JP2006022240A - 樹脂組成物及び樹脂組成物を使用して作製した半導体装置 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、樹脂組成物及び樹脂組成物を使用して作製した半導体装置に関するものであ
る。
る。
環境対応の一環として半導体製品からの鉛撤廃が進められている中、半導体パッケージの外装めっきからの脱鉛化の目的でリードフレームのめっきをNi−Pdに変更する場合が増えてきている。ここでNi−Pdめっきは表面のPd層の安定性を向上する目的で薄く金めっき(金フラッシュ)が行われるが、一般にNi−Pdめっきそのものの平滑性および表面の金の存在のため通常の銀めっき銅フレーム等と比較すると各種部材のリードフレームへの接着力が低下する。接着力の向上するためには、一般にアミノ基を有するシランカップリング剤、メルカプト基を有するシランカップリング剤を使用するとは良く知られている(特許文献1参照)。また基板実装時に使用する半田も鉛フリー半田が使用されるため、錫−鉛半田の場合よりリフロー温度を高くする必要がある。接着力の低下およびリフロー温度の高温化に基づくストレスの増加のため、リフロー中に半導体パッケージ中に剥離ひいてはクラックが発生しやすくなるため半導体パッケージの構成材料はより高いリフロー耐性を有する必要がある。
このため半導体素子を支持体に接着する樹脂組成物に対してもNi−Pdめっきへの高
接着性のみならず、高温リフローを行っても剥離が生じない高接着信頼性が求められるようになってきているが従来より使用されている樹脂組成物では満足することができなかった。
特開平09−199518号公報
このため半導体素子を支持体に接着する樹脂組成物に対してもNi−Pdめっきへの高
接着性のみならず、高温リフローを行っても剥離が生じない高接着信頼性が求められるようになってきているが従来より使用されている樹脂組成物では満足することができなかった。
本発明は、Ni−Pdめっきされたリードフレームとの良好な接着力を有する樹脂組成
物を提供し、該樹脂組成物を半導体素子接着用に用いることで高温リフローを行っても剥離が生じない信頼性に優れた半導体装置を提供することである。
物を提供し、該樹脂組成物を半導体素子接着用に用いることで高温リフローを行っても剥離が生じない信頼性に優れた半導体装置を提供することである。
このような目的は、下記[1]〜[3]に記載の本発明により達成される。
[1]半導体素子を支持体に接着する導電性接着剤であって、(A)銀粉、(B)エポキシ樹脂、(C)1分子内に2個以上のフェノール性水酸基を有する化合物及び(D)一般式(1)で示される化合物を含むことを特徴とする樹脂組成物、
[1]半導体素子を支持体に接着する導電性接着剤であって、(A)銀粉、(B)エポキシ樹脂、(C)1分子内に2個以上のフェノール性水酸基を有する化合物及び(D)一般式(1)で示される化合物を含むことを特徴とする樹脂組成物、
[2]一般式(1)で示される化合物のR1、R3がともにエトキシ基、a、bがともに3、nが4、m1、m2がともに3に限定される化合物である第[1]項記載の樹脂組成物、
[3]第[1]又は[2]項に記載の樹脂組成物を用いて製作されることを特徴とする半導体装置、
である。
[3]第[1]又は[2]項に記載の樹脂組成物を用いて製作されることを特徴とする半導体装置、
である。
本発明により、Ni−Pdめっきされたリードフレームとの良好な接着力を有する樹脂
組成物を提供することが可能となり、該樹脂組成物を半導体素子接着用に用いることで高温リフローを行っても剥離が生じない信頼性に優れた半導体製品を提供することが可能となる。
組成物を提供することが可能となり、該樹脂組成物を半導体素子接着用に用いることで高温リフローを行っても剥離が生じない信頼性に優れた半導体製品を提供することが可能となる。
本発明では、フィラーとして銀粉(A)を使用する。銀粉を使用する理由は導電性、熱伝導性に優れるからであり、銀と銀以外の金属との合金あるいは銀粉及び銀と銀以外の金属との合金と併用でも差し支えないがフィラー中の銀の割合が90重量%以上であることが好ましい。また使用される分野が半導体関連であることから塩素、ナトリウム、カリウムといったイオン性不純物が少ない必要があり、また平均粒径は10μm以下でかつ最大粒径は50μm以下が好ましい。形状は保存中の沈降の観点からフレーク状が好ましいが、球状のものを併用することも可能である。このような銀粉は半導体用向けに供給しているものを容易に入手可能である。
