化物の内の少なくとも1種類を含有したことを特徴とする請求項1乃至請求項6のいずれかに記載の真空バルブ用接点材料。
  8. 前記接点材料の第3成分の含有率の合計量が5wt%以下であることを特徴とする特許請求項7記載の真空バルブ用接点材料。
  9. 前記真空バルブ用接点材料は補助成分を含有し、前記補助成分は、Bi,Te,Seの内の少なくとも1種類を含有していることを特徴とする請求項1乃至請求項8のいずれかに記載の真空バルブ用接点材料。
  10. 前記補助成分の含有率の合計量が5wt%以下であることを特徴とする請求項9に記載の真空バルブ用接点材料。

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