銀粉の含有量は特に限定されるわけではないが、通常樹脂組成物中70重量%から90重量%含有される。これ以下では導電性が悪化し、これ以上では樹脂組成物の粘度が高くなりすぎ塗布作業性が悪化する可能性があるからである。
本発明では、エポキシ樹脂(B)とその硬化剤として1分子内にフェノール性水酸基を
2個以上有する化合物(C)を使用する。エポキシ樹脂を使用するのは、良好な接着性を有するからで、硬化剤としてフェノール系の化合物を使用するのは各種エポキシ樹脂の中でもフェノール系硬化剤との反応物がもっとも耐湿性に優れるからである。エポキシ樹脂(B)、1分子内にフェノール性水酸基を2個以上有する化合物(C)ともに上記銀粉同様、イオン性不純物が少ない必要がある。使用可能なエポキシ樹脂(B)としてはビスフ
ェノールA、ビスフェノールF、ビフェノールなどあるいはこれらの誘導体をエポキシ化した2官能のもの、トリヒドロキシフェニルメタン骨格、アミノフェノール骨格を有する3官能のもの、フェノールノボラック、クレゾールノボラックなどをエポキシ化した多官能のものなどが挙げられるがこれに限定されるわけではなく、また樹脂組成物として室温で液状である必要があるので、単独であるいは混合物として室温で液状のものが好ましい。通常行われるように反応性の希釈剤を使用することも可能である。
本発明では、エポキシ樹脂(B)とその硬化剤として1分子内にフェノール性水酸基を
2個以上有する化合物(C)を使用する。エポキシ樹脂を使用するのは、良好な接着性を有するからで、硬化剤としてフェノール系の化合物を使用するのは各種エポキシ樹脂の中でもフェノール系硬化剤との反応物がもっとも耐湿性に優れるからである。エポキシ樹脂(B)、1分子内にフェノール性水酸基を2個以上有する化合物(C)ともに上記銀粉同様、イオン性不純物が少ない必要がある。使用可能なエポキシ樹脂(B)としてはビスフ
ェノールA、ビスフェノールF、ビフェノールなどあるいはこれらの誘導体をエポキシ化した2官能のもの、トリヒドロキシフェニルメタン骨格、アミノフェノール骨格を有する3官能のもの、フェノールノボラック、クレゾールノボラックなどをエポキシ化した多官能のものなどが挙げられるがこれに限定されるわけではなく、また樹脂組成物として室温で液状である必要があるので、単独であるいは混合物として室温で液状のものが好ましい。通常行われるように反応性の希釈剤を使用することも可能である。
使用可能な1分子内にフェノール性水酸基を2個以上有する化合物(C)としては、ビ
スフェノールA、ビスフェノールF、ビフェノールなどあるいはこれらの誘導体、トリヒドロキシフェニルメタン、トリヒドロキシフェニルエタンなどあるいはこれらの誘導体、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、ビフェニルアラルキル樹脂などが挙げられるがこれに限定されるものではない。
本発明では通常知られているエポキシ系化合物とフェノール系化合物の反応触媒を使用
することが可能であるが、保管時の粘度上昇の観点から潜在性を有するものが好ましい。例示すると融点が180℃以上のイミダゾール類、トリフェニルホスフィンあるいはテトラフェニルホスフィンの塩類、ジアザビシクロウンデセン等アミン系化合物の塩類などが挙げられるがこれに限定されるものではない。
スフェノールA、ビスフェノールF、ビフェノールなどあるいはこれらの誘導体、トリヒドロキシフェニルメタン、トリヒドロキシフェニルエタンなどあるいはこれらの誘導体、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、ビフェニルアラルキル樹脂などが挙げられるがこれに限定されるものではない。
本発明では通常知られているエポキシ系化合物とフェノール系化合物の反応触媒を使用
することが可能であるが、保管時の粘度上昇の観点から潜在性を有するものが好ましい。例示すると融点が180℃以上のイミダゾール類、トリフェニルホスフィンあるいはテトラフェニルホスフィンの塩類、ジアザビシクロウンデセン等アミン系化合物の塩類などが挙げられるがこれに限定されるものではない。
本発明ではさらに一般式(1)で示される化合物(D)を使用する。これは主に被着体
との接着力の向上のためである。一般にアミノ基を有するシランカップリング剤、メルカプト基を有するシランカップリング剤を使用すると接着性が向上することは良く知られているが、例えばアミノ基を有するシランカップリング剤ではフェノール系硬化剤を使用する場合には室温での反応を促進するため十分に接着力向上効果を発揮するだけの量を含有することができない。またメルカプト基を有するシランカップリング剤を使用する場合にもアミノ基を有するシランカップリング剤ほど顕著ではないが反応促進させる点、ならびにフィラーとして用いる銀粉との反応のため導電性の悪化が観察されるため十分な含有量を添加することはできない。一方化合物(D)では、エポキシ基、フェノール性水酸基、銀と室温付近で直接反応しないため保存性を悪化させないため接着力向上効果が十分にあらわれる量を含有することが可能であり、特にエポキシ−フェノール硬化系において保存性と高接着性の両立が可能である。また硬化後の接着力については高接着タイプの他のシランカップリング剤を使用した場合と顕著な差はないが、吸湿処理を行った後の接着強度の維持率に優れている。
これは分子内の−(S)n−の構造がリードフレーム表面の金属およびフィラーとして
いる銀粉表面と化学結合を取っているためと考えられ、リードフレームとの界面での接着のみならず、銀粉−樹脂間の結合が強固になるため樹脂硬化物の凝集力が向上しているためと考えられる。図1、2に化合物(D)の一例としてA−1289(日本ユニカー(株)製、一般式(1)のR1、R3がともにエトキシ基、a、bがともに3、nが4、m1、m2がともに3)単独のDSC曲線、ならびにA−1289と銀粉を重量比1対1で混合したサンプルのDSC曲線を示す。測定条件はサンプル重量約30mg、室温から10℃/分である。これらの結果から、化合物(D)は銀粉と化学反応することが確認でき、銀粉と共に使用することにより初めて本発明の効果を得ることが可能となる。
との接着力の向上のためである。一般にアミノ基を有するシランカップリング剤、メルカプト基を有するシランカップリング剤を使用すると接着性が向上することは良く知られているが、例えばアミノ基を有するシランカップリング剤ではフェノール系硬化剤を使用する場合には室温での反応を促進するため十分に接着力向上効果を発揮するだけの量を含有することができない。またメルカプト基を有するシランカップリング剤を使用する場合にもアミノ基を有するシランカップリング剤ほど顕著ではないが反応促進させる点、ならびにフィラーとして用いる銀粉との反応のため導電性の悪化が観察されるため十分な含有量を添加することはできない。一方化合物(D)では、エポキシ基、フェノール性水酸基、銀と室温付近で直接反応しないため保存性を悪化させないため接着力向上効果が十分にあらわれる量を含有することが可能であり、特にエポキシ−フェノール硬化系において保存性と高接着性の両立が可能である。また硬化後の接着力については高接着タイプの他のシランカップリング剤を使用した場合と顕著な差はないが、吸湿処理を行った後の接着強度の維持率に優れている。
これは分子内の−(S)n−の構造がリードフレーム表面の金属およびフィラーとして
いる銀粉表面と化学結合を取っているためと考えられ、リードフレームとの界面での接着のみならず、銀粉−樹脂間の結合が強固になるため樹脂硬化物の凝集力が向上しているためと考えられる。図1、2に化合物(D)の一例としてA−1289(日本ユニカー(株)製、一般式(1)のR1、R3がともにエトキシ基、a、bがともに3、nが4、m1、m2がともに3)単独のDSC曲線、ならびにA−1289と銀粉を重量比1対1で混合したサンプルのDSC曲線を示す。測定条件はサンプル重量約30mg、室温から10℃/分である。これらの結果から、化合物(D)は銀粉と化学反応することが確認でき、銀粉と共に使用することにより初めて本発明の効果を得ることが可能となる。
上記理由から一般式(1)におけるnは2〜4に限定される。これより少なくても、多
くても接着力向上が望めないからである。なかでも特に好ましいのはnが4の場合である。末端は通常のシランカップリング剤と同様にアルコキシ基が1〜3個Siに結合した形となる。反応性の観点からアルコキシ基はメトキシ、エトキシ、ブトキシ基が好ましく、炭素数が11より多い場合には反応性が悪いため使用できない。特に好ましいのはメトキシ基あるいはエトキシ基であり、Siに2個あるいは3個結合したものである。m1、m2は1から5の整数であるが、特に好ましいのは3である。
くても接着力向上が望めないからである。なかでも特に好ましいのはnが4の場合である。末端は通常のシランカップリング剤と同様にアルコキシ基が1〜3個Siに結合した形となる。反応性の観点からアルコキシ基はメトキシ、エトキシ、ブトキシ基が好ましく、炭素数が11より多い場合には反応性が悪いため使用できない。特に好ましいのはメトキシ基あるいはエトキシ基であり、Siに2個あるいは3個結合したものである。m1、m2は1から5の整数であるが、特に好ましいのは3である。
化合物(D)の含有量は、エポキシ樹脂(B)と1分子内にフェノール性水酸基を2個
以上有する化合物(C)の合計に対して0.1から10重量%含まれる。下限値より少ないと期待する接着力向上効果が期待できず、上限値より多いと樹脂組成物の反応性が低下するとともにアルコキシシラン基から脱離したアルコールに基づくボイドが発生しやすくなるので好ましくない。
以上有する化合物(C)の合計に対して0.1から10重量%含まれる。下限値より少ないと期待する接着力向上効果が期待できず、上限値より多いと樹脂組成物の反応性が低下するとともにアルコキシシラン基から脱離したアルコールに基づくボイドが発生しやすくなるので好ましくない。
本発明の樹脂組成物には、必要により低応力剤、消泡剤、界面活性剤等の添加剤を添加
することも可能である。
本発明の樹脂組成物は、例えば各成分を予備混合した後、3本ロールを用いて混練した
後真空下脱泡することにより製造することができる。
本発明の樹脂組成物を用いて半導体装置を製作する方法は、公知の方法を用いることができる。
することも可能である。
本発明の樹脂組成物は、例えば各成分を予備混合した後、3本ロールを用いて混練した
後真空下脱泡することにより製造することができる。
本発明の樹脂組成物を用いて半導体装置を製作する方法は、公知の方法を用いることができる。
[実施例1、2、3]
銀粉(A)として粒径1〜30μmで平均粒径3μmのフレーク状銀粉(以下銀粉)、エポキシ樹脂(B)としてビスフェノールAとエピクロルヒドリンとの反応により得られるジグリシジルビスフェノールA(エポキシ当量180、常温で液体、以下ビスAエポキシ)、クレジルグリシジルエーテル(エポキシ当量185、以下CGE)、1分子内にフェノール性水酸基を2個以上有する化合物(C)としてフェノールノボラック(水酸基当量104、軟化点80〜90℃、以下フェノール系A)ならびにフェノールアラルキル樹脂(水酸基当量180、住友ベークライト(株)製、PR−54869、以下フェノール系B)、一般式(1)で示される化合物(D)としてA−1289(日本ユニカー(株)製、一般式(1)のR1、R3がともにエトキシ基、a、bがともに3、nが4、m1、m2がともに3、以下カップリング剤A)、反応促進剤としてキュアゾール2MZ−A(四国化成工業(株)製、以下2MZ−A)ジシアンジアミド、を表1に示す割合で配合し、3本ロールで混練して樹脂組成物を得た。
この樹脂組成物を真空チャンバーにて2mmHgで30分間脱泡した後以下の方法により各種性能を評価した。
銀粉(A)として粒径1〜30μmで平均粒径3μmのフレーク状銀粉(以下銀粉)、エポキシ樹脂(B)としてビスフェノールAとエピクロルヒドリンとの反応により得られるジグリシジルビスフェノールA(エポキシ当量180、常温で液体、以下ビスAエポキシ)、クレジルグリシジルエーテル(エポキシ当量185、以下CGE)、1分子内にフェノール性水酸基を2個以上有する化合物(C)としてフェノールノボラック(水酸基当量104、軟化点80〜90℃、以下フェノール系A)ならびにフェノールアラルキル樹脂(水酸基当量180、住友ベークライト(株)製、PR−54869、以下フェノール系B)、一般式(1)で示される化合物(D)としてA−1289(日本ユニカー(株)製、一般式(1)のR1、R3がともにエトキシ基、a、bがともに3、nが4、m1、m2がともに3、以下カップリング剤A)、反応促進剤としてキュアゾール2MZ−A(四国化成工業(株)製、以下2MZ−A)ジシアンジアミド、を表1に示す割合で配合し、3本ロールで混練して樹脂組成物を得た。
この樹脂組成物を真空チャンバーにて2mmHgで30分間脱泡した後以下の方法により各種性能を評価した。
[比較例1、2、3、4]
実施例と同様に樹脂組成物を作製し評価した。なお比較例2では破砕シリカ(平均粒径
3μm、以下シリカ)を、比較例3ではアミノ基を有するシランカップリング剤としてKBM−903(信越化学工業(株)製、3-アミノプロピルトリメトキシシラン、以下カ
ップリング剤B)を、比較例4ではメルカプト基を有するシランカップリング剤としてKBM−803P(信越化学工業(株)製、3-メルカプトプロピルトリメトキシシラン、
以下カップリング剤C)を用いた。
実施例と同様に樹脂組成物を作製し評価した。なお比較例2では破砕シリカ(平均粒径
3μm、以下シリカ)を、比較例3ではアミノ基を有するシランカップリング剤としてKBM−903(信越化学工業(株)製、3-アミノプロピルトリメトキシシラン、以下カ
ップリング剤B)を、比較例4ではメルカプト基を有するシランカップリング剤としてKBM−803P(信越化学工業(株)製、3-メルカプトプロピルトリメトキシシラン、
以下カップリング剤C)を用いた。
評価方法
・粘度:E型粘度計(3°コーン)を用い25℃、2.5rpmでの値を樹脂組成物作製後ならびに25℃48時間処理後に測定した。粘度が15〜25Pa.s、粘度の変化率が20%以下の場合を合格とした。粘度の単位はPa・sである。
・接着強度:樹脂組成物を用いて、6×6mmのシリコンチップを金フラッシュしたNi−Pdフレームにマウントし、175℃オーブン中30分硬化した。硬化後ならびに吸湿処理(85℃、85%、72時間)後に自動接着力測定装置を用い260℃での熱時ダイシェア強度を測定した。260℃熱時ダイシェア強度が30N/チップ以上の場合を合格とした。接着強度の単位はN/チップ。
・体積抵抗率:4x50x0.04mmになるように樹脂組成物を塗布し175℃30分間硬化した。長さ方向40mmの抵抗値を測定することで体積抵抗率を求めた。1x10-3Ω・cm以下を合格とした。単位はΩ・cm。
・耐リフロー性:表1に示す樹脂組成物を用い、下記の基板とシリコンチップを175℃30分間硬化し接着し、封止材料(スミコンEME−7026、住友ベークライト(株)製)を用い封止し、60℃、相対湿度60%、120時間吸湿処理した後、IRリフロー処理(260℃、10秒、3回リフロー)を行なった。処理後のパッケージを超音波探傷装置(透過型)により剥離の程度を測定した。ダイアタッチ部の剥離面積が10%未満の場合を合格とした。剥離面積の単位は%である。
パッケージ:QFP(14×20×2.0mm)
リードフレーム:金フラッシュしたNi−Pdフレーム
チップサイズ:6×6mm
硬化条件:オーブン中175℃、30分
・粘度:E型粘度計(3°コーン)を用い25℃、2.5rpmでの値を樹脂組成物作製後ならびに25℃48時間処理後に測定した。粘度が15〜25Pa.s、粘度の変化率が20%以下の場合を合格とした。粘度の単位はPa・sである。
・接着強度:樹脂組成物を用いて、6×6mmのシリコンチップを金フラッシュしたNi−Pdフレームにマウントし、175℃オーブン中30分硬化した。硬化後ならびに吸湿処理(85℃、85%、72時間)後に自動接着力測定装置を用い260℃での熱時ダイシェア強度を測定した。260℃熱時ダイシェア強度が30N/チップ以上の場合を合格とした。接着強度の単位はN/チップ。
・体積抵抗率:4x50x0.04mmになるように樹脂組成物を塗布し175℃30分間硬化した。長さ方向40mmの抵抗値を測定することで体積抵抗率を求めた。1x10-3Ω・cm以下を合格とした。単位はΩ・cm。
・耐リフロー性:表1に示す樹脂組成物を用い、下記の基板とシリコンチップを175℃30分間硬化し接着し、封止材料(スミコンEME−7026、住友ベークライト(株)製)を用い封止し、60℃、相対湿度60%、120時間吸湿処理した後、IRリフロー処理(260℃、10秒、3回リフロー)を行なった。処理後のパッケージを超音波探傷装置(透過型)により剥離の程度を測定した。ダイアタッチ部の剥離面積が10%未満の場合を合格とした。剥離面積の単位は%である。
パッケージ:QFP(14×20×2.0mm)
リードフレーム:金フラッシュしたNi−Pdフレーム
チップサイズ:6×6mm
硬化条件:オーブン中175℃、30分
本発明のよればNi−Pdめっきされたリードフレームとの良好な接着力を有する樹脂
組成物が得られ、該樹脂組成物を半導体素子接着用に用いた半導体装置は、高温リフロー性に優れるため、鉛フリー半田に対応した半導体製品に好適に用いることができる。
組成物が得られ、該樹脂組成物を半導体素子接着用に用いた半導体装置は、高温リフロー性に優れるため、鉛フリー半田に対応した半導体製品に好適に用いることができる。
Claims (3)
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|---|---|---|---|
| JP2004202710A JP2006022240A (ja) | 2004-07-09 | 2004-07-09 | 樹脂組成物及び樹脂組成物を使用して作製した半導体装置 |
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| JP2004202710A JP2006022240A (ja) | 2004-07-09 | 2004-07-09 | 樹脂組成物及び樹脂組成物を使用して作製した半導体装置 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2006022240A true JP2006022240A (ja) | 2006-01-26 |
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008106160A (ja) * | 2006-10-26 | 2008-05-08 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 液状樹脂組成物の製造方法、液状樹脂組成物および半導体装置 |
| JP2009013294A (ja) * | 2007-07-04 | 2009-01-22 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 樹脂組成物および半導体装置 |
Citations (5)
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|---|---|---|---|---|
| JPH06184282A (ja) * | 1992-12-18 | 1994-07-05 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 導電性樹脂ペースト |
| JPH07179833A (ja) * | 1993-12-24 | 1995-07-18 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 導電性樹脂ペースト |
| JP2000136290A (ja) * | 1998-11-02 | 2000-05-16 | Toshiba Chem Corp | 封止用樹脂組成物及び半導体封止装置 |
| JP2001207033A (ja) * | 2000-01-26 | 2001-07-31 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | ダイアタッチペースト及び半導体装置 |
| JP2001257219A (ja) * | 2000-03-13 | 2001-09-21 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | ダイアタッチペースト及び半導体装置 |
-
2004
- 2004-07-09 JP JP2004202710A patent/JP2006022240A/ja active Pending
